Métamatériaux, Application Aux Antennes RFID

Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire Ministre de Lenseignement Suprieur et de la Recherche Scientique Universit A/Mira de Bjaia Facult des Sciences
dingnieurs Dpartement lctronique
Mmoire de Fin de Cycle

En vue de lobtention du diplme Master 2 en lctronique Option : Tlcommunication
Thme
Mtamatriaux, application aux antennes RFID
Ralis par : Mr OURTEMACHE Hacane.
Devant le jury compos de : Prsident : Mr . Rouha .M Examinatrice : Mme . Bounseur . Promotrice : Mlle . Hamzaoui.
Promotion 2012
Remerciements
E remercie vivement mon encadreuse Mme Hamzaoui pour ces prcieux conseils au cours de ces six mois. Ses conseils mont t trs bnques et les discussions passes en sa prsence mont t trs instructives et enrichissantes. Je remercie trs sincrement mon ami Azib Mohand Larbi pour laide quil a pu mapporter durant ce travail. Je noublie pas de remercier mes parents, mes frres et surs pour leur soutien moral et physique. Tous mes remerciements mes amis, Mustapha, Nadir, Ahmed, Khaled pour les merveilleux moments quon a pass ensemble. Merci Chikh Farouk pour lambiance quil cre dans notre chambre.
Hacane .O
Rsum
Les mtamatriaux lectromagntiques sont gnralement dnis comme des structures lectromagntiques homognes avec des proprits inhabituelles et qui ne sont pas disponibles dans la nature. Des structures avec une permittivit ngative (structure l mtallique n), une permabilit ngative (RAF) et les mtamatriaux avec simultanment une permittivit et une permabilit ngatives sont tudis et simuls avec CST microwave studio et MATLAB. La technologie de lidentication par radio frquence RFID est prsente et nous avons vu quavant la conception du transpondeur RFID il faut prendre en considration plusieurs enjeux comme ladaptation de limpdance, et dautre caractristiques importantes linstar du diagramme du rayonnement, une longue porte de lecture et une large bande passante. Lapplication des mtamatriaux lantenne RFID permet damliorer les performances de cette dernire. En eet, lapplication du mtamatriau avec un indice de rfraction proche de zro comme substrat permet daugmenter le gain, la directivit et amliorer ladaptation de lantenne. Mots cls : Mtamatriaux, Permabilit ngative, Permittivit ngative, Indice de rfraction ngatif, RAF, Fil mtallique n, Antenne RFID.
Abstract
Electromagnetic Metamaterials (MTMs) are broadly dened as articial eectively homogeneous electromagnetic structures with unusual properties not readily available in nature. The structures with negative permittivity (metal thin wires structure), negative permeability (SRR) and both negative permeability and permittivity (metamaterials) are studied and simulated with CST microwave studio and MATLAB. The Radio Frequency IDentication technology is presented and we are seen that before the conception for a RFID tag we must take into consideration several challenges such as the impedance matching, and other important features like radiation pattern, long read range and wide bandwidth. The application of metamaterials in RFID antenna allows improving the performances at his last. In fact, the application of metamaterial with a refractive index equal to zero as substrate allows enhancing gain, directivity and improve the antenna matching. Keywords : Metamaterials, negative permeability, negative permittivity, negative refractive index, SRR, RFID antenna.
Table des matires
Remerciements Rsum Table des matires Liste des gures Liste des tableaux Introduction gnrale 1 tat de lart sur les mtamatriaux 1.1 Concepts gnraux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 La permabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2 La permittivit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.3 Vitesse de phase et vitesse de groupe . . . . . . . . . . . . 1.2 Dnition des mtamatriaux et mtamatriaux main gauche . . . 1.3 Mtamatriaux avec une permittivit et /ou permabilit ngative 1.3.1 Mtamatriaux avec permittivit ngative . . . . . . . . . 1.3.2 Mtamatriaux avec permabilit ngative . . . . . . . . . 1.3.3 Mtamatriaux avec et ngatives . . . . . . . . . . . . 1.4 Quelques proprits lectromagntiques des mtamatriaux . . . . 1.4.1 Linversion de la loi de Snell-Descartes . . . . . . . . . . . 1.4.2 Linversion de leet doppler . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5 Applications des mtamatriaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.1 Lentilles parfaites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2 Cape dinvisibilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.3 Application aux antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . .
i ii iii v viii 1 3 4 4 4 5 6 8 8 8 11 12 12 13 14 14 14 16
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2 Technologie RFID (Radio Frequency IDentication), conception loppement 2.1 Historique sur la technologie RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Introduction lidentication par frquence radio . . . . . . . . . . 2.2.1 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.2 Performance du tag . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Les substrats exibles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4 Les antennes RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii
et dve. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 21 22 22 24 25 26
Table des matires 2.4.1 Antenne RFID avec stubs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.2 Eet des dirents substrats sur les paramtres de lantenne 2.4.3 Bandes de frquences permises pour les antennes RFID . . . Intgration RFID/capteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5.1 Module du capteur et circuit intgr . . . . . . . . . . . . . Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.1 Passeport biomtrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.2 Les hpitaux tracent leurs patients . . . . . . . . . . . . . . 2.6.3 Gestion des stocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.4 Capteurs sans ls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 30 31 33 33 36 36 37 38 38 40 41 41 42 42 42 48 50 52 55 56 56 60 62 63 64 66 70 77 77 78 78 79 79 79 79
2.5 2.6
3 Application mtamatriaux 3.1 Mthodes de calcul des paramtres eectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Approche de Smith (Mthode 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Approche de NRW (Mthode 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Unit de cellule lmentaire de rsonateur en anneau fendu . . . . . . . . 3.2.1 RAF circulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 RAF carr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Unit de cellule de l mtallique n (activit lectrique) . . . . . . . . . . 3.4 Rseau de ls mtalliques ns . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5 Rseau de RAFs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6 Association de ls mtalliques ns avec des rsonateurs en anneau fendu 3.6.1 Cellule unit compose de RAF et de l mtallique n . . . . . . 3.6.2 Rseau de RAFs et de ls mtalliques ns . . . . . . . . . . . . . 3.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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4 Mtamatriaux, application aux antennes RFID 4.1 Prsentation de lunit de cellule du mtamatriau appliqu lantenne . . . 4.2 Prsentation de lantenne RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Application du mtamatriau comme substrat lantenne RFID . . . . . . . A Annexe A A.1 Caractristiques des antennes . . . . . . . . A.1.1 Diagramme de rayonnement . . . . . A.1.2 Angle douverture . . . . . . . . . . . A.2 Directivit et gain dune antenne . . . . . . A.2.1 Ouverture rayonnante et Rendement A.2.2 Gain dune antenne . . . . . . . . . . A.2.3 Directivit dune antenne . . . . . . .
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B Annexe B 81 B.1 Simulation dune antenne Patch circulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 Bibliographie 84
iv
Liste des figures

1.1 Diagramme de permittivit-permabilit () et indice de rfraction n. Frquences angulaires pe et pm reprsentent les frquences du plasma lectrique et magntique [5]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tridre indirect caractris par la rgle de la main gauche. . . . . . . . . . . Illustration du systme de vecteurs E,H,k et S pour une onde plane transverse (TEM) dans le cas ordinaire (gure gauche), et dans le cas main gauche (gure droite). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Structure ls ns prsentant ngative/ positive quand E z [7]. . . . . . . Structure RAF prsentant ngative/ positive quand H // y [8]. . . . . . . Motif bidimensionnel du RAF propos par Balmaz et Martin [9]. . . . . . . . Motif tridimensionnel propos par Balmaz et Martin. (a) Structure compose de trois RAFs identiques perpendiculaires lun lautre. (b) Structure compose de trois RAFs de dimensions dirents perpendiculaires lun lautre. Modle du circuit quivalent du RAF. (a) Conguration dun RAF double. (b) Conguration simple dun RAF. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Premire structure exprimentale main gauche, constitue de ls ns (Thin Wires "TWs") et des RAFs introduite par lquipe de luniversit De la Californie, San Diego. (a) Structure main gauche unidimensionnelle de [11]. Structure main gauche bidimensionnelle [11]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rfraction dune onde lectromagntique linterface entre deux milieux. (a) Cas de deux milieux de mme main (soit MD ou MG) : rfraction positive. (b) cas de deux milieux de mains direntes (lun MD et lautre MG) : rfraction ngative. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Image virtuelle reproduite pour un milieu MD et un milieu MG. (a) lentille MD pour des ondes incidentes propages : La focalisation se produit. (b) lentille de focalisation pour ondes vanescentes incidentes : la source dinformation natteint pas la source. (c) plaque MG avec = = 1 pour des ondes incidentes propages : la focalisation se produit. (d) plaque MG avec = = 1 pour des ondes vanescentes incidentes : linformation atteint la source due laugmentation de lnergie lintrieur de la plaque. . . . . . Diagramme damplitude pour une harmonique de Fourier vanescente pour une lentille parfaite. Lamplitude suit les courbes exp(ax) [14]. . . . . . . . La cape dinvisibilit de J.Pendry [12]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Schma du dispositif o le mtamatriau Main Gauche est plac au dessus de lantenne patch. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 1.3
6 7
1.4 1.5 1.6 1.7
7 8 9 10
10 11
1.8 1.9
12
1.10
13
1.11
15 15 16 17
1.12 1.13 1.14
Table des matires 1.15 Comparaison du gain de lantenne avec et sans mtamatriau. (a) et (c) antenne patch en absence de mtamatriau. (b) et (d) antenne patch en prsence de mtamatriau [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 1.16 Distribution du champ E : (a) antenne seule. (b) antenne en prsence du mtamatriau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 2.1 2.2 Le lecteur et le transpondeur sont les principales composantes de tout systme RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . transpondeur et antenne. (a) le transpondeur et lantenne sont ns et souples, colls sur un autocollant. Source : Texas Instruments. (b) on distingue bien le transpondeur au centre, entour dune antenne de cuivre bobine. Source : Texas Instruments. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuit quivalent dun tag RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Schma bloc dun tag RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Antenne RFID avec un rseau dadaptation [25]. . . . . . . . . . . . . . . . . (a) perte de rexion S11 de lantenne RFID UHF. (b) diagramme de rayonnement omnidirectionnel de lantenne RFID (Plan E = 90 et plan H = 0 ) [25]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Simulation de limpdance dentre de lantenne RFID. . . . . . . . . . . . . Antenne RFID avec stub (le courant tant dans une seule direction). . . . . . Rayonnement du champ lointain 3-D et 2-D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modle du circuit quivalent dune antenne RFID. . . . . . . . . . . . . . . . Modle du circuit quivalent dune antenne RFID avec stub rsistif et inductif. Perte de rexion (return loss) S11 pour dirents substrat. . . . . . . . . . Capteur de temprature LM94022. (a) Diagramme de connexion. (b) Caractristique de transfert. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Schma Circuit du module RFID [27]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Antenne demi onde sous forme de U fabrique par la technologie de pulvrisation dancre sur le papier [27]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Perte de rexion (dB) de lantenne imprime par la pulvrisation dancre sur le papier [27]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diple bas sur le module de capteur sans l intgr dans un substrat papier utilisant la technologie dimpression par pulvrisation de lancre. . . . . . . . (a) Passeport lectronique. (b) puce du passeport lectronique . . . . . . . . . Surveillance de sant sans l. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Technologie RFID pour la gestion des stocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Capteur de pression intgr dans les roues dune voiture. . . . . . . . . . . . Reprsentation dune cellule lmentaire du RAF circulaire. . . . . . . . . . . (a) Orientation du champ lectrique E, (b) Orientation du champ magntique H. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission du RAF circulaire. H selon laxe z. . . . . . . . . . Permabilit eective. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe z. Rexion et transmission du RAF circulaire. H selon laxe . . . . . . . . . . Permabilit eective. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe y Reprsentation dune unit de cellule du RAF carr . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission du RAF carr. H selon laxe z . . . . . . . . . . . vi 22
2.3 2.4 2.5 2.6
24 25 26 27
2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18 2.19 2.20 2.21 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8
27 29 29 29 30 30 31 34 34 35 35 36 37 37 38 38 43 44 46 46 47 47 48 49
Liste des gures 3.9 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.15 3.16 3.17 3.18 3.19 3.20 3.21 3.22 3.23 3.24 3.25 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 Permabilit eective du RAF carr. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe z . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unit de cellule de l mtallique n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission du l mtallique n. E selon y . . . . . . . . . . Permittivit du l mtallique n. (a) partie relle. (b) partie imaginaire . . Rseau de ls mtalliques ns de priode 3.63mm. . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission du rseau priodique de ls mtalliques ns. . . . Permittivit du rseau de ls mtalliques ns. (a) partie relle. (b) partie imaginaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Permittivit du modle de Drude. (a) partie relle de 0 . (b) partie imaginaire de 0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rseau de RAFs circulaire de priode 3.63 suivant x et y. . . . . . . . . . . Systme de coordonnes polaire. En bleu, vecteur de londe incidente. . . . Rexion et transmission du rseau de RAFs. S11 en vert. S21 en rouge. (sur la lgende, le 1 reprsente le mode 1, cest--dire le mode TE). . . . . . . . Permabilit eective du rseau de RAFs. (a) partie relle. (b) partie imaginaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unit de cellule du matriau main gauche. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission de la cellule unit du matriau main gauche. . . . Paramtres eectifs de la cellule unit du matriau main gauche. . . . . . . Matriau main gauche fait de RAFs et de ls mtallique ns.Rexion et transmission du matriau main gauche. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rexion et transmission du matriau main gauche. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .
49 50 51 51 52 53
. 53 . 54 . 56 . 57 . 57 . . . . 58 59 59 60
. 61 . 61 65 65 66 67 67 68 69 69 70 72 73 73 73 74
Unit de cellule faite de RAF rectangulaire et de tige. . . . . . . . . . . . . . Transmission et rexion de lunit de cellule du matriau main gauche. . . . Paramtres eectifs de lunit de cellule du matriau main gauche. . . . . . . Dimension de lantenne RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Puissance rayonne et puissance rchit de lantenne RFID conventionnelle. Coecient de rexion de lantenne RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Gain total de lantenne RFID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diagramme de gain de lantenne conventionnelle. Plan xy (plan E) . . . . . Emission dun diple (au milieu) dans un substrat dindice de rfraction nul. Antenne RFID pose sur un substrat fait de mtamatriau. . . . . . . . . . . Coeetient de rextion de lantenne RFID utilisant un mtamatriau comme substrat. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.12 Champ lectrique E dans le plan (paln Cartsien). . . . . . . . . . . . . . . 4.13 Gain de lantenne RFID utilisant un mtamateriau comme substrat (3D). . . 4.14 Gain de lantenne RFID utilisant un mtamateriau comme substrat dans le plan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
A.1 Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnes cartsiennes. . . 79 B.1 Antenne Patch cerculaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 B.2 Coecient de rexion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 B.3 Gain total. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
vii
Liste des tableaux

