PRINCIPIOS DE ELECTRÓNIca

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA.
MARIO ROJAS MONTAO
CONCEPTOS GENERALES
Electricidad.- Forma de energa que se obtiene mediante procesos mecnicos, qumicos, etc. manifiesta su efecto mediante fenmenos mecnicos luminosos, y qumicos. La electricidad se puede generar mediante ciertos procesos: Qumicos, el caso de las bateras en las que se producen una serie de reacciones qumicas donde se libera electrones Mecnicos se obtiene principalmente por el rozamiento de cuerpos o molculas como es el caso de las descargas atmosfricas Electromecnicos.en los generadores de energa elctrica se pone en movimiento una
bobina en un campo elctrico lo cual hace que se genere una corriente elctrica. Sin embargo, tambin lo opuesto genera una corriente elctrica (Hacer mover un campo elctrico cerca de una bobina) Electrnica.- Rama de la fsica que estudia todo lo relacionado con el electrn, su comportamiento y los fenmenos a los que da lugar. Cargas elctricas.- Existen dos tipos de cargas elctricas: negativa (electrones) y positiva (tomos que han perdido electrones) tiene unidades Coulombs La materia ordinaria esta hecha de tomos que contiene un ncleo que esta compuesta protones (similar al sistema solar), se encuentran los electrones que tienen cargas negativa. La carga elctrica se cuantifica en trminos de la carga de un electrn. De la siguiente manera Carga del Protn e = 1.602 x 10-19 Coulombs Carga del Electrn Campo elctrico Coulombs El campo elctrico esta definido como la fuerza elctrica por unidad de carga. La direccin el campo elctrico es radial a la carga elctrica y se considera saliente en una carga positiva y entrante a una carga negativa. Cargas Cilindro Esfera Cargad Puntual Cargada o es -e = 1.602 x 10-19 por
con carga positiva y neutrones con carga negativa. Alrededor del ncleo en orbitas
Placas Paralelas Cargadas Cargas en Mltiples Puntos Direccin del Campo Elctrico
TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO
Ley de Coulomb. Cargas iguales se repelen, cargas distintas se atraen. La fuerza elctrica que acta sobre un a carga puntual q1 es el resultado de la presencia de una segunda carga puntual q2 y esta dada por la ley de Coulomb
Cargas Iguales se Repelen
F=
Kq q qq 1 2= 1 2 r2 4o r 2
Cargas Opuestas se Atraen Donde 0 = Permitividad del Espacio Voltaje.Es la energa potencial elctrica por unidad de carga, medida en Juoles por coulomb, tiene unidades Voltios, tambin se conoce como Potencial Elctrico. Son trminos similares Diferencia de potencial que es la diferencia entre los potenciales elctricos o voltaje entre dos puntos y tensin o voltaje de un punto que seria el potencial de ese punto. Corriente elctrica Se define corriente elctrica como el flujo de cargas elctricas por unidad de tiempo; tiene unidades Amperios (A) que es igual a Coulombs/seg. Si bien, los electrones son los responsables del movimiento de cargas elctricas en conductores tales como los cables, la direccin del flujo de corriente, por convencin se supone que tiene la misma direccin del flujo de cargas positivas (de positivo a negativo). Sin embargo algunos textos toman la direccin de la corriente en el mismo sentido del flujo de electrones (de negativo a positivo) La definicin de corriente elctrica supone adems el movimiento de cargas positivas. Esto solo puede darse en el caso de movimiento de masa (tomos cargados), existen situaciones en las que es posible el movimiento de tomos cargados, ejemplo de esto son los gases ionizados en los que s existen movimiento de tomos ionizados (cargados positivamente). Campo Magntico
La circulacin de corriente a travs de un conductor genera un campo magntico cuya direccin esta dada por la regla de la mano derecha Sentido de la Corriente
Sentido del Campo Magntico
Generacin de campo magntico mediante la circulacin de corriente elctrica Es necesario observar que un campo elctrico se produce por la presencia de cargas elctrica (cargas estticas o estacionarias) y el campo magntico resulta del movimiento de cargas elctricas como es el caso del movimiento de electrones a travs de un conductor Resistencia elctrica.- Es la dificultad que opone un cuerpo al paso de la corriente elctrica; tiene unidades OHM ()
R=
Donde
l A
= Resistividad del material l = Longitud del material A = Seccin transversal del material De la anterior formula es posible observar que a mayor longitud del material, se tendr mayor resistencia y a mayor grosor o rea se tendr menor resistencia La resistividad del material es una medida de cuanto de resistencia tiene un material por longitud de conductor (los materiales conductores tienen una resistividad baja, los materiales aislantes tienen una resistividad elevada) Inductancia.- Es la capacidad de almacenar energa en un campo magntico tiene unidades Henrios (H). Esta unidad es demasiado grande por lo cual se utilizan sus submltiplos; en este caso el miliHenrio [mH] y el microHenrio [H]. La inductancia es un parmetro que caracteriza a las bobinas. Reactancia inductiva: Es la oposicin que ejerce una bobina al paso de la corriente alterna. Esta dada por la siguiente formula:
X L = 2 * f * L
Si reemplazamos la frecuencia f = 0 (que seria el caso de la corriente continua), se tendria que la reactancia inductiva o oposicin que ejerce una bobina al paso de la corriente alterna es igual a cero (0) Capacitancia.Es la capacidad de almacenar energa en un campo elctrico tiene unidades de
faradios (F). pero esta unidad resulta demasiado grande por lo cual se utilizan sus submltiplos como son los microfaradios, los pico faradios y los nanofaradios
C=
Donde
Q A ;C = d V
= constante dielctrica A = rea de las placas D = distancia entre placas
C capacidad en Faradios Q = carga en Coulomb V en Volts
La engra que almacena un capacitor esta relacionada con su capacidad y el voltaje este almacena:
W =
1 CV 2 2
Reactancia capacitiva: Es la oposicin que ejerce un capacitor al flujo de corriente alterna. Esta dada por:
XC =
1 2 * f * C
Si en la anterior formula reemplazamos f = 0 (caso de corriente continua) se tendr que la reactancia capacitiva es de valor infinito. Esto solo puede darse si el capacitor es un circuito abierto Impedancia.- es la resistencia total aparente que ofrece un circuito complejo al paso de la corriente alterna (circuito que contiene resistores, capacitores e inductores) tiene unidades OHM ()
Z = R + j ( X L X C ) = Resistencia + j Reactancia
Reactancia.- Parte compleja de la impedancia tiene unidades OHM () Donde j=
X = (X L XC )
1 = unidad imaginaria
XL = reactancia inductiva; XC = Reactancia capacitiva; f = frecuencia del voltaje aplicado en ciclos por segundo o Hertz L = inductancia de bobina C = Capacitancia del capacitor
Se define adems la admitancia
Y=
Donde
1 = G + jB Z
Y = Admitancia G = Conductancia B = Suceptancia Voltaje continuo (DC) Voltaje continuo o voltaje en corriente continua no cambia de polaridad con el tiempo, esto quiere decir que se tiene un Terminal positivo y otro negativo que permanecer para siempre (ejemplo : las pilas, bateras) Voltaje alterno (AC) Voltaje alterno o voltaje en corriente alterna cambia peridicamente de polaridad con el tiempo. Esto quiere decir que cada Terminal cambiara peridicamente de polariza y ser alternativamente positivo y negativo (ejemplo el voltaje de la red de distribucin domiciliaria Corriente continua (DCA) Corriente que fluye en un solo sentido tiene Unidades Amperios (A) (un voltaje continuo provoca que circule por un circuito una corriente continua). La corriente continua puede ser interpretada como una corriente alterna con frecuencia igual a cero Corriente alterna (ACA).- corriente que fluye en ambas direcciones peridicamente. Unidades Amperios (A) Formas de onda peridicas Una onda peridica, es una onda que se repite a intervalos regulares. La forma de onda peridica mas comnmente encontrada en la naturaleza es la senoidal (o cosenoidal), es la misma forma de onda que se encuentra en la corriente alterna domiciliaria. Debido a su pureza (no contiene harmnicos) es la forma de onda que mejor se comporta en las diferentes aplicaciones. La siguiente figura muestra este tipo de onda, junto con los diferentes parmetros que lo caracterizan
VMAX VEF
V MED =
T t
T
1 V Sen(t ) = 0 T MAX 0
VEF =
V
0
Max
Sen(t ) =
VMAX
Onda Senoidal
VMAX 2
La onda senoidal puede ser descrito mediante la siguiente ecuacin
V (t ) = VMAX Cos (t )
Donde V(t) es el voltaje en funcin del = 2 * * f tiempo con Otras formas de onda
VMAX VEF T
VMAX VEF T
Diente de sierra
Onda cuadrada
Las formas de onda peridicas que no son senoidales como las dos anteriores pueden ser obtenidos mediante la suma de una onda senoidal de la misma frecuencia que la onda original (llamada fundamental) y una serie de ondas senoidales con frecuencia que son mltiplos de la fundamental (llamados harmnicos). El valor eficaz VEF de una onda peridica, se asocia con el voltaje de esta onda peridica que produce el mismo efecto que una determinada cantidad de voltaje en corriente continua Valor pico es el mximo valor de la onda (VMAX) Valor pico a pico es el valor de la onda medido desde su valor mximo negativo a su valor mximo positivo. En el caso de la onda senoidal de la figura Vpp= 2VMAX En el caso de la corriente continua, el valor eficaz, el valor medio, y el valor pico carecen de significado (en todo caso todos estos valores serian iguales ) Fuentes de Energa Elctrica Existen dos tipos de fuentes de energa elctrica: fuentes de voltaje y fuentes de corriente que a su ves pueden ser de AC o DC
Las Fuentes de voltaje idealmente proporcionan un voltaje constante entre sus terminales para una amplia variacin de cargas (resistencia conectada entre sus terminales). Variando nicamente el valor de la corriente que circula por la resistencia.
+ -
Fuente de voltaje CC Fuente de voltaje de CA Las fuentes de Corriente, contrariamente a las fuentes de tensin, la corriente que proporciona es constante para una amplia variacin de la carga, lo que varia es el voltaje entre los terminales de la carga para poder proporcionar una corriente constante. + -
Fuente de corriente en CC
Fuente de corriente en CA
Medicin de Voltaje. El instrumento mediante el cual se mide el voltaje es llamado voltmetro y debe conectarse en paralelo con la carga como se muestra en la siguiente figura
1 B A TTE R Y 2
R E S IS T O R
Para no influir en el comportamiento del circuito, el voltmetro debera tener una resistencia interna muy grande. Esta resistencia interna esta representada por la sensibilidad del instrumento que esta dado generalmente en K/V y puede ser obtenido multiplicando la escala por la sensibilidad Medicin de corriente. El instrumento con el cual se mide la corriente es el ampermetro el cual deber insertarse entre la fuente y la carga (en serie) como se muestra en la siguiente figura
A
1 B A TTE R Y 2 R E S IS T O R
Para no modificar el funcionamiento del circuito, el ampermetro deber tener una impedancia interna muy pequea, en lo posible prximo a cero. En ningun caso deberia conectarse un amperimetro en paralelo (como voltimetro); debido a su baja resistencia interna probacaria un corto circuito Medicin de Potencia
W
1
BATTER Y RESISTO R
Es una combinacin de la medicin de voltaje y corriente (de hecho la potencia se puede obtener midiendo por separado la corriente y el voltaje y multiplicando los valores medidos) Circuitos Elctricos Un circuito elctrico es un camino que se le da a la corriente para que fluya CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
10V
V R P =V * I I=
CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA

R 10 + 15 L 5 C
v(t ) = 2 * 220 cos(100t )

i (t ) = v 220 = ) 1 Z 10 + j (500 100 *10 *10 6
S = v (t ) * i (t ) = v * iCos v * isen 8
Donde V(t) = el voltaje que proporciona la fuente de alimentacin (en nuestro medio 220V, 50 ciclos por segundo) S = potencia aparente con unidades VA (volts * amperes) v*i cos = potencia activa (vatios Watt) Cos = factor de potencia V*i sen = Potencia reactiva (VAR)
= ngulo que forman la corriente con el voltaje (
= arctan
(L R
1 ) C )
con = 2*f f = frecuencia (50 Hz) j = unidad imaginaria (i) utilizado para no confundir con la corriente
CLASIFICACION DE LOS MATERIALES

