FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona

a atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs tm como principal caracteristica uma elevada impedncia de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedncias podendo substituir transformadores em determinadas situaes,alm disso so usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.

O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico), , de longe, o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analgicos.A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bonsxidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido.