Receptores Banda X

Universidad de Chile
Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas

Departamento de Ingeniera Elctrica

Estudio comparativo de receptores de microondas para uso en
radioastronoma.

Segunda parte.
Receptores para banda X (10GHz).

Autor : lvaro Palma.
Profesor : Javier Ruiz del Solar.
Curso : ED 785 Trabajo Dirigido.
Fecha : 10 de junio de 2005.
ED785 Receptores para banda X 2
ndice

1 INTRODUCCIN .......................................................................................................................... 3
2 RECEPTORES DE BANDA X...................................................................................................... 4
2.1 AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO.......................................................................... 4
2.1.1 Dispositivos de estado slido...............................................................................................................4
2.1.2 Tubos de microondas...........................................................................................................................5
2.2 MEZCLADOR............................................................................................................ 11
2.2.1 Osciladores de cristal.........................................................................................................................11
2.2.2 Diodos Gunn......................................................................................................................................12
2.2.3 Osciladores por resonancia de dielctrico (Dielectric Resonator Oscillator) ....................................18
3 BIBLIOGRAFA........................................................................................................................... 20

1 Introduccin

Se denomina banda X a aquellas emisiones electromagnticas cuya frecuencia se sita entre los
8 y los 12GHz, lo que equivale a ondas con una longitud de entre 3.75 y 2.5cms respectivamente.

Dentro de esta banda de frecuencias, tanto la Unin Internacional de Telecomunicaciones[1],
como la Unin Astronmica Internacional[2] y el Comit Europeo de Radiocomunicaciones[3] han
reservado el uso de frecuencias situadas entre los 10.60 y 10.68GHz, esto es, solicita a todos los
estados que adhieren a estas organizaciones que no se asigne dicha banda para su uso tanto civil como
militar. En esta banda se sitan emisiones espectrales de Helio ionizado (en 8665.65MHz), las que son
de inters para la radioastronoma, mientras que la banda de 10.6GHz es usada para observacin pasiva
de la Tierra por satlites, por lo que es importante no generar interferencias en dichas frecuencias.

En el presente trabajo se exponen algunas de las tecnologas existentes a la fecha y empleadas
para el estudio de la banda X y similares (como por ejemplo, banda Ku, entre 12 y 14GHz, usada en
comunicaciones satelitales).

2 Receptores de Banda X

Nuevamente, al igual que en el caso de los receptores de banda de hidrgeno, las etapas que
hacen distinguible un receptor de otro son las relacionadas con el manejo de seales de alta frecuencia,
en el rango de los giga y terahertz, las que corresponden al amplificador de entrada y el oscilador de
radiofrecuencia y mezclador.

A continuacin se describen las tecnologas usadas en cada uno de estos elementos para la
banda de frecuencia en estudio.

2.1 Amplificador de bajo ruido

2.1.1 Dispositivos de estado slido

Hoy en da es posible encontrar amplificadores de bajo ruido basados en semiconductores,
especialmente del tipo HEMT construidos utilizando principalmente GaAs o InP como los descritos en
banda de hidrgeno, capaces de operar sin inconvenientes en banda X. Por operacin normal se
entiende equipamiento cuyas especificaciones de ruido son muy bajas y sus niveles de amplificacin y
potencia de salida son aceptables para el caso de los rangos utilizados en radioastronoma (del orden de
(
2
20
10
m
Watts
para la seal de entrada a la antena)

La ventaja de este tipo de amplificadores es que presentan, incluso a temperatura ambiente,
figuras de ruido muy bajas, por lo que permiten crear etapas de amplificacin simples, sin la necesidad
de incorporar elementos de criogenizacin al montaje, lo que permite a su vez reducir tanto costos de
instalacin como complejidad y tamao de sta, y que adems son sumamente estables y ampliamente
estudiadas, como es el caso de toda la electrnica basada en semiconductores.

Ejemplos de dispositivos comerciales de este tipo son los modelos AMF-3F-08001200-09-10P,
AMF-4F-08001200-09-10P, AMF-5F-08001200-09-10P y AMF-6F-08001200-09-10P. Sus
caractersticas de operacin son:

Modelo
Frecuencia
de
operacin
(GHz)
Ganancia
(dB, Min.)
Diferencial
de
ganancia
en la banda
(dB, Max.)
Cifra de
ruido
(dB, Max.)
Potencia
de salida
(dBm)
VSWR
entrada y
salida
(Max.)
AMF-3F-08001200-09-10P 8-12 24 1.5 0.9 10 2:1
AMF-4F-08001200-09-10P 8-12 33 1.5 0.9 10 2:1
AMF-5F-08001200-09-10P 8-12 42 1.5 0.9 10 2:1
AMF-6F-08001200-09-10P 8-12 51 1.5 0.9 10 2:1


Figura 1: Amplificador en base a GaAs, marca Miteq de la familia AMF compatible con
banda X.

2.1.2 Tubos de microondas

A medida que aumenta la frecuencia en estudio, los amplificadores basados en semiconductores
o de estado slido presentan la deficiencia de incorporar interferencias por intermodulacin de una
forma tal que limitan poderosamente los niveles de potencia de salida capaces de ser alcanzados por el
dispositivo. La figura 2 muestra un grfico donde se detallan los distintos niveles de potencia mxima
de salida capaces de ser entregadas por las distintas familias de amplificadores en funcin de la
frecuencia.

Figura 2: Potencia de salida media posible de ser alcanzada por distintas familias de amplificadores en
funcin de la frecuencia.

Es por este motivo que en frecuencias del orden de la estudiada y superiores aparece como
alternativa una tecnologa de amplificadores que haba sido descartada ante la irrupcin de los
semiconductores. Se trata de los amplificadores y osciladores de microondas basados en tubos de vaco.
Ellos presentan la ventaja de entregar factores de amplificacin y potencias de salidas tiles en las
frecuencias de operacin especificadas a la vez que mantienen controladas las distorsiones de
intermodulacin por no linealidades.
1
En general, las potencias de salida de los tubos de vaco pueden
llegar a valores del orden de cientos de Watts hoy en da (e incluso mucho ms en el caso de
Magnetrones, que llegan a potencias del orden del MW) v/s las decenas de Watts que pueden ser
obtenidas mediante el uso de semiconductores en condiciones similares. Es por este motivo que se ha
privilegiado su uso en sistemas tan restringidos como satlites de comunicaciones, donde la
amplificacin de la seal es clave para un correcto funcionamiento. Por este mismo motivo, resulta
interesante conocer su aplicabilidad al mbito de la radioastronoma, donde tambin se requiere obtener
amplificaciones importantes con bajos niveles de ruido y distorsin a frecuencias elevadas.

El principio de funcionamiento de un tubo de vaco consiste en la generacin de un haz de
electrones lo ms coherente posible al interior de un tubo de vaco. La generacin de este haz es
obtenida mediante efecto trmico, calentando un filamento con polaridad negativa (ctodo), desde el
cual son expulsados electrones, los cuales son acelerados hacia el nodo debido a una diferencia de
tensin continua establecida entre ambos extremos.

Figura 3: Principio de generacin de un haz de electrones enfocado en un tubo de microondas.

Este haz tender a perder cohesin a medida que avanza por el tubo por efecto Coulomb de
repulsin entre los electrones. Para evitar este efecto, se recurre a 2 tcnicas principales.

1. Haz de iones neutralizados: En el tubo, que se encuentra a un alto vaco, se introduce una
pequea fraccin de un gas noble, el cual se ioniza positivamente en presencia del haz de
electrones. Debido a que la masa de los tomos del gas (formados mayormente por protones y
neutrones) es, en trminos prcticos, infinitamente superior a la de los electrones, la fuerza neta
resultante acta sobre los electrones, neutralizando la repulsin y permitiendo mantener la
cohesin del haz, mientras que los tomos del gas permanecen estticos.

2. Haz con flujo de electrones axialmente confinado: Paralelo al haz de electrones se aplica un
campo magnetosttico muy intenso. Este campo somete a los electrones que poseen una
velocidad axial en el tubo (es decir, aquellos que han comenzado a alejarse del haz y por tanto,
lo hacen perder cohesin) a una fuerza de Lorentz,
0
B v q F
r
r
r
= , la cual crea en los electrones

1
Ver descripcin de este comportamiento no lineal en informe 1, Generalidades de radioastronoma
un movimiento helicoidal en torno al eje del tubo, como se aprecia en la figura 4, manteniendo
con esto la cohesin del haz.

Figura 4: Esquema de contencin de electrones por confinamiento magntico.

Este haz de electrones ser el encargado de amplificar la seal de microondas. El mecanismo
mediante el cual se produce esta amplificacin depende de cada tipo de tubo. De los diversos tipos de
tubos de vaco existentes hoy en da, es de inters en el rango de potencias utilizadas en
radioastronoma uno en particular: el tubo de onda viajera o progresiva, tambin conocido por su sigla
en ingls, TWT, el cual se pasa a detallar a continuacin.

2.1.2.1 Tubos de onda viajera (Traveling Wave Tubes TWT)

Los tubos de onda viajera fueron inventados por Rudolph Kompfner en Birmingham University
durante 1943, pero se atribuye gran parte de su posterior xito a John Pierce, un ingeniero de Bell Labs,
quien realiz sustanciales mejoras sobre el diseo original (especialmente en la convergencia del haz de
electrones) que incrementaron la estabilidad del aparato en grandes rangos de frecuencias, y con esto,
permitieron su utilizacin a gran escala.

Un tubo de onda viajera es un dispositivo de microondas en el cual, alrededor del haz de
electrones, se enrolla un alambre conductor formando una hlice, como se aprecia en la figura 5:

Figura 5: Esquemas de un tubo de onda viajera.

Dicha hlice es acoplada a la seal de microondas que desea ser amplificada mediante una
antena (no hay contacto fsico entre la antena y la hlice). La seal amplificada es extrada mediante
una segunda antena, situada en el otro extremo del tubo. Este modelo de tubo, que es el ms comn, es
conocido como tubo O (ordinary). Existe otro tipo de tubo de onda viajera, llamado tipo M
(magnetron-like), pero que es usado en aplicaciones de alta potencia que no se relacionan con seales
del orden de las vistas en radioastronoma.

Figura 6: Principio de funcionamiento de un TWT.

La seal de microondas se propaga a la velocidad de la luz a travs de la hlice conductora, pero
por la forma de sta, su velocidad en el eje longitudinal (paralelo al haz de electrones) ser slo

sin c v
axial
=

donde es el ngulo caracterstico de la hlice. Esta disminucin de velocidad ha llevado a dar a este
tipo de dispositivos el nombre de dispositivos de onda lenta.

La matemtica involucrada en el proceso de amplificacin de la seal de microondas es
compleja, y puede ser encontrada en detalle en [4][5][6]. De ella, es importante rescatar que el factor de
amplificacin de un TWT vendr dado por la expresin:

l
v
input output
p
e E E
3
0
4
3
3
1
|
|
\
|
=

donde es la frecuencia de operacin, l es la longitud del tubo,
0
v es la velocidad final del electrn en
el haz, la que obtiene al alcanzar el nodo y que puede ser calculada en funcin del potencial continuo
de alimentacin V y de las propiedades del electrn (masa m y carga e) en base a una simple ecuacin
de conservacin de la energa:

(
= =
s
m
V
m
Ve
v
5
0
10 93 . 5
2

Finalmente,
p
es la llamada frecuencia de plasma del haz, y corresponde a:

0
0
m
e
p
=

0
es la densidad de carga del haz (dependiente del diseo del tubo) y
0
es la permitividad
elctrica del vaco (una constante).

Esta ecuacin se resume en decibeles a

[ ] dB
3
0
0
75 . 3 54 . 9
|
|
\
|
+ =
p
l
v
Ganancia

Una de las principales ventajas de los TWT es el gran ancho de banda que son capaces de
amplificar sin introducir distorsiones de frecuencia o fase. Si bien su eficiencia es baja comparado con
otros tipos de tubos de microondas, como los magnetrones (del orden de 20-40% en el caso de los
TWT v/s 80% o superior en los magnetrones), o que las potencias mximas que son capaces de
entregar son inferiores a las que se obtienen en tubos Klystron (del orden de decenas de Watts v/s
cientos o miles de Watts en estos ltimos), dicha respuesta de amplificacin v/s frecuencia los ha hecho
la eleccin para sistemas que operan en frecuencias de microondas y en los cuales la relaciones de
anchos de banda v/s frecuencia de operacin es del orden de o superior. Dentro de estos usos, uno de
los principales es como amplificadores de entrada (LNA, amplificador de bajo ruido que magnifica la
dbil seal capturada por la antena que mira la Tierra) y salida (HPA, High Power Amplifier, tubo que
amplifica la seal que ser entregada a la antena para su envo a la Tierra) en satlites, tanto en banda C
(2-4GHz) como en banda Ku (12-14GHz), las ms usadas en ese mbito. De hecho, se ha demostrado
que los TWT son tiles en frecuencias de operacin que van desde los 300MHz hasta los 50GHz.

Actualmente, son importantes fabricantes de tubos de onda viajera Teledyne, NEC, Hughes
(ahora parte de Boeing), entre otros. De estos fabricantes, los TWT que cumple criterios de uso para
radioastronoma como amplificadores de entrada (amplificacin del orden de 30dB o ms, respuesta de
frecuencia adecuada en gran ancho de banda), son del mismo tipo de los usados en transmisin
satelital, especialmente en banda Ku en este caso, por su cercana a banda X. Un proveedor importante
de dichos tubos es Boeing, siendo un modelo como el VTU-6191 de Hughes capaz de producir hasta
100 Watts de salida a la frecuencia de 10GHz, con una figura de ruido de 2dB. De hecho, como dato
anecdtico, TWT tan antiguos como los usados en Syncom, el primer satlite geoestacionario, lanzado
en 1963 ya eran capaces de alcanzar cifras de ruido del orden de 6dB.

2.1.2.2 Otros tubos de microondas

Existen otros tipos de dispositivos basados en cavidades al vaco para uso en microondas, como
el tubo Klystron, inventado por William Hansen, Rusell y Sigurd Varian en Stanford University
durante 1937. Son muy similares a los TWT, como se aprecia en las siguientes figuras.

Figura 7: Esquemas de un tubo Klystron de tipo Reflex, de 1 cavidad.

Figura 8: Esquemas de un tubo Klystron de 2 cavidades.

De hecho, muchas veces se suele decir que un tubo de onda progresiva es el equivalente a un
tubo Klystron con muchos bunchers y catchers de seal situados muy prximos entre s (cada
vuelta de la hlice representa un par buncherscatchers).

El klystron de 2 cavidades es capaz de generar una oscilacin si se cierra un loop entre la
entrada y la salida y de hecho, se le da este uso en frecuencias mas elevadas (del orden de cientos de
gigahetz), por lo que es un efecto interesante de ser analizado en futuros informes sobre bandas de
frecuencia superior.

Un tercer tipo de tubo de vaco es el magnetrn, inventado por Henry Boot y John Randall
durante 1937 en Birmingham University. Existen adems una infinidad de otros dispositivos que son
ligeras variaciones de estos tipos fundamentales, como los gyrotrones, los carcinotrones, los tubos
Varian, etc. Sin embargo, el uso de estos dispositivos est fundamentalmente enfocado a la generacin
de potencias elevadas en el rango de las microondas (la principal aplicacin de los magnetrones es en
hornos microondas para el hogar, mientras que los tubos Varian se usan principalmente en medicina), y
no en amplificacin de seales pequeas como es el caso de la radioastronoma, por lo cual no se
profundizar en su estudio.