Conductores Semiconductores Aislantes 1 a 150 - Cm 150 a 1000 - Cm mas de 1000 - Cm
PROPIEDADES FSICAS DE LOS METALES En la siguiente tabla se muestran algunos de los materiales ms importantes que se utilizan en electrnica junto con algunas de sus propiedades
METAL ALUMINIO COBRE ESTAO GALIO GERMANIO HERRO ORO PLATA
CONDUCTIVIDAD TERMICA A 100 o (W/m-K) 238 397 73.2 41 56.4 78.2 315.5 425
RESISTIVIDAD A 20 Oc (-Cm) 2.67 1.694 12.6 89*103 10.1 2.2 1.63
PLOMO SILICIO NIQUEL
34.9 138 88
20.6 103 - 106 6.9
PROPIEDADES DE MATERIALES DIELECTRICOS PARA CONDENSADORES Se utilizan en la construccin de capacitares debido a que Ayudan en el almacenamiento de cargas elctricas (creacin de cargas elctricas).
MATERIAL
CONSTANTE
POLICARBONATO TERAFTALATO DE POLIETILENO POLIIMIDA POLIPROPILENO POLIESTIRENO POLITETRAFLUOROETIL ENO POLISULFONA CLORURO DE POLIVINILIDENO
FACTOR DE TEMPERATURA COSTO DISIPACION DE SERVICIO DIELECTRICA (%) (C) RELATIVO 3.0 0.1 -1.0 110 7 3.2 3.5 2.2 2.5 2 3.1 11 0.2 - 2.0 0.2 0.01 - 0.03 0.01 0.1 0.003 0.025 0.1 - 0.4 0.01 - 0.12 85 240 90 75 250 150 160 3.6 68 1.8 1.3 21 23
MATERIALES MAGNETICOS Tienen la caracterstica que ayudan o contribuyen al flujo magntico, se utilizan en los ncleos de los transformadores y bobinas
MATERIAL HIERRO COBALTO NIQUEL Fe al 3% de si no Orientado Fe al 3% de si orientado
DENSIDAD DE FLUJO DENSIDAD DE SATURACION (G) GR/Cmm3 21500 7.85 19000 8.84 6080 8.89 20000 20000 7.65 7.65
REISTIVIDA PERMEABILID D AD - Cmm MAXIMA 9.6 6000 9 250 2500 47 50 8000 50000
10
ferrita Mn Zn Ferrita Ni - Zn
3800 3500
5.54 5.54
100 100
1500 1500
MATERIALES EMISIVOS Materiales que al ser calentados emiten electrones. se usan en los filamentos de las pantallas de TV y monitores Tungsteno Tungsteno recubierto de oxido Tungsteno impregnado de oxido (bario estroncio, calcio) Tungsteno toriado MATERIALES FOTOSENSIBLES Puede ser gaseoso lquido o slido, los de mayor inters son los cristales lquidos utilizados en pantalla y vidrios pticos
COMPONENTES ELECTRNICOS Clasificacin De Componentes Electrnicos.

Los componentes electrnicos pueden ser clasificados en dos grandes grupos: Componentes Pasivos y Componentes Activos Los Componentes Pasivos son aquellos que no contribuyen con la ganancia de energa o amplificacin dentro de un circuito o sistema electrnico. Estos componentes no tienen accin de control y no necesitan ninguna otra entrada ms que una seal para realizar su funcin. A este grupo pertenecen las resistencias, los condensadores, las bobinas, los conectores, los interruptores y los conductores. Los Componentes activos son aquellos que tienen la capacidad de controlar voltajes o corrientes y que pueden crear una accin de amplificacin o de conmutacin. Entre ellos se tiene los diodos, los transistores, los tiristores y los circuitos integrados. En general los componentes activos mas importantes son los semiconductores; se basan en la propiedad que tienen ciertos materiales de comportarse como conductores o aislantes bajo determinadas condiciones o estmulos externos. Se conocen tambin como Dispositivos de Estado Slido (solid state device) y son los verdaderos responsables de la revolucin de la electrnica.
11
COMPONENTES ELECTONICOS PASIVOS

Resistores Son dispositivos que consumen energa, esta energa se transforma en calor Lo cual provoca la elevacin de la temperatura del dispositivo. Se usan para controlar el flujo de corriente. Smbolo Designacin - R 2.2k R1
Unidades Ohm [], kOhm [k], MOhm [M] TIPOS DE RESISTORES Resistores de Composicin de Carbono. Existen dos tipos de resistores de carbn: resistores de carbn aglomerado y resistores de pelcula de carbn. Los resistores de carbn aglomerado actualmente se encuentran casi en desuso debido a que presentaba poca estabilidad. Ventajas: bajo precio amplio intervalo de valores baja inductancia y excelente capacidad para soportar oscilaciones de carga Desventajas: tolerancias > a 5% Poca estabilidad a largo plazo Resistores de Pelcula de Carbono Ventajas: Bajo costo, mayor estabilidad, mejor rendimiento a altas frecuencias, presentan menor ruido: su caracterstica distintiva es que tiene un coeficiente negativo de temperatura Tiene la desventaja en relacin al anterior debido a que tiene una mayor inductancia Resistores de Pelcula Metlica Estn formadas por una pelcula delgada de metal sobre un ncleo aislante, para valores elevados esta formado por un oxido o algn compuesto metlico. Se encuentran resistencia con tolerancias hasta de 0.1 a 1%. Son superiores en estabilidad a los dos anteriores. Resistores de Alambre Arrollado De uso general, de bajo costo De potencia de hilo arrollado De precisin de hilo arrollado
12
Existen con tolerancias desde 0.01 hasta 1% , tienen buena estabilidad Resistores de Pastilla (chip) Resistores de pequea potencia utilizados para reducir el tamao de los circuitos, tienen excelente estabilidad y son de montaje superficial (SMD = Surface Mounted Device) Resistores de circuitos microelectrnicos Resistores de pelcula gruesa Resistores de pelcula delgada Propiedades de los Resistores Tolerancia Estabilidad Coeficiente trmico Coeficiente de voltaje Efectos de la humedad Disipacin de potencia Efectos de las frecuencias Tolerancia. Esta expresada como porcentaje, mediante ella el fabricante esta garantizando que el valor de la resistencia esta comprendido dentro de un rango valores. Por ejemplo en una resistencia de 1000 al 5% su valor, en ningn caso deber ser menor a 950 (1000 5% de 1000) ni mayor a 1050 (1000 + 5% de 1000). La tolerancia esta expresada mediante la ultima banda en el cuerpo de la resistencia. (Para tolerancias 10%) Estabilidad La estabilidad se refiere al cambio que experimenta la resistencia despus de la exposicin a un esfuerzo ambiental especfico. Los esfuerzos ms importantes que se consideran son: alta o baja temperatura durante el almacenamiento, larga duracin en almacenamiento, aplicacin de potencia nominal completa radiacin Coeficiente Trmico Llamado tambin coeficiente de temperatura se define como la variacin del valor de la resistencia expresado en partes por milln por cada grado Celsius (ppm/C). Este coeficiente es mayor para resistencias de mayor valor y a temperaturas elevadas puede ser significativo. humedad, Calor de soldadura, tiempos cortos de sobrecarga y exposicin a
13
Coeficiente de Voltaje Se conoce como coeficiente de voltaje al cambio porcentual que experimenta una resistencia por cada voltio aplicado Por lo general cuando se aplica voltaje a un resistor, el valor de este puede experimentar una ligera disminucin (adems de los cambios debido a la temperatura) Efectos de Humedad La humedad puede provocar los siguientes dos efectos que pueden ser revertidos
Fugas de corriente sobre la superficie de resistencias de alto valor reduciendo de esta manera la resistencia aparente Si se absorbe la humedad a travs del cuerpo de la resistencia puede hacer variar el valor
Estos dos efectos pueden ser revertidos mediante horneado de la resistencia (secado en horno). Disipacin de Potencia La potencia disipada es el trabajo realizado por la corriente elctrica al circular a travs de la
resistencia. Este trabajo se convierte en calor y hace elevar la temperatura de la resistencia. La potencia de las resistencias esta especificada en Watts; en algunas resistencias de valores relativamente grandes como es el caso de las resistencias de alambre, la potencia esta impresa en el cuerpo de la resistencia. En general el tamao de la resistencia esta relacionada con su potencia. Para aplicaciones electrnicas, existe en el mercado resistencias aproximadamente 100Watts. Una consideracin importante en la disipacin de potencia es el incremento de temperatura, ya que esta puede reducir la disipacin de potencia, especialmente cuando esta montada cerca de dispositivos que emiten calor, en tal caso ser necesario disminuir la potencia que puede disipar la resistencia o en su defecto mejorar la ventilacin. Efectos de las Frecuencias El valor de la resistencia permanece constante solo a bajas frecuencias, la respuesta a altas frecuencias es afectada por las inductancias y capacitancias distribuidas en la trayectoria resistiva, inductancia de los conductores, capacitancia entre la envoltura y tierra, efecto de superficie y perdidas dielctricas. desde 1/20 Watts hasta
14
Cdigo de Colores para Resistencias Color Negro Caf Rojo Naranja Amarillo Ejemplos Rojo, negro, rojo, dorado = 2000 +- 5% Amarillo, violeta, rojo, rojo, caf =47200 +1% Naranja, naranja, dorado, dorado = 3.3 +5% Verde Azul Violeta Gris Blanco Dorado Plateado Ninguno Medicion de Resistencias: valor 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Multiplica dor 1 10 100 1000 (1K) 104 (10K) 105 (100K) 10 (1 M) 107 (10 M)
6
Tolerancia 1% (F) 2% (G)
0,5% 0,25% 0,10% 0,05% 5% (J) 10% (K) 20% (M)
0.1 0.01
La medicin de las resistencias se efecta mediante el instrumento llamado Ohmetro este instrumento lo que en realidad mide es la corriente que deja circular la resistencia; por tanto a mayor valor de resistencia circular menor corriente. Es por esta razn, tratndose de un ohmetro analgico, la escala deber estar graduada de derecha a izquierda (con el cero a la derecha). En el caso del ohmetro analgico deber elegirse la escala que nos permita mejor visibilidad de la lectura y en el caso del ohmetro digital debera elegirse la escala inmediatamente superior al valor que se desea medir. El valor obtenido en la medicin deber estar dentro de los mrgenes establecidos por la tolerancia (Valor especificado tolerancia). Sin embargo esta medida estar sujeta al error propio del instrumento con el cual se esta midiendo (cualquier valor fuera del rango, supone desechar el resistor). Termistores Son resistores cuyo valor vara en funcin de la temperatura Smbolo Aspecto fsico
Existen de dos tipos: PTC PTR (coeficiente positivo de temperatura) El valor de la resistencia vara (aumenta) con el aumento de temperatura NTC NTR (coeficiente negativo de temperatura) El valor de su resistencia disminuye a medida que aumenta su temperatura
15
Dado que la resistencia del termistor vara con su temperatura, para poder medirse debera calentarse este dispositivo y observar la variacin conforme calienta o enfra. Varistores Llamados tambin VDR (resistencia dependiente de voltaje) o MOV (metal oxide varistor) Son resistores cuyo valor vara en funcin del voltaje aplicado, se utilizan como protectores contra sobretenciones y supresores de picos Smbolo Aspecto fsico
Si se trata de medir con un ohmetro, normalmente y varistor no debera medir resistencia alguna (R = ) sin embargo esta medida no nos da el valor de su voltaje eficaz. Un circuito que nos permita medir el voltaje eficaz es el que se muestra en la figura.
100k
Fuente de Corriente Alterna-
Voltmetro de - corriente alterna
Fotorresistencias El LDR (Light dependant resistor) es una resistencia que vara su valor dependiendo de la cantidad de luz que la ilumina. Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y cuando est totalmente a oscuras vara, puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K) en iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios cuando est a oscuras.
Smbolo
Aspecto fsico
16
El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que dura en este proceso no siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro. Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o iluminacin a oscuridad) y a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de respuesta tpico es de aproximadamente 0.1 segundos. Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:
Luz nocturna de encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia para activar una o ms luces al llegar la noche. - Rel controlado por luz, donde el estado de iluminacin de la fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (rel), que puede tener un gran nmero de aplicaciones El LDR o forresistencia es un elemento muy til para aplicaciones en circuitos donde se necesita detectar la ausencia de luz de da Para poder probar una fotorresistencia es necesario exponer este dispositivo a la luz y la oscuridad para poder observa la variacin de su valor Valores Normalizados de Resistencias Los valores de resistencias que pueden encontrarse depende esencialmente de las tolerancia con las que se fabrican, el objetivo es cubrir el rango de todos los valores posible. En la siguiente tabla se muestra los valores normalizados.
Tolerancia Tolerancia 10 % 5% 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 1.0, 1.1 1.2, 1.3 1.5, 1.6 1.8, 2.0 2.2, 2.4 2.7, 3.0 3.3, 3.6 3.9, 4.3
Tolerancia 2 % 1.00, 1.05, 1.1, 1.15 1.21, 1.27, 1.33, 1.40, 1.47 1.54, 1.62, 1.69, 1.78 1.87, 196, 2.00, 2.05, 2.15 2.26, 2.37, 2.49, 2.61 2.74, 2.87, 3.01, 3.16 3.32, 3.48, 3.65, 3.83 4.02, 4.22, 4.42, 4.64
17
4.7 5.6 6.8 8.2
4.7, 5.1 5.6, 6.2 6.8, 7.5 8.2, 9.1
4.87, 5.11, 5.36 5.62, 5.90, 6.19, 6.49 6.81, 7.15, 7.50, 7.87 8.25, 8.66, 9.09, 9.53
La anterior tabla representa los valores de resistores y sus mltiplos que pueden encontrarse en el mercado segn su tolerancia (ejemplo: una resistencia de 51 solo puede encontrarse con una tolerancia de 5%) Cdigo Alfa Numrico para Resistores Las resistencias tipo chip y algunos otros tipos, para indicar su valor llevan impresa un cdigo numrico en tres o cuatro cifras similar al que se muestra en la figura: (2%)
Primer Digito Segundo Digito Tercer Digito Exponente
1001
Para obtener el valor en simplemente se debe reemplaza la ultima cifra por el numero de ceros que indica. En el ejemplo anterior se tiene 100000 = 100K y 1000 = 1K respectivamente. Para valores decimales, en lugar del punto de pone la letra R. Como puede observarse en los siguientes ejemplos resistencias
47 0
1.2
0.33
Otros tipos de Resistores. Resistores variables o potencimetros Simbolo

