ME - Apostila Geral PDF

EMENTA: ESTUDO DE MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES;
NOES DE FSICA DO ESTADO SLIDO; DISPOSITIVOS

SEMICONDUTORES; ESTUDO DOS MATERIAIS E
DISPOSITIVOS ISOLANTES E MAGNTICOS.

Prof. Gelson Antnio Andra Brigatto
Prof. Dr. Paulo Csar Miranda Machado
APOSTILA DE
MATERIAIS ELTRICOS PARA
ENGENHARIAS ELTRICA
E DE COMPUTAO
UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELTRICA,
MECNICA E DE COMPUTAO

II

PROGRAMA DA DISCIPLINA

CAPTULO 1: Materiais condutores: metais; ligas metlicas; grafita, peas de contato; resistores; fusveis;
bimetais; condutividade e resistncia eltricas; fatores que influenciam na resistncia eltrica; termoeletricidade;
supercondutividade; fator custo.

CAPTULO 2: Materiais Isolantes e Magnticos: materiais isolantes: polarizao e rigidez dieltrica; capacitncia;
perdas no dieltrico e fator de perdas; permissividade dieltrica; materiais dieltricos; capacitores; isoladores;
eletretos e piezoeletricidade; isolamento de fios e cabos condutores; materiais magnticos: o conceito de domnio
magntico; classificao dos materiais quanto ao comportamento magntico; magnetizao, curva e lao de histerese;
materiais e ligas ferromagnticas; indutores; magnetoestrico.

CAPTULO 3: Introduo Teoria dos Semicondutores: materiais semicondutores; fenmenos de transporte em
semicondutores; semicondutor intrnseco; dopagem e semicondutores extrnsecos tipos P e N; Efeito Hall; aplicao
da energia trmica e luminosa em dispositivos semicondutores; corrente de difuso; juno PN.

CAPTULO 4: Dispositivos a Semicondutor I O Diodo de Juno Bipolar: polarizao direta e reversa da
juno PN; equao e caracterstica tenso-corrente do diodo de juno bipolar; linha de carga; modelos do diodo para
grandes sinais e baixas freqncias; aplicaes elementares de diodos a baixas freqncias (circuitos DC e AC);
modelos do diodo para pequenos sinais; capacitncias de difuso e transio; tempos de comutao do diodo de
juno; diodo Zener; componentes optoeletrnicos.

CAPTULO 5: Dispositivos a Semicondutor II - O Transistor Bipolar de Juno: o transistor bipolar de juno
(TBJ); polarizaes do TBJ; modos de operao; o Efeito Early; configuraes do TBJ; modelos DC e anlise de
circuitos de polarizao do TBJ; fototransstor.

BIBLIOGRAFIA

1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Eltricos, Vols. I e II, Edgard Blcher, So Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Cincia dos Materiais, 6 Edio, Prentice-Hall, 2008.
3. SEDRA, Adel S., SMITH, Kenneth C., Microeletrnica, 5
o
Edio, Makron Books, Peason Prentice-Hall, 2007.
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrnica, Vol. I, Editora McGraw Hill Portugal, 1991.
5. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica, Vol. I, Editora McGraw Hill, So Paulo, 1986.
6. HALLIDAY-RESNICK, Fsica II, Vol. 1, Livros Tcnicos e Cientficos, 1976.
7. SEARS-ZEMANSKY, Fsica, Vol. 3, Editora Universidade de Braslia, 1974.

SUMRIO

CAPTULO 1: MATERIAIS CONDUTORES
1.1) INTRODUO 1
1.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES 1
1.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERSTICAS 1
1.2.2) CARVO E GRAFITA 4
1.2.3) LIGAS METLICAS 4
1.2.4) PEAS DE CONTATO 6
1.2.5) RESISTORES 7
1.2.6) FUSVEIS 9
1.2.7) BIMETAIS 10
1.2.8) FIOS E CABOS CONDUTORES 10
1.3) CONDUTIVIDADE E RESISTNCIA ELTRICAS 11
1.4) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTNCIA ELTRICA 13
1.4.1) TEMPERATURA 13
1.4.2) FREQNCIA 14

III

1.4.3) GRAU DE PUREZA E IMPERFEIES DO MATERIAL 17
1.5) TERMOELETRICIDADE 17
1.6) SUPERCONDUTIVIDADE 18
1.7) O FATOR CUSTO DOS MATERIAIS 20
QUESTES 21
PROBLEMAS PROPOSTOS 21

CAPTULO 2: MATERIAIS ISOLANTES E MAGNTICOS
2.1) INTRODUO 23
2.2) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS 23
2.2.1) POLARIZAO DO DIELTRICO 23
2.2.2) RIGIDEZ DIELTRICA E EFEITO CORONA 24
2.2.3) CAPACITNCIA 24
2.2.4) PERMISSIVIDADE DIELTRICA 25
2.2.5) PERDAS NO DIELTRICO E ENVELHECIMENTO 26
2.2.6) FATOR DE PERDAS 26
2.2.7) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS 27
2.2.8) CAPACITORES 27
2.2.9) ISOLADORES 29
2.2.10) ELETRETOS E PIEZOELETRICIDADE 29
2.2.11) ISOLAMENTO DE FIOS E CABOS CONDUTORES 29
2.3) MATERIAIS MAGNTICOS 30
2.3.1) O CONCEITO DE DOMNIO MAGNTICO 30
2.3.2) COMPORTAMENTO MAGNTICO E CLASSIFICAO DOS MATERIAIS 30
2.3.3) MAGNETIZAO 31
2.3.4) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNTICAS 33
2.3.5) INDUTORES E TRANSFORMADORES 33
2.3.6) MAGNETOESTRICO 36
QUESTES 36

CAPTULO 3: INTRODUO TEORIA DOS SEMICONDUTORES
3.1) INTRODUO 37
3.2) MATERIAIS SEMICONDUTORES 37
3.3) FENMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES 38
3.4) O SEMICONDUTOR EXTRNSECO 40
3.4.1) SEMICONDUTOR TIPO N 40
3.4.2) SEMICONDUTOR TIPO P 41
3.4.3) RESISTNCIA DE CORPO 41
3.4.4) LEI DA AO DE MASSAS 42
3.4.5) CONCENTRAO DE PORTADORES EM SEMICONDUTORES EXTRNSECOS 42
3.4.6) VARIAES DE PROPRIEDADES COM A TEMPERATURA DEVIDO DOPAGEM 43
3.4.7) O EFEITO HALL 44
3.5) DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES PUROS 45
3.5.1) TERMISTORES 45
3.5.2) FOTORRESISTORES 46
3.6) CORRENTE DE DIFUSO E A JUNO PN 47
QUESTES 49

CAPTULO 4: DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR I: O DIODO DE JUNO BIPOLAR
4.1) INTRODUO 50
4.2) JUNO PN NO POLARIZADA 50
4.3) JUNO PN POLARIZADA 51
4.3.1) POLARIZAO DIRETA 52
4.3.2) POLARIZAO REVERSA 52
4.4) O DIODO DE JUNO BIPOLAR 52
4.4.1) SMBOLO E CONVENES DO DIODO DE JUNO COMUM 53

IV

4.4.2) CARACTERSTICA TENSO-CORRENTE DO DIODO DE JUNO 53
4.4.3) ESPECIFICAES MXIMAS 54
4.4.4) EQUAO DA CARACTERSTICA TENSO-CORRENTE DO DIODO DE JUNO 54
4.4.5) CONCEITO DE LINHA DE CARGA 55
4.5) MODELOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS E BAIXAS FREQNCIAS 57
4.5.1) MODELO DO DIODO IDEAL 57
4.5.2) MODELOS APROXIMADOS DO DIODO REAL 57
4.6) APLICAES ELEMENTARES DE DIODOS CIRCUITOS DC 58
4.7) APLICAES ELEMENTARES DE DIODOS CIRCUITOS AC 60
4.7.1) CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA 61
4.7.2) ANLISE DE CIRCUITOS AC 61
4.7.3) CIRCUITOS RETIFICADORES 61
4.7.4) CIRCUITOS LIMITADORES E FIXADORES 64
4.8) MODELO DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS 67
4.9) EFEITOS CAPACITIVOS EM CRISTAIS PN 69
4.9.1) CAPACITNCIA DE DIFUSO OU DE ARMAZENAMENTO 69
4.9.2) CAPACITNCIA DE TRANSIO 70
4.10) TEMPOS DE COMUTAO DO DIODO DE JUNO 71
4.10.1) TEMPO DE RECUPERAO REVERSA 71
4.10.2) TEMPO DE RECUPERAO DIRETA 72
4.11) O DIODO ZENER 72
4.11.1) O REGULADOR DE TENSO COM ZENER 74
4.12) COMPONENTES OPTOELETRNICOS 76
4.12.1) O DIODO EMISSOR DE LUZ 76
4.12.2) FOTODIODO E CLULA FOTOVOLTAICA 77
4.12.3) OPTOACOPLADOR 78
4.13) OUTROS DIODOS DE FINALIDADE ESPECFICA 78
4.13.1) DIODO DE BARREIRA SCHOTTKY 79
4.13.2) VARISTOR 79
4.13.3) DIODOS DE RETAGUARDA 80
4.13.4) DIODO TNEL 80
QUESTES 80
PROBLEMAS RESOLVIDOS 80

CAPTULO 5: DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR II: O TRANSISTOR BIPOLAR DE
JUNO
5.1) INTRODUO 92
5.2) O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO 92
5.2.1) ASPECTOS FSICOS E NOMENCLATURAS 92
5.2.2) TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO NO POLARIZADO 93
5.2.3) FONTE DE CORRENTE CONTROLADA POR CORRENTE 93
5.2.4) O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO POLARIZADO: MODOS DE OPERAO 93
5.3) O EFEITO EARLY 95
5.4) CONFIGURAES DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO 96
5.4.1) CONFIGURAO BASE COMUM (BC) 97
5.4.2) CONFIGURAO EMISSOR COMUM (EC) 98
5.4.3) CONFIGURAO COLETOR COMUM (CC) 100
5.5) ANLISE DE CIRCUITOS DE POLARIZAO DO TBJ (ANLISE DC) 101
5.6) TPICO COMPLEMENTAR: O FOTOTRANSISTOR 104
QUESTES 105
PROBLEMAS RESOLVIDOS 105

APNDICE: SOLUO DE ALGUNS PROBLEMAS PROPOSTOS

CAPTULO 1: MATERIAIS CONDUTORES

1.1) INTRODUO

Materiais condutores caracterizam-se por apresentar, em termos de estrutura de bandas de energia (bandas so
representaes grficas e no espaos fsicos), um pequeno gap (denominado E
G
) entre a banda de valncia (BV) e a
banda de conduo (BC), ou ainda apresentar uma superposio dessas bandas (gap nulo, E
G
= 0). Assim, os eltrons
pertencentes BV podem, com pouco ou nenhum ganho de energia, se tornarem livres na BC e se deslocarem
facilmente pelo condutor quando da aplicao de uma diferena de potencial (ddp) e, portanto, de um campo eltrico.
Materiais condutores podem, ento, ser definidos como toda matria que permite o estabelecimento de um
fluxo ordenado de eltrons em seu meio, compatvel com a diferena de potencial aplicada ao mesmo. A eletricidade
e a eletrnica utilizam-se destes meios materiais para veicular suas correntes e desenvolver aes de acionamento,
comando e controle, de modo a convert-la em outras formas de energia, tais trmica, luminosa e de movimento.
Assim, os materiais condutores so usados principalmente para o transporte de energia na forma de corrente eltrica.
Este captulo tem como objetivo fazer um breve estudo dos materiais ditos condutores, suas aplicaes em
componentes eltricos, suas caractersticas, e tpicos complementares sobre o assunto.

1.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES

A corrente eltrica proporcional quantidade de portadores de carga livres disponvel em um material para
constituir a corrente. Em Eletrotcnica, a qualidade condutora de um material reside na sua capacidade de conduzir
correntes utilizveis, o que se resume, ento, a no considerar como efetivas ou vlidas correntes da ordem de
picoampres ou mesmo nanoampres. Os materiais ditos condutores se caracterizam por apresentar, como portador de
carga livre, uma grande quantidade de eltrons dotados de grande liberdade para se movimentarem por entre os ons
fixos da estrutura do material, o que denominado gs de eltrons. Sem a aplicao de um campo eltrico no
material, porm, os movimentos destes eltrons so randmicos, com valor mdio de corrente resultante nulo no
interior do material. A aplicao de um campo eltrico sobre a estrutura dos materiais condutores determina, ento,
um movimento preferencial para o gs de eltrons, com conseqente surgimento de uma corrente eltrica, que pode
ser bastante substancial devido ao grande nmero de eltrons livres e, portanto, utilizvel.
Assim, os materiais condutores se caracterizam por uma elevada condutividade eltrica. Alguns, tais como os
metais, possuem tambm grande capacidade de deformao, moldagem e condutividade trmica. Com excees do
mercrio e dos eletrlitos, que so condutores lquidos, e dos plasmas (gases ionizados) que so gasosos, os materiais
condutores so geralmente slidos e, neste caso, se incluem os metais, suas ligas e o grafite.
Este item tem por objetivo, ento, um estudo geral de materiais e componentes condutores.

1.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERSTICAS

Os metais e suas ligas constituem-se nos materiais de maior emprego para a conduo e a dissipao de energia
eltrica. Apresentam tambm propriedades para executar funes como estruturas de sustentao e proteo
mecnica. Dentre as suas vrias caractersticas, pode-se citar:
a) Elevada condutividade eltrica e trmica: diferentemente dos no-metais (metalides), todos os metais so bons
condutores de eletricidade e calor, e apresentam elevao da resistncia com o aumento da temperatura;
b) So geralmente slidos temperatura ambiente: a exceo o mercrio, que um metal que se solidifica apenas
temperatura de -39
o
C;
c) Estrutura cristalina: os metais caracterizam-se por apresentarem seus tomos em uma disposio regular,
ordenada e repetida em todas as suas dimenses, chamada arranjo cristalino;
d) Formao de ligas: os metais possuem grande capacidade de se combinarem entre si para formar ligas metlicas;
e) Capacidade de deformao e moldagem: os metais so facilmente moldados perante elevao de temperatura e
aplicao posterior de esforos mecnicos;
f) Brilho, opacidade e cor: os metais possuem elevada capacidade de reflexo luz e mantm-se opacos at uma
espessura de 0,001 mm. Com exceo do cobre e do ouro, os metais apresentam uma cor acinzentada clara;
g) Encruamento: os metais deformados a frio endurecem. Tal caracterstica chamada encruamento, que tem, como
conseqncia extra, a reduo da condutividade eltrica do metal;
h) Transformam-se em derivados metlicos perante certos ambientes: nos metais, em contato com o oxignio do ar,
formam-se xidos e, sob a ao de cidos, formam-se sais. Como regra geral, todos os derivados metlicos so
menos condutores eltricos que os metais de origem.
CAPTULO 1: Materiais condutores
2

A seguir so descritos alguns dos metais mais utilizados pelas suas caractersticas de interesse em eletrotcnica.
Observao: as resistividades fornecidas so temperatura de 20
o
C.
1) COBRE: o cobre um dos metais mais importantes nas aplicaes eltricas, devido a vrias propriedades, dentre
as quais se destaca: baixa resistividade (somente a prata tm valor inferior, porm esta possui custo proibitivo), boa
flexibilidade, fcil deformao a frio (trifilao) e a quente (por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou
seja, o cobre bastante dctil), alta condutividade trmica, facilidade para laminar, soldar e emendar, facilidade de
capeamento por outros metais por processo eletroqumico, resistncia ao dos agentes qumicos mais comuns (o
cobre resiste bem ao da gua, fumaas, sulfatos, carbonatos e o ar atmosfrico), baixa dureza, mdia
resistncia trao, mdio ponto de fuso (1083
o
C) e existncia considervel. A condutividade do cobre muito
influenciada pela presena de impurezas por que esta reduz acentuadamente a mobilidade dos eltrons.
A forma pura do cobre determina suas aplicaes. O cobre encruado ou duro usado nos casos em que se exige
elevada dureza, resistncia trao e pequeno desgaste (uso em barramentos, peas de contato e anis coletores) e
o cobre mole ou recozido nos demais casos (uso em fios telefnicos, enrolamentos, fios e cabos isolados, etc.).
Depois do ferro, o cobre o metal de maior uso na indstria eltrica. empregado em estado puro ou em ligas,
conhecidas como bronzes e lates. usado em fios e cabos eltricos para baixa tenso, barramentos, barras e
malhas de aterramento, enrolamentos, peas de contato, anis e lminas coletoras em motores, etc.
O cobre padro internacional o cobre recozido com 99,97% de pureza, que, a 20
o
C, apresenta uma
resistividade de 1,72 x 10
-8
m.
2) ALUMNIO: o alumnio tambm um dos metais mais importantes para uso em aplicaes eltricas, sendo o
terceiro metal mais usado na eletricidade. inferior ao cobre, tanto eltrica quanto mecanicamente, mas, devido a
sua grande abundncia, bem mais barato que o cobre, tornando-se vivel economicamente.
O alumnio um metal dctil, malevel, de pequena resistividade (maior, porm, que do cobre), de grande
estabilidade e longevidade no ar (tm alta resistncia corroso), alta condutividade trmica e baixo ponto de
fuso (659
o
C). um metal mole e leve, sendo mais frgil mecanicamente que o cobre (pouco resistente a esforos
de trao). empregado como cabo condutor com alma de ao (para aumentar a resistncia trao) em linhas de
transmisso de alta tenso, por ser mais barato e ter menor massa especfica que o cobre, o que diminui os esforos
mecnicos a que as estruturas de sustentao dos cabos estaro sujeitos. usado tambm em instalaes de baixa
tenso (desde que a queda de tenso possa ser desprezada), em enrolamentos de transformadores, em barras
condutoras injetadas nas ranhuras de motores de induo, em barramentos e placas ou lminas para capacitores.
Para finalidades eletrotcnicas usa-se o alumnio com teor mximo de 0,5% de impurezas e, para aplicaes em
folhas e eletrodos de capacitores, um alumnio mais puro, com 99,95% de pureza. Resistividade: 2,8 x 10
-8
m.
A superfcie do alumnio exposta ao ar sofre rapidamente oxidao, formando uma fina camada de xido de
alumnio, material altamente isolante (apresenta elevada resistividade e rigidez dieltrica), que, por sua vez,
impede a corroso evitando que a oxidao se amplie. O alumnio de difcil soldagem (a solda comum de liga de
estanho e chumbo no solda o alumnio) e a camada isolante de xido de alumnio agrava este problema, alm de
tornar tambm difcil a emenda de condutores de alumnio. Para sua soldagem deve-se limpar a superfcie a ser
soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o xido de acetileno), ou mesmo solda
eltrica (fundio do prprio alumnio para efetuar as emendas). Pode-se usar tambm braadeiras metlicas nessas
emendas, empregadas particularmente em linhas de transmisso.
O alumnio e o cobre esto separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferena de potencial responsvel
pela predisposio de uma juno cobre-alumnio corroso galvnica (tendo a umidade do ar como eletrlito e o
alumnio como nodo, isto , o metal que sofre a corroso), o que pode provocar a deteriorao do contato hmico
entre os dois metais. Por essa razo, este tipo de juno precisa ser isolado contra a influncia do ambiente.
3) PRATA: o condutor de menor resistividade a temperaturas normais (1,62 x 10
-8
m), mas sua aplicao est
limitada a casos especiais devido ao alto custo. Por ser o melhor condutor, o metal nobre de maior uso industrial,
utilizado como camada de contato hmico em cristais osciladores e semicondutores, em peas de contato eltrico e
como elo fusvel (nos casos em que a constante de tempo para a proteo do aparelho seja importante). Suas ligas
so utilizadas como resistncia de aparelhos de preciso. utilizada ainda para recobrir, por banho eletroqumico,
fios de bobinas para melhorar o fator de qualidade das mesmas. Devido sua grande resistncia corroso,
usada tambm para proteger peas de metais mais sujeitos a este problema (prateao). Ponto de fuso: 960
o
C.
4) OURO: o ouro o condutor eltrico de uso mais especial. Metal nobre, de elevado preo e mdio ponto de fuso
(1063
o
C), possui resistividade eltrica baixa (2,4 x 10
-8
m, maior que do cobre e prata, e menor que do alumnio)
e destaca-se pela sua grande estabilidade qumica devido a sua resistncia oxidao e sulfatao, e pela sua
grande maleabilidade e ductilidade. Possui, ento, excelentes propriedade para a utilizao no ramo eletrnico.
O ouro usado eletricamente na rea de correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidao poderia levar
interrupo eltrica do circuito), como o caso de peas de contato em telecomunicaes e eletrnica, sendo seu
uso na forma pura para aproveitar as propriedades vantajosas que apresenta. ainda utilizado em chaves e rels de
baixa corrente e alta preciso e confiabilidade, em pelculas condutoras e instrumentos especiais de medidas tais
como os eletroscpios (aparelhos para verificar a presena de carga eltrica esttica).
5) FERRO: o ferro um material condutor de grande resistncia trao, compresso, cisalhamento e fadiga, grande
tenacidade, alto ponto de fuso (1530
o
C), ferromagntico (
r
em torno de 8000) e possui ainda resistividade
3

baixa (10 x 10
-8
m). Dentre os materiais metlicos, o ferro e suas ligas (aos) ocupam um lugar de destaque na
produo de equipamentos eltricos. Suas propriedades eltricas e magnticas, aliadas grande resistncia
mecnica, dureza e plasticidade, tornaram-no o material ideal para lminas de ncleos de transformadores e rels,
ferragens de suporte para equipamentos e instalaes eltricas, produo de cabos com alta resistncia trao
(exemplos: para estaiamento e como alma de ao para cabos de alumnio), em trilhos condutores, barramentos, etc.
O grande empecilho utilizao do ferro como condutor em maior escala sua rpida e fcil corroso, e elevado
Efeito Pelicular na conduo de correntes eltricas, mesmo em freqncias industriais (50 ou 60 Hz).
6) CHUMBO: o chumbo um metal mole e plstico, de relativa baixa resistividade (21 x 10
-8
m; valor contudo
considerado elevado se comparado a de outros metais) e de fcil soldagem. Apresenta elevada resistncia contra a
ao da gua potvel e sais, mas no resiste cidos, gua destilada, vinagre, materiais orgnicos em
decomposio, cal e ainda venenoso. utilizado em painis protetores contra a ao de raios-X, em baterias de
chumbo-cido, em ligas de solda (devido ao seu baixo ponto de fuso: 327
o
C), como camadas ou placas protetoras
contra corroso (blindagem de cabos) e elos fusveis.
7) ESTANHO: o estanho um metal mole (sendo, porm, mais duro que o chumbo) e de resistividade considerada
elevada perante outros metais (11,4 x 10
-8
m). temperatura ambiente normal, o estanho no se oxida, a gua
no o ataca e os cidos diludos o atacam lentamente. Por isso, o estanho um metal muito utilizado como
ingrediente de ligas. Ele se liga ao cobre para produzir os bronzes, ao chumbo para produzir a solda (o estanho
tambm possui baixa temperatura de fuso: 232
o
C), e usado largamente como revestimento anticorrosivo.
8) PLATINA: a platina um metal nobre bastante estvel quimicamente e de alto ponto de fuso (1774
o
C).
relativamente mole, o que permite uma fcil deformao mecnica, bem como sua reduo a folhas e fios muito
finos. Devido s suas propriedades antioxidantes, o seu uso eltrico encontrado particularmente em peas de
contato, anodos e fios de aquecimento. A platina o metal mais adequado para a fabricao de termmetros
resistivos at 1000
o
C (na faixa de -200 a 500
o
C, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os
metais), pois at essas temperaturas no sofre deformaes estruturais, fazendo com que a resistividade varie na
mesma proporo da temperatura. Resistividade: 10,5 x 10
-8
m.
9) MERCRIO: o mercrio o nico metal lquido temperatura ambiente. Possui comparativamente elevada
resistividade (95 x 10
-8
m), mas, por ser lquido, usado como condutor em contatos de rels e como catodo
lquido. usado tambm em termmetros comuns (devido ao seu alto coeficiente de dilatao trmica), em
termmetros resistivos e lmpadas (vapor de mercrio). Os vapores de mercrio so venenosos.
10) NQUEL: o nquel um metal de elevada dureza e temperatura de fuso (1450
o
C), pode ser magnetizado
fracamente (possui propriedades ferromagnticas) e um metal de grande importncia eltrica em razo das
excelentes caractersticas fsicas que confere s ligas de que participa. resistente a sais, gases, materiais
orgnicos, sendo, porm, sensvel ao do enxofre. usado em ligas magnticas, em ligas de ao (ao
inoxidvel), em ligas termoestveis, em ligas sensoras termoeltricas, em ligas para resistncias eltricas, em
revestimentos anticorrosivos, fios de eletrodos, anodos (baterias de nquel-cdmio), parafusos, etc. Suas ligas so
recomendadas para contatos eltricos por serem resistentes mecanicamente, por apresentarem grande resistncia
corroso e por suportar bem o calor. Por exemplo, nas lmpadas incandescentes, fios de nquel so usados como
alimentadores do filamento de tungstnio devido ao seu bom comportamento trmico. Fios de nquel podem ser
soldados aos de cobre sem problemas. O seu elevado coeficiente de temperatura da resistividade o recomenda
tambm para termmetros resistivos. Resistividade: 9,0 x 10
-8
m.
11) ZINCO: metal de grande coeficiente de dilatao trmica, possui baixo ponto de fuso (420
o
C), estvel
quimicamente no ar (forma-se, no mesmo, uma fina pelcula de xido ou carbonato de zinco, que impede sua
corroso). atacado rapidamente por cidos e bases. Em contato com outros metais e na presena de umidade, tm
facilidade de sofrer corroso galvnica e assim usado como eletrodo negativo (anodo) em baterias eltricas e em
processos de recobrimento (galvanizao) de metais em tanques de armazenamento para proteg-los da corroso.
O zinco um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os lates. Resistividade: 6 x 10
-8
m.
12) CROMO: metal extremamente duro, possui elevada resistividade em comparao a outros metais (80 x 10
-8
m)
e elevada temperatura de fuso (1920
o
C). Ele no se modifica em contato com o ar, permitindo bom polimento,
sofre oxidao somente a temperaturas superiores a 500
o
C, sendo mais sensvel ao do enxofre e de sais. O
cromo , porisso, usado para proteger outros metais que se oxidam com maior facilidade. Aliado a sua baixa
oxidao, elevada estabilidade trmica e comparativamente elevada resistividade, tem-se ainda que o cromo
amplamente usado na fabricao de fios resistivos na forma pura ou como liga.
13) TUNGSTNIO: o tungstnio um metal de temperatura de fuso muito elevada (3380
o
C), possui resistividade
baixa a temperatura ambiente (5 x 10
-8
m) e todo o seu processo de manufatura e obteno de produtos eltricos
extremamente difcil e de custo elevado. Sua disposio cristalina modificada para uma disposio linear de
modo a torn-lo menos quebradio e possibilitar a fabricao de fios e filamentos de lmpadas incandescentes,
pois o tungstnio no permite usinagens ou furaes convencionais devido a sua elevada dureza e por ser
quebradio. Estas lmpadas operam a temperaturas em torno de 2000
o
C (situao em que sua resistividade se
eleva para um valor 20 vezes superior temperatura ambiente) e porisso introduzido nos mesmos um gs inerte
(por exemplo, argnio) para reduzir a vaporizao do filamento de tungstnio. Este metal ainda usado em ligas
sujeitas a temperaturas elevadas, como, por exemplo, contatos em arcos voltaicos intensos.
4

14) CDMIO: o cdmio um subproduto do zinco, pois ocorre naturalmente em pequenas quantidades associado
com o mesmo. O cdmio venenoso e mais mole e caro que o zinco, porm, no mais, suas propriedades so bem
semelhantes a este (tal como a facilidade de sofrer corroso galvnica). , s vezes, utilizado, no lugar do zinco,
como metal de recobrimento na proteo contra oxidao. Seu maior uso fica condicionado fabricao de
baterias, tal como as de nquel-cdmio. Resistividade: 7,5 x 10
-8
m. Temperatura de fuso: 321
o
C)

Comentrios: dentre os processos de acabamento dos materiais, tm-se:
a) Extruso: mtodo de moldagem dos metais que consiste em sada forada a frio na forma desejada para o material.
Provoca endurecimento (encruamento) do material.
b) Trifilao: processo de fabricao por deformao a frio, que consiste em forar o material a passar por uma
matriz sob esforo de trao, sofrendo deformao plstica por compresso resultante da reao da matriz sobre o
material. Tem por objetivo reduzir a seo do material e aumentar seu comprimento. Este processo aumenta
substancialmente a resistncia trao e fadiga do material, tornando-o, entretanto, mais duro (encruamento).
c) Recozimento: tratamento trmico que consiste num aquecimento seguido de resfriamento lento para alvio das
tenses internas do material e diminuio de sua dureza, devido, por exemplo, ao encruamento.

1.2.2) CARVO E GRAFITA

Carvo e grafita (ou grafite) so materiais no-metlicos, mas que apresentam qualidades condutoras. A grafita
apresenta uma baixa resistividade para um no-metal (1,5 x 10
-5
m) e, diferentemente dos metais, sua resistividade
varia inversamente com a temperatura, o que favorvel em altas temperaturas para algumas aplicaes eltricas.
A grafita um material constitudo pelo elemento qumico carbono num arranjo cristalino, conhecida como
carvo para fins eltricos. Sua matria prima pode ser a grafita natural (contm impurezas e de difcil obteno em
peas) ou o antracito (forma amorfa de carvo, caracterizada pelo agrupamento catico e aleatrio de seus tomos).
Estes materiais so reduzidos a p e compactados (por prensagem ou extruso) na forma desejada, podendo conter
ainda o acrscimo de um aglomerante, e submetidos em seguida a um tratamento trmico que consiste em longos
ciclos de aquecimento sob elevadas temperaturas (em torno de 2200
o
C), geralmente atravs da passagem de corrente
eltrica atravs da prpria pea. A esse processo, no qual o carvo passa grafita, chamado grafitizao. Essa grafita
apresenta muitas facilidades para a usinagem e esmerilhagem (processo de desgaste e polimento de peas).
A grafita muito utilizada na tecnologia de resistores, de potencimetros de carvo e na produo de eletrodos
para fornos eltricos ou para descargas luminosas (tais como fontes luminosas de arco de carbono, utilizados em
projetores de cinema). Alm disso, a grafita apresenta propriedades lubrificantes porque oferece um baixo coeficiente
de atrito em contatos de peas deslizantes. Assim, ela tambm utilizada como comutador em escovas coletoras de
motores. Nesta aplicao, a grafita do comutador, em contato eltrico com o cobre, reage com o mesmo formando um
filme de material condutor chamado patina (carbonato de cobre) sobre os contatos de cobre, que protege o mesmo
contra corroso e permite um baixo coeficiente de atrito entre as escovas
(estticas) e o rotor (girante), resultando num bom contato eltrico.
A resistncia do p de carvo depende do tamanho do gro, do tratamento
trmico e da compactao do p. O carvo na forma de gros bastante utilizado
em cpsulas de microfone (transdutores eletro-acsticos), nas quais uma onda
sonora provoca perturbaes em uma pelcula flexvel que pressiona o carvo, o
que altera o grau de compactao do mesmo, alterando, ento, sua resistncia.
Estas variaes de resistncia so, ento, utilizadas na modulao de uma corrente
contnua polarizante que circula pelo microfone (Fig. 1.2.1). O carvo geralmente
usado o antracito.

1.2.3) LIGAS METLICAS

Em geral, todo material eltrico sofre, alm de problemas eltricos, uma srie de efeitos simultneos, tais como
mecnicos, trmicos, qumicos, etc, com os quais o material no pode, pelo menos sensivelmente, ter prejudicado as
suas propriedades intrnsecas iniciais. Por esta razo, a escolha de um material condutor mais adequado nem sempre
recai naquele de caractersticas eltricas mais vantajosas, mas sim sobre um outro metal ou liga que, apesar de ser
eletricamente menos vantajoso, atende satisfatoriamente as demais condies requeridas.
Assim, em eletrotcnica e eletrnica so muito freqentes os empregos de ligas metlicas quando se necessita
de caractersticas diferentes dos materiais originais. Nas ligas, o metal que aparece em maior massa pode influenciar,
por exemplo, as propriedades fsicas, mecnicas e eltricas do conjunto, deslocando-as para as condies desejveis.
Isso permite que propriedades como dureza, maleabilidade, ductilidade, condutividade eltrica e trmica, resistncia
trao e corroso, etc., possam ser alteradas de forma a atender s especificaes dos projetos de engenharia. Desse
modo, as ligas metlicas so largamente aplicadas em eletricidade, no s como condutores eltricos, mas tambm em
fusveis, contatores, resistncias, terminais de contato, barramentos, chaves, etc.
V
I
R
microfone de carvo
ondas sonoras
Fig. 1.2.1: Uso do microfone
de carvo para modular uma
corrente.
5

De modo geral, as ligas metlicas podem ser divididas basicamente em dois tipos, segundo suas aplicaes:
ligas condutoras e resistivas, discutidas a seguir.
1) LIGAS CODUTORAS: so ligas que mantm uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais originais e
so, desse modo, utilizadas para o transporte de energia com mnimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: metais so acrescentados ao cobre para melhorar a resistncia mecnica, a ductilidade e a
estabilidade trmica, sem reduzir as condutividades eltrica e trmica e resistncia corroso. Algumas ligas:
1.1.1) Bronzes: o estanho adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistncia mecnica,
sem alterar sua ductilidade. Estas ligas apresentam ainda boa condutividade, elevada resistncia
corroso, fadiga e ao desgaste por atrito, fcil usinagem e so elsticos. So utilizados como condutor
em terminais e particularmente como fios e cabos. Com o acrscimo de fsforo, se tornam mais
flexveis e so utilizados como fios em terminais telefnicos. usado tambm em contatos de chaves.
1.1.2) Lato: liga binria de cobre e zinco (30%), possui condutividade relativamente alta, boa resistncia
corroso, grande resistncia trao. empregado em barramentos de quadros e equipamentos, varas
de subestaes e bornes. tambm s vezes usado como condutor. No indicado para trabalhar ao
tempo devido a formao de rachaduras mas uma soluo para diminuir este problema submeter o
material a um recozimento para alvio das tenses internas.
1.1.3) Outras ligas: metais como nquel e cromo so adicionados ao cobre quando se necessita aumentar sua
resistncia. Pode-se obter este resultado tambm com um condutor de cobre com ncleo de ao,
chamado Copperweld, que combina a alta condutividade do cobre com alta resistncia mecnica e
tenacidade do ao. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumnio: em aplicaes baixa tenso, o alumnio puro usado apenas nos casos em que as
solicitaes mecnicas so pequenas (capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores, etc.).
Entretanto, grande o emprego de suas ligas para fins eltricos. Ligas de alumnio so construdas para se
aproveitar a sua baixa massa especfica, o que possibilita estruturas de sustentao mais leves. Suas ligas so,
via de regra, de fcil usinagem. Algumas destas ligas so:
1.2.1) Duralumnio: (4% Cu + 0,5 % Mg + 0,5 % Mn + Al) - liga leve com elevada resistncia mecnica.
aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas condutoras e na confeco de dissipadores trmicos.
1.2.2) Alumoweld: o fio de alumnio com ncleo de ao, que lhe aumenta a resistncia trao. usado
como cabo pra-raios nas linhas de transmisso e fio neutro em circuitos rurais.
1.2.3) Aldrey: (0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al) - liga de boas propriedades mecnicas. utilizada em linhas
areas, fios trlei, fios de enrolamento de motores e transformadores e na construo de cabos leves.
1.3) Liga de chumbo e estanho: so ligas resistentes corroso e possuem baixo ponto de fuso (60 a 200
o
C).
So utilizados largamente na produo de elementos fusveis e fios de solda (60% Pb + 40% Sn). So
utilizados tambm para o revestimento de fios e malhas de cobre ou lato, melhorando a soldabilidade e
proteo corroso. So usados ainda como condutor em circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fuso
protege os componentes eltricos de possveis superaquecimentos.
2) LIGAS RESISTIVAS: diferentemente da preocupao de se ter metais ou ligas de pequenas perdas para conduo
de corrente, h aplicaes eletrotcnicas em que se necessita transformar energia eltrica em energia trmica
(dissipao de calor atravs do Efeito Joule), ou provocar quedas de tenso, ou ainda controlar o nvel de corrente
eltrica. Estes so casos para o emprego de ligas resistivas. Assim, resistividades elevadas para um condutor e boas
caractersticas a altas temperaturas devem ser propriedades exigidas para estas ligas.
Ligas deste tipo tm resistividade eltrica varivel entre 20 x 10
-8
e 150 x 10
-8
m e devem atender certas
condies em funo de seu emprego, que pode ser para fins trmicos (aquecimento), para fins de medio e para
fins de regulao. Por exemplo, ligas para aquecimento devem ter elevada resistncia corroso na temperatura de
trabalho do ambiente de servio e caractersticas favorveis em suas capacidades de dilatao e irradiao. Por
outro lado, ligas resistivas para medio (tal como resistores em instrumentos de preciso) e regulao devem ter
variao linear (ou praticamente constante em alguns casos) de sua resistividade com a temperatura.
Alguns dos empregos industriais das ligas resistivas so: potencimetros de fio, resistores de alta dissipao,
resistncias para aquecimento (fornos em siderrgicas, fornos em geral, ferro de soldar e passar, estufas, foges
eltricos, eletrodomsticos, etc.), reostatos (potencimetros de potncia) para controle de correntes, reostatos para
partida e controle de velocidade de motores, resistncias de aparelhos de preciso, reostatos de campo para
mquinas eltricas (motores e geradores de corrente contnua), reostatos para carga de baterias, etc.
A seguir so comentadas algumas ligas resistivas de maior interesse:
2.1) Ligas de nquel-cromo: uma liga de alta resistividade, resistncia mecnica elevada a frio e a quente,
grande resistncia oxidao em altas temperaturas e sua resistividade varia pouco com a temperatura. Estas
propriedades conferem a estas ligas timas caractersticas para aplicaes em fornos eltricos e aquecimento
em geral. Exemplos: Nicromo V (80% Ni + 20% Cr), Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), outras
composies de Ni + Cr + Fe. So fabricados em fios ou fitas (simples ou espiraladas) para resistncias de
aquecimento em fornos de indstrias siderrgicas, cmaras trmicas, ferro de soldar e passar, estufas, foges
eltricos e artigos eletrodomsticos (por exemplo, chuveiros, aquecedores de gua, etc.). So usados tambm
na construo de reostatos e termopares. Outros tipos: Nquel - Cromo 65/15, Nikrothal, Kromore, Alloy A.
6

2.2) Ligas de nquel-cobre: a principal caracterstica destas ligas que as mesmas so termoestveis, isto , sua
resistncia praticamente no varia com a temperatura e por isso so usadas em termopares, resistncias de
preciso e resistncia para reostatos em mquinas de preciso. Exemplo: Constantan (40% Ni + 60% Cu).
Outras ligas: Prata alem (18% Ni + 64% Cu + 18% Zn) - liga de boa condutividade e resistncia mecnica,
utilizada como material de contato para chaves e contatores; Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - liga
bastante utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipaes com limites de temperatura de at
600
o
C; outras ligas comerciais de nquel-cobre: Alloy 45, Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.3) Outras ligas de Nquel: Invar (36% Ni + 63,5% Fe + 0,4% Mn) - liga de baixa dilatao, usada em guias
de medidas em aparelhos de preciso; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dctil de alta
resistividade, empregada como material para fios resistivos.
2.4) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em timas ligas para utilizao em aquecimento eltrico em geral, tais
como fornos industriais, ferro de solda, chuveiro, placas de cozinha, etc. Composio: Cr + Fe + Al + Co.
2.5) Ligas de cobre-mangans: liga de elevada estabilidade trmica, sendo porm recomendada para aplicaes
at 400
o
C. Exemplos: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) liga termoestvel, usada em shunt de
medidores e na fabricao de resistores de preciso para instrumentos de medio; Novo Konstatan (82,5%
Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe) - liga de baixa variao da resistividade com a temperatura e usada para
resistores de medio, reostatos e, eventualmente, para aquecimentos at 400
o
C.
2.6) Ligas de prata: ligas de resistividade elevada, apresentam variao inversa da resistividade com a
temperatura, o que justifica o seu uso em circuitos de compensao dependentes da temperatura, como
resistores de regulao. Exemplos: ligas de Mg + Ag + Sn com, s vezes, acrscimo de germnio.
2.7) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acrscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada,
que atravs de adequado tratamento trmico, varia inversamente com a temperatura. Estas ligas so utilizadas
em resistores de preciso e em padres. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.

1.2.4) PEAS DE CONTATO

Todos os dispositivos de comando e controle, com exceo daqueles que baseiam seu funcionamento nos
dispositivos semicondutores, possuem um sistema de peas de contato. Estas ltimas so dispositivos mecnicos
formados de partes ambas fixas ou fixas e mveis, de mesmo material ou no, empregados nos contatos eltricos de
fechamento de circuitos de disjuntores, rels, contatores, chaves em geral, terminais, interruptores, seccionadores,
conectores, botoneiras, conjuntos plug-tomadas, contato em barramentos, fusveis e escovas, etc.
Os materiais usados na fabricao de peas de contato devem satisfazer, por um maior tempo possvel, as
condies de perfeito funcionamento do dispositivo nos quais as peas so empregadas. Tais condies variam de
funo para funo e de ambiente para ambiente. Por exemplo, os problemas bsicos que surgem em seccionadores
no so exatamente os mesmos que aparecem em disjuntores, nem iguais so os que surgem em peas de contato
destinadas telefonia e s aplicaes industriais. Em geral, os problemas que peas de contato esto sujeitas so:
1) No contato eltrico, sendo feito por peas distintas, ocorre o problema da resistncia de contato para a passagem de
corrente de uma pea outra. Logo, todo contato eltrico em si gera calor por Efeito Joule porque no h um
perfeito acoplamento eltrico entre as partes constituintes do contato. Desse modo, os materiais para peas de
contato devem possuir elevada condutividade eltrica para se obter o melhor acoplamento eltrico possvel.
2) As peas de contato podem estar sujeitas a manobras (abertura e fechamento dos contatos), contnuas ou muito
freqentes, que sujeitam as peas a demasiadas solicitaes mecnicas que podem danific-las estruturalmente. Os
materiais das peas de contato devem, ento, possuir elevada resistncia, dureza, tenacidade e rigidez para resistir
s deformaes e aos desgastes mecnicos. As boas propriedades mecnicas dos materiais usados em peas de
contato esto, portanto, relacionadas ao nmero de manobras que estas peas so capazes de realizar.
3) A manobra de um contato eltrico est sujeita ao aparecimento de arcos voltaicos. Um arco voltaico pode
apresentar, no seu setor central, temperaturas de ordem at 6000
o
C, suficientes para fundir as peas dos contatos,
ou mesmo criar condies oxidao das mesmas. Os arcos voltaicos podem aparecer em dois momentos:
3.1) Na abertura dos contatos: sempre que um circuito, pelo qual circula corrente eltrica, interrompido, forma-se
um arco voltaico entre os contatos fixos e mveis devido presena de campos magnticos armazenados em
indutores no circuito (exemplo, motores) e/ou na induo de fios e cabos eltricos, o que provoca uma
tendncia dos eltrons em movimento de manter fechado o circuito no ponto de abertura para anular o campo.
Dessa forma, a intensidade do arco uma funo da tenso e da corrente de desligamento;
3.2) No fechamento dos contatos: quando o contato mvel se choca com o fixo, pode ocorrer uma repulso devido
ao choque entre as partes. Tal repulso chamada ricochete. O ricochete um fator de ordem construtiva,
pois depende das massas de metal empregadas, alm da velocidade e presso de fechamento.
Para este problema, so importantes as propriedades trmicas dos materiais para peas de contato relacionados
s capacidades de suportar grandes elevaes de temperatura sem se alterarem significativamente. Devem ter,
assim, alto ponto de fuso, boa condutividade trmica, baixa tendncia a oxidar-se em temperaturas elevadas e
pequena tendncia soldagem, para resistirem eroso do arco eltrico e ao perigo da soldadura dos contatos.
Quanto ao problema do ricochete, para reduzir a um mnimo o nmero de repulses h a necessidade de um
7

clculo aprimorado da velocidade de fechamento e das massas das peas, que devem ser as menores possveis,
alm de garantir uma presso adequada (quanto maior a presso do contato, maior o acoplamento eltrico).
4) As peas de contato podem estar sujeitas a ambientes de trabalho corrosivos, tais como presena de cidos, sais ou
mesmo o prprio ar atmosfrico, que atuam diversamente sobre os materiais das peas, provocando oxidao ou
sulfatao. A corroso deteriora o contato das peas, com conseqente aumento da a resistncia de contato. Desse
modo, os materiais devem resistir o mximo possvel ao ataque do meio ambiente em que operam, isto , devem
ser o mais inerte possvel, ou com baixa tendncia corroso no ambiente de trabalho.
5) Em peas deslizantes (tais como em escovas de motores), podem ocorrer o problema de desgaste das mesmas
devido ao atrito entre as partes fixas e mveis. Assim, as peas deslizantes, e mesmo seus contornos fsicos, devem
ser de material e aspecto o menos abrasivo possvel.
6) No contato entre metais diferentes pode haver predisposio corroso galvnica devido diferena de potenciais
eletroqumicos entre as partes. Logo, as componentes das peas de contato devem preferencialmente ser do mesmo
material ou, pelo menos, de pequena diferena entre seus potenciais eletroqumicos.
Deivdo a estes problemas, os materiais usados em peas de contato so normalmente ligas metlicas, para
atender as diversas qualidades necessrias. Cobre, ferro, nquel, zinco e estanho so bastante usados associados na
forma de ligas mas, para contatos de menor qualidade, emprega-se tambm metais nobres (prata, ouro e platina) em
ligas com paldio, tungstnio e molibdnio. A seguir so descritos alguns desses materiais para peas de contato:
a) Metais nobres: so os que apresentam melhor resistncia corroso e so, ento, empregados em aparelhos
sensveis, onde envolve presses de contato extremamente baixos e correntes reduzidas. A prata apresenta os
inconvenientes de ser muito dctil e ter tendncia a rachar-se. Este problema contornado acrescentando-se
mesma cobre, nquel, cobalto, tungstnio, ferro, molibdnio e carbono, com a finalidade de melhoria de qualidades
como dureza e resistncia mecnica ao desgaste e eroso produzidos pelo arco eltrico. Estas ligas tm maior
resistncia de contato, exigindo assim maior fora de fechamento no seu emprego em rels. Outros usos:
interruptores, disjuntores, botoneiras, contatores, contatos fixos, etc. O ouro ligado prata e a outros metais para
aumentar sua dureza e resistncia corroso eltrica. utilizado em contatos de rels, chaves especiais e contatos
para pequenas correntes (condutor banhado a ouro). As ligas de platina com prata, irdio e rutnio aumentam sua
dureza e resistncia ao desgaste. So utilizadas em rels especiais e instrumentos de preciso em geral.
b) Tungstnio: por ser bastante duro, utilizado como liga em contatores, chaves, botoneiras, rels e disjuntores.
c) Cobre: o cobre para contatos usado em forma de ligas com o zinco (lato) e o estanho (bronze), que aumentam
sua resistncia mecnica e corroso. bastante utilizado em interruptores, plugues, tomadas, fusveis (cobre
prateado), chaves interruptoras, contatores, rels, etc.
d) Ao: liga de alta resistncia mecnica, usada no contato fixo de chaves seccionadoras com porta fusveis.
e) Carvo: usado em escovas de motores devido ao seu baixo coeficiente de atrito.