2.2 Mezclador

2.2.1 Osciladores de cristal

Otra etapa del receptor sensible a la frecuencia de operacin, y que trabaja en el rango de los
gigahertz es el mezclador, dentro del cual, el principal elemento distinguible es el oscilador encargado
de generar la frecuencia de referencia (o una fraccin de sta que es posteriormente multiplicada).

En banda X an es posible encontrar osciladores en base a cristales, tanto en frecuencia base (es
decir, la frecuencia de oscilacin natural del circuito corresponde al rango de banda X), como mediante
multiplicadores.

Ejemplo de estos elementos son los dispositivos ofrecidos por Wilmanco, como el oscilador SS-
C-11.

Figura 9: Oscilador Wilmanco SS-C-11, en base a cristal de cuarzo, con multiplicador integrado.

Las especificaciones de este oscilador son:

Frecuencia de operacin: 1.5 a 11GHz.
Potencia de seal: 10dBm, mnimo
Impedancia de salida: 50Ohms.
Rechazo de armnicas: > - 50dBc
Estabilidad: 3ppm mximo.

Tambin es posible encontrar en el mercado circuitos multiplicadores que dan ms libertad en
cuanto al oscilador a emplear al no incorporar un propio. Ejemplo de multiplicadores tiles en banda X
es la serie WFM de Wilmanco.

Figura 10: Multiplicadores de frecuencia Wilmanco serie WFM-D, WFM-T y WFM-S.

Dentro de estos modelos, la serie WFM-T es capaz de alcanzar factores de multiplicacin de
hasta 64X, llegando a generar frecuencias de hasta 11GHz. Sus especificaciones son:

Factor de multiplicacin: 64X
Mxima frecuencia de salida: 11GHz.
Rechazo de armnicas: >-50dBc.

Sin embargo, como se aprecia, la banda X es el lmite superior de frecuencia capaz de ser
generada por los medios tradicionales que se sustentan en el uso de cristales de cuarzo o equivalente
basados en efectos piezoelctricos. Esto debido a que dicho fenmeno es en parte de naturaleza
mecnica, lo que necesariamente acota su utilidad a valores relativamente bajos en comparacin a las
frecuencias alcanzables por fenmenos puramente electromagnticos o que slo involucren partculas
elementales.

Es por este motivo que, a contar de esta banda de frecuencia hacen su aparicin otras familias
de osciladores, basados en fenmenos de conduccin elctrica, como lo son los diodos Gunn y los
resonadores dielctricos, sobre los cuales se expone a continuacin.

2.2.2 Diodos Gunn

Un diodo Gunn es un dispositivo semiconductor, construido preferentemente utilizando GaAs o
InP como unidad monoltica (esto es, el diodo est formado de una sola seccin de semiconductor, sin
incluir junturas o puertas como en el caso de los diodos bipolares), pero que internamente es dopado en
forma diferencial, presentando mayor presencia de portadores N+ hacia los extremos que hacia el
centro.

La principal caracterstica de un diodo Gunn es exhibir una resistencia dinmica negativa, es
decir, a medida que el voltaje aplicado sobre sus terminales aumenta, la corriente que lo atraviesa
disminuye para un cierto rango de voltajes de entrada.

0 < =
dI
dV
R [ ]
1 0
,V V V

Esta resistencia negativa se debe al efecto Gunn, que da nombre a este tipo de dispositivos,
tambin llamados TED (Transfer Electron Device). Este efecto se produce debido a la distribucin de
bandas de energa de dichos materiales. Estos presentan valles de conduccin en dichas bandas, en los
cuales, frente a aumentos en un campo elctrico excitatorio, se produce transferencia de electrones,
desde bandas de menor energa a las de mayor energa, en las cuales, paradjicamente, la movilidad de
dichos electrones ser menor dentro de un cierto rango de valores de campo. Debido a esto, si bien el
campo ha aumentado (por ejemplo, introduciendo un mayor voltaje en los terminales del
semiconductor), la corriente disminuye por la menor movilidad de los electrones. Una curva tpica de
comportamiento de corriente v/s voltaje para un diodo Gunn se aprecia en la siguiente figura.