2.1 Performance des paramtres de lantenne et porte mesure. . . . . . . . . . 28
viii
Introduction gnrale
Ce travail entam il y a six mois, sinscrit dans le cadre dune continuit de la recherche sur les mtamatriaux et les antennes RFID. Lobjectif de ce mmoire est de comprendre les proprits des structure appele main gauche, puis les appliquer aux antennes RFID an damliorer leurs performances. Ce mmoire se divise en quatre chapitres. Les deux premiers prsentent les matriaux composites articiels et la technologie RFID. Les deux derniers sont une simulation sous les logiciels CST microwave studio et MATLAB des structures main gauche et des antennes RFID. Dans le premier chapitre nous prsentons les lments qui constituent les mtamatriaux savoir les rsonateurs en anneau fendu appels plasma magntique et les ls mtalliques ns appels plasma lectrique et on verra comment lassociation de ces deux lments aboutit un matriau de permittivit et de permabilit simultanment ngatives sous certaine conditions. Quelques proprits des mtamatriaux seront prsentes linstar de linversion de la loi de Snell et linversion de leet Doppler. Enn quelques applications des mtamatriaux seront illustres. Dans le deuxime chapitre nous prsentons un historique sur les la technologie RFID, puis on parlera des systmes RFID, des lments dont ils se composent et lutilit de chaque lment. Quelques types dantennes seront vus et on prsentera galement la technologie dintgration RFID/capteur. On terminera ce chapitre par quelques applications dans des domaines dirents. Le troisime chapitre est une simulation sous le logiciel CST microwave studio et le logiciel MATLAB des dirents lments constituant les mtamatriaux main gauche. Les rsultats sont analyss et comments.
Introduction gnrale Le quatrime chapitre porte sur lapplication dun mtamatriau lantenne RFID. Lantenne RFID est simule sans mtamatriaux puis avec un mtamatriau. Les rsultats de simulation sont illustrs, analyss et comments. Nous terminons ce travail par une conclusion gnrale et perspectives.
tat de lart sur les mtamatriaux
Introduction
Un milieu continu avec des paramtres ngatifs, cest--dire, un milieu avec une constante dilectrique , ou une permabilit ngatives ont t longtemps connues dans les thories dlectromagntisme. En eet, le modle de Drude-Lorentz prvoit des rgions o ou sont ngatifs juste au dessus de chaque rsonance [1]. Les mtamatriaux constituent un agencement dlments structuraux, articiels conus pour atteindre des proprits lectromagntiques avantageuses et inhabituelles, ces proprits seront vues par la suite ; comme linversion de leet doppler et linversion de la loi de Snell. Le terme "mta" vient du grec et est traduit par "au del" en franais. Les proprits eectives peuvent tre extraites par la simulation numrique ou par des mesures exprimentales, pour notre travail on va extraire ef f et ef f en fonction de la frquence partir de la simulation sous le logiciel CST et MATLAB.
Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux
1.1
1.1.1
Concepts gnraux
La permabilit
La permabilit reprsente lopposition dun matriau au passage du champ dexcitation. Un milieu amagntique tel que leau, le cuivre, lair sont peu perturbs par lexcitation magntique, la permabilit est alors voisine de la permabilit absolue du vide 0 = 0 (1.1)
Contrairement au milieu amagntique, un milieu ferromagntique est fortement modi par lexcitation magntique, et sa permabilit nest pas constante ; elle varie en fonction de B r = B 0 H (1.2)
Ceci provient du fait que B et H ne sont pas proportionnels. Dans le domaine microondes, certains matriaux ferromagntiques [2] et composites antiferromagntiques tels que MgF2 et FeF2 [3] peuvent prsenter une permabilit ngative. Cependant, ces matriaux sont lourds et prsentent de fortes pertes magntiques. La possibilit de crer un magntisme articiel ; cest--dire un magntisme sans constituant magntique est alors trs intressante. Le rsonateur en anneau fendu "RAF" (Split Ring Resonator ) "SRR" est un exemple dune structure prsentant une permabilit ngative. La partie 1.3 de ce chapitre porte plus de dtails sur cette structure et sa permabilit.
1.1.2
La permittivit
Dans les dilectriques, le champ lectrique incident induit une polarisation du milieu qui est une fonction dpendante du champ lectrique mais qui peut tre dvelopp en sries de Taylor [4].
D = 0 E + P
(1.3)
La polarisation exprime quel point le champ est capable de sparer les charges positives et ngatives dans le matriau. Pour chaque frquence la rponse sera dirente et ceci est exprim par : P () = 0 ()E() 4 (1.4)
Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux En combinant les quations1.3 et 1.4 () = 0 (1 + ()) Susceptibilit lectrique. La susceptibilit dun milieu est lie sa permittivit relative par : = r 1 Pour les conducteurs, la permittivit est exprime par : () = 0 + tant la conductivit. Quand la permittivit eective prend des valeurs ngatives, lamplitude de londe plane dcroit exponentiellement en traversant la structure. Pour une source avec une frquence loin de nimporte quelle frquence de rsonance, ou suprieure la frquence du plasma, dans le milieu est positif [4]. Pour les mtamatriaux, une permittivit eective ngative peut tre observe dans le cas dun milieu laire constitu de matriaux articiels forms par des ranges lectriquement denses de ls de conducteurs minces. La structure du milieu laire et ses proprits seront vues dans la partie 4 de ce chapitre. () j (1.7) (1.6) (1.5)
1.1.3
Vitesse de phase et vitesse de groupe
La vitesse de phase est la vitesse pour laquelle la phase de londe se propage dans lespace. Elle est donn par : Vp = k tant le vecteur donde. La vitesse de groupe reprsente la driv de la frquence angulaire de londe par rapport au nombre donde k. Vg = k (1.9) k (1.8)
1.2
Dnition des mtamatriaux et mtamatriaux main gauche
Les mtamatriaux lectromagntique (Electromagnetic metamaterials " MTMs ") sont gnralement dnit comme des structures lectromagntiques ecacement homogne avec des proprits inhabituelles et qui ne sont pas disponible dans la nature. Une structure efcacement homogne est une structure dont sa taille moyenne structurale de cellules p est beaucoup plus petite que la longueur donde guide g . Ainsi, p doit tre infrieur au quart de la longueur donde, p < g /4 [5]. Les paramtres constitutifs sont la permabilit et la permittivit qui sont relis lindice de rfraction par : n = r r (1.10)
La gure 1.1 montre le diagramme permittivit-permabilit et indice de rfraction.
Figure 1.1 Diagramme de permittivit-permabilit ( ) et indice de rfraction n. Frquences angulaires pe et pm reprsentent les frquences du plasma lectrique et magntique [5].
Figure 1.2 Tridre indirect caractris par la rgle de la main gauche.
k.E = H k.H = E
(1.11) (1.12)
Un matriau main gauche 1 (Left Handed " LH ") a un indice de rfraction ngatif ( < 0, < 0). Ce terme " LH " vient du fait que le champ lectrique E et le champ magntique H et le vecteur donde k forment un tridre indirect caractris par la rgle de la main gauche (Voir gure 1.2). Pour le matriau main gauche, le vecteur de poyting et le vecteur donde sont opposs (Voir gure 1.3).
Figure 1.3 Illustration du systme de vecteurs E,H,k et S pour une onde plane transverse (TEM) dans le cas ordinaire (gure gauche), et dans le cas main gauche (gure droite).
1. Une analyse de la propagation dune onde lectromagntique dans un milieu possdant simultanment une permabilit et une permittivit eectives ngatives a t faite lorigine par le physicien russe Victor Veselago [6]. Dans son article paru lorigine en russe en 1967 puis traduit en anglais en 1968, il voque la possibilit de la propagation dune onde lectromagntique dans un milieu linaire, homogne et isotrope et possdant simultanment une permabilit et une permittivit ngatives. Ces matriaux ont t qualis comme Main Gauche " MG " (Left-Handed Materials " LHM ") par la suite.
1.3
Mtamatriaux avec une permittivit et /ou permabilit ngative
1.3.1
Mtamatriaux avec permittivit ngative
La structure l n en mtal (metal thin-wire structure) prsente une permittivit ngative sous certaines conditions (gure 1.4).
Figure 1.4 Structure ls ns prsentant ngative/ positive quand E
z [7].
En eet, quand lexcitation du champ lectrique E est parallle laxe des ls (E||z), cela induit un courant le long de ces ls et gnre des moments de diple lectrique quivalent. La permittivit est donne en fonction de la frquence de plasma pe et de la frquence dexcitation .
2 pe () = 1 2
(1.13)
Daprs la relation 1.13, la permittivit du plasma est ngative pour les frquences endessous de la frquence plasma. Par consquent, pour avoir une permittivit ngative, il faut que le champ lectrique soit parallle laxe z et la frquence du plasma soit suprieure la frquence de la source dexcitation.
1.3.2
Mtamatriaux avec permabilit ngative
La structure rsonateur en anneau fendu " RAF " (Split Ring Resonator " SRR ") prsente une permabilit ngative sous certaines conditions (Figure 1.5). Quand un champ dexcitation magntique H est parallle au plan des anneaux (H //
Figure 1.5 Structure RAF prsentant ngative/ positive quand H // y [8]. y), cela gnre un moment de diple magntique. La permabilit est donn par :
F 2 () = 1 2 2 0m + j
O F = (a/p)2 , (a : le rayon du petit anneau), 0m est la frquence de rsonance magntique rgle la gamme des GHz, est le facteur dattnuation due aux pertes du mtal.
(1.14)
r < 0, P our0m < <
0m 1F
Cette structure est anisotrpe 2 . An de rgler le problme danisotropie du RAF, une quipe suisse [9] a introduit un motif bidimensionnel appel Crossed SRR " CSRR " (Rsonateur en Anneau Fendu crois) (gure 1.6) constitu de deux RAFs de mme dimension, Ce motif accrot donc lisotropie dans deux directions de lespace.
2. Dans un milieu isotrope, la rponse ne dpend pas de la direction du vecteur champ. Les structures vus la gure 1.6 est un milieu anisotrope car la permittivit et la permabilit dpendent de la direction de E et H.
Figure 1.6 Motif bidimensionnel du RAF propos par Balmaz et Martin [9]. Les mmes auteurs parlent aussi disotropie tridimensionnelle, (gure 1.7), o trois RAFs sont placs perpendiculaires lun lautre. Dans le premier cas gure 1.7 (a), o les dimensions des trois RAFs sont identiques, ils montrent malheureusement que ce type de motif ne constitue en aucun cas un motif isotrope trois dimensions. Par contre, il y a possibilit dobtenir une structure isotrope 3-D avec trois RAFs de dimensions direntes gure 1.7(b) [10].
Figure 1.7 Motif tridimensionnel propos par Balmaz et Martin. (a) Structure compose de trois RAFs identiques perpendiculaires lun lautre. (b) Structure compose de trois RAFs de dimensions dirents perpendiculaires lun lautre. La gure 1.8 montre le circuit quivalent dun rsonateur en anneau fendu
10
Figure 1.8 Modle du circuit quivalent du RAF. (a) Conguration dun RAF double. (b) Conguration simple dun RAF. Dans la conguration anneau double, le couplage capacitif et inductif entre le grand et le petit anneau sont modliss par une capacit de couplage Cm et par un transformateur (rapport de transformation n), respectivement. Dans la gure 1.8(b), lanneau est quivalent un circuit RLC rsonateur, avec une frquence de rsonance 0 = 1/ LC. Le RAF double est quivalent au RAF simple si le couplage mutuel est faible [5].
1.3.3
Mtamatriaux avec et ngatives
Dans [11], Smith et al ont combin la structure ls ns et " RAFs " de Pendry dans une structure compose vue dans la gure 1.9(a) qui reprsentait le premier prototype exprimental du mtamatriau main gauche [5]. Les mtamatriaux dcrits ici sont anisotrope et sont caractriss par :
[] = [] =
xx 0 xx 0
(1.15)
0 yy
0 zz 0
0 0
0 yy
0 zz
(1.16)
La structure vue la gure 1.9(a) est un matriau main gauche unidimensionnel, puisque seulement une direction est permise pour le doublet (E,H) pour avoir une permittivit et une permabilit ngatives ; on a xx ( < pe ) < 0 et yy = zz > 0 ; et une seule direction est permise pour avoir une permabilit ngative, xx (0m < < pm ) < 0 et yy = zz > 0. 11
Figure 1.9 Premire structure exprimentale main gauche, constitue de ls ns (Thin Wires "TWs") et des RAFs introduite par lquipe de luniversit De la Californie, San Diego. (a) Structure main gauche unidimensionnelle de [11]. Structure main gauche bidimensionnelle [11]. La structure vue dans la gure 1.9(b) est un matriau main gauche bidirectionnel parce que, bien que E doit tre dirig le long de laxe z des ls, deux directions sont possible pour H, alors [] demeure inchang, mais xx , yy < 0 et zz > 0
1.4
Quelques proprits lectromagntiques des mtamatriaux
1.4.1
Linversion de la loi de Snell-Descartes
Une des remarquables proprits des milieux main gauche est leurs indices de rfraction ngatifs. Dans le cas o la loi de Snell nest pas inverse, cest--dire que les deux milieux ont le mme indice de rfraction, (les deux milieux sont positifs ou les deux sont ngatifs), les rayons incidents se rfractent avec un angle t , gure 1.10(a), le vecteur de poyting S2 et le vecteur donde k2 sont dans la mme direction. La loi de Snell est donne par :
ni sin i = nt sin t
(1.17)
La gure 1.10(b) montre linterface entre un milieu main droite et un milieu main gauche, dans ce cas, langle dincidence i et langle de rfraction t ont des signes opposs. Le vecteur de poyting S2 et le vecteur donde k2 se retrouvent dans deux directions opposes et la loi
12
Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux de Snell peut tre crite sous une forme plus gnrale
S1 | ni | sin i = S2 | nt | sin t
(1.18)
Figure 1.10 Rfraction dune onde lectromagntique linterface entre deux milieux. (a) Cas de deux milieux de mme main (soit MD ou MG) : rfraction positive. (b) cas de deux milieux de mains direntes (lun MD et lautre MG) : rfraction ngative.
1.4.2
Linversion de leet doppler
Quand le rcepteur mobile dtecte le rayonnement de la source, la frquence dtecte du rayonnement dpend de la vitesse relative de lmetteur et du rcepteur. Cest leet de Doppler bien connu. est la dirence entre la frquence dtectes au rcepteur et la frquence doscillation de la source.
= source rcepteur
(1.19)
scrit en fonction de la frquence mise par le rayonnement de la source 0 , la vitesse laquelle le rcepteur se dplace envers la source , la vitesse de phase de la lumire dans le milieu p . Le signe sapplique pour un milieu ordinaire ou un milieu main gauche.
= 0
(1.20)
13
Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux Pour n<0, le dcalage de frquence devient ngatif pour positif (rcepteur se dplaant vers la source). Lquation 1.19 peut tre crite sous la forme
= 0
n c
(1.21)
1.5
1.5.1
Applications des mtamatriaux