R1
Variacin Lineal, Variacin logartmica Variacin cuadrtica
%R
%R
%R
18
Los potencimetros se utilizan como controles en todo tipo de equipos electrnicos analgicos (control de brillo, contraste, volumen, etc:) Asociacin de Resistores Asociacin en serie
Req = R1 + R2 + ........Rn
Asociacin en paralelo
1 1 1 1 = + + ....... Req R1 R2 Rn
Sabiendo que la admitancia
Asociacin en serie
Asociacin en Paralelo
Y=
1 Z
Para el caso de en que la impedancia Z = R
Y=
1 R
Generalizando
Yeq = Y1 + Y2 + ........Yn
1 1 1 1 = + + ....... Yeq Y1 Y2 Yn
Por tanto, al contrario de las resistencias, la admitancia equivalente de las admitancias en paralelo es igual a la suma de las admitancias individuales y en el caso de admitancias en serie; el reciproco de la admitancia equivalente es igual a la suma de los recprocos de las admitancias individuales, como se puede observar en las anteriores formulas
Conversin y
19
En ocasiones los circuitos se presentan bastante complejos y no es posible simplificarlos, para estos casos se dispone de herramientas como son la conversin de circuitos delta en circuitos estrella y viceversa; mediante el uso de estas herramientas, circuitos complejos pueden ser simplificados a simples circuitos serie y paralelo. Conversin
A R2 B
R4 =
R1 * R2 R1 + R2 + R3 R2 * R3 R1 + R2 + R3
R1 C
R3
CIRCUITO
R5 =
R6 =
Conversin
R3 * R1 R1 + R2 + R3
A R4 R6 C
B R5
CIRCUITO
R * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R1 = 4 R5 R2 = R4 * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R6 R4 * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R4
R3 =
Capacitores Condensadores Smbolo Designacin C Unidades: Faradio [F], microfaradio (F), Nano Faradio [nF] Pico Faradio [pF] Se llama capacitor a un dispositivo que almacena carga elctrica. El capacitor est formado por dos conductores prximos uno a otro, separados por un aislante, de tal modo que puedan estar cargados con el mismo valor, pero con signos contrarios. En su forma ms sencilla, un capacitor est formado por dos placas metlicas o armaduras paralelas, de la misma superficie y encaradas, separadas por una lmina no conductora o
+
20
dielctrico. Al conectar una de las placas a un generador, sta se carga e induce una carga de signo opuesto en la otra placa. Por su parte, teniendo una de las placas cargada negativamente (Q-) y la otra positivamente (Q+) sus cargas son iguales y la carga neta del sistema es 0, sin embargo, se dice que el capacitor se encuentra cargado con una carga Q. El capacitor tiene una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir En la figura, se muestra esquematizado un condensador, con las dos lminas = placas = armaduras, y el dielctrico entre ellas. En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una cierta separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire. Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que se suelen utilizar varios de los submltiplos, tales como microfaradios (F=10-6 F ), nanofaradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F). Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un condensador, que depende del tipo y grososr del dielctrico con que est fabricado. Si se supera dicha tensin, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensin superior a la mxima. Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que puede existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo. Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad superior a 1 F tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensin prestando atencin a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1F, a los que se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden explotar en caso de ser sta la incorrecta.
Capaci tor + Bater - a + +q - -q
Vc
La batera transportar carga de una placa a la otra hasta que el voltaje producido por la carga sea igual al voltaje de la batera
Modelo equivalente del capacitor Los capacitores ideales no disipan energa como lo hacen los resistores. En cambio, los capacitores reales normalmente presentan una resistencia asociada en paralelo. Esta resistencia proporciona
Rp
21
Rs C
una trayectoria de conduccin entre placas. Es a travs de esta resistencia que el capacitor se descarga lentamente. A continuacin figura un modelo prctico (simplificado) de capacitor.
Rp representa las prdidas dielctricas, cuyo valor ronda los 100Mohms -excepto en los capacitores electrolticos donde es mucho menor; Rs representa las resistencias de contacto y las prdidas en los conductores Un modelo ms completo contempla adems una inductancia (L) en serie con el circuito anterior. y L representa la inductancia propia del capacitor ms la de los conductores. Funcionamiento del Capacitor
vc = Va (1 e
t RC
ic = C
El valor de la capacitancia C esta dada por:
dvc v V = C c = a e RC dt t R
Donde
C =
A Q = d V
= es la constante dielctrica del material utilizado

A = rea de las placas del capacitor D = distancia de las placas del capacitor
Variacin (valor final valor inicial)

Vc = Voltaje en los terminales del capacitor En la anterior formula es posible observar que la capacitancia C es directamente proporcional a la constante y al rea de las placas (al incrementar y/o A la capacitancia aumenta) e inversamente proporcional a la distancia entre las placas (al incrementar la distancia entre las placas, la capacitancia disminuye). Sin embargo, el voltaje de un capacitor entre otras cosas tambin es funcin de la distancia de las placas (a mayor distancia mayor voltaje) Para comprender mejor el comportamiento de un capacitor analizaremos que sucede con el voltaje y la corriente en el capacitor primeramente un instante muy pequeo despus de conectarse el circuito para que se cargue el capacitor y luego de un tiempo considerable despus de conectarse, suponiendo que el capacitor inicialmente se encuentra descargado. Para t = 0+ (un tiempo infinitamente pequeo despus de cerrado el interruptor) De al ecuacin de voltaje, y corriente se tiene
22

0 RC
vc = Va (1 e
0
) = Va (1 1) = 0
ic =
Para t =
Va RC Va e = R R
(tiempo muy grande)

RC
vc = Va (1 e ic =
) = Va
Va RC e =0 R
Considerando que el voltaje entre los terminales de un componente que est funcionando en un circuito por el cual circula una corriente es cero. Solo puede darse cuando este elemento no tiene resistencia (es un conductor o un corto circuito). Se deduce que el capacitor se comporta como corto circuito para t = 0+. Por otra parte, si en un circuito al que se aplica un voltaje de cualquier magnitud circula corriente de valor cero es que este circuito esta abierto. En consecuencia, un capacitor cuando esta cargado (t = ) se comporta como circuito abierto. Otra conclusin a la que se podra arribar es que el voltaje entre los terminales de un capacitor no puede cambiar instantneamente porque un cambio instantneo de valor requerira un flujo de corriente de valor infinito Reactancia Capacitiva (XC) La reactancia capacitiva es la oposicin que ejerce un capacitor al flujo de la corriente alterna. Y esta definida por la siguiente ecuacin
XC =
Donde
1 1 = C 2fC
= 2f = frecuencia angular del voltaje aplicado f = frecuencia en ciclos por segundo del voltaje aplicado
C = capacidad en faradios del capacitor En la anterior ecuacin, es posible observar que la oposicin que ejerce un capacitor al flujo de corriente alterna es menor cuando el capacitor tiene mayor valor, tambin disminuye cuando la frecuencia aumenta, en el caso de corriente continua (donde la frecuencia es igual a cero), la oposicin que ejerce el capacitor es infinito (no circula corriente continua en un capacitor) Prueba de Capacitares
23
Para poder probar un capacidor es necesario disponer de un medidor de capacitores, sin embargo este instrumento solo mide el valor de la corriente que circula por el capacitor (indirectamente la capacitancia) sin importar si esta se debe a la capacitancia o a las resistencias RS y RP. Un instrumento que nos permite medir adems de la capacitancia, las resistencias RS y RP es el Capacheck. Con este instrumento puede medirse capacitares inclusive en funcionamiento. Tambin es posible medir un capacitor con un ohmetro pero en este caso solo nos proporcionara informacin de que si el capacitor esta en cortocircuito o no y en el caso de un ohmetro analgico tambin es posible observar la carga y descarga del capacitor de nos da una informacin aproximada de que este aun recibe cierta carga y no as si esta con el valor correcto o no. Asociacin de Capacitores Serie
1 1 1 1 1 = + + + .......... C eq C1 C 2 C 2 Cn
Para n = 2
1 1 1 = + C eq C1 C 2
Entonces
C eq =
C1 * C 2 C1 + C 2
n indica el numero de capacitares que se pone en serie Paralelo
C eq = C1 + C 2 + C 3 + ..........C n
Serie Paralelo Para obtener el valor de Ceq, es necesario primero resolver el paralelo de C2 y C3 y despus la Serie entre el resultado obtenido y C1
C1
6.8uF
Ceq
C2 1uF C3 10uF
24
De donde se obtiene Ceq = 4.2F
CONVERSIN
C2
C * C + C 2*C3 + C3 * C1 C4 = 1 2 C3 C * C + C 2*C3 + C3 * C1 C5 = 1 2 C1 C6 = C1 * C 2 + C 2*C3 + C3 * C 2 C2 C 4 * C6 C 4 + C5 + C 6 C 4 * C5 C 4 + C5 + C6
C1 C
C3
C1 =
A C4 C6 C C5
C2 =
C5 C6 C3 = C 4 + C5 + C6
TIPOS DE CAPACITORES
Una primera clasificacin se puede realizar de acuerdo a que si tienen polaridad o no: Polarizados
+
Estos capacitores tienen polaridad (sus terminarles vienen marcado + y ; al conectarse deber conservarse esta polaridad). Se usan exclusivamente en corriente continua. En caso de invertirse la polaridad se daan No polarizado Son capacitares que no tienen polaridad (sus terminales no tiene marca de polaridad y pueden conectarse indistintamente), generalmente se utilizan en corriente alterna pero tambin pueden utilizarse en corriente continua. Una segunda clasificacin se realiza de acuerdo al material dielctrico que tienen entre las placas
25
Capacitores Electrolticos de Aluminio Los capacitores electrolticos de aluminio son bastante por filtrado.
populares debido a su bajo costo y gran capacitancia unidad de volumen, se utilizan en aplicaciones de En las que se requiere gran capacitancia, pueden ser polarizados o no polarizados.
Los capacitores electrolticos de aluminio son de tipo de hojas metlicas con un electrolito que puede ser acuoso en pasta o seco, el nodo se forma con lminas de aluminio de alta pureza anodinado (se forma una capa de oxido de aluminio), el ctodo es una segunda lmina de aluminio; si el capacitor es no polarizado tambin se anodiza la lamina del ctodo. Para los tipos polarizados la lamina del ctodo no tiene oxido o si la tiene es muy delgada. En el mercado existen capacitores electrolticos de aluminio desde 0.1F hasta 1Fcon voltajes
nominales hasta de 600V. Sus tolerancias suelen variar desde -10 % hasta 150%; adems la capacitancia esta estrechamente relacionada en con la temperatura y disminuye con el descenso de temperatura Capacitores Electrolticos de Tantalio Son ms flexibles y confiables y presentan mejores caractersticas que los electrolticos de aluminio pero tambin su costo es mucho mas elevado. dos tipos: los de hojas metlicas hmedo y slido. Los capacitores de tantalio existen en el mercado en tamaos que varan 0.1F hasta 3300F con voltajes hasta de 450V Capacitores de Cermica Los capacitores de cermica se fabrican en forma de disco, como capacitores de capas mltiples o monolticas, o tambin en forma tubular. material dielctrico es principalmente titanato de bario, titanio de calcio o de titanio con pequeas cantidades de otros aditivos para obtener las caractersticas deseadas Los valores de capacitancia varan desde 2pF hasta 2F con voltajes de 5kv. Capacitores de Polister hasta de El dixido desde Existen de
26
Se fabrican con dos cintas muy finas de de algn material plstico como ser poliestireno, propileno, policarbonato estiroflex milar o polister los cuales se encuentran metalizados por una cara dejando en el borde de cada una de una banda sin cubrir, en lados opuestos. Dichas cintas se enrollan en si y cada uno de los terminales esta unido a uno de las cintas metalizadas. Se principalmente en circuitos que manejan frecuencias bajas o medias como condensadores de paso. En algunas ocasiones, se utilizan para altas frecuencias; sin embargo presentan perdidas bastante elevadas. Se fabrican con capacidades relativamente altas y voltajes de operacin hasta 2000V Capacitores de Mica Reciben este nombre debido a que su dielctrico es de mica. Son usados principalmente en ellas mismas usan
aquellos circuitos donde se necesita una gran estabilidad y altos voltajes de operacin debido a que la mica es un material muy estable y un gran aislante. Se fabrican con capacites entre 1pF a 220nF.con tolerancias de 0.5% y con voltajes desde 50V hasta 35kV Por ultimo es posible clasificar los capacitores de acuerdo al hecho de que su capacidad se mantiene fija o puede ser variable Capacitores Fijos El valor de su capacitancia se mantiene constante (no puede ser variado) Capacitores Variables El valor de su capacitancia puede ser variado manualmente entre ciertos lmites; esta variacin puede ser lineal, logartmica o cuadrtica como se ilustra en la siguiente figura
Codificacin de Capacitores Para indicar el valor, los capacitares se utilizan diferentes mtodos:
27
a) Impresin del valor mediante nmeros y letras: Utilizado en capacitares grandes donde
es posible imprimir el valor de su capacitancia y su voltaje (ejemplo electrolticos de aluminio)
b) Cdigo de colores: En la actualidad casi en desuso, se pintaba una serie de franjas de

colores que indicaban el valor del capacitor as como su voltaje
c) Cdigo numrico. Al igual que los resistores tipo chip se imprime un cdigo numrico que
indica el valor de la capacidad en picofaradios , seguido de una letra que indica la tolerancia del capacitor 2A 1H
223M 474J
C = 22000pF = 22nF 20%, 50V
C = 470000pF = 470nF = 0.47F 5%, 100V
Tolerancias para capacitores

LETRA C< 10PF (+- PF) C>=10P F (+- %) B 0.1 C 0.25 D 0.5 0.5 F 1 1 G 2 2 H J K M P R S Z
2.5
10
20
0 +100
-20 +30
20 +50 -20 +80
Voltaje Maximo De Operacin De Los Capacitores

VOLTAJE MAXIMO DE OPERACION CONBINACION VOLTAJE 1H 50V 2A 100V 2T 150V 2D 200V 2E 250V 2G 400V 2J 630V
28
Cdigo de Colores para Capacitores
INDUCTORES bobinas Smbolo Designacin L Unidades: Henrio [H], miliHenrio [mH], microHenrio [H] Los inductores o bobinas son elementos lineales y pasivos que pueden almacenar y liberar energa basndose en fenmenos relacionados con campos magnticos. Bsicamente, todo inductor consiste en un arrollamiento de hilo conductor aislado o esmaltado alrededor de un ncleo magntico. La inductancia resultante es directamente proporcional al nmero y dimetro de las espiras y a la permeabilidad del interior del arrollamiento (el ncleo), y es inversamente proporcional a la longitud de la bobina. La energa que almacena una bobina esta relacionado con su inductancia y la corriente que circula por ella:
W =
1 2 LI 2
Sentido del Campo Magntico
Ncleo
Corrien te Arrollami ento
29
Al hacer circular una corriente por una bobina la bobina se convertir en un imn (electroimn) en sentido del campo magntico esta dada por la regla de la mano derecha El voltaje o fuerza electromotriz (fem) en la bobina esta dada por:
fm e
Donde
= L
d i d t
i t
significa variacin
La anterior formula implica que en un inductor la fem ser diferente de cero solo si la corriente aplicada varia en el tiempo (la corriente I no es constante).
R t Va iL = (1 e L ) R
v L = Va e
r t L
Si analizamos las anteriores dos ecuaciones suponiendo que la bobina inicialmente se encuentra descargada. Al cerrarse el interruptor, la bobina empezara a cargarse siguiendo una funcin exponencial dada por la ecuacin iL: el valor de la corriente en la bobina inmediatamente despus de cerrarse el interruptor (para t = 0+), ser iL = 0. As mismo para un tiempo muy grande (t = ), V donde se supone que la bobina ya est completamente cargada, la corriente ser iL= . R Por otra parte, si se realiza el mismo anlisis en la ecuacin del voltaje en la bobina. Tendremos que: Para t = 0+ Para t = vL= V
vL = 0
Del anterior anlisis podemos sacar las siguientes conclusiones:
30
Para t = 0+, la bobinas se comporta como circuito abierto Para t =
(cuando esta completamente cargada), la bobina se comporta como corto circuito
Una conclusin adicional a la que se arriba es que: La corriente en la bobina no puede cambiar instantneamente de valor porque esto requerira un que se induzca un voltaje en la bobina de valor infinito Si se realiza una comparacin entre las ecuaciones de los voltajes y corrientes en el capacitor y la bobina, las ecuaciones de voltaje del capacitor tienen la forma de las ecuaciones de corriente por la bobina y las ecuaciones de corriente por el capacitor tiene la forma del voltaje por la bobina y adems cuando el capacitor se comporta como circuito abierto, la bobina se comporta como circuito cerrado y viceversa El voltaje en el capacitor no puede cambiar instantneamente de valor pero si la corriente (inclusive cambiar de sentido) La corriente en una bobina no puede cambiar instantneamente de valor. Pero si puede hacerlo el voltaje (inclusive cambiar de polaridad) Reactancia Inductiva (XL) La reactancia inductiva es la oposicin que ejerce una bobina al paso de la corriente alterna. Y esta dada por la siguiente ecuacin
X L = L = 2fL
Donde
= 2f = frecuencia angular f = frecuencia en ciclos por segundo

L = valor de la inductancia en Henrios La oposicin que ejerce la bobina al paso de las corrientes mayor cuando mayor es el valor de la inductancia y aumenta con la frecuencia del voltaje aplicado. En la realidad lo bobina no consume energa simplemente la almacena en un semiciclo y en el otro la devuelva a la red (se llama semiciclo a la mitad de cada ciclo entonces existe semiciclo positivo y semiciclo negativo)
Modelo Equivalente Los inductores ideales no disipan energa como lo hacen los resistores. Pero en la prctica, el inductor real presenta una resistencia de devanado que disipa energa. A continuacin figura un modelo prctico (simplificado) de inductor.
31
R representa las prdidas en el devanado, cuyo valor generalmente es pequeo pero puede llegar a varios cientos de ohms. Un modelo ms completo contempla adems la capacidad parsita o distribuida debido a la capacidad entre las vueltas del bobinado (Cp en paralelo con el circuito anterior). Prueba de Bobinas Para determinar el valor exacto de una bobina, se requiere tambin el uso de un medidor de inductancia que al igual que el capacimetro inyecta un voltaje de corriente alterna en los terninales de la bobina y mide la corriente que fluye por esta, esta corriente es proporcional al valor de la inductancia por tanto esta medida representa la inductancia de la bobina. Obviamente que el valor medido esta afectado por la resistencia interna de la bobina y podra dar valores errneos especialmente en bobinas pequeas con alambre delgado y de muchas espiras. Una medida aproximada tambin puede realizarse mediante un Ohmetro, en tal caso solo es posible medir la continuidad de la bobina. CLASIFICACIN Segn el ncleo o soporte: Ncleo de aire: el devanado se realiza sobre un soporte de material no magntico (fibra, plstico, etc.). En los casos donde no se utiliza soporte, la bobina queda conformada slo debido a la rigidez mecnica del conductor.
Ncleo de hierro: como tiene mayor permeabilidad que el aire (10 a 100), aumenta el valor de la inductancia. Sin embargo, slo se emplea en bajas frecuencias porque a altas frecuencias las prdidas son elevadas. Ejemplo de estos son los transformadores y se aplican en fuentes de alimentacin y amplificadores de audio.
Ncleo de ferrita: las ferritas son xidos de metales magnticos, de alta permeabilidad (10 a 10000) que adems son dielctricos. Existe una gran variedad en el mercado en funcin de la frecuencia de trabajo. Se utilizan en altas frecuencias como en fuentes conmutadas
2.2 Segn la forma constructiva: Solenoides o solenoidales
32
Tiroides o toroidales
Segn la frecuencia de la corriente aplicada: Alta frecuencia: de reducido tamao y nmero de espiras Baja frecuencia: de mayor tamao y nmero de espiras
Segn el recubrimiento: -, plstico, resina, metal (apantalladas). Segn la caracterstica de su valor: fijos y ajustables. Segn el tipo de montaje: de insercin y SMD. (SMD = montaje superficial) CODIFICACIN Los inductores moldeados suelen presentar un sistema de cdigo de colores similar al de los resistores.
Alternativa: de acuerdo con el estndar EIA (Electronic Industries Asociation), si una de las bandas que corresponden a las cifras significativas es dorada, sta representa al punto decimal y la banda que antes actuaba como multiplicador pasa a ser ahora otra cifra significativa. Ejemplos: Marrn - verde - dorado - plateado = 1 - 5 - 10-1 10 = 1.5 [uH] 10% Marrn - dorado - verde - plateado = 1 - punto decimal - 5 -10 = 1.5 [uH] 10% Asociacin de Inductores
33
La asociacin de inductores sigue la misma ley que de las resistencias. Esto es:
Serie
Leq = L1 + L2 + ........Ln 1 1 1 1 = + + .......... Leq L1 L2 Ln
L1
L2
Ln
Paralelo
L1 L2 Ln
Ley de OHM La ley de Ohm establece que la corriente en un circuito es directamente proporcional al voltaje aplicado e inversamente proporcional a la resistencia del circuito. Esta dada por la siguiente formula.
I=
V R
De la ley de Ohm podemos establecer que: Un incremento del voltaje en un circuito manteniendo su resistencia invariable, la corriente que fluye por el circuito se incrementa. Un incremento en la resistencia de un circuito manteniendo el voltaje aplicado invariable, la corriente que fluye por el circuito disminuye. DIVISOR DE TENSIN Para circuitos con resistores o inductivos
V1 = V
R1 R1 + R2
V
+ V1
+ R1
R2 V2 = V R1 + R2
+ V2
R2
Para circuitos con capacitores
C2 V1 = V C1 + C 2
+ V -
V1
C1
V2
C2
34
V2 = V
C1 C1 + C 2
DIVISOR DE CORRIENTE Para circuitos con resistencias o bobinas I I2 I1

100V R1 1k R2 2.2k
I1 = I
R2 R1 + R2 R1 I2 = I R1 + R2
Calculando I = 0.145A = 145mA Entonces I1 = 0.1A I2 = 0.045A Para Circuitos con Capacitores I I2 I1
10V C1 4.7uF C2 2.2uF
C1 C1 + C 2 C2 I2 = I C1 + C 2 I1 = I
LEYES DE KIRCHHOFF Ley de Nodos
En cualquier unin en un circuito a travs del cual fluye una corriente constante, la suma de las intensidades (Corrientes) que llegan a un nudo es igual a la suma de las intensidades que salen del mismo. Nodo
I2
R2 2.2k R3
I1
R1 1k
I4 I3
R4 4.7k
Is1
500mA
2.7k
R5
3.3k
I1 = I 2 + I 3 + I 4
En el primer caso, por ser una fuente de corriente, I1= 500ma
35
Aplicando divisor de corrientes, se tiene I2 = 239mA I3 = 195mA I4 = 66mA El mismo ejemplo pero con una fuente de tensin de 10V Nodo I4 R4 R1 I1
1k + 10V
I2
R2 2.2k R3
I3
4.7k
2.7k
R5
3.3k
Obteniendo la resistencia equivalente del circuito Req = 2005
Por tanto I1 = 4.98mA I2 = 2.36mA I3 = 1.93mA I4 = 0.65 Ley de Mallas La ley de las mallas afirma que, comenzando por cualquier punto de una red y siguiendo cualquier trayecto cerrado de vuelta al punto inicial, la suma neta de las fuerzas electromotrices halladas ser igual a la suma neta de los productos de las resistencias halladas y de las intensidades que fluyen a travs de ellas. Esta segunda ley es sencillamente una ampliacin de la ley de Ohm.
La ley de mallas puede ser expresando matemticamente de la siguiente manera
V
i =1
= I * Ri
Donde
36