Figura 11: Efecto Gunn de resistencia dinmica negativa en un semiconductor.

Esta zona de resistencia negativa es aprovechada en microondas para generar oscilaciones
autosostenidas. Para lograr este objetivo, el diodo es polarizado con una tensin continua menor pero
cercana al umbral inferior de voltaje de la zona de resistencia dinmica negativa.

Figura 12: Esquema de polarizacin de un diodo Gunn.

En torno a dicha zona de operacin, la caracterstica de resistencia v/s voltaje del diodo tendr
la forma:


Figura 13: Relacin voltaje v/s resistencia en un oscilador Gunn cerca de la tensin de operacin.

Si en esas condiciones de voltaje constante se produce una pequea perturbacin al interior del
semiconductor tal que altera ligeramente el campo elctrico (por ejemplo, una corriente local debido a
efecto trmico), esa diferencial de campo ser suficiente para generar una resistencia local negativa en
una zona del semiconductor. Esta diferencia espacial de resistencias genera un dipolo al interior del
material, el cual aumenta progresivamente de tamao mientras viaja en forma de onda desde ctodo a
nodo. Dado que el dipolo se orienta paralelamente al campo externo aplicado, y que ste es forzado a
ser constante, la magnitud de campo fuera del dipolo necesariamente debe decaer, llevando a las
porciones del material situadas fuera del dipolo a valores donde la resistencia es positiva. Este dipolo,
conocido como dominio Gunn, al alcanzar el nodo, generan un peak de corriente a travs del diodo
que eleva momentneamente el campo, creando con esto un nuevo dipolo en el ctodo que se comienza
a propagar, generando con esto una oscilacin autosostenida que es vista en un osciloscopio de la
forma:

Figura 14: Oscilacin de corriente generada por un diodo Gunn entre sus terminales.

La frecuencia de oscilacin de un diodo Gunn viene dada por la relacin:

arrastre
v
L
f =

donde L es la distancia entre los terminales del semiconductor, y
arrastre
v es la velocidad de arrastre del
dipolo dentro del material (una caracterstica de ste). En el caso de GaAs, esta velocidad es del orden
de
s
cms
7
10 , por lo que, si se usa un diodo de longitud
3
10
cms, se obtendr una frecuencia de

oscilacin de 10GHz, es decir, en banda X.

Con el fin de lograr estabilidad en la operacin del oscilador, los osciladores comerciales
basados en diodos Gunn incluyen un circuito regulador de tensin conformado por un desacoplador de
continua (conformado por un condensador y una resistencia en paralelo) y una referencia de voltaje
sumamente precisa, que es lograda mediante el uso de un diodo Zener. El montaje se realiza de acuerdo
a como se aprecia en la figura siguiente.

Figura 15: Montaje comercial de un diodo Gunn.

Un diodo Gunn suele complementarse con el uso de cavidades resonantes que permiten regular
su frecuencia de oscilacin y acoplarla a elementos de gua de onda para introducir dicha seal a un
circuito de microondas. Un esquema tpico de montaje de un diodo Gunn en estas condiciones es el
siguiente.


Figura 16: Montaje de un diodo Gunn para su uso en circuito de microondas.

En este caso la cavidad resonante se comportar como un circuito RLC, cuyos parmetros
(especialmente L y C) dependern de la geometra de la cavidad. El montaje descrito en la figura 15
puede ser modelado de la siguiente forma:

Figura 17: Circuito equivalente de una cavidad resonante que incluye un diodo Gunn.