Lentilles parfaites
Une lentille parfaite est une lentille qui ne dforme pas limage, ne linverse pas et qui a une rsolution innie (limage dun point est strictement un point). Les lentilles convergentes convexes usuelles, dindice de rfraction suprieur celui du vide (n = 1), forment sur le plan image une image inverse, et o deux points distants de moins dune demi-longueur donde environ ne peuvent tre distingus. Cette limite ultime de rsolution est due la diffraction de la lumire incidente sur lobjet imag. En 2000, J. Pendry proposa la ralisation de " la lentille plate " imagine par Veselago qui est une simple lame dindice de rfraction gale -1. Il ralisait ainsi en pratique mais pour certaine frquence seulement, le milieu optique imagin par V. Veselago. Toutefois, en 2005, lquipe de Xiang Zhang lUniversit de Los Angeles a dmontr exprimentalement une rsolution suprieure un cinquime de longueur donde travers un mtamatriau constitu dun mince lm dargent pris en sandwich entre deux couches de semiconducteur, pour une frquence du domaine visible [12]. La gure 1.11 montre limage produite par une lentille convexe (milieu MG), et une plaque MD. Les ondes vanescentes sont fortement attnues et natteint pas le plan image. Pendry a montr comment lamplitude des ondes vanescentes peut tre reconstitue par le milieu main gauche (MG) [13]. La reconstitution des harmoniques de fourier vanescentes x=2d implique lamplication de chaque harmoniques de fourier lintrieur du milieu MG (gure 1.12) [14].
1.5.2
Cape dinvisibilit
La fabrication de la premire cape dinvisibilit en micro-onde a t dveloppe par John Pendry en 2006. Il a propos un mtamatriau dont les champs lectromagntiques peuvent 14
Figure 1.11 Image virtuelle reproduite pour un milieu MD et un milieu MG. (a) lentille MD pour des ondes incidentes propages : La focalisation se produit. (b) lentille de focalisation pour ondes vanescentes incidentes : la source dinformation natteint pas la source. (c) plaque MG avec = = 1 pour des ondes incidentes propages : la focalisation se produit. (d) plaque MG avec = = 1 pour des ondes vanescentes incidentes : linformation atteint la source due laugmentation de lnergie lintrieur de la plaque.
Figure 1.12 Diagramme damplitude pour une harmonique de Fourier vanescente pour une lentille parfaite. Lamplitude suit les courbes exp(ax) [14].
15
Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux tre contrls et manipuls. Cette cape dinvisibilit dtourne les ondes centimtriques ou micro-ondes, gure 1.13, cette proprit rsulte de la prsence de mini circuits de taille infrieure la longueur donde et de larchitecture en anneaux concentriques [12].
Figure 1.13 La cape dinvisibilit de J.Pendry [12].
1.5.3
Application aux antennes
Lutilisation des mtamatriaux dans les antennes vise amlioration leurs caractristiques, comme le gain et la directivit. En plaant un matriau main gauche dans lenvironnement proche dune antenne patch, gure 1.14, le gain et la directivit sont amliors [10] 3 . En eet, lantenne est plus directive avec une ouverture -3 dB de 30 au lieu de 100 pour lantenne en absence de mtamatriau. Le gain est aussi amlior. La gure 1.15 montre une comparaison entre le gain dune antenne patch seule et le gain de la mme antenne en prsence de mtamatriau. Cette inuence du matriau Main Gauche sur lantenne patch peut tre explique par une modication dans la reprsentation du champ rayonn. La gure 1.16 compare la distribution du champ E en labsence et en la prsence du matriau Main Gauche. Dans le cas de lantenne toute seule, le champ E rayonn par lantenne est quiparti dans la bote de rayonnement utilise pour la simulation sous HFSS 4 . Dans le cas o le matriau Main Gauche est au-dessus de lantenne, on observe une focalisation du champ E dans la demi-sphre reprsentant le matriau Main Gauche qui est ensuite reparti uniformment
3. Cette application de mtamatriau lenvironnement de lantenne propos par " Shah Nawaz Burokur " reste un exemple parmi dautres proposs par dautres auteurs, qui ont utilis dautres types dantennes et de mtamatriaux ainsi que direntes techniques dapplication. 4. HFSS : High Frequency Structure Simulator.
16
Figure 1.14 Schma du dispositif o le mtamatriau Main Gauche est plac au dessus de lantenne patch. dans lespace libre. Cette modication de distribution de champ E dans lenvironnement de lantenne entrane une amlioration du gain et de la directivit.
17
Figure 1.15 Comparaison du gain de lantenne avec et sans mtamatriau. (a) et (c) antenne patch en absence de mtamatriau. (b) et (d) antenne patch en prsence de mtamatriau [10].
Figure 1.16 Distribution du champ E : (a) antenne seule. (b) antenne en prsence du mtamatriau. 18
Conclusion
Dans ce premier chapitre, nous avons prsent quelques notions sur les matriaux et les mtamatriaux savoir la permittivit et la permabilit, la vitesse de groupe et de phase. Les mtamatriaux peuvent prsenter une permittivit et/ou une permabilit ngative dans certaines frquences et dans des directions bien dnis. Parmi les consquences dun indice de rfraction ngatif est linversion de loi de Snell et linversion de leet Doppler. Les mtamatriaux ont ouvert la porte pour de nombreuses applications linstar des lentilles parfaites, les structures dissimules, Applications aux antennes, etc.
19
Technologie RFID (Radio Frequency IDentication), conception et dveloppement
Introduction
La technologie RFID (Radio Frequency IDentication) - ou identication par frquence radio - fait partie des technologies didentication automatique, au mme titre que la reconnaissance optique de caractres ou de codes barre. Le but de ces technologies est de permettre lidentication dobjets ou dindividus par des machines. La technologie RFID a la particularit de fonctionner distance, sur le principe suivant : un lecteur met un signal radio et reoit en retour les rponses des tiquettes - ou tags - qui se trouvent dans son champ daction. Le tag se compose dun circuit intgr et dune antenne utilise pour emmtre/recevoir les ondes lectromagntiques vers/depuis le lecteur. Pour notre travail, on tudiera ces antennes et on va voir que le principal challenge pour la conception des antennes RFID est le transfert de puissance de lantenne vers le circuit intgr ou bien du circuit intgr vers lantenne. Ladaptation dimpdance de lantenne au circuit intgr, le substrat sur lequel lantenne est pose, la technologie utilise pour la fabrication, sont tous des paramtres qui dnissent les performances de lantenne. Il existe une varit presque innie de systmes RFID ; dirents types de mmoire, direntes frquences, direntes portes, dirents types dalimentation.
20
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement
La technologie RFID est utilise depuis longtemps et large chelle, notamment dans les secteurs de la logistique, la protection contre le vol ou encore lidentication des animaux. Pendant longtemps, le prix des tiquettes RFID, leur encombrement ainsi que le manque de normalisation ont limit leur dveloppement. Aprs des annes de recherche, de miniaturisation et deorts de normalisation, la technologie RFID vit une tape majeure de son dveloppement. Lidentication sans contact est devenue un champ de recherche interdisciplinaire indpendant, qui mle des domaines tels que les technologies radio, les technologies des semi-conducteurs, la protection des donnes, ou la tlinformatique. Dans ce chapitre, on va donner quelques notions sur les systmes RFID (Section 2.2), puis on va voir les substrats et leurs caractristiques dilectriques (section 2.3). Dans la section 2.4 on parlera des antennes RFID, on va donner quelques exemples dantennes, leurs diagrammes de rayonnement et le trac de la perte de rexion (return loss) en fonction de la frquence. Lintgration capteur/RFID est une technologie prometteuse qui permet de concevoir un capteur sans l (section 2.5). Enn queleques applications des systmes RFID seront vues dans la section 2.6.
2.1
Historique sur la technologie RFID
La notion de RFID (identication par frquences radio) date de la 2me guerre mondiale ; elle est lie au dveloppement de la radio et du radar. Pour savoir si les avions qui arrivaient dans lespace arien britannique taient amis ou ennemis, les allis plaaient dans leurs avions dimposantes balises, ou transpondeurs, an de rpondre aux interrogations de leurs radars. Ce systme, dit IFF (Identify : Friend or Foe ; de nos jours, le contrle du trac arien reste bas sur ce principe), est la premire utilisation de la RFID. La premire tude dont on dispose sur le sujet est un travail de Harry Stockman [15], qui sera suivi notamment par les travaux de F. L. Vernon [16] et ceux de D.B. Harris [17]. Ces deux derniers articles sont considrs comme les fondements de la RFID et dcrivent les principes qui sont toujours utiliss aujourdhui. Durant les annes 1960 et 1970, les systmes RFID restent une technologie condentielle, usage militaire pour le contrle daccs aux sites sensibles, notamment dans le secteur nuclaire. Les avances technologiques permettent lapparition du tag passif. Lab21
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement sence de source dnergie embarque rend le tag moins coteux. Le tag reoit son nergie par le signal du lecteur. Les distances de lecture obtenues sont de quelques centimtres. A la n des annes 1970, la technologie se rpand dans le secteur priv. Une des premires applications commerciales est lidentication de btail en Europe. Ds le dbut des annes 1980, plusieurs socits europennes et amricaines se mettent fabriquer des tags RFID. 1990 marque le dbut de la normalisation pour une interoprabilit des quipements RFID. En 2004, Le Auto-ID Center du MIT devient EPCglobal, une organisation dont le but est de promouvoir la norme EPC (Electronic Product Code) - sorte de super code barre stock dans un tag RFID -, labore par les universitaires et adopte par lindustrie.
2.2
2.2.1
Introduction lidentication par frquence radio