1.2.5) RESISTORES

Como visto, os materiais empregados como elementos condutores de corrente eltrica so classificados em dois
grandes grupos: materiais de elevada condutividade e materiais de elevada resistividade. Destinam-se os do primeiro
grupo a todas as aplicaes em que a corrente eltrica deve circular com as menores perdas de energia possveis (tal
como em elementos de ligao entre aparelhos, dispositivos, etc.), ou ainda, como elementos de circuitos que devem
dar origem a uma segunda forma de energia por transformao eltrica (tal como em bobinas eletromagnticas).
Os materiais do segundo grupo destinam-se, por um lado, transformao de energia eltrica em trmica (tal
como em fornos eltricos) e, por outro lado, para criar certas condies num circuito eltrico, destinadas a provocar
quedas de tenso e limitao de corrente para se obter um ajuste s condies mais adequadas ao circuito. Estes dois
ltimos casos so desempenhados por componentes de circuitos chamados resistores.
Resistor o componente eletrnico mais simples, mais comum e mais barato de um circuito. Este componente
no armazena energia, apenas a dissipa na forma de calor. Dependendo de como esto conectados a um circuito, so
elementos destinados queda de tenso ou ao desvio de corrente. O valor de sua resistncia, dado em Ohms (), e
sua tolerncia (erro percentual mnimo e mximo) so indicados no seu corpo atravs de duas maneiras:
1) Cdigo de cores: este sistema utiliza faixas pintadas no corpo do resistor a partir de uma extremidade, com as
equivalncias numricas dadas na Tab. 1.2.1. As duas primeiras faixas (X e Y na Tab. 1.2.1) formam uma
dezena, sendo a primeira (X) correspondente ao algarismo de maior ordem do valor hmico (1
o
dgito da dezena) e
a segunda (Y) correspondendo ao 2
o
dgito da dezena. A terceira faixa indica o nmero de zeros, isto ,
corresponde a multiplicar a dezena formada pelas duas primeiras cores por 10
Z
, sendo Z o nmero correspondente
cor dada na Tab. 1.2.1. Desse modo, o valor hmico do resistor ser dado por: XY x 10
Z
. A quarta cor
corresponde tolerncia do resistor: cor ouro para 5%, cor prata para 10% e incolor para 20%, sendo que os de
maior preciso, de 1% ou menos, vem geralmente impresso. A potncia destes tipos de resistores refere-se ao
tamanho fsico dos mesmos (maior tamanho, maior potncia), variando de 1/8 a 2 W.
Exemplo: para a seqncia de cores a partir de uma extremidade: amarela-violeta-laranja-prata, corresponde
ao valor hmico 47 k, com tolerncia de 10% (para se saber sua potncia, deve-se observar o seu tamanho e
determin-la com auxlio de uma tabela que descreva a relao tamanho-potncia).
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Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 violeta 7 7 prata - -2
Tab. 1.2.1: Cdigo de cores para leitura do valor de resistores

2) Diretamente impresso: este sistema utiliza a impresso direta do valor hmico no corpo do resistor e usado
geralmente em resistores de maior potncia (>2W). Consiste na impresso de dgitos numricos combinados com
uma letra (R para ohms, K para quiloohms, e M para megaohms) para indicar um multiplicador, sendo que a
posio da letra pode indicar a posio da vrgula no valor hmico. Exemplos: 470R = resistor de 470; 4K7 =
resistor de 4,7 k; 47K = resistor de 47 k. A potncia (at 50 W) e a tolerncia (at 20%) deste tipo tambm vem
impressa no corpo do resistor. So geralmente fabricados com fios de ligas metlicas resistivas.
Os resistores so produzidos comercialmente nas especificaes de 1/20, 1/10, 1/8, 1/4, 1/2, 1, 2, 3, 5, 10, 15,
20, 25 e 50 W. As tenses mximas de trabalho so geralmente 250, 450, 600, 750 e 1000 V ou mais, dependendo das
caractersticas dos isolamentos utilizados.
A Fig. 1.2.2 mostra esquematicamente o corpo de um resistor
em corte. Os resistores so compostos de uma base cilndrica de
material cermico, que recebe a cobertura resistiva que determinar
o valor do resistor. Este conjunto solidamente ligado a terminais
metlicos e a cobertura recebe ainda uma metalizao para a
realizao de uma solda de alto ponto de fuso (~300
o
C) com os
terminais do resistor (isto para que os ferros de soldar comuns, que
tm pontos de fuso de 180
o
C, no provoquem qualquer abalo
nesta ligao). O conjunto coberto externamente por um material
isolante (esmalte, material epoxi, cimento, silicone, etc.) para
acabamento e proteo do usurio.
Os resistores so normalmente construdos pelas seguintes tecnologias:
1) Pela variao da densidade de um composto de carbono e grafite (resistor de composio): so resistores baratos,
comuns, pequenos, de valor at megaohms, com potncia de dissipao at 3W, faixa de operao at 70
o
C, baixo
Efeito Pelicular (visto mais adiante) e com tenso de rudo elevada.
2) Pela deposio de pelcula de carbono (resistor de extrato de carbono): so resistores mais precisos e menos
ruidosos que os de composio e so obtidos com dissipao tambm superior. So fabricados em tolerncia de
1%, de kiloohms at megaohms, e limitados para uso abaixo de 10 MHz. Apresentam Efeito Pelicular desprezvel.
3) Pela deposio de pelcula de xido metlico: so fabricados com preciso de at 1%, em valores at megaohms,
com faixa de uso at 70
o
C (ou mais com uso de dissipadores). So bastante precisos e estveis, apresentam Efeito
Pelicular desprezvel e so pouco indutivos. So obtidos em todos os valores comerciais, com dissipaes at 7 W .
4) Pela deposio de pelcula metlica (resistores metalizados): so altamente estveis, precisos, de baixo rudo e alta
dissipao trmica. So indicados para altas freqncias e para circuitos de alta confiabilidade.
5) Pela utilizao de fio ou fita metlica resistivos: usos: construo de reostatos e potencimetros de fio precisos,
possuem dissipaes at 1000 W. Apresentam grande efeito indutivo, sendo usados apenas em baixas freqncias.
Quanto estabilidade trmica, os resistores de fios ou pelcula metlica aumentam sua resistncia com a
aumento da temperatura, enquanto que os de composio e pelcula de carbono ou grafite diminuem a resistncia com
o aumento da temperatura. Os metais puros e ligas resistivas apresentam estas variaes de resistncia com a
temperatura de forma praticamente linear, mas esta pode se dar de forma quadrtica nos resistores.
Os resistores se dividem basicamente em trs tipos:
1) Resistor fixo: o resistor com dois terminais, de valor hmico fixo, cujo valor dado pelo cdigo de cores ou
escrito no corpo do resistor, vistos anteriormente.
2) Resistor varivel: possui trs terminais, dois fixos e um mvel (cursor) ajustado por boto, o que permite um
ajuste da resistncia entre o terminal mvel e um ou os dois terminais fixos. Os resistores variveis so utilizados
para controle externo de um determinado parmetro do circuito. So conhecidos como potencimetros e reostatos
(reostatos so potencimetros de potncia usados para altas dissipaes). Exemplos: potencimetros de carbono,
de fio e reostatos de fio ou fita. Dependendo das caractersticas do circuito em que ser aplicado, existem diversos
tipos, formatos, tamanhos, dissipao mxima permissvel, etc. Podem ser lineares e no lineares (logartmicos).
Usos: circuitos divisores de tenso, limitadores de corrente, atenuadores resistivos, acopladores resistivos, carga de
circuitos amplificadores de sinal e de aquecimento, etc.
3) Resistor ajustvel: possui trs terminais, dois fixos e um terminal central mvel (cursor) por parafuso ou
dispositivo semelhante, o que permite o ajuste da resistncia entre um terminal fixo e o mvel. So normalmente
utilizados para fazer certos ajustes finais na operao dos circuitos (ajuste do ponto de funcionamento do circuito),
ajustes estes que no sofrem controle externo ao circuito. So conhecidos como trimpots.
isolao metalizao
solda
terminal
suporte cermico
camada de material resistivo
Fig. 1.2.2: Corte axial de um resistor.
9

Comentrio: tenso de rudo um rudo eltrico de causa trmica injetado no sinal de tenso sobre o resistor.
gerado devido agitao trmica de sua estrutura atmica com a passagem da corrente. A potncia do rudo , desse
modo, proporcional elevao de temperatura.

1.2.6) FUSVEIS

Todo sistema ou equipamento eltrico est sujeito e deve ser protegido de eventos fora de suas especificaes
nominais de corrente eltrica. Tais eventos so a sobrecorrente e a corrente de curto-circuito. Sobrecorrente ocorre
quando um circuito eltrico passa a requerer, por alguma razo, uma corrente maior que sua especificao normal,
evento que pode ocorrer por um tempo prolongado. Chama-se corrente de curto-circuito a especial e elevada corrente,
cuja durao inferior ao segundo, e que originada por um defeito em alguma parte de um circuito eltrico.
Fusveis so componentes de proteo de circuitos contra sobrecorrentes e/ou de curto-circuitos de uso bastante
intenso dentro da eletricidade. So empregados na proteo de instalaes eltricas (monofsicas e trifsicas), quadros
de controle, alm dos prprios alimentadores (fios ou cabos eltricos de ligao). Os fusveis so dimensionados para
suportar continuamente a corrente mxima do circuito ou aparelho protegido.
O elemento principal dos fusveis o chamado elo fusvel, que, pela fuso do seu corpo, interrompe a corrente
eltrica do circuito protegido, evitando que os componentes do mesmo se danifiquem. Os elos fusveis so, em geral,
feitos de ligas de chumbo e estanho, e ainda cobre, bismuto, cdmio e mercrio. Para melhor dimensionamento, os
catlogos de fabricantes apresentam grficos do tempo de fuso do elo em funo da corrente.
Como so elementos que executa uma manobra de desligamento, os fusveis esto sujeitos ao problema da
formao de arcos voltaicos. Assim, os fusveis podem conter ainda um invlucro isolante, janela de inspeo,
terminais metlicos de fixao ou encaixe e cmaras para extino de arco. O elo fusvel deve ter normalmente um
elemento isolante ao seu redor para que o arco que surge durante sua fuso no seja capaz de danificar os elementos a
sua volta. Assim, alguns fusveis so providos de gros de areia na cmara de extino para atenuar o efeito do arco.
O invlucro isolante deve ser suficientemente forte para agentar presses resultantes do arco eltrico e a elevao da
temperatura no elo fusvel. Os invlucros normalmente utilizados so cermicos, de vidro ou de papelo.
Algumas das especificaes dos fusveis so:
a) Valor eficaz da corrente nominal: o valor da corrente eltrica continuamente suportvel pelo mesmo, impresso
normalmente no corpo do componente;
b) Tenso nominal de trabalho: o valor mximo de tenso de isolao do fusvel, estando diretamente relacionado
com a natureza do material isolante empregado;
c) Ao rpida ou lenta: expressa sua rapidez na queima do elo fusvel. Esta caracterstica permite que o fusvel atue
imediatamente (ao rpida) deteco da elevao de corrente indesejvel no equipamento ou circuito a proteger,
ou suportar por um determinado tempo (ao lenta, tambm denominado retardado), elevaes transitrias de
corrente necessrias ao funcionamento do equipamento ou circuito protegido, vindo a atuar somente se a referida
elevao de corrente persistir alm de seu tempo de espera.
Alguns dos tipos de fusveis so descritos a seguir:
1) Fusvel de rolha: este fusvel era comum nas instalaes domiciliares, utilizado normalmente em circuitos de
iluminao e fora, mas hoje se encontra desontinuado, substitudo pelos disjuntores.
2) Fusvel de cartucho: possui elo fusvel laminar ou cilndrico. utilizado em circuitos de correntes mais elevadas,
tais como iluminao e fora. Correntes nominais: 10-15-20-25-30-40-50-60-100 A. Tenso de trabalho: 250 V.
3) Fusvel tipo faca: usado principalmente em circuitos de fora, para correntes muito elevadas. O elo fusvel em
forma de lmina e apresenta reduo de seo em alguns lugares para localizar a rea de fuso. So apresentados
produtos comerciais com elo descartvel. Valores nominais de corrente: 80-100-150-200-250-300-400-500-600 A.
Tenso mxima de trabalho: at 500 V.
4) Fusvel Diazed: um fusvel de fabricao Siemens, utilizado tanto em circuitos de fora como iluminao. O elo
fusvel uma chapa vasada com furos para localizar melhor a rea de fuso. So produzidos tanto do tipo fuso
rpida como de fuso lenta (retardado). Apresentam areia em seu interior para atenuar os efeitos da presso,
temperatura e extino de arco eltrico durante a fuso do elo. Apresentam uma pedra colorida que se desprende
de sua posio por presso do ar interno quando o elo fusvel queimado, chamada espoleta. So bastante precisos
e fabricados em dois tipos:
4.1) De capacidade mdia - valores: 6-10-15-20-25-30-60 A (rpidos) e 80-100-125-160- 200 A (retardados).
Tenso mxima de trabalho: at 500 V.
4.2) De alta capacidade (tipo NH) - utiliza esteatite (cermica) como isolador e fabricado nas capacidades de 6 a
1000 A com tenso mxima de trabalho de 500 V.
5) Fusvel cartucho para altas tenses: empregado para correntes elevadas e em circuitos de alta tenso. utilizado
junto a disjuntores magnticos nos circuitos de proteo. construdo com invlucros isolantes de alta rigidez
dieltrica, como a porcelana. Elo fusvel: fio metlico.
6) Fusveis para circuitos eletroeletrnicos: so fusveis em formato de cartucho com invlucro de vidro ou
cermico contendo um filamento de liga de cobre ou prata. So usados para proteo de aparelhos
eletroeletrnicos. So de baixos valores de corrente e podem ser rpidos ou lentos.
10

Comentrios:
1) A frmula de Preece estabelece a relao matemtica entre o dimetro de um elo fusvel e a corrente necessria
sua fuso. Seja um fio condutor de dimetro d (mm), a corrente I (A) de fuso do fio dada por:
2 / 3
. d a I = (1.2.1)
onde a um parmetro tabelado (Tab. 1.2.2 para alguns metais).
Seja S (mm
2
) a rea da seo transversal de um elo fusvel, submetido
a uma diferena de temperatura T = T
f
- T
a
, onde T
f
a temperatura de
fuso do metal e T
a
a temperatura ambiente, ambos em
o
C, e percorrido por
uma corrente I (A). O tempo t (s) de fuso do elo dado por:
2
|
\
|
=
I
S
k
T
t (1.2.2)
onde k uma constante do material (Tab. 1.2.2 para alguns metais).
2) Em projetos, os fusveis so normalmente dimensionados para suportar at 150% da corrente mxima do circuito
(ou corrente nominal), onde, atingido este limite, devero se fundir entre 1 e 15 min, dependendo da corrente
nominal. Na proteo de uma instalao eltrica, o fusvel dever ter uma especificao mxima igual ao limite de
conduo de corrente dos condutores de alimentao.
3) No caso de um condutor neutro ligado terra, este no dever ter, em srie, nenhum fusvel ou qualquer dispositivo
capaz de causar interrupo da corrente que passa no mesmo.
4) Os fusveis rpidos so recomendados para cargas resistivas e os retardados para cargas indutivas (motores) e
capacitivas. Este ltimo caso se justifica pois pode-se ter sobrecorrentes previstas no momento da partida, ou
mesmo peridicas e transitrias, mas que no se constituem, portanto, em motivo para a interrupo do circuito.

1.2.7) BIMETAIS

O bimetal um artefato empregado como sensor trmico na construo de termorels, termostatos, disjuntores
trmicos, etc., para aplicao em circuitos de controle, proteo e regulao. Compe-se de duas lminas de metais ou
ligas com diferentes coeficientes de dilatao trmica e superpostas por sinterizao (lminas A e B, Fig. 1.2.3).
Quando um bimetal submetido, por exemplo, a uma elevao de
temperatura, ocorre uma dilatao diferencial entre os dois metais devido diferena
de coeficientes de dilatao trmica entre os mesmos, e o metal de maior coeficiente
(metal A na Fig. 1.2.3), por se dilatar mais que o de menor coeficiente (ou se contrair
mais, no caso de diminuio de temperatura), provoca um encurvamento no bimetal,
vindo o mesmo, ento, a realizar um trabalho devido a este movimento. Assim, a
energia trmica converte-se em um movimento e/ou fora, e este trabalho , ento,
aproveitado, por exemplo, para abrir ou fechar contatos eltricos nos dispositivos de
controle, proteo e regulao.
A medida do encurvamento e da fora em um bimetal depende, portanto, da
diferena entre os coeficientes de dilatao e da diferena de temperatura.
Os bimetais so normalmente fabricados em lminas retas, espirais, encurvadas e espiraladas em hlice. Alguns
exemplos: Kanthal nmeros 115, 125, 135 e 155.

Comentrio: Sinterizao um processo industrial de aglutinagem de corpos slidos atravs do aquecimento dos
mesmos a uma temperatura inferior de fuso dos corpos, mas suficientemente alta para possibilitar a difuso dos
tomos entre suas redes cristalinas.

1.2.8) FIOS E CABOS CONDUTORES

Fios e cabos eltricos so os dispositivos utilizados como meio condutor para o transporte de energia eltrica
entre dois pontos de um circuito ou equipamento eltrico. Em eletrotcnica, usa-se normalmente a denominao fio
eltrico para apenas um meio de seo transversal (bitola) macia ou um conjunto de fios de pequena seo
transversal (o chamado cabinho), e a denominao cabo eltrico para um conjunto de fios de maior seo arranjados
por encordoamento, ou mesmo por um conjunto de cabos. Condutor eltrico o termo genrico para ambos.
O aumento da seo transversal de fios condutores para comportar maior capacidade de conduo de corrente
eltrica (chamada ampacidade) acarreta maior rigidez mecnica e dificuldade em seu manuseio, razo pela qual os
cabos condutores so uma opo para contornar estes problemas, isto , o agrupamento de fios condutores possibilita
ao cabo o mesmo aumento na capacidade de corrente, mas maior flexibilidade, melhoria na sua manipulao e, em
alguns casos, oferece melhor isolao e blindagem contra rudos externos devido a fatores construtivos.
O regime de trabalho de fios e cabos eltricos est relacionado com as caractersticas dos materiais utilizados
na sua fabricao. Alguns dos critrios para o dimensionamento de fios e cabos so: ampacidade, tenso de isolao
Material a k
cobre 80,0 0,005
alumnio 59,3 0,011
estanho 12,83 0,070
chumbo 10,77 0,140
Tab. 1.2.2: Parmetros a e k de
alguns materiais
A
B
encurvao
Bimetal
Fig. 1.2.3: O bimetal e sua
encurvao.
T
1
> T
o

T
o

11

(grau de isolao), temperatura mxima de trabalho suportada pela isolao, condies ambientais mnimas de
trabalho (poluio, raios solares, umidade, etc.), capacidade de blindagem, resistncia mecnica a choques, etc.
Os materiais mais utilizados como condutores so principalmente o cobre, alumnio, prata e as ligas desses
materiais. Como material isolante tem-se PVC, polistireno, EPR (borracha etileno-propileno), neoprene, XLPE
(polietileno reticulado), borracha butlica e, em aplicaes especiais, emprega-se ainda amianto, teflon, cermicas,
nilon, gs SF
6
e fibras orgnicas.
A seguir sero vistas algumas denominaes sobre fios e cabos:
a) Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (no isolados entre si, no caso do cabo);
b) Fio isolado: fio revestido de material isolante;
c) Cabo singelo: grupo de fios no isolados entre si e com revestimento isolante;
d) Cabo mltiplo: cabo formado por vrios fios ou grupos de fios isolados entre si, sob uma mesma capa isolante;
e) Cabo compactado: cabo singelo com alto grau de compactao para eliminar todos os vazios entre os fios;
f) Cabo setorial e segmentado: cabo formado por mltiplos cabos singelos isolados entre si;
g) Cabo anular: cabo singelo que apresenta o seu ncleo central oco ou preenchido com material isolante;
h) Cordel flexvel: fio singelo ou par singelo de pequena bitola e bastante flexvel. Exemplos: par telefnico, fios
usados para fiao de circuitos em placa, fios de diversas cores para rdio, TV e aparelhos em geral, etc.;
i) Cabos telefnicos: cabos formados por pares de fios, dispostos em camadas concntricas, devidamente isolados;
j) Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referncia), separados por um isolante slido (polietileno) e cobertos por um
revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Pode ser do tipo rgido ou flexvel.

Comentrios:
1) O cabo nu tem sua aplicao principal em linhas de transmisso de energia. usado ainda como cabo terra, mas
apenas em locais onde no fira a segurana ambiental.
2) A grande vantagem dos cabos coaxiais reside no fato de no apresentarem perdas de potncia por induo ou
irradiao (recebimento de induo de sinais ou rudos externos), porque os sentidos das correntes so contrrias
nos condutores interno e externo, de forma que indues nestes condutores por campo magntico externo se
anulam mutuamente. So aplicados em radiofreqncia, audiofreqncia, telefonia, cabos submarinos, etc.
3) Alguns cabos so construdos com um revestimento em fita metlica para distribuir uniformemente o campo
eltrico no interior do cabo a fim de evitar concentraes desuniformes que tenderiam a danificar o material de
isolamento, e ainda atender a necessidade de manter o campo eltrico restrito ao interior do cabo para no
perturbar eletricamente um condutor vizinho. Esta fita no tem a funo de conduo de corrente.
5) Condutores metlicos utilizados em aterramentos requerem cuidados especiais para evitar a corroso galvnica.
Sua proteo consiste basicamente em um princpio: fornecer eltrons ao metal, para que o mesmo se torne
catdico e as reaes de corroso deixem de existir. Isto pode ser conseguido de duas maneiras: unir ao longo do
material placas de magnsio que serviro como anodo de sacrifcio ou utilizar uma fonte de corrente contnua que,
ligada ao material e terra, fornecer os eltrons necessrios ao material para evitar sua corroso.

1.3) CONDUTIVIDADE E RESISTNCIA ELTRICAS

Como visto, os materiais condutores se caracterizam por apresentarem grande quantidade de eltrons livres com
disponibilidade de se moverem facilmente pelo material. Em uma temperatura qualquer, o movimento destes eltrons
desordenado, no se constituindo num fluxo resultante em determinada direo. Logo, para orienta-los necessrio,
por exemplo, a aplicao de campo eltrico. O movimento ordenado de portadores de carga livres (eltrons, lacunas
ou ons) denominado corrente eltrica, sendo o movimento das cargas positivas o chamado sentido convencional.
Correntes eltricas que dependem da aplicao de um campo eltrico para fluir so denominadas correntes de
conduo, deriva ou campo. Condutividade eltrica a propriedade que quantifica a facilidade com que portadores de
carga livres podem fluir por um material, quando o mesmo submetido a um campo eltrico, resultado da aplicao
de uma diferena de potencial (ddp). A condutividade eltrica define, ento, a capacidade de um material em conduzir
o tipo de correntes de conduo.
Densidade de corrente J (A/m
2
) definida como a corrente I (A) que flui por um condutor atravs da rea A (m
2
)
da seo transversal ao fluxo de portadores (J = I

/A). O sentido do vetor densidade de corrente no depende do sinal
do portador de carga (Fig. 1.3.1-a e Eq. 1.3.4) porque este tem sempre o sentido do vetor campo eltrico. Assim, o
desenvolvimento a seguir ser feito para o sentido convencional da corrente ou das cargas positivas (Fig. 1.3.1-b).
Seja um campo eltrico E (V/m) aplicado a um material condutor (Fig. 1.3.1-b). Este campo eltrico movimenta
os portadores livres, resultando em corrente eltrica. Sendo e (C) e m (kg) a carga e a massa do portador de carga,
respectivamente, os portadores constituintes da corrente eltrica sofrem, ento, uma acelerao e

E/m (F = e

E = m

a
a = e

E/m) e s no aumentam indefinidamente suas velocidades por causa das colises com os ons da rede.
Devido a estas colises, pode-se, ento, considerar os portadores livres como tendo um livre caminho mdio ou uma
velocidade mdia v (m/s), chamada velocidade de deriva ou de arrastamento.
12

Definindo
n
(m
2
/Vs) como a mobilidade dos eltrons livres (os portadores de carga livres do material
condutor), ou ainda como a velocidade mdia dos eltrons por unidade de campo eltrico, tem-se, ento, que a
velocidade de deriva proporcional ao campo eltrico atravs da mobilidade das cargas, ou seja:
E v
n
= (1.3.1)
Seja um condutor de comprimento l (m), dado na Fig. 1.3.1-b, contendo N (adimensional) portadores livres,
cada um com carga eltrica e e velocidade mdia v. A corrente eltrica I (A ) no condutor ser, ento, dada por:

v
l
t
l
v e N
t
e N
t
q
dt
dq
I = = =
= = pois , (1.3.2)
Logo, com auxlio da Eq. 1.3.2, tem-se que a densidade de corrente J no condutor ser dada por:
v e
A l
N
A
I
J = = (1.3.3)
Seja n a concentrao de portadores de carga livres no condutor, definida como o nmero de eltrons livres por
unidade de volume (unidades: m
-3
ou cm
-3
). Como o produto lA o volume do condutor e h N portadores livres, a
concentrao n ser dada por: n = N / lA e, assim, a densidade de corrente J (Eq. 1.3.3) pode ser representada por:
v e n v e
A l
N
J = = (1.3.4)
Substituindo a Eq. 1.3.1 na Eq. 1.3.4, tem-se ento que:
E E e n v e n J
n
= = = (1.3.5)
conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial, onde o termo chamado condutividade eltrica do material
(unidade S/m, S = Siemens), definida ento por:
n
e n = (1.3.6)
Desse modo, a Eq. 1.3.5 chamada densidade de corrente de conduo, de deriva ou de campo.
A resistividade (m) o parmetro que representa a oposio ou dificuldade imposta por um material
circulao de corrente pelo seu meio. Define, portanto, a propriedade inversa condutividade, isto :
n
e n
1 1
= = (1.3.7)
Para uma amostra de material de comprimento l a certa temperatura e submetida a um campo eltrico constante
E, resultado de uma ddp contnua V aplicada entre suas extremidades, surge uma corrente contnua I cuja densidade J
ocupa toda a rea transversal A da amostra do material. Como J = I/A e neste caso E = V/l ento, como resultado das
Eqs. 1.3.3, 1.3.5 e 1.3.7 tem-se a forma escalar da Lei de Ohm, isto :
1 I I V l l
J E V I I
A A l A A

= = = = =
O termo l/A, que depende da geometria do material, descreve a avaliao quantitativa da resistividade do
material e chamada resistncia eltrica passagem de corrente contnua (R
CC
), ou seja:
( )

, ou
CC CC
l
R R
A A m
| |
= =
|
\
(1.3.8)
onde a segunda equao (por unidade de comprimento) tem emprego prtico na indstria de fios e cabos condutores.
Para o caso do cabo condutor encordoado, deve-se levar em conta o fato de que os fios do cabo esto tranados
helicoidalmente, possuindo, portanto, comprimento maior que o cabo. Desse modo, o valor encontrado pela Eq. 1.3.8
para o clculo da resistncia eltrica de um cabo deve ser corrigido. Convencionalmente, esta correo ser:
Para cabos com at 3 fios, o valor ser 1% maior, ou seja, deve-se multiplicar a resistncia do cabo por 1,01.
Para cabos com mais de 3 fios, o valor ser 2% maior, ou seja, deve-se multiplicar a resistncia do cabo por 1,02.
Contudo, a resistncia eltrica dos materiais depende de alguns fatores, que influenciam no valor de sua
resistividade ou diretamente no valor da resistncia passagem de corrente eltrica. Tais fatores sero vistos a seguir.

I
l
A
V
T
e
+

e
+

e
+

N
cargas
v
v
l
A
sentido convencional da corrente
E
Fig. 1.3.1: (a) o sentido da corrente de deriva no depende do sinal do portador de carga; (b) condutor usado
para determinar a expresso da condutividade eltrica.
E
x
sentido da
densidade
corrente
v
(a) (b)
e
+
E
x
sentido da
densidade
corrente, pois
e< 0 e v < 0
v e
-
13

Comentrios:
1) A concentrao n de portadores de carga livres nos materiais condutores (metais) de aproximadamente 10
23
cm
-3
,
nos isolantes, de 10
6
a 10
7
cm
-3
, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 10
10
cm
-3
;
2) Como a resistncia proporcional ao comprimento, fios resistivos so empregados nos chamados extensmetros
por resistncia eltrica, como sensores de deformao elstica de peas em equipamentos de medio.
3) Corrente de deslocamento (corrente inica) tambm resulta da aplicao de um campo eltrico no meio material,
mas mais evidente em materiais isolantes porque resulta da polarizao das molculas de sua estrutura. Assim, a
corrente total em um meio submetido a uma ddp seria, ento, a soma das correntes de deriva e de deslocamento.

EXERCCIO 1.3.1: Sabe-se que a concentrao de eltrons livres nos materiais condutores da ordem de 10
23
cm
-3.

Seja, ento, um fio condutor de bitola 2,5 mm
2
conduzindo uma corrente contnua de 16 A . Determine a velocidade de
deriva dos eltrons neste fio. Comente o resultado.
SOLUO
Das Eqs. 1.3.3 e 1.3.4 tem-se que:
A e n
I
v v e n
A
I
J = = =
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm
2
= 2,5 x 10
-6
m
2
; n = 10
23
cm
-3
= 10
29
m
-3
; e = 1,6 x 10
-19
C
Logo:
s
m
v
4
10 4

= =
6 19 29
10 5 , 2 10 6 , 1 10
16
v
A esta velocidade, um eltron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva muito pequena comparada com a velocidade da onda de propagao de um campo eltrico ao
longo do fio (propagao de um sinal de tenso), que de cerca de 3 x 10
8
m/s.

1.4) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTNCIA ELTRICA

Temperatura, pureza e deformao influenciam na resistividade (ou condutividade) de um material condutor e,
conseqentemente, na sua resistncia eltrica. J a freqncia do sinal de corrente eltrica aplicada ao condutor
influencia diretamente na resistncia eltrica do mesmo. Estes fatores so vistos a seguir:

1.4.1) TEMPERATURA

Como visto anteriormente (Eq. 1.3.6), a condutividade eltrica dos
materiais depende da concentrao e da mobilidade dos eltrons livres do
material. Em um metal puro temperatura ambiente, praticamente todos os
eltrons de valncia esto ionizados, isto , a concentrao n de eltrons
livres praticamente constante. No entanto, uma elevao de temperatura
provoca um aumento na vibrao dos eltrons de toda a rede cristalina, o que
acarreta no aumento das colises entre os eltrons livres em movimento e os
fixos da rede, ocasionando, ento, perda de mobilidade dos eltrons livres
(reduo de velocidade), alm de aumento no aquecimento do corpo condutor
(Efeito Joule). Logo, como a concentrao de eltrons livres se mantm
constante, esta diminuio no livre caminho mdio dos eltrons livres
provoca uma reduo da condutividade do metal (Eq. 1.3.6).
Logo, o aumento da temperatura acarreta, portanto, no aumento da resistividade do metal e, conseqentemente,
de sua resistncia eltrica, isto , a resistncia dependente da variao de temperatura do metal (Fig. 1.4.1). Esta
variao da resistividade no linear para certas faixas de temperatura, mas seu comportamento praticamente linear
na faixa que compreende a temperatura ambiente (em torno da qual residem as temperaturas de trabalho),
normalmente considerada como sendo 20
o
C, onde so tabeladas esta propriedade.
Desse modo, analisando-se a Fig. 1.4.1 tem-se que a declividade do segmento linear da curva de variao da
resistncia eltrica de um corpo material com a temperatura ser dada por:
1 2
T1 T2
T T
R R
T
R
tg
=
Supondo desprezveis as alteraes nas dimenses fsicas do condutor quando o mesmo sofre uma variao de
temperatura, ento dividindo-se ambos os lados da equao pela resistncia eltrica uma temperatura de referncia
qualquer, por exemplo T
1
(R
T1
), observa-se que as dimenses do condutor (rea e comprimento) se cancelam e, assim,
obtm-se uma constante independente da geometria do material e que, portanto, descreve uma caracterstica intrnseca
deste material, isto , o comportamento de sua resistividade com a temperatura. Logo:
T1
1 2
T1 T2
T1 T1
1
=
T T
R R
R R
tg
(1.4.1)
T
1
T
2

o
R
T2

T
R
R
T1

R
()
Fig. 1.4.1: Variao da resistncia
eltrica com a temperatura.
0

14

onde
T1
(unidade:
o
C
-1
) o parmetro que descreve a proporcionalidade entre resistncia eltrica e temperatura e
chamado coeficiente de variao da resistividade com a temperatura ou coeficiente de temperatura da resistividade.
Este parmetro definido, portanto, para uma determinada temperatura de referncia T
1
.
Logo, conhecidos a resistncia eltrica e o coeficiente de um metal temperatura T
1
(isto , R
T1
e
T1
,
respectivamente), pode-se, ento, obter a resistncia eltrica do metal uma temperatura qualquer T
2
(R
T2
), ou seja:
( ) ( ) [ ]
1 2 T1 T1 T2 T1 T2 1 2 T1 T1
1 2
T1 T2
T1
T1
1
1
T T R R R R T T R
T T
R R
R
+ = =
= (1.4.2)
onde T
1
a temperatura de referncia.
Como dito, os coeficientes dos materiais so normalmente tabelados a 20
o
C, ou seja, T
1
= 20
o
C. Logo, para
a temperatura de referncia 20
o
C, da Eq. 1.4.2 tem-se que a resistncia eltrica R
T
a uma temperatura qualquer T ser:
( ) [ ] 20 1
20 20 T
+ = T R R (1.4.3)
Assim, para qualquer temperatura T a resistividade do material a esta temperatura (
T
) pode ser obtida por:
( ) [ ] ( ) [ ] 20 1 20 1
20 20 T 20 20 T
+ = + = T
A
l
A
l
T R R
( ) [ ] 20 1
20 20 T
+ = T (1.4.4)
A Tab. 1.4.1 a seguir mostra a resistividade e o coeficiente de variao da resistncia com a temperatura de
alguns condutores para a temperatura de referncia 20
o
C.

Condutor
20
( m)
20
(
o
C
-1
) Condutor
20
( m)
20
(
o
C
-1
)
prata 1,6 x 10
-8
3,8 x 10
-3
nquel 7,2 x 10
-8
6,0 x 10
-3

cobre 1,7 x 10
-8
3,9 x 10
-3
ferro 10 x 10
-8
5,5 x 10
-3

alumnio 2,8 x 10
-8
4,0 x 10
-3
platina 10,5 x 10
-8
3,0 x 10
-3

ouro 2,4 x 10
-8
3,4 x 10
-3
constantan 50 x 10
-8
8,0 x 10
-6

tungstnio 5,0 x 10
-8
5,2 x 10
-3
grafite 1,4 x 10
-5
-5,0 x 10
-4

Tab. 1.4.1: Resistividade e coeficiente de temperatura a 20
o
C de alguns condutores

Comentrios:
1) Pela Tab. 1.4.1 pode-se observar que, de acordo com o valor do coeficiente de variao da resistividade com a
temperatura, existem basicamente dois tipos de materiais:
1.1) Positivos (

>

0), conhecidos como tipo PTC, isto , a resistividade (resistncia) eltrica aumenta com o
aumento da temperatura. o caso dos metais puros em geral;
1.2) Negativos (

<

0), conhecidos como tipo NTC, isto , a resistividade (resistncia) eltrica diminui com o
aumento da temperatura. o caso do grafite (Tab. 1.4.1), algumas ligas metlicas resistivas, semicondutores
e dos isolantes. Um uso particular para esta propriedade compensar elevaes de resistncia em um circuito.
2) Pela Tab. 1.4.1 nota-se ainda que algumas ligas metlicas, tal como o constantan (outro exemplo a manganina),
apresentam um coeficiente muito menor em relao aos metais puros, ou seja, a declividade do comportamento
grfico da resistncia com a temperatura praticamente nula, sendo, ento, denominados termoestveis.

1.4.2) FREQNCIA

Quando uma corrente contnua percorre um material, esta se distribui uniformemente pela seo transversal ao
fluxo da corrente. Assim, tomando-se como exemplo um condutor de seo transversal circular, a densidade de
corrente J ocupa toda a rea A do condutor (Fig. 1.4.2-a). Sendo o valor da resistncia eltrica dependente da rea
pela qual flui a corrente eltrica, ento o clculo da resistncia passagem de corrente contnua (R
CC
) , como visto,
dado pela Eq. 1.3.8. Tal clculo, no entanto, no pode ser considerado para o caso de uma corrente alternada.
Quando uma corrente variante no tempo (exemplo: corrente alternada, dita CA) flui por um material condutor,
a mesma estabelece um fluxo de campo magntico (Fig. 1.4.2-b) tambm variante no tempo, que envolve o prprio
material. Como conseqncia da Lei de Faraday (fem = - d/dt), este fluxo magntico induz uma fora eletromotriz
(fem) em qualquer condutor imerso no mesmo, inclusive no prprio material (fem auto-induzida). Porm, devido Lei
de Lenz, esta auto-induo provoca uma corrente eltrica em oposio prpria corrente original, o que tende a
diminu-la. Como as linhas de corrente distribudas mais internamente seo transversal do condutor esto sujeitas a
um maior enlace das linhas do campo magntico (Fig. 1.4.2-b), estas sofrero, ento, uma maior oposio e, portanto,
uma maior diminuio na sua intensidade do que as linhas de corrente distribudas mais externamente seo do
condutor. Assim, a densidade de corrente em um condutor, diminui gradativamente da seo externa para a interna
rea transversal ao fluxo de corrente variante no tempo (Fig. 1.4.2-b). Esta consequncia, chamado Efeito Pelicular
ou Skin, , portanto, tanto mais acentuado quanto maior a freqncia do sinal da corrente, pois maior a freqncia
do fluxo magntico (d/dt), e maior a concentrao de linhas de induo no interior do meio material, isto ,
propriedades magnticas do condutor (permeabilidade magntica) tambm influenciam o Efeito Pelicular.
15

Assim, devido ao Efeito Pelicular, a rea que efetivamente ocupada por uma corrente alternada menor do
que a utilizada por uma corrente contnua. Como a resistncia eltrica depende inversamente desta rea (Eq. 1.3.8), o
Efeito Pelicular acarreta, ento, em um aumento da resistncia do condutor passagem de correntes alternadas, com o
conseqente aumento no aquecimento do mesmo por Efeito Joule. Logo, devido a esta desuniformidade da densidade
de corrente, a Eq. 1.3.8 pode no ser apropriada para o clculo da resistncia eltrica de um condutor passagem de
corrente alternada (R
CA
), pois esta resistncia poder apresentar um valor consideravelmente maior.
Anlises tericas tm demonstrado que, quando a dimenso de uma seo transversal de um condutor muito
maior que a rea efetiva ocupada pela corrente, a densidade de corrente varia exponencialmente a partir da superfcie.
Para se obter um valor quantitativo da resistncia, considera-se, ento, que a corrente alternada se concentra apenas
em uma fina pelcula na superfcie do material, cujo alcance, determinado em teorias e denominado profundidade de
penetrao , corresponde ao decrescimento em 63% da densidade de corrente em relao superfcie e dada por:
) (m
f
= (1.4.5)
onde (m) a resistividade do material, f (Hz) a freqncia da corrente que passa pelo material, e =
r
.
o
(H/m)
a permeabilidade magntica do material (sendo
o
= permeabilidade do vcuo = 4 x 10
-7
H/m e
r
= permeabilidade
relativa do material). Analisando-se a Eq 1.4.5 observa-se, ento, que o Efeito Pelicular ser:
Menos pronunciado quanto mais resistivo () for o material, pois maior a profundidade de penetrao;
Mais pronunciado quanto maior for a freqncia f do sinal de corrente e mais permevel magneticamente () for o
material, pois menor ser a profundidade que a corrente percorre o condutor, isto , menor a pelcula de corrente.
Seja o caso simples de um fio condutor de seo transversal circular de raio r (Fig. 1.4.2-c), percorrido por
uma corrente alternada de freqncia tal que a profundidade de penetrao da corrente seja muito menor que o raio da
seo do fio ( << r). Se o campo magntico criado pela corrente alternada for uniforme, pode-se considerar uma
distribuio tambm uniforme desta corrente na pelcula e o clculo da resistncia efetiva R
CA
do fio condutor
passagem de corrente alternada poder ser aproximado resistncia CC da pelcula, cuja rea ser dada, ento, por:
[ ] r r r r r r r A 2 ) 2 ( ) 2 ( ) (
2 2 2 2 2 2
= + = =
pois, para << r, pode-se desprezar o termo
2
. Assim, a resistncia efetiva R
CA
que um condutor de seo circular
de raio r (m) e comprimento l (m) representa passagem de uma corrente alternada se resume a:
|
\
|
= =
m r
R
r
l
R
CA CA

2
ou , ) (
2
(1.4.6)
Para fios e cabos de seco de maior dimetro, o Efeito Pelicular observado at nas freqncias comerciais
(industriais) de potncia (50 ou 60 Hz) e, para se atenuar a ao deste efeito, costuma-se utilizar o cabo segmentado
(mltiplos fios). No entanto, por possurem permeabilidade magntica elevada, nos condutores ferromagnticos (ferro
e ligas) o Efeito Pelicular pode ser observado mesmo nas freqncias industriais e, assim, a alma de ao de cabos de
alumnio tem a funo apenas de oferecer resistncia mecnica. Como em freqncias elevadas a parte central do
condutor de pouco uso, este efeito aproveitado na construo de cabos anulares para transmisso de sinais de altas
freqncias (udio e RF), chamados coaxiais (Fig. 1.4.2-d), formado por um condutor interno e outro externo.

Comentrio: Um outro fenmeno que influencia a resistncia eltrica o Efeito de Proximidade, caracterizado por
uma distribuio no uniforme da densidade de corrente em um condutor, causado pela influncia da corrente em
outro condutor prximo, ou seja, trata-se de uma conseqncia da indutncia mtua entre os condutores.

EXERCCIO 1.4.1: Seja um cabo constitudo de 19 fios de cobre de seo circular e isolados entre si, onde cada fio
possui um dimetro de 0,1784 cm. Com base nestes dados, pede-se:
a) A resistncia CC por metro, de um fio do cabo, a 20
o
C ;
b) A resistividade do cobre para a temperatura de 50
o
C ;
c) A resistncia CC por metro, de um fio do cabo, a 50
o
C ;
d) A resistncia CC do cabo por quilmetro, a 50
o
C ;
e) A resistncia CA do cabo por quilmetro, a 50
o
C, para uma corrente CA de freqncia 1 MHz.
Fig. 1.4.2: (a) distribuio da densidade de corrente num condutor percorrido por corrente contnua; (b) Efeito
Pelicular em um condutor percorrido por corrente alternada; (c) profundidade de penetrao em um condutor
circular de raio r ; (d) cabo coaxial.
(a) (b) (c) (d)
A A A
material
isolante
condutor
externo
condutor
interno
pelcula
r
J J

16

SOLUO
Da Tab. 1.4.1 tem-se que a resistividade e o coeficiente de variao da resistncia com a temperatura a 20
o
C do
cobre so:
Cu, 20
= 1,7 x 10
-8

m e
Cu,

20
= 3,9 x 10
-3

o
C
-1
. Logo:
a) R
CC
de um fio do cabo, em /m, a 20
o
C :
Raio de um fio do cabo:
r = 0,1784 / 2 cm = 0,0892 cm = 0,892 x 10
-3
m
Pela Eq. 1.3.8, tem-se que:
( )
m
R
C
o
fio, CC,
10 6,8
3
= = = =
20
2
3
8
2
20 , 20 ,
20
10 892 , 0
10 7 , 1

r A
R
C
o
Cu
fio
C
o
Cu
C
o
fio, CC,

b) Resistividade do cobre a 50
o
C :
Da Eq. 1.4.4, tem-se que:
] 30 10 9 , 3 1 [ 10 7 , 1 ] ) 20 50 ( 1 [
3 8
20 , 20 , 50 ,

+ = + =
C
o
Cu C
o
Cu C
o
Cu

m
C
o
50 Cu,
10 1,8989
8
=
c) R
CC
de um fio do cabo, em /m, a 50
o
C :
Da Eq. 1.4.3, tem-se que:
] 30 10 9 , 3 1 [ 10 8 6 ] ) 20 50 ( 1 [
3 3
20 20 50

+ = + = , R R
C
o
fio, CC, C
o
fio, CC, C
o
Cu,

m R
C
o
fio, CC,
/ 10 7,596
3
50
=
Ou ainda, pela Eq. 1.3.8 e com o resultado obtido no item b):
( )
2
3
8
50 50
50
10 892 , 0
10 8989 , 1
= = =
2
C
o
Cu,
fio
C
o
Cu,
C
o
fio, CC,
r
R
m
R
C
o
fio, CC,
10 7,596
3
50
=
d) R
CC
do cabo, de 19 fios, em /km, a 50
o
C :
Sabendo-se a resistncia CC de um fio do cabo a 50
o
C, obtido no item c), e relembrando que deve-se fazer uma
correo em 2% na resistncia do cabo (mais de 3 fios) devido ao encordoamento, tem-se que:
m
R
R
nto encordoame de fator
A fios de num
R
C
o
cabo, CC,
C
o
fio CC
fio
C
o
Cu
C
o
cabo CC
= =
= =
3
3
50
50 , , 50 ,
50 , ,
10 4078 , 0 02 , 1
19
10 596 , 7
02 , 1
19 .

km
R
C
o
cabo, CC,
0,4078
50
=
e) R
CA
do cabo, de 19 fios, em /km, a 50
o
C, para um sinal de corrente de freqncia 1 MHz (10
6
Hz) :
Como os fios do cabo esto isolados, o Efeito Pelicular ocorrer em cada fio individualmente. Logo, pode-se
calcular inicialmente a resistncia CA para um fio e, a seguir, estender o clculo para o cabo. Tem-se ento:
O cobre um material no ferromagntico (
r cobre
1) e, portanto,
cobre

o
= 4 x 10
-7
H/m. Da Eq. 1.4.5
tem-se que a profundidade de penetrao no cobre a 50
o
C ser, ento:
m
f
C Cu
o
5
7 6
8
o
50 ,
10 935 , 6
10 4 10
10 8989 , 1

= = =

onde se observa portanto que << r (r = 0,892 x 10
-3
m, calculado no item a).
Da Eq. 1.4.6, tem-se ento que a resistncia efetiva R
CA
de um fio do cabo de cobre ser:
5 3
8
50 ,
50 , ,
10 935 , 6 10 892 , 0 2
10 8989 , 1
2

= =

r
R
C
o
Cu
C
o
fio CA

km m
R
C
o
fio CA
= 86 , 48 04886 , 0
50 , ,

Logo, a resistncia efetiva do cabo em /km, a 50
o
C ser:
02 , 1
19
86 , 48
02 , 1
19
50 , ,
50 , ,
= =
C
o
fio CA
C
o
cabo CA
R
R
km
R
C
o
, cabo , CA
2,623
50
=
17

1.4.3) GRAU DE PUREZA E IMPERFEIES DO MATERIAL

Aumento de resistividade nos materiais ocorre tambm quando
se da fabricao de ligas metlicas. Assim, por exemplo, dois metais de
determinados valores prprios de resistividade, quando entram na
formao de uma liga, esta apresenta uma resistividade maior que a de
seus componentes. Tal fato ocorre devido s alteraes na disposio
cristalina do produto final resultante, cuja irregularidade dificulta a
passagem dos eltrons. Conclui-se ento que, quanto mais puro o
metal, menor ser sua resistividade.
A Fig. 1.4.4 mostra a variao da resistividade da liga de cobre
e nquel, onde nota-se que a resistividade do Constantan maior que a
do cobre e do nquel puro, tal como apresentado na Tab. 1.4.1.
comum a existncia de defeitos na rede cristalina de um
material, originados no momento da cristalizao ou pela ao de uma
energia externa aplicada sobre a estrutura. Por exemplo, a atuao de
foras mecnicas, tais como as laminaes a frio e a trifilao, levam a
deformaes cristalinas no material, com conseqentes alteraes na
resistividade. Esses efeitos alteram ainda as caractersticas mecnicas do material (por exemplo, aumento da dureza),
podendo ser amenizados mediante um tratamento trmico posterior (recozimento). Por exemplo, o cobre fundido
apresenta uma resistividade menor que o cobre laminado a frio e recozido.