En dicho circuito, si el voltaje aplicado permite llevar al diodo Gunn a la zona de resistencia
negativa, se tendr que este se comportar sencillamente como una resistencia de valor negativo. Con
ello, la ecuacin de voltajes en el bucle ser:

( ) 0 =
+ +

C
dt i
i R R
dt
di
L
Gunn L

Cuya solucin viene dada por:

( )
t K
e K t i
2
1
=

donde
( )
L
C
L
R R R R
K
Gunn L L Gunn
2
4
2
2

= . Si
Gunn L
R R
C
L
>
4
, la solucin de la ecuacin
se vuelve compleja, y por tanto, oscilante.

En el caso de la cavidad, sin embargo, es ms simple obtener la frecuencia de oscilacin a partir
de las caractersticas geomtricas de sta. Como se ha visto, el diodo por s slo posee una frecuencia
de oscilacin lmite, determinada por su tamao y el material que lo compone. Sin embargo, en
presencia de un circuito externo, como la cavidad resonante, es posible poner restricciones a la
oscilacin natural, enclavando con esto la frecuencia a un valor ajustable.

En la cavidad resonante, toda onda generada en el diodo tomar un tiempo
c
l
t
2
= en llegar al
lmite de la cavidad y retornar al diodo. l es la longitud de la cavidad, c es la velocidad a la que se
propaga una onda electromagntica dentro de ella. Por tanto, para lograr un efecto de resonancia, el
diodo necesariamente debe oscilar a una frecuencia que cumpla con la relacin
l
cn
f
2
= , donde n es el
nmero de medias ondas que pueden ser contenidas en la cavidad. Por otra parte, dado que el diodo
tiene un tiempo de respuesta
d
t , no es posible generar oscilaciones con una frecuencia mayor a dicho
tiempo de respuesta. Tomando en cuenta estas restricciones, n queda limitado por
d
t c
l
n
1 .
Tomando en cuenta la limitacin de tiempo de respuesta del diodo, se puede disear la cavidad
resonante de tal manera de lograr una mxima frecuencia imponiendo 1 =
d
t c
l
. Esta restriccin limita
adems al conjunto a una nica frecuencia de oscilacin. Ondas ms lentas (con longitud de onda ms
larga) no sern contenidas en la cavidad resonante, mientras que ondas de mayor frecuencia no son
capaces de ser manejadas por el diodo.

Los diodos Gunn asociados a cavidades resonantes han sido utilizado exitosamente para generar
oscilaciones directas (esto es, sin la presencia de multiplicadores) del orden de hasta 120GHz. Un
esquema tpico de montaje de diodo Gunn junto a una cavidad resonante y un pequeo regulador de
frecuencia se aprecia en la siguiente figura.


Figura 18: Montaje en operacin de un diodo Gunn en una cavidad resonante junto a su alimentacin y
la salida de microondas (coaxial conector).

Uno de los principales distribuidores de diodos Gunn es Microwave Device Technology, MDT.
Dentro de sus productos, cuyo aspecto comercial se aprecia en la siguiente figura, se puede seleccionar
para su uso en banda X los modelos MG1005-11, MG1006-11, MG1007-15 y MG1008-15[9].

(a) (b) (c)

Figura 19: Presentacin comercial de diodos Gunn. (a), (b) No incluyendo cavidad resonante; (c)
Incluyendo cavidad resonante.

Algunas especificaciones de estos osciladores son las siguientes (a 25C):

Frecuencia de operacin: 9-11GHz
Potencia de operacin 50mW (MG1005-11) a 500mW (MG1008-15)

2.2.3 Osciladores por resonancia de dielctrico (Dielectric Resonator Oscillator)

Un resonador dielctrico (tambin conocido por sus siglas en ingls, DRO) es un dispositivo en
el cual el circuito RLC que pone en oscilacin una onda de corriente o voltaje es reemplazado por un
dielctrico, generalmente Titanato de Bario,
20 9 2
O Ti Ba u otro que posea un alto coeficiente de
permitividad dielctrica ( [ ] 80 , 30 ). Dicho dielctrico nuevamente puede ser representado como una
red RLC en condicin de oscilacin:


Figura 20: Circuito equivalente de un DRO.