Fonctionnement
Un systme RFID se compose de deux lments : ltiquette (tag) et le lecteur (voir gure 2.1).
Figure 2.1 Le lecteur et le transpondeur sont les principales composantes de tout systme RFID. Le tag appel galement transpondeur, pour transmitter-responder, comprend une puce, dote dune mmoire, relie une antenne. Le lecteur selon la technologique utilise, peut lire mais aussi crire des donnes sur le tag. Il met des ondes radio et des champs magntiques, puis coute les rponses des tags qui se trouvent dans son champ de lecture. Le lecteur contient typiquement un module radio (metteur et rcepteur) et une interface de contrle. Quand le transpondeur, qui ne possde gnralement pas dalimentation propre, nest pas dans le champ daction dun lecteur, il est totalement passif. Lnergie, les donnes et les pulsations dhorloge ncessaires lactivation et au fonctionnement du transpondeur lui sont fournies par le lecteur. On distingue 22
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement deux cas, qui peuvent se recouvrir : la communication par champs lectromagntiques et la communication par ondes radio. La communication par champs lectromagntiques : Dans le cas des basses frquences (moins de quelques MHz), un courant alternatif dans lantenne du lecteur induit du courant dans lantenne bobine du tag, ce qui veille et alimente la puce. La puce eectue les oprations pour lesquelles elle a t conue, puis cr une modulation damplitude ou de phase sur la frquence porteuse. Le lecteur reoit ces informations, quil transforme en code binaire. Dans lautre sens, du lecteur vers la puce, les informations circulent selon le mme principe, par modulation sur la porteuse. Plus la frquence est basse, plus le nombre de tours de lantenne bobine ncessaires la cration dun voltage susant est important. Cela augmente la complexit et les cots de fabrication. La communication par ondes radio : Sur dautres systmes RFID, notamment si la frquence utilise dpasse quelques MHz ou que le tag se trouve au-del dune certaine distance du lecteur, les donnes ne peuvent plus tre transmises par modulation ; on utilise alors la rexion des ondes radio. Llectronique du tag modie limpdance de lantenne, renvoyant une partie des ondes radio au lecteur. Le lecteur, dot dun capteur trs sensible, dcode les donnes du tag daprs le type de rexion reu. Les tags peuvent tre actifs ou passifs. Les tags passifs ne disposent pas de leur propre source dnergie ; toute lnergie ncessaire leur fonctionnement leur est fournie par le lecteur. Les tags semi-actifs fonctionnent comme les tags passifs, sauf quils comportent une batterie. Cette batterie ne sert quau fonctionnement du microprocesseur ou la rtention des donnes. Les tags actifs peuvent mettre des donnes de manire autonome. Ils ont de meilleures portes, de meilleures capacits de calcul et des mmoires plus importantes, mais ils ont aussi une esprance de vie plus courte, sont plus gros, plus chers produire [18]. La gure 2.2 montre des tiquettes RFID.
23
Figure 2.2 transpondeur et antenne. (a) le transpondeur et lantenne sont ns et souples, colls sur un autocollant. Source : Texas Instruments. (b) on distingue bien le transpondeur au centre, entour dune antenne de cuivre bobine. Source : Texas Instruments.
2.2.2
Performance du tag
Les caractristiques dtiquette peuvent se rsumer dans la sensibilit du circuit intgr, le gain de lantenne, la polarisation de lantenne, et ladaptation dimpdance. Les limitations de lenvironnement de propagation sont la perte du trajet et le dsaccord tag [19]. Lantenne du tag RFID doit tre directement adapt au circuit intgr qui prsente principalement une impdance dentre complexe. Cest parce que an de maximiser les performances du transpondeur, un maximum de puissance doit tre dlivr de lantenne au circuit intgr. Donc la technique dadaptation dimpdance joue un rle important dans la conception russie dtiquette RFID (Voir gure 2.3). An dassurer un maximum de transfert de puissance de lantenne vers la charge, limpdance dentre de lantenne doit tre gale au conjugu de limpdance du circuit intgr dans la frquence dopration du tag [20]. En dautres termes, la partie relle de limpdance dentre doit tre gale la partie relle de limpdance de la charge, et la partie imaginaire de limpdance dentre de lantenne doit tre gale loppos de la partie imaginaire de limpdance de la charge.
ZAN T = Zcharge
(2.1)
Kurokawa [21] dcrit le concept de lnergie de londe se dplaant entre le gnrateur et la charge et il introduit le coecient de rexion |S|2 comme le montre lquation 2.2.
Zcharge ZAN T |S| = Zcharge + ZAN T 2
, 0 |S|2 1.
(2.2)
24
Ce coecient de rexion montre que le maximum de puissance fournie par lantenne nest pas totalement dlivr la charge [22]. En consquence, obtenir un transfert maximum de puissance de lantenne la charge se traduit par la minimisation de |S|2 . Il est noter que limpdance de lantenne et limpdance de la charge varient avec la frquence, pour cette raison le coecient de rexion peut tre minimis dans une seule frquence et par consquent, cette frquence sera choisie pour tre la frquence de travail du tag RFID.
Figure 2.3 Circuit quivalent dun tag RFID.
2.3
Les substrats exibles
Le choix du substrat papier sur lequel lantenne sera pose est trs important. La caractrisation lectrique du substrat est une tape critique pour concevoir lantenne RFID. En eet, la connaissance des proprits dilectrique comme la constante dilectrique (r ) et la tangente de perte (tan ) est ncessaire pour la conception de nimporte quelle structure haute frquence. Le polymre en cristal liquide Le LCP (Liquid Crystal Polymer ) possde des qualits attractives, cest un substrat peu coteux avec des performances leves, ses pertes sont faibles, exible et il a une faible permabilit leau. La caractrisation dilectrique du substrat LCP a t eectue jusqu 110 GHz en utilisant les mthodes dcrites auparavant. La constante dilectrique vaut r = 3.16 0.05 et la tangente de perte tan <0.0049. Cela prouve lutilisation large de LCP dans direntes applications comme les antennes, les ltres microondes et dautres applications se prolongeant dans tout le spectre de frquence donde millimtrique. 25
2.4
Les antennes RFID
Le d le plus important dans la conception dune antenne RFID est ladaptation de limpdance de celle-ci au circuit intgr pour assurer un transfert de puissance maximal. En plus de ladaptation dimpdance, une longue port, une large bande passante, une taille miniaturise et la exibilit sont tous des lments importants quune antenne RFID doit acqurir. La majorit des tag RFID sont passif d au cout et aux conditions de fabrication, ils utilisent lnergie lectromagntique transmise du lecteur an dalimenter le circuit intgr, qui son tour renvoi des donnes au lecteur. Un diagramme bloc dun tag RFID avec un rseau dadaptation est montr sur la gure 2.4.
Figure 2.4 Schma bloc dun tag RFID.
2.4.1
Antenne RFID avec stubs
Antenne sous forme de U Lantenne est un diple demi-onde /2 qui a un diagramme de rayonnement quasi omnidirectionnel. Le stub rsistif et le stub inductif constituent le rseau dadaptation de lantenne (Voir gure 2.5) [25]. Cette mthode dintroduction de stubs est trs ecace dans ladaptation de nimporte quelle impdance de circuit intgr (ZIC ). Donc le but est dadapter limpdance de lantenne celle du circuit intgr selon lquation 2.1.
26
Figure 2.5 Antenne RFID avec un rseau dadaptation [25].
Figure 2.6 (a) perte de rexion S11 de lantenne RFID UHF. (b) diagramme de rayonnement omnidirectionnel de lantenne RFID (Plan E = 90 et plan H = 0 ) [25].
27
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement Lantenne est conu pour couvrir la bande de frquence 902 928 MHz, Le circuit intgr prsente une impdance stable ZIC de 16 j350 dans cette bande de frquence. Le trac de la perte de rexion 1 (PR) est montr sur la gure 2.6 (a) dnit par une valeur de PR< -10dB dans la bande de 905 925 MHz. Antenne sous forme de S Lantenne est un diple demi-onde /2 sous forme dun S. cette antenne est caractrise par sa longue port de lecture et une ecacit de 95%.lantenne est fabrique avec du cuivre dune paisseur de 18m sur un substrat LCP (r =3.16,tan =0.00192) exible, peu couteux et facilement manufacturable dune paisseur de 50.8m. Le stub rsistif est utilis pour rgler la rsistance de lantenne an quelle soit adapt celle du circuit intgr. Le stub inductif est aussi utilis comme un lment de rglage ractif de lantenne [26] (Voir gure 2.8). Les performances des paramtres de lantenne sont montres dans le tableau 2.1. Les valeurs de la perte de rexion calcule 915 MHz bas sur limpdance du circuit intgr ZIC = 73 j113 pour la simulation et la mesure sont respectivement -36.7 dB et -31.7 dB. Impdance dentre (simulation) 59.7+j96.4 Impdance dentre (mesure) 49+j106 directivit mesure 2.18dBi Ecacit 95% porte de lecture 9.45m
Table 2.1 Performance des paramtres de lantenne et porte mesure. La perte de 5% dans lecacit est due principalement la quantit de rayonnement perdu dans le rseau dadaptation. La longueur j du stub rsistif est rduite moiti pour observer la dirence de performance. Limpdance dentre simule de lantenne devient 44+j100.1 la rsistance diminue (perte de rexion leve). La simulation de limpdance dentre de lantenne RFID est montre sur la gure 2.7. Le diagramme de rayonnement est montr sur la gure 2.9.
1. La perte de rexion (" return loss " en anglais) reprsente la fraction de la puissance ractive sur la puissance transmise. Cette perte est minimale la frquence de rsonance.
28
Figure 2.7 Simulation de limpdance dentre de lantenne RFID.
Figure 2.8 Antenne RFID avec stub (le courant tant dans une seule direction).
Figure 2.9 Rayonnement du champ lointain 3-D et 2-D. 29
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement Le circuit quivalent de lantenne sous forme de S est montr sur la gure 2.10. Le corps rayonnant se compose dune rsistance Rp place en srie avec une capacit Cp . Rs et Ls reprsentent leet du substrat. CE est le couplage capacitif entre les deux branches de lantenne en forme de S. En ajoutant le stub inductif double il y aura seulement un changement dans les valeurs.
Figure 2.10 Modle du circuit quivalent dune antenne RFID.
En ajoutant le stub rsistif, un circuit en parallle est ajout (gure 2.11).
Figure 2.11 Modle du circuit quivalent dune antenne RFID avec stub rsistif et inductif.
2.4.2
Eet des dirents substrats sur les paramtres de lantenne
An de voir leet des dirents substrats sur les paramtres de lantenne comme la rsonance, la bande passante et le rayonnement ; lantenne sous forme de S a t simule pour trois conguration pratique : sur un substrat PET [Polyethylene terephthalate,( r =2.25,tan =0.001)] dpaisseur 4 mm, papier dpaisseur 4 mm (r =3.28, tan =0.006 [26]). Le dcalage de la frquence de rsonance est de 95 MHz pour le papier et 60 MHz pour le PET par rapport lantenne origine pose sur un substrat LCP avec une frquence de rsonance de 895 MHz. Les pertes de rexion sont importantes pour le substrat PET par rapport au substrat LCP (Voir gure 2.12). 30
Figure 2.12 Perte de rexion (return loss) S11 pour dirents substrat.
2.4.3
Bandes de frquences permises pour les antennes RFID
Par ce que les systmes RFID gnrent et rayonnent des ondes EM, ils sont lgalement classes dans les systmes radio. En aucun cas ils ne doivent gner les fonctions des autres systmes radio comme les communications radio des services militaires, de police, de sauvetage, les communications grandes et moyennes ondes radio ou encore la tlvision et les tlphones portables. Il est donc impratif de ne pas utiliser pour les communications RFID, les frquences dautres utilisateurs et, la vue du nombre croissant de ces derniers, les plages de frquence disponibles sont restreintes. Cest la raison pour laquelle il nest possible dutiliser que des gammes de frquences alloues aux applications industrielles, scientiques ou bien encore mdicales, appeles les bandes ISM (Industrial Scientic Medical).
- Bande de frquences entre 9 - 135 kHz La bande en dessous de 135 kHz est largement utilise par les services radio car elle nest pas rserve ISM. Les conditions de propagation dans cette bande de frquences grandes ondes permet datteindre des endroits situes 1000 km a la ronde. On compte parmi ces systmes des services radio pour la navigation maritime ou aronautique. - Bande de frquences 6.78 MHz La bande 6.765 - 6.795 MHz appartient la Bande de frquences en ondes courtes. Les conditions de propagation proposent des portes courtes et des portes allant jusqu 100km, de jour et plus de 1000 km la nuit. Les services de presse, de mtorologie ou encore daronautique sont les principaux utilisateurs. 31
- Bande de frquences 13.56 MHz La bande de frquences comprises entre 13.553 et 13.567 MHz se situe au milieu de la bande de courte longueur donde. Elle est majoritairement utilise pour des systmes RFID inductifs. Cest la Bande de frquences actuellement la plus utilisee pour des applications RFID. - Bande de frquences 27.125 MHz Cette bande de frquences ISM dune largeur de 326 kHz est comprise dans la bande alloue aux communications radio (allant de 26.565 27.405 MHz) aussi bien en Europe quau Canada et aux USA. En plus des systmes radio inductifs pour la RFID, on trouve dans cette bande des applications pour le mdical mais aussi des quipements de soudure fonctionnant HF. Il est donc important de prendre ces applications en compte pour la mise en place de systmes RFID cette frquence car ils pourraient tre perturbes par les forts champs HF gnres par les quipements de soudure, par exemple, ou pourraient perturber eux-mmes des installations mdicales. - Bande de frquences 40.680 MHz Cette bande de frquences a une largeur de 40 kHz et se situe au bas de la bande VHF (Very High Frequency). La propagation de ces ondes est limite par le sol et de ce fait, les signaux sont moins amortis par des immeubles ou autres objets sur le chemin de propagation. Cette frquence nest que peu utilise car la longueur donde qui lui est associe est trop grande pour mettre en place des tags de taille assujettie cette mme longueur donde. - Bande de frquences 433.920 MHz Cette bande de frquences, dune largeur de 1.74MHz fait partie de la bande alloue au radio amateurisme (de 430 440 MHz). Elle est utilise non seulement par des applications RFID mais galement par des applications de tlmtrie, dintercommunication (talkie-walkie) et ce en assez grande quantit pour que des interfrences gnantes interviennent. - Bandes de frquence 869 MHz, 915 MHz et a 960 MHz La premire plage de frquences comprises entre 868 et 870 MHz a t permise pour des dispositifs de courte porte (SRD : Short Range Device) en Europe depuis 1997 et de ce fait est utilisee pour des applications RFID. Les deuximes et troisimes bandes sont les homologues de la premire en Amrique du Nord et en Asie mais ne sont pas 32
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement permises en Europe. - Bande de frquences 2.45 GHz Cette bande dune largeur de 83.5 MHz partage les frquences avec des applications de radio amateurisme et des services de localisation radio. Les conditions de propagation dans cette gamme UHF (Ultra High Frequency : 300 MHz - 3 GHz) sont telles que des objets comme des immeubles par exemple, ragissent en bons recteurs et attnuent fortement le champ EM. En plus de dispositifs RFID, on trouve dans cette bande ISM des applications comme les systmes PC LAN (Local Area Network) pour la mise en rseau sans l dordinateurs. - Bande de frquences 5.8 GHz Comme la bande de frquence 2.45 GHz, cette bande, dune largeur de 150 MHz, partage les frquences avec dautres applications radio que les systmes RFID, comme les dtecteurs de mouvement permettant douvrir portes et barrires.
2.5
2.5.1
Intgration RFID/capteur
Module du capteur et circuit intgr
Cette technologie consiste intgrer un capteur sur le substrat avec un circuit intgr et une antenne RFID. Le capteur utilis est le LM94022 qui est un capteur de temprature analogique, la tension de sortie est donne en fonction de la temprature. Le diagramme de connexion et la caractristique de transfert sont montrs sur la gure 2.13.
33
Figure 2.13 Capteur de temprature LM94022. (a) Diagramme de connexion. (b) Caractristique de transfert.
Figure 2.14 Schma Circuit du module RFID [27]. Le module RFID comprend le capteur de temprature, le circuit intgr et lantenne RFID (Voir gure 2.14). En rsum, le capteur gnre une tension en fonction de la temprature, le convertisseur A/N permet de convertir cette tension en donnes numriques, Le contrleur logique code ces donnes qui seront transmises au module COMM. Dans le module COMM, le PLL a pour rle de moduler le signal cod, puis il sera ampli et envoy par lantenne RFID. La dimension de lantenne imprime est de 8cm 15cm, la permittivit dilectrique r et la tangente de perte tan du papier avaient t prcdemment dtermines par [25] (Voir 34
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement gure 2.15). La perte de rexion est montre dans la gure 2.16 au dessous, cette antenne opre de 427.14 MHz 455.27 MHz centre autour de 440 MHz, adapte une charge de 50 et prsente un diagramme de rayonnement omnidirectionnel [27].
Figure 2.15 Antenne demi onde sous forme de U fabrique par la technologie de pulvrisation dancre sur le papier [27].
Figure 2.16 Perte de rexion (dB) de lantenne imprime par la pulvrisation dancre sur le papier [27].
35
Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement La gure 2.17 montre une image relle dun diple bas sur le module de capteur sans l intgr dans un substrat papier utilisant la technologie dimpression par pulvrisation de lancre (inkjet printing technology).
Figure 2.17 Diple bas sur le module de capteur sans l intgr dans un substrat papier utilisant la technologie dimpression par pulvrisation de lancre.
2.6
2.6.1
Applications
Passeport biomtrique
Le besoin de mieux contrler les passagers aux douanes sest traduit par la mise en circulation du passeport lectronique en Europe partir de mai 2006. La puce RFID du passeport contenait alors toutes les donnes dtat civil de la premire page du passeport, ainsi que la photo didentit en format numrique. Le 31 octobre 2008 lmission de passeport lectronique a t remplace par celle des passeports biomtriques. Sur la gure 2.18 (a) On remarque sur le bas du passeport le symbole qui marque la prsence dune puce RFID, et la gure 2.18 (b) est un agrandissement de cette puce [28].
36
Figure 2.18 (a) Passeport lectronique. (b) puce du passeport lectronique
2.6.2
Les hpitaux tracent leurs patients
Les exemples dhpitaux qui mettent en place des solutions RFID pour mieux grer les ux de leurs patients apparaissent dans plusieurs rgions du monde. Le principe consiste doter les patients de bracelets contenant une puce RFID. Lutilisation qui peut tre faite est alors double. Tout dabord, le suivi physique des patients. Des lecteurs positionns dans lhpital permettent de connatre en temps rel ou se trouvent les patients. Les avantages sont multiples. Retrouver un patient qui doit se faire oprer est alors chose aise. Les gestionnaires de lhpital peuvent aussi obtenir une vision globale des mouvements dans lhpital, et donc optimiser les dplacements des patients. La seconde utilisation est plus personnelle. Elle consiste ce que la puce RFID permette un suivi mdical plus prcis des patients. La puce devant faire le lien entre le patient et son dossier mdical (Voir gure 2.19) [28].
Figure 2.19 Surveillance de sant sans l.
37
2.6.3
Gestion des stocks
La gure 2.20 illustre lutilisation de la technologie RFID dans la gestion des stocks.
Figure 2.20 Technologie RFID pour la gestion des stocks.
2.6.4
Capteurs sans ls
Pour la technologie dintgration de capteur sur le substrat vue dans la section 2.5, on peut imaginer un capteur mis dans un endroit trs perturb, par exemple un capteur de pression dans les roues de la voiture (Voir gure 2.21).
Figure 2.21 Capteur de pression intgr dans les roues dune voiture.
38
Conclusion
Lidentication par la radio frquence connait aujourdhui un essor technologique important, cela est d leur faible cout, leur exibilit et une taille miniaturise. De la sant au transport en passant par la gestion des stocks et les systmes antivol, cette technologie prometteuse ne cesse de croitre. Dans le tag RFID le transfert de puissance entre le circuit intgr et lantenne doit tre maximal, cela revient minimiser le coecient de rexion en ajoutant un rseau dadaptation. Le choix de substrat sur lequel lantenne sera imprime est trs important an de minimiser la perte de rexion (return loss) et avoir une bande passante assez large. On a vu que le LCP (Liquid Crystal Polymer ) prsente des avantages de performance et de cout, ce qui explique sa large utilisation. Lintgration dun capteur dans le substrat permet denvoyer les informations du capteur par ondes radio un rcepteur se trouvant une distance de quelques mtres.
39
Application mtamatriaux
Introduction
Dans ce chapitre, on tudiera les dirents lments qui constituent les matriaux indice de rfraction ngatif. Comme nous lavons dj vu dans le premier chapitre, les matriaux main gauche sont bass sur lutilisation de deux lments. Le premier est le rsonateur en anneau fendu qui permet davoir une permabilit ngative (sous certaines conditions) et la structure en ls mtalliques ns qui permet davoir une permittivit ngative (sous certaines conditions). Dans le but de calculer les paramtres eectifs des lments qui sont objet dtude, deux mthodes de calcul seront prsentes et les coecients de rexion et de transmission obtenus par des simulations sous le logiciel CST microwave studio seront extraits. Des paramtres tels que lindice de rfraction et limpdance Z peuvent tre calculs en fonction de ces coecients, ainsi on pourra dduire les valeurs de la permabilit et de la permittivit. Deux modles de RAFs seront prsents et analyss. Le premier est le RAF circulaire, et le deuxime est le RAF carr, les rsultats seront comments. On prsentera galement un rseau de ls mtalliques ns et un rseau de RAFs circulaire. Finalement on combinera le rseau de RAFs et le rseau de ls mtalliques ns.
40
Chapitre 3 : Application mtamatriaux
3.1
Mthodes de calcul des paramtres eectifs
Le paramtre de transmission S21 et le paramtre de rexion S11 sont calculs et extraits pour le calcul de la permabilit eective ef f , nef f . Deux approches sont prsentes pour le calcul des paramtres eectifs. La premire prsente par D. R. Smith, S. Schultz [29] et la deuxime prsente par Nicholson, Ross et Weir (NRW) [30].
3.1.1
Approche de Smith (Mthode 1)
Le coecient de transmission est donn par :
1 S21 = cos(nkd)
i 2
Z+
1 Z
sin(nkd) eikd
(3.1)
Z=
2 (1 + S11 )2 S21 2 (1 S11 )2 S21
(3.2)
S11 est le rapport entre la puissance de londe rchie et la puissance de londe incidente.
S11 =
Pref lechie Pincidente
(3.3)
Lindice de rfraction est donn par
n = cos1
2 2 1 1 (S11 S21 ) 2S21 kd
(3.4)
Et par consquent ef f et ef f sont calcules en fonction de Z et n comme suit
=nZ
(3.5)
41
n Z
c
(3.6)
Notons que k est le vecteur donde de londe incidente donn par k = d paisseur du matriau.
3.1.2
Approche de NRW (Mthode 2)
Les quations de bases utilises pour dterminer les paramtres eectifs sont :
2 1 1 jkd 1 + 1
(3.7)
2 1 2 jkd 1 + 2
(3.8)
O :
1 = S21 + S11 2 = S21 S11
3.2
Unit de cellule lmentaire de rsonateur en anneau fendu
3.2.1
RAF circulaire
Le rsonateur fonctionne dans la bande [8 GHz : 12GHz]. Le rayon de lanneau externe est de 1.5 mm, tandis que le rayon de lanneau interne gal 0.84 mm, la largeur de la piste en cuivre est de 0.33 mm, la largeur de la coupure des anneaux est de 0.33 mm et lespacement entre les deux anneaux est de 0.33 mm. Le substrat utilis est le ROGERS RO4003 (lossy) qui prsente une permittivit relative de 3.55, une perte tangentielle de 0.0027 et une paisseur de 0.81 mm. La boite de rayonnement dnie par CST a un volume de 3.63 3.63 3.63mm3 (Voir gure 3.1).
42
Chapitre 3 : Application mtamatriaux Pour la simulation de la cellule lmentaire, on dnit les conditions aux limites, cest-dire on dnit le comportement du champ lectrique et magntique linterface vide-RAF. Comme on la dj cit dans le chapitre 1 (section1.3.2), pour avoir une permabilit ngative il faut que le champ magntique passe travers le rsonateur (H parallle laxe z), ainsi : PMC (Perfect Magnetic Conductor ) est dnie sur les deux murs perpendiculaire laxe z (murs avant et arrire), Dans ce cas tous les champs magntiques tangentiels et les ux lectriques normaux sont mis zro. PEC (Perfect Electric Conductor ) est dnie sur les deux murs perpendiculaire laxe y (murs haut et bas), Dans ce cas tous les champs lectriques tangentiels et les ux magntiques normaux sont mis zro. En consquence, le champ E sera orient selon laxe y et le champ H sera orient selon laxe z et londe incidente se propage selon laxe x (Voir gure 3.2).
Figure 3.1 Reprsentation dune cellule lmentaire du RAF circulaire.
43
Figure 3.2 (a) Orientation du champ lectrique E, (b) Orientation du champ magntique H.
44
Chapitre 3 : Application mtamatriaux La gure 3.3 montre le coecient de transmission et le coecient de rexion. La frquence de rsonance est de 11.15 GHz avec une transmission de lordre de -28dB (0.04 linaire). Cette frquence de rsonance dpend de la capacit qui, son tour, dpend de lespacement entre les deux anneaux dune part et du vide dans chaque anneau dune autre part. Quand le champ magntique pntre le RAF, cela induit un courant dans celui-ci. La gure 3.4 montre la partie relle et imaginaire de la permabilit calcule avec les deux mthodes prsentes dans la section 3.1 prcdente. A la frquence de rsonance frs = 11.15GHz, la partie relle de est ngative pour la mthode 1, Il en est de mme pour la mthode 2 mais un peu loin de la frquence de rsonance (f=10.8 GHz). Pour la mthode 1 cette permabilit reste ngative dans la bande 11.15GHz -11.7GHz et elle varie entre 0 et-0.35 dans cette bande. Pour la deuxime mthode elle vaut -13.15 la frquence 10.8 GHz. Au dessous de fres la permabilit est positive. Donc on peut dduire que la mthode 1 fournit un rsultat plus juste que la deuxime mthode. Pour montrer que le champ H doit tre parallle laxe de lanneau pour avoir une permabilit ngative, on oriente cette fois ci le champ magntique selon laxe y, le champ lectrique selon x et londe incidente selon laxe z. Les rsultats de simulation sont illustrs la gure 3.5 et la permabilit est illustre la gure 3.6. La partie relle de la permabilit est positive pour les deux mthodes comme le montre la gure. En orientant le champ H selon x et le champ E selon y, on aura toujours un positif, preuve que le champ magntique doit tre parallle laxe de lanneau pour avoir des valeurs ngatives de autour de la frquence de rsonance.
45
Figure 3.3 Rexion et transmission du RAF circulaire. H selon laxe z.
Figure 3.4 Permabilit eective. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe z.
46
Figure 3.5 Rexion et transmission du RAF circulaire. H selon laxe
Figure 3.6 Permabilit eective. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe y
47
3.2.2
RAF carr
Ce rsonateur t dimensionn pour fonctionner dans la bande [8GHz ; 12GHz]. La largeur de la piste en cuivre gale 0.25 mm, la largeur de la fente entre les deux anneaux est de 0.3 mm, la coupure des deux anneaux est de 0.46 mm, le cot du grand anneau gale 2.62 mm. Le substrat utilis est le ROGERS RO4003 (lossy) de longueur 5 mm, de largeur 3.33 mm est dpaisseur 0.25 mm. Comme le RAF circulaire, on a dnit les mmes conditions aux limite(Figure 3.7).
Figure 3.7 Reprsentation dune unit de cellule du RAF carr
La gure 3.8 montre le coecient de transmission et de rexion, la frquence de rsonance gale 11 GHz et le paramtre S21 vaut -24 dB cette frquence. La permabilit des deux mthodes est illustre la gure 3.9. Pour la mthode 1, elle est ngative dans la bande 11GHz -11.4GHz et est varie entre 0 et -0.3.
48
Figure 3.8 Rexion et transmission du RAF carr. H selon laxe z
Figure 3.9 Permabilit eective du RAF carr. (a) partie relle, (b) partie imaginaire. H selon laxe z
49
3.3
Unit de cellule de l mtallique n (activit lectrique)
La structure est un l mtallique parfait, cest--dire que sa conductivit est suppose innie, en dautre termes, les pertes sont supposes nulles dans le conducteur partir dune certaine frquence (plus dexplication dans la partie 3.4). La longueur du l est 3.63mm et son rayon gale 0.01 mm (gure 3.10). La boite de rayonnement est un cube de 3.63 3.63 3.63mm. Le champ E est orient selon laxe y et le champ H orient selon x, ainsi les conditions aux limites sont dnies comme suit :
Figure 3.10 Unit de cellule de l mtallique n.
PMC(Perfect Magnetic Conductor ) pour les murs de gauche et de droite (murs perpendiculaire x). PEC(Perfect Electric Conductor) pour les murs du haut et du bas (murs perpendiculaire y). Londe incidente se propage selon laxe z. Les rsultats de simulation sont montrs sur la gure 3.11 et la partie relle et imaginaire de la permittivit simule est illustre la gure 3.12 en utilisant la mthode 2. La permittivit ngative est obtenue en orientant le champ E selon y pour les frquences infrieures la frquence du plasma (voir Chap 1, qu 1.13). Ce champ E induit un courant le long du l mtallique et qui gnre un moment de diple lectrique quivalent. Si le champ E tait perpendiculaire au l mtallique n, on naurait pas cet eet, et la permittivit ne 50
Chapitre 3 : Application mtamatriaux serait pas ngative. La frquence du plasma est gale 16.4 GHz. Sur la gure 3.12, la partie relle de est ngative pour toutes les frquences infrieures la frquence du plasma. La partie imaginaire de la permittivit reprsente les pertes du mtal, elle est gale 0.54, ce qui veut dire que les pertes sont minimes.
Figure 3.11 Rexion et transmission du l mtallique n. E selon y
Figure 3.12 Permittivit du l mtallique n. (a) partie relle. (b) partie imaginaire
51
3.4
Rseau de ls mtalliques ns
Dans cette partie, on simulera un rseau de ls mtalliques ns 1 dans la bande de [5GHz - 25 GHz], on montrera la frquence du plasma partir des coecients de transmission et de rexion dune part, et de la permittivit eective dune autre part. Le rseau est constitu de ls mtalliques considrs comme innis par CST selon laxe x (gure 3.13).
Figure 3.13 Rseau de ls mtalliques ns de priode 3.63mm.
Comme on a dni un mur lectrique (PEC) selon laxe y et londe incidente se propage selon laxe z, un mur magntique (PMC) est dni automatiquement selon laxe x, ainsi E sera orient selon y et H sera orient selon x.
1. Le cas trait est un rseau inni de ls mtalliques selon la direction du champ H. En ralit le plasma lectrique est ralis suivant deux directions (voir chap. 1 partie 1.4) mais la simulation dune telle structure prend normment du temps et de mmoire (cette structure peut tre simule avec des ordinateurs ultra puissant). On a essay de raliser cette structure autrement en mettant " unit cell " pour les conditions aux limite (unit cell simule un rseau inni dans les directions de x et y) en tenant compte de la priodicit et de langle entre les ls mais on a toujours la contrainte E qui doit tre selon laxe des ls, en le dnissant ainsi (E selon laxe des ls), londe incidente ne traverse plus les ports Zmin et Zmax, par consquent S11 sera gale 1 (linaire) et S21 sera gale 0 linaire sur toute la bande de frquence, du cout on aura pas un rsultat exact de .
52
Figure 3.14 Rexion et transmission du rseau priodique de ls mtalliques ns. La frquence du plasma du rseau est daprs la gure 3.14 et la gure 3.15(a) gale 22.5GHz, au dessous de cette frquence, est ngative. Notons que pour des frquences trs loin de la frquence de rsonance, la permittivit est positive [31]. La gure 3.15(b) montre une valeur de 1 pour la permittivit la frquence de 5GHz, (rappelons que la partie imaginaire de reprsente les pertes du rseau), cette valeur diminue quand la frquence augmente, partir de la frquence 7GHz les pertes sont quasiment nulle.
Figure 3.15 Permittivit du rseau de ls mtalliques ns. (a) partie relle. (b) partie imaginaire.
53
En eet, Pour les basses frquences, la conductivit est trs faible ( est en fonction de la frquence) ce qui implique une rsistivit trs grande et par consquent la profondeur de pntration de londe lectromagntique est petite et le champ sattnue rapidement lintrieur des ls. Ces pertes sont appeles pertes par eet Joule. Cela est montr par le modle de Drude pour les mtaux, il modlise les proprits du milieu laire sans quil soit (le milieu) dpendant du champ [31]. La permittivit est gale
2 p () = 0 2 j
(3.9)
p est la frquence du plasma et = 0.2p , = 0 Notons que le comportement de la conductivit typique dans les basses frquences est inclus dans lquation 3.9. La gure 3.16 montre le comportement frquentiel de la permittivit dans le modle de Drude simul avec le logiciel MATLAB.
Figure 3.16 Permittivit du modle de Drude. (a) partie relle de naire de 0 .
. (b) partie imagi-
La bande de frquence est prise entre 0GHz et 20GHz ce qui correspond /p entre 0 54
Chapitre 3 : Application mtamatriaux et 1.11. On a pris p = 18GHz calcule partir de lquation p = 2c2 /[p2 ln(p/a)].[5]
Tel que c est la vitesse de la lumire, p est la distance entre deux ls (voir chap 1, Fig 1.4), a est le rayon des ls. p = 3.63mm, a = 0.01m. La premire remarque quon peut constater est que, pour les basses frquences, la partie imaginaire domine la rponse.
() =
(3.10)
La deuxime remarque est que, quand tend vers zro, la partie imaginaire de la permittivit tend vers linni.
3.5
Rseau de RAFs
Le rseau est constitu dune range de rsonateurs en anneau fendu selon laxe x avec une priodicit de 3.63 (gure 3.17), on a utilis le mme RAF prsent prcdemment. Pour appliquer le champ H selon laxe x, on ne peut pas dnir les conditions aux limites appropries tel quelles sont dnies auparavant dans le cas dune cellule unitaire de RAF. Lide est de dnir un seul mode de propagation pour les deux ports et il doit tre le mode transverse lectrique (TE). La raison est que dans ce mode le champ E est perpendiculaire au plan dincidence (plan qui porte le vecteur donde incidente), et comme dans notre cas, londe se propage avec un angle = 0 et = 0 ( dnit linclinaison du plan dincidence par rapport au plan xz et dnit la sens du vecteur dincidence par rapport z), on aura par consquent E selon y et le champ H qui pntre la structure (H selon x). La gure 3.18 montre le systme de coordonnes polaires , . Il faut noter que cette structure est considre par CST comme une range innie de RAFs selon les deux axes x et y. A la frquence de rsonance 11.18GHz le coecient de transmission est quasiment nul, le coecient de rexion est proche de un (gure 3.19). La gure 3.20 illustre la partie relle et imaginaire de . La partie relle de la permabilit est ngative dans une bande de frquence comprise entre 10.60GHz et 11.2GHz autour de la frquence de rsonance 11.18GHz. 55
Figure 3.17 Rseau de RAFs circulaire de priode 3.63 suivant x et y.
3.6
Association de ls mtalliques ns avec des rsonateurs en anneau fendu
Dans cette partie, on montrera comment lassociation de ls mtalliques ns avec des RAFs permet davoir une permittivit et une permabilit simultanment ngatives. Dans un premier temps, on simulera une unit de cellule compose dun RAF circulaire avec un l mtallique n dans un guide donde et on va extraire les paramtres eectifs ef f , ef f , nef f puis on va concevoir un matriau main gauche compose de RAFs et de ls mtalliques. Notons que dans le dernier chapitre on prsentera un autre type de matriau main gauche qui est constitu de RAFs carr et de tiges mtalliques. Ce mtamatriau sera appliqu lantenne RFID.
3.6.1
Cellule unit compose de RAF et de l mtallique n
Le l mtallique a un rayon de 0.1mm et 3.63mm de longueur, Le RAF utilis est le mme dcrit auparavant. Le substrat est le Rogers RO4003 avec une paisseur de 0.15mm.
56
Figure 3.18 Systme de coordonnes polaire. En bleu, vecteur de londe incidente.
Figure 3.19 Rexion et transmission du rseau de RAFs. S11 en vert. S21 en rouge. (sur la lgende, le 1 reprsente le mode 1, cest--dire le mode TE).
57
Figure 3.20 Permabilit eective du rseau de RAFs. (a) partie relle. (b) partie imaginaire. Le l mtallique est plac une distance de 0.15mm du RAF. Pour les conditions aux limite, PMC est appliqu aux murs avant et arrire, PEC est appliqu aux murs du haut et du bas, ainsi E sera orient selon y et H sera orient selon x. Londe incidente se propage selon laxe z (Figure 3.21). Les coecients S11 , S21 sont prsents sur la gure 3.22. Les paramtres eectifs extraits sont montrs sur la gure 3.23.
58
Figure 3.21 Unit de cellule du matriau main gauche.
Figure 3.22 Rexion et transmission de la cellule unit du matriau main gauche.
59
Chapitre 3 : Application mtamatriaux La simulation est faite en utilisant la mthode 2 dcrite prcdemment et on a pris la bande [12GHz -20GHz] pour bien visualiser lindice de rfraction, car en fait, le but est de trouver une rgion (une bande de frquence) o les deux paramtres eectifs et sont simultanment ngatives, ce qui donne un indice de rfraction ngatif et par consquent un matriau main gauche. Notons que les matriaux qui prsentent un indice de rfraction gale zro sont qualis de main gauche 2 . La gure 3.21 montre un indice de rfraction ngatif dans la bande de frquence [15.48GHz - 17.24GHz], elle correspond la rgion o la permittivit et la permabilit sont simultanment ngatives.
Figure 3.23 Paramtres eectifs de la cellule unit du matriau main gauche.
3.6.2
Rseau de RAFs et de ls mtalliques ns
Le rseau est constitu de RAFs et de ls mtalliques ns de priode 3.93 selon laxe x et 3.63 selon laxe y. Figure 3.24. La rexion et la transmission sont prsentes sur la gure 3.25. Les rsultats obtenus sont quasiment les mme en les comparant avec les rsultats prsents sur les gures 3.22 et 3.23 3
2. Ce mtamatriau sera prsent et appliqu lantenne RFID dans le chapitre 4 3. Ceci revient dire quen gnral, la simulation dune unit de cellule dans un guide donde est susante pour extraire les paramtres eectifs et .
60
Figure 3.24 Matriau main gauche fait de RAFs et de ls mtallique ns.Rexion et transmission du matriau main gauche.
Figure 3.25 Rexion et transmission du matriau main gauche.
61
3.7
Conclusion
Nous avons abord dans ce chapitre le RAF circulaire et le RAF carr qui prsentent une activit magntique et les ls mtalliques ns qui prsentent une activit lectrique. On a montr que la permabilit peut tre ngative pour les RAFs dans certaines frquences condition que le champ H pntre la structure. On a galement vu quune permittivit ngative est obtenue pour les frquences infrieures la frquence du plasma lectrique condition que le champ E soit parallle laxe des ls. Le modle de Drude pour les mtaux modlise le milieu laire sans tenir compte du champ lectrique. Nous avons vu que les pertes par eet Joule augmentent quand la frquence angulaire diminue, ceci est due la rsistivit qui prsente une valeur importante dans les basses frquences. Un matriau main gauche t ralis dune faon avoir une permittivit ngative qui concide avec la permabilit ngative du RAF, cest--dire une permittivit et une permabilit simultanment ngatives et cela correspond un indice de rfraction ngatif.
62
Mtamatriaux, application aux antennes RFID
Introduction
Dans ce chapitre, on sintressera ltude dune antenne RFID conventionnelle et dune antenne RFID avec un matriau main gauche. Le mtamatriau peut tre appliqu lenvironnement de lantenne ou utilis comme substrat sur lequel repose lantenne. La conception dune antenne RFID bas sur un rsonateur en anneau fendu est galement envisageable [32]. Lapplication dun tel matriau vise amliorer les performances de lantenne comme le gain, la directivit, la bande passante et la puissance de lantenne rayonne. Dans notre cas, lapplication dun matriau main gauche comme substrat de lantenne RFID permettra davoir un gain plus lev que celui de lantenne sans mtamatriau. La partie une de ce chapitre prsente le mtamatriau appliqu lantenne RFID, on va visualiser les coecients de transmission et de rexion et extraire les paramtres , , n. On prsentera galement dans la partie 2 lantenne RFID conventionnelle utilise dans la simulation, son diagramme de gain (directivit) et son coecient de rexion S11 .
63
Chapitre 4 : Mtamatriaux, application aux antennes RFID On verra dans la partie 3 de ce chapitre que le choix du mtamatriau nest pas arbitraire, il est choisit cause de son indice de rfraction nul et a, pour atteindre les caractristiques souhaites de lantenne. La directivit et la puissance rayonne sont amliores. En fait, lantenne RFID doit avoir une frquence de rsonance dans la bande o n est proche de zro. Nous clturons le chapitre par une conclusion sur ce matriau qui possde la particularit davoir un indice de rfraction nul et son application sur lantenne RFID pour amliorer les performances de lantenne.
4.1
Prsentation de lunit de cellule du mtamatriau appliqu lantenne
Le mtamatriau est constitu de rsonateurs en forme rectangulaire et de tiges mtalliques. Le substrat utilis est le poxy rsine ( = 4) avec une paisseur de 0.5 mm. La boite de rayonnement a un volume de 5x5x5 mm. Les conditions aux limites sont les mmes que celles dnies dans le chapitre 3 dans le cas dune unit de cellule de RAF carr ou de RAF circulaire. (Voir gure 4.1). La gure 4.2 montre les coecients de transmission et de rexion calculs avec CST. la frquence de rsonance frs =10.16GHz, la transmission est de lordre de -49 dB et la rexion gale 0 dB. Lextraction des paramtres eectifs est faite et les rsultats sont montrs sur la gure 4.3. Ces paramtres sont calculs en utilisant la mthode 1 dcrite dans le chapitre 3. Comme on peut le constater sur la gure 4.3, lindice de rfraction est nul la frquence 5.95 GHz et il demeure inferieur 1 et proche de zro la frquence 5.72GHz (frquence de rsonance de lantenne RFID).
64
Chapitre 4 : Mtamatriaux, application aux antennes RFID
Figure 4.1 Unit de cellule faite de RAF rectangulaire et de tige.
Figure 4.2 Transmission et rexion de lunit de cellule du matriau main gauche.
65
Figure 4.3 Paramtres eectifs de lunit de cellule du matriau main gauche.
4.2
Prsentation de lantenne RFID
Lantenne a une longueur de 16.59 mm et une largeur de 3.68 mm, elle repose sur un substrat de constante dilectrique = 2.31 . La longueur du substrat gale 20 mm et sa largeur gale 7 mm. La largeur de la piste de lantenne est de 0.1 mm et son paisseur est de 0.002 mm. (Figure 4.4). Lantenne opre dans la bande de frquence [5.6GHz- 5.92GHz]. Cette bande correspond un coecient de rexion faible, environ -12.13 dB la frquence 5.75GHz (S11 (linaire))=0.24 la frquence 5.75GHz), cela veut dire que la puissance de londe rchit lintrieur de lantenne est faible, elle reprsente environ un quart de la puissance fournie lantenne (puissance dalimentation) (Figure 4.5). La gure 4.6 montre ladaptation de lantenne RFID dans la bande de frquence [5GHz7GHz].
66
Figure 4.4 Dimension de lantenne RFID.
Figure 4.5 Puissance rayonne et puissance rchit de lantenne RFID conventionnelle.
67
Figure 4.6 Coecient de rexion de lantenne RFID. Le gain maximal de lantenne RFID est de 2,19 dBi. Ce gain maximal reprsente le rapport de la puissance rayonne dans la direction o elle (la puissance) est maximale la puissance que rayonnerait cette antenne par unit dangle solide si elle tait isotrope avec la mme puissance dalimentation. Notons quun gain trs lev ne signie pas toujours que lantenne est de bonne performance et vice versa (un gain faible ne veut pas dire toujours que lantenne nest pas performante). En eet, on peut augmenter le gain considrablement dune manire ou dune autre mais cela peut causer la dsadaptation de lantenne (le coecient de rexion linaire augmente) et par consquent on aura une puissance rayonne totale plus au moins bonne. Dautre part les antennes RFID omnidirectionnelle ont un gain faible (environ 2dBi) mme avec une puissance rayonne importante (coecient de rexion linaire faible), lexplication est que cette puissance mise est rayonne dune manire quasi uniforme dans toute les directions ce qui explique le gain faible des antennes RFID omnidirectionnelle. Donc, la conception de nimporte quelle antenne RFID doit tenir conte de deux lments primordiaux : Primo, lantenne doit assurer un transfert de puissance maximal traduit par un coecient de rexion faible (S11 tend vers zro). Secundo, lantenne RFID peut tre directive (gain lev dans la direction o la puissance rayonne est concentre), comme elle peut tre omnidirectionnelle avec un gain faible. Donc tout dpend de lapplication quon souhaite raliser. Les diagrammes de rayonnement de lantenne peuvent tre visualiss dans les dirents plans de lespace : 68
Le plan xz ( = 0 , ) appel galement le plan H, les plans yz ( = 90 , ) et xy (, = 90 ) sont appels aussi plans E. La gure 4.7 reprsente le gain total de lantenne. le diagramme du gain en 2D dans le plan ( = 90 ) est prsent sur la gure 4.8. louverture 3dB est de lordre de 84,5 .dans le plan xy (plan E).
Figure 4.7 Gain total de lantenne RFID.
Figure 4.8 Diagramme de gain de lantenne conventionnelle. Plan xy (plan E)
69
4.3
Application du mtamatriau comme substrat lantenne RFID
Dans cette partie on sintressera lapplication du matriau main gauche indice de rfraction nul lantenne RFID pour amliorer le gain, la directivit et la puissance rayonne de lantenne. Les antennes utilisant les mtamatriaux pour lmission ont t prsentes en 2002 par Enoch et al [33]. Daprs la loi de Snell ni sin t = sin i nt (4.1)
O i dnote le milieu incident et t dnote le milieu de transmission. Pour ni 0, on a i = 0. Par consquent, on aura des rayons normaux la surface. Figure 4.9 (voir aussi Fig 1.10 Chap 1). Comme on peut le voir sur la gure 4.3 prcdente, en dehors des deux frquences o n = 0, cet indice de rfraction demeure infrieur un et proche de zro ; ce qui permet dutiliser nimporte quelle antenne dont leurs frquences de rsonance se situent lintervalle [5.5GHZ-20GHz]. Lantenne est pose sur un substrat epoxy rsine dpaisseur 0.01mm qui est lui mme pos sur le mtamatriau dindice de rfraction proche de zro. Les rsultats de simulation de lantenne RFID utilisant un substrat main gauche dindice de rfraction nul montrent une amlioration du gain, de la directivit et de la puissance rayonne de lantenne. La gure 4.10 illustre lantenne RFID pose sur un substrat fait de mtamatriau dindice de rfraction nul.
Figure 4.9 Emission dun diple (au milieu) dans un substrat dindice de rfraction nul.
70
La gure 4.11 prsente ladaptation de lentenne RFID. le coecient de rexion S11 est de lordre de -10.8 dB la frquance de 5,72 GHz. Le champ lectrique rayonn selon la direction positive de y = 90 est de lordre 19.79 dBV/m et il est de lordre de 7.1 dBV/m dans les lobes secondaires ( = 320 et220 ). or pour lantenne conventionnel le champ lectrique maximal nexcde pas 16,5 dBV/m. La gure 4.12 montre lintensit du champ E en fonction de la position en degr dans le plan cartsien. Le gain de lantenne et de lordre de 5.79 dBi dans les directions = 90 , il est de lordre de -7.2dBi selon la direction = 320 et220 . La gure 4.13 prsente le gain total de lantenne en 3D. Le gain de cette antenne est considrablement amlior par rapport lantenne conventionnelle. Une amlioration de louverture 3dB est galement remarque pour cette antenne elle est passe de 84.5 pour lantenne conventionnelle 72 pour lantenne utilisant le mtamat riau. En rsum le gain, la directivit et louverture sont tous des caractristiques amliores en utilisant un matriau main gauche dindice de rfraction nul comme substrat de lantenne RFID.
Figure 4.10 Antenne RFID pose sur un substrat fait de mtamatriau.
71
Figure 4.11 Coeetient de rextion de lantenne RFID utilisant un mtamatriau comme substrat.
Figure 4.12 Champ lectrique E dans le plan (paln Cartsien).
Figure 4.13 Gain de lantenne RFID utilisant un mtamateriau comme substrat (3D). 72
Figure 4.14 Gain de lantenne RFID utilisant un mtamateriau comme substrat dans le plan .
Conclusion
Dans ce dernier chapitre, nous avons appliqu un mtamatriau lantenne RFID an damliorer ses performances. Ce mtamatriau est appliqu comme substrat de lantenne RFID au lieu dpoxy rsine. Nous avons pris une antenne qui opre dans les frquences microondes qui a un gain faible et qui a une puissance rayonne reprsentant deux tiers de la puissance totale (puissance dalimentation). Nous avons pris un matriau main gauche dindice de rfraction proche de zro ce qui donne un angle de transmission proche de zro et par consquent les rayons de londe incidente seront normaux la surface du substrat. De cette manire, la puissance mise ne sera pas rayonne dans toute les directions mais plutt elle sera focalise dans une direction, et cest pour cette raison dailleurs que le gain est augment et louverture est amliore.
73
Conclusion gnrale et Perspectives
Le domaine de la technologie RFID est trs vaste, il ne cesse pas de saccroitre du jour en jour et les tags RFID conus deviennent de plus en plus petite et qui ne coutent pas chres. Lobjectif de ce mmoire tait dtudier les mtamatriaux et les appliquer aux antennes RFID. Pour commencer nous avons prsent les lments qui constituent les matriaux main gauche, dabord les RAFs qui prsentent une permabilit ngative quand les frquences de londe incidente sont comprises entre la frquence du plasma magntique et une autre frquence quon a dnit prcdemment condition que le champ magntique pntre la structure. Puis les ls mtalliques ns qui prsentent une permittivit ngative pour toute frquence infrieure la frquence du plasma lectrique condition que le champ lectrique soit parallle laxe des ls. La simulation avec le CST nous a permis davoir les coecients de rexion et de transmission qui ont t extraits an de calculer sous le logiciel MATLAB les dirents paramtres eectifs tels que la permabilit et la permittivit. Les antennes RFID oprent dans les bandes de frquence UHF ou microode. La conception de ces antennes doit tenir compte de leurs couts, leurs tailles et de quelques caractristiques inluctables. En eet lantenne doit avoir une bonne adaptation an dassurer un transfert maximal de puissance du circuit intgr vers lantenne et vice versa, cela permet davoir une longue port de lantenne. Puis selon le besoin, on peut concevoir des antennes omnidirectionnelles qui rayonnent pratiquement la mme puissance dans toutes les directions (environ un gain de 2dBi) ou bien concevoir des antennes qui sont directives avec une puissance concentre dans une direction bien dnit. En outre, la simulation dune antenne RFID qui utilise un substrat ordinaire et un substrat fait de mtamatriau nous a permis de voir leet de ce dernier sur cette antenne. En eet, nous avons vu comment cette structure dindice de rfraction proche de zro a pu amliorer le gain et la directivit.
74
Conclusion gnrale et Perspectives
Cependant, on a pu concentrer le rayonnement dans une seule direction mais louverture 3 dB de lantenne ntait pas amliore considrablement. Le cas idal est davoir une ouverture de 30 40 degr, or dans notre cas elle vaut 72 . Des modications de la disposition du mtamatriau ou bien le nombre de cellule constituant le mtamatriau peuvent rsoudre ce problme.
75
Annexe
A
A
Gnralits sur les antennes