1.5) TERMOELETRICIDADE

Termoeletricidade a capacidade de se produzir tenses e correntes eltricas por meios puramente trmicos.
Ela se manifesta em metais atravs dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, que transformam energia trmica
diretamente em eltrica, sendo os metais um transdutor tipo termoeltrico. Tais efeitos so descritos a seguir:

a) Efeito Thomson: se um metal isolado for submetido a um gradiente de temperatura (Fig. 1.5.1-a), isto , se uma
de suas extremidades for mantida a uma temperatura T
r
e a outra a uma temperatura T
t
> T
r
, observa-se o
aparecimento de um fluxo de eltrons da extremidade quente (T
t
) para a fria (T
r
). Isto ocorre devido ao fato dos
eltrons livres na extremidade quente passarem a ocupar nveis de maior energia que na extremidade fria, o que
implica num aumento da densidade de eltrons na extremidade quente, ocorrendo, assim, uma corrente de difuso,
pois os eltrons de um material tendem a fluir para a regio de menor densidade de carga, neste caso, menor
temperatura. Essa corrente quase instantnea, visto no haver condies de se mant-la indefinidamente, e s
dura enquanto a tendncia de deslocamento causada pela diferena de temperatura maior que o campo eltrico
que ir surgir no interior do metal, formado devido separao de carga entre as extremidades. O resultado o
aparecimento de uma tenso entre as extremidades do metal, chamada fem de Thomson, que depende apenas da
diferena de temperatura entre as extremidades (Fig. 1.5.1-a). Tal comportamento chamado Efeito Thomson.
A fem de Thomson funciona como um conversor de energia trmica-eltrica pois, se for mantida uma corrente
eltrica (sentido dos eltrons), ocorre liberao de calor pelo metal se a corrente for no sentido T
r
T
t
ou absoro
de calor se no sentido T
t
T
r
, de modo a manter a conservao de energia em todos os pontos do material.
b) Efeito Peltier: na juno de dois metais diferentes surge uma tenso eltrica chamada potencial de contato, devido
diferena de funes trabalho de superfcie (energia mdia necessria para retirar um eltron de um metal) entre
os mesmos e, no contato, o maior potencial ser no de menor funo trabalho. Seja, ento, a juno de dois metais
diferentes A e B a mesma temperatura, com o respectivo aparecimento de um potencial de contato na juno. Seja
tambm uma corrente eltrica I (sentido das cargas negativas) fluindo do metal A para o metal B (Fig. 1.5.1-b). Se
as condies no metal A permitem que se mantenha a corrente I com uma energia de natureza eltrica E
A
,
(x 10
-8
.m)
sentidos de maior
pureza
50
60
40
7,
20
1,
0
100 80 60 40 20 0 %
Cu
0 20 40 60 80 100 %
Constanta
n
Fig. 1.4.4: Variao da resistividade de
uma liga de cobre e nquel com a
percentagem da mistura.
Fig. 1.5.1: Demonstrao dos efeitos : (a) Efeito Thomson; (b) Efeito Peltier; (c) Efeito Seebeck.
temperatura
de teste
T
t
T
r
< T
t
fem de Peltier
E
A
E
B
< E
A

metal A metal B
calor
calor
I
I
metal A
metal B
T
t
T
r
temperatura
de referncia
fem de
Seebeck
fonte
de calor

E

(a) (b) (c)
juno aquece juno esfria
corrente
surgida
fem de Thomson
18

enquanto que no metal B necessria uma energia E
B
< E
A
para manter a mesma corrente, ocorrer na juno uma
absoro de energia do meio na forma de calor (juno se aquece), devido aplicao direta do princpio da
conservao de energia (Fig. 1.5.1-b). Esta energia inverte seu sentido (h dissipao de calor para o meio e a
juno se esfria) se a corrente for invertida (Fig. 1.5.1-b). Este efeito ocorre, ento, devido a energia envolvida na
transmisso de carga eltrica ocorrer a taxas diferentes em cada material (diferena de entropia entre os metais),
alm da densidade e mecanismo de disperso dos eltrons e outras caractersticas intrnsecas de cada material.
O fenmeno que consiste na liberao ou absoro de calor quando uma corrente eltrica passa de um material
para outro diferente a mesma temperatura, chamado de Efeito Peltier. Uma nica juno , assim, uma fonte de
tenso (chamada potencial de contato ou fem de Peltier), dentro da qual se converte energia eltrica em calor ou
calor em energia eltrica quando da passagem de uma corrente eltrica atravs da juno.
c) Efeito Seebeck: sejam dois metais diferentes A e B unidos em duas junes mantidas a temperaturas diferentes T
t
e T
r
< T
t
(Fig. 1.5.1-c). Como resultado dos efeitos Thomson e Peltier, surge ento uma ddp resultante entre os dois
metais, chamada fem de Seebeck (ou fora termoeletromotriz) e, como as duas junes formam um circuito
fechado, surge ainda uma corrente eltrica no conjunto. O aparecimento de uma ddp e de uma corrente eltrica
entre dois metais (chamados de par termoeltrico ou termoelementos) com junes a temperaturas diferentes
chamada de Efeito Seebeck. O valor da fem de Seebeck depende dos materiais usados, da diferena entre as
temperaturas das junes e da qualidade do contato entre os metais. independente, porm, do comprimento e da
rea da seo transversal dos condutores metlicos, bem como da rea e da forma das junes.
Todos os efeitos estudados so reversveis e o calor proveniente de cada um deles se soma ao calor gerado pelo
Efeito Joule na circulao de corrente.
Para o Efeito Seebeck, desconectando-se a juno fria do par termoeltrico (juno temperatura T
r
), obtem-se,
assim, uma ddp (fem de Seebeck) entre estes terminais. Embora as fem's obtidas sejam bem pequenas (exemplo: o par
cobre-constantan produz um fem de cerca de 60 mV), o Efeito Seebeck pode ser explorado como fonte de tenso com
pares termoeltricos associados em srie e paralelo, formando as chamadas pilhas termoeltricas ou termopilhas.
Alm disso, se a temperatura T
r
(temperatura de referncia) for mantida constante, conhecida e inferior T
t
, ento a
fem de Seebeck desenvolvida nos terminais desconectados se torna funo apenas da temperatura T
t
(temperatura de
teste) e esta fem pode ser convertida para apresentar diretamente a temperatura de teste T
t
em
o
C. Assim, o par
termoeltrico pode ser empregado como sensor de temperatura, constituindo-se nos chamados termopares
O termopar o sensor de temperatura de instrumentos de medio (termmetros e pirmetros) mais largamente
utilizado na indstria. Seu uso principal na verificao e no controle de temperatura de fornos e sistemas de
aquecimento em geral. Esses pares termoeltricos so usados em medies at aproximadamente 1700
o
C, dependo da
natureza do termoelemento e sua resistncia ao calor e corroso. A vantagem de tais termmetros que, sendo
pequenos os calores especficos dos metais, a juno teste atinge rapidamente o equilbrio trmico com o sistema cuja
temperatura se quer medir e assim, segue facilmente as variaes de temperatura do sistema.
A Fig. 1.5.2-a mostra o termopar aplicado na medio de uma temperatura T
t
num determinado local, tomada
por imerso, encaixe ou contato. Atravs de fios de compensao, as extremidades 1 e 2 so mantidas bem afastadas
da temperatura T
t
a medir, de modo a garantir que essas extremidades estejam sob uma temperatura constante T
r
, o
que melhora a preciso da leitura. Desenvolve-se entre os pontos 1 e 2, ento, uma ddp proporcional diferena de
temperatura T
t
- T
r
que, lida por um milivoltmetro ligado nestes pontos, fornece em seu mostrador leituras
diretamente em graus Celsius. A perna positiva do termopar normalmente consiste de uma liga de nquel-cromo e a
negativa de nquel, cobre ou platina. Outros pares: cobre (+)-constantan (-) e ferro (+)-constantan (-).
Termopares so ainda usados para medir diferenas de temperatura, atravs de associao srie de termopares
(Fig. 1.5.2-b), e para medir temperatura mdia, atravs de associao paralela (Fig. 1.5.2-c).

1.6) SUPERCONDUTIVIDADE

Muitos fatores contribuem para a resistividade eltrica de um slido, tais como imperfeies devido a defeitos
estruturais, impurezas e vibraes da rede. Alguns materiais, no entanto, quando submetidos a uma temperatura bem
baixa, apresentam o fenmeno da Supercondutividade e so, ento, chamados de supercondutores. Este fenmeno se
Fig. 1.5.2: (a) termmetro de termopar; associaes (b) srie e (c) paralela de termopares.
perna -
perna +
fios de
compensao
ajuste
ddp
1
2
V
T
r

T
t
+
V
1
V
2
V
1
- V
2
T
1

T
2
< T
1
V
1
V
2
T
1

T
2
T
1
R R
1 2
2
V V
V
+
=

(a) (b) (c)
+ + +
19

caracteriza pela transio brusca da resistividade de um material (Fig. 1.6.1-a) para um valor imensuravelmente
pequeno, ou condutividade quase infinita, quando atingida uma certa temperatura, chamada temperatura crtica T
C

do material. O resultado deste fato que, num material em seu estado supercondutor, pode-se manter indefinidamente
em circulao uma determinada corrente sem que se possa detectar seu decaimento.
O estado supercondutor, porm, corresponde a uma mudana de fase e implica propriedades qualitativamente
diferentes para as substncias e que no podem ser explicadas somente com a hiptese da resistividade nula.
Em 1933, Meissner e Oschenfeld descobriram que, se uma substncia supercondutora for resfriada abaixo de
sua temperatura crtica na presena de um campo magntico aplicado, a substncia expulsa todo e qualquer fluxo
magntico em seu interior (Fig, 1.6.1-b). Se o campo magntico for aplicado depois de estabelecido o estado
supercondutor na substncia, o fluxo magntico excludo do mesmo. Ambos os efeitos foram denominados Efeito
Meissner. Um supercondutor age, portanto, como um material diamagntico perfeito.
A Fig. 1.6.1-c mostra que, se um pequeno im permanente for colocado sobre uma superfcie perfeitamente
supercondutora, flutuar. Se o im for colocado sobre a superfcie que posteriormente tornada supercondutora,
subir e flutuar. Assim, uma fora repulsiva suficientemente grande para compensar o peso do im aparece entre o
mesmo e o supercondutor diamagntico, porque este expulsa as linhas de fluxo magntico associadas ao im.

Segundo a Lei de Lenz, quando um fluxo magntico variante no tempo atravessa um condutor, neste induzido
uma corrente numa direo tal que esta se ope variao do fluxo externo. Num tomo diamagntico, os eltrons
orbitais modificam seu movimento de rotao de modo a produzir um movimento magntico resultante oposto ao
campo magntico aplicado. Analogamente, pode-se dizer, ento, que um campo magntico no penetra no interior de
uma substncia supercondutora porque, nesta, os eltrons de conduo, cujos movimentos so to desimpedidos
quanto num tomo, ajustam seus deslocamentos de maneira a produzir um campo magntico oposto. Dentro desse
prisma, o supercondutor comporta-se como um nico tomo diamagntico.
Assim, as duas caractersticas principais dos supercondutores, explicitamente, a excluso do fluxo magntico e
a ausncia de resistncia a um fluxo de corrente, esto relacionadas entre si. necessrio haver uma corrente
persistente e sem resistncia para manter a excluso do fluxo enquanto estiver ligado o campo magntico. Este fato
demonstra a incompatibilidade entre corrente eltrica e campo magntico no estado supercondutor.
Logo, numa superfcie supercondutora mergulhada num campo magntico, induz-se em sua superfcie correntes
de tal forma a expulsar o campo magntico de seu interior. Quando cessado o campo externo, estas correntes, por no
haver resistncia aos seus deslocamentos, continuam a persistir no meio supercondutor. Diz-se, ento, que o fluxo
magntico externo mantido preso no supercondutor.
Para o campo magntico externo, porm, observa-se que h um limite na sua
intensidade, denominado campo crtico H
C
, acima do qual o supercondutor retorna para
o seu estado normal. O valor desse campo crtico depende da temperatura do material
supercondutor. Uma exemplificao do comportamento do campo crtico H
C
com a
temperatura dado na Fig. 1.6.2, estabelecido para o chumbo. Por este grfico nota-se
que a temperatura crtica de um material depender do montante do campo magntico
externo. Conseqentemente, quando o campo magntico externo aumenta, a temperatura
crtica do material diminui. Desse modo, quando se atinge um campo magntico externo
H > H
C 1
a 0 K, no se observa o comportamento supercondutor para o material tambm
a nenhuma temperatura. Pelo grfico observa-se ainda que H
C
nulo quando T = T
C
e,
portanto, para se observar o fenmeno da repulso de um campo magntico de seu
interior, o supercondutor deve estar abaixo de sua temperatura crtica T
C
.
Os metais puros so os melhores condutores eltricos temperatura normais de trabalho e, em geral, reduzem
sua resistividade com a diminuio da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam a propriedade da
supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor so candidatos a supercondutores.
Por exemplo, o alumnio (T
C
= 1,2 K) e o mercrio (T
C
= 4,2 K) so supercondutores, mas no ouro, prata e cobre no
se verifica o estado supercondutor. Outros exemplos de materiais supercondutores so: nibio (T
C
= 9,2 K), estanho
(T
C
= 3,8 K), tntalo (T
C
= 4,4 K), hidrognio (T
C
= 4,2 K), chumbo (T
C
= 7,2 K) e compostos intermetlicos nibio-
estanho (T
C
= 18 K) e nibio-germnio (T
C
= 23 K).
Fig. 1.6.2: Variao de
H
C
com a temperatura
para o chumbo.
H
C
(10
4
A/m
2
)
0 3 6
T
C

T (K)
estado
normal
estado
super-
condutor
H
C1
Fig. 1.6.1: (a) variao brusca da resistividade de um material com caracterstica supercondutora; (b) ilustrao
do Efeito Meissner; (c) im permanente flutuando sobre uma superfcie supercondutora.
(a) (b) (c)

ma
m
superfcie
supercondutora
T > T
C T < T
C
H

H

T
C

T (K)

0
20

At 1986 havia uma barreira na temperatura crtica, obtida com componentes intermetlicos tal como o nibio-
germnio, que era T
C
= 23 K. Nestes ano, Mueller e Bednorz observaram que uma nova classe materiais xidos
exibiam supercondutividade uma temperatura muito superior que as observadas at ento. A quebra da barreira foi
conseguida com o xido de cobre (T
C
= 35 K) e, desde ento, novas barreiras vm sendo estabelecidas. Nos mais
recentes vm sendo utilizadas tambm as chamadas terras raras (lantandeos), tais como os compostos cobre-lantnio-
brio e cobre-lantnio-estrncio. Parece razovel, ento, que a meta a ser atingida a temperatura ambiente. Contudo,
uma das principais questes a ser respondidas porque estes materiais so supercondutores a tais temperaturas.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prtica ser hoje uma realidade, h muitos problemas que
precisam ser resolvidos. Por exemplo, muitos destes materiais so difceis de serem produzidos consistentemente, pois
se mostram mais resistentes em algumas direes do que em outras. Em geral, so ainda bastante quebradios para
serem usados como fios flexveis. Alm disso, eles exibem certas anisotropias cristalinas, fazendo um fluxo de
corrente variar por um fator de 30 dependendo da direo do fluxo. Estes materiais parecem perder suas propriedades
supercondutivas quando densidades de corrente excedem certos valores crticos, da ordem de 10
5
A/m
2
, valores,
porm, suficientes para aplicaes em transmisso, gerao, circuitos eletrnicos e eletromagnticos.
Existem muitas aplicaes da supercondutividade. Algumas so citadas a seguir:
Reduo da energia necessria para o transporte de cargas e passageiros atravs de trens levitados sobre campos
magnticos;
Transporte de grandes quantidades de energia com mnimas perdas, atravs do uso de cabos supercondutores em
linhas de transmisso;
Construo de ims supercondutores para utilizao em motores eltricos e geradores, onde os campos provm de
correntes que circulam sem resistncia nos enrolamentos dos ims;
A ausncia de dissipao de potncia em elementos supercondutores torna possvel vrias aplicaes eletrnicas
onde exigncias de espao e tempo de transmisso so srias, como nos computadores;
Como os supercondutores so diamagnticos, podem ser usados para blindar fluxos magnticos indesejveis, o que
pode ser usado, por exemplo, para aumentar o poder de resoluo real de um microscpio eletrnico.

1.7) O FATOR CUSTO DOS MATERIAIS

Na elaborao e execuo de um projeto ou produto, para se determinar quais os materiais que devero ser
utilizados para determinada aplicao, deve-se especificar, com base na sua finalidade, quais as propriedades
intrnsecas de interesse que dever apresentar o material. Assim, conforme o caso, procura-se os materiais com boas
propriedades eltricas, magnticas, fsicas, qumicas, etc, procurando-se obter a correta avaliao da matria prima,
optando-se por escolher aqueles que possuem, no geral, as melhores propriedades intrnsecas possveis. Desse modo,
procura-se obter um bom resultado final e um produto competitivo qualitativamente.
Contudo, numa economia de mercado, custo e lucro so parmetros essenciais a uma empresa, que procura
otimiz-los o mximo possvel. Se o custo no for um fator limitante, pode-se utilizar os melhores e, as vezes, mais
caros materiais disponveis. Porm, um produto deve tambm ser competitivo comercialmente e na execuo de um
projeto procura-se o menor custo final. Assim, a concorrncia exigida pelo mercado coloca muitas vezes o fator preo
dos materiais em evidncia como um aspecto decisivo e limitante, porque menor custo final implica na possibilidade
de maior lucro. O custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto.
Logo, o custo, apesar de no ser uma propriedade intrnseca do material, pode ser um fator decisivo para a sua
escolha. O material dever ter caractersticas intrnsecas que se adeqem uma aplicao e o custo surge como o
parmetro econmico que ir ratificar o seu emprego. Assim, o fator tcnico dever ser avaliado juntamente com o
fator custo. Por exemplo, um produto de menor custo final, mas que atende as especificaes e exigncias mnimas do
mercado tem maior chance de ser comercialmente competitivo.
Muitas vezes o que se procura um bom desempenho, com menor qualidade, mas a um preo baixo, e um
material inferior em qualidade, mas de custo menor, pode viabiliz-lo como o material a ser adotado, isto ,
deficincias do material so compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito
valorizado e um produto inferior qualitativamente poder ser inferior comercialmente. Um produto inicialmente
barato pode se tornar oneroso a longo prazo se no for pelo menos atualizado e durvel. O problema pode ser
resumido, ento, em otimizar a avaliao custo-benefcio dos materiais a serem empregados, pois um projeto ou
produto vivel economicamente porque tem preo competitivo e se adeqa s caractersticas mnimas exigidas.
A anlise econmica de um material pode ser complexa porque h muitos parmetros a serem avaliados. O
estudo da viabilidade econmica de um material pode envolver, alm do seu preo, sua disponibilidade no mercado
(volume de extrao, produo, industrializao, manufatura, etc), facilidade de transporte (a prpria localizao da
empresa pode influenciar no custo do transporte), mo de obra qualificada disponvel, tempo de aquisio (maior
agilidade na execuo de um projeto ou produto pode implicar em menor custo final), facilidade na sua reposio e
manuteno, etc. Por exemplo, caractersticas como durabilidade esto diretamente ligadas ao fator econmico porque
implica em menor manuteno e maior tempo de reposio. Assim, toda a anlise econmica de um produto ou
projeto visa a menor necessidade de investimentos e o maior lucro.
21

A escolha de materiais condutores para as suas diversas aplicaes pode ser um exemplo da anlise tcnica
aliada ao fator custo. Metais como ouro e prata so timos condutores mas no so utilizados como fios e cabos
condutores por serem muito pesados (elevada massa especfica) e por terem preo proibitivo. Contudo so usados,
junto com suas ligas, em peas de contato por terem grande resistncia corroso. O cobre mais caro que o
alumnio, mas melhor condutor e menos corrosivo, sendo o material mais utilizado como condutor em instalaes de
baixa tenso e equipamentos (motores, transformadores, etc.) por ser, por exemplo, fcil de soldar e emendar.
Contudo, mesmo sendo o alumnio mais frgil mecanicamente que o cobre, ele mais leve (possui menor massa
especfica que o cobre) e, porisso, grandemente empregado como cabo de linhas de transmisso para altas tenses
porque exige menores estruturas de sustentao, o que implica em menor custo da obra.

QUESTES

1) Explique o que um material condutor e enumere pelo menos trs caractersticas de cada condutor estudado.
2) O que a grafita? Cite algumas propriedades e aplicaes.
3) Qual a razo de se fabricar ligas metlicas? Qual a finalidade das ligas resistivas?
4) Exponha os problemas que podem ocorrer em peas de contato.
5) O que so fusveis? Quais so os seus tipos?
6) O que um bimetal? Qual o seu princpio de funcionamento?
7) Comente sobre fios e cabos condutores.
8) O que a condutividade? Que fatores que influenciam na resistividade de um condutor?
9) Comente sobre os efeitos da termoeletricidade. O que o termopar?
10) Comente sobre a supercondutividade.
11) Qual a importncia do fator custo dos materiais?

PROBLEMAS PROPOSTOS

PROBLEMA 1: A figura ao lado mostra um circuito eltrico contendo um dispositivo com sensor bimetlico, usado
para indicar, atravs de duas lmpadas L
1
e L
2
, se a temperatura do local se encontra fora de certa faixa de
temperatura desejada (no caso da figura, L
1
e L
2
esto apagadas, o que
indica temperatura dentro da faixa). No par bimetlico, o metal B o que
apresenta o maior coeficiente de dilatao trmica. Pede-se:
a) Explique qual lmpada indica temperatura abaixo da faixa;
b) Se a distncia entre os contatos eltricos fixos e o mvel for aumentada,
explique que parmetro do circuito ser ajustado.

PROBLEMA 2: Seja um fio de material condutor de seo transversal circular com 1 mm de dimetro e
comprimento de 100 m. Este fio percorrido por uma corrente contnua de 1,6 A quando no mesmo aplicado uma
tenso contnua de 12V. Determine a resistividade em m e a condutividade em S/m do material do fio condutor.

PROBLEMA 3: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma bitola e comprimento. Sabe-se que o material do fio A
melhor condutor eltrico que o material do fio B. Apesar disso, aplicando-se a mesma tenso alternada a cada fio,
observa-se que a corrente eltrica no fio A menor. A explicao o material do fio A melhor condutor magntico
que o material do fio B plausvel? Explique.

PROBLEMA 4: Sejam dois resistores conectados tal como mostrado ao lado, onde o ohmmetro
acusa a leitura de 0,6 k. Sabe-se que a seqncia das 3 primeiras cores do cdigo de um dos
resistores : laranja-preto-vermelho. Determine a seqncia de cores do outro resistor.

PROBLEMA 5: Seja um fio de cobre de rea A
Cu
e comprimento l
Cu
, e um fio de alumnio de rea A
Al
= 3 A
Cu
e
comprimento l
Al
= 1,5 l
Cu
. Determine qual dos fios tem maior resistncia e qual dos fios possui maior peso. Considere
temperatura ambiente (20 C). Dados: massa especfica (g/cm
3
) = = m/V, onde m (g) e V (cm
3
) so, respectivamente,
massa e volume da amostra do material;
Cu
= 8,87 g/cm
3
e
Al
= 2,7 g/cm
3
, ambos a 20 C.

PROBLEMA 6: Sejam dois cabos condutores 1 e 2 de mesmo comprimento e de materiais A e B, respectivamente.
Sabe-se que o cabo 1 tem a fios e o material A possui condutividade
A
e massa especfica
A
. Sabe-se tambm que o
cabo 2 tem b fios e o material B tem condutividade
B
= 2
A
e massa especfica
B
= 5
A
. Sabe-se ainda que os fios
dos cabos 1 e 2 tm mesma rea de seo transversal. Determine a faixa de valores que deve ter a razo a/b para que o
cabo 1 tenha, simultaneamente, menor resistncia e menor peso que o cabo 2. Dado: = m/V.
V
L
2

L
1

mola
bimetal
contato eltrico fixo
contato eltrico mvel
A B
22

PROBLEMA 7: A figura dado ao lado mostra a variao da resistncia com a
temperatura, de dois resistores R
A
e R
B
, de materiais A e B, respectivamente.
Determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a
20
o
C, compare os resultados e comente.

PROBLEMA 8: O grfico ao lado mostra a variao da resistncia equivalente entre dois resistores R
A
e R
B
em srie,
em funo do incremento de temperatura T em relao temperatura de referncia 20
o
C, onde
m a declividade da reta. Sabe-se que a 20
o
C , R
A
= 10 e o coeficiente de temperatura da
resistividade do material do resistor R
A
3 x 10
-4

o
C
-1
. Pede-se:
a) O coeficiente de variao da resistncia com a temperatura a 20
o
C do material do resistor R
B
,
para os seguintes valores de declividade da reta: m = 0,01 ; m = 0 ; m = -0,01.
b) O que se pode concluir sobre a resistncia equivalente quando a declividade nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura da resistividade do material do resistor R
B

negativo? Comente o resultado.

PROBLEMA 9: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20
o
C so,
respectivamente, 0,08 mm
2
/m e 0,004
o
C
1
, e ainda que a permeabilidade relativa do metal 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistncia CC por quilmetro a 50
o
C, de um cabo constitudo por 7 fios de 1 mm de dimetro do metal;
b) Em um fio do metal a 50
o
C, com 2 mm de dimetro e 10 m de comprimento, foi aplicado uma tenso alternada
eficaz de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potncia de 10 W. Determine a freqncia da tenso alternada.

PROBLEMA 10: A figura ao lado mostra uma fonte de tenso contnua alimentando dois fios resistivos R
A
e R
B
de
mesmo valor a uma certa temperatura inicial, quando observa-se que os fios dissipam uma certa potncia total P
D
.
Sabe-se que o material do fio R
A
do tipo NTC, que o do fio R
B
do tipo PTC, e que ambos materiais possuem, em
mdulo, o mesmo coeficiente de temperatura da resistividade na temperatura inicial. Pede-se:
a) Explique o que acontece com a potncia P
D
se a temperatura dos fios aumentar por igual;
b) Explique o que acontece com a potncia P
D
se a fonte de tenso contnua for substituda por uma
fonte de tenso alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).

PROBLEMA 11: O grfico ao lado mostra a variao da resistncia com a temperatura,
de dois resistores R
A
e R
B
de materiais A e B, respectivamente. A 20
o
C, sabe-se que a
resistncia equivalente vale 50 quando R
A
e R
B
esto em srie, e 12 com R
A
e R
B

em paralelo. Com base nestes dados, determine o valor dos coeficientes de temperatura
da resistividade dos materiais A e B a 20
o
C .

PROBLEMA 12: Dispe-se de trs fios metlicos A, B e C, de
comprimentos 20 cm, 15 cm e 30 cm, respectivamente, e de bitolas 0,2
mm
2
, 0,3 mm
2
e 0,6 mm
2
, respectivamente. Deseja-se testar pares
termoeltricos. Para isso, conecta-se os fios dois a dois e, sob o mesmo
aquecimento da juno, mede-se com um voltmetro a tenso obtida nas
extremidades em aberto, tal como mostrado na figura ao lado. Com o par
A e B, obtm-se 0 V, e com o par B e C, 10 mV. Determine e explique qual a leitura do voltmetro para o par C e A.

PROBLEMA 13: A figura ao lado mostra um fio resistivo uniforme na forma de um
circuito retangular fechado. Deseja-se medir a resistncia entre dois pontos quaisquer
do fio com um ohmmetro, onde uma ponta de prova fixada no ponto O e a outra
percorre o fio. Sabendo-se que o ohmmetro mede 15 quando a ponta de prova
mvel atinge o ponto A, calcule a medida quando a ponta de prova mvel passa nos pontos B, C e D.

PROBLEMA 14: Sejam trs barras resistivas, conectadas tal como mostrado na figura ao lado. A
rea da seo transversal de cada barra 1,2 cm
2
e as mesmas esto submetidas aos potenciais
eltricos em suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial V
J
na juno das
barras, o valor e o sentido das corrente eltricas em cada barra e a resistncia eltrica das barras.
Dados: condutividades eltricas:
1
= 5 x 10
4
S/m,
2
= 6,25 x 10
4
S/m e
3
= 12,5 x 10
4
S/m.

PROBLEMA 15: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seco transversal (bitola) e mesmo comprimento.
Sabe-se que a condutividade eltrica do material do fio B maior que a do fio A. Conectando-se os dois fios em srie,
obtm-se uma resistncia equivalente de 10 e, em paralelo, uma resistncia equivalente de 2,1 . Determine o valor
das resistncias dos fios A e B e explique sua resposta.
R
eq
()
T (
o
C)
40
0
m
20
R

()
T (
o
C)
50
0
51
49,6
retas paralelas
R
B

R
A

V

R
A
R
B
R
A
, R
B

()
0 20 T (
o
C)
30,6
19,5
R
A

R
B

1 2
6 V
4 V
V
J

3
2 V
30 m
15 m
12 m
O

A B C
2x 2x
x
x
D
A B
V
B C
V
C A
V

23
CAPTULO 2: MATERIAIS ISOLANTES E MAGNTICOS

2.1) INTRODUO

Em engenharia, materiais condutores e semicondutores so usados essencialmente para o transporte e controle
de carga eltrica por sua estrutura. Materiais isolantes e os de aplicaes magnticas, no entanto, no so usados para
estas finalidades devido s suas propriedades essenciais. Desse modo, em engenharia, normalmente os materiais ditos
isolantes so empregados para separar eletricamente partes energizadas de suas estruturas de suporte, ou permitir o
manuseio das mesmas sem riscos, ou ainda no armazenamento de campo eltrico; e os materiais ditos magnticos so
utilizados para facilitar e intensificar a concentrao de linhas de fluxo magntico requerida por alguma aplicao.
Este captulo tem como objetivo, ento, conhecer alguns aspectos destes materiais.

2.2) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS

Materiais isolantes se caracterizam por apresentarem elevada resistividade eltrica, da ordem de 10
7
a 10
18
m,

nos quais a corrente que o atravessa, resultante de uma ddp aplicada ou a ser isolada, considerada desprezvel. A
razo para este comportamento est na estrutura de bandas de energia, pois os mesmos apresentam, comparado aos
condutores e semicondutores, um gap de energia entre a BV e a BC (E
G
) elevado, em torno de 6 eV. Logo, estes
materiais apresentam baixa concentrao de eltrons livres, em torno de 10
6
eltrons livres/cm
3
(como comparao,
semicondutores puros possuem entre 10
10
a 10
15
portadores livres/cm
3
e, condutores, 10
23
eltrons livres/cm
3
). As
pequenas concentraes de eltrons livres nos isolantes produzem, ento, correntes desprezveis quando estes so
submetidos a diferenas de potencial compatveis. Logo, este carter quantitativo revela que este material isola, no
porque sua estrutura impea o escoamento de um grande fluxo eletrnico, e sim porque a mesma dotada de baixas
concentraes de eltrons livres, o que explica a elevada resistividade destes materiais.
Dieltrico o meio material isolante entre duas superfcies condutoras. Quando uma ddp aplicada entre as
superfcies condutoras de forma a produzir um campo eltrico no interior do conjunto, ocorre armazenamento de
energia na forma de campo eltrico devido ao armazenamento de carga eltrica no conjunto. Assim, dieltrico
geralmente o termo para o material isolante aplicado em estudos e aplicaes de efeitos capacitivos.

2.2.1) POLARIZAO DO DIELTRICO

Tanto nos materiais isolantes quanto nos condutores aparecem cargas induzidas em suas superfcies quando os
mesmos so imersos em um campo eltrico. Porm, quando um material condutor isolado colocado em um campo
eltrico, seus portadores de carga livres (eltrons livres) se deslocam facilmente como resultado das foras exercidas
sobre elas pelo campo eltrico, apresentando, num estado estacionrio final, uma carga induzida em uma superfcie
(separao de carga) e um campo eltrico nulo em seu interior. Um dieltrico, no entanto, praticamente no possui
cargas livres. Logo, o aparecimento de cargas induzidas em sua superfcie deve se dar de outra forma.
Um grupo de cargas eltricas em que o centro de gravidade das cargas positivas e negativas no coincidente
constitui-se no chamado dipolo eltrico. As molculas podem, ento, serem classificadas em polares e no polares.
Molcula polar , portanto, aquela em que o centro de gravidade do ncleo positivo no coincide com o dos eltrons,
enquanto que na molcula no polar eles coincidem. A molcula polar caracteriza os chamados dipolos permanentes e
os dieltricos de polares, e a molcula no polar caracteriza, ento, os dieltricos no polares. Contudo, como ser
visto a seguir, perante um campo eltrico externo, em ambos os tipos de dieltricos ocorrem um alinhamento de
dipolos na direo e sentido contrrio ao campo, que no total, pois impedido pela agitao trmica.

Seja um dieltrico no polar (Fig. 2.2.1-a). Sob a influncia de um campo eltrico externo E, as cargas de uma
molcula no polar se deslocam na direo deste campo, isto , tornam-se polarizadas (Fig. 2.2.1-b) e so chamadas
de dipolos induzidos. As cargas separam-se at que uma fora eltrica restauradora, conseqncia de um campo
Fig. 2.2.1: Comportamento de molculas no polares (a) na ausncia e (b) na presena de um campo eltrico
externo; comportamento de molculas polares (c) na ausncia e (d) na presena de um campo eltrico externo.
E

E
ind

(a) (b) (c) (d)
E
nat

E
CAPTULO 2: Materiais isolantes e magnticos
24

eltrico induzido (E
ind
, Fig. 2.2.1-b), se torne igual e oposta fora exercida sobre as cargas pelo campo externo, isto
, ocorre uma induo e orientao dipolos orientados na direo e sentido contrrio ao campo externo (Fig. 2.2.1-a).
Quanto mais intenso o campo externo, mais dipolos so criados e orientados e o processo reversvel, isto , quando
o campo externo retirado, os dipolos induzidos so desfeitos e o dieltrico se torna novamente despolarizado.
Seja um dieltrico polar (Fig. 2.2.1-c), ou seja, formado por dipolos permanentes. Estes dipolos naturais (E
nat
,
Fig. 2.2.1-c) esto orientados ao acaso quando nenhum campo externo aplicado e se anulam mutuamente, isto , o
dieltrico no apresenta um momento de dipolo resultante. No entanto, semelhante aos dieltricos no polares, um
campo eltrico externo aplicado a um material polar exerce uma fora que gera um conjugado nos dipolos naturais,
orientando-os na direo e sentido contrrio ao do campo (Fig. 2.2.1-d). Quanto mais intenso o campo externo, maior
o efeito de alinhamento, e o processo tambm reversvel.
Seja agora um dieltrico qualquer imerso num campo eltrico E
(Fig. 2.2.2). O efeito do campo eltrico sobre molculas polares e no-
polares , como visto, essencialmente o mesmo, isto , o campo polariza
(orienta) os dipolos eltricos. Assim, imaginando-se duas camadas
superficiais extremamente delgadas, indicadas pelas linhas tracejadas na
Fig. 2.2.2, como efeito resultante da polarizao dos dipolos eltricos
cria-se um excesso de cargas positivas em uma camada e negativas na
outra. So, ento, estas camadas de cargas que do origem carga
induzida nas superfcies do dieltrico. Essas cargas, portanto, no so
livres, sendo cada uma delas ligada a uma molcula situada na superfcie
ou prximo dela. Assim, num dieltrico polarizado por campo eltrico
externo, a carga resultante por unidade de volume permanece nula.

2.2.2) RIGIDEZ DIELTRICA E EFEITO CORONA

A capacidade de um material isolante em manter isoladas eletricamente superfcies a potenciais diferentes a
propriedade rigidez dieltrica. Rigidez dieltrica (E
mx
) o limite mximo da tenso eltrica por unidade de espessura
que um determinado material pode suportar sem romper-se, isto , o valor mximo de diferena de potencial aplicada,
acima do qual o dieltrico deixa bruscamente de funcionar como isolante, permitindo a passagem de corrente eltrica
por seu meio. , portanto, a propriedade do dieltrico de se opor descarga eltrica atravs de sua estrutura, ou seja,
expressa a capacidade de isolao eltrica de um material. Unidade usual: kV/mm.
A rigidez dieltrica varia com a temperatura, umidade, freqncia e tempo de aplicao da tenso. Nas
freqncias industriais (50 e 60 Hz), os valores de rigidez dieltrica relacionados com as sobretenses transitrias so
parmetros significativos na avaliao de componentes isolantes para cabos de alta tenso. A Tab. 2.2.1 mostra o
valor da rigidez dieltrica de alguns materiais na temperatura ambiente padro.

Material E
mx
(kV/mm) Material E
mx
(kV/mm) Material E
mx
(kV/mm)
ar seco 3 EPR 53 vidro 80
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
PVC 50 polietileno reticulado 65 leo mineral 15 a 280
Tab. 2.2.1: Rigidez dieltrica de alguns materiais a 20
o
C.

Quando as densidades de campo eltrico em condutores energizados em alta tenso e imersos no ar, excedem
um certo valor, surge uma regio de ar ao redor dos mesmos ligeiramente ionizada e com pequenas descargas eltricas
do condutor para o ar, de cor violeta plida. Esta descarga, chamada Efeito Corona, influenciada pelas condies do
ar (umidade, temperatura, presso e poluio) e pelo tipo de tenso aplicada (AC ou DC), e provoca perdas na forma
de emisses luminosas e de rudo audvel, interferncias de rdio e TV, vibrao do condutor e formao de oznio.
As perdas resultantes da ocorrncia de corona em linhas de transmisso obrigam, ento, os projetistas a
cuidados especiais no dimensionamento de chaves de alta tenso, espaamento entre barramentos e cabos, e aumento
dos raios de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens das torres de sustentao.

2.2.3) CAPACITNCIA

Seja um condutor isolado com carga Q e sob potencial V. Variando-se sua carga para nQ observa-se que seu
potencial se altera para nV, tal que a relao Q/V se matem constante, isto , a carga de um condutor e o seu potencial
so grandezas proporcionais. Esta relao chamada capacitncia (smbolo: C

; unidade: Farad, F), tal que Q/V = C,
e depende da forma geomtrica e do dieltrico que envolve o condutor, mas independe da natureza do condutor.
Seja, ento, por exemplo, um condutor A isolado por um dieltrico, de capacitncia C e carregado com carga
positiva Q sob potencial V em relao referncia terra. Se em presena do condutor A for colocado um segundo
condutor B neutro, aterrado e isolado de A pelo dieltrico, nota-se que o campo eltrico criado pelas cargas de A
Fig. 2.2.2: Polarizao de um dieltrico
originando finas camadas de carga
ligadas na superfcie do dieltrico.
E
25

induziro cargas negativas em B, o que acarreta uma queda de potencial no prprio condutor A devido influncia
das cargas induzidas em B. Logo, para o condutor A atingir novamente o potencial V deve-se acrescentar mais cargas
positivas ao mesmo. Conclui-se, desse modo, que a presena do condutor B permite ao condutor A armazenar maior
quantidade de carga sob mesmo potencial, ou seja, a capacitncia de A aumenta em conjunto com B. Esse aumento na
capacitncia de A tanto maior quanto maior for a induo em B e ser mximo quando ocorre induo total, isto ,
todas as linhas de campo eltrico criado pelas cargas do condutor A atingem o condutor B.
Um conjunto constitudo por duas superfcies condutoras separadas por um dieltrico e com a funo especfica
de armazenar energia na forma de campo eltrico (isto , armazenar cargas eltricas), chamado capacitor, sendo,
ento, a capacitncia do conjunto a grandeza que descreve esta capacidade. O meio dieltrico pode ser o ar ou o
vcuo, mas o uso de um dieltrico slido apresenta algumas vantagens:
1) O emprego do dieltrico slido resolve o problema mecnico de se manter duas superfcies condutoras separadas
por uma distncia muito pequena, sem se tocarem efetivamente;
2) Como a rigidez dieltrica do dieltrico slido maior que a do ar, maior a diferena de potencial mxima que o
capacitor com dieltrico slido pode suportar sem se danificar;
3) A capacitncia de um capacitor de dimenses dadas maior com um dieltrico slido entre as superfcies
condutoras do que se entre as mesmas estivesse ar ou vcuo. Este aspecto discutido a seguir.
Seja na Fig. 2.2.3-a um exemplo de capacitor constitudo por duas placas condutoras paralelas, carregadas com
cargas iguais e opostas +Q e Q (isto , a carga armazenada no conjunto Q), tendo inicialmente entre as mesmas o
vcuo como meio dieltrico. O conjunto apresenta, ento, uma ddp V
o
entre as placas, resultado do campo eltrico
uniforme E formado pelas cargas armazenadas. Diz-se, ento, que o capacitor armazenou uma carga eltrica Q na
forma de campo eltrico e, como conseqncia, apresenta uma tenso V
o
entre os terminais das placas.

Introduzindo-se um dieltrico slido entre as placas (Fig. 2.2.3-b), ento, como visto no item 2.2.1, observa-se
o aparecimento de cargas induzidas de sinais opostos na superfcie do dieltrico (Fig. 2.2.3-c) e, como um segundo
efeito, a polarizao de dipolos eltricos (naturais ou induzidos) no dieltrico, na direo e sentido contrrio ao campo
eltrico entre as placas (Figs. 2.2.1-b e d). Logo, os dipolos orientados resultaro em um campo eltrico induzido que
se ope ao campo entre as placas (Fig. 2.2.3-c), provocando um enfraquecimento deste campo (Fig. 2.2.3-d). Este
enfraquecimento provoca, portanto, um decrscimo na ddp entre as placas para um valor V
1
< V
o
, mesmo com a carga
das placas permanecendo constante. Este efeito pode ser interpretado tambm como uma diminuio da carga total do
conjunto condutor + dieltrico (Fig. 2.2.3-d). Assim, quanto maior a polarizao, menor o adensamento do campo
eltrico em sua estrutura e maior o decrscimo da ddp entre as placas condutoras.
Observa-se, ento, que a introduo de um dieltrico slido em um capacitor diminui o campo eltrico e a ddp
entre suas placas. Logo, esta nova situao permite o aumento da carga eltrica nas placas de modo a obter a mesma
ddp antes da introduo do dieltrico slido, isto , pode-se armazenar mais energia na forma de campo eltrico para a
mesma tenso. Conclui-se, assim, que a capacitncia do conjunto aumenta com o emprego de um dieltrico slido.

2.2.4) PERMISSIVIDADE DIELTRICA

A propriedade que descreve o maior ou menor grau de polarizao de um dieltrico em presena de um campo
eltrico externo, ou ainda, a capacidade de um dieltrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo eltrico por sua
estrutura chamada permissividade dieltrica (unidade: F/m, F = Farad). Logo, quanto menor o adensamento (isto
, maior o enfraquecimento) do campo eltrico externo no interior do dieltrico, maior a permissividade dieltrica do
isolante porque maior a polarizao de seus dipolos eltricos contrrios ao campo externo.
O valor da permissividade dieltrica do ar ou vcuo (
o
) uma constante universal, determinadas como sendo:
o
= 8,854 x 10
-12
F/m. As permissividades dos materiais so geralmente tabeladas com relao esse valor. Assim, o
termo permissividade relativa do material (
r
), definido como a relao entre a permissividade do meio e a
permissividade
o
do vcuo, ou seja:

campo resultante
+Q
cargas induzidas
-Q +Q
dieltrico slido
-Q
+Q
vcuo
placa placa
(a) (b) (c) (d)
-Q
V
o V
1
E
campo induzido
Fig. 2.2.3: (a) campo eltrico num capacitor a vcuo; (b) introduo de um dieltrico slido; (c) cargas superficiais
induzidas e seu campo eltrico; (d) campo eltrico resultante.
carga
resultante
26

o
=
r
(2.2.1)
sendo
r
, portanto, adimensional. A permissividade relativa
r
tambm conhecida como constante dieltrica K,
definida como a relao entre a capacitncia C (F) de um capacitor preenchido por um material dieltrico e a
capacitncia C
o
de um capacitor igual, com o dieltrico substitudo pelo ar ou vcuo, ou seja:
o
C
C
K
r
= =
(2.2.2)
A permissividade dieltrica dos materiais depende das condies de trabalho e varia em funo da temperatura
e da freqncia de utilizao. Em freqncias elevadas, em virtude da impossibilidade dos dipolos permanentes
acompanharem a grande variao do campo eltrico criado pela polarizao
alternada, ocorre apenas a chamada polarizao eletrnica (criao de dipolos
induzidos), o que resulta numa queda no valor da constante dieltrica. Logo, pode
ocorrer que, quanto maior for a freqncia do sinal aplicado a um capacitor, menor
a possibilidade do mesmo armazenar energia na forma de campo eltrico e,
portanto, ocorre uma diminuio da capacitncia do capacitor. Um exemplo de
variao de K com a freqncia exemplificado na Tab. 2.2.2 para o dieltrico
PVC. A Tab. 2.2.3 a seguir, apresenta a constante dieltrica de alguns dieltricos
temperatura de 25 C e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.