n
Vi
i =1
Es la suma o sumatoria de todas las fuentes de tensin (suma algebraica) en la que si la
corriente coincide con el sentido de la fuentes (- a +) entra con signo positivo, de lo contrario con signo negativo) Si elegimos como flujo de la corriente en el sentido de la fuente V1, se tendra:
V1 V2 V3 = I * R1 + I * R2 + I * R3
Pero si se elige en el sentido de las fuentes V2 y V3 , se tendr:
(a)
V2 + V3 V1 = I * R1 + I * R2 + I * R3 = I ( R1 + R2 + R3 )
(b)
si en el resultado e obtiene un valor negativo de la corriente, significa que el sentido elegido no es el correcto y deber ser cambiado En el ejemplo, mediante la ecuacin a), se tiene:
10 5 3.6 = I (2.2 + 3.3 + 1) * 1000
V1
10V R1 2.2k
R2
1k V3 R3 3.3k + 5V
De donde
V2
3.6V
I=
1.4 = 0.215ma 6.500
El valor obtenido es positivo; por tanto el sentido de la corriente elegida es el correcto. Si el calculo hubiera sido realizado mediante la ecuacin (b), se hubiese obtenido el mismo valor pero de signo contrario.
Cada de tensin Se define cada de tensin como el voltaje que aparece entre los terminales de un componente pasivo por el cual circula una corriente. En el caso de una resistencia ser:
VR = I R R
Donde V VR = Cada de tensin a travs de la resistencia IR = corriente que circula por la resistencia R = Valor en de la resistencia
37
Potencia Disipada Se define como potencia disipada por un componente pasivo al producto de la corriente que circula por el componente y el voltaje que aparece entre sus terminales. En el caso de una resistencia, se tiene
PR = VR I R =
VR2 2 = IR R R
COMPONENTES ELECTRNICOS ACTIVOS Materiales semiconductores 1. Redes cristalinas de, Si y Ge. Si echamos un vistazo a la tabla peridica, veremos que en la columna donde se encuentra el carbono, tambin aparecen el silicio y el germanio. Todos ellos se caracterizan porque en la ltima capa de electrones de su estructura atmica poseen cuatro electrones. Se sabe que estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy estable.
Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El silicio y el germanio forman redes similares. En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes. Semiconductores Intrnsecos Un semiconductor se denomina intrnseco cuando no tiene tomos extraos al material semiconductor y tiene una estructura perfectamente cristalina.
38
Un semiconductor intrnseco tiene la propiedad de ser aislante a cero grados Kelvin. Los electrones de valencia estn ligados al enlace covalente y los electrones de la capas interiores lo estn al ncleo. Al aplicar un campo elctrico no circula corriente porque no hay cargas mviles: el semiconductor es un aislante. Un electrn que forma parte de un enlace covalente esta fuertemente ligado a el. Hace falta proporcionarle como mnimo una energa Eg para conseguir arrancarlo del enlace y que pueda moverse libremente por el cristal esta energia Eg se denomina energa de la banda prohibida (en ingles la banda prohibida recibe el nombre de gap, por lo que a veces es llamada energa gap). Semiconductores extrnsecos Un semiconductor extrnseco es un monocristal que, adems de los tomos propios del semiconductor contiene otros denominadas impurezas. Las impurezas se clasifican en donadoras y aceptoras, para el silicio, las impurezas donadoras son tomos pentavalentes (cinco electrones de Valencia) y las aceptoras son tomos trivalentes, Las impurezas donadoras dan lugar a un semiconductor tipo N y las aceptoras a uno de tipo P Semiconductor tipo N. Ge o Si dopada con As.
Las impurezas en un cristal semiconductor extrinceso siempre estn en una concentracin menor que los tomos propios del semiconductor. Cuando se introduce un tomo de impureza pentavalente (por ejemplo el fsforo o el arsnico) en un cristal, este sustituye a un tomo de silicio en un nudo de la red cristalina. El tomo de impureza dedica cuatro de sus cinco electrones de valencia a construir los cuatro enlaces covalentes que demanda la estructura cristalina (figura). Estos cuatro electrones estn fuertemente ligados a su posicin y se requiere como mnimo la energa Eg para liberarlos, el quinto electrn queda dbilmente unido al tomo a travs de la fuerza atractiva de Coulomb entre el electrn y el ncleo y se requiere muy poca energa para desligarlo
Semiconductor tipo P. Ge o Si dopado con B. Si en lugar de impurezas pentavalentes se introducen en el cristal de Si impurezas trivalentes, se obtiene un semiconductor tipo P. Cuando un tomo de impureza trivalente (por ejemplo el Boro, el aluminio sustituye un tomo de silicio en la red cristalina, emplea a sus tres electrones de valencia en formar tres enlaces covalentes para unirse a sus vecinos: Queda sin embargo, el cuarto enlace sin completar. Este enlace covalente incompleto, asociado a la impureza trivalente, ejerce una fuerza de atraccin sobre los electrones de valencia vecinos. Cuando uno de estos electrones absorbe una pequea
39
cantidad de energa salta a completar el enlace y, por tanto, ioniza negativamente la impureza (por tener un electrn dems). En este proceso, el electrn que ha saltado tras de si un enlace covalente roto idntico a los que se producen cuando un electrn de Valencia salta a la banda de conduccin. Se ha generado pues un hueco, sin que se haya generado un electrn de conduccin (figura) ya que el electrn queda fijado en la impureza.
Diodo El diodo es un dispositivo con dos terminales cuyo comportamiento no es lineal: deja pasar corriente en un sentido y la boquea en sentido contrario (deja pasar corriente cuando se aplica un voltaje positivo al nodo y voltaje negativo al ctodo, no deja pasar corriente cuando el nodo es negativo y el ctodo positivo)
Voltaje Umbral + -
Regin de agotamiento La batera que se observa en el grafico (c) representa el voltaje de polarizacin directa del diodo llamado voltaje umbral. La regin de agotamiento se reduce cuando se aplica polarizacin directa (para un voltaje aplicado igual a 0.7 V que es el voltaje umbral para un diodo de Si, tericamente esta regin de agotamiento se extingue y el diodo puede conducir). Cuando se polariza inversamente el diodo, la regin de agotamiento se incrementa haciendo que no pueda existir circulacin de corriente
40
1. Funcionamiento Cuando se conecta un diodo como en la siguiente figura, circula corriente por el circuito y enciende el foco Decimos que est polarizado de una forma directa. Si el diodo es de silicio, se observa una cada de tensin de 0,7 voltios, que es la tensin que se necesita para el proceso de la combinacin entre huecos y electrones en la zona de unin de los semiconductores. En las dos siguientes figuras se observa circuitos con polarizacin directa e inversa de un diodo.
+
D
10V
Foco Encendido L1
Polarizacin Directa Si se invierte la polaridad de la pila, no circula corriente por el circuito y el foco no enciende
D
10V
Foco L1
Apagado
Grfico Intensidad - Voltaje Polarizacin Inversa El diodo que se encuentra en la realidad no es exactamente igual que el terico como se ve en la grfica
IAK Polarizacin Directa Vz VAK Polarizacin Inversa
Comportamiento del diodo Por ejemplo, se ve que en inversa circula una pequea corriente, que puede ser del orden de decenas de microamperios. Esta corriente tan pequea normalmente es despreciable. En polarizacin directa, la cada de tensin no es estrictamente constante, pero para fines de clculo ser considerado constante e igual a 0.3V para los diodos de Ge y 0.7V para los diodos de Si. Clasificacin de diodos
41
Diodos rectificadores Diodos pin Diodos zener Diodos varactor Fotodiodos Diodos led Diodo tunel Diodo schottky Diodos Rectificadores P N
Estn formados por una unin PN y son ampliamente utilizados como rectificadores Caractersticas de los diodos rectificadores Corriente directa mxima (If). Tensin directa (VF), para una corriente If determinada. voltaje pico inverso mxima (PRV). corriente directa de pico mximo repetitivo (IFRM). Tiempo de recuperacin inversa ( trr)
If Es la mxima corriente que puede conducir el diodo en forma permanente VF Es la cada de voltaje directo del diodo cuando esta conduciendo If PRV Es la tensin pico inversa mxima con la que puede trabajar el diodo IFRM es la corriente de pico inverso mximo que puede soportar el diodo en forma repetitiva trr es el tiempo que le toma al diodo en pasar del estado de conduccin al de no conduccin Medicin de Diodos En general los diodos debern conducir corriente en un solo sentido. La prueba puede ser realizado mediante un ohmetro analgico en la estaca R x100 o superior y deber presentar una lectura cuando se conecta el Terminal negativo al nodo y el Terminal positivo al ctodo. Invirtiendo los terminales deber presentar una lectura de valor infinito. Los multimetros digitales disponen de una escala dedicada exclusivamente a la medida de diodos. En esta escala el diodo deber presentar una lectura cuando se conecta el Terminal positivo al nodo y negativo al ctodo (de forma opuesta al del multimetro analgica). Cualquier medida que difiera de las anteriores medidad (mide en ambos sentidos o en ningun sentido), supone que el diodo esta daado Diodos Pin Un diodo pin reconstruye con una capa de alta resistividad colocada entre el material p y el material n, tales diodos se caracterizan por una capacitancia relativamente constante, dada por:
42
C=
A d
Diodo zener El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto circuito. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en R reguladores de voltaje o en fuentes de alimentacin. +
10V
Vz
Carga -
En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. Caractersticas de los diodos Zener Los parmetros que le caracterizan a un diodo Zener son: Potencia: Es la mxima potencia que puede disipar el diodo
Voltaje Zener: es el voltaje de estabilizacin del diodo Zener
43
Medicin del diodo Zener El diodo zener puede ser medido al igual que cualquier diodo mediante un Ohmetro simplemente verificando que este pueda conducir en un solo sentido la corriente, sin embargo esa prueba no nos permite verificar el voltaje de estabilizacin del diodo. Para este efecto se utiliza el siguiente circuito de prueba.
1k
+ Vz -
Fuente variable
Voltmetro
El voltmetro medira el voltaje de estabilizacin del diodo zener. Por supuesto que la fuente variable deber tener la capacidad de proporcionar un nivel de voltaje superior a Vz Ejemplo de Utilizacin Como ejemplo de utilizacin se presenta el siguiente circuito denominado recortador de onda mediante diodos zener. Se trata de un transformador que funciona desde una red de 220VAC y proporciona un voltaje de de salida de 10 VAC. La forma de onda de entrada al igual que la de salida R del transformador es una onda senoidal como se muestra en la figura.
5 .7
220 2 220 10 2
5V
7.5V
8 .2
La forma de onda a la salida ser la misma onda senoidal pero recortada en 5.7V (5 + VD = 5 + 0.7) en su semiciclo positivo y en 8.2V en su semiciclo negativo (7.5 + 0.7). Diodos Varactores (Varicap) Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento. El valor de un capacitor esta dado por
44
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin.
Fotodiodos
El fotodiodo es un dispositivo de unin p-n semiconductor cuya regin de operacin sta limitada por la regin de polarizacin inversa. La aplicacin de luz a la resultara resultar en una transferencia de energa de las ondas luminosas incidentes (en forma de fotones) para a estructura atmica, resultando en un aumento del nmero de portadores minoritarios y un aumento del nivel de la corriente inversa. En la siguiente figura se muestra un circnuto de funcionamiento de un fotodiodo.
R1
+ V1
Fotodiodo
El fotodiodo cuando esta polarizado inversamente conducir corriente solamente en presencia de luz y esta corriente depende de la cantidad de luz que incide sobre el diodo. Por esta caracterstica este dispositivo se usa como sensor de luz. Diodo LED (diodo emisor de luz) El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente emite luz. Existen diodos LED de varios colores y estos dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, Amarillo, mbar, infrarrojo. Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, debido a su bajo consumo de energa, y su larga duracin (alrededor de 50000 Hras). En la siguiente figura, se muestra la forma en que deber conectarse un diodo led para su funcionamiento.
R1
+ V1
LED1
La resistencia en serie depende del voltaje de la fuente, el voltaje y la corriente de operacin del diodo; tiene el objetivo limitar la corriente que fluye a travs del diodo led. Tambin es posible conectar un diodo Led directamente a un voltaje de corriente alterna, en la caso actuara adems como rectificador, solo conducir corriente durante medio ciclo, lo que implica que el led estar parpadeando 50 veces por segundo si la frecuencia de la red es de 50Hz.
45
Caractersticas de los diodos Led Caractersticas de los diodos LED Los parmetros que caracterizan a los diodos Led son: Color Corriente nominal longitud de onda (nm) 904 1300 750 -850 590 560 480
Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP Csi
Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul
Voltaje (V) 1 1 1.5 1.6 2.7 3
Diodo tunnel En este tipo de diodos, la polarizacion directa produce una conduccion inmediata . La corriente alcanza su valor maximo (Ip ) cuando el voltaje en el diodo es Vp. Entonces la corriente disminuye a un valor mnimo IV para un voltaje Vv . a la regin entre el pico y valle se le conoce como regin de resistencia negativa. Esta regin negativa es muy til en circuitos osciladores de alta frecuencia
Diodo Schottky
A bajas frecuencias un diodo ordinario puede fcilmente dejar de conducir cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a altas frecuencias, el diodo alcanza un punto donde no pude dejar de conducir debido al reducido tiempo que dispone para recuperarse. El diodo schottky utiliza una parte metlica normalmente de oro, plata o platino en uno de los lados de la unin y silicio contaminado, generalmente de tipo N debido a que el metal no tiene huecos (ausencia de electrones), no existe almacenamiento de cargas ni tiempos inversos de recuperacin. Prueba de Diodos.Un diodo tiene la caracterstica de que permite el flujo de corriente en un solo sentido de nodo a ctodo: la prueba consiste en aplicar un voltaje entre nodo y ctodo del diodo y observar si circula corriente: un diodo en buen estado
46
Circuitos con diodos Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador de onda completa con transformador con punto medio
Doblador de voltaje
2 2V
+
Doblador de voltaje con Switch