Une antenne dmission est un dispositif qui assure la transmission de lnrgie entre un metteur et lespace libre o cette nergie va se propager. Rciproquement, une antenne de rception est un dispositif qui assure la transmission de lnergie dune onde se propageant dans lespace un appareil rcepteur. Bien que les antennes soient utilises dans des gammes de longueurs donde trs direntes, elles sont gnralement tudies et caractrises au moyen de dnitions et de proprits communes.
A.1
Caractristiques des antennes
Les caractristiques des antennes sont dtermines par rapport une source de rfrence. Une source ponctuelle qui rayonne sa puissance dalimentation de faon identique dans toutes les directions constitue la source de rfrence idale. Cette source isotrope nest pas de ralit physique mais elle est souvent utilise comme rfrence. La puissance rayonne par unit dangle solide dans une direction dnie par les deux angles (, ) du repre sphrique
76
Gnralits sur les antennes par une telle source scrit : P0 (, ) = O Pa est la puissance dalimentation. Pa 4
Annexe A
(A.1)
A.1.1
Diagramme de rayonnement
Le diagramme de rayonnement dune antenne reprsente les variations de la puissance que rayonne cette antenne par unit dangle solide dans les direntes directions de lespace. En dehors du cas des antennes omnidirectionnelles dans certains plans, les antennes ne rayonnent pas leur puissance de faon uniforme dans toutes les directions de lespace. Il y a gnralement une direction de rayonnement maximal autour de laquelle se trouve concentre une grande partie de la puissance rayonne et des directions secondaires autour desquelles se rpartit la fraction de la puissance restante. Fonction caractristique La fonction caractristique de rayonnement F(, ) de lantenne permet davoir une vision globale du rayonnement. Elle est dnit comme tant le rapport de la puissance transmise dans une direction donne P(, ) la puissance Pmax de la direction o le rayonnement est maximal. F (, ) = P (, ) Pmax (A.2)
A.1.2
Angle douverture
Langle douverture est langle que font entre elles les deux directions du lobe principal selon lesquelles la puissance rayonne est gale la moiti de la puissance rayonne dans la direction de rayonnement maximal. La gure A.1 prsente un exemple de diagramme de rayonnement en coordonnes cartsiennes. Langle reprsente sur ce diagramme langle douverture de lantenne. Lorsquune antenne prsente un lobe principal assez n, la plus grande partie de la puissance rayonne est lintrieur des deux directions -3 dB. Langle douverture nous donne une ide assez prcise sur la nesse du lobe et de la qualit du rayonnement.
77
Gnralits sur les antennes
Annexe A
Figure A.1 Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnes cartsiennes.
A.2
A.2.1
Directivit et gain dune antenne