Material K Material K Material K
ar puro e seco ~ 1,0 leo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,1 a 5,5 xido de alumnio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 xido de tntalo 11 araldite 3,6
Tab. 2.2.3: Constantes dieltricas de alguns materiais isolantes

2.2.5) PERDAS NO DIELTRICO E ENVELHECIMENTO

Num capacitor com dieltrico ideal toda energia armazenada no mesmo retorna ao sistema gerador quando o
campo eltrico retirado. Como visto, o uso de dieltrico slido aumenta a capacitncia. Porm, a polarizao do
dieltrico slido provoca perdas. Como o vcuo ausncia de matria, neste no h polarizao e, portanto, no h
perdas. O vcuo , por conseguinte, o nico exemplo de dieltrico ideal.
Num dieltrico slido, parte da energia requerida para o estabelecimento do campo eltrico atravs dele no
retorna ao sistema quando o referido campo retirado. Esta parte da energia perdida conhecida como perdas no
dieltrico e o seu valor caracteriza o melhor ou pior dieltrico. Esta energia de perdas provm de quatro tipos:
1) Perda por Efeito Joule: a perda dissipada na resistncia de isolamento do corpo dieltrico (de valor elevado,
acima dos megaohms), que ocorre em todos os meios materiais por onde circula corrente eltrica.
2) Perda por fuga superficial: a perda referente corrente de fuga que passa pela superfcie da estrutura em razo da
ao do meio sobre o dieltrico (exemplos: umidade e impureza depositada), o que diminui o poder de isolao.
3) Perda por histerese eltrica: como visto, em um dieltrico submetido a um campo eltrico, os dipolos se orientam
na direo do campo. Porm, a maioria dos dieltricos no se torna completamente polarizado no instante em que
o campo eltrico aplicado e seus dipolos no retornam completamente s suas posies originais aps a retirada
do campo. Estes atrasos representam perdas (energia entregue no devolvida) na forma de histerese eltrica.
4) Perda por absoro dieltrica: os dieltricos podem absorver carga eltrica quando submetidos a campos eltricos,
comportando-se como um material eletrizado. Estas cargas no se anulam quando o capacitor curto-circuitado,
apresentando um decaimento de alguns minutos. Alguns dieltricos apresentam ainda absoro irreversvel, sendo
este comportamento aproveitado em materiais especiais chamados eletretos, visto mais adiante.
O dieltrico est sujeito tambm a perda de performance devido ao envelhecimento, causado por incidncia de
luz solar, calor, salinidade, gases venenosos, porosidade do dieltrico (poder de absoro de gua devido umidade),
freqncia, tempo prolongado de aplicao de uma ddp elevada (regime de trabalho imprprio) e impulsos de tenso.

2.2.6) FATOR DE PERDAS

Da teoria de Circuitos Eltricos sabe-se que h um defasamento angular entre corrente e tenso AC aplicados a
um capacitor. Na capacitncia perfeita, a corrente avana 90
o
em relao tenso aplicada ao capacitor. Na prtica,
porm, este ngulo menor que 90
o
de um valor (Fig. 2.2.4) devido s perdas no dieltrico. O termo , ento,
chamado de ngulo de perdas do dieltrico e sua tangente (tg ) de fator de perdas. Fator de perdas num dieltrico ,
Freqncia (Hz) K
10
2
6,5
10
4
4,7
10
6
3,4
10
8
2,8
10
10
2,6
Tab. 2.2.2: Variao de K do
PVC com a freqncia.

27

assim, uma medida da energia perdida ou dissipada na estrutura dieltrica quando na ao de isolamento, e o ngulo
caracteriza essa qualidade do dieltrico (quanto menor o seu valor, melhor o isolamento). Assim, quanto maior o fator
de perdas, menor ser o efeito capacitivo e menor o defasamento entre tenso e corrente em um capacitor.
Como mencionado anteriormente, temperatura e freqncia so alguns dos fatores responsveis por perdas nos
dieltricos. A Tab. 2.2.4 mostra alguns valores de fatores de perdas na freqncia de 1 kHz a 25
o
C.

2.2.7) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS

A eficincia dos materiais dieltricos depende da finalidade e das condies de sua aplicao. O fato que
nenhum material superior a outros em todos os sentidos, mesmo os novos produtos, cabendo ao projetista
analisar a convenincia ou no de usar um ou outro produto. A seguir so apresentados alguns materiais
dieltricos de aplicao mais comum em componentes e sistemas eltricos:
a) Isolantes gasosos: exemplos: ar e hexafluoreto de enxofre (SF
6
). O ar, por ter custo nulo, amplamente usado
como isolante em redes eltricas de transmisso e distribuio e o SF
6
em isolamentos de disjuntores de potncia
de subestaes e cabos subterrneos.
b) Fibras naturais: exemplos: papel impregnado com leos ou resinas (Kraft, Rag, Rope, etc.), algodo e seda. So
materiais baratos, de grande flexibilidade e espessuras pequenas, porm de elevada higroscopia (absoro de
gua). So usados em suportes isolantes, em revestimento de cabos e capacitores.
c) Cermicas: exemplos: xido de alumnio, titanato de brio, porcelana e esteatite. As cermicas so usadas em
isoladores de baixa, mdia e alta tenso, e em capacitores de baixa e alta tenso (elevada constante dieltrica).
d) Resinas plsticas: exemplos: polister, XLPE (polietileno reticulado), polistireno, PVC (cloreto de polivinila),
teflon, araldite, baquelite etc. So de boa rigidez, baixo fator de perda, no higroscpicos e resistentes ao calor.
Usos: revestimento de fios e cabos, encapsulamentos, capacitores, peas isolantes e ncleos de bobinas.
e) Dieltricos lquidos: leos (exemplos: leos minerais, de silicone, Askarel). Os isolantes lquidos geralmente
atuam em duas reas: refrigerao e isolao. O efeito refrigerante consiste em retirar o calor gerado por efeito
Joule internamente ao equipamento e transferi-lo aos radiadores de calor, mantendo os nveis admissveis de
aquecimento do equipamento. So usados em transformadores e disjuntores a leo (isolamento entre terminais e
enrolamentos). Outros usos: impregnar papis usados como dieltricos em capacitores (capacitor a leo).
f) Tintas e vernizes: exemplos: Alkanex, Formex, Permafil, etc. So compostos qumicos de resinas sintticas. Tem
importante emprego na tecnologia de isolao de componentes eletrnicos tais como: esmaltao de fios e cabos
condutores, isolao de laminados ferromagnticos, circuitos impressos, proteo geral de superfcies, etc.
g) Borrachas sintticas: exemplos: neoprene, EPR e borracha butlica. So elsticas, de boa resistncia a agentes
qumicos e de razoveis propriedades dieltricas. So usadas mais como capa externa protetora de cabos.
h) Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dieltrica e baixo fator de perdas. usada como dieltrico em
capacitores e como isolante nas ligaes entre transistores de alta potncia e dissipadores trmicos.
i) Vidro: material de elevada rigidez e estabilidade umidade, tem emprego principal em isoladores de linhas de
transmisso. Fibras de vidro so usadas no lugar dos papis em algumas de suas aplicaes.
j) Outros: xido de tntalo e mylar (dieltricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuio), etc.

2.2.8) CAPACITORES

Como visto, o carter eltrico capacitivo surge da interao de dois materiais condutores quaisquer a potenciais
diferentes, isolados entre si por um dieltrico. A capacitncia a capacidade deste conjunto em armazenar cargas
eltricas e o conjunto chamado capacitor. As especificaes dos capacitores podem ser indicadas pelo fabricante em
catlogos tcnicos e no seu prprio corpo, expressamente ou por de cdigo de cores. Algumas destas especificaes:
1) Valor da capacitncia: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) at centenas de milifarads (mF).
2) Tipo: so especificaes de natureza fsica do capacitor. Podem ser:
2.1) Dieltrico empregado: vcuo, dieltrico gasoso (ar), seda, cermicas, mica, xido de alumnio, dieltrico
lquido (leos), dieltrico slido (papel impregnado ou no, xido de tntalo, fibra de vidro, etc), dieltrico
slido tipo plstico (polister, polister metalizado, mylar), etc.
2.2) Natureza: so classificados em:
- fixos: onde o valor nominal fixado pelo fabricante;
Isolante tg Isolante tg
PVC 0,06 EPR 0,007
porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002
Tab. 2.2.4: Fator de perdas de alguns materiais

Fig. 2.2.4: ngulo de perdas ().
I
C
V
C
I
C
ideal
I
C
V
C

90 -
28

- variveis: para ajuste dinmico de algum parmetro desejvel do circuito. Exemplo: tipo rotor dieltrico a
ar, onde ajusta-se capacitncia desejada variando-se o acoplamento entre as placas, at 500 pF ;
- ajustveis: para um nico ajuste do ponto de funcionamento do circuito. Exemplo: trimmers e padders ou
compensador srie, onde fixa-se a capacitncia desejada pela distncia entre as placas atravs de um
parafuso; at 45 pF para trimmers, at 150 pF para padders.
2.3) Forma: placas paralelas, tubulares ou cilndricas (cermicos, eletrolticos, de polister, de papel, etc),
pastilha (mica, polister metalizado), disco (cermicos), etc.
2.4) Polarizao: os no polarizados (mica, cermico, polister, etc) independem de como so ligados no circuito,
e os polarizados (eletrolticos) possuem sinais (+/-) para seus terminais, que devem ser respeitados.
3) Tenso mxima de trabalho: a mximo da tenso eficaz que pode ser suportada continuamente pelo dieltrico,
sem o risco de alteraes em suas propriedades. Acima deste valor pode ocorrer elevada absoro dieltrica e o
risco do aparecimento de centelha ou descarga, que fura o dieltrico, carbonizando-o. Nos capacitores a dieltrico
ar no existe esse problema, pois o rompimento da rigidez dieltrica do dieltrico no o inutiliza.
4) Tolerncia: os capacitores, segundo sua finalidade e aplicabilidade nos circuitos, so constitudos com os mais
diversos dieltricos, resultando disso diferentes graus de estabilidade e preciso no produto final. A tolerncia
estima a classe ou grau de preciso resultante dos cuidados tecnolgicos utilizados na processo de fabricao.
5) Classe de perdas: o fator de perdas do capacitor mede o grau das perdas esperadas no dieltrico. Assim, os
capacitores so classificados em de baixa perda e alta estabilidade (mica, vidro, cermicos, polistireno), mdia
perda (papel, plsticos) e de perdas altas e altos valores (eletrolticos).
O valor da capacitncia, tolerncia e tenso mxima podem ser especificados expressamente no corpo do
capacitor (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V), ou atravs de um cdigo de cores (como no caso dos capacitores de
polister metalizado), constitudo de cinco faixas, onde as trs primeiras fornecem o valor da capacitncia em pF
(cdigo de cores igual da resistores - Tab. 1.2.1, Captulo 1), a quarta faixa a tolerncia (cdigo: preto = 20%,
branco = 10%) e a ltima faixa a tenso mxima de trabalho (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).
Alguns dos usos dos capacitores so: circuitos de armazenamento de energia, circuitos tanque ou ressonantes
(sintonizadores), atenuadores, filtros, circuitos de acoplamento com bloqueio de corrente contnua, partida de
motores, circuitos desacopladores, de correo de fator de potncia, defasadores, supressores de transitrios, divisores
de tenso capacitivos, conformadores de onda e temporizadores em osciladores (constante de tempo RC).
A carga e descarga de um capacitor no so estabelecidas instantaneamente, pois demanda um certo tempo para
o deslocamento das cargas das placas e polarizao do dieltrico. Ento, quanto mais rpido a variao da tenso a
que submetido, menor sua capacidade em armazenar (ou ceder) carga. Assim, a reatncia capacitiva X
C
de um
capacitor inserido em um circuito AC inversamente proporcional freqncia f da ddp a que o mesmo submetido,
sendo calculada por: X
C
= 1/(2fC). Assim, o capacitor representa uma impedncia menor quanto maior a freqncia
e, portanto, em regime permanente o mesmo comporta-se como um circuito aberto para a corrente contnua (f = 0).
A seguir so descritos alguns capacitores fixos:
a) Capacitor de papel: so produzidos enrolando-se duas folhas finas de metal entremeadas com duas folhas de papel
encerado (dieltrico). Valores: 0,3 a 4 F. Isolamento mximo: 1000 V. Forma: cilndrica. O dieltrico papel os
tornam sensveis umidade.
b) Capacitor de Mica: consiste de camadas alternadas de mica e metal prensadas e impregnadas. Sua capacitncia
da ordem dos picofaradas e tem alta tenso de trabalho. Possui indutncia reduzida, tg baixo em altas
freqncias e por isso bastante utilizado em circuitos de freqncia elevada.
c) Capacitores cermicos: so constitudos de dieltricos cermicos e possuem altssima constante dieltrica. So
fabricados normalmente na forma de disco ou basto. Podem atingir de 1 pF a 0,5 F, com tenses de trabalho
de at 100 KV. Possuem fator de perdas pequeno (< 10
-4
) em freqncias elevadas. Podem ter coeficiente de
variao da capacitncia com a temperatura positiva, negativa ou nula e por isso so usados em circuitos
osciladores para estabilizar bem a freqncia. Aplicaes: osciladores, amplificadores sintonizados, amplificadores
de freqncia intermediria, etc. Os trimmers cermicos so obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitores a leo: usa como dieltrico papel impregnado de leo mineral ou sinttico. Podem atingir at 30 F.
Possuem boas caractersticas, performance e vida til bem longa. aplicado em baixas freqncias.
e) Capacitores eletrolticos: consistem basicamente de uma folha metlica (placa positiva), coberta por uma fina
camada de xido metlico (o dieltrico, que depositado por eletrlise), que por sua vez est em contato com uma
folha de papel impregnada por um eletrlito (pode ser um lquido ou uma pasta), sendo esta ltima solidria a
outra folha metlica (placa negativa). So usados onde uma grande capacitncia se faz necessria. Possuem valores
de alguns microfarads a 10 milifarads, com tenses de trabalho at 600 V. Apresentam perda aprecivel. So
utilizados em circuitos em que a componente contnua bem superior componente alternada (retificadores) ou
em circuitos de corrente contnua pura. Podem ser polarizados ou no, sendo que a polaridade indicada no corpo
do capacitor. Dieltricos empregados: xido de alumnio e xido de tntalo.
f) Capacitores com dieltricos plsticos: so construdos por duas lminas delgadas metlicas de alumnio, isolados
por tiras de plstico (polister, polister metalizado, mylar) e enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixssimo
fator de perdas, insensibilidade umidade e grande estabilidade de capacitncia. Podem ser usados em circuitos de
baixa e alta freqncia. So encontrados desde 5 pF a 2 F e tenses de trabalho at 500 V.
29

2.2.9) ISOLADORES

Isoladores so dispositivos especialmente desenhados para apresentar aprecivel capacidade dieltrica e timas
caractersticas mecnicas para o isolamento de partes energizadas das estruturas de sustentao (torres de transmisso,
postes, suporte de chaves, etc). Devem ser duros para suportar altas tenses mecnicas e apresentar a superfcie
altamente polida. Seus contornos fsicos devem ser tais que minimizem a acumulao de linhas de fluxo eletrostticas
para impedir o rompimento da isolao por arcos eltricos em sua estrutura. Materiais: porcelana, vidro e polmeros.

2.2.10) ELETRETOS E PIEZOELETRICIDADE

Eletretos so um tipo de material dieltrico capaz de manter, por um longo perodo de tempo (tipicamente, mais
de 20 anos), uma polarizao eltrica em sua estrutura como resultado da absoro de carga eltrica esttica (absoro
dieltrica), sem que seja observada uma aprecivel perda da carga absorvida. Comportam-se, ento, como se fossem
materiais eletrizados. So fabricados por polarizao induzida em um dieltrico comum (por exemplo, o teflon). Uma
das formas de polarizao por injeo de eltrons-buracos em armadilhas eletrnicas na superfcie do dieltrico,
conseguindo-se um eletreto de grande estabilidade (meia-vida das cargas bem longa).
Devido a esta propriedade, o eletreto usado como transdutor em diversas aplicaes tecnolgicas, tais como
transdutores eletroacsticos (microfones), detetores de ultra som, xerografia, dispositivos eletrnicos e dosimetria.
Certos cristais isolantes polares exibem a chamada eletroestrico, que consiste na gerao de uma tenso
eltrica entre as duas faces do cristal submetidas a esforos mecnicos (trao, compresso ou toro), ocasionada
devido ao deslocamento dos ons ou molculas polares relativamente s suas posies normais. Este fenmeno
conhecido como Piezoeletricidade e reversvel (a tenso desaparece na retirada dos esforos). O caso dual tambm
ocorre, isto , quando se submete o cristal piezoeltrico a um campo eltrico de orientao conveniente, o mesmo se
deforma elasticamente na direo do campo. Essa propriedade largamente aproveitada em sensores eletromecnicos,
tais como osciladores a cristal, medidores de presso (balanas), cabea de reproduo fonogrfica (toca-discos),
microfones, fones auriculares e acelermetros. Exemplos: cristal de quartzo e sais de Rochelle.

2.2.11) ISOLAMENTO DE FIOS E CABOS CONDUTORES

Isolamentos so revestimentos isolantes eltricos de partes energizadas eletricamente, empregados como capas
de proteo que visam dotar esses elementos de resistncia a alguns problemas, tais como: perdas dieltricas, Efeito
Corona, altas temperaturas, abraso, ao de solventes, inflamabilidade (isolamento anti-chama), umidade e fungos.
Os isolamentos de fios e cabos classificam-se, segundo sua natureza, em:
1) Isolamento estratificado: tipo feito em camadas de isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolao
acima dos 1000 V. Exemplos: papel impregnado com leo (com ou sem presso); papel com interstcios ocupados
com gs sob presso (gas filled).
2) Isolamento slido: compreende os materiais orgnicos naturais e artificiais (polmeros), usados em todos os nveis
de tenso. Os polmeros se dividem em:
2.1) Termoplsticos: caracterizam-se por mudana de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Mxima temperatura de trabalho: 170
o
C. Exemplos: polistireno, polietileno (mais empregado em cabos para
alta tenso), PVC, naylon, etc.
2.2) Termofixos: so mais caros, mais resistentes e carbonizam-se quando queimados. Tornam-se quebradios ao
longo do tempo com a temperatura. Temperatura mxima de trabalho: 250
o
C. Exemplos: borracha butlica,
borracha etileno-propileno (EPR), polietileno reticulado (XLPE), neoprene, etc.
Os termoplsticos no so vulcanizados e o enxofre utilizado na vulcanizao dos termofixos ataca o cobre,
fazendo-se necessrio o seu estanhamento. Em aplicaes especiais, utilizam-se ainda como isolamento o amianto,
as cermicas, o teflon, o naylon, a ebonite e fibras orgnicas.
Na manufatura de cabos h uma cobertura protetora externa, chamada capa, que pode ser de PVC (usados em
cabos BT e AT, normalmente na cor preta) ou chumbo (que oferece melhor segurana aos cabos sujeitos umidade).
Caractersticas principais da capa externa: ao protetora contra agentes qumicos, petroqumicos, microorganismos,
raios solares, gua doce ou salgada etc. Para cabos de alta tenso so usados ainda uma complementao diltrica, que
visa aumentar a rigidez dieltrica do cabo devido aos elevados campos eltricos a que esto submetidos.

Comentrio: A espessura de isolamento de um fio dimensionada obedecendo a condio de que o campo eltrico
na superfcie do isolamento seja nulo. A equao para o clculo dessa espessura dada por:
( )
max
1
d
V
a E
b a a e
| |
|
=
\
(2.2.3)
onde a (mm) o raio do condutor, b (mm) o raio total do fio (figura), V
max
a tenso mxima de trabalho do fio (V) e
E
d
a rigidez dieltrica do material isolante empregado (V/mm).
a
b
condutor
isolante
30

2.3) MATERIAIS MAGNTICOS

O magnetismo ou fora magntica fundamental na gerao e aproveitamento da corrente eltrica e todo tipo
de sistema ou equipamento eletro-mecnico contm efeitos magnticos em seus circuitos. Desta forma, a existncia de
motores, geradores, transformadores, indutores, medidores eletromecnicos, componentes magnticos, etc, seriam
impossveis se os fenmenos magnticos no fossem compreendidos e dominados.
Os materiais mais importantes em aplicaes magnticas gerais so chamados ferromagnticos. Estes permitem
o estabelecimento de fenmenos magnticos devido sua caracterstica de concentrar linhas de fora magntica,
sofrendo atrao por estas linhas. O exemplo mais antigo de material ferromagntico a magnetita (0
4
Fe
3
).

2.3.1) O CONCEITO DE DOMNIO MAGNTICO

Sabe-se que uma carga eltrica gera campo eltrico, e, quando em movimento, tambm campo magntico, e
que os eltrons dos tomos de um corpo esto sempre em movimento (spin e movimento orbital). Sabe-se tambm
que, quando duas cargas eltricas iguais movimentam-se em sentidos opostos, os seus efeitos magnticos se anulam e
que os eltrons dos tomos constituem dois grupos que giram em sentidos opostos. Quando esses dois grupos so
iguais (em nmero de eltrons), as propriedades magnticas dos tomos so nulas, fato que ocorre com a maioria das
substncias. Quando os grupos so quantidades diferentes, o predomnio de um deles faz os tomos se comportarem
como minsculos ms, o que ocorre apenas com os materiais ditos ferromagnticos. Contudo, um dipolo magntico
no se resume ao tomo, mas sim em toda uma regio onde se observa uma orientao magntica resultante.
Assim, nos materiais ferromagnticos pode-se observar um grande nmero de pequenas sees conhecidas
como domnios magnticos (Fig. 2.3.1-a), pois, devido orientao das cargas de suas molculas, se caracterizam por
apresentarem uma nica orientao magntica, ou seja, so dotados cada um de um vetor campo magntico prprio.
Cada domnio se constitui, ento, em um dipolo magntico. Os materiais ferromagnticos se caracterizam, assim, por
uma magnetizao espontnea, que independente de campos magnticos externos.
Nos ims naturais (magnetita) e artificiais (produzidos por magnetizao induzida), a maioria dos dipolos j
se encontram orientados paralelamente, razo pela qual apresentam propriedades magnticas inerentes. Nos outros
tipos de materiais ferromagnticos, no entanto, perante ausncia
de um campo magntico externo, o vetor campo resultante da
somatria de todos os vetores de cada domnio magntico tem
resultante nula (Fig. 2.3.1-a). Porm, quando estes materiais
esto expostos ao de um campo magntico externo, seus
domnios so parcialmente rearranjados (polarizados) segundo
orientao deste campo, de modo que suas aes se somam (Fig.
2.3.1-b). Quanto maior a intensidade do campo magntico, maior
o nmero de domnios orientados, fato que ocorre, porm, at
que se atinja o limite de saturao do material. Quando o campo
magntico retirado, alguns dos dipolos podem no retornar
sua orientao original, isto , ocorre um magnetismo residual e
diz-se, ento, que ocorreu imantao do material.
Nos outros tipos de materiais (no ferromagnticos) ocorre uma fraca criao e orientao de dipolos
magnticos induzidos, razo pela qual esses materiais reagem muito pouco campos magnticos externos aplicados.

2.3.2) COMPORTAMENTO MAGNTICO E CLASSIFICAO DOS MATERIAIS

A propriedade permeabilidade magntica () o parmetro que descreve a maior ou menor facilidade com que
um meio se deixa atravessar pelo fluxo magntico circulante (tem, assim, conceito anlogo condutividade eltrica),
resistindo em maior ou menor grau orientao dos dipolos magnticos no sentido do fluxo, ou ainda, quantifica a
capacidade do material em atrair as linhas de fluxo magntico. Sua unidade o H/m (H = Henry). Por exemplo, a
permeabilidade magntica do vcuo (
o
) uma constante universal, dada por:
o
= 4 x 10
-7
H/m.
A permeabilidade magntica dos materiais geralmente fornecida com referncia do vcuo, denominada
permeabilidade relativa
r
, sendo, portanto, adimensional e dada por:
0
=
r
(2.3.1)
O comportamento dos materiais imersos em um campo magntico possui diversas reaes, que originam a sua
classificao magntica. Em um material, quando colocado prximo a um im permanente, verifica-se que:
1) O material no exerce ao alguma sobre as linhas de fluxo magntico que o intercepta, isto , no material no h
criao e orientao de dipolos magnticos. Este material denominado indiferente e sua permeabilidade
considerada referncia e igual a
o
(
r
= 1).
Fig. 2.3.1: Domnios e seus dipolos: (a) sem e
(b) com campo magntico externo.
(a) (b)
dipolo magntico resultante
B
domnio
31

2) O material fracamente repelido, pois afasta ligeiramente as linhas de fluxo magntico que o intercepta, isto ,
sofre leve criao e orientao de dipolos magnticos no sentido contrrio ao do campo magntico externo. Este
material denominado diamagntico e suas permeabilidades so ligeiramente menores que
o
(
r
< 1).
3) O material fracamente atrado, pois tende a concentrar ligeiramente as linhas de fluxo magntico que o atravessa,
isto , sofre leve criao e orientao de dipolos magnticos no sentido do campo magntico externo. Este material
denominado paramagntico e suas permeabilidades so ligeiramente maiores que
o
(
r
> 1). Suas propriedades
magnticas no se alteram com a temperatura.
4) O material bastante atrado, isto , concentra fortemente as linhas de fluxo do campo magntico que o circunda,
devido grande polarizao dos seus domnios magnticos naturais no sentido do campo magntico externo
(grande orientao de seus dipolos magnticos naturais no sentido do campo). Estes materiais so chamados
ferromagnticos (este termo vem do fato do ferro ser, por excelncia, o principal elemento para aplicaes
magnticas) e o valor de suas permeabilidades muito maior que
o
(
r
>> 1).
A propriedade relutividade representa a oposio feita ao estabelecimento de um fluxo magntico num meio
material. Descreve, portanto, comportamento inverso da permeabilidade magntica (1/) e tem, ento, conceito
anlogo resistividade eltrica. A permeabilidade magntica dos materiais depende da temperatura. A Tab. 2.3.1
dada a seguir mostra a permeabilidade relativa de alguns materiais na temperatura ambiente.

Material
r
Classificao
ar, cobre, madeira 1,00 indiferentes
prata 1 - 20 x 10
-6
diamagntico
zinco 1 - 10 x 10
-6
diamagntico
alumnio 1 + 22 x 10
-6
paramagntico
platina 1 + 330 x 10
-6
paramagntico
ferro para transformador 5500 ferromagntico
aos 500 a 5000 ferromagntico
Tab. 2.3.1: Permeabilidade magntica relativa de alguns materiais

A magnetizao de meios paramagnticos, diamagnticos e indiferentes tem comportamento linear porque a
permeabilidade magntica destes materiais permanece constante. Para meios ferromagnticos, porm, a magnetizao
pode apresentar uma saturao quando o campo magntico externo se eleva alm da capacidade do material em
concentrar linhas de fluxo magntico. A permeabilidade destes materiais, portanto, no constante porque sua
magnetizao no apresenta um comportamento linear. Alm disso, os materiais ferromagnticos apresentam
remanescncia quando da retirada de um campo magntico externo, o que gera a chamada histerese magntica. A
propriedade que descreve esta remanescncia chamada retentividade, que a maior ou menor habilidade do material
em reter a magnetizao no mesmo (magnetismo residual) quando cessado o campo magntico que o atravessa.

Comentrios:
a) Ponto Curie a temperatura acima da qual um material ferromagntico torna-se um composto paramagntico.
b) A permeabilidade magntica de um material ferromagntico aumenta temperaturas inferiores ao seu Ponto Curie.
c) Para uma dada temperatura, a permeabilidade de um material ferromagntico tende a diminuir com o crescimento
do fluxo circulante devido saturao.
d) Os materiais ferromagnticos condutores apresentam um aprecivel efeito pelicular, mesmo nas baixas freqncias.
Devido a este fato, o ferro muito pouco utilizado como fio condutor eltrico.
e) Quando dois materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se como caminhos para um fluxo magntico, este
se dirige para o de maior permeabilidade (princpio da relutncia mnima). Este fenmeno aplicado quando se
necessita liberar um dispositivo de influncias magnticas externas (blindagem magntica).

2.3.3) MAGNETIZAO

A densidade de fluxo de campo magntico B (Wb/m
2
) que flui por um meio material qualquer, se relaciona com
a intensidade do campo magntico H (A/m) aplicado atravs da permeabilidade magntica do meio, isto :
H B = (2.3.2)
Um grfico que contemple a variao da densidade de fluxo B em funo da intensidade de campo H
chamado curva de magnetizao do material (Fig. 2.3.2). Segundo seu comportamento magntico, os materiais
podem, como meios de propagao do fluxo magntico, ser classificados em:
Meio saturvel (materiais ferromagnticos): meio onde a Eq. 2.3.2 s vale pontualmente, pois a permeabilidade
magntica no constante e sim funo do campo magntico H (Fig. 2.3.2). Conseqentemente, a Eq. 2.3.2 s
pode ser obtida experimentalmente atravs de curvas levantadas para cada material. Este comportamento devido
s dificuldades oferecidas orientao uniforme dos vetores-campo de cada domnio, que so diferentes em
32

intensidade, provocando a no linearidade na orientao dos mesmos com o
campo externo. Essa orientao dos domnios atinge um grau mximo, a
partir do qual, mesmo elevando a intensidade do campo externo H, no se
verifica mais a orientao dos domnios, isto , o material no mais se deixa
atravessar pelas linhas de fluxo magntico em sua estrutura. Este o estado
em que se diz que o material est saturado.
Meio no saturvel (materiais indiferentes, paramagnticos e diamagnticos):
meio onde a permeabilidade magntica aproximadamente constante perante
o fluxo magntico externo, no apresentando saturao (Fig. 2.3.2). Ento, o
comportamento da magnetizao destes materiais dado pela Eq. 2.3.2 para
todos os pontos do grfico.
Todo material magntico submetido a uma magnetizao, tende a se opor
s variaes no fluxo do campo magntico estabelecido. Conseqentemente,
diz-se que o material se ope, a cada instante, tanto ao crescimento quanto ao
decrescimento do fluxo externo. Quando o campo externo retirado, a reao do
material desmagnetizao ser no sentido de manter a orientao vetorial dos campos dos domnios magnticos, o
que acarreta em um resduo de polarizao destes domnios. Tal reao d origem ao fenmeno conhecido como
histerese magntica, que ser tanto mais pronunciado quanto mais forte for a oposio apresentada pelo material
desorientao de seus domnios, isto , da retirada do fluxo externo.
Assim, quando submete-se um material ferromagntico a um campo magntico H alternando (fluxo
magntico AC), a densidade de fluxo magntico B comporta-se segundo uma curva chamada ciclo de histerese
magntica, apresentada na Fig. 2.3.3. Esta figura apresenta dois laos de histerese, para duas intensidades mximas de
campo magntico H
1
e H
2,
(H
2
> H
1
), alm da curva de magnetizao do material. Pela figura, pode-se, ento,
observar alguns aspectos dos materiais ferromagnticos:
1) A permeabilidade magntica de um material pode ser calculada instantaneamente pela relao entre B e H, isto
, = B/H. Analisando-se o lao de histerese observa-
se que, a medida que o material se aproxima da
saturao, a permeabilidade magntica diminui pois o
campo externo H aumenta sem ser observado um
aumento em B (cessa a orientao de domnios). Na
figura, o ponto H
2
apresenta saturao, o que no
observado ainda em H
1
.
2) Quando o campo retirado (H = 0), observa-se que o
material no se desmagnetiza completamente (B 0),
isto , resta no mesmo um magnetismo residual Br
devido histerese magntica. Este resduo , portanto,
a j mencionada propriedade denominada retentividade.
3) Quando o campo externo inverte o seu sentido (H > 0
para H < 0 e vice-versa), este campo deve gastar uma
certa energia para reduzir a magnetizao residual Br a
zero, isto , necessita de uma parcelade campo magntico de orientao contrria Hc, chamada fora coercitiva,
para desmagnetizar o material (desorientao dos domnios), a partir do qual os domnios comeam a se orientar
no sentido do campo. O valor de Hc, contudo, no depende do valor de Br.
O magnetismo residual se configura em perda de energia porque representa uma parte da energia entregue pelo
sistema atravs do campo magntico que no devolvida ao sistema. Alm disso, a energia usada na desmagnetizao
do material representa tambm gasto adicional de energia pelo sistema. Estes fatos resultam nas chamadas perdas por
histerese e, assim, quanto maior a rea do lao de histerese, maior a perda no material. Portanto, em aplicaes
como motores, transformadores e ncleos magnticos em geral, exige-se um material de menor lao de histerese
possvel, mas excees so feitas aos dispositivos de armazenamento magntico de dados e informaes (fitas K-7, de
vdeo, disquetes, etc) e aos utilizados na obteno de ims permanentes.
A magnetizao ocasiona tambm um outro tipo de perda. Os materiais ferromagnticos so basicamente
materiais condutores (exceo feita s ferrites). Logo, sob o ponto de vista eltrico, os mesmos sofrem a induo de
foras eletromotrizes em seu interior quando sujeitos a campos magnticos variveis (Lei de Faraday). Isto origina a
circulao de correntes induzidas em sua estrutura, chamadas correntes parasitas ou de Foucault, que aquecem o
material por Efeito Joule, sendo ento denomidadas perdas de Foucault.
Os materiais ferromagnticos podem sofrer um envelhecimento do ponto de vista magntico, ocasionado
quando o mesmo submetido a temperaturas elevadas durante grandes perodos (exemplos: transformador e motor
em servio contnuo), o que desenvolve a chamada fadiga magntica, que se manifesta por uma diminuio da
permeabilidade magntica e aumento das perdas por histerese. Para os denominados ncleos compactos, o efeito do
envelhecimento magntico tambm conseqncia de choques mecnicos, que provocam um reposicionamento de
seus domnios magnticos previamente orientados.
Fig. 2.3.2: Grfico de curvas de
magnetizao (B = H).
H (A/m)
B (Wb/m
2
)
saturao
material
saturvel
material no
saturvel
0
Fig. 2.3.3: Lao ou ciclo de histerese magntica.
H (A/m)
B (Wb/m
2
)
curva
normal de
magnetizao
H
2
H
1
-H
C
H
C
Br
-Br
laos de histerese
saturao
0

33

2.3.4) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNTICAS

Como visto, materiais ferromagnticos so aqueles que concentram fortemente as linhas de fora do campo
magntico e, portanto, sua permeabilidade relativa muito maior que a do vcuo (
r
>>1). Alm do ferro, que o
principal material para aplicaes magnticas (exemplo: ferro fundido,
r
= 800), tem-se ainda o nquel (
r
= 50), o
cobalto (
r
= 60) e ligas ferromagnticas (exemplos: ferro-silcio,
r
= 5500; mumetal,
r
= 100.000).
O ferro puro dito ser um material magntico macio. Estes materiais possuem rea de lao de histerese
relativamente pequena (baixo fluxo residual), mas so, porm, de pequena resistividade, o que favorece as perdas por
Foucault. Desse modo, s so usados em circuitos DC, pois nesse caso, as perdas por correntes parasitas so nulas.
Acrescentando silcio ao mesmo e laminando-o possvel seu uso em circuitos AC.
As ligas ferromagnticas constituem-se principalmente de ferro com outros materiais. So construdas para
melhorar alguma propriedade do ferro, tais como: reduo de correntes parasitas, aumento do nvel de saturao e
aumento de sua permeabilidade magntica. Algumas destas ligas so vistas a seguir:
1) Ligas de ferro-nquel: estas ligas apresentam elevada permeabilidade perante baixas intensidades de campo
magntico. So usadas principalmente em telecomunicaes e para fabricar ncleos de transformadores de
rdiofreqncia, rels, bobinas e blindagens magnticas. Estas ligas so classificadas em trs grandes grupos:
Grupo 1: ligas com at 35 % de nquel. Nomes comerciais: Anhyster A e B, Rhometal.
Grupo 2: ligas com nquel ente 35 % e 50 %. Nomes comerciais: Hypernik, Anhyster C e D, Permalloy-45,
Nicalloy, etc. Caracterizam-se por baixa resistividade e permeabilidades maiores que as ligas do grupo 1.
Grupo 3: ligas com 80% de nquel em mdia. Nomes comerciais: Permalloy-78 (78,5 % de nquel) e Mumetal (76
Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr). Essas ligas possuem elevada permeabilidade (em torno de 100.000).
2) Ligas de ferro-silcio: so materiais obtidos com pequenas quantidades de silcio acrescidas ao ferro (at 5%).
Devido propriedade isolante do silcio, consegue-se uma ligas de maior resistividade, o que reduz as perdas por
correntes parasitas. O silcio diminui ainda a intensidade de saturao do ferro e a fadiga magntica, conseguindo
conservar constantes a permeabilidade e a perda por histerese. So usadas em circuitos magnticos moldadas em
chapas isoladas entre si, o que diminui mais ainda as correntes parasitas. Emprego: ncleo de transformadores de
mdia e baixa potncia, rels, reatores, medidores eltricos, motores, etc. Chapas de ferro-silcio de gro orientado
(p de ferro isolados uns dos outros por aglomerante e compactados) so usados na tecnologia de ncleos de
transformadores monofsicos e trifsicos de elevada potncia e para telefonia, eletrnica e comunicao.
3) Ligas de ferro-cobalto: so ligas de elevado ponto de saturao e alta permeabilidade. Nomes comerciais: Hyperco
e Permendur. Tm particular uso nos ncleos de alto-falantes dinmicos e membranas de cpsulas telefnicas.
4) Ligas para ms permanentes: devem apresentar elevado magnetismo residual (Br), isto , lao de histerese largo e
bastante alto, sem alter-lo sensivelmente perante variaes de temperatura e de foras mecnicas. Os materiais
mais usados so ligas de ferro-carbono com acrscimo de silcio para diminuir o envelhecimento. O carbono
aumenta a fora coercitiva, a retentividade e a resistividade e diminui a permeabilidade e o ponto de saturao.
5) Ferrites: as perdas por correntes parasitas se acentuam quanto maior a freqncia do fluxo magntico polarizante
(conseqncia da Lei de Faraday). Logo, ncleos para bobinas que operam em circuitos de altas freqncias
devem ser bastante resistivos, sem, contudo, perder as suas caractersticas magnticas. Neste caso, utilizam-se
ncleos compactados e sinterizados, que constituem-se de uma mistura de ps, basicamente xido de ferro
(material cermico), com acrscimos diversos de nquel, zinco, mangans, magnsio, silcio e de uma resina
aglomerante (polisterol ou goma-laca), que tem a funo de colar os gros do p. Estes tipos de ncleo so
chamados de ferrites, que, assim, se caracterizam por uma elevada resistividade eltrica (faixa de valores entre 1 e
10
6
m) e com boas caractersticas magnticas, sendo, porisso, usados como ncleos de transformadores ou
indutores que operam em circuitos de altas freqncias, como, por exemplo, supressores de interferncias de RF.
Outros exemplos: magnetita e ferrites base de nquel-zinco e mangans-zinco.

2.3.5) INDUTORES E TRANSFORMADORES

O carter indutivo relaciona a corrente eltrica circulante e o fluxo magntico associado e est, portanto,
presente em todos os circuitos eltricos. O indutor o componente que introduz a grandeza indutncia nos circuitos e
a sua principal finalidade armazenar energia na forma de campo magntico. Ele constitui-se de um fio condutor
enrolado, sendo, porisso, tambm chamado de bobina ou enrolamento (no caso de transformadores e motores).
Sabe-se, da teoria do Eletromagnetismo, que toda carga eltrica em movimento (corrente eltrica) produz um
fluxo de campo magntico () e que, se este campo for variante no tempo (por exemplo, alternado), o mesmo induzir
uma tenso, conhecida como fora eletromotriz (fem), em qualquer condutor ou circuito que ele atinge (Lei de
Faraday: fem = - d/dt), inclusive no prprio dispositivo por onde circula a corrente. Pela Lei de Lenz, sabe-se
tambm que a fem induzida age no sentido oposto variao do fluxo magntico (e, portanto, da corrente) que a
produziu, isto , se a corrente no dispositivo aumenta, uma fem induzida no sentido de se opor a este crescimento e,
se a corrente diminui, uma fem induzida no sentido de evitar esta queda. A fem induzida no prprio dispositivo
porisso, chamada de fora contra-eletromotriz (fcem).
34

A capacidade de induo desta fora eletromotriz conhecida por indutncia (smbolo L, unidade H = henry).
Assim, quando um dispositivo produz um campo magntico variante no tempo, chama-se de indutncia prpria do
dispositivo capacidade de induo de uma fora eletromotriz em si prprio (fcem), e de indutncia mtua a
capacidade de induo de uma fora eletromotriz em um outro circuito ou condutor prximo ao dispositivo.
Seja, ento, uma bobina na qual circula uma corrente eltrica alternada (dita AC), gerando, assim, um fluxo
magntico tambm alternado. Como a indutncia prpria (ou simplesmente indutncia) da bobina representa sua
capacidade de induzir uma fora eletromotriz em si mesma quando ocorre uma mudana no fluxo de corrente (e,
portanto, no fluxo de campo magntico) que passa por ela, ento a indutncia de uma bobina pode ser definida como a
propriedade da mesma de se opor s variaes no fluxo magntico gerado e, portanto, de se opor corrente eltrica
que passa por ela. essa oposio que atrasa o aumento ou a diminuio de corrente atravs de um indutor, o que
provoca um atraso da corrente circulante em ralao fora eletromotriz induzida no indutor. Um aumento sbito de
corrente, por exemplo, gera uma fora contra-eletromotriz que se ope tenso de alimentao e, portanto, ao
aumento da corrente. A capacidade de uma bobina em produzir esta oposio , portanto, sua indutncia. Assim, um
indutor deve armazenar energia na forma de campo magntico para promover estas reaes.
Da Lei de Faraday conclui-se ainda que, quanto maior a freqncia da corrente, maior a variao do fluxo
magntico, maior a fcem induzida e, portanto, maior a oposio do prprio indutor a ela. Logo, em um circuito
com alimentao de tenso CA, a impedncia representada por um indutor, chamada reatncia indutiva X
L
, depende,
ento, diretamente de sua indutncia e da freqncia f do sinal de tenso da alimentao (X
L
= 2fL). Por outro lado,
se uma bobina ligada em um circuito de tenso contnua, sua reatncia nula porque a fcem induzida nula (fluxo
magntico gerado constante) e a impedncia da bobina limita-se apenas resistncia do fio.
O meio material por onde flui o fluxo de campo magntico gerado por um sistema pode influenciar no valor da
indutncia do prprio sistema, pois o meio pode aumentar as linhas de fluxo magntico ao propiciar um caminho de
menor relutncia. Assim, o uso de um ncleo ferromagntico num indutor acarreta no aumento de sua indutncia L (e,
conseqentemente, de sua reatncia) devido ao aumento da permeabilidade magntica do meio percorrido pelo fluxo
magntico, isto , pode-se produzir um fluxo magntico maior em uma bobina com a mesma corrente eltrica i,
devido ao aumento da indutncia L da bobina (eqacionalmente: = L .

i

).
A indutncia de uma bobina depende tambm do nmero de espiras que a mesma possui, pois, quanto maior a
quantidade de espiras, maior ser o fluxo magntico concatenado pelas espiras e, portanto, maior ser a reao do
fluxo s variaes da corrente eltrica que passa pela bobina, isto , maior a fem induzida na mesma (fcem) e, assim,
quanto maior o nmero de espiras, maior ser a indutncia prpria do conjunto. Assim, uma outra forma de variar a
indutncia de uma bobina alterar o nmero de espiras atravs de terminais chamados tap.
As caractersticas de construo de um indutor so determinadas principalmente pela faixa de freqncia em
que ele ir atuar. Os indutores so construdos normalmente de fios de cobre, bobinados em um ncleo de ar ou slido
(material ferromagntico ou no) e o valor de sua indutncia depende de suas caractersticas construtivas. Bobinas
com poucas espiras e ncleo de ar ou ferrite so geralmente usadas em circuitos de sinais de elevada freqncia, ou
que trabalham com variaes muito rpidas de corrente. Para circuitos com sinais de mdia e baixa freqncia so
utilizadas bobinas com grande nmero de espiras e ncleo de ferrite ou de liga ferromagntica laminada.
Algumas das classificaes dos indutores so:
1) Tipo de enrolamento: tipo solenide ou panqueca de uma ou vrias camadas, tipo ninho de abelha e tipo toroidal.
2) Tipo de ncleo: de ar ou material no ferromagntico (cermica, baquelite, papelo, plstico, etc.), para suportar as
espiras no caso de fios muito finos; e de ncleo ferromagntico (ferro-silcio, ferrite, ligas ferromagnticas em
geral), com a finalidade de se obter maiores indutncias por aumento da concentrao de fluxo.
3) Ncleo de circuito aberto ou fechado: tipos I e U so exemplos de indutores com ncleo aberto (tipo basto).
Ncleos tipo O fornecem um caminho fechado de alta permeabilidade para o campo magntico, aumentando o
fluxo para a mesma corrente e, conseqentemente, a indutncia, sendo os indutores chamados de reatores.
4) Indutores de valor fixo, varivel e ajustvel: nos indutores fixos a indutncia fixada pelo fabricante. Os tipos
variveis e ajustveis (trimmers indutivos) so obtidos por meio da variao e fixao da posio do ncleo
ferromagntico no interior do mesmo, o que provoca a mudana da permeabilidade deste meio interno e,
conseqentemente, da indutncia. Para pequenas bobinas do tipo ajustveis, e pequenas variaes do valor de
indutncia, utilizam-se ncleos cilndricos de ferrite, que se deslocam por rosqueamento no interior da bobina. Nos
indutores variveis, a alterao da indutncia pode ser tambm conseguida atravs de mudana de taps (os
mltiplos terminais de uma bobina). Em alguns reatores so utilizados ncleos magnticos fechados com pequenos
intervalos de ar, chamados gaps. Nestes pode-se variar a indutncia atravs da saturao do meio magntico, sendo
porisso denominados reatores saturveis, pois, a partir da saturao do ncleo, o fluxo magntico se torna
praticamente constante porque a permeabilidade limitar-se- a do ar, e, conseqentemente, ter-se- a indutncia L
variando inversamente com a corrente i do enrolamento (eqacionalmente: L = /i).
Como a corrente que passa por uma bobina estabelece um campo magntico e como esse campo induz tenso
em qualquer condutor que ele incidir, podem ocorrer efeitos indesejveis de acoplamento magntico entre o indutor e
outros componentes de um circuito. Esse acoplamento indesejvel pode ser eliminado blindando a bobina com um
invlucro metlico, que confina o campo magntico. Quando o campo magntico da bobina corta a blindagem, o
mesmo produz correntes parasitas no material de blindagem que estabelecem um campo magntico em oposio, o
35

qual cancela a parte do campo magntico da bobina que, de outra forma, escaparia do invlucro. As correntes
parasitas, contudo, representam perdas, que podem ser reduzidas fazendo-se uma blindagem suficientemente grande,
para no ficar muito prxima da bobina. Outra razo para se aumentar o espaamento entre a bobina e a blindagem a
reduo da capacitncia entre as espiras e a blindagem, onde esta ltima fica normalmente ligada massa ou terra.
Os invlucros de blindagem so feitos geralmente de alumnio, mas usa-se tambm cobre ou lato.
A indutncia pura um conceito terico porque, na prtica, um indutor real apresenta, alm da resistncia dos
fios condutores, diversos efeitos capacitivos entre espiras, entre camadas de espiras, entre espiras e blindagem
(quando houver) e entre espiras e o chassi. Toda essa capacitncia genericamente denominada de capacitncia
distribuda. Em circuitos de baixa freqncia o efeito dessa capacitncia desprezvel mas, em altas freqncias, as
reatncias capacitivas de uma bobina se tornam de valor comparvel prpria reatncia indutiva da bobina e, na
freqncia em que estes valores ficam iguais, o indutor torna-se um tanque ressonante. Essa auto-ressonncia
utilizada em algumas aplicaes mas geralmente considerada indesejada e, ento, denominada capacitncia parasita.
Em freqncias acima da freqncia de auto-ressonncia, a reatncia capacitiva se torna menor que a indutiva e pode
tender a bobina a comportar-se como um curto-circuito para, por exemplo, sinais de rdio freqncia (RF). Existem,
no entanto, configuraes especiais de enrolamentos destinados a reduzir ao mnimo a capacitncia distribuda, tais
como o de dupla camada escalonado e o de tipo panqueca.
Bobinas de choque de radiofreqncia (choque de RF) so indutores construdos para trabalhar principalmente
como filtro srie (filtro de linha) no bloqueio passagem a partir de determinado sinal de radiofreqncia, isto ,
acima de uma determinada freqncia programada, o indutor apresenta uma alta impedncia, dificultando a passagem
da corrente de radiofreqncia. So normalmente envolvidas em ncleos cilndricos ou toroides de ferrite de alta
permeabilidade e encapsuladas em epoxi, com cobertura de esmalte vinlico.
Como mencionado, um campo magntico variante
no tempo de uma bobina, ao cortar um dispositivo ou
condutor prximo ela (Fig. 2.3.4-a), induz no mesmo
uma fora eletromotriz, o que se constitui na indutncia
mtua entre a bobina e o dispositivo. Se este ltimo for
tambm uma bobina, pode-se, desse modo, construir um
equipamento importante, chamado transformador, que
permite um acoplamento magntico e uma isolao
eltrica entre circuitos distintos.
Um transformador consiste, ento, de duas ou mais bobinas (chamadas aqui de enrolamentos) envoltas num
mesmo ncleo (geralmente ferromagntico), de tal modo que as linhas de fluxo magntico geradas em uma das
bobinas cortem as espiras da outra (Fig. 2.3.4-b), ou seja, de tal modo a haver um acoplamento magntico entre os
enrolamentos. A bobina do transformador qual se aplica a tenso de entrada (V
P
) denominada enrolamento
primrio e, na qual induzida a fora eletromotriz (V
S
), de enrolamento secundrio.
Como a tenso induzida em uma bobina depende do nmero de espiras da mesma, um parmetro importante de
um transformador, que mostra a relao entre as tenses primria e secundria, a relao de espiras n, que a razo
entre o nmero de espiras do enrolamento primrio (N
P
) e o nmero de espiras do enrolamento secundrio (N
S
), isto ,
n = N
P
/N
S
(na prtica, a relao de tenses depende tambm das diferentes impedncias dos circuitos primrio e
secundrio, das indutncias de disperso e mtua e das perdas no ferro e no cobre). Desse modo, se N
P
> N
S
, ento o
transformador do tipo abaixador de tenso (n > 1) e, se N
P
< N
S
, do tipo elevador de tenso (n < 1). Existem tambm
os transformadores cuja relao de espiras igual a 1, usados quando se deseja manter a mesma tenso entre o
primrio e o secundrio, isolando eletricamente, porm, um circuito do outro.
Um transformador real apresenta vrios tipos de perdas, tais como, perdas de Foulcault, por histerese
magntica, perdas hmicas nos enrolamentos, perdas por deficincia no acoplamento magntico entre primrio e
secundrio, alm das perdas por capacitncia distribuda, que se tornam relevantes em circuitos de altas freqncias.
A potncia requerida no secundrio de um transformador refletida no primrio, isto , o transformador
mantm a potncia entre os enrolamentos. Isto significa dizer que, por exemplo, num transformador abaixador, a
diminuio da tenso no secundrio acompanhada por uma elevao da corrente do secundrio (P = V I), ou seja, a
tenso no primrio maior mas sua corrente comparativamente menor. Para o circuito que alimenta o primrio, o
transformador representa, portanto, uma impedncia elevada, pois a corrente do primrio comparativamente baixa,
ao passo que, para o circuito conectado ao secundrio, o transformador representa uma impedncia baixa (corrente
comparativamente elevada no secundrio). Logo, outro emprego do transformador como casador de impedncias.
Os chamados transformadores de potncia so utilizados em circuitos de grandes sinais de tenso (redes
eltricas de transmisso e distribuio) e baixas freqncias (50/60 Hz), e os audiofreqncia (pequenos sinais de altas
freqncias, tais como os de udio, RF e FI), usados para acoplamentos (casamento de impedncias) entre estgios, de
amplificadores e auto-falantes e entre microfones e amplificadores. Os de RF so usados para acoplar um sinal de
uma antena para um circuito e de antena para antena. Os de FI so semelhantes aos de RF, sendo, porm, projetados
para trabalhar numa freqncia fixa, resultado da diferena entre a freqncia de um sinal de RF e a freqncia de um
oscilador, e so usados em equipamentos de FM, TV e radar. Existem ainda transformadores de mltiplos taps no
enrolamento secundrio, usados para suprir diferentes tenses requeridas por diferentes equipamentos.
N
S

N
P
ncleo ferromagntico

V
P
V
S dispositivo
prximo
bobina

i

(a) (b)
Fig. 2.3.4: (a) indutncia mtua; (b) transformador.
i

36

2.3.6) MAGNETOESTRICO

Quando mergulhados em um campo magntico externo, certos materiais ferromagnticos apresentam pequenas
deformaes elsticas em sua geometria, como resultado de sua polarizao magntica. Estas deformaes ocorrem
na direo do campo aplicado e esse efeito, que reversvel, chamado magnetoestrico. Exemplos de materiais
magnetoestrictivos so o ferro, o cobalto, o nquel e ligas de ferro com cromo, cobalto ou alumnio (por exemplo, o
nquel em finas pastilhas apresenta elevada magnetoestrico). Deformaes elsticas de materiais ferromagnticos
tambm influem sobre suas caractersticas magnticas. Materiais com magnetoestrico submetidos a esforos de
trao sofrem reduo de sua permeabilidade magntica Como exemplo, o nquel sob trao tem sua permeabilidade
sensivelmente diminuda. Assim, este efeito explorado em componentes transdutores eletromecnicos de sistemas
de controle de presso (exemplo: prensas automticas) e medidores de deformaes.