+ +
S ?
S W S P S T -
2 2V
+
EL TRANSISTOR BJT El transistor bipolar de unin, conocido tambin como BJT (siglas en ingles bipolar junction transitor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector. La propiedad ms destacada de este dispositivo es que se aproxima a una fuente dependiente de corriente: dentro de ciertos mrgenes la corriente de colector es controlada por la corriente de base.
47
La estructura fsica de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a continuacin de otra. Entre los terminales emisor y base existe una unin PN que se denomina unin emisora y entre los de colector y base otra union PN que se denomina unin colectora C N B P
E
N IC
C P
B N
E P IB
IC
IB
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1.
ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente
de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin
(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
3.
CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). 4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
48
PNP
NPN
Caractersticas de los Transistores: Las principales caractersticas elctricas de los transistores son: Voltaje de colector - Emisor (VCEO): es el mximo voltaje que se puede aplicar entre colector y emisor con la base desconectada (base abierta), con voltajes superiores a este valor el transistor se daara. Voltaje colector - base (VCBO): es el mximo voltaje que se puede aplicar entre colector y base con el emisor desconectado (emisor abierto). Voltaje base emisor (VEBO): es el mximo voltaje que se puede aplicar ente el emisor y la base a colector abierto. Corriente de colector (IC): es la mxima corriente que puede circular por el colector del transistor (esta corriente esta dada para ciertas condiciones de refrigeracin y temperatura ambiente) Potencia disipada (PD): es la mxima potencia que puede disipar el transistor (esta dada tambin para ciertas condiciones de refrigeracin y temperatura ambiente). Ganancia de corriente (hFE): llamada tambin beta () es la relacin de amplificacin de corriente del transistor. Frecuencia de trabajo o de corte Encapsulados de transistores. Se refiere a las apariencias fsicas que tienen los transistores
49
50
Identificacin de transistores: Los transistores al igual que la mayora de los dispositivos electrnicos, se identifican mediante letras y nmeros impresas en el cuerpo de los transistores: existen bsicamente tres sistemas para identificar los transistores. En el sistema americano, establecidos por el JEDEC se identifica mediante el numero 2 seguido por la letra N y luego un numero entre 100 y 9999, en algunos casos se agrega una letra que indica la ganancia.(A baja ganancia, B ganancia media y C para ganancia alta) Ejemplo: 2N2222A, 2N3055,etc. En el sistema japons, establecido por el JIS se identifica con el numero 2 seguido de la letra S, luego otra letra (A, B, C y D) segn el tipo y la frecuencia de trabajo y por ultimo varios nmeros entre 10 y 9999. Ejemplo 2SA733 y 2SC1172. Sin embargo algunos fabricantes eliminan 2S y solo marcan las letras A, B, C, o D seguido de un numero ejemplo A733 C945, etc. En el sistema Europeo, se utiliza las letras A o B si el material es de germanio o silicio luego otra letra (C, D, F, L, y U) segn la potencia y la frecuencia, despus otra letra (W, X, Y y Z) segn el uso y por ultimo varias letras. Eejmplo: BC548, BAW68, BFY51. Circuito de Polarizacin de un transistor BJT En la siguiente figura, se muestra un circuito bsico de polarizacin de un transistor NPN
R C
R B Q 1 V B + +
51
V c c
VEB 0.7 V IC IB
De la figura se obtiene
I E = I B + IC
Adems:
=
Donde
IB IC
IE = corriente que circula por el emisor IB = corriente que circula por la base IC = corriente que circula por el colector
= hfe = Ganancia de corriente del transistor
Remplazando
I C = I B . Se tiene
I E = I B (1 + )
Para un transistor normal en funcionamiento, el voltaje entre Base y Emisor siempre ser 0.7. Sin embargo, el voltaje entre colector y emisor depende de la corriente que circula entre base y emisor
I B , el voltaje de la fuente de alimentacin VCC y la resistencia Rc

Definiendo = I /I
C E
Dividiendo la anterior ecuacin entre I
OPERACIN DEL TRANSISTOR En circuitos digitales.... opera como interruptor
52
En circuitos lineales.......opera como amplificador Lneas de carga en corriente contina Puede trazarse una lnea de carga en las curvas de colector para tener ms informacin del transistor y de la regin en que opera. La forma de hacerlo es similar a la usada con el diodo. En el circuito de la siguiente figura, el voltaje proporcionado por la fuente VCC polariza inversamente el diodo colector a travs de RC. el voltaje aplicado a este resistor es VCC - VEC, por tanto la corriente a travs de este es igual a:
IC =
VCC VCE RC
La anterior ecuacin representa la lnea de carga en corriente continua
Punto de corte y de saturacin EL punto donde la lnea de carga interseca a lB = 0 se conoce como el punto de corte. En este punto, la corriente de base es cero y la del colector es extremadamente pequea (solo circula la corriente de fuga ICEO ). En el punto de corte, el diodo emisor ha salido de polarizacin directa y la operacin normal del transistor se ha perdido. Con una buena aproximaci6n, el voltaje colectoremisor es igual al extremo inferior de la lnea de carga:
53
I CE ( corte ) VCC
La interseccin de la lnea de carga y la curva para /B = IB(Sat) se denomina Saturacin. En este punto, la corriente de base es igual a IB(Sat), y la corriente quo circula por el colector es mxima. En saturacin, el diodo colector sale de la polarizaci6n inversa y la acci6n normal del transistor se pierde otra vez. Con una buena aproximacin, la corriente del colector en saturacin es igual al extremo superior de la lnea de carga.
I C ( Sat )
VCC RC
IB(Sat) representa la cantidad de corriente de base que es suficiente para producir saturacin; si la corriente de base es menor que IB(Sat), el transistor opera en la regin activa en algn punto situado entre saturacin y corte. En otras palabas, el punto de operacin esta entre la trayectoria de la lnea de carga de cc. Por otra parte, si la corriente de base es mayor de IB(Sat), la corriente de colector es aproximadamente igual a VCC/RC que el valor mximo posible. Grficamente esto significa que la interseccin de la lnea de carga con cualquier corriente de base mayor a IB(Sat), produce el punto de saturacin
Operacin como Interruptor La forma ms fcil de utilizar un transistor es como interruptor, significa que debe operarse en el punto de saturacin o de corte y no en alguna otra parte de la trayectoria de la lnea de carga. Cuando un transistor se satura acta como un interruptor cerrado entre el colector y el emisor. Cuando un transistor esta en corte acta como un interruptor abierto
IB = IB(Saturacin) VEB 0.7 VEC 0.1V
IC
Corriente de base
Aplicando ley de mallas a lo largo de la malla de la base, se tiene
VCC RCC
Punto de saturacin
54
Vbe = I B R B + V BE
Despejando IB se obtiene
VCC
Punto de corte
VCE
IB =
V BB V BE RB
La anterior ecuacin representa la ley de OHM para el resistor de base Si la corriente de base es mayor o igual a IB(Sat) el punto de operacin Q esta en la parte superior de la lnea de carga. En este caso, el transistor acta como un interruptor cerrado. Por otra parte, si la corriente de base es cero, el transistor opera en la parte inferior de la lnea de carga y acta como interruptor abierto
Un transistor opera en saturacin, cuando se hace circular una corriente de saturacin entre base y emisor. Esta corriente ocasionar que aparezca un voltaje entre Base y emisor de 0.7V o algo mas y entre colector y emisor el voltaje de saturacin que esta en el orden 0.1 0.2 V El estado de corte se consigue cuando se hace circular una corriente muy baja (o cero) entre la base y el emisor. En estas circunstancias, la corriente que circula entre colector y emisor ser muy pequea (o casi cero) por lo cual se asemeja a un circuito abierto.
Como ejemplo, se obtendr la recta de carga en corriente continua para el siguiente circuito
Rc
430
Rb
1.0k
Vcc Re
100
25 V
Vbb
10 V
Aplicando ley de mallas a la malla del colector, se tiene
VCC = I C RC + VCE + I E RE
Como
I E = I B + IC IC
55
Se obtiene
IC =
VCC VCE RC + R E
Como la corriente de colector puede variar desde cero hasta aproximadamente VCC/(RC+RE), una corriente de reposo
I CQ =
VCC / 2 RC + RE
Dara la mxima excusin simtrica de la corriente de colector, si se aplica una corriente de base senoidal para producir esta variacin, la corriente total de colector ser
iC = I CQ + ic
Donde:
IC =
VCC VCE RC + R E
La corriente de colector iC esta compuesta de una parte de corriente continua ICQ y otra parte de corriente alterna que representa la seal de entrada ic
56
Prueba de Transistores Los transistores pueden ser vistos como dos diodos tal como se muestra en la figura. B E E C C E E B C C
B NPN
B PNP
Las medidas debern ser realizadas como dos diodos (nodo comn para un transistor NPN y Ctodo comn para un transistor PNP) Es fcil determinar el Terminal de base ya que ser el que mida tanto con el emisor como con el colector. Sin embargo, cual es el emisor y el colector es mucho ms difcil. Esto se determina verificando las lecturas Base Emisor, Base Colector. La medida correspondiente a Base- Emisor ser levemente mayor a la medida Base - Colector. Transistores Digitales Transistores de baja potencia que estn diseados para funcionar exclusivamente en circuitos digitales, dentro de su estructura interna puede contener una serie de diodos y resistencias de diferentes valores como las que se muestra en la figura. Existen transistores digitales tanto NPN como PNP El valor de las resistencias depende del transistor por lo cual es muy difcil de probarlos. De hecho la nica prueba realmente confiable es reemplazar con otro que se sepa esta en buen estado
En la siguiente tabla se muestran algunos transistores digitales junto con el valor de su resistencia
57
CIRCUITOS DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES Es la forma como se obtiene los diferentes voltajes para el funcionamiento del transistor es la Polarizacin del transistor
Tambin conocida como polarizacin Fija, esta es la forma ms difcil de polarizar un transistor porque el punto de operacin es muy inestable
Polarizacin de base
+V
Rb
Rc
Polarizacin por retroalimentacin de emisor

+V
Rb
Rc
Se basa en el incremento de la corriente de colector, produciendo ms voltaje en el resistor de emisor, lo cual reduce la corriente de base, consecuentemente la corriente de colector. Tericamente la idea es buena. Pero el circuito no trabaja bien con valores prcticos de resistencias. Para ser efectivo, el circuito necesita una resistencia de emisor lo mas grande posible
Re
+V
Polarizacin por retroalimentacin de colector

Rc Rb
Tambin llamado auto polarizacin. Este tipo de polarizacin, es de alguna manera ms efectiva que la polarizacin por retroalimentacin de emisor a parte de ser mas sencillo que este
58
Polarizacin por divisor de voltaje

+V
Tambin llamado polarizacin universal, es la polarizacin mas ampliamente usada en circuitos lineales, es el circuito de polarizacin ms estable
Rc
R1
R2
Re
Polarizacin del Emisor +VC

Rc
Utilizado en situaciones en que se dispone de fuentes de alimentacin simtrica
R2
Re
VE EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Configuracin emisor comn

+V
R1
Rc +
Tambin llamado amplificador con emisor a tierra. Produce una elevada ganancia en corriente. La seal de salida esta desplazado 180 en relacin a la entrada
Sal
+ R2 Re +
59
Configuracin base comn