Ouverture rayonnante et Rendement
Louverture rayonnante dune antenne est la surface gomtrique rayonnante de cette antenne. Cest aussi la surface qui capte lnergie des ondes lectromagntiques transmises. La puissance rayonne par lantenne est gnralement dirente de la puissance dalimentation de lantenne. On dnit alors le rendement dune antenne comme tant le rapport entre la puissance totale quelle rayonne P et la puissance dalimentation Pa de cette antenne. = P Pa (A.3)
A.2.2
Gain dune antenne
La puissance rayonne par une antenne varie gnralement selon la direction considre. Le gain dune antenne dans une direction (, ) est le rapport de la puissance rayonne dans cette direction P(, ) la puissance que rayonnerait la source isotrope de rfrence par unit dangle solide avec la mme puissance dalimentation. G(, ) = P (, ) P0 (, ) (A.4)
A.2.3
Directivit dune antenne
La directivit dune antenne est le rapport de la puissance rayonne par unit dangle solide dans la direction (, ) la puissance que rayonnerait la source isotrope de rfrence
78
Gnralits sur les antennes par unit dangle solide pour une mme puissance totale rayonne. D(, ) = 4 P (, ) Pa
Annexe A
(A.5)
La directivit indique dans quelles directions la densit de puissance est meilleure ou moins bonne que celle de lantenne isotrope. La relation entre le gain et la directivit dune antenne est donne par lquation suivante : G(, ) = D(, ) (A.6)
79
Annexe
B
B
Prsentation du logiceil CST M icrowaveStudio (CST MWS)