QUESTES

1) O que so dieltricos polares e no polares? Como ocorre a polarizao de materiais dieltricos?
2) Conceitue rigidez dieltrica, Efeito Corona e permissividade dieltrica.
3) O que a propriedade capacitncia? O que um capacitor? Quais as vantagens do uso de meios dieltricos
slidos nos capacitores? Como se processa o aumento da capacitncia com o uso de dieltricos slidos?
4) Quais so os tipos de perdas nos dieltricos? O que fator de perdas?
5) O que so eletretos e o que a piezoeletricidade?
6) Conceitue magnetismo. O que so domnios e dipolos magnticos?
7) Explique a classificao dos materiais sob o ponto de vista magntico.
8) Comente sobre a magnetizao de materiais ferromagnticos e ciclo de histerese.
9) O que indutncia? O que so e como so classificados os indutores? No que se constituem os transformadores?
10) O que a magnetoestrico?

PROBLEMAS PROPOSTOS

PROBLEMA 1: O circuito ao lado mostra um capacitor inicialmente com um dieltrico
slido e em regime permanente. Retirado o dieltrico slido do capacitor, explique o que
acontece com a carga, a capacitncia e a ddp no capacitor em regime permanente se:
a) A chave k mantida fechada durante a retirada do dieltrico slido;
b) A chave k aberta antes da retirada do dieltrico slido.

PROBLEMA 2: Dispe-se de dois dieltricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas de 2 nF e que
suporte pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a rigidez dieltrica do material 1 16 kV/mm e
do material 2, 10 kV/mm. As permissividades relativas dos materiais 1 e 2 so, respectivamente, 2,5 e 5. Determine se
um desses materiais pode ser usado para construir o capacitor. Dado: C
placas paralelas
=

A/d, =
r

o
= permissividade
do dieltrico, A = 25 cm
2
= rea das placas, e d = distncia entre as placas.

PROBLEMA 3: Deseja-se isolar um cabo para 25 kV com um material isolante de rigidez dieltrica de 1,0 V/m.
Qual a espessura mnima do isolamento? Considere a variao da rigidez linearmente com a espessura.

PROBLEMA 4: Seja uma bobina com inicialmente 1000 espiras e ncleo de ar. Mede-se a indutncia da bobina e
obtm-se 50 mH. Para a seqncia de procedimentos a seguir (isto , a condio final de uma alterao a condio
inicial da prxima alterao), determine o valor da indutncia da bobina e explique o resultado, quando:
a) Diminui-se o nmero de espiras da bobina para 500 e observa-se uma variao de 70% na sua indutncia;
b) Introduz-se um ncleo ferromagntico na bobina e observa-se uma variao de 80% na sua indutncia;
c) Retira-se o ncleo ferromagntico e introduz-se um ncleo de madeira.

PROBLEMA 5: A figura ao lado mostra uma fonte de tenso alternada v
S
alimentando
um resistor R e um indutor L com ncleo inicialmente de ar, quando observa-se uma
leitura de 20 mA no ampermetro. Deseja-se testar dois ncleos de materiais A e B.
Introduzindo-se o ncleo de material A observa-se que a corrente diminui para 10 mA
e, introduzindo-se o de material B, a corrente permanece em 20 mA. A interpretao:
o material A provavelmente ferromagntico e o material B provavelmente
indiferente aceitvel? Explique.
V
C
k
R
dieltrico
slido
v
S
A
L

37
CAPTULO 3: INTRODUO TEORIA DOS SEMICONDUTORES

3.1) INTRODUO

Eletrnica a cincia e tecnologia do movimento de cargas eltricas num gs, vcuo ou semicondutor. Sua
histria divide-se basicamente em dois perodos: o primeiro definido como a era dos tubos a vcuo (conhecidas como
vlvulas), que consistem basicamente no aproveitamento do fenmeno da emisso termoinica e que, porisso, tem o
inconveniente de consumir muita energia, e o segundo como a era dos transistores, que so componentes construdos
a base de certos materiais slidos chamados semicondutores. Por isso, para diferenciar este ltimo da tecnologia dos
tubos a vcuo, a teoria dos semicondutores conhecida como Fsica do Estado Slido. Hoje todo o mbito da
eletrnica dominado pelos dispositivos semicondutores, exceto em algumas aplicaes de grande potncia e alta
tenso. Assim, a teoria dos tubos a vcuo praticamente omitida de todas as ementas de engenharia eletrotcnica.
Os dispositivos semicondutores so os componentes bsicos para processar sinais eltricos nos sistemas de
comutao, comunicao, computao e controle. Assim, o estudo destes materiais muito importante, em razo de
seu uso em larga escala no campo da eletro-eletrnica. Componentes como diodos, transistores bipolares de juno
(TBJs), termistores, fotocondutores, varistores, tiristores (SCR, Diac e Triac), transistores de efeito de campo (FET's)
e circuitos integrados baseiam-se em princpios estudados na teoria Fsica do Estado Slido.

3.2) MATERIAIS SEMICONDUTORES

Como visto no Captulo 1, a propriedade condutividade eltrica dos materiais proporcional concentrao n
de portadores de carga (eltrons livres), isto , = n e
n
. Como tambm mencionado no Captulo 1, para um bom
condutor, n muito grande (~10
23
eltrons livres/cm
3
) e, para um isolante, n muito pequena (~10
6
eltrons
livres/cm
3
), havendo para este ltimo, portanto, poucos portadores de carga disponveis para a conduo de corrente.
Os materiais com concentraes de portadores de carga livres entre a dos condutores e a dos isolantes podem
ser denominados de semicondutores, caracterizados, ento, por possuir uma semicondutncia. Condutores e isolantes
possuem apenas eltrons livres como portadores de carga porque possuem apenas um caminho para a corrente. Nos
semicondutores, no entanto, o deslocamento de carga livre ocorre em dois caminhos, isto , os semicondutores
comportam-se como se tivessem dois tipos de portadores de carga livre, que sero vistos posteriormente: eltrons
livres e lacunas. Desse modo, o valor numrico desta condutncia intermediria um critrio insuficiente, pois de
modo algum define totalmente o comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-
se obter misturas de materiais que atendem a essa classificao mas que no tem comportamento semicondutor.
Com relao ao comportamento da condutividade com a temperatura, medido pelo parmetro coeficiente de
temperatura da resistividade (visto no Captulo 1), os semicondutores ditos puros apresentam, em geral, negativo
dentro de uma determinada faixa de valores, isto , ao contrrio dos metais (ou semelhante aos materiais isolantes),
sua condutividade aumenta com a temperatura e a concentrao de portadores de carga no constante, variando em
razo exponencial, o que poder ser observado na Eq. 3.3.2.
Os materiais semicondutores mais conhecidos e usados so o germnio (Ge), o silcio (Si) e o arsenieto de
glio (GaAs). Devido a limitaes de temperatura e capacidade de tenso e corrente do germnio, atualmente h um
amplo predomnio dos dispositivos de silcio, razo pela qual a discusso mais geral neste captulo limitar-se- a este
material. Outros materiais: selnio, glio, sulfeto de cdmio, fosfeto de ndio e nitreto de glio.
Um tomo de germnio ou silcio isolado possui quatro eltrons na sua rbita
de valncia. Sabe-se porm que, para ser quimicamente estvel, um tomo necessita
de oito eltrons na camada de valncia. Os tomos destes elementos podem, ento,
posicionarem-se entre outros quatro tomos, compartilhando um eltron com cada
vizinho (ligao chamada covalente, presente tambm nos plsticos, no diamante,
em cermicas e nos polmeros), obtendo, assim, um total de oito eltrons na rbita de
valncia (Fig. 3.2.1). Esta disposio se constitui num slido onde os tomos se
arranjam na configurao chamada cristal (rede cristalina).
Carbono, silcio, germnio e estanho pertencem configurao eletrnica do
grupo IV-A da tabela peridica, ou seja, possuem quatro eltrons na camada de
valncia. Apesar desta semelhana, o carbono na forma cristalina (diamante) um
isolante, silcio e germnio no estado slido so semicondutores e o estanho um
condutor. A razo para a diferena nos comportamentos eltricos est na estrutura de
bandas de energia: a energia do gap entre as bandas de valncia (BV) e de conduo
(BC), denominada E
G
, muito elevada no diamante (E
G

6 eV), tem valores
pequenos no germnio (E
G
= 0,785 eV) e no silcio (E
G
= 1,21 eV) e inexistncia de gap no estanho (E
G
= 0 eV).
+4 +4
+4
+4
+4
ligao
covalente
eltrons de
valncia
ons de
silcio
Fig. 3.2.1: Estrutura
bidimensional de um cristal
semicondutor (silcio).
CAPTULO 3 Introduo teoria dos semicondutores
38

3.3) FENMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES

A discusso que se segue limita-se ao silcio devido s razes discutidas anteriormente e por discutir.
Como visto no Captulo 1, um cristal condutor (metais), quando submetido a uma ddp, capaz de conduzir
correntes elevadas porque em sua estrutura atmica h eltrons submetidos a uma fraca atrao do ncleo dos tomos
do material, os chamados eltrons livres, pois percorrem nveis de energia elevados.
Logo, para um cristal de silcio, este tambm depende da
existncia de eltrons que possam se deslocar dentro do cristal.
Contudo, em temperaturas muito baixas ( 0 K), os eltrons do
silcio no conseguem se mover (no esto livres) e o mesmo
comporta-se como isolante (Fig. 3.3.1-a), pois todos os eltrons
de valncia esto fortemente presos aos seus tomos ao fazer
parte das ligaes covalentes do material (Fig. 3.3.1-b) e, desse
modo, no podem se deslocar pelo mesmo em resposta a um
campo eltrico aplicado, pois no h rbitas disponveis na
banda de valncia. Porm, para uma temperatura mais elevada
(por exemplo, ambiente), a energia trmica recebida pelo cristal
quebra ligaes covalentes e eltrons se deslocam para a banda
de conduo, deixando certas vacncias na banda de valncia
(Fig. 3.3.2-b e c) e possibilitando o silcio conduzir corrente (Fig. 3.3.2-a). Estas vacncias, que se constituem em
ligaes covalente incompletas, so chamadas de lacunas ou buracos. A importncia da lacuna que esta se constitui
em um conceito terico de portador de carga livre, pois seu comportamento comparvel ao eltron livre.
Como cada eltron que se desloca para a banda de conduo cria uma lacuna na banda de valncia, o conjunto
criado ento chamado par eltron-lacuna. Desse modo, o aumento de temperatura de um semicondutor provoca um
aumento da densidade de pares eltron-lacuna e, assim, pode-se conseguir um nmero limitado de portadores de carga
livres em um semicondutor devido elevao de temperatura do material.

Enquanto a energia trmica produzir novos pares eltron-lacuna, outros pares desaparecem como resultado de
recombinaes, isto , eltrons livres voltam BV para ocupar uma rbita disponvel (lacuna). Logo, em um
semicondutor dito intrnseco, como o caso do dito puro, o nmero de lacunas igual ao de eltrons livres. Sendo n
(eltrons livres/cm
3
) a concentrao de eltrons livres e p (lacunas/cm
3
) a concentrao de lacunas, tem-se ento que:
i
n p n = = (3.3.1)
onde n
i
a chamada concentrao intrnseca (concentrao de pares eltron-lacuna num semicondutor intrnseco).
Assim, um aumento de temperatura em um semicondutor provoca um aumento em sua concentrao
intrnseca. Como a condutividade eltrica , como visto no Captulo 1, proporcional concentrao de eltrons livres
(Eq. 1.3.6), a condutividade do semicondutor puro aumenta com o aumento da temperatura (como j dito, seu
coeficiente de temperatura da resistividade negativo), devido ao aumento na sua concentrao intrnseca. Tal
comportamento expresso pela seguinte equao:
2 3
GO
B
E
K T
i o
n A T e
= (3.3.2)
onde A
o
(cm
-6
K
-3
) uma constante do material independente da temperatura, E
GO
(eV) a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessria para desfazer a ligao covalente) e K
B
= 8,62 x 10
-5
eV/K a constante de Boltzmann.
Na temperatura ambiente, um cristal de silcio puro praticamente no tem portadores livres se comparado ao
de germnio. Esta a razo principal que fez o silcio tornar-se superior ao germnio na fabricao de componentes
semicondutores, pois significa que o silcio tem menor dependncia da temperatura em relao ao germnio.
Fig. 3.3.1: Conduo no silcio puro a 0 K:
(a) circuito; (b) bandas de energia.
energia
BV
BC
1
o
B
2
o
B
bandas totalmente preenchidas
silcio puro
a T = 0 K
metal
I = 0
(a) (b)
V
S

Fig. 3.3.2: Silcio puro temperatura ambiente: (a) fluxo de eltrons; (b) bandas de energia; (c) cristal de
silcio com ligao covalente desfeita.
+4 +4
+4
+4
+4
ligao
covalente
eltron
livre
lacuna
silcio puro
a T > 0 K
movimento
dos eltrons
(a) (b) (c)
1
o
B
par
eltron-lacuna
eltron livre
lacuna
energia
2
o
B
BV
BC
V
S

I 0
39

As lacunas em um semicondutor tambm produzem corrente. Seja um bloco de silcio temperatura ambiente
submetido a uma ddp, que gera um campo eltrico em seu interior. Atravs dos eltrons livres originados por quebra
das ligaes covalentes pela energia trmica, haver uma conduo de corrente na banda de conduo que se
assemelha conduo nos metais. As lacunas tambm se locomovem devido a esta ddp, porm em sentido contrrio.

Seja uma lacuna criada por energia trmica, representada na Fig. 3.3.3-a com a letra A. Quando uma ligao
est incompleta de modo a existir uma lacuna, apenas uma pequena variao de energia fornecida por um campo
eltrico pode fazer um eltron de um tomo de valncia vizinho (representado em B) deslocar-se para esta lacuna e
deixar sua ligao covalente incompleta em B, gerando uma lacuna. Logo, o mesmo pode acontecer ao eltron em C
que, ao preencher a lacuna em B, cria uma lacuna em C e assim sucessivamente. Desse modo, as lacunas se movem
no sentido contrrio aos dos eltrons da BV (Figs. 3.3.3-b e c). Portanto, as lacunas, no lugar dos eltrons da BV,
podem ser tratadas como partculas clssicas de carga positiva e, assim como os eltrons da BC, tambm consideradas
portadores de carga livres. Tal comportamento das lacunas pode ser verificado pelo Efeito Hall, visto mais adiante.
Assim, pelo fato de haver lacunas nas rbitas de valncia, h dois percursos ao longo do qual os eltrons podem
se deslocar dentro do cristal: bandas de valncia e conduo (Figs. 3.3.3-a e b), com as lacunas no sentido contrrio
(Fig. 3.3.3-c). Portanto, entende-se que o semicondutor possui dois tipos de portadores de carga e oferece dois trajetos
de corrente para os mesmos: um atravs da banda de conduo, formado pelos eltrons livres, e outro atravs da
banda de valncia, formado pelas lacunas. Este o principal motivo dos semicondutores serem diferentes dos metais.
Como visto no Captulo 1, a densidade de corrente de conduo J em um material condutor proporcional ao
campo eltrico E aplicado ao mesmo, isto , J = E, onde a condutividade do material. Como tanto os eltrons
como as lacunas contribuem para o processo da conduo em um semicondutor, a expresso da condutividade para
estes materiais a uma temperatura acima de 0 K ampliada de modo a contemplar ambos os portadores, ou seja:
( ) ( / )
n p n p
n e p e e n p S m = + = + (3.3.3)
onde o sinal de soma dos produtos das concentraes de eltrons livres (n) e lacunas (p) com as mobilidades dos
eltrons livres (
n
) e lacunas (
p
) devido ao fato que os portadores movem-se em sentidos contrrios mas possuem
cargas opostas. A expresso da densidade de corrente de conduo agora expressa por:
2
( ) ( / )
n p
J E J e n p E A m = = + (3.3.4)
mas, como nos semicondutores intrnsecos, n = p = n
i
(Eq. 3.3.1), tm-se ento que:
2
i i
( ) ( ) ( / )
n p n p
e n J e n E A m = + = + (3.3.5)
A Tab. 3.3.1 a seguir mostra algumas propriedades do silcio puro.

PROPRIEDADE VALOR PROPRIEDADE VALOR
nmero atmico 14 concentrao de tomos do cristal (cm
-3
) 5 x 10
22

massa especfica (g/cm
3
) 2,33 constante de difuso de eltrons livres D
n
a 300 K (cm
2
/s) 34
constante A
o
(cm
-6
K
-3
) 5,23 x 10
35
constante de difuso de lacunas D
p
a 300 K (cm
2
/s) 13
E
GO
(E
G
a 0 K) em eV 1,21 mobilidade das lacunas -
p
a 300 K (cm
2
/V

s) 500
E
G
a 300 K em eV 1,12 mobilidade dos eltrons -
n
a 300 K (cm
2
/V

s) 1300
constante dieltrica 11,9 concentrao intrnseca n
i
a 300 K (cm
-3
) 1,5 x 10
10

Tab. 3.3.1: Algumas propriedades do silcio puro

Com base na Tab. 3.3.1, pode-se observar que a densidade (concentrao) de tomos por cm
3
no silcio da
ordem de 10
22
, mas temperatura ambiente (300 K) a concentrao intrnseca de portadores n
i
da ordem de 10
10

portadores livres por cm
3
. Isto significa que apenas um tomo de silcio em cada 10
12
tomos do material contribui
com um eltron livre (e, conseqentemente, uma lacuna). Desse modo, esta concentrao intrnseca de portadores
mais prxima da que se verifica em um material isolante e tal fato pode ser verificado pela grande resistividade do
silcio puro na temperatura ambiente, calculada a seguir:
Fig. 3.3.3: (a) diagrama de energia da corrente de lacunas; (b) e (c) dois trajetos para a corrente.
A B C
BV
BC
energia
- - - - - - -
- - - - - - -
eltrons da BV
eltrons da BC
- - - - - - -
+ + + + +
lacunas na BV
eltrons da BC
(a) (b) (c)
V
S
V
S

E
40

m m
m S cm S
n e
K
K
K
K p K n K K
= = =
= =
+ = + =

2300 2314
10 32 , 4
1 1
: Logo
/ 10 32 , 4 / 10 32 , 4
) 500 1300 ( 10 5 , 1 10 6 , 1 ) ( : Da
4
300
300
4 6
300
10 19
300 300 300 i 300
3.3.5 Eq.

Por estes clculos verifica-se, ento, que a resistividade do silcio puro na temperatura ambiente (
300K
) bem
elevada (como comparao,
Cu
= 1,72 x 10
-8
m), fato exemplificado de outra maneira no exerccio a seguir.

EXERCCIO 3.3.1: Seja uma barra de silcio puro de comprimento 5 mm e 0,01 mm
2
de seo transversal.
Determine a ddp entre as suas extremidades quando no mesmo se mede uma corrente de 1A a 300 K.
SOLUO
Seja R
b,300 K
a resistncia CC da barra de silcio a 300 K. Do Captulo 1, sabe-se que: R
b,300 K
=
300K
l/A, onde,
do clculo acima,
300K
= 2300 m e, do problema, que l = 5 mm = 5 x 10
-3
m e A = 0,01 mm
2
= 10
-8
m
2
.
Seja V
b
a ddp nos terminais da barra e I = 10
-6
A sua corrente. Aplicando a Lei de Ohm na barra, tem-se ento:
V V
b
1150 = = = =

6
8
3
300 300 ,
10
10
10 5
2300 I
A
l
V I R V
K b K b b

O resultado obtido neste exemplo indica que ser necessria uma tenso extremamente elevada (1150 V) para
produzir uma pequena corrente (1 A) no silcio. Assim, para a maioria das aplicaes, em um semicondutor
intrnseco no h portadores de carga livres nem causas suficientes para produzir uma corrente utilizvel. A soluo
consiste, ento, em elevar a condutividade do semicondutor intrnseco, introduzindo-se no mesmo, tomos de certas
impurezas para aumentar a quantidade de um dos tipos de portadores livres. Tal assunto visto a seguir.

3.4) O SEMICONDUTOR EXTRNSECO

Quando em um cristal semicondutor puro so introduzidas impurezas tal que produza um predomnio de apenas
um dos portadores de carga livres, este passa a ser denominado semicondutor extrnseco. Este expediente, chamado
dopagem, tem a funo de aumentar a condutividade do material semicondutor puro e diminuir sua dependncia com
a temperatura. A dopagem consiste na introduo, por processo tecnolgico delicado e sofisticado, de tomos de
impurezas com teor cuidadosamente controlado para produzir a perfeita difuso destas impurezas no semicondutor.
As impurezas so tomos de materiais trivalentes ou pentavalentes que, quando introduzidas, estabelecem ento
um semicondutor com predomnio de um tipo de portador de carga, eltron livre ou lacuna. O nvel usual de dopagem
para o silcio da ordem de 1 tomo de impureza por 10
6
a 10
8
tomos de silcio. Assim, a maioria das propriedades
fsicas e qumicas so essencialmente as do silcio e apenas suas propriedades eltricas mudam acentuadamente.
De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor intrnseco, obtm-se os semicondutores extrnsecos
denominados tipo P (predomnio de lacunas) e tipo N (predomnio de eltrons livres), vistos a seguir.

3.4.1) SEMICONDUTOR TIPO N

Dopando-se tomos pentavalentes (tomos com 5 eltrons na banda de valncia) em um cristal de silcio
intrnseco, pode-se aumentar o nmero de eltrons na banda de conduo deste material. Isto acontece porque o tomo
de impureza pentavalente forma quatro ligaes covalentes com quatro tomos de silcio vizinhos, atingindo oito
eltrons na sua banda de valncia e se tornando estvel. Como a banda de valncia est totalmente ocupada, o quinto
eltron do tomo pentavalente pode, ento, percorrer uma rbita disponvel na banda de conduo (Fig. 3.4.1-a).
Os tomos pentavalentes so chamados freqentemente de impurezas doadoras ou tipo N porque eles produzem
eltrons na banda de conduo. Exemplo de impurezas doadoras so o arsnio (As), o antimnio (Sb) e o fsforo (P).
Quando impurezas doadoras so adicionadas a um semicondutor intrnseco, nveis de energia permitidos so
introduzidos bem prximos da banda de conduo (Fig. 3.4.1-b). O quinto eltron do tomo pentavalente pode, ento,
ocupar este nvel. Como a energia necessria para retir-lo do tomo, da ordem de 0,05 eV no silcio, bem menor
que a requerida para desfazer a ligao covalente ( 1,1 eV), o mesmo pode facilmente ser ionizado.
O silcio dopado com doadores , dessa forma, conhecido como semicondutor tipo N. As impurezas tipo N no
s aumentam o nmero de eltrons livres como faz decrescer a quantidade de lacunas que havia no semicondutor
intrnseco, porque h uma maior taxa de recombinao devido maior presena de eltrons livres. Devido a este fato,
em semicondutores tipo N chama-se os eltrons livres de portadores majoritrios e as lacunas de portadores
minoritrios. A Fig. 3.4.1-c mostra as bandas de energia de um cristal dopado com impureza doadora. Nota-se, ento,
um grande nmero de eltrons na banda de conduo, produzido principalmente pela dopagem, e um nmero
comparativamente bem menor de lacunas na banda de valncia, criadas pela energia trmica.
41

3.4.2) SEMICONDUTOR TIPO P

Dopando-se tomos trivalentes (tomos com trs eltrons na BV) em um cristal de silcio intrnseco, pode-se
aumentar o nmero de lacunas na BV deste material. Isto porque o tomo de impureza trivalente forma trs ligaes
covalentes com trs tomos de silcio vizinhos, atingindo sete eltrons na BV. Logo, resta uma ligao covalente
incompleta, ou seja, h a ausncia de um eltron (Fig. 3.4.2-a), o que se constitui numa lacuna.
Os tomos trivalentes so chamados freqentemente de impurezas aceitadoras ou tipo P, porque produzem
lacunas na banda de valncia. Exemplo de impurezas aceitadoras so o alumnio (Al), o boro (B) e o glio (Ga).
Quando impurezas aceitadoras so adicionadas ao semicondutor intrnseco, nveis de energia so introduzidos
bem prximos da banda de valncia (Fig. 3.4.2-b). Visto que pequena quantidade de energia necessria para um
eltron deixar a BV e ocupar este nvel aceitador (0,05 eV para o silcio), segue-se que as lacunas gerada na BV por
esses eltrons constituem o maior nmero de portadores no material semicondutor.
O silcio dopado com aceitadores , dessa forma, conhecido como semicondutor tipo P. Anlogo do tipo N, as
impurezas tipo P, alm de aumentar o nmero de lacunas, faz decrescer a quantidade de eltrons livres existentes no
semicondutor intrnseco, pois h tambm uma maior taxa de recombinao devido maior presena de lacunas. Logo,
nos semicondutores tipo P denomina-se os eltrons livres de portadores minoritrios e as lacunas de portadores
majoritrios. A Fig. 3.4.2-c mostra as bandas de energia de um cristal dopado com impureza aceitadora. Nota-se,
ento, um grande nmero de lacunas na banda de valncia, produzido principalmente pela dopagem, e um nmero
comparativamente bem menor de eltrons livres na banda de conduo, criadas pela energia trmica.

3.4.3) RESISTNCIA DE CORPO

A resistncia de uma amostra de um semicondutor chamada resistncia de corpo. Ela obedece a Lei de Ohm,
isto , a tenso aplicada amostra proporcional corrente eltrica que a percorre, atravs de uma constante
dependente da temperatura, que sua resistncia. Como, quanto maior a dopagem, mais portadores livres so criados,
ento tem-se que a resistncia de corpo do semicondutor extrnseco diminui com a dopagem.
Fig. 3.4.2: Cristal tipo P de silcio: (a) criao de lacunas na rede cristalina do silcio; (b) bandas de
energia; (c) predominncia de lacunas em relao aos eltrons livres gerados por efeito trmico.
+3 +4
+4
+4
+4
on
trivalente
energia
BV
BC
E
G
0,05 eV

nvel de
energia
aceitador
energia
BV
BC
eltron
livre
lacuna
(a) (b) (c)
lacuna
ligao
covalente no
completada
Fig. 3.4.1: Cristal tipo N de silcio: (a) criao de eltrons livres na rede cristalina do silcio; (b) bandas de
energia; (c) predominncia de eltrons livres em relao s lacunas geradas por efeito trmico.
+5 +4
+4
+4
+4
eltron
livre
on
pentavalente
energia
BV
BC
E
G
0,05 eV

nvel de
energia
doador
energia
BV
BC
eltron
livre
lacuna
(a) (b) (c)
42

3.4.4) LEI DA AO DE MASSAS

Pelo exposto anteriormente nota-se que, adicionando-se impurezas tipo N, esta decresce o nmero de lacunas e,
de maneira anloga, adicionando-se impurezas tipo P, esta diminui o nmero de eltrons livres abaixo da existente em
um semicondutor puro. Porm, em condies de equilbrio trmico, isto , de criao de pares eltron-lacuna
constante, verifica-se por anlise terica que, qualquer que seja a dopagem, o produto das concentraes de cargas
livres (eltrons n e lacunas p) sempre igual ao produto das concentraes de cargas livres do semicondutor puro, isto
, igual ao quadrado da concentrao intrnseca n
i
(pois, como visto, n = p = n
i
para o semicondutor puro). Logo, o
produto das concentraes de cargas livres uma constante independente da quantidade da dopagem de impurezas
doadoras ou aceitadoras. Esta relao chamada Lei da Ao de Massas, sendo definida, ento, por:
2
i
n p n = (3.4.1)
onde a concentrao intrnseca n
i
, como visto, funo da temperatura (Eq. 3.3.2). Esta sentena vlida, portanto,
tambm para qualquer semicondutor, independente de pureza ou dopagem.
Logo, nos semicondutores extrnsecos tem-se que n p, pois h predominncia de um dos tipos de portadores
de carga (eltrons livres nos semicondutores tipo N e lacunas nos tipo P), mas o produto das concentraes obedece a
Lei da Ao de Massas. Contudo, como ser visto a seguir com a definio das concentraes de portadores em um
semicondutor extrnseco atravs da Lei da Neutralidade de Carga, a predominncia de um tipo de portador far com
que a dopagem de um semicondutor extrnseco aumente bastante sua condutividade, pois passa a ter concentrao de
portadores mais prxima dos condutores, mesmo obedecendo a Lei da Ao de Massas.

3.4.5) CONCENTRAO DE PORTADORES EM SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

Seja um cristal semicondutor isolado e uniformemente dopado com N
D
tomos doadores e N
A
tomos
aceitadores. Desse modo, tem-se que N
D
(tomos/cm
3
) a concentrao de tomos doadores e N
A
(tomos/cm
3
) a
concentrao de tomos aceitadores do semicondutor. Aps um tomo doador ceder um eltron, este se torna um on
positivo, assim como, aps um tomo aceitador receber um eltron, este se torna um on negativo. Para temperaturas
normais de uso (em torno de 300 K) estas impurezas esto praticamente ionizadas, e produzem, ento, uma densidade
N
D
de ons positivos e uma densidade N
A
de ons negativos. Porm, um cristal isolado deve manter sua neutralidade
eltrica e, assim, tem-se que a concentrao de cargas positivas totais (lacunas + ons positivos) deve igualar-se
concentrao de cargas negativas totais (eltrons livres + ons negativos), ou seja:
3
( )
D A
N p N n cm
+ = + (3.4.2)
Como em um semicondutor extrnseco, n p, adicionar-se- os ndices N e P para caracterizar o tipo de
material. Logo, a Eq. 3.4.2 reescrita para cada tipo de semicondutor extrnseco:
) (
3
+ = + cm n N p N
N A N D
(3.4.3)
para o semicondutor tipo N. Para o semicondutor tipo P ser:
3
( )
D P A P
N p N n cm
+ = + (3.4.4)
Considere-se agora um material tipo N. Como nesse tipo de semicondutor no h impurezas aceitadoras (N
A
=
0) e o nmero de eltrons livres muito maior que a quantidade de lacunas (n
N
>> p
N
), a Eq. 3.4.3 reduz-se a:

D N
N n (3.4.5)
isto , num material tipo N, a concentrao de eltrons livres aproximadamente igual concentrao de tomos
doadores. A concentrao de lacunas no material tipo N pode, ento, ser obtida pela Lei da Ao de Massas, ou seja:
2 2
2 2 i i
i i
ou
N N N N
N D
n n
n p n n p n p p
n N
= = = = (3.4.6)
Logo, como n
N
>> p
N
, tem-se que as expresses da condutividade eltrica (Eq. 3.3.3) e da densidade de
corrente de conduo (Eq. 3.3.4) para o material tipo N passam a contemplar apenas os eltrons livres, isto :
e
n N n n N n
n e J n e E = = (3.4.7)
onde
n
a condutividade eltrica do material tipo N e J
n
a densidade de corrente de conduo de eltrons livres.
Analogamente, para um semicondutor tipo P, onde N
D
= 0 e p
P
>> n
P
, tem-se, da Eq. 3.4.4, que:
A P
N p (3.4.8)
e desse modo, pela Lei da Ao de Massas, a concentrao de eltrons livres no material tipo P ser:
2 2
i i
ou
P P
P A
n n
n n
p N
= = (3.4.9)
Como p
P
>> n
P
, tem-se neste caso que as expresses da condutividade eltrica (Eq. 3.3.3) e da densidade de
corrente de conduo (Eq. 3.3.4) para o material tipo P passam a contemplar apenas as lacunas, isto :
e
p P p p P p
p e J p e E = = (3.4.10)
43

onde
p
a condutividade eltrica do material tipo P e J
p
a densidade de corrente de conduo de lacunas.
O exemplo a seguir mostra a eficcia dos semicondutores extrnsecos nos dispositivos eletrnicos. Neste exemplo ser
considerada uma amostra tipo N com iguais dimenses e mesma corrente eltrica que se considerou no silcio puro
mostrado no exerccio 3.3.1.

EXERCCIO 3.4.1: Uma amostra de silcio tipo N a 300 K, de comprimento 5 mm e 0,01 mm
2
de seo transversal,
percorrida por uma corrente eltrica de 1 A. A dopagem feita nesta amostra de 1 tomo de impureza doadora por
10
8
tomos de silcio. Determine a ddp na amostra.
SOLUO
Da Tab. 3.3.1 tem-se que a concentrao de tomos do cristal de silcio de 5 x 10
22
tomos/cm
3
. Como a dopagem
feita no material consiste em 1 tomo de impureza por 10
8
tomos de silcio, ento a concentrao de tomos
doadores ser de 5 x 10
14
tomos/cm
3
, isto : N
D
= 5 x 10
14
tomos/cm
3
. Logo:
- Da Eq. 3.4.5: n
N
= 5 x 10
14
eltrons livres/cm
3

- Da Eq. 3.4.6:
( )
3
5
14
2
10 2
i
10 5 , 4
10 5
10 5 , 1
cm
lacunas
n
n
p
N
N

= = =
onde n
i
a 300 K 1,5 x 10
10
portadores/cm
3
(Tab. 3.3.1).
Observando-se que n
N
>> p
N
, pode-se entender que a condutividade depender apenas da concentrao de eltrons
livres. Considerando constante o valor da mobilidade dos eltrons (
n
) a 300 K, dado na Tab. 3.3.1, tem-se:
14 19
, 300 , 300
, 300 , 300
- Da Eq. 3.4.7: 5 10 1, 6 10 1300
0,104 / 10, 4 / 0, 09615
n K N n K
n K n K
n e
S cm S m m

= =
= = =

Pode-se observar que a condutividade desta amostra consideravelmente maior que a do silcio puro calculado
anteriormente (4,32 x 10
-4
S/m). A razo entre ambos de:
24000
10 32 , 4
4 , 10
) intrnseca amostra (
) extrnseca amostra (
4
300
300 ,
=
n

Utilizando-se a Lei de Ohm para o clculo da ddp na amostra de silcio tipo N, tem-se:
V m V
b
48,1 = = = =

6
8
3
300 , 300 ,
10
10
10 5
09615 , 0 I
A
l
V I R V
K n b K b b

Este resultado muito menor que o obtido para a amostra pura, pois, como as dimenses da mesma e condio de
corrente so iguais s do Exerccio 3.3.1, tem-se que a razo entre os mesmos de:
24000
0481 , 0
1150
) extrnseca amostra (
) intrnseca amostra (
=
ddp
ddp

A comparao deste resultado com o obtido no Exerccio 3.3.1 mostra que, para se gerar uma pequena corrente
de 1 A deve-se aplicar 1150 V amostra pura, enquanto que a amostra extrnseca tipo N requer apenas 48,1 mV.
Alm disso, como demonstrada no exemplo, esta reduo de tenso, num fator de 24000, iguala exatamente ao
acrscimo na condutividade. Logo, o enorme aumento da quantidade de eltrons livres, n = n
i
= 1,5 x 10
10
cm
-3
do
semicondutor intrnseco a 300 K (Tab. 3.3.1) para n
N
= 5 x 10
14
cm
-3
obtido neste exemplo, acontece quando apenas 1
tomo de silcio em 10
8
tomos substitudo por um tomo de impureza.

Comentrio: Se em um cristal tipo P, com concentrao N
A
de tomos aceitadores, for acrescentada N
D
impurezas
doadoras, tal que N
D
> N
A
, o cristal passa de tipo P para tipo N e vice-versa. Se ambas as dopagens forem iguais, o
semicondutor permanece intrnseco (porm no mais puro) porque eltrons livres e lacunas gerados pela dopagem se
combinam, no originando portadores adicionais. Logo, sobre uma amostra de determinado tipo, pode-se criar ilhas
do outro tipo e assim sucessivamente. Este fato amplamente aproveitado na construo dos circuitos integrados.

3.4.6) VARIAES DE PROPRIEDADES COM A TEMPERATURA DEVIDO DOPAGEM

Como visto, a condutividade de um semicondutor depende da concentrao e da mobilidade dos eltrons e
lacunas. Logo, o estudo das variaes destes parmetros com a temperatura em semicondutores extrnsecos
importante porque os dispositivos semicondutores sujeitam-se a uma vasta gama de temperaturas de operao:
1) Concentrao intrnseca n
i
: atravs da equao da concentrao intrnseca (Eq. 3.3.2), nota-se que o aumento de
n
i
2
com a temperatura tambm exerce efeito sobre as densidades de carga nos semicondutores extrnsecos por
causa da Lei da Ao de Massas (Eq. 3.4.1). Por exemplo, seja uma amostra tipo N com uma concetrao N
D
de
tomo doadores. Neste semicondutor, quase todos os portadores de carga livres so eltrons livres (majoritrios)
devido contribuio das impurezas tipo N na criao destes portadores. No entanto, quando esta amostra
submetida a um aumento de temperatura, a energia trmica cria pares eltron-lacuna, o que ocasiona um impacto
44

substancial no nmero de portadores que so minoritrios no material (no caso, lacunas), mas no no nmero de
majoritrios (eltrons livres). Logo, como a concentrao intrnseca n
i
depende deste aumento de temperatura, o
aumento em n
i
devido aos portadores minoritrios (lacunas - p
N
) pois o nmero de eltrons livres (n
N
) permanece
praticamente constante (n
N
N
D
). Analogamente, nos semicondutores tipo P, pequenas subidas de temperatura
elevam n
P
e verifica-se que p
P
N
A
permanece constante.
2) Mobilidade dos portadores de carga (
n
e
p
): a elevao da temperatura (aumento da energia trmica) cria
novos portadores e aumenta a agitao trmica, o que origina um maior nmero de colises, com conseqente
diminuio das mobilidades dos portadores de carga. Tipicamente, para uma variao da temperatura entre 100 e
400 K, a variao das mobilidades dos eltrons livres (
n
) proporcional a T
2,5
e, das lacunas (
p
), T
2,7
.
3) Condutividade ( ): a condutividade de um semicondutor puro cresce com o aumento da temperatura porque o
incremento de pares eltron-lacuna maior que a diminuio das mobilidades. Nos semicondutores extrnsecos,
porm, na faixa de temperaturas entre 100 e 600 K, a quantidade de portadores majoritrios , como visto,
praticamente constante devido dopagem, mas a reduo da mobilidade origina um decrscimo da condutividade
com a temperatura. A dopagem, portanto, faz o semicondutor extrnseco adquirir caractersticas de temperatura
mais prxima dos materiais condutores, pois, como visto no Captulo 1, a condutividade aumenta para materiais
isolantes e diminui para materiais condutores.

3.4.7) O EFEITO HALL

Chama-se Efeito Hall o fenmeno do aparecimento de um campo eltrico induzido E quando um metal ou
semicondutor, conduzindo uma corrente eltrica I, imerso em um campo magntico de induo B uniforme e
transversal corrente I. Esse campo eltrico surge perpendicularmente ao plano B-I e tem como finalidade
restabelecer o estado de equilbrio que foi alterado pela ao das linhas de induo sobre o fluxo de portadores. O
surgimento deste campo eltrico discutido a seguir:

Da Eletrodinmica sabe-se que, quando uma carga q em movimento com velocidade v atravessa um campo
magntico uniforme de induo B transversal a v, surge uma fora magntica F
mag
na carga proporcional ao produto
vetorial entre v e B e perpendicular ao plano v-B. Seja, ento, uma amostra de material condutor percorrida, no sentido
convencional, por uma corrente I na direo positiva do eixo x e mergulhada em um campo magntico de induo B
na direo positiva do eixo y (Fig. 3.4.3-a). Desse modo, os portadores de carga do condutor estaro sujeitos a uma
fora magntica F
mag
. Como em condutores a corrente formada por eltrons livres, cujo sentido contrrio ao
convencional, e, sendo q = carga do eltron = - e, o sentido da fora magntica F
mag
nos portadores de carga o
mostrado na Fig. 3.4.3-a (sentido positivo do eixo z). A fora magntica provoca, ento o deslocamento dos eltrons
para a face 2 da amostra, deixando a face 1 carregada positivamente. Esta separao de cargas opostas origina uma
diferena de potencial V
H
, como resultado de um campo eltrico E que surge entre as cargas (Fig. 3.4.3-a). O
surgimento do campo eltrico chamado Efeito Hall, sendo a ddp V
H
conhecida como tenso ou fem de Hall.
Como nos semicondutores tipos P e N os portadores majoritrios (lacunas e eltrons livres, respectivamente)
tm sinais contrrios, o Efeito Hall pode ser empregado na determinao do tipo de semicondutor . Seja, ento, uma
amostra de material semicondutor de tipo desconhecido, atravessada por uma corrente I no sentido positivo de x e
colocada em um campo magntico de induo B no sentido positivo de y. Assim, analisando-se as Figs. 3.4.3 -b e c
observa-se que seus portadores de carga estaro sujeitos a uma fora magntica no sentido positivo de z,
independentemente da amostra ser tipo N ou P, isto , independente do tipo de portador de carga que compe a
corrente no semicondutor. Logo, atravs da ddp de Hall entre as faces 1 e 2 nas amostras se conclui que:
Se a polaridade da tenso de Hall V
H
positiva na face 1 em relao face 2, ento os portadores de carga so
eltrons livres, o que identifica a amostra de material semicondutor como sendo do tipo N (Fig. 3.4.3-b). Nota-se
que este caso similar ao que ocorre em um condutor (Fig. 3.4.3-a).
Fig. 3.4.3: Efeito Hall em: (a) condutores; (b) amostra tipo N; (c) amostra tipo P.
(a) (b) (c)
F
mag
= -e (- v
) x B
= e v
x B

z
x
y
V
H
face 1
face 2
SC Tipo N
I
B
E
v

F
mag
= e v
x B

z
x
y
V
H
face 1
face 2
SC Tipo P
I
B
E
v

lacuna F
mag
= -e (- v
) x B
= e v
x B

z
x
y
V
H
face 1
face 2
I
B
E
v

d

w
(corrente formada
majoritariamente por eltrons livres)
Condutor
(corrente formada
majoritariamente por lacunas)
45

Se a polaridade de V
H
positiva na face 2 ento os portadores de carga so lacunas, o que identifica a amostra
como sendo do tipo P (Fig. 3.4.3-c) e confirma ainda o fato indicado no item 3.3 de que a lacuna se comporta
como um clssico portador de carga livre positivo.
O mdulo do campo eltrico E criado devido ao Efeito Hall pode ser dado por: E = V
H
/d. Para o equilbrio das
cargas nas faces opostas, este campo eltrico deve submeter estas cargas a uma fora eltrica F
el
para contrabalanar a
fora magntica F
mag
, tal que: F
el
= F
mag
e E = e v B v = E/B = V
H
/(d B). Atravs da definio da densidade de
corrente J, vista no Captulo 1 (J = n e v = I/A, onde A = w d para este caso), e, com base na Fig. 3.4.3-b, tem-se que:
H
H
V w e
I B
n
d w
I
B d
V
e n
d w
I
v e n J = = = =
Sabendo-se o valor de w e medindo-se os parmetros I, B e V
H
, pode-se, ento, calcular o valor da concentrao
da carga n na amostra. Se a condutividade do material da amostra tambm for determinada, atravs do simples
emprego da relao = l/(R A), onde R a resistncia da amostra, l seu comprimento e A = w d a rea da seo
transversal corrente, pode-se determinar tambm a mobilidade
n
das cargas pela relao:
n
=

/

(n e).