RL
Esta configuracin no produce ganancia de corriente, a frecuencias elevadas tiene propiedades tiles
+ +
+ Vin -
Configuracin de colector comn
+V
Rb
Rc
Esta configuracin se caracteriza porque la ganancia de tensin es menor que la unidad, una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, generalmente se utiliza como transformador de impedancia en circuitos de entrada y salida de sistemas amplificadores
+ Vin Re
Vsal
Amplificador Push Pull Ampliamente utilizado en la antigedad en amplificadores de audio debido a que permita una elevada amplificacin de corriente, este amplificador requiere de dos transformadores que lo hacan voluminoso y pesado. actualmente ha sido sustituido por el ampliador complementario.
NP N T? T?
ENT
Sal
NP N
60
Amplificador complementario Utilizado en amplificadores de audio, esta compuesto por un transistor tipo NPN completado por otro transistor de tipo PNP. Para su operacin requiere una fuente de alimentacin simtrica voltajes del mismo valor pero de polaridades opuestas
C? B T?
(dos
RL ENT
C? Q?
Condensador de Desacoplo Infinito La resistencia de emisor Re se intercala en el circuito para obtener la corriente de reposo de emisor deseada. Sin embargo, la insercin de Re produce una disminucin de la amplificacin. Por lo tanto en la mayor parte de las aplicaciones se conecta un condensador de desacoplo con el resistor de emisor como se indica en la figura. El capacitor Re se comporta como circuito abierto en corriente continua y como corto circuito (debido a su valor ) en corriente alterna
Recta de carga en cc
Vcc = I c Rc + VCE + I e Re
Como Ic
Ie
IC =
Vcc VCE Rc + Re
61
Recta de carga en corriente alterna
Vcc = I c Rc + VCE
IC =
Vcc VCE RC
Condensador de acoplamiento Infinito Frecuentemente el resistor de carga (RL) debe acoplarse para corrientes alternas al transistor de modo que no circule corriente continua a travs de la carga. Generalmente esto se consigue intercalando un condensador de acoplamiento entre el colector y la carga. Este capacitor sirve para bloquear la corriente continua mientras permite el paso de las frecuencias de la seal
V1 10V +V
Rc Rb +
c Cc
C =
+ -
Vi Re + Ce C
e
RL
TRANSISTORES UNIPOLARES O FETs La operacin de un transistor unipolar depende de un solo tipo de carga ya sea de huecos o electrones dependiendo de que si el FET es de canal N o Canal P (En un FET de canal N la conduccin es debido a electrones y en uno de canal P es debido a huecos). Se consideran dos tipos principales de FET 1.- JFET 2.- MOSFET Ventajas y desventajas del FET Los FET presentan las siguientes Ventajas y desventajas respecto a los transistores BJT Ventajas.-
62
1.- son dispositivos sensibles a la tensin (voltaje) con alta impedancia de entrada (del orden de 1010 ). Debisdo a esto se prefiere los FET en lugar de los BJT para la etapa de entrada en los amplificadores multietapa. 2.- Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT 3.- Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT 4.- Los FET son, en general ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones, es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (se puede conseguir una densidad mayor de interaccin) 5.- Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin entre drenador y fuente. 6.- La alta impedancia de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elemento de almacenamiento. 7.- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas 1.- Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada 2.- Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. 3.- Los FET se pueden daar al manipularlos debido a que son sensibles a la electricidad esttica. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN (JFET) Es un componente de tensin controlada (amplificador de voltaje) con una impedancia de entrada hasta (1014 ) y una impedancia de salida tambin Muy elevada.
63
D = Drain = Drenador S = Source = Surtidor o fuente G = Gate = Compuerta o graduador
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): 1. ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS.Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. 2. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS 3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico). La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. Funcionamiento Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N y un diodo NP para el canal P. La tensin VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando en forma no se sobrepase la tensin de arranque V (= 0,6V, Si). AL sobrepasar 0,6 V el diodo conduce y se destruye, porque est fabricado para baja corriente directa. En sntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal es N, e impurezas P para el de canal P, que tiene cierta resistencia R canal = r L r = resistividad S Al polarizar al diodo Gs, en forma inversa, fundamenta la baja corriente de entrada aprox. 10 nA (en definitiva es la polarizacin inversa de un diodo comn). La interpretacin de la caracterstica de salida, tiene 3 zonas: VDS (aumenta) 1- Zona lineal. Ley de Ohm ID = 2- Zona alineal o de codo. 3- Zona de saturacin, es la utilizacin como amplificador
ID =
VDS = Cte RCANAL
64
VDS = ID RCANAL
Aqu ID = cte. Es interesante ver que las variaciones de VDS no afectan a ID :
ID =
VDS si VDS RCANAL en igual proporcin RCANAL

Rcanal en igual proporcin
si VDS Rcanal
Esto se mantiene hasta la ruptura, que si no se limita externamente a la corriente el transistor se destruye. Transconductancia del JFET Se define transconductancia gm como la relacin de la variacin de la corriente de drenador con respecto a la variacin del voltaje de compuerta. Esta relacin define la capacidad de amplificacin de voltaje del JFET
gm =
I DS VGS
gm tiene unidades MHO o Siemens Un circuito prctico para funcionamiento de un JFET
TRANSISTOR MOSFET El transistor de efecto de campo MOS, tambin denominado MOSFET (iniciales inglesas de Metal Oxide Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales denominados drenador (D, del ingles Drain), Puerta (G, del ingles Gate) y surtidor o fuente (S, del ingles Source). La corriente que circula entre drenador es controlada por la tensin aplicada a la puerta. La gran diferencia fundamental con el JFET, es que entre compuerta G y Fuente S hay un material aislante (Si O2), que contiene una constante dielctrica relativa (Rr), baja pero estable. Podemos decir sin dudas, que entre G y S hay un dielctrico por lo tanto es un CAPACITOR.
65
Las corrientes de entradas IG = pA ( 1 pA= 10-12 A ) 1000 veces o mas menores al JFET. La Rgs oscila 1010 a 1015 Hay dos tipos de MOSFET: 1.- MOSFET de acumulacin o enriquecimiento 2.- MOSFET de deflexin o de empobrecimiento Ambos tipos de MOSFET pueden ser de canal N o carnal P Simbologa G D G S Canal N S Canal P MOSFET de Acumulacin G D S
D G S
Canal P
Canal N
MOSFET de Deflexin MOSFET de Acumulacin Canal N
Este dispositivo esta construido por un semiconductor tipo P en el que se han creado regiones tipo N que constituyen el drenador (D) y el surtidor (S). Entre estas dos regiones N. se forma el condensador de puerta constituido por una placa metlica, en la que hace contacto el Terminal de puerta (G), un oxido de puerta, que acta como dielctrico y por el semiconductor que forma la segunda placa el cuarto Terminal denominado sustrato (B), hace contacto D el semiconductor P con
S como puede observarse enD siguiente figura. la Alumini o Si O2 N N ++++++ N N Canal Inducido Si O2 G S (-) G (+) (+ +)
Sustrat oP Sin Polarizacin El canal no esta Formado
Sustrat oP
Con Polarizacin El canal se Forma
Cuando se aplica una tensin positiva al Terminal de puerta, se crea un campo elctrico entre las placas del condensador con direccin perpendicular a la superficie del semiconductor, este campo
66
elctrico atrae cargas negativas hacia la superficie y repele las cargas positivas. Si el campo elctrico tiene la intensidad suficiente, logra crear en la proximidad de la superficie del semiconductor, una regin muy rica en cargas negativas que se denomina canal N este canal de longitud L y ancho W conecta las regiones N y permite el paso de corriente entre drenador y surtidor. Se el campo elctrico transversal se hace mas intenso, el canal se hace mas rico en cargas negativas, disminuye su resistencia y permite la circulacin de mayor corriente. El transistor MOSFET se denomina de efecto de campo porque la corriente que circula entre los terminales del drenador y surtidor esta controlada por el campo elctrico perpendicular a la superficie del semiconductor entre drenador y surtidor. En la siguiente figura, se representa un transistor MOSFET de acumulacin de canal P, donde es posible observar que es una estructura dual al del MOSFET de acumulacin de canal N. El sustrato es de tipo N y las regiones de drenador y surtidor son de tipo P. para crear una canal P debe aplicarse una tensin negativa al Terminal de puerta en relacin al sustrato. Esta tensin creara un campo elctrico perpendicular a la superficie del semiconductor que tendr el sentido que va del semiconductor hacia la placa metlica y que en consecuencia atraer las cargas positivas en la superficie del semiconductor, creando de esta manera el canal P, el cual conectara las dos regiones
G D (P correspondientes al drenador y el surtidor, la hacerse masSnegativa la tensin en G, habr mas D G S (+) (-) -) cargas positivas en el canal, disminuyendo su resistencia e incrementando la corriente que fluye
entre drenador y surtidor.
Alumini o Si O2
P Canal Inducido Sustrat oN Con polarizacion El canal se Forma
Sustrat oN Sin Polarizacin El canal no esta Formado
En algunos MOSFET, el Terminal de substrato viene al exterior y se puede colocar a masa o VDD. Lo normal es en canal P a +VDD y para canal N a masa. Curva caracterstica de salida de un MOSFET de Enriquecimiento
67
Donde Vt = tensin umbral o tensin mnima para establecer una conduccin entre drenados y fuente El MOSFET de empobrecimiento a diferencia del de enriquecimiento, en el proceso de fabricacin, se ha implementado un canal de conduccin. Por eso, en ausencia de tensin aplicada a la puerta, existe un camino de conduccin entre el drenador y el surtidor que permite el paso de la corriente. Para anular la corriente es necesario vaciar de cargas el canal prefabricado, lo que se consigue aplicando una tensin negativa para el caso de un MOSFET de de empobrecimiento de canal N y una tensin positiva para el caso de un MOSFET de empobrecimiento de canal P.
VSal
Vg(t )
Curva caracterstica de salida de un MOSFET de Empobrecimiento
68
Caractersticas de los MOSFET gfs Transconductancia en mhos BVDSS Voltaje de corte entre drenado y fuente BVGS Voltaje de corte entre compuerta y fuente ID corriente de drenador de flujo continuo VGS Voltaje umbral compuerta Fuente rDS Resistencia drenador Fuente en Ohm Ciss Capacitancia de entrada en pf PD Disipacin de potencia Prueba de MOSFETs La prueba de los MOSFETs es algo mas complicado que los transistores. Puede ser probado tanto con multimetros analgicos (en escala Rx100) como con multimetros digitales (escala diodo). Esta prueba depende del tipo de Mosfet y del canal de ste, es mas algunos que tienen voltaje umbral compuerta - fuente demasiado elevados no podrn ser probados del todo. La prueba consiste en poner en conduccin el MOSFET al aplicar una carga a la compuerta en caso de los mosfet de acumulacin y sacar de de conduccin al aplicar una carga a la compuerta en el caso de los mosfet de deflexin. Procedimiento de prueba para un MOSFET de acumulacin canal N mediante un mutmetro digital
1) En la Funcion de diodo, conectar el Terminal negativo a fuente 2) Conectrar el Terminal rojo a Drenador (no debe medir) 3) Tocar compuerta con el Terminal positivo (no debe medir) Se carga el
capacitor interno del MOSFET
4) Conectar el Terminal rojo a Drenador (debe presentar una medida baja )
69
5) Para descargar tocar los terminales Drenador y compuerta a la vez (Con la