CST M icrowaveStudio (CST MWS) est un outil spcialis pour la simulation 3D des composants haute frquence. La performance de CST MWS a fait de lui le premier choix en matire de technologie et de la simulation. CST MWS permet lanalyse et prcise de haute frquence (HF) des dispositifs tels que les antennes, ltres, coupleurs, les structures planaires et multicouches. Exceptionnellement conviviales, MWS CST donne rapidement une ide du comportement EM des conceptions haute frquence. CST favorise la technologie complte pour EM en 3D. En outre, CST MWS est intgr dans les ux de travail de lindustrie par le biais de divers standards de lenvironnement de conception CST. CST M icrowaveStudio est considr par les ingnieurs comme un standard de lin80
Prsentation du logiceil CST Microwave Studio dustrie.
(CST MWS)
Annexe B
Les structures peuvent tre simules en utilisant "the time domaine solver " qui calcul le dveloppement de champs dans le temps des endroits discret et des chantillons discrets. il calcul transmission de lnergie entre les dirents ports et /ou de lespace ouvert de la structure rechercher. Quand une dpendance harmonique temporelle des champs dexcitation est suppose, les quations de Maxwell peuvent tre transformes dans le domaine frquentiel. Lquation B.1 montre la transformation du champ E dans le domaine temporel au domaine frquentiel (Frequency domain solver ). E(t) = {E(). exp(it)} (B.1)
B.1
Simulation dune antenne Patch circulaire
Le modle consiste en une plaque circulaire situ en haut du substrat, elle est alimente par un guide donde travers la ligne microruban (gure B.1).
Figure B.1 Antenne Patch cerculaire.
Le coecient de rexion et le gain sont donns sur les gures B.2 et B.3 respectivement.
81
Prsentation du logiceil CST Microwave Studio
(CST MWS)
Annexe B
Figure B.2 Coecient de rexion.
Figure B.3 Gain total.
82
Bibliographie
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85