La principal ventaja de este tipo de osciladores con respecto a los diodos Gunn es su limpieza
con respecto a la generacin de frecuencias espreas. El rechazo tpico alcanza del orden de 80dBc en
DRO, mientras que en diodos Gunn dichos rechazos son de alrededor de 50dBc, lo que permite
sintonizaciones mucho ms finas, especialmente en el caso de estudio de lneas espectrales.

Uno de los principales distribuidores de resonadores dielctricos es Miteq. Dentro de los
modelos disponibles, cumple los requisitos de banda X el modelo PLDRO-13.050 (en la imagen se
muestra como referencia el modelo DRO-G-10000-ST)

Figura 21: Oscilador basado en resonador dielctrico Miteq DRO-G-10000-ST.

Las caractersticas del PLDRO-13.050 son:

Frecuencia de operacin: Fundamental: 7 a 13GHz.
Potencia de salida: 13dBm mnimo.
Potencia de las espreas: menos de 80dBc.

Adems de estos dos tipos de osciladores expuestos, tambin se utilizan en microondas otros
elementos, como por ejemplo, diodos avalancha, especialmente del tipo IMPATT. Sin embargo, el uso
de estos diodos est principalmente enfocada a potencias elevadas, y su uso por tanto est centrada en
estaciones terrenas de transmisin ms que en receptores de baja potencia como los usados en
radioastronoma. Por tanto no se ahondar en su descripcin en este informe.

3 Bibliografa

[1] International Telecommunications Union, Recomendacin RA.1031 (03/94) Protection of the
radioastronomy service in frequency bands shared with other services. Disponible va
Web en http://www.itu.int.

[2] International Astronomical Union, Radio frequencies of the astrophysically most important
spectral lines, disponible en http://www.astron.nl/craf/iaulist.htm

[3] European Radiocommunications Committee (ERC) within the European Conference of Postal
and Telecommunications Administrations (CEPT), The european table of frequency
allocations and utilisations covering the frequency range 9 kHz TO 275 GHz, Lisboa
January 2002 - Dublin 2003 Turkey 2004 Copenhagen 2004, disponible va Web en
http://www.ero.dk/doc98/official/pdf/rep025.pdf.

[4] J. Pierce, Traveling-wave tubes, The Bell Telephone Laboratories series, Toronto: D. Van
Nostrand Company, Inc., 1950.

[5] D. Hamilton, J. Knipp, J. HornerKuper, Klystrons and microwave triodes New York:
McGraw-Hill Book Company, Inc., 1948.

[6] R. Collin, Foundations for Microwave Engineering, McGraw-Hill International Editions
Electrical Engineering Series, 1992.

[7] University of Saint Andrews, School of Physics & Astronomy, Negative resistence
oscillators, disponible va Web en http://www.st-
andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/RadCom/part5/page1.html

[8] Universidad de Sevilla, Curso de Microondas, disponible va Web en
http://viento.us.es/~rboloix/pagweb_mic/microondas.htm

[9] Microwave Device Technologies, Catlogo de osciladores Gunn, disponible va Web en
http://www.mdtcorp.com/2002 MDT Catalog.pdf

[10] Miteq, Catlogo de Dielectric Resonator Oscillators, disponible va Web en
http://www.miteq.com/micro/fresourc/d210b/intro.html

[11] Miteq, Catlogo de multiplicadores de frecuencia, disponible va Web en
http://www.miteq.com/micro/rfsignalprocessing/c37/technicaloverview/pag4.html

[12] Miteq, Catlogo de amplificadores de familia AMF, disponible va Web en
http://miteq.com/micro/amps/amfamps/c23b/index.html

[13] Wilmanco, Catlogo de osciladores de cristales familia SS, disponible va Web en
http://www.wilmanco.com/Home_Page/Products/SS_Series/ss_series.html

[14] Wilmanco, Catlogo de multiplicadores de frecuencia, disponible va Web en
http://www.wilmanco.com/Home_Page/Products/WFM/wfm.html

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