mano o cualquier objeto conductor) Para el caso del MOSFET de canal P de acumulacin, lo nico que variara ser la polaridad de los terminales. La diferencia en la medicin de los MOSFET de deflexin esta en que en el punto 2 se presentara una medida relativamente baja y tocando compuerta esta medida se volver aun mas baja pero si se invierte la polaridad (solo en el instante de tocar compuerta), la medida entre drenador y fuente se volver muy alta EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)
Esta compuesto por dos regiones contaminadas y tres terminales; dos bases y un emisor, el emisor est fuertemente contaminado. La regin n, sin embargo esta ligeramente contaminado, entonces la resistencia entre las bases es relativamente alta (de 5 a 10 K). Estando el emisor abierto El diodo del emisor excita de dos resistencias internas (R1 y R2). Cuando el diodo no esta conduciendo, la resistencia, RBB es igual a la suma de R1 y R2. Cuando se aplica un voltaje de alimentacin entre las dos bases, el voltaje en R1 esta dado por
V1 =
R1 R = 1 V R1 + R2 RBB
B2
Base 2
R2
N Emisor P
Emisor
NPN
Base 1
R1
B1
Rectificador Controlado de Silicio (SCR) o Tiristor Es un dispositivo de cuatro capas pnpn que presenta una accin regenerativa de conmutacin fue desarrollado en 1957. En esencia el tiristor es un par de transistores npn y pnp en los que la base de uno esta conectado al colector del otro. Cuando se aplica un voltaje positivo al nodo y no hay corriente que fluya dentro de la compuerta del dispositivo, entonces el transistor npn estar apagado y ya que la corriente de base del transistor pnp es abastecida por el colector del
70
transistor npn cuando el transistor npn esta apagado tambin lo esta el transistor pnp. A este modo se denomina modo de bloqueo directo. Cuando se aplica voltaje positivo al ctodo, ninguno de los transistores puede conducir, y el SCR parece un rectificador con polarizacin invertida; se dice entonces de el dispositivo esta en el modo de bloqueo inverso. Cuando se aplica un voltaje positivo al anodo y se hace pasar corriente entre la compuerta y el ctodo, el transistor npn comenzar a conducir, accionando as la base del transistor pnp.
IA
P G
P IG
IK
G A K
Como valores importantes para definir el funcionamiento de un tiristor se suelen considerar: -Tensin mxima inversa soportable (Vinvmax) entre A y K. -Tensin directa mxima soportable (Vdmax). -Cada de tensin directa durante la conduccin (Vd). -Corriente de continua o eficaz en funcionamiento (Ic). -Corrientes de fuga directa (If) e inversa (Ir). -Corriente de reposo (Ih). -Temperatura de funcionamiento (T). Adems es importante analizar las caractersticas de mando del tiristor que nos permitirn definir la potencia necesaria para el arranque. Segn la FIG.2 debemos considerar los siguientes parmetros: -Tensin mxima directa de puerta Vgmax). -Tensin inversa mxima de puerta (Vginmax). -Corriente mxima de puerta (Igmax). -Potencia mxima disipable (Pgdis). -Tensin mnima directa de puerta (Vgmin). -Corriente mnima de puerta (Igmin). La zona 1 representa los valores de tensin e intensidad de puerta en los que no se consigue el disparo del tiristor. La zona 2 es el conjunto de valores que consigue un disparo adecuado. La zona 3 es de destruccin del tiristor. En lo que se refiere a las caractersticas dinmicas del tiristor, segn el circuito del que forme parte, interesa conocer los siguientes parmetros:
71
1) Tensin inversa accidental nodo-ctodo. 2) Angulo de conduccin. 2) Tiempo de retardo. 3) Tiempo de subida. 4) Tiempo de respuesta. 5) Factor de conmutacin (dv/dt). Cuando se dispone un tiristor en un circuito electrnico trabajando en conmutacin, se utiliza para cebarlo un impulso de puerta que genera una corriente inicial entre la puerta y el ctodo, para despus propagarse la conduccin al resto del dispositivo de forma muy rpida. Adems hay que considerar que el tiristor no tendr un cebado efectivo antes de que la corriente de nodo alcance un valor denominado "corriente de enganche" por lo que no debe retirarse el pulso de puerta antes de alcanzar dicho valor. La extincin del tiristor se produce cuando la corriente de nodo cae por debajo de un valor denominado "corriente de mantenimiento".
Si el circuito exterior exige un crecimiento de la corriente rpido en el cebado, como la tensin entre nodo y ctodo no disminuye de forma instantnea, puede producirse un consumo de potencia importante que puede llevar a la destruccin del tiristor por variacin de la corriente (di/dt). Cuando se produce un crecimiento muy rpido de la tensin entre nodo y ctodo en el bloqueo, esta dv/dt puede producir el cebado del tiristor an en ausencia de la seal de puerta. La eleccin del modelo a utilizar depende fundamentalmente de la aplicacin prctica, sin embargo, en general habr que considerar los siguientes criterios: La tensin a bloquear: No solo la tensin mxima o valor de cresta de la red, si no tambin las sobretensiones de conmutacin o elementos parsitos. La intensidad de la corriente eficaz y la de pico, sin olvidar las posibles corrientes de cortocircuito. Los parmetros de conmutacin (dv/dt y di/dt) que pueden ser primordiales.
72
La sensibilidad, siendo preferidos elementos de sensibilidad media, ya que poseen mayor inmunidad ante los parsitos.
Entre los tiristores se pueden encontrar diferentes categoras atendiendo a sus distintos procedimientos de fabricacin y constitucin propios. Pueden destacar: Los tiristores sensibles, los tiristores rpidos, el tipo darlistor, el complementario, el de doble puerta, el tiristor bloqueable, los fototiristores, el triac, etc. El TRIAC MT1 MT2 G El triac es un semiconductor controlable por puerta similar al tiristor, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa. Cuando se encuentra en conmutacin la dv/dt puede producir tambin el cebado. En lo referente a la variacin di/dt aparecen dificultades idnticas a las de los tiristores En la FIG.3 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a. mediante un triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (optoacoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la tensin del ctodo del triac de potencia. Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que pasa al estado de conduccin provocando el arranque del motor. Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no deseados. Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.
73
T EL DIAC
1
T2
Es un dispositivo bidireccional que conduce cuando el voltaje a travs de el excede el voltaje de ruptura en cualquiera de las dos direcciones. Una vez que el diac esta conduciendo, la nica forma de pararlo es a travs de la apertura del circuito, esto significa reducir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento nominal del dispositivo
i
CIRCUITOS INTEGRADOS Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. Esto no quiere decir que por si mismos son capaces de cumplir la funcin para los que estn diseados. Para ello sern necesarios unos componentes pasivos y activos para completar dicha funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito impreso para los aparatos seran muy grandes y adems estaran llenos de componentes. Este tipo de dispositivos, por su diseo, son capaces de albergar en su interior y de forma casi microscpica gran cantidad de componentes, sobre todo, semiconductores. No todos los componentes electrnicos se pueden integrar con la misma facilidad: Como antes se indic los semiconductores, bsicamente, los transistores y diodos, presentan menos problemas y menor costo en la integracin. Tambin se puede integrar las resistencias de pequea potencia, los capacitares de pequeo valor. Las resistencias de elevada potencia, los capacitores de gran valor y en general las bobinas no se pueden integrar debido a la dificultad fsica que entraan, as mismo ocurre con rels, cristales de cuarzo, displays, transformadores y componentes tanto pasivos como activos que disipan una potencia considerable respecto de la que podran soportar una vez los circuitos integrados. El proceso de fabricacin de un circuito integrado es como se observa en la figura de un modo esquemtico:
74
a) Diseo del circuito que se quiere integrar. b) Mscara integrada con los semiconductores necesarios segn el diseo del circuito. c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips. d) Corte del microchip. e) Ensamblado del microchip en su encapsulado y a los pines correspondientes. f) Terminacin del encapsulado. Ventajas de los Circuitos Integrados
- Bajo costo.
- Debido a su integracin, es ms fcil almacenarlos por el espacio que ocupan. - Tienen un consumo energtico inferior al de los circuitos anteriores. - Permiten que las placas de circuitos impresos de las distintas aplicaciones existentes tengan un tamao bastante ms pequeo. - Son ms fiables. Desventajas - Reducida potencia de salida. - Limitacin en los voltajes de funcionamiento. - Dificultad en la integracin de determinados componentes (bobinas, resistencia y condensadores de valores considerables...). Tipos de Tecnologa en la Fabricacin de Circuitos Integrados Los diseadores de circuitos integrados solucionan los problemas que se plantean en la integracin, esencialmente, con el uso de transistores. Esto determina las tecnologas de integracin que, actualmente, existen y se deben a dos tipos de transistores que toleran dicha integracin: los bipolares y los CMOS y sus variantes. Escalas de Integracin
75
Las escalas de integracin hacen referencia a la complejidad de los circuitos integrados, dichas escalas estn normalizadas por los fabricantes. N componentes Aplicaciones tpicas Escala de integracin SSI: pequea escala de integracin <100 Puertas lgica y biestables MSI: media escala de integracin +100 y -1000 Codificadores, sumadores, registros... LSI: gran escala de integracin +1000 y -100000 Circuitos aritmticos complejos, memorias... 6 VLSI: Muy alta escala de integracin +100000 y -10 Microprocesadores, memorias, microcontroladores... ULSI: Ultra alta escala de integracin + 106 Procesadores digitales y microprocesadores avanzados Clasificacin de los Circuitos Integrados por su Aplicacin Circuitos de aplicacin especifica: circuitos diseados para una funcin concreta (tarjeta de sonido, de video, amplificadores, temporizadores, reguladores..) Circuitos de propsito general: aquellos circuitos que pueden realizar diferentes funciones (microcontroladores, familia 74XX y 40XX). Circuitos programables: presentan caractersticas intermedias a los anteriores (Dispositivos Lgicos Programables (PLD), Arrays de Puertas Programables (FPGA). ENCAPSULADOS Se refiere al aspecto fsico que tienen los circuitos integrados. Entre los principales, se tiene:
Encapsulado DIP o DIL (Dual In Line)
Encapsulado flat-pack
Encapsulado SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
Encapsulado PLCC (Plastic Lead Chip Carrier)
Encapsulado LCCC ( Leaded Ceramic Chip Carrier)
Encapsulado SIP
ENCAPSULADO DIP o DIL.- Este es el encapsulado ms empleado en montaje por taladro pasante en placa. Este puede ser cermico (marrn) o de plstico (negro). Un dato importante en todos los componentes es la distancia entre pines que poseen, en los circuitos integrados es de vital importancia este dato, as en este tipo el estndar se establece en 0,1 pulgadas (2,54mm). Se suelen fabricar a partir de 4, 6, 8, 14, 16, 22, 24, 28, 32, 40, 48, 64 pines, estos son los que ms se utilizan. Otra norma que tambin suele cumplirse se refiere a la identificacin de la numeracin de las patillas o pines: la patilla nmero uno se encuentra en un extremo sealada por un punto o una muesca en el encapsulado y se continua la numeracin en sentido antihorario (sentido contrario a las agujas del reloj), mirando al integrada desde
76
arriba. Por regla general, en todos los encapsulados aparece la denominacin del integrado, as como, los cdigos particulares de cada fabricante. ENCAPSULADO FLAT-PACK.- se disean para ser soldados en mquinas automticas o semiautomticas, ya que por la disposicin de sus patillas se pueden soldar por puntos. El material con el que se fabrican es cermico. La numeracin de sus patillas es exactamente igual al anterior. Sus terminales tienen forma de ala de gaviota. La distancia entre pines es de 1,27mm, la mitad que en los DIP. ENCAPSULADO SOIC.- Circuito integrado de pequeo contorno. Son los ms populares en los circuitos de lgica combinacional, tanto en TTL como en CMOS. Tambin la terminacin de las patillas es en forma de ala de gaviota. Se sueldan directamente sobre las pistas de la placa de circuito impreso, en un rea denominada footprint. La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05"). La numeracin de los pines es exactamente igual a los casos anteriores. ENCAPSULADO PLCC.- Se emplea en tcnicas de montaje superficial pero, generalmente, montados en zcalos, esto es debido a que por la forma en J que tienen sus terminales la soldadura es difcil de verificar con garantas. Esto permite su uso en tcnicas de montaje convencional. Se fabrican en material plstico. En este caso la numeracin de sus patillas vara respecto de los anteriores. El punto de inicio se encuentra en uno de los lados del encapsulado, que coincide con el lado de la cpsula que acaba en chafln, y siguiendo en sentido antihorario. La distancia entre terminales es de 1,27mm. ENCAPSULADO LCC.- Al igual que el anterior se monta en zcalo y puede utilizarse tanto en montaje superficial como en montaje de taladro pasante. Se fabrica en material cermico y la distancia entre terminales es cermico. Los encapsulados que aparecen en este tema son los ms importantes y los ms utilizados. Como es lgico esta es una pequea seleccin de la infinidad de tipos de cpsulas que existen. Si pulsas en el siguiente botn vers una clasificacin de circuitos integrados bajo dos criterios que se refieren a la forma fsica y disposicin de sus pines, as como, al montaje en placa de circuito impreso (Montaje convencional y SMD).
Montaje convencional
Montaje Superficial
77

PRINCIPIOS DE ELECTRÓNIca

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

PRINCIPIOS DE ELECTRÓNIca

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA.

MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Cargas Iguales se Repelen

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Sentido del Campo Magntico

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

C capacidad en Faradios Q = carga en Coulomb V en Volts

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Se define adems la admitancia

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

La onda senoidal puede ser descrito mediante la siguiente ecuacin

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA

v(t ) = 2 * 220 cos(100t )

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

= ngulo que forman la corriente con el voltaje (

CLASIFICACION DE LOS MATERIALES

METAL ALUMINIO COBRE ESTAO GALIO GERMANIO HERRO ORO PLATA

RESISTIVIDAD A 20 Oc (-Cm) 2.67 1.694 12.6 89*103 10.1 2.2 1.63

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

PLOMO SILICIO NIQUEL

20.6 103 - 106 6.9

MATERIAL HIERRO COBALTO NIQUEL Fe al 3% de si no Orientado Fe al 3% de si orientado

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

COMPONENTES ELECTRNICOS Clasificacin De Componentes Electrnicos.

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

COMPONENTES ELECTONICOS PASIVOS

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Tolerancia 1% (F) 2% (G)

0,5% 0,25% 0,10% 0,05% 5% (J) 10% (K) 20% (M)

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Fuente de Corriente Alterna-

Voltmetro de - corriente alterna

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

4.7 5.6 6.8 8.2

4.7, 5.1 5.6, 6.2 6.8, 7.5 8.2, 9.1

Otros tipos de Resistores. Resistores variables o potencimetros Simbolo

Variacin Lineal, Variacin logartmica Variacin cuadrtica

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Para el caso de en que la impedancia Z = R

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

R * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R1 = 4 R5 R2 = R4 * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R6 R4 * R5 + R5* R6 + R6 * R4 R4

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

Capaci tor + Bater - a + +q - -q

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

= es la constante dielctrica del material utilizado

Variacin (valor final valor inicial)

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

(tiempo muy grande)

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

n indica el numero de capacitares que se pone en serie Paralelo

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

De donde se obtiene Ceq = 4.2F

C * C + C 2*C3 + C3 * C1 C4 = 1 2 C3 C * C + C 2*C3 + C3 * C1 C5 = 1 2 C1 C6 = C1 * C 2 + C 2*C3 + C3 * C 2 C2 C 4 * C6 C 4 + C5 + C 6 C 4 * C5 C 4 + C5 + C6

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

TUTORIAL: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ING. MSC. MBA. MARIO ROJAS MONTAO

b) Cdigo de colores: En la actualidad casi en desuso, se pintaba una serie de franjas de

C * C + C 2C3 + C3 C1 C4 = 1 2 C3 C * C + C 2C3 + C3 C1 C5 = 1 2 C1 C6 = C1 * C 2 + C 2C3 + C3 C 2 C2 C 4 * C6 C 4 + C5 + C 6 C 4 * C5 C 4 + C5 + C6