3.5) DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES PUROS

Como visto anteriormente, a condutividade de um semicondutor proporcional concentrao de portadores
livres (Eq. 3.3.3) e, ainda, que a mesma pode ser aumentada pelo acrscimo destes portadores. No entanto, devido
excessiva sensibilidade temperatura do semicondutor puro (por exemplo, a condutividade do silcio puro aumenta
aproximadamente 8% por grau de temperatura), acrescido ao fato da mobilidade dos eltrons livres ser maior que a de
lacunas (vide Tab. 3.3.1 para o silcio), no indica o material puro como um bom elemento para o emprego direto nos
circuitos eletrnicos. Isto porque necessita-se de ter o maior controle possvel sobre a corrente que flui nos circuitos
de modo a no haver mudanas na sua performance esperada, problema que pode se potencializar se a condutividade
dos materiais componentes de um circuito se alterar demasiadamente com a temperatura.
Porm, uma exceo feita em circuitos de controle, onde se deseja utilizar componentes sensores constitudos
de materiais em que alguma de suas propriedades fsicas alterada por ao de alguma varivel fsica externa. Como
para se alterar o nmero de pares eltron-lacuna em um semicondutor pode-se utilizar a variao da temperatura
(energia trmica) e mesmo a iluminao sobre o mesmo (energia luminosa), os semicondutores puros so, ento,
explorados em certos dispositivos tipo transdutores. Estes dispositivos so chamados de termistores (sensveis ao
da temperatura) e fotocondutores (sensveis ao da luz), sendo estes ltimos tambm chamados de fotorresistores.
Dessa forma, as propriedades dos semicondutores puros se constituem numa vantagem nestas aplicaes.
Tanto o germnio, quanto o silcio no so utilizados na tecnologia destes componentes porque ambos possuem
impurezas naturais de difcil extrao, sendo bastante dispendiosa sua purificao a um nvel satisfatrio, e porque h
outros semicondutores com maior sensibilidade e capacidade de corrente.

3.5.1) TERMISTORES

Termistores semicondutores (smbolo esquemtico
na Fig. 3.5.1-a) so componentes que se comportam
como resistores variveis com a temperatura. So
normalmente do tipo NTC, com variao da resistncia
da ordem de 3% por
o
C, sendo muito maiores que os dos
metais. So, por isso, usados como sensores trmicos ou
para compensar variaes de temperatura em circuitos.
So considerados transdutores do tipo que converte
energia trmica em eltrica. Termistores so obtidos de
xidos metlicos tais como de nquel, mangans, cobre,
zinco, etc, que fornecem produtos com condutividades
que crescem rapidamente com a temperatura.
Um exemplo do emprego dos termistores na
estabilizao do ponto de operao de um circuito
submetido a grandes variaes de temperatura ambiente,
tais como circuitos eletrnicos que empregam componentes semicondutores, estes bastante sensveis a variaes de
temperatura. So empregados em srie com estes circuitos (Fig. 3.5.1-b) para se obter uma ao compensadora que
neutralize os efeitos da variao trmica ambiente. Se necessrio, utiliza-se ainda um resistor em paralelo com o
termistor (Fig. 3.5.1-b), para ajustar o coeficiente de temperatura do termistor de acordo com o do circuito a ser
compensado. A Fig. 3.5.1-c mostra a ao do ajuste de um paralelo termistor-resistncia.
Os termistores so utilizados tambm como sensores de temperatura em termometria. Duas aplicaes so:
Fig. 3.5.1: (a) smbolo esquemtico do termistor;
(b) compensao trmica de um circuito; (c) exemplo
de caracterstica resistncia versus temperatura de um
paralelo termistor-resistncia.
T
-10 10 30 50 T(
o
C)
200

100
curva do termistor isolado
curva do
paralelo
termistor-
resistncia
R ()
(a) (b) (c)
T
R
paral.
calor

circuito
eltrico
a ser
compensado
46

Em rels de proteo de motores. O aquecimento de motores tem correlao com a corrente admissvel, atravs do
Efeito Joule. Desse modo, em caso de sobrecorrente no motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor
interpretar esta condio adversa e, se necessrio, comandar um circuito eltrico capaz de desligar o motor.
Para medio e controle automtico de temperatura em fornos, motores a exploso e outros casos.

3.5.2) FOTORRESISTORES

Fotorresistores ou fotocondutores so componentes semicondutores que diminuem sua resistividade quando
incide-se sobre o mesmo uma radiao luminosa. A radiao quebra ligaes covalentes, gerando pares eltron-lacuna
em excesso queles gerados termicamente pela temperatura ambiente. Tipicamente, um aumento de iluminamento de
alguns lux em um fotocondutor comercial diminui sua resistncia consideravelmente. O fotocondutor consiste, ento,
em um transdutor do tipo que converte energia luminosa na forma eltrica. Exemplo de fotorresistor o chamado
LDR (light dependent resistor), cujo smbolo esquemtico dado na Fig. 3.5.2.
Da teoria da Fsica Quntica sabe-se que a relao entre o comprimento de onda (m ou ) e a freqncia f
(Hz) de uma onda de radiao eletromagntica dada por:
f c = (3.5.1)
onde c = 299,79 x 10
6
m/s 3 x 10
8
m/s a velocidade da onda eletromagntica no vcuo. Sabe-se tambm que, para
um fton de energia E
f
(eV), seu comprimento de onda () pode ser expresso por:
12400
f
E
= (3.5.2)
e que a energia mnima de um fton, necessria para a excitao de um eltron da banda de valncia de certo material,
a energia do gap E
G
do material. Logo, o comprimento de onda limite
C
para excitar um eltron da banda de
valncia de certo material ser dada por:
C
= 12400/E
G
.
Assim, se o comprimento de onda da radiao excede
C
ento a energia do fton menor que E
G
e tal fton
no desloca um eltron de valncia para a banda de conduo, pois, como E
f
= 12400/, se >
C
, ento E
f
< E
G
. Por
este motivo,
C
chamado comprimento de onda crtico, de corte ou limiar superior do material. Por exemplo, para o
silcio, E
G
= 1,12 eV a 300 K (Tab. 3.3.1) e, portanto,
C
11071 (faixa do infravermelho, Tab. 3.5.1). Portanto,
pode se dizer que um fotocondutor um dispositivo seletivo de freqncia, ou seja, deve existir uma energia mnima
da radiao incidente, e por conseguinte do comprimento de onda, que consiga superar o gap E
G
do material.

Nomenclatura (m) Nomenclatura () Nomenclatura ()
energia eltrica 5 x10
6
infra-vermelho 10
7
7000 azul 5000 4500
udio-freqncia 3 x10
6
1,5 x 10
4
vermelho 7000 6500 violeta 4500 4000
ondas mdias e curtas 600 6 laranja 6500 6000 ultra-violeta 4000 40
FM-TV-VHF-UHF 5 0,5 amarelo 6000 5500 raios X 40 0,1
microondas 0,5 0,001 verde 5500 5000 raios 0,1 10
-3

Tab. 3.5.1: Comprimentos de onda de algumas radiaes eletromagnticas

A curva de sensibilidade espectral para o silcio plotado na Fig. 3.5.2 (a faixa de comprimento de onda da luz
visvel indicada pela regio grifada). Observa-se nesta figura que,
quando o comprimento de onda diminui ( <
C
), a resposta aumenta e
atinge um mximo de sensibilidade. Logo, a resposta espectral depende
da radiao incidente. Isto significa que uma certa radiao incidente de
um determinado comprimento de onda no conseguir gerar o mesmo
nmero de portadores de carga livres com uma igual intensidade de luz
de outro comprimento de onda.
Dispositivos fotocondutores comerciais so chamados de clulas
fotocondutivas, utilizados para a medio da quantidade de iluminao
(como um sendor de luz), para registrar uma modulao de intensidade
luminosa e ainda como um rel de luz liga-desliga (tipo circuito digital ou de controle).
O dispositivo fotocondutor de maior aplicao a clula de sulfeto de cdmio dopada com uma pequena
quantidade de prata, antimnio ou ndio. As vantagens destes fotocondutores so sua alta capacidade de dissipao
(300 mW), excelente sensibilidade no espectro visvel e baixa resistncia quando estimulados pela luz (em escurido,
em torno de 2 M e com luz forte, menos de 100 ). Podem, ento, controlar, por exemplo, um circuito de vrios
watts operando um rel diretamente, sem circuitos amplificadores intermedirios.
Outros materiais fotocondutores: sulfeto de chumbo, que apresenta um mximo na curva de sensibilidade em
29000 (sendo, ento, usado para deteco ou medidas de absoro de infravermelho), e selnio, que sensvel em
toda faixa do espectro visvel, particularmente perto do azul.
Fig. 3.5.2: Resposta espectral do silcio.
Resposta
relativa
(%)
4000 8000 11071 ()

C
0

25

50

75

LDR
smbolo
esquemtico
47

3.6) CORRENTE DE DIFUSO E A JUNO PN

Como visto no Captulo 1, quando submetidos a uma ddp,
os materiais condutores conduzem uma corrente eltrica como
resposta ao campo eltrico gerado pela ddp, chamada corrente de
conduo. Este tipo de corrente necessita, ento, de um campo
eltrico para que possa existir. Nos semicondutores, contudo,
alm de uma corrente de conduo, o transporte de carga eltrica
pode ocorrer tambm por meio de um mecanismo denominado
difuso, geralmente no existente nos materiais condutores, e que
ocorre devido a uma concentrao no uniforme de portadores de
carga livres dentro do material.
Seja, por exemplo, uma amostra de semicondutor tipo P,
onde a concentrao p de lacunas varia com a dimenso x do
material (Fig. 3.6.1). Como o vetor gradiente determina o sentido
de crescimento de uma funo com a distncia, nesta amostra
existe, portanto, um gradiente de concentrao de lacunas dp/dx,
que expressa a variao de lacunas ao longo do material, orientado, desse modo, no sentido negativo do eixo x.
A existncia de um gradiente implica que, numa superfcie imaginria (indicada na Fig. 3.6.1 pela linha
tracejada), a densidade de lacunas no material maior imediatamente antes do que imediatamente a seguir desta
superfcie. Como portador de carga, as lacunas esto em movimento aleatrio devido a sua energia trmica. Portanto,
elas se movimentam de um lado para outro atravs da superfcie. Espera-se ento que, estatisticamente e num
intervalo de tempo, haja mais lacunas a atravessar a superfcie do espao de maior concentrao para o de menor
concentrao do que em sentido contrrio.
Devido diferena de concentrao, ocorre, ento, um transporte resultante de lacunas atravs da superfcie no
sentido positivo de x, que se constitui na chamada corrente de difuso. Esta corrente no se deve repulso entre
cargas de mesmo sinal, mas apenas de um fenmeno estatstico resultado da diferena de concentrao de portadores.
Seja J
Dp
a densidade de corrente de difuso de lacunas. Esta , ento, proporcional ao gradiente da concentrao
dp/dx de lacunas no semicondutor, segundo a relao:
2
( / )
Dp p
dp
J e D A m
dx
= (3.6.1)
onde e a carga do portador (lacuna, e, portanto, positiva) e D
p
(m
2
/s) chamada constante de difuso das lacunas do
material, onde o sinal negativo deve-se ao fato do gradiente dp/dx ser negativo (Fig. 3.6.1), pois tem sentido contrrio
direo de x (concentrao p diminui com o aumento de x).
Analogamente, para uma amostra de semicondutor tipo N onde a concentrao n de eltrons livres varia com a
distncia x, a densidade de corrente J
Dn
de difuso dos eltrons livres ser:
2
( / )
Dn n
dn
J e D A m
dx
= (3.6.2)
onde D
n
a constante de difuso dos eltrons livres do material, sendo J
Dn
, neste caso, positivo no sentido positivo de
x pois a carga e (carga do eltron) e o gradiente de portadores dn/dx so negativos.
Assim como outras variveis dos semicondutores, as constantes de difuso D
n
e D
p
dependem da temperatura.
Por exemplo, para o silcio a 300 K (Tab. 3.3.1): D
n
= 34 x 10
-4
m
2
/s.
Mobilidade e difuso so fenmenos termodinmicos estatsticos, de modo que as constantes de difuso (D
p
e
D
n
) e as mobilidades das cargas (
p
e
n
) no so independentes e esto relacionadas entre si pela Relao de Einstein:
( )
p
n
T
p n
D
D
V V

= = (3.6.3)
onde V
T
= T/11600 (T = temperatura do material em Kelvins) o chamado potencial termodinmico ou equivalente
volt de temperatura do material. Por exemplo, para a temperatura ambiente (300 K), tem-se que V
T
= 0,0259 V e,
desse modo, D
n
= 0,0259
n
e D
p
= 0,0259
p
.
Como mencionado, os semicondutores podem conduzir dois tipos de corrente: conduo e difuso. Assim, na
Eq. 3.6.1 pode-se ainda acrescentar uma parcela referente corrente de conduo, que resultado de um gradiente de
potencial no material (o chamado campo eltrico), cuja expresso foi vista na Eq. 3.4.10. Assim, a densidade de
corrente total de lacunas J
p
em um semicondutor tipo P, orientada na direo positiva do eixo x, agora expressa por:
2
( / )
p p p
dp
J p e E e D A m
dx
= (3.6.4)
Analogamente, da Eq. 3.4.7 tem-se que a densidade de corrente total de eltrons livres J
n
para o tipo N ser:
2
( / )
n n n
dn
J n e E e D A m
dx
= + (3.6.5)
Fig. 3.6.1: Representao de uma amostra de
tipo P com densidade de lacunas no uniforme.
0 x
p(0) p(x)
J
Dp
densidade de
corrente de
difuso de
lacunas
dp

dx

x
48

Considerando equilbrio trmico e que no h injeo de corrente a partir de
fonte externa (amostra isolada), ento, no pode existir um movimento de carga
resultante na amostra, havendo somente o movimento aleatrio devido agitao
trmica, isto , a corrente total de lacunas tem de ser nula. Porm, com concentrao
no uniforme, h a tendncia de ocorrer uma corrente de difuso de lacunas no nula.
Assim, para que a corrente total de lacunas seja zero, dever existir uma corrente de
lacunas igual e no sentido contrrio (isto , da regio de menor para a de maior
concentrao) para anular a corrente de difuso, que, portanto, no pode ser tambm
de difuso. Logo, esta corrente contrria deve necessariamente ser do tipo conduo
(Fig. 3.6.2). No entanto, para que possa existir, uma corrente de conduo exige,
como visto, um campo eltrico, isto , um gradiente de potencial. Pode-se concluir,
ento, que, em uma amostra semicondutora de dopagem no uniforme, um campo
eltrico deve ser criado em seu interior (Fig. 3.6.2) e, conseqentemente, uma ddp
(gradiente de potencial) entre dois pontos quaisquer da amostra, para
impedir a difuso de lacunas (portadores majoritrios), isto , a referida
ddp funciona como uma barreira de potencial para os majoritrios.
Seja, ento, uma amostra de semicondutor isolado com dopagem
no uniforme (Fig. 3.6.3), onde a concentrao de lacunas p(x) diminui
com a distncia x. Pretende-se agora determinar o campo eltrico criado
devido dopagem no uniforme e a correspondente variao de
potencial. Como a amostra est isolada (isto , no h movimento
preferencial de carga), conclui-se que a densidade de corrente de lacunas
tem que ser nula. Assim, fazendo J
p
= 0 na Eq. 3.6.4 e usando-se ainda a
relao de Einstein (Eq. 3.6.3), obtm-se:
dx
dp
p
V
E
T
= (3.6.6)
onde o campo eltrico resultante E pode ser determinado se conhecida a concentrao de dopagem p(x).
Como o campo eltrico expressa a variao de potencial eltrico V com a distncia x (E = - dV/dx), obtm-se,
da Eq. 3.6.6, uma equao que, integrada desde um ponto qualquer x
1
, de concentrao p
1
e potencial V
1
, at um
ponto qualquer x
2
de concentrao p
2
e potencial V
2
(Fig. 3.6.3), estabelece:

= = = =
2
1
2
1
1
p
p
T
V
V
T
T
dp
p
V dV
p
dp
V dV
dx
dp
p
V
dx
dV
E
21
1
2 1 21 1 2
2
, ou
T
V
V
T
p
V V V V n p p
p
e
| |
= = =
|
\
(3.6.7)
onde nota-se que a diferena de potencial entre os dois pontos x
1
e x
2
depende apenas da concentrao de lacunas
nestes dois pontos e independente da distncia entre os mesmos (x
2
- x
1
).
Analogamente, fazendo-se J
n
= 0 na Eq. 3.6.5 e procedendo-se como anteriormente tem-se:
21
2
21 1 2
1
, ou
T
V
V
T
n
V V n n n
n
e
| |
= =
|
\
(3.6.8)
Como visto, a dopagem de lacunas da amostra de semicondutor mostrado na Fig. 3.6.1 a funo da distncia
x, isto , a dopagem progressiva (no uniforme), podendo haver, ento, uma corrente de difuso. No entanto, pela
Lei da Ao de Massas, a densidade de eltrons livres tambm tem de variar com a distncia x. Como a multiplicao
das Eqs. 3.6.7 e 3.6.8 resulta: n
1
p
1
= n
2
p
2
, ento conclui-se, desde que se mantenha as condies de equilbrio
trmico, que o produto n p constante e independente de x e do nvel de dopagem.
Considere-se agora o caso particular mostrado na Fig. 3.6.4, chamado
cristal PN. A regio esquerda do cristal de semicondutor tipo P (chamado
agora de substrato ou regio P), com uma concentrao de tomos
aceitadores N
A
uniforme, e a regio direita do tipo N (substrato ou regio
N), com uma concentrao de tomos doadores N
D
tambm uniforme. Nota-
se, ento, que a concentrao de portadores livres varia bruscamente do lado
P para o lado N na juno dos dois substratos. Esta fronteira entre os
substratos recebe a denominao de juno PN (Fig. 3.6.4) e se constitui na
chamada juno abrupta.
Pode-se notar, ento, que este caso particular constitui-se tambm em
uma diferena de concentrao de portadores, pois, entre um ponto qualquer
x
1
no substrato P e um ponto qualquer x
2
no substrato N h uma diferena de
concentrao de portadores (Fig. 3.6.4), pois, como visto, eltrons livres so
portadores minoritrios no lado P e majoritrios no lado N e lacunas so
Fig. 3.6.3: Semicondutor com
distribuio no uniforme de lacunas.
p
1
p
2
V
1
E

x
2 x
1
x

V
21
p
1
> p
2
V
2
dp/dx

0

dx
dp

dx
dV

corrente
de difuso
corrente de
conduo
campo eltrico criado
(barreira de potencial)
Fig. 3.6.2: Efeitos da
dopagem no uniforme.
E
Fig. 3.6.4: O cristal PN.
juno PN
substrato P substrato N
N
A
N
D
V
1
V
2

V
21
= V
o
p
1
p
2
x
1
x
2
x
49

majoritrios no lado P e minoritrios no lado N. Portanto, como visto, a teoria mostra que surge uma ddp (barreira de
potencial) entre estes dois pontos, agora chamada de potencial de contato V
o
.
Assim, considerando, por exemplo, na Eq. 3.6.7 que p
1
= N
A
(lacuna majoritrio no lado P - Eq. 3.4.8) e que
p
2
= n
i
2
/N
D
(lacuna minoritrio no lado N - Eq. 3.4.6), tem-se que o potencial de contato V
o
ser dado por:
21 o 2
i
A D
T
N N
V V V n
n
| |
= =
|
\
(3.6.9)
Analogamente, para o caso dos eltrons livres, considera-se na Eq. 3.6.8 que n
1
= n
i
2
/N
A

(lado P - Eq. 3.4.9) e
que n
2
= N
D
(lado N - Eq. 3.4.5), tem-se que o potencial de contato V
o
ser dado por:
o 2
i
A D
T
N N
V V n
n
| |
=
|
\

que o mesmo resultado da Eq. 3.6.9, como teria de se esperar.
Logo, a diferena de concentraes de portadores em um cristal PN provoca uma diferena de potencial V
o

entre os substratos, que impede, no cristal PN isolado, a difuso de majoritrios atravs da juno PN, isto , funciona
como uma barreira do tipo potencial para os majoritrios. Logo, conclui-se ento que os portadores majoritrios s
conseguiro se difundir atravs da juno PN se for aplicado uma ddp que vena a barreira de potencial V
o
.
Assim, como ser novamente discutido no Captulo 4, o efeito desta barreira de potencial permite que o cristal
PN conduza bem corrente no sentido P N (sentido convencional), porque a corrente resultante ser constituda por
portadores majoritrios, e praticamente no o faa no sentido contrrio, porque a corrente resultante ser constituda
por portadores minoritrios, ou seja, dependendo de sua polarizao, o cristal PN funciona em dois modos distintos:
conduo-no conduo, o que denominado funo retificadora.
Com este simples efeito, a juno PN tornou-se a base construtiva de quase todos os dispositivos eletrnicos,
pois empregada na construo de inmeros componentes e diversos dispositivos semicondutores, tais como diodos e
transistores, assuntos discutidos nos prximos captulos, alm de circuitos integrados, tiristores, etc.
A condio de equilbrio no cristal PN, definida pelo anulamento da corrente de lacunas e eltrons livres
resultantes, permite calcular o nvel da barreira de potencial V
o
em termos das concentraes de doadores e
aceitadores, atravs da Eq. 3.6.9, o que exemplificado a seguir.

EXERCCIO 3.6.1: Calcule o valor da barreira de potencial V
o
numa juno PN a 300 K, considerando ambas as
regies P e N de silcio com dopagens iguais de 1 tomo de impureza por 10
8
tomos de silcio.
SOLUO
Da Tab. 3.3.1 tem-se: concentrao intrnseca n
i
= 1,5 x 10
10
portadores/cm
3

concentrao de tomos no cristal de silcio = 5 x 10
22
tomos/cm
3

Se a dopagem de 1 tomo de impureza para 10
8
tomos de silcio, ento a concentrao de tomos doadores (para o
substrato N) e aceitadores (substrato P) de 5 x 10
14
tomos/cm
3
, ou seja, N
D
= N
A
= 5 x 10
14
tomos/cm
3
.
Logo, da Eq. 3.6.9 tem-se:
( )
14 14
o 2 2 2
10
i i
300 5 10 5 10
11600 11600
1, 5 10
A D A D
T
N N N N T
V V n n n
n n

| |
| | | |
|
= = =
| |
|
\ \
\

o
0, 54

V V

que um resultado coerente, pois os valores tpicos da barreira de potencial a 300 K para um cristal PN de silcio
esto entre 0,5 e 0,7 V (para um cristal PN de germnio, os valores tpicos situam-se em torno de 0,2 V).

QUESTES

1) Comente sobre os materiais semicondutores em geral.
2) Explique o conceito de lacuna e como ocorre a conduo em um semicondutor.
3) Qual o propsito da dopagem?
4) Comente sobre os semicondutores tipo N e tipo P.
5) Explique a Lei da Ao de Massas.
6) Explique o Efeito Hall e o que se pode determinar com ele.
7) Comente sobre os termistores e os fotocondutores.
8) Explique o mecanismo da difuso de portadores de carga em um semicondutor.
9) Explique o que se configura uma juno PN.

50
CAPTULO 4: DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR - I II I: O DIODO DE
JUNO BIPOLAR

4.1) INTRODUO

A juno PN, vista no Captulo 3, o bloco construtivo bsico que fundamenta a operao dos dispositivos a
semicondutor. O cristal PN se constitui, por si s, um dispositivo com propriedades de um retificador, comumente
conhecido como Diodo de Juno Bipolar. Este captulo tem como objetivos, ento, estudar o comportamento da
juno PN, bem como a caracterstica tenso-corrente e modelos teis de representao do diodo e, por fim, as
metodologias de anlise de circuitos com diodos. Complementares ao assunto, sero vistos tempos de comutao e
efeitos capacitivos em cristais PN, e diodos de finalidade especfica (Zener, componentes optoeletrnicos, e outros).

4.2) JUNO PN NO POLARIZADA

A Fig. 4.2.1-a mostra hipoteticamente a representao esquemtica de um cristal PN isolado (polarizao
nula) no instante de sua formao, seus ons de impurezas e seus portadores majoritrios.

Devido s diferenas de concentraes de portadores entre as regies P e N, ocorre inicialmente atravs da
juno PN do cristal uma difuso de lacunas da regio P (portadores majoritrios) para a regio N, e de eltrons livres
da regio N (portadores majoritrios) para a regio P. Ocorre que, ao sair da regio N, um eltron livre deixa na
mesma um tomo carregado positivamente (on positivo) e, ao entrar na regio P e prximo juno, recombina-se
com uma lacuna, cujo tomo associado a ela torna-se, ento, um on negativo. Na regio prxima juno PN vai
formando-se, ento, camadas de ons fixos na estrutura do cristal, o que acarreta, assim, em uma regio esgotada de
portadores livres, que chamada Regio ou Camada de Depleo (Fig. 4.2.1-b). Desse modo, em cristal PN isolado,
apenas existem portadores de carga livres (majoritrios e minoritrios) fora da regio de depleo (Fig. 4.2.1-b).
Resultado igual conseguido se o raciocnio for aplicado para a difuso de lacunas da regio P para a regio N.
A intensidade da regio de depleo continua aumentando com cada portador majoritrio que a atravessa at
que se atinja um equilbrio e a largura da regio de depleo se estabiliza em uma largura W (Fig. 4.2.1-b). Neste
ponto, uma repulso interna da regio de depleo interrompe a difuso dos portadores majoritrios atravs da juno.
Tal repulso provocada pelo aparecimento de um campo eltrico
gerado pelos ons da camada de depleo, no sentido da regio N para a
regio P (Fig. 4.2.1-b). Este campo eltrico , portanto, retardador para
os majoritrios, o que resulta numa barreira de potencial contra mais
difuso de majoritrios atravs da juno. Outro fato que, quanto mais
densamente dopada uma regio, maior a concentrao de ons prxima
juno e menor, portanto, a largura da camada de depleo.
Logo, o campo eltrico criado na regio de depleo representa
uma barreira de potencial contra a difuso de majoritrios atravs da
juno. Este campo, no entanto, acelerante para os minoritrios, o que
se constitui numa corrente de conduo, mas, como a corrente no cristal
PN isolado deve ser nula, ento, como visto no Captulo 3, uma corrente
de conduo de lacunas (minoritrios) que tende a atravessar da regio
N para a regio P, contrabalanada por uma corrente de difuso de
lacunas (majoritrios) da regio P para a regio N, o que causa a formao de um campo eltrico retardador na
x
Fig. 4.2.2: (a) campo eltrico e (b)
potencial eletrosttico de uma juno
E
-W
P
0 W
N

E
N
P
potencial
eletrosttico
(a)

(b)
x
x
V
o
Fig. 4.2.1: (a) cristal PN no instante de sua formao; (b) criao da regio de depleo.
substrato P substrato N
CRISTAL PN
juno PN
lacuna eltron livre
ons
doadores
ons
aceitadores
(a) (b)
regio ou camada de depleo
W
P N
E
CAPTULO 4: Dispositivos a semicondutor I: o diodo de juno bipolar
51

camada de depleo, da regio N para a regio P. Analogamente, uma corrente de conduo de eltrons livres que
tende a atravessar da regio P para N, contrabalanada por uma corrente de difuso de eltrons livres de N para P, o
que resulta no referido campo eltrico de N para P.
Na Fig. 4.2.2-a mostrado a intensidade do campo eltrico total na camada de depleo, que negativa porque
o mesmo se orienta no sentido negativo do eixo x. Como este campo est confinado regio de depleo, ele ,
portanto, nulo fora dela. A Fig. 4.2.2-b mostra a variao do potencial eletrosttico provocado pelo campo eltrico,
contra mais difuso de portadores de carga livres atravs da juno, que a barreira de potencial V
o
da juno PN.

4.3) JUNO PN POLARIZADA

A caracterstica eltrica essencial de uma juno PN sua ao unidirecional ou retificadora, ou seja,
aplicando-se convenientemente uma ddp nos terminais do cristal PN, este permite a passagem de grande nmero de
portadores (com polarizao dita direta), e praticamente elimina a passagem no sentido contrrio (com polarizao
dita reversa). Estas polarizaes, que explicam o funcionamento do cristal PN, so vistas a seguir.

4.3.1) POLARIZAO DIRETA

Como visto no item 4.2, o cristal PN apresenta um campo
eltrico retardador na regio de depleo que resulta numa barreira
de potencial V
o
(Fig. 4.2.2-b) contra a difuso de majoritrios nos
lados P (lacunas) e N (eltrons livres) atravs da juno PN. No
entanto, polarizando-se convenientemente o cristal PN atravs de
uma tenso externa pode-se estabelecer um campo eltrico em
oposio ao campo retardador, o suficiente para os portadores
majoritrios vencerem a barreira e atravessar a juno. Assim, a
Fig. 4.3.1 mostra um cristal PN polarizado por uma fonte de tenso
V
S
, onde o terminal positivo da fonte conectado ao terminal do
substrato P e o terminal negativo ao substrato N. Diz-se, ento, que
o cristal PN se encontra em polarizao direta.
Nesta polarizao, o terminal negativo da fonte repele os
eltrons livres da regio N em direo juno e o terminal positivo repele as lacunas da regio P tambm em direo
juno. Isto acarreta em uma pequena diminuio na largura da camada de depleo e, desse modo, da barreira de
potencial V
o
, que, porm, no se reduzem a zero. Se a ddp aplicada for maior que a da barreira de potencial, ento os
portadores majoritrios tm energia suficiente para vencer a barreira e atravessar a juno (Fig. 4.3.1), perturbando,
assim, o equilbrio entre as correntes de difuso de majoritrios, que aumenta, e a de conduo de minoritrios, que
no se altera, estabelecido no cristal PN no polarizado. Assim, em polarizao direta e a partir de um certo valor de
tenso, o cristal PN passa a conduzir uma corrente resultante formada por majoritrios, chamada corrente direta.
Logo, a oposio ao potencial da barreira permite a difuso de lacunas do
lado P para o lado N (que se tornam minoritrios e, porisso, chamado de injeo
de minoritrios) e a difuso de eltrons livres do lado N para o lado P (que se
tornam tambm minoritrios), constituindo-se numa corrente no mesmo sentido
(corrente direta). Visto ser composta de majoritrios, ento a corrente direta
pode ser utilizvel, visto o nmero de portadores disponvel ser substancial.
Outra forma de visualizar a corrente direta atravs de bandas de
energia. As Figs. 4.3.2-a e b mostram o diagrama de bandas de valncia e
conduo do cristal PN isolado e polarizado diretamente, respectivamente.
Como a barreira de potencial fornece mais energia s bandas do substrato P,
ento as bandas no substrato N esto mais baixas que em P (o prprio desnvel
caracteriza a barreira de potencial na Fig. 4.3.2-a). A Fig. 4.3.2-b mostra o
processo de difuso dos portadores livres dentro do cristal. Com a energia
fornecida pela fonte de tenso externa, os eltrons do substrato N podem agora
passar para o lado P tanto na banda de valncia (deixando uma lacuna no seu
lugar, o que constitui na difuso de lacunas), como na banda de conduo. Na
BC o eltron livre, sendo portador minoritrio no lado P, pode ainda facilmente
se recombinar com as lacunas deste substrato e percorre-lo como eltron de
valncia at o terminal (Fig. 4.3.2-b). medida que eltrons deixam a BC para a BV, os mesmos emitem energia na
forma de radiao (Fig. 4.3.2-b), fato explorado em componentes optoeletrnicos, vistos mais adiante.
Os contatos metal-semicondutor de um cristal PN so fabricados de tal modo que o potencial de contato nestas
junes constante e independente da intensidade da corrente. Um contato deste tipo dito contato hmico. Logo, a
Fig. 4.3.1: Cristal PN polarizado diretamente.
corrente direta
W
P N
V
S

contatos metlicos
Fig. 4.3.2: Bandas de energia
para o cristal PN: (a) isolado e
(b) polarizado diretamente.
BV
juno
BC
P N
(a)
(b)
BV
BC
radiao
barreira
52

corrente direta limitada por esta resistncia de contato, alm da resistncia de corpo dos substratos semicondutores
e, principalmente, pela resistncia da regio de depleo, que a maior, pois causada pela ausncia de portadores
mveis nesta regio. Logo, a queda de tenso total entre os terminais do cristal PN ser, ento, composta pela barreira
de potencial mais as quedas nestas resistncias.

4.3.2) POLARIZAO REVERSA

Conectando-se agora o terminal positivo da fonte V
S
ao terminal do substrato N do cristal PN, e o terminal
negativo ao terminal do substrato P, diz-se que o cristal PN se encontra em polarizao reversa (Fig. 4.3.3-a).
A polarizao reversa fora os eltrons livres da regio N (portadores majoritrios) a se afastarem da juno em
direo ao terminal positivo da fonte, deixando mais ons positivos prximos juno. Do mesmo modo, as lacunas
da regio P (portadores majoritrios) so foradas a tambm se afastarem da juno em direo ao terminal negativo
da fonte, deixando mais ons negativos prximos juno. Isto acarreta, portanto, no aumento da largura da camada
de depleo e, conseqentemente, no aumento do campo eltrico retardador para os majoritrios (Fig. 4.3.3-a). A
largura da regio de depleo ser, portanto, tanto maior quanto maior a polarizao reversa e se estaciona quando a
ddp causada pelo campo eltrico se iguala da fonte de tenso externa V
S
e os portadores majoritrios cessam seus
movimentos. Assim, como conseqncia da polarizao reversa, ocorre um aumento no valor da barreira de potencial
(Fig. 4.3.3-b), e um decrscimo a zero da difuso de majoritrios.
Contudo, como mencionado, o campo eltrico na regio de depleo acelerante para os minoritrios. Assim,
lacunas do substrato N e eltrons livres no substrato P migram para a juno, sendo acelerados nesta travessia pelo
campo eltrico (Fig. 4.3.3-c). Isto resulta numa pequena conduo de corrente de minoritrios atravs da juno, do
lado N para o lado P, isto , de direo oposta verificada na polarizao direta. Esta corrente, simbolizada por I
S

(Fig. 4.3.3-c), chamada corrente de saturao reversa. O termo saturao vem do fato de no se ter mais minoritrios
do que a produzida pela energia trmica, pois, de acordo com lei da ao de massas, a concentrao minoritrios
limitado pela gerao trmica. Esta corrente , portanto, constante para uma determinada temperatura e muito
pequena, por se constituir de minoritrios. Assim, ocorre novamente uma perturbao no equilbrio entre as correntes
de difuso de majoritrios (que, como mencionado, se reduz a zero), e conduo de minoritrios (que, por permanecer
constante, passa a ser a corrente resultante no cristal), estabelecido no cristal no polarizado.

Alm da corrente de saturao, h ainda uma componente de fuga superficial bem pequena, produzida por
impurezas na superfcie do cristal, o que representa um trajeto hmico para a corrente, sendo a mesma, portanto,
dependente da ddp aplicada. A corrente total para a polarizao reversa do cristal PN consiste, ento, na soma destas
duas componentes, sendo chamada de corrente reversa I
R
. A corrente de fuga superficial normalmente desprezvel e
pode ser desprezada, sendo ento a corrente reversa igual de saturao (I
R
= I
S
).
Se a tenso reversa for aumentada, esta poder alcanar um ponto crtico quando atingida a chamada tenso
de ruptura. Uma vez atingido esta tenso, o cristal PN conduz intensamente devido a efeitos avalanche de cargas. Os
mecanismos da ruptura sero novamente discutidos quando do estudo do diodo Zener (item 4.11).

4.4) O DIODO DE JUNO BIPOLAR

O cristal PN e os respectivos contatos hmicos (Fig. 4.4.1-a) formam um dispositivo chamado diodo de juno
bipolar, componente eletrnico passivo (no controlado), que tem, ento, a caracterstica de conduzir facilmente em
polarizao direta e de praticamente no conduzir em polarizao reversa. Esta caracterstica conduo-no conduo
(ON-OFF) pode ser entendida como uma chave liga-desliga e chamada caracterstica retificadora. O estudo que se
segue ser feito para o dito diodo de juno comum, e mais adiante sero estudados outros tipos.
(a) (b) (c)
Fig. 4.3.3: (a) polarizao reversa de um cristal PN; (b) diagrama de bandas para portadores majoritrios;
(c) corrente reversa de portadores minoritrios.
W P N
V
S

I
S

P N
V
S

portadores minoritrios
BC
BV
P N
barreira
E
53

Os materiais utilizados so basicamente o germnio (exemplos: 1N34, 1N60 e OA79), tipo usado em circuitos
de pequenos sinais e altas freqncias (exemplo: detectores de RF), e o silcio, tipo dividido em os de uso geral
(exemplo: 1N4148), usados em circuitos lgicos e para proteo de transistores, e os retificadores (exemplo: srie
1N4000), usados para circuitos de correntes e tenses mais elevadas, tais como os retificadores.

4.4.1) SMBOLO E CONVENES DO DIODO DE JUNO COMUM

Os aspectos fsicos do diodo de juno bipolar comum so representados na
Fig. 4.4.1-a, e o seu smbolo esquemtico na Fig. 4.4.1-b.
Para maior facilidade de anlise de circuitos eltricos vistos mais adiante,
conveniente adotar um sentido para a corrente no diodo (I
D
) e ddp entre seus terminais
(V
D
), tal como mostrado na Fig. 4.4.1-b. Estes so os sentidos de corrente e tenso no
diodo em polarizao direta, onde assumem valores positivos. Em polarizao reversa,
portanto, I
D
e V
D
devem assumir valores negativos.
Em polarizao direta, a regio N contribui com eltrons para formao de
corrente direta e por isso seu terminal chamado catodo (K). Por outro lado, a regio
P recebe estas cargas e por isso seu terminal chamado anodo (A). Tais notaes so
acrescentadas ao smbolo do diodo dado pela Fig. 4.4.1-b. Por esta notao, a ddp V
D

nos terminais do diodo poder ser ento dada por:
V
D
= V
A
V
K
(V) (4.4.1)
onde V
A
o potencial no anodo e V
K
o potencial no catodo do diodo (Fig. 4.4.1-a).

4.4.2) CARACTERSTICA TENSO-CORRENTE DO DIODO DE JUNO

Uma das formas de se conhecer o funcionamento de um dispositivo atravs do estudo de sua caracterstica
tenso-corrente (caracterstica V-I), que expressa a relao entre a corrente por ele conduzida, em funo da ddp
aplicada em seus terminais. A Fig. 4.4.2 mostra a caracterstica tenso-corrente de um diodo de juno, de acordo
com as convenes de corrente e tenso adotadas no item 4.4.1, isto , para V
D
e I
D
positivos tem-se a polarizao
direta (primeiro quadrante) e, para V
D
e I
D
negativos, tem-se a polarizao reversa (terceiro quadrante). Como os
materiais e dispositivos semicondutores so bastante dependentes da energia trmica ambiente, estas curvas so
normalmente levantadas para uma determinada temperatura de referncia.

Na caracterstica V-I do diodo observa-se, ento, um comportamento coerente com o discutido no item 4.3. Em
polarizao direta (V
D
> 0, Fig. 4.4.2-a), a conduo de corrente direta no diodo ocorre a partir de valores de tenso
superiores da barreira de potencial do cristal PN, agora condensados em um certo valor V
, chamado tenso de
limiar, acima da qual se considera que o diodo efetivamente conduz uma corrente utilizvel, pois esta pode atingir
valores comparativamente elevados. Assim, abaixo da tenso de limiar, a corrente no diodo considerada desprezvel.
Como visto, depois de ultrapassado o potencial da barreira, tudo o que limita a corrente so as resistncias do cristal
PN (de corpo, de contato e da regio de depleo). Este fato explica o comportamento aproximadamente linear (na
verdade, exponencial, como ser visto pela equao da caracterstica,) do diodo nesta regio (Fig. 4.4.2-a).
Em polarizao reversa (V
D
0, Fig. 4.4.2-a), verifica-se que a pequena corrente reversa I
R
formada por duas
componentes: uma corrente constante e dependente da temperatura (gerao de pares eltron-lacuna), a corrente de
saturao reversa I
S
, e outra dependente da ddp aplicada, a corrente de fuga superficial, que, por representar um
trajeto hmico, confere corrente reversa um comportamento linear (Fig. 4.4.2-a). Alm disso, observa-se tambm
que o aumento da tenso reversa pode atingir a chamada tenso de ruptura BV (breakdown voltage), a partir da qual
o cristal PN conduz correntes elevadas e leva o diodo dito comum a se danificar (Fig. 4.4.2-a).
Fig. 4.4.1: O diodo de
juno: (a) aspectos fsicos;
(b) smbolo esquemtico e
parmetros tenso-corrente.
P N
K A
A K
I
D
V
D
V
A
(a)

(b)

V
K
Fig. 4.4.2: (a) caracterstica tenso-corrente de um diodo de juno; (b) caracterstica redesenhada de modo
a incluir as vrias ordens de grandeza.
I
D
(mA)
0
V
D
(V)
(b)

V
D
V

(a)

-200 -30 -20 -10
- 0,05 A
I
S
regio de
ruptura

regio de
corte ou
bloqueio

regio de
conduo

- BV
corrente direta

corrente reversa

polarizao direta

polarizao reversa

I
R
200

100
0,5

I
F
I
D

54

O comportamento geral pode ser entendido, ento, como se o diodo apresentasse uma baixa resistncia direta e
alta resistncia reversa. Como a corrente de saturao reversa bastante pequena (salvo na ruptura), na prtica a
tenso de limiar V
significa que pode-se desprezar correntes no diodo para tenses inferiores a este valor.
Assim, a caracterstica V-I define as trs regies de operao do diodo de juno (Fig. 4.4.2-a):
1) Para V
D
> V
: regio de conduo
2) Para -BV V
D
V

: regio de corte ou bloqueio
3) Para V
D
< -BV : regio de ruptura
Visto que as correntes direta e reversa distinguem entre si por vrias ordens de grandeza, freqente utilizar
duas escalas de tenso e corrente distintas para representar a caracterstica V-I, como mostrado na Fig. 4.4.2-b. Neste
exemplo, verifica-se ento que a tenso de limiar (V

) da ordem de 0,6 V, I
S
0,05 A e BV 200 V.

4.4.3) ESPECIFICAES MXIMAS

Quando componente de um circuito, um diodo de juno comum deve ser projetado de modo a no ultrapassar
as seguintes especificaes mximas para que o mesmo no se danifique e fique em curto ou aberto:
1) Um diodo comum deve ser projetado tal que a tenso reversa mxima esperada durante seu funcionamento normal
no ultrapasse sua tenso de ruptura BV (Fig. 4.4.2-a) pois, como mencionado, o diodo pode se danificar (salvo o
diodo Zener, visto mais adiante). H vrias outras nomenclaturas para a tenso de ruptura nas folhas de dados dos
diodos, tais como: PIV, PRV, V
RM
, V
RWM
, V
(BR)
. Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).
2) A potncia P
D
dissipada no diodo o produto da ddp V
D
entre seus terminais e a corrente I
D
no mesmo, isto :
) (W I V P
D D D
= (4.4.2)
Logo, uma outra forma de se danificar um diodo exceder sua especificao de corrente I
F
(Fig. 4.4.2-a) ou
potncia mximas na regio de conduo, sendo que as folhas de dados definem duas classes: retificadores
(grandes sinais), de potncia maior que 0,5 W, e os de pequenos sinais, de potncia menor que 0,5 W. Assim, um
diodo est quase sempre conectado em srie a um resistor limitador de corrente, para manter sua corrente abaixo
da mxima especificada. Exemplos: 1N914 (potncia mxima = 250 mW); srie 1N4000 (I
F
= 1,0 A).