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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire Ministre de Lenseignement Suprieur et de la Recherche Scientique Universit A/Mira de Bjaia Facult des Sciences

dingnieurs Dpartement lctronique

Mmoire de Fin de Cycle

Mtamatriaux, application aux antennes RFID

Ralis par : Mr OURTEMACHE Hacane.

Table des matires

B Annexe B 81 B.1 Simulation dune antenne Patch circulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 Bibliographie 84

Liste des figures

1.4 1.5 1.6 1.7

1.12 1.13 1.14

2.3 2.4 2.5 2.6

Liste des tableaux

tat de lart sur les mtamatriaux

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Vitesse de phase et vitesse de groupe

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Dnition des mtamatriaux et mtamatriaux main gauche

La gure 1.1 montre le diagramme permittivit-permabilit et indice de rfraction.

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Figure 1.2 Tridre indirect caractris par la rgle de la main gauche.

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Mtamatriaux avec une permittivit et /ou permabilit ngative

Mtamatriaux avec permittivit ngative

Figure 1.4 Structure ls ns prsentant ngative/ positive quand E

Mtamatriaux avec permabilit ngative

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

r < 0, P our0m < <

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Mtamatriaux avec et ngatives

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Quelques proprits lectromagntiques des mtamatriaux

Linversion de la loi de Snell-Descartes

Linversion de leet doppler

Applications des mtamatriaux

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Figure 1.13 La cape dinvisibilit de J.Pendry [12].

Application aux antennes

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Chapitre 1 : tat de lart sur les mtamatriaux

Technologie RFID (Radio Frequency IDentication), conception et dveloppement

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Historique sur la technologie RFID

Introduction lidentication par frquence radio

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Zcharge ZAN T |S| = Zcharge + ZAN T 2

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Figure 2.3 Circuit quivalent dun tag RFID.

Les substrats exibles

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Les antennes RFID

Figure 2.4 Schma bloc dun tag RFID.

Antenne RFID avec stubs

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Figure 2.5 Antenne RFID avec un rseau dadaptation [25].

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement

Figure 2.7 Simulation de limpdance dentre de lantenne RFID.

Figure 2.9 Rayonnement du champ lointain 3-D et 2-D. 29

Figure 2.10 Modle du circuit quivalent dune antenne RFID.

En ajoutant le stub rsistif, un circuit en parallle est ajout (gure 2.11).

Eet des dirents substrats sur les paramtres de lantenne

Chapitre 2 : Technologie RFID, conception et dveloppement