4.4.4) EQUAO DA CARACTERSTICA TENSO-CORRENTE DO DIODO DE JUNO

Uma propriedade importante da caracterstica tenso-corrente vista na Fig. 4.4.2 que a ao criada na
vizinhana da juno se relaciona com grandezas acessveis aos seus terminais, que so sua ddp V
D
e sua corrente I
D
.
Uma anlise terica da juno PN fornece uma equao que expressa o comportamento da caracterstica V-I do diodo
nas regies de conduo e bloqueio, chamada equao de Shockley, e dada por:
( )
1
D
T
V
V
D S
I I A
e
| |
=
|
\
(4.4.3)
onde I
D
e V
D
tem os sentidos adotados anteriormente (Figs. 4.4.1 e 4.4.2). O termo V
T
chamado tenso equivalente
de temperatura (V
T
= T/11600), onde T a temperatura do material em Kelvin. Por exemplo, para a temperatura
ambiente, T = 20 C = 293 K , tem-se que: V
T
= 25 mV. O termo um parmetro que depende do semicondutor e
utilizado como um ajuste do comportamento exponencial da regio de conduo da caracterstica. Por exemplo, para
o silcio, o termo adotado prximo de 2 quando deseja-se um estudo do comportamento exponencial do diodo
mais suave, e prximo de 1 para expressar comportamentos exponenciais mais acentuados.
A corrente de saturao reversa I
S
serve como um fator de escala das correntes no diodo. Isto porque I
S
depende
das concentraes de portadores livres e da rea da juno, sendo que, para determinadas densidades de portadores,
um aumento da rea provoca um acrscimo na capacidade de corrente da juno.
O exame da Eq. 4.4.3 mostra que:
1) Na regio de conduo, onde V
D
>> V
T
, temos que exp(V
D
/V
T
) >> 1. Logo, a Eq. 4.4.3 se resume a:
) (
A I I
T
D
V
V
S D
e = (4.4.4)
ou seja, I
D
varia exponencialmente com a tenso V
D
aplicada, o que mostrada na Fig. 4.4.2. Isto ocorre porque h
um decrscimo na barreira de potencial que facilita a difuso de portadores atravs da juno.
2) Na regio de corte, com |V
D
| >> V
T
e V
D
< 0, tem-se que exp(- V
D
/V
T
) << 1 e ento:

S D
I I = (4.4.5)
onde o sinal negativo indica uma corrente reversa, da regio N para a P (contrrio, portanto, ao sentido adotado).
Esta corrente constante e igual corrente de saturao reversa, o que condiz com o estudo feito anteriormente.
A temperatura influencia na caracterstica tenso-corrente do diodo. A Eq. 4.4.3, que traduz esta caracterstica,
apresenta duas grandezas, V
T
e I
S
, que dependem muito da temperatura. A equao para V
T
exprime por si sua relao
funcional com a temperatura. Em relao corrente de saturao, dados experimentais mostram que I
S
aumenta 7 %
para cada aumento de 1 C na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 C, I
S
aumenta de (1,07)
10
, cujo
55

valor aproximadamente 2. Conclui-se ento que I
S
duplica com qualquer elevao de temperatura igual a 10 C.
Assim, conhecida a corrente I
S
temperatura T
o
, pode-se determinar I
S
a qualquer temperatura T pela expresso:
10
o
o
2 ) ( ) (
T T
S S
T I T I
= (4.4.6)
Do exposto conclui-se que a caracterstica tenso-corrente de um diodo de juno
depende de sua temperatura, isto , a tenso necessria para um diodo conduzir a mesma
corrente direta diminui com o aumento da temperatura do diodo (Fig. 4.4.3). Tipicamente,
para cada aumento de 1
o
C na temperatura do diodo, tem-se, em decorrncia, uma queda
de tenso direta da ordem de 2,5 mV/
o
C. Desse modo, a ddp V
D
(T) em um diodo
temperatura T, necessria para que o mesmo conduza a mesma corrente quando submetido
a uma ddp de referncia V
D
(T
o
) temperatura T
o
, pode ser obtida por:
) ( ) ( 0025 , 0 ) ( ) (
o o
V T T T V T V
D D
= (4.4.7)
A temperatura mxima de trabalho de diodos de silcio est por volta de 150
o
C e
para os diodos de germnio, 100
o
C.

EXERCCIO 4.4.1: Determine a variao de tenso aplicada em um diodo de silcio a 300 K, necessria para que a
corrente aumente 10 vezes na regio de conduo.
SOLUO
Na regio de conduo o diodo exibe um comportamento exponencial. Ento, da Eq.
4.4.4, tem-se que a corrente no diodo nos dois pontos de sua caracterstica (figura) sero:
T
D
T
D
V
V
S D D
V
V
S D
e e I I I I I

1 2
1
2 1
10 : 2 ponto ; : 1 ponto = = =
A razo entre estes dois valores expressa o aumento de corrente. Logo:
2
1
2 1
2 1
1 1
3
2 1 2 1
10
10 2, 3 2, 3
11600
300
2, 3 60 10
11600
D
T
D
T
V
V
D D
S
D D T
V
D D
V
S
D D D D
I I
I T
V V V
I I
I
V V V V
e
e
= = = = =
=

Para = 2 V
D2
- V
D1
= 120 mV
Para = 1 V
D2
- V
D1
= 60 mV
Portanto, se for considerado um comportamento exponencial suave para o diodo em conduo ( 2), a
variao na tenso do mesmo (V
D
) necessria para aumentar em 10 vezes a corrente dever ser de 120 mV, e, se
considerado um comportamento exponencial acentuado ( 1), apenas 60 mV.

EXERCCIO 4.4.2: Um diodo conduz certa corrente quando aplicado uma ddp de 0,6 V temperatura de 25
o
C.
Qual a tenso no diodo a 115
o
C necessria para que o diodo conduza a mesma corrente?
SOLUO
Seja V
D
(25
o
C ) = 0,6 V . Logo, da Eq. 4.4.7 tem-se que a tenso no diodo a 115
o
C, V
D
(115
o
C ), para que o
mesmo conduza a mesma corrente eltrica ser:
V V
D
0,375 (115) = = = 90 0025 , 0 6 , 0 ) 25 115 ( 0025 , 0 ) 25 ( ) 115 (
D D
V V

4.4.5) CONCEITO DE LINHA DE CARGA

O comportamento no linear do diodo, demonstrado em sua caracterstica V-I (Fig. 4.4.2), mostra que o
mesmo requer freqentemente um mtodo grfico para se determinar o valor exato de sua corrente e tenso (o
chamado ponto de operao), principalmente quando polarizado em conduo. Este mtodo emprega a caracterstica
tenso-corrente do diodo (dado pelo fabricante) e envolve a chamada linha ou reta de carga do circuito.
Seja o circuito da Fig. 4.4.4-a, onde uma fonte de tenso DC de valor V
S
alimenta um resistor limitador de
corrente R e um diodo de juno D. Como o diodo est polarizado diretamente pela fonte V
S
, sua caracterstica V-I
nesta regio apresentada na Fig. 4.4.4-b. Sejam V
D
e I
D
, respectivamente, as variveis de tenso e corrente no
diodo. Aplicando a Lei de Kirchoff das Tenses (LKT) no circuito, I
D
(que a corrente no circuito) ser dada por:
0
S D
S D D D
V V
V R I V I
R
= = (4.4.8)
Considerando-se I
D
e V
D
como as variveis da Eq. 4.4.8, esta define, ento, a equao de uma reta. Como as
variveis da Eq. 4.4.8 so as mesmas da caracterstica tenso-corrente do diodo, pode-se traar a reta juntamente com
o grfico da caracterstica, tal como mostrado na Fig. 4.4.4-b. Assim, a Eq. 4.4.8 representa uma linha de carga do
circuito em questo. Desse modo, como ambas possuem as mesmas variveis, a Eq. 4.4.8 e a caracterstica V-I do
I
D
V
DT1
V
DT2
V
DT3
V
D
T
1
> T
2
> T
3
Fig. 4.4.3: Curvas
V-I para diferentes
temperaturas.
I
D
V
D1
V
D2

I
D2

1

I
D

I
D1

2

comportamento exponencial
mais suave ( 2)
V
D1
V
D2

1

I
D

I
D1

2

V
D

V
D

comportamento exponencial
mais acentuado ( 1)
I
D2

56

diodo tem de ser satisfeitas simultaneamente. O ponto Q de interseco entre os dois grficos (Fig. 4.4.4-b), chamado
ponto de operao, funcionamento ou de repouso, , portanto, o nico que satisfaz esta exigncia. Assim, os valores
da corrente e da tenso no diodo do circuito so, respectivamente, I
DQ
e V
DQ
(Fig. 4.4.4-b).

Os pontos de saturao e corte mostrados na Fig. 4.4.4-b representam condies anormais do diodo, que se
encontra danificado. A interseco da reta de carga com o eixo das ordenadas chamada ponto de saturao, pois
representa a corrente mxima no circuito, onde ocorre que V
D
= 0, isto , diz-se que o diodo est em curto-crcuito. A
interseco da reta de carga com o eixo das abscissas chamada ponto de corte, pois este representa a corrente
mnima no circuito (I
D
= 0), o que equivale a dizer que o diodo est danificado em circuito aberto.
Analisando a Eq. 4.4.8 e a Fig. 4.4.4-b pode-se observar que a inclinao da reta de carga e suas interseces
com os eixos dependem apenas de V
S
e R, o que significa que o ponto de operao Q pode sofrer alteraes se houver
variaes nestes valores. Estas alteraes no ponto Q esto representadas na Figs. 4.4.4-c e d, onde pode-se notar que,
se V
S
aumenta, I
D
tambm aumenta (Fig. 4.4.4-c), e ainda, se R aumenta, I
D
diminui (Fig. 4.4.4-d).

EXERCCIO 4.4.3: Seja o circuito dado a seguir e o segmento de polarizao direta a uma determinada temperatura
da caracterstica tenso-corrente do diodo empregado no circuito. Para V
S
= 1,5 V e R = 50 , determine:

a) A potncia consumida no resistor e no diodo, e a
potncia fornecida pela fonte.
b) A corrente e a tenso no diodo se R fosse 24 .
c) A corrente e a tenso no diodo se V
S
fosse 1,8 V.
d) Mede-se a queda de tenso no diodo (V
D
) e obtm-
se 1,5 V. Qual o problema no circuito?
e) Mede-se a corrente no diodo (I
D
) e obtm-se 30 mA.
Qual o problema no circuito?
f) Se V
S
= 3,6 V, qual deve ser o valor de R para que
seja mantido o ponto de operao do item a).
SOLUO
Aplicando a Lei de Kirchoff das Tenses (LKT) no circuito obtm-se a expresso da reta de carga do circuito.
R
V V
I V I R V
D S
D D D S
= = 0
a) Para o clculo das potncias deve-se primeiramente obter, com o auxlio da caracterstica tenso-corrente do diodo,
o ponto de operao do mesmo. Logo, para V
S
= 1,5 V e R = 50 tem-se que a reta de carga ser:
= =
= =
=
V V I
mA I V V
I
D D
D D D
D
5 , 1 0 para
30 0 para
50
5 , 1

e, com estes pontos, obtm a reta a vista na figura, cuja interseco com a curva da caracterstica V-I do diodo
determina o ponto de operao Qa . Logo, os valores de corrente e tenso do diodo no circuito sero:
I
DQ
14 mA e V
DQ
0,8 V
Assim, as potncias consumidas no diodo (P
D
) e no resistor (P
R
) sero:
P
D
= V
DQ
x I
DQ
= 0,8 x 0,014 = 11,2 mW ; P
R
= R x (I
DQ
)
2
= 50 x (0,014)
2
= 9,8 mW
e a potncia P
S
fornecida pela fonte ser a soma das potncias consumidas no circuito, ou ainda:
P
S
= V
S
x I
DQ
= 1,5 x 0,014 = 21 mW
A

K
I
D
V
D
V
S
R

V
DQ V
S
I
DQ
V
S
R

V
D
V
D
0

V
S3
/R
Q
1
Q
2
Q
3
I
D
V
S2
/R
V
S1
/R
V
S1
V
S2
V
S3

I
D
0

V
D
0

V
S
/R
1
Q
1
V
S
/R
2
V
S
/R
3
V
S

I
D
(a)
(b)
(c)
Q
2
Q
3
(d)
V
S3
> V
S2
> V
S1

R
3
> R
2
> R
1

Q

ponto de
corte

ponto de saturao

ponto de
operao

linha de carga

Fig. 4.4.4: (a) esquema de um circuito simples com diodo; (b) caracterstica V-I do diodo em polarizao direta e
a linha de carga do circuito; variao do ponto de operao quando (c ) V
S
varia e (d) R varia.
D

A

K
D

R

V
S
I
D
V
D
ponto de
saturao
0 0,5 1,0 1,5 1,8 2,0
10
20
30
50
40
60
I
D
(mA)
V
D
(V)
Qa
70
reta a
reta c
reta b
ponto de corte
62,5
Qb
36
Qc
57

b) Para R = 24 , a reta de carga seria:
24
5 , 1
D
D
V
I

=
que a reta b (e ponto de operao Qb) mostrada na figura. Logo: I
DQ
25 mA e V
DQ
0,90 V
c) Para V
S
= 1,8 V, a reta de carga seria:
50
8 , 1
D
D
V
I

=
que a reta c (e ponto de operao Qc) mostrada na figura. Logo: I
DQ
19 mA e V
DQ
0,85 V
d) Se V
D
= 1,5 V ento a ddp no diodo igual da fonte de tenso V
S
, significando que no h corrente no circuito
(no h queda de tenso no resistor) e assim o diodo deve estar aberto (ponto de corte - reta a - vide figura).
e) I
D
= 30 mA significa que o diodo est no ponto de saturao (reta a - vide figura) ou seja, no h queda de
tenso no diodo e ele deve estar, portanto, em curto-circuito.
f) Se V
S
= 3,6 V com o diodo no mesmo ponto de operao do item a) , isto , I
DQ
= 14 mA e V
DQ
= 0,8 V, ento deve
ser respeitada a reta de carga para esta situao, ou seja:
200 =
= R
R R
V V
I
DQ S
DQ
8 , 0 6 , 3
014 , 0

4.5) MODELOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS E BAIXAS FREQNCIAS

Para o estudo do diodo como componente de circuitos, sem o emprego da equao de sua caracterstica tenso-
corrente ou com o auxlio da reta de carga do circuito, necessrio adotar modelos aproximados do comportamento
do diodo real. Com a utilizao destes modelos pode-se, ento, avaliar qualitativamente as correntes e as tenses de
um circuito contendo diodos pelos mtodos normais da teoria de Circuitos Eltricos.
O diodo ideal inicia a compreenso do funcionamento de circuitos contendo diodos porque no preciso se
preocupar com os efeitos da barreira de potencial e com as resistncias do diodo. Todavia, h casos em que esta
aproximao se mostra bastante imprecisa e, ento, so necessrios modelos mais aproximados do diodo real.
Estes modelos so empregados na soluo de circuitos com os chamados grandes sinais, que normalmente so
de baixas freqncias, porque os valores de queda de tenso nos diodos no so significativos perante a amplitude dos
sinais de alimentao do circuito e os erros introduzidos nos clculos do circuito podem ser desprezados.

4.5.1) MODELO DO DIODO IDEAL

O diodo ideal um dispositivo binrio no sentido de que ele age como uma
chave fechada, quando em polarizao direta, e como uma chave aberta, quando
em polarizao reversa. A Fig. 4.5.1 mostra uma aproximao da caracterstica V-I
do diodo real e expressa o comportamento de uma simples chave liga-desliga. Esta
a caracterstica V-I do diodo ideal, onde nota-se, ento, que:
Quando V
D
nulo, I
D
pode ter qualquer valor positivo. Assim, um diodo ideal
entra em conduo quando I
D
> 0 ;
Quando I
D
for nulo, V
D
pode assumir qualquer valor negativo. Assim, um diodo
ideal entra no corte (bloqueio) quando V
A
V
K
, isto , V
D
0 ;
Assim, o diodo ideal pode ser entendido como um dispositivo que age como
um condutor perfeito quando em polarizao direta, isto , no h queda de tenso
no diodo (seu modelo um curto-circuito ou uma chave fechada - Fig. 4.5.1), e
como isolante perfeito quando em polarizao reversa, isto , no h passagem de corrente no diodo (seu modelo um
circuito aberto ou uma chave aberta - Fig. 4.5.1). Tal comportamento unidirecional revela-se interessante no estudo da
comutao e retificao, devido simples caracterstica liga-desliga (ON-OFF).

4.5.2) MODELOS APROXIMADOS DO DIODO REAL

A anlise de um circuito pode, contudo, exigir outros modelos mais precisos para o diodo, que se constituem
em aproximaes mais exatas do comportamento de sua caracterstica tenso-corrente. Assim, em alguns casos
conveniente representar o diodo por uma combinao de componentes, tipo esquema ou circuito equivalente.
A construo destes modelos consiste na linearizao por partes da caracterstica tenso-corrente do diodo de
juno e estas linearizaes so representadas por componentes discretos lineares e ideais. Assim:
1) Modelos do diodo em conduo: a Fig. 4.5.2-a mostra o segmento da caracterstica V-I referente polarizao
direta de um diodo, particionado em dois segmentos de reta que aproximam-se da caracterstica real. A parcela da
caracterstica linearizada referente a I
D
> 0 (isto , para V
D
> V

) um segmento de reta que representa, ento, a
I
D
V
D
conduo

corte

A K
A K
Fig. 4.5.1: Caracterstica
V-I do diodo ideal.
0

I
D V
D
58

regio de conduo do diodo. Logo, pode-se dizer que o diodo encontra-se em conduo se I
D
> 0. O modelo em
conduo pode, ento, ser representado por uma fonte de tenso de valor V
, representando o limite mnimo no

qual se considera que o diodo est efetivamente conduzindo, em srie com uma resistncia linear R
f
igual ao
inverso da declividade (tg ) da reta. O modelo do diodo em conduo est, ento, esquematizado na Fig. 4.5.2-b.
Desse modo, com base nesse modelo, a ddp V
D
entre os terminais do diodo ser dada, ento, por:
D A K f D
V V V V R I
= = + (4.5.1)
que , afinal, a equao da reta que modela a regio de conduo. Esta representao tem significado porque, para
V
D
> V

, a queda de tenso no diodo geralmente insignificante em relao s tenses aplicadas ao circuito, de
modo que a diferena entre a reta e a caracterstica real introduz um erro desprezvel.

2) Modelos do diodo no corte: para 0 V
D
V

na Fig 4.5.2-a, como neste caso a corrente direta muito pequena
comparado os valores em conduo, pode-se despreza-la e, na prtica, se modela a mesma como uma resistncia
infinita. Para V
D
< 0, a Fig. 4.5.2-c mostra o segmento da caracterstica V-I referente polarizao reversa de um
diodo real, particionado em um segmento de reta aproximado da caracterstica. Como visto, nesta regio h duas
componentes para a corrente reversa: a corrente de saturao I
S
, que, por ser constante, pode ser modelada por
uma fonte de corrente ideal de valor I
S
, e a parte devido fuga superficial, que, por ter comportamento hmico,
pode ser modelada por uma resistncia linear R
r
igual ao inverso da declividade da reta, chamada resistncia
reversa do diodo. O esquema da Fig. 4.5.2-d representa, ento um modelo para o diodo no corte em polarizao
reversa. Contudo, para uniformizar os dois modelos obtidos do diodo no corte, pode-se admitir, com boa preciso,
que I
S
desprezvel ou nula (I
S
= 0) e que R
r
infinita (R
r
). Neste caso, modela-se toda a regio do diodo no
corte como uma chave aberta e pode-se dizer que o mesmo se encontra neste modo de operao se V
D
V
.

4.6) APLICAES ELEMENTARES DE DIODOS - ANLISE DC

Nesta apostila, circuito DC aquele em que todas as fontes de excitao consistem em fontes DC constantes.
O principal problema na soluo de circuitos contendo diodos est em determinar em que regio de operao,
conduo ou bloqueio, os mesmos se encontram. Assim, um mtodo geral de anlise de um circuito DC com diodos
consiste em admitir hipteses (suposies) sobre o estado de cada diodo. Se a suposio est correta ou no, os
resultados da anlise do circuito devero fornecer esta indicao. Isto porque diodos em circuitos contendo somente
fontes DC funcionaro em um nico ponto de operao e, assim, conveniente a mtodologia da suposio e prova.
Dependendo do modelo adotado, se o diodo suposto operando no estado de conduo, pode-se substituir o
mesmo pelo modelo da Fig. 4.5.2-b (aproximado do real) ou por uma chave fechada (diodo ideal). De outro modo, se
o diodo suposto operando no estado bloqueado, pode-se utilizar o modelo da Fig. 4.5.2-d (aproximado) ou por um
circuito aberto (diodo ideal). Uma vez substitudo os diodos pelos respectivos esquemas equivalentes, todo o circuito
linear e, assim, possvel o clculo das tenses e correntes pelas teorias normais de Circuitos Eltricos.
Logo, relembrando a conveno adotada (Fig. 4.4.1), onde a corrente I
D
no diodo adotada positiva no sentido
anodo-catodo e a tenso V
D
positiva no sentido da polarizao direta ento, conforme anlises anteriores, a hiptese
feita para um diodo presente em um circuito julgada, em conduo, pela sua corrente e, no corte, pela sua tenso.
Assim, de acordo com a suposio inicial e pelo modelo de diodo adotado (aproximado ou ideal), tem-se :
a) A hiptese do diodo se encontrar em conduo ser:
a.1) Verdadeira, se I
D
> 0 (para os modelos ideal e aproximado);
a.2) Falsa , se I
D
0 (para os modelos ideal e aproximado). Neste caso, testa-se outras suposies possveis.
Fig. 4.5.2: (a) caracterstica real e aproximada do diodo em polarizao direta; (b) modelo do diodo baseado
na representao linear por partes para o modo de conduo; (c) caracterstica real e aproximada do diodo em
polarizao reversa; (d) modelo do diodo baseado na representao linear para o modo de corte.
V

I
D
V
D
conduo

aproximada

real

I
D
V
D
real

aproximada

declividade =1/R
r

R
r
K

A

I
S
(a) (b) (c) (d)

R
f
= 1
tg

V

R
f
K

A

V
D

V
D
< 0
I
D
< 0

corte

I
D

I
S
59

b) A hiptese do diodo se encontrar no bloqueio (corte) ser:
b.1) Verdadeira, se V
D
V
(para o modelo aproximado) ou V

D
0 (para o modelo ideal);
b.2) Falsa, se V
D
> V
(para o modelo aproximado) ou V

D
> 0 (para o modelo ideal). Neste caso, testa-se outras
suposies possveis.
Quando h mais de um diodo presente em um circuito, o nmero de suposies gerais possveis, composta por
hipteses parciais feitas para cada diodo individualmente, depende do nmero de diodos presentes. Como um diodo
comum pode operar em duas regies, tem-se que o nmero total de suposies gerais existentes ser: 2
num. de diodos
, e a
soluo do problema consiste, ento, em determinar qual suposio geral a verdadeira. Consideraes adicionais:
a) A hiptese geral verdadeira somente quando todas as suposies parciais so verdadeiras. Assim, se pelo menos
uma suposio individual for falsa, a hiptese geral falsa. Desse modo, se durante os clculos j se obter um
resultado comprovando que determinada suposio parcial feita a um determinado diodo se mostra falsa, ento a
hiptese geral falsa e, desse modo, pode-se desde j partir para o clculo de outra suposio geral possvel;
b) Em determinados circuitos, uma anlise mais detalhada da disposio dos diodos e demais componentes do circuito
pode facilmente discernir, dentre as suposies existentes, quais so as realmente possveis.

EXERCCIO 4.6.1: Determinar a tenso de sada V
o
do circuito dado para os seguintes casos de tenses de entrada:
(1) V
1
= V
2
= 5 V ; (2) V
1
= V
2
= 0 V ; (3) V
1
= 5,0 V e V
2
= 0 V
Modelos do diodo: conduo : V
= 0,6 V e R
f
= 30 ; corte : I
S
= 0 A e R
r

SOLUO
comum se representar um circuito como esquematizado em (a), onde o n de referncia (ligao massa ou
terra) est implcito, mas todas as tenses indicadas so medidas em relao a esta referncia. O circuito (b)
corresponde, ento, ao circuito (a), onde esto esquematizadas as coneces dos componentes ao n de referncia.
O circuito dado contm dois diodos comuns e, portanto, h quatro suposies gerais existentes: D
1
e D
2
em
conduo, D
1
em conduo e D
2
no corte, D
1
no corte e D
2
em conduo, e D
1
e D
2
no corte.

(1) V
1
= V
2
= 5,0 V :
1.1) Hiptese geral: D
1
e D
2
em conduo:
Aplicando-se o modelo fornecido dos diodos em conduo,
tem-se o circuito dado ao lado. Observa-se pelo circuito que
ambos os ramos contendo diodos so iguais e, portanto, tem-
se que I
D1
= I
D2
. Logo a corrente I da fonte fixa poder ser
expressa por: I = 2I
D1
.
Aplicando LKT na malha 1 tem-se que :
0 5 270 30 6 , 0 2 10 7 , 4 5
1 1 1
3
= + + + + +
D D D
I I I
0 61
1
< A I
D

Como I
D1
= I
D2
< 0 ento, de acordo com regra a.2), esta
hiptese falsa, pois, de acordo com regra a.1), para ambos os
diodos a corrente nos mesmos deveria ser positiva.
1
em conduo e D
2
no corte:
O modelo do diodo para I
S
= 0 A e R
r
uma chave aberta
(circuito ao lado). Como ambos os ramos com diodos so
iguais, nesta suposio pode-se pensar que, necessariamente, os
dois diodos devem estar no mesmo modo de operao, e assim
esta hiptese no pode ser verdadeira. Para confirmar:
LKT em 1:
0 5 270 30 6 , 0 10 7 , 4 5
1 1 1
3
= + + + + +
D D D
I I I
0 120
1
< = A I
D

Como I
D1
< 0 ento, de acordo com regra a.2), a hiptese para
o diodo D
1
falsa e no preciso verificar a hiptese para D
2
.
V
o
K A
V
1
+ 5 V
270
K A
V
2
270
D
1
D
2
4,7 k
V
o
4,7 k
A

K
A

K
270
270
V
1
V
2
D
1
D
2
5 V
(a) (b)

4,7 k
270
270
5 V

V
o
5 V
A
K
30
0,6 V
A
K
30
0,6 V
I
D1 I
D2
I = 2I
D1
1

4,7 k
270
270
5 V

5 V

V
o
5 V
A
K
30
0,6 V
I
D1 I
D2
= 0
I = I
D1
1

V
D2

A
K
60

1
no corte e D
2
em conduo:
Como os ramos com diodos so iguais, os clculos sero iguais aos obtidos no item 1.2 (I
D2
= -120A < 0)
e, portanto, esta hiptese tambm falsa.
1
e D
2
no corte:
Como ambos os diodos esto supostamente no bloqueio, v-se
pelo circuito da figura ao lado que I = I
D1
= I
D2
= 0. Como os
dois ramos com diodos so iguais, tem-se que V
D1
= V
D2
. Por
LKT na malha 1, tem-se ento:
5 V
D1
5 = 0 V
D1
= 0 V = V
D2

portanto, V
D1
< V e V
D2
< V (V = 0,6 V) e, desse modo, de
acordo com a regra b.1), a hiptese geral verdadeira .
Aplicando LKT na malha externa tem-se ento que V
o
ser:
5 V
o
= 0 V
o
= 5 V
(2) V
1
= V
2
= 0 V :
Como V
1
= V
2
= 0 (fonte de tenso nula modelada por um curto), novamente tem-se que os ramos dos diodos
so iguais e, assim, conclui-se que os diodos necessariamente
esto na mesma regio de operao. Logo, as hipteses D
1
em
conduo e D
2
no corte, e D
1
no corte e D
2
em conduo esto
descartadas. Assim, resta duas suposies possveis: D
1
e D
2
no
corte e D
1
e D
2
em conduo. Contudo, analisando-se o
circuito, observa-se que a fonte fixa de 5 V pode conduzir os
diodos D
1
e D
2
por no ter excitao no lado do catodo dos
diodos, pois V
1
= V
2
= 0 V. Logo, a hiptese D
1
e D
2
em
conduo parece ser a mais provvel. Assim:
1
e D
2
em conduo:
Sendo os dois ramos com diodos iguais, ento I
D1
= I
D2
, isto , I = 2 I
D1
. Aplicando LKT na malha 1 tem-se:
0 454 , 0 0 270 30 6 , 0 2 4700 5
1 1 1 1
> = = + + + + mA I I I I
D D D D

Como I
D1
= I
D2
> 0 ento, de acordo com a regra a.1) esta suposio verdadeira para ambos os diodos, isto
, a hiptese geral verdadeira. Portanto, a tenso de sada V
o
(LKT na malha 2) ser:
V V 0,73
o
= + + =

6 , 0 10 454 , 0 30 10 454 , 0 270
3 3

(3) V
1
= 5,0 V e V
2
= 0 V :
Com base nestas tenses de entrada e na anlise das hipteses verdadeiras dos casos (1) e (2) pode-se supor ento
que o diodo D
1
provavelmente est no corte e o diodo D
2
provavelmente em conduo. Assim:
1
no corte e D
2
em conduo:
Aplicando LKT na malha externa tem-se:
0 88 , 0
0 270 30 6 , 0 4700 5
2
2 2 2
> =
= + + + +
mA I
I I I
D
D D D

Aplicando LKT na malha 1 tem-se:
V V V I
D D D
136 , 4 0 5 4700 5
1 1 2
= = + + +
Por estes resultados observa-se que I
D2
> 0, confirmando, de
acordo com a regra a.1), que a suposio D
2
em conduo
verdadeira. Alm disso, V
D1
< V, o que confirma, de acordo com
a regra b.1), que a suposio D
1
no bloqueio tambm se mostra
verdadeira. Logo, a suposio geral verdadeira.
Assim, aplicando LKT na malha 2 tem-se, portanto: V V 0,864
o
= + + =

6 , 0 10 88 , 0 ) 270 30 (
3

Obs: Neste exerccio nota-se que a sada V
o
tem valores distintos conforme o estado das entradas V
1
e V
2
: se ambas
forem altas (5 V), a sada tambm ser alta (5 V - caso 1) e se uma ou ambas forem baixas (0 V), a sada tambm
ser baixa (0,73 V - caso 2, e 0,864 V - caso 3). Circuitos com este comportamento so chamados portas lgicas AND.

4.7) APLICAES ELEMENTARES DE DIODOS ANLISE AC

Nesta apostila, circuitos AC so aqueles em que pelo menos uma das fontes de excitao do circuito variante
no tempo, podendo, por exemplo, ser alternada pura ou ainda conter um nvel DC.
Como mencionado na anlise de circuitos DC, o principal problema na soluo de circuitos contendo diodos
est em determinar em qual regio de operao (conduo ou bloqueio) os diodos se encontram. Um mtodo geral
para a anlise de circuitos AC contendo vrios diodos, resistncias e fontes tambm consiste em admitir hipteses
sobre o estado de cada diodo. Porm, um diodo presente em um circuito AC pode vir a atuar em suas duas regies de
4,7 k
270
270
5 V

5 V

V
o
5 V
I
D2
= 0
I = 0

1

A
I
D1
= 0
V
D2

V
D1

A
K K
V
o
4,7 k
270
270
5 V
A
K
30
0,6 V
A
K
30
0,6 V
I
D1 I
D2
I = 2I
D1
1
2

4,7 k
270
270
5 V

V
o
5 V
A
K
30
0,6 V
I
D1
= 0 I
D2

I = I
D2
1

V
D1

A
K
2

61

operao, ou ainda, vrios diodos presentes num circuito podem assumir vrias combinaes possveis de seus modos
de operao, razo pela qual o mtodo da suposio e prova da anlise de circuito DC no conveniente.
Assim, para a anlise de um circuito AC contendo diodos ser necessrio determinar, para cada suposio
possvel, uma equao que expresse a relao entre as entradas (excitaes do circuito) e a sada (varivel do circuito
que se quer estudar, geralmente tenso ou corrente), bem como as condies para as entradas do circuito tal que a
suposio seja verdadeira. Esta equao chamada caracterstica de transferncia, vista a seguir.

4.7.1) CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA

Em um circuito eltrico qualquer, pode-se adotar variveis do
mesmo como parmetros de entrada e variveis como parmetros de
sada, de modo que, se as variveis de entrada se alteram, as de sada
acompanharo estas alteraes. A caracterstica de transferncia a
equao (que pode ser matricial) que expressa o comportamento das
variveis de sada em funo das variveis de entrada. Por exemplo,
para o circuito qualquer dado na Fig. 4.7.1, sendo v
S
a varivel de
entrada, se a varivel de sada adotada for a tenso v
o
na carga R
L
, ento
a caracterstica de transferncia ser uma equao da sada v
o
em funo da entrada v
S
, isto , v
o
= f(v
S
). Se a sada
adotada a corrente i
o
na carga, a caracterstica de transferncia ser: i
o
= f(v
S
). Logo, se a entrada v
S
se altera, as
caractersticas de transferncia determinaro que alteraes sofrer a varivel de sada.
Caractersticas de transferncia so teis na anlise de circuitos porque possibilitam verificar o
comportamento das sadas para vrios tipos de entradas, inclusive, se desejado, atravs de mtodo grfico.

4.7.2) ANLISE DE CIRCUITOS AC

A anlise geral de circuitos AC contendo diodos consiste, em linhas gerais, nos seguintes passos:
1) Admitir suposies gerais sobre o funcionamento dos diodos. Em certos casos, uma anlise do circuito possibilita
determinar quais das suposies gerais existentes so realmente possveis.
2) Aplicar os modelos aproximado ou ideal e resolver o circuito pela teoria de Circuitos Eltricos (Leis de Kirchoff).
3) Para cada hiptese feita, determinar a caracterstica de transferncia e a condio para que a mesma seja verdadeira.
As condies so determinadas com base nas mesmas regras vistas para a anlise DC, isto :
Modo conduo: I
D
> 0 (para os modelos ideal e aproximado);
Modo bloqueado: V
D
V
(modelo aproximado) ou V
D
0 (modelo ideal).
Cabe aqui observar que:
3.1) Para a obteno e emprego destas condies, deve-se lembrar que a corrente I
D
deve ser adotada positiva no
sentido anodo-catodo e a sua tenso V
D
positiva no sentido da polarizao direta (V
D
= V
A
V
K
, Fig. 4.4.1);
3.2) As caractersticas de transferncia e suas respectivas condies devem ser expressas em funo apenas das
variveis de entrada e dos parmetros do circuito;
3.3) As condies expressam sempre os limites para as entradas tal que as caractersticas sejam verdadeiras;
3.4) As condies obtidas para os diodos operarem em determinada regio dependem apenas das variveis de
entrada do circuito, ou seja, so verdadeiras qualquer que seja a varivel de sada escolhida do circuito;
3.5) Como o comportamento da caracterstica V-I do diodo (e conseqentemente seus modelos) contnua, isto ,
no apresenta descontinuidades, tem-se desse modo que, tanto as caractersticas de transferncia, quanto as
suas respectivas condies devem necessariamente ser contnuas (complementares) em seus limites;
3.6) Para os clculos das caractersticas de transferncia, e respectivas condies, no necessrio saber qual o
comportamento das entradas, o que mostra a vantagem do mtodo, pois, uma vez obtidos estes dados, pode-se
determinar o comportamento da sada para quaisquer entradas.
4) Determinar, os resultados pedidos (geralmente forma de onda da varivel de sada), com base nas caractersticas de
transferncia do circuito e respectivas condies.
O comportamento de uma chave ON-OFF dos diodos explorado por vrias classes de circuitos para modificar
as formas das ondas eltricas. A seguir, so introduzidos os fundamentos de alguns tipos destes circuitos.

4.7.3) CIRCUITOS RETIFICADORES

Circuitos retificadores so aqueles utilizados para converter tenso alternada (e conseqentemente corrente
alternada), que geralmente se dispe, em tenso (corrente) contnua, que a maioria dos sistemas eletrnicos requer.
A Fig. 4.7.2-a mostra um circuito retificador simples, constitudo por uma fonte de tenso AC v
S
de entrada,
que alimenta a resistncia de carga R
L
atravs de um diodo D modelado inicialmente como aproximado do real,
supondo R
r
e I
S
= 0 A. Sejam tambm i
D
e v
L
as variveis de corrente e a tenso na carga, respectivamente.
Sendo a ddp v
L
na carga a varivel de sada, desse modo tem-se:
circuito
qualquer
v
S v
o
R
L
i
o
Fig. 4.7.1: Circuito qualquer, de entrada
v
S
e sada v
o
ou i
o
.
62

R
L
v
S
A K A K
R
L
v
S
v
D
A K
V

R
f

R
L v
S
i
D
v
L
v
L
(a) (b) (c)

Fig. 4.7.2: (a) esquema do circuito retificador de meia onda; (b) circuito para o diodo em
conduo; (c) circuito para o diodo no bloqueio.
D

v
L

1
o
hiptese: Diodo D em conduo:
Aplicando o modelo aproximado do diodo em conduo (Fig. 4.7.2-b) e LKT na malha do circuito, tem-se:
L f
S
D D L D f S
R R
V v
i i R i R V v
+
= =

0
Logo, a equao da tenso de sada v
L
ser dada por:
( )
S
L L D L
f L
v V
v R i R caracterstica de transferncia
R R
= = =
+ +

L
L S
f L
R
v v V
R R

que , afinal, a caracterstica de transferncia do circuito para o diodo em conduo, pois a equao expressa a
tenso de sada v
L
em funo da entrada v
S
e demais parmetros do circuito. Como visto anteriormente, a condio
para o modelo aproximado do diodo em conduo que a corrente que flui pelo mesmo seja positiva, isto , i
D
> 0.
Logo:
0 0
S
D
f L
v V
i condio
R R
> > >

+
S
v V
que a condio para que a caracterstica de transferncia obtida para o diodo em conduo seja verdadeira.
2
o
hiptese: Diodo D no corte:
Aplicando no circuito o modelo aproximado do diodo no bloqueio (Fig. 4.7.2-c), observa-se que a corrente no
circuito nula (i
D
= 0). Logo, a equao da sada v
L
ser dada por:
v
L
= R
L
i
D
v
L
= 0 caracterstica de transferncia
que a caracterstica de transferncia para o diodo no corte. Aplicando agora LKT na malha circuito tem-se:
v
S
- v
D
= 0 v
S
= v
D

Como visto anteriormente, a condio para o modelo aproximado do diodo no bloqueio que a ddp entre seus
terminais seja menor ou igual tenso de limiar, isto : v
D
V
. Logo, tem-se que:

v
D
V
v
S
V

condio
que a condio para que a caracterstica de transferncia obtida para o diodo no bloqueio seja verdadeira.
Interpretando os resultados para as caractersticas de transferncia e respectivas condies, observa-se que, o
diodo conduz somente quando o valor da fonte v
S
exceder a tenso de limiar (v
S
> V
), permitindo, ento, que o sinal

de entrada seja aplicado carga (sada). Caso contrrio (v
S
V
), o diodo permanece cortado e ocorre que nenhum

sinal da entrada transferido carga, pois a corrente no circuito nula.

Supondo que a fonte de tenso de entrada seja um sinal senoidal, tal que: v
S
= V
m
sen(t), onde V
m
o valor
mximo, assim, atravs das caractersticas de transferncia e respectivas condies obtidas, pode-se determinar o
comportamento da sada v
L
para esta entrada, o que mostrado na Fig. 4.7.3-a. Observa-se, ento, que um retificador
converte tenso de entrada AC para uma tenso pulsante DC, isto , a tenso de carga v
L
sempre positiva ou nula e,
(a) (b) (c)
Fig. 4.7.3: Formas de onda da tenso de entrada senoidal e sada para: (a) diodo real, mostrando ngulo de
conduo; (b) diodo ideal; (c) diodo ideal com entrada v
S
acrescida de um sinal DC de valor V
M
.
V
m
- V
m
0

t

2

v
L

v
S

v
S
, v
L

- V
m
+ V
M
0

t

2

V
m
+ V
M
V
M
v
L

v
S

v
S
, v
L

v
S
, v
L

V
m
- V
m
0

t

2
i - 2
i
-
i
V

v
S

v
S

v
L

R
L
(V
m
- V

)
(R
f
+ R
L
)
/2

/2

/2
3/2

3/2

3/2

63

assim, a corrente flui na carga R
L
sempre no mesmo sentido. Este processo de converso AC para DC conhecido
como retificao. Para o retificador da Fig. 4.7.2-a, como circula corrente somente em uma parte de meio ciclo
(semiciclo) da tenso aplicada, este circuito conhecido como retificador de meia onda.
Pela Fig. 4.7.3-a observa-se ainda que o diodo D no inicia sua conduo quando t = 0, mas a partir de um
certo ngulo
i
exigido para que a tenso da fonte v
S
se iguale tenso de limiar V
, ou seja, quando t =
i
tem-se:
( ) ( )

i i
sen sen arcsen
S m m
m
V
v V t V V
V
| |
= = =
|
\
(4.7.1)
onde
i
chamado de ngulo de conduo de corrente do circuito. Pela Fig. 4.7.3-a nota-se ainda o valor -
i

(ngulo de extino, ponto onde v
S
torna-se novamente menor que V
), e - 2
i
(perodo de conduo do diodo).
Pela Eq. 4.7.1 nota-se que, quanto maior o valor mximo do sinal da tenso de entrada (V
m
) em relao ao valor
de limiar do diodo (V
), menor ser o ngulo de conduo (

i
). Logo, quando V
m
>> V
ento
i
0 e pode-se modelar
o diodo como sendo ideal. Desse modo, modelando o diodo do retificador de meia onda como sendo ideal (isto ,
considerando V
= 0 V e R
f
= 0 ), ento as caractersticas de transferncia e respectivas condies sero dadas por:
Para o diodo D em conduo: v
L
= v
S
(caracterstica de transferncia), para v
S
> 0 (condio)
Para o diodo D no bloqueio: v
L
= 0 (caracterstica de transferncia), para v
S
0 (condio)
Com estes resultados obtm-se, portanto, o comportamento para a sada v
L
mostrado na Fig. 4.7.3-b.
Como dito, de posse das caractersticas de transferncia e respectivas condies, pode-se determinar a sada
para qualquer entrada fornecida. Assim, com o auxlio destas para o diodo modelado como ideal, na Fig. 4.7.3-c
mostrado o comportamento da sada v
L
para o sinal v
S
somado a um componente DC de valor V
M
.
As ondas assim retificadas possuem ainda grandes ondulaes na tenso devido aos pulsos obtidos, chamados
ripples. Contudo, circuitos eletrnicos normalmente exigem tenses constantes e, portanto, deve-se eliminar o
mximo possvel estes pulsos, o que pode ser conseguido com a adio de um capacitor em paralelo com a carga R
L
..
A Fig. 4.7.4-a mostra o retificador de meia onda com um capacitor introduzido em paralelo com a carga e,
desse modo, observa-se que a tenso de sada v
L
na carga passa a ser a tenso do capacitor. Assim, este capacitor serve
simplesmente como filtro, transformando a forma de onda do retificador para um nvel quase constante.
Considerando o diodo D ideal e a entrada v
S
= V
m
sen(t), o efeito do capacitor mostrado na Fig. 4.7.4-b.
No primeiro quarto de ciclo da entrada v
S
(0 /2), o diodo entra em conduo e a tenso no capacitor acompanha a
entrada v
S
, com o capacitor se carregando at V
m
, ou seja, v
L
= V
m
(Fig. 4.7.4-b). Porm, entre os instantes /2 e t
1
, a
entrada v
S
se torna menor que a tenso no capacitor, o que ocasiona o bloqueio do diodo (pois V
A
< V
K
). Esta
ocorrncia impe que a descarga do capacitor se faa sobre a carga R
L
. No instante t
1
, a entrada v
S
se iguala tenso
no capacitor, pondo novamente o diodo em conduo e a fonte v
S
comea novamente a carregar o capacitor (v
L
segue
novamente a entrada v
S
) at o instante 5/2, onde novamente o diodo entra em corte, e assim o processo se repete
sucessivamente (Fig. 4.7.4-b). O resultado uma forma de onda de tenso na carga com um comportamento
aproximadamente constante, pois conter sempre um ripple devido ao descarregamento/carregamento do capacitor.

Assim, no intervalo de descarregamento, o capacitor C e a carga R
L
representam um circuito autnomo. Logo,
da teoria de Circuitos Eltricos, sabe-se que a descarga do capacitor se d atravs da constante de tempo R
L
C. Se esta
constante for comparvel ao perodo T da entrada v
S
, a sada v
L
apresentar um
ripple acentuado. Desse modo, para reduzir ao mximo o ripple, ou mesmo ser
praticamente eliminado, deve-se aumentar esta constante de tempo, ou seja, deve-se
aumentar o valor do capacitor C (Fig. 4.7.4-c) ou aumentar a resistncia de carga
R
L
, que acarretam na diminuio da corrente de descarga do capacitor.
Considerando agora o diodo D modelado como aproximado do real, devido
queda de tenso no mesmo (em V
e R
f
), a tenso no capacitor no segue totalmente
a entrada v
S
e a onda retificada se comportar tal como na Fig. 4.7.5.
Tenses retificadas podem tambm ser ainda obtidas atravs de retificadores
de onda completa, o que mais comum. Exemplos simples destes retificadores so
mostrados na Fig. 4.7.6-a e b. O tipo apresentado na Fig. 4.7.6-b denominado retificador em ponte de diodos. Como
V
m

2 3
t
v
L
v
L

0
v
D

Fig. 4.7.5: Sada v
L
para o
modelo aproximado.
/2
Fig. 4.7.4: Retificador de meia onda com capacitor de filtragem; (a) esquema do circuito; (b) forma de onda da
tenso v
L
na carga, com o diodo D modelado como ideal; (c) atenuao do ripple com aumento da capacitncia.
(a) (b) (c)
v
S
A K
D

R
L
v
L

t
v
L
0
C
1
C
2
C
3
C
3
> C
2
> C
1

sada praticamente sem ripple
V
m

/2 t
1

5/2
2
3
t
T
v
L
v
L

0
ripple
C

t = 0 s

64

pode ser observado pelos esquemas dos circuitos e pelas formas de onda da tenso v
L
na carga, a diferena entre os
dois tipos que o retificador em ponte obtm um valor DC igual ao valor mximo da entrada v
S
, enquanto que o
apresentado na Fig. 4.7.6-a obtm a metade do valor mximo da entrada v
S
. Estes retificadores facilitam a obteno
de tenso DC linear em relao ao de meia onda porque aproveitam todo o perodo de onda da entrada v
S
e, assim, nos
mesmos podem ser empregados capacitores menores tal que o tempo de descarga R
L
C seja menor (Fig. 4.7.6).

O filtro capacitivo visto anteriormente o mais simples e, na necessidade de uma filtragem mais elaborada,
pode-se empregar configuraes mais eficientes tais como as mostradas na
Fig. 4.7.7. Isto se deve ao fato de que, com base na teoria de Circuitos
Eltricos, a impedncia de um indutor aumenta com a freqncia e, de um
capacitor, diminui. Alm disso, todo sinal peridico no senoidal pode ser
decomposto em sinais senoidais de freqncia mltipla de um certo valor
fundamental, chamadas harmnicas. Como o sinal de tenso de sada de
um retificador pode ser entendido como composto de um nvel DC mais o
ripple, que peridico, no senoidal e formado de mltiplas senoides de
freqncia mltipla da industrial (60 Hz), ento o elemento indutor tende a
bloquear as senoides de maior freqncia e o elemento capacitor desvia de
volta fonte outras senoides de maior freqncia, restando para a carga
apenas as componentes DC e as de menor freqncia do sinal de sada.

4.7.4) CIRCUITOS LIMITADORES E FIXADORES

Limitadores so circuitos que selecionam uma parte do sinal de entrada para a sada, abaixo (chamados de
grampos) ou acima (detector de pico) de um determinado nvel de referncia. Fixadores so circuitos que selecionam
uma faixa do sinal de entrada para a sada, abaixo e acima de determinados nveis de referncia que se quer transmitir.
Os diodos so utilizados nestes circuitos devido ao seu comportamento ON-OFF que, atravs do auxlio de uma
tenso DC de referncia, determina a parte do sinal de tenso de entrada a ser transferido. Isto til no s para variar
a forma do sinal, selecionando o nvel de corte, mas tambm para proteger os circuitos que recebem o sinal.
A Fig. 4.7.8-a mostra um circuito limitador simples, constitudo de uma fonte de tenso de entrada v
S
, um
resistor limitador de corrente R, um diodo D e uma fonte de referncia de tenso DC de valor V
R
. Seja v
o
a varivel de
sada deste circuito. Modelando o diodo como aproximado do real (supondo R
r
e I
S
= 0 A), tem-se:
1
o
hiptese: diodo D em conduo:
Aplicando ao circuito o modelo do diodo em conduo (Fig. 4.7.8-b) e aplicando LKT na malha 1, tem-se:
f
R S
D R D f D S
R R
V V v
i V i R V i R v
+

= =

0
Aplicando LKT na malha 2 e utilizando o resultado da corrente i
D
tem-se:
0 0

o o
=
+

=
R
f
R S
f R D f
V
R R
V V v
R V v V i R V v
( ) transf. de caract. +
+
+
+
=
R
f
S
f
f
V V
R R
R
v
R R
R
v
o

Fig. 4.7.7: Filtragem: (a) LC em L
e (b) LC em .
C

L
L
C C
(a)
(b)
carga

carga

Fig. 4.7.6: (a) retificador de onda completa de meia amplitude; (b) retificador de onda completa em ponte.
(a)
D
1
D
2
transformador
abaixador

v
S
/2

v
S
/2

v
L
R
L C

v
P
v
S
, v
L

vL sem o
capacitor
V
m

V
m
/2
-V
m

0
t
vL com o
capacitor
v
S

(b)
v
S

D
1
D
2
D
3
D
4
V
m
v
S

- V
m
v
S
, v
L

v
L
sem o
capacitor
v
L
com o
capacitor
t
0

transformador
abaixador

v
P
D
1
e D
2
modelados
como ideais
D
1
, D
2
, D
3
e D
4
modelados como ideais
center
tap
v
L
R
L C

65

Como deve-se ter i
D
> 0 para o diodo em conduo, ento:
0 0 condio
S R
D
f
v V V
i
R R

> > > +
+
S R
v V V
2
o
hiptese: diodo D no bloqueio:
Aplicando ao circuito o modelo do diodo no corte (Fig. 4.7.8-c) e aplicando LKT na malha 1, tem-se:
0
S D R D S R
v v V v v V = =
Aplicando LKT na malha 2 e utilizando o resultado da tenso v
D
no diodo, tem-se:
. transf de caract. 0
o o
= + = + = =
S
v v
o R R S R D D R
V V v V v v v V v
Como deve-se ter v
D
V
para o diodo no corte, ento:

condio
D S R
v V v V V +
S R
v V V
Interpretando as caractersticas de transferncia e condies
obtidas, observa-se que a entrada v
S
consegue fazer o diodo conduzir
somente quando excede, alm da tenso de limiar do diodo, tambm
o valor V
R
da fonte DC (isto , v
S
>V
+ V
R
) porque o catodo do
diodo est a um potencial V
R
. Nesta situao, o sinal de entrada v
S

praticamente limitado na sada em um valor V
+ V
R
. Caso contrrio,
o diodo permanece bloqueado, desacoplando a fonte V
R
do circuito
e, estando nula a corrente no circuito, apenas o sinal de entrada
transferido sada porque no h queda de tenso no resistor R.
Logo, de posse das caractersticas de transferncia e suas
respectivas condies, pode-se determinar a sada v
o
para qualquer
entrada v
S
. Seja, ento, um sinal de entrada senoidal v
S
= V
m
sen(t),
onde V
R
< V
m
. Como mencionado, o emprego das caractersticas de
transferncia para determinar o comportamento da sada pode ser
feito por mtodo grfico, o que demonstrado na Fig. 4.7.9. Neste
caso, desenha-se o grfico com as caractersticas de transferncia do
circuito [v
o
= f(v
S
)], com todos os seus intervalos, e traa-se ponto a
ponto a forma de onda da sada v
o
com relao entrada v
S
, de acordo com o comportamento da caracterstica, ou
seja, a forma de onda da sada obtida numa equivalncia entre entrada e sada segundo suas caractersticas.
O circuito da Fig. 4.7.8-a chamado grampo de diodo positivo, porque ele limita positivamente a tenso de
sada em torno do valor de referncia V
R
quando a entrada excede esse nvel e utilizado, ento, para limitar o sinal
para a carga ou proteger a mesma. A inverso de polaridade do diodo torna o circuito um detector de pico positivo.
Com a associao de dois grampos de diodo, um positivo e outro negativo (limitador de tenso de entrada em
um valor negativo), pode-se obter um circuito que limita a um intervalo (faixa) o sinal de tenso de entrada. Este tipo
de circuito freqentemente chamado de fixador e um exemplo simples dado no exerccio 4.7.1.

EXERCCIO 4.7.1: Determine a forma de onda da tenso de sada v
o
no circuito dado na figura (a), considerando um
sinal de tenso de entrada v
S
= 15 sen(t). Dados dos diodos: V
= 0,5 V ; R
f
= 20 ; R
r
; I
S
= 0 A .

(a) (b)

A
K
20
0,5 V
v
S
K
30
10 V
10 V
v
o
v
D2
i
D1
1
2
3
A
v
S
A

K
K

A
30
D
1
D
2
10 V
10 V
v
o
(a) (b) (c)
Fig. 4.7.8: (a) esquema de circuito limitador, com o diodo considerado real; (b) circuito para o diodo em
conduo; (c) circuito para o diodo no bloqueio.
v
o
v
S
A

K
V
R
R

D

v
S
V
R
R

v
o
A
K
R
f
V

i
D
1

2

v
o
v
S
V
R
A
K
1

2

v
D
R

v
S

v
o

V
R
+ V

v
S

v
o

V
R
+ V

t

2

2
t
0
0
0
v
o

v
S

= R
f
/(R
f
+R)
= 1
V
m
V
m
CT
CT = caracterstica
de transferncia
= declividade
Fig. 4.7.9: Uso grfico da caracterstica de
transferncia para obter a sada v
o
.

/2
t
1

t
2

t
1

/2
t
2

-V
m
-V
m
( )
R
f
m
f
f
o
V V
R R
R
V
R R
R
v +
+
+
+
=
max
v
o max
66

SOLUO
Como o circuito possui dois diodos, tem-se, portanto, 4 combinaes de estados existentes entre os diodos.
Porm, analisando-se a disposio dos diodos e fontes de tenso, observa-se que a hiptese D
1
e D
2
em conduo no
possvel porque, se o diodo D
1
estiver conduzindo, significa que o potencial no catodo do diodo D
2
ser
necessariamente maior que o potencial do seu anodo e, portanto, o diodo D
2
no poder estar tambm em conduo.
Logo, analisando as trs suposies restantes, tem-se:
1
o
hiptese: D
1
em conduo e D
2
no corte:
Aplicando ao circuito os modelos em conduo para o diodo D
1
e em corte para o diodo D
2
(figura b), tem-se:
LKT na malha 1:
50
5 , 10
0 10 20 5 , 0 30
1 1 1
= =
S
D D D S
v
i i i v
LKT na malha 2:
3 , 16 4 , 0 0
50
5 , 10
20 5 , 20 0 10 5 , 0 20 10
2 2 2 1
= = +
+ = + + + +
S D D
S
D D
v v v
v
v i
LKT na malha 3:
transf. de caract. 0 10 3 , 16 4 , 0 0 10
o 2 o
+ = = + = + + 6,3 0,4
o S
v v
S D
v v v v
Para D
1
em conduo deve-se ter i
D1
> 0. Logo:
1 condio 5 , 10 0
50
5 , 10
0
1
> >
> V v
v
i
S
S
D

Para D
2
no corte deve-se ter v
D2
V
(V

= 0,5 V). Logo:
2 condio 42 5 , 0 3 , 16 4 , 0 5 , 0
2
V v v v
S S D

Analisando-se as condies 1 e 2 obtidas conclui-se que v
S
> 10,5 V satisfaz as duas condies (conjunto verdade
da interseco entre as duas condies). Esta , ento, a condio geral para que a caracterstica de transferncia
obtida para esta 1
o
hiptese seja verdadeira.

2
o
hiptese: D
1
e D
2
no corte:
Aplicando ao circuito o modelo dos diodos no corte (figura c), tem-se:
LKT na malha 1: 10 0 10
1 1
= =
S D D S
v v v v
LKT na malha 2: 10 0 10 20 0 10 10
2 2 2 1
= = + + = + + +
S D D S D D
v v v v v v
LKT na malha 3: transf. de caract. 0 10 10 0 10
o 2 o
= = + = + +
S
v v
o S D
v v v v
Para D
1
D1
0,5. Logo:
1 condio 5 , 10 5 , 0 10 5 , 0
1
V v v v
S S D

Para D
2
D2
0,5. Logo:
2 condio 5 , 10 5 , 0 10 5 , 0
2
V v v v
S S D

Como 10,5 v
S
10,5 V o conjunto verdade da interseco ente as duas condies ento esta a condio
geral para que a caracterstica de transferncia obtida nesta 2
o
3
o
hiptese: D
1
no corte e D
2
em conduo:
Aplicando ao circuito os modelos de corte para o diodo D
1
, e de conduo para o diodo D
2
(figura d), tem-se:
LKT na malha 1-2-3-6-7-8:
50
5 , 10
0 10 5 , 0 20 30
2 2 2

= = + + + +
S
D D D S
v
i i i v
LKT na malha 2-3-6-7:
3 , 16 4 , 0 0
50
5 , 10
20 5 , 20 0 10 5 , 0 20 10
1 1 2 1
= =

+ + = + + + +
S D
S
D D D
v v
v
v i v
LKT na malha 3-4-5-6:
0 5 , 10
50
5 , 10
20 0 10 5 , 0 20
o 2 o
= +

+ = + + +
S
D
v
v i v
v
o
= 0,4 v
S
6,3 caract. de transf.
(c) (d)

K
30
10 V
10 V
v
o
v
D2
1
2
3
A
v
S
v
D1
A
K
20
0,5 V
K
30
10 V
10 V
v
o
v
D1
A
v
S
i
D2
1 2 3 4
8 7 6 5
K
A
67

Para D
1
no corte deve-se ter: v
D1
0,5. Logo:
1 condio 42 5 , 0 3 , 16 4 , 0 5 , 0
1
V v v v
S S D

Para D
2
em conduo deve-se ter: i
D2
> 0. Logo:
2 condio 5 , 10 0
50
5 , 10
0
2
< >

> V v
v
i
S
S
D

Das condies 1 e 2 conclui-se que v
S
< 10,5 V o conjunto verdade pois satisfaz as duas condies e ,
portanto, a condio geral para que a caracterstica de transferncia obtida para esta 3
o
Se os diodos forem considerados ideais, tem-se que V
= 0 V e R
f
= 0
para os diodos. Assim, recalculando as caractersticas de transferncia e
suas respectivas condies considerando os diodos ideais obtm-se:
Para D
1
em conduo e D
2
no corte: v
o
= 10 V , para v
S
> 10 V
Para D
1
e D
2
no corte: v
o
= v
S
, para 10 v
S
10 V
Para D
1
no corte e D
2
em conduo: v
o
= 10 V , para v
S
< 10 V
Assim, de posse das caractersticas de transferncia e suas respectivas
condies, pode-se agora determinar comportamento da sada v
o
para a
entrada v
S
fornecida. A figura ao lado mostra o comportamento da forma
de onda da sada v
o
considerando os modelos aproximado e ideal. De
modo a melhor traar o sinal da sada, sero calculados outros dois pontos:
Para t = /2 v
S
= 15 V (ponto correspondente hiptese D
1
em conduo e D
2
no corte) v
o
= 12,3 V
Para t = 3/2 v
S
= 15 V (ponto correspondente hiptese D
1
no corte e D
2
em conduo) v
o
= 12,3 V

4.8) MODELO DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS

No item 4.5 foram vistos modelos esquemticos do diodo para os chamados grandes sinais, isto , aqueles em
que as amplitudes dos sinais so relativamente elevadas comparadas com as tenses de polarizao dos diodos. Desse
modo, podia-se aproximar a caracterstica V-I do diodo por um comportamento ON-OFF (diodo ideal) ou lineariz-la
por partes (modelo aproximado da caracterstica real). Porm, quando a amplitude do sinal pequena comparado com
os nveis de tenso de limiar do diodo, estes modelos no so satisfatrios e deve-se, ento, representar o diodo por
meio de um esquema equivalente incremental para pequenos sinais.
Seja o circuito da Fig. 4.8.1-a, onde a entrada v
S
= V
m
sen(t) um sinal de tenso de pequena amplitude, tal
que seu valor mximo V
m
menor que a tenso de limiar V
diodo (Fig. 4.8.1-c). Este sinal isoladamente no ser,

portanto, capaz de colocar o diodo em conduo. Assim, ao sinal v
S
acrescentado uma fonte de tenso constante V
r
com a funo de polarizar do diodo em conduo. Logo, a tenso total v(t) aplicado associao diodo-carga ser:
( ) ( ) t V V v V t v
m r S r
sen + = + = (4.8.1)
onde observa-se que os valores mximo e mnimo de v(t) so V
r
+ V
m
e V
r
- V
m
, respectivamente (Fig. 4.8.1-b). O
valor V
r
representa, portanto, um valor de repouso para o sinal v(t).
A Fig. 4.8.1-c mostra a conseqncia do sinal total de tenso v(t) sobre a caracterstica tenso-corrente do diodo
em conduo. O ponto de operao Q (ponto de repouso) estabelecido pela fonte V
r
e os pontos Q
1
e Q
2
so os
pontos de operao mximo e mnimo, respectivamente, alcanados devido a parcela de pequeno sinal v
S
. A regio na
qual oscila o ponto de operao do diodo representa, portanto, o comportamento do mesmo para o pequeno sinal v
S
.
Observa-se, ento, que essa regio aproximadamente linear e, assim, um modelo do diodo para o pequeno sinal pode
ser obtido pela linearizao da caracterstica V-I em torno do ponto de operao de repouso Q.
Esta linearizao , portanto, dada pela variao da corrente i
D
no diodo em conduo, em relao sua tenso
v
D
em torno do ponto de repouso Q, isto , o gradiente da funo no ponto Q, cuja unidade de condutncia. Assim, a
condutncia incremental g
d
que representa o comportamento linearizado da caracterstica ser dada por:
) (S
v d
i d
g
Q
D
D
d
= (4.8.2)
Para o ponto de operao Q, tem-se que v
D
= V
DQ
e i
D
= I
DQ
(Fig. 4.8.1-c). Logo:
) (

1
para

S
V
I
I
V v d
i d
g I i
T
DQ
V
V
S
T
Q
D
D
d
V
v
S D
T
Q D
T
D
e e = =
= = (4.8.3)
Pode-se agora definir uma resistncia incremental r
d
que expresse o comportamento linearizado da
caracterstica tenso-corrente do diodo em torno do ponto de operao Q, isto :
( ) = =
DQ
T
d
d
I
V
g
r
1
(4.8.4)
onde a resistncia r
d
, portanto, o modelo do diodo para pequenos sinais e baixa freqncias (Fig. 4.8.2-a).
v
S
, v
o
(V)
15
- 15
0
12,3
10,5
- 10,5
- 12,3
t

2
v
o
aproximado)
v
S

v
o
(diodo ideal)
- 10
10
/2 3/2
68

Como o sinal de tenso total v(t) composto por duas componentes distintas (V
r
e v
S
) e os modelos de diodos
so lineares, o circuito dado pode ser desmembrado em dois por superposio de efeitos, cada qual considerando uma
das componentes. Nas Figs. 4.8.2-b e c est representada esta situao. No circuito DC (Fig. 4.8.2-b) usa-se o modelo
aproximado do diodo para grandes sinais porque a fonte V
r
a que polarizar diretamente o diodo. No circuito AC do
pequeno sinal v
S
(Fig. 4.8.2-c) o diodo representado, ento, apenas pelo modelo do diodo para pequenos sinais.

Como foi admitido um comportamento linear do diodo para o pequeno sinal, a componente AC da corrente i
D

do circuito tambm ter um comportamento senoidal. A corrente total i
D
no circuito ser, portanto, formada por duas
componentes, mostradas nas Figs. 4.8.2-b e c, ou seja:
AC D DQ D
i I i + = (4.8.5)
Portanto, a tenso v
L
total na carga R
L
ter tambm duas componentes:
( )
AC D L DQ L AC D DQ L D L L
i R I R i I R i R v + = + = = (4.8.6)

EXERCCIO 4.8.1: Para o circuito dado, considere um diodo de silcio ( = 2) a 20 C e v
S
= 0,2 sen(t). O modelo
em conduo do diodo : V
= 0,6 V e R
f
= 10 . Determinar a tenso e a corrente total na carga.

SOLUO
A entrada v
S
trata-se de um pequeno sinal porque seu valor mximo (0,2 V) menor que a tenso de limiar do
diodo empregado no circuito (0,6 V), o que no suficiente para levar o diodo conduo. Logo:
Determinao do nvel de polarizao (ponto Q): aplicando LKT no circuito na figura (a) tem-se:
v
S
A K
9V

i
D
2 k

v
L
D

I
DQ
A K
10 0,6
V
9 V

2 k

v
S i
DAC
A K
r
d
2 k

(a) (b)
Fig. 4.8.1: (a) circuito com excitao v
S
de pequeno sinal; (b) sinal total v(t) aplicado ao diodo e carga;
(c) variao do ponto de operao devido a v(t).
i
D

I
DQ

V
r

V
r
V
m

V

V
DQ

V
r
+ V
m

Q
1
Q
2
Q

dv
D
Q

di
D
V
r

R
L

i
D

v(t)

V
m

0

i
D
= I
S
e

v
D

VT

(c)

V
r
+ V
m

V
r
- V
m
t

v(t)

V
r

0

(b)

(a)

v
S
A K
v(t)
R
L
v
L

i
D

v
D

D

(V
r
+ V
m
)/R
L

(V
r
- V
m
)/R
L

V
m

v
S

t

V
r
v
S
A K
V
r
i
D
R
L
v
L
D

I
DQ
A K
R
f
V

V
r
R
L v
S
i
DAC
R
L
A K
r
d
Fig. 4.8.2: Pequenos sinais: (a) modelo do diodo; circuitos componentes de anlise (b) DC e (c) AC.
(a) (b) (c)

A K
r
d
69

mA I I I
DQ DQ DQ
18 , 4 0 2000 10 6 , 0 9 = =
Determinao da resistncia incremental r
d
do modelo do diodo para pequenos sinais - circuito AC, figura (b):
=
+
= = =
12
11600
273 20
10 18 , 4
2
11600

: 4.8.4 Eq. Da
3
T
I I
V
r
DQ DQ
T
d

Determinao da corrente AC: aplicando LKT no circuito da figura (b) tem-se:
( )
( ) mA t
t v
i i i r v
S
AC D AC D AC D d S
sen 0994 , 0
2012
sen 2 , 0
2000 12
0 2000 = =
+
= =
Portanto: i
D
= I
DQ
+ i
DAC
= 4,18 + 0,0994 sen ( t) mA
v
L
= 2000 i
D
= 8,36 + 0,1988 sen ( t) V

Analogamente ao clculo da resistncia r
d
para a regio de conduo, pode-se definir tambm uma resistncia
incremental reversa r
r
para a polarizao reversa, cuja equao ser dada, ento, por :
) (
=
R
T
r
I
V
r ( 4.8.7)
onde I
R
a corrente reversa, ou seja, a corrente do ponto de operao do diodo quando o mesmo est no bloqueio.
Como I
R
muito pequena, r
r
tem valor bastante elevado.

4.9) EFEITOS CAPACITIVOS EM CRISTAIS PN

Nos modelos de diodo para grandes e pequenos sinais de tenso vistos anteriormente, considerou-se que os
sinais de entrada dos circuitos eram de baixas freqncias. No entanto, o diodo de juno, quando em conduo,
apresenta um acmulo de cargas nos substratos P e N devido aos portadores minoritrios injetados e, quando em
corte, apresenta seus portadores majoritrios separados pela camada de depleo. Tais efeitos so descritos como
capacitivos, sendo desprezveis a baixas freqncias, mas relevantes em freqncias elevadas pois representam um
outro caminho para a circulao de corrente no cristal PN que deve ser considerado.
Normalmente, grandes sinais so de baixa freqncia e os efeitos da circulao de corrente no diodo podiam ser
modelados como anteriormente. Pequenos sinais, porm, so normalmente de freqncias elevadas, razo pela qual os
efeitos capacitivos devem ser adicionados aos modelos do diodo para pequenos sinais vistos no item 4.8.
Estes efeitos capacitivos so chamados de capacitncia de difuso, que surge principalmente com o diodo em
conduo, e de transio, que surge principalmente com o diodo no corte. Tais efeitos so vistos a seguir.

4.9.1) CAPACITNCIA DE DIFUSO OU DE ARMAZENAMENTO

Como visto no item 4.3.1, em um cristal PN polarizado diretamente
h uma difuso de portadores majoritrios atravs da juno (lacunas do
lado P para o lado N e eltrons livres do lado N para o P), que se constitu
na injeo de minoritrios. Isto ocasiona na vizinhana da juno, ento,
uma maior concentrao de minoritrios que na juno no polarizada. Esta
concentrao diminui medida que se afasta da juno em conseqncia da
recombinao entre majoritrios e os minoritrios injetados (Fig. 4.9.1-a).
Porm, enquanto no sofrer recombinao, esta concentrao de portadores
minoritrios excedentes se comporta como um acmulo de carga minoritria
na vizinhana da juno, pois estes portadores tm que retornar ao substrato
de origem quando de uma inverso de polaridade no cristal. Desse modo,
este comportamento do cristal constitui-se em um efeito capacitivo chamado
Capacitncia de Difuso ou de Armazenamento, designada por C
D
.
Seja o caso da difuso de lacunas. Quando uma lacuna se difunde
para o lado N, ela leva um certo perodo de tempo at se recombinar com
um eltron livre, quando ento desaparece e no mais representa uma carga
acumulada. Este perodo chamado tempo de vida mdio . Assim, quanto
maior o seu valor, mais tempo as lacunas injetadas representaro um
acmulo de carga. Considerando um sinal alternado qualquer, este inverte
sua polarizao a cada meio ciclo. Se este tempo de inverso for muito curto (isto , o sinal tem freqncia elevada), o
tempo de vida mdio destes portadores poder ser comparativamente grande o suficiente para intensificar o efeito do
acmulo de carga minoritria no diodo, isto , quanto maior a freqncia (ou menor o perodo) do sinal de entrada,
menos tempo tem as lacunas para se recombinar e mais estas representaro um armazenamento de carga. Logo, o
efeito da capacitncia de difuso mais pronunciado quanto maior a freqncia do sinal de entrada.
P N
(a)
carga acumulada
concentrao
de lacunas
C
D

r
d

(b)
Fig. 4.9.1: (a) acmulo de cargas
minoritrias do lado N; (b) modelo
do diodo na polarizao direta para
pequenos sinais e altas freqncias.
i
D

concentrao
de e
-
livres
A K
1
2
C
D
X
f C
=
70

Seja i
D
a corrente de difuso atravs da juno. Como a corrente de difuso uma medida da taxa em que os
portadores minoritrios injetados desaparecem nos processos de recombinao, ela proporcional carga armazenada
Q de portadores minoritrios excedentes. Logo, a corrente de difuso i
D
pode ser definida como:
( ) ou ( )
D D
Q
i A Q i C
= = ( 4.9.1)
Nos modelos para pequenos sinais vistos no item 4.8 admitiu-se que a freqncia da excitao do circuito era
pequena a ponto da armazenagem de carga no diodo ter efeito desprezvel. Assim, em circuitos de freqncias
elevadas, os efeitos da acumulao de carga devem ser acrescentados ao modelo do diodo para pequenos sinais. Como
a resistncia incremental r
d
representa a linearizao da caracterstica tenso-corrente do diodo no ponto de operao
de repouso Q (Fig. 4.8.1-c), o efeito capacitivo definido tambm para o limite tendendo ao ponto Q.
Em um diodo, se for aplicado um sinal de tenso que eleve a polarizao direta de um valor v
D
, o aumento da
difuso de lacunas (eltrons) origina uma variao Q na carga acumulada na juno. A variao Q/v
D
em torno do
ponto de operao Q do diodo define a capacitncia de difuso C
D
, sendo dada, ento, por:
) (F
v d
Q d
C
Q
D
D
= (4.9.2)
Assim, aplicando a Eq. 4.9.1 em 4.9.2 e aproveitando os resultados das Eqs. 4.8.2 e 4.8.3 tem-se que:
d
Q
D
D
Q
D
D
Q
D
D
g
v d
i d
v d
i d
v d
Q d
C
=
) (

onde g
d
a condutncia incremental definida no item 4.8. Portanto, a capacitncia de difuso ser dada por:
) (
F
V
I
C
T
DQ
D
= (4.9.3)
A vida mdia dos portadores () uma constante de tempo de recombinao de portadores minoritrios
excedentes. Como g
d
= 1/r
d
ento = r
d
C
D
. Logo, pode ser considerado uma constante de tempo de difuso.
O novo modelo constitui-se, ento, na resistncia incremental r
d
em paralelo (configurao de acrscimo de
efeito) com a capacitncia de difuso C
D
(Fig. 4.9.1-b). Pelo modelo observa-se que a corrente i
D
no diodo ter duas
componentes: no resistor r
d
e no capacitor C
D
. Assim, em baixas freqncias, a reatncia X
C
ser elevada e sua
contribuio corrente i
D
pequena, mas, em altas freqncias, X
C
ser pequena e sua contribuio para i
D
ser grande.

4.9.2 ) CAPACITNCIA DE TRANSIO

Um diodo em polarizao reversa se assemelha a um capacitor. Como visto anteriormente, a tenso reversa no
diodo provoca o deslocamento de portadores majoritrios em direo aos terminais, o que acompanhado por um
incremento de ons na juno (Fig. 4.9.2-a). Isto pode ser entendido como um armazenamento de cargas no diodo,
com as regies P e N funcionando como placas de um capacitor e a camada de depleo como o dieltrico entre as
placas (Fig. 4.9.2-a). Tal fato, ento, constitui-se em um efeito capacitivo, chamado Capacitncia de Transio
(tambm chamada de camada de depleo, de barreira e de juno), que pode ser definida por (Fig. 4.9.2-b):
) (F
W
A
C
T
= (4.9.4)
onde W a largura da regio de depleo, A a rea da juno e a permissividade dieltrica do semicondutor. O
termo transio refere-se justamente transio do material P para o material N, que a regio de depleo.

A capacitncia de transio representa um outro percurso para a corrente no diodo polarizado com sinais de alta
freqncia e precisa ser adicionada ao modelo para pequenos sinais do diodo no corte. A Fig. 4.9.2-c mostra, ento, o
circuito equivalente para o diodo em polarizao reversa operando em altas freqncias e pequenos sinais. Este
modelo constitudo pela resistncia incremental reversa r
r
, definida no item 4.8, em paralelo (condio de adio de
efeito) com a capacitncia de transio C
T
, que representa a variao da carga armazenada na regio de depleo.
A
K
(a) (b) (c) (d) (e)

Fig. 4.9.2: (a) efeito capacitivo no diodo em tenso reversa; (b) esquema fsico da capacitncia de transio C
T
;
(c) modelo do diodo em polarizao reversa para pequenos sinais e altas freqncias; (d) variao da
capacitncia de transio com a tenso reversa; (e) smbolo do varactor.

A

K

C
T
rea A
W
material dieltrico
de permissividade
W
r
r
I
R
A

K

v
D
0
C
T

P N

1
2
C
T
X
f C
=

C
T
71

Desse modo, em baixas freqncias, C
T
se comporta como um circuito aberto (reatncia X
C
grande) e I
R

pequena porque a resistncia reversa elevada. Em freqncias mais altas, a reatncia X
C
se torna muito pequena e a
corrente reversa se eleva por causa do aumento da componente de corrente reversa devido capacitncia de transio.
Como discutido anteriormente, quanto maior a tenso reversa aplicada a um diodo, maior ser sua camada de
depleo. Desse modo, a largura W da camada de depleo modulada pela tenso reversa. Como a capacitncia de
transio inversamente proporcional largura W (Eq. 4.9.4), tem-se que este efeito capacitivo tanto maior quanto
menor a tenso reversa. A Fig. 4.9.2-d mostra esta dependncia da capacitncia de transio com a tenso reversa.
Este efeito de capacitncia controlada por tenso muito til, sendo empregado em um diodo construdo com a
finalidade de explorar este efeito, chamado varactor (tambm chamado de varicap, epicap e diodo de sintonia). Este
um diodo de finalidade especial, usado em receptores de televiso, receptores de FM e outros equipamentos de
comunicao. usado em paralelo com um indutor de modo a constituir-se num circuito tanque ressonante (princpio
em que se baseia a sintonia de um sinal de onda eletromagntica). O smbolo da varactor dado na Fig. 4.9.2-e.

Comentrio: os modelos apresentados nas Figs. 4.9.1-b e 4.9.2-c expressam bem os efeitos de armazenagem de
carga. Todavia, as capacitncias de difuso e transio existem em ambas operaes direta e reversa. Porm, nas
condies de polarizao direta, o valor da capacitncia de transio desprezvel comparada com a de difuso
porque os portadores de carga que so deslocados em direo aos terminais do diodo so formados de minoritrios.
Analogamente, h uma pequena conduo de portadores minoritrios num diodo em polarizao reversa (corrente de
saturao reversa I
S
), o que torna a capacitncia de difuso desprezvel perante a de transio para este caso.

4.10) TEMPOS DE COMUTAO DO DIODO DE JUNO

O diodo de juno, quando em comutao, exibe um comportamento transitrio para estabelecer seu regime
permanente. Quando o diodo comutado do regime de conduo para o regime de corte, ou de corte para a conduo,
as condies de equilbrio no so estabelecidas de imediato, ou seja, decorre um intervalo de tempo at que o diodo
atinja um novo regime permanente. Estes retardos so chamados tempos de comutao, vistos a seguir.

4.10.1) TEMPO DE RECUPERAO REVERSA

Em baixas freqncias, um diodo comum pode comutar facilmente da conduo para o bloqueio. No entanto,
devido capacitncia de difuso, medida que a freqncia do sinal de entrada aumenta (ou seu perodo diminui), o
diodo pode atingir uma situao onde ele no consegue comutar suficientemente rpido para evitar uma conduo de
corrente considervel durante parte do semiciclo reverso do sinal de entrada. A resposta de um diodo ao passar da
conduo para o bloqueio (comutao ON-OFF), apresenta, ento, um intervalo de tempo para o estabelecimento das
condies reversas de equilbrio do diodo, chamado tempo de comutao reversa t
rr
, que , portanto, relevante
quando envolve-se entradas de sinais de freqncias elevadas, e pode representar uma importante limitao tcnica.
Seja, ento, o circuito exemplo dado na Fig. 4.10.1-a, onde a fonte de sinal de tenso v
S
(funo degrau dada na
Fig. 4.10.1-b) aplicada ao circuito varia bruscamente de um valor v
S
= V
F
para v
S
= -V
R
em t = 0. Por simplificao,
supe-se que, para t 0 (v
S
= V
F
), o diodo esteja polarizado diretamente em estado de conduo e em regime
permanente, e que V
F
e R
L
so muito maiores que os parmetros V
e R
f
do diodo, respectivamente, tal que a corrente
i
D
no circuito seja i
D
V
F
/R
L
(Fig. 4.10.1-c). Assim, quando t 0, a polarizao direta provoca a difuso de uma
grande quantidade de portadores atravs da juno, de modo que grande a densidade de portadores minoritrios
excedentes (lacunas no lado N e eltrons livres no lado P).
Como visto no item 4.9.1, devido vida mdia dos portadores minoritrios excedentes, a corrente direta num
diodo em conduo formada por cargas armazenadas temporariamente em diferentes locais prximos juno, o
que se caracteriza na capacitncia de difuso. Quanto maior a corrente direta, maior o nmero de cargas armazenadas.
Ocorre ento que na inverso da tenso de entrada para v
S
= -V
R
em t = 0 (Fig. 4.10.1-b), os portadores
minoritrios excedentes tem de regressar para o substrato de onde vieram, isto , deve ocorrer o descarregamento da
capacitncia de difuso. Como as condies do diodo no corte se caracteriza por uma pequena corrente reversa
acompanhada de um aumento na camada de depleo, a brusca inverso da tenso de polarizao no pode ser
acompanhada por uma total comutao do diodo antes que o nmero de portadores minoritrios excedentes se reduza
a zero. Este movimento de carga produz, ento, uma corrente transitria no sentido inverso, ou seja, uma corrente do
tipo reversa. Quanto maior a vida mdia dos portadores minoritrios excedentes, maior a quantidade de carga
acumulada e maior o tempo durante o qual esses portadores contribuem para esta corrente reversa transitria.
O intervalo de tempo entre t = 0 e t = t
1
, em que os portadores minoritrios excedentes se reduzem a zero,
chamado tempo de armazenamento t
a
(Fig. 4.10.1-d). Durante este intervalo, a queda de tenso v
D
no diodo diminui
ligeiramente devido resistncia de corpo do cristal PN mas no se inverte (Fig. 4.10.1-d), pois o diodo funciona
como uma fonte de carga (capacitor) para o circuito e, assim, o diodo conduz facilmente e a corrente determinada
basicamente pela tenso reversa -V
R
aplicada e pela resistncia de carga R
L
, isto , i
D
-V
R
/R
L
(Fig. 4.10.1-c).
72

Quando em t = t
1
a densidade de portadores minoritrios excedentes se anula, ento a camada de depleo do
diodo comea a aumentar, a tenso no mesmo inverte-se at atingir o valor de polarizao reversa -V
R
(Fig. 4.10.1-d)
e a intensidade da corrente i
D
diminui at estabelecer a corrente de conduo reversa compatvel formada de
minoritrios (corrente reversa I
R
, Fig. 4.10.1-c). O intervalo de tempo entre t = t
1
e o estabelecimento das condies
reversas consideradas em regime permanente chamado tempo de transio t
t
(Fig. 4.10.1-d).
O tempo de recuperao reversa t
rr
definido, ento, como a soma dos perodos de armazenamento t
a
(referente
ao retorno de minoritrios excedentes) e transio t
t
(referente ao alargamento da camada de depleo e incio do fluxo
de portadores minoritrios), isto : t
rr
= t
a
+ t
t
(Fig. 4.10.1-c).
A Fig. 4.10.1-e mostra a distoro na onda de tenso retificada, para um sinal de entrada senoidal v
S
cuja
frequncia elevada (isto , seu perodo muito curto), devido pequena conduo prximo do incio do semiciclo
reverso. Na retificao de um sinal de freqncia elevada, portanto, t
rr
torna-se parte importante do sinal de sada.
Os diodos ditos rpidos possuem tempos de recuperao reversa de ordem menor que 1ns a at 1s e so
chamados de fast recovery. As medies de t
rr
variam entre os fabricantes. Como referncia, t
rr
pode ser adotado
como o tempo necessrio para que a corrente reversa se reduza a 10% da corrente direta.

4.10.2) TEMPO DE RECUPERAO DIRETA

O tempo de recuperao direta t
rf
o intervalo necessrio para que a tenso no diodo varie de 10 a 90 % do seu
valor final, quando o diodo comuta do estado bloqueado para a conduo. Nesta comutao OFF-ON tem-se que no
h armazenamento de portador minoritrio no diodo, com que t
rf
<< t
rr
. Logo, na prtica geralmente se despreza t
rf
.

4.11) O DIODO ZENER

De acordo com a caracterstica tenso-corrente do diodo de juno, visto no item 4.4.2 (Fig. 4.4.2-a), a ruptura
na regio de bloqueio ocorre quando a magnitude da tenso reversa excede o valor limite BV (breakdown voltage),
o que ocasiona a origem de correntes reversas intensas, quando diz-se que o diodo atingiu sua regio de ruptura. Este
fenmeno de ruptura do cristal PN pode ento ocorrer de duas maneiras:
1) Ruptura de avalanche: um portador minoritrio, gerado termicamente, pode adquirir energia devido ao potencial
reverso externo aplicado, entrar na regio de depleo e colidir com um on da estrutura cristalina, cedendo energia
suficiente para quebrar ligaes covalentes e criar pares eltron-lacuna que, recebendo tambm energia suficiente
do campo eltrico reverso, podem colidir com outros ons da rede cristalina, criarem mais pares eltron-lacuna e
gerar, num processo cumulativo chamado multiplicao em avalanche, uma corrente reversa elevada.
2) Ruptura de Zener: um outro modo de ocorrer esta descarga de corrente atravs da ruptura direta das ligaes
covalentes, onde o prprio campo eltrico existente na camada de depleo poder exercer uma fora intensa o
suficiente para extrair eltrons ligados rede cristalina e gerar novos pares eltron-lacuna que iro alimentar a
corrente reversa, gerando ento, num processo tambm cumulativo, uma corrente reversa intensa.
Fig. 4.10.1: (a) esquema do circuito; (b) entrada v
S
em degrau; (c) comportamento da corrente i
D
no diodo;
(d) forma de onda da tenso v
D
no diodo; (e) forma de onda da tenso v
L
na carga, retificada e distorcida
devido ao armazenamento de carga no diodo, para um sinal de entrada senoidal de freqncia elevada.
v
S
A K
v
D
i
D
R
L
v
L
(a)
t

V
F
- V
R
0

v
S

polarizao reversa

polarizao
direta

i
D

v
D

V

- V
R

0

V
F
/R
L

- V
R
/ R
L
0

I
R t
1
t
a
t
rr
t
t
(b)
(c)
(d)
v
S
, v
L

v
L
v
S
t

2

(e)
t

t

73

Diodos de aplicao geral so otimizados apenas para a retificao, pois no so projetados intencionalmente
para operar na ruptura porque pode danific-los. O chamado diodo Zener, no entanto, devido a fatores construtivos
como maior dopagem e dissipao de calor, otimizado para trabalhar tambm na regio de ruptura, ou seja, o Zener
pode conduzir correntes utilizveis nos dois sentidos de corrente (direta e reversa).
O smbolo esquemtico e caracterstica V-I do Zener so apresentados nas Fig. 4.11.1-a e Fig. 4.11.1-b, onde
nota-se, ento, que suas regies de conduo e corte se assemelham a de um diodo comum. Assim, o Zener apresenta
os mesmos modelos de conduo e corte do diodo comum, vistos nas Figs. 4.5.2-b e d.
Na regio de ruptura nota-se que, depois de ultrapassada a tenso de ruptura -BV, a caracterstica V-I do Zener
apresenta um joelho de tenso (Fig. 4.11.1-b) e, a partir desta regio de joelho, sua tenso reversa atinge um certo
valor -V
Z
e sua corrente reversa um certo valor -I
ZK
onde, a partir deste ponto, observa-se que sua corrente se eleva
rapidamente at o limite -I
ZM
com pequena alterao na tenso reversa aplicada (Fig. 4.11.1-b). Este comportamento,
em que pequenas variaes de tenso so acompanhadas por grandes variaes de corrente chamado funo
regulao de tenso. Desse modo, observa-se que a funo regulao do Zener s efetivamente alcanada quando a
tenso reversa atinge o valor limite V
Z
, chamado tenso de regulao do Zener, e sua corrente se restringe ao valor
mnimo em mdulo I
ZK
, abaixo do qual o Zener perde a funo regulao (volta para o corte), e ao valor mximo em
mdulo I
ZM
, acima do qual o Zener se danifica (Fig. 4.11.1-b). Logo, o Zener s atua efetivamente como regulador de
tenso se sua corrente na ruptura se mantiver entre os valores limites em mdulo I
ZK
e I
ZM
.
A regio do joelho da caracterstica V-I do Zener na ruptura normalmente desconsiderada na elaborao de
modelos esquemticos. Assim, considera-se simplesmente que o Zener est na ruptura quando sua tenso reversa
atinge a tenso de regulao V
Z
. Como nomenclaturas adicionais do Zener na ruptura utilizadas nesta apostila, a
tenso entre seus terminais designada por V
DZ
e sua corrente designada por I
Z
.
Observando-se a regio de ruptura do Zener nota-se que a mesma pode ser tambm linearizada (Fig. 4.11.1-c),
tal como feito para o diodo comum. Logo, com base nesta linearizao, o Zener na ruptura pode ser representado por
um modelo que contemple a tenso de ruptura, atravs de uma fonte DC de valor -V
Z
, e a inclinao da caracterstica,
atravs de uma resistncia R
Z
igual ao inverso da declividade da reta. Tal modelo esquemtico est representado na
Fig. 4.11.1-d. Porm, para facilitar o estudo de circuitos, comum o uso do modelo apresentado na Fig. 4.11.1-e,
onde a corrente I
Z
e a tenso V
DZ
do Zener na ruptura so invertidos de modo a torn-los positivos. A Fig. 4.11.1-f
mostra ainda a caracterstica V-I do Zener ideal, similar ao do diodo comum, onde tem-se, ento, que R
Z
= 0 .

Desse modo, para anlise DC ou AC de circuitos contendo Zeners, deve-se agora estudar trs condies:
Regio de conduo: I
D
> 0 , para os modelos aproximado e ideal
Regio de corte ou bloqueio: V
Z
V
D
V
(aproximado) e V
Z
V
D
0 (ideal)
Regio de ruptura: I
Z
< 0 , para os modelos aproximado (Fig. 4.11.1-d) e ideal, ou
I
Z
> 0 , para os modelos aproximado (Fig. 4.11.1-e) e ideal.
A potncia P
Z
dissipada no Zener na ruptura pode ser determinada com o produto da tenso V
DZ
entre seus
terminais, onde V
DZ
= V
Z
+ I
Z
R
Z
pelo modelo da Fig. 4.11.1-e, pela corrente I
Z
que flui no mesmo, isto :
( )
2
Z DZ Z Z Z Z Z
P V I V I R I W = = + (4.11.1)
Os diodos Zener comercialmente disponveis tm especificaes de tenso de regulao entre 2 V e 200 V e de
potncia entre W e 50 W. A corrente mxima I
ZM
pode ser determinada a partir da potncia mxima P
ZM
do Zener
na ruptura fornecida pelo fabricante, com o clculo da equao I
ZM
= P
ZM
/V
Z
. Com respeito a I
ZK
, quando no se sabe
o seu valor, costuma-se adotar uma regra prtica que consiste em adotar I
ZK
de 10 a 20% do valor de I
ZM
.
Os Zeners so divididos de acordo com o tipo de ruptura. Devido ao fato da intensidade do campo eltrico na
regio de depleo crescer com o aumento da concentrao de impurezas, constata-se, ento, que em Zeners bastante
dopados ocorre a ruptura de Zener, com tenses de regulao at 6 V, e em Zeners pouco dopados ocorre a ruptura por
avalanche, com tenses de regulao superiores a 6 V. Zeners comerciais bastante conhecidos a srie BZX79C da
Phillips. Exemplos: BZX79C5V2 (tenso de regulao = 5,2 V) e BZX79C12V (tenso de regulao = 12 V).
A
K
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
-BV

-I
ZK
V
V

joelho de tenso

A K
R
Z
-V
Z
I
Z
< 0
V
DZ
< 0
A K
R
Z

V
Z
I
Z
> 0
V
DZ
> 0
I
D
V
0

-V
Z
I
D
V

0
0
Fig. 4.11.1: (a) smbolo esquemtico do diodo Zener; (b) caracterstica V-I do Zener; (c) linearizao da regio
de ruptura do Zener; (d) modelo aproximado do Zener para grandes sinais, de acordo com sua curva V-I;
(e) modelo alternativo considerando V
DZ
e I
Z
positivos; (f) caracterstica V-I para o Zener ideal.
I
D
-I
Z
-I
ZM
= declividade

-V
Z
1
Z
R =

-V
Z
74

EXERCCIO 4.11.1: Para o circuito dado, determine a forma de onda da tenso no resistor para um sinal de entrada
v
S
= 4 sen(t). Dados do Zener: V
= 0,5 V , R
f
= 30 ; R
r
, I
S
= 0 A ; V
Z
= 2 V , R
Z
= 5 .

SOLUO
Hiptese 1: D
Z
em conduo circuito (a)
Aplicando LKT na malha do circuito, tem-se:
50
5 , 0
0 20 30 5 , 0

= =
S
D D D S
v
i i i v
Logo, a tenso no resistor ser:
transf. de caract.
50
5 , 0
20 20 =
= = 0,2 0,4
S L
v v
S
D L
v
i v
Como deve-se ter i
D
> 0 para o Zener em conduo, ento:
condio 0
50
5 , 0
0 > >
> V v
S
0,5
S
D
v
i
Hiptese 2: D
Z
no corte circuito (b)
Como a corrente nula no circuito, tem-se ento que: v
L
= 0 V caract. de transf.
Aplicando LKT na malha, tem-se:
D S L D S
v v v v v = = 0
Como deve-se ter -2 v
D
0,5 para o Zener no corte, ento:
v
D
0,5 v
S
0,5 (condio 1) ; v
D
-2 V v
S
-2 V (condio 2)
Logo, a condio geral para o Zener no corte ser: -2 v
S
0,5
Hiptese 3: D
Z
na ruptura com modelo da Fig. 4.11.1-e adotado para o Zener na ruptura, tem-se o circuito (c):
Aplicando LKT na malha do circuito, tem-se:
25
2
0 20 2 5

= = + + +
S
Z Z Z S
v
i i i v
Logo, a tenso no resistor ser:
transf. de caract.
25
5
20 20
+ =

= =
1,6 0,8
S L
v v
S
Z L
v
i v

De acordo com o modelo adotado (Fig. 4.11.1-e), deve-se ter
ento i
Z
> 0 para o Zener na ruptura. Logo:
2
0 0
25
condio
S
Z
v
i

> >
< 2
S
v V

Com base nas caractersticas de transferncia e suas respectivas
condies, obtm-se ento a forma de onda da tenso v
L
na carga mostrada no grfico fornecido acima.

4.11.1) O REGULADOR DE TENSO COM ZENER

Os denominados reguladores de tenso so circuitos cuja finalidade manter a tenso na carga praticamente
constante, independentemente de variaes na tenso de entrada e na resistncia de carga. Logo, devido ao seu
comportamento na ruptura, os Zener podem ser utilizados em circuitos reguladores de tenso, alm de outras
aplicaes onde se exija uma referncia de tenso constante. Assim, como os Zeners tem aplicao distinta dos diodos
retificadores, os mesmos so ento classificados como diodos de finalidade especfica.
Como visto, para explorar o efeito regulador de tenso do Zener necessrio lev-lo ruptura. Seja, ento, o
regulador de tenso simples com Zener mostrado na Fig. 4.11.2-a. O sinal de entrada, que pode ser um retificador
com filtro capacitivo, modelado por uma fonte de tenso varivel V
S
. A resistncia R
S
usada para limitar a corrente
na sada e para desacoplar a fonte V
S
da carga R
L
. Desse modo, para o Zener regular a tenso V
L
na carga, deve-se ter
necessariamente que V
L
< V
S
, independente de variaes na prpria carga R
L
e/ou na tenso de entrada V
S
. No
entanto, como visto, a funo regulao do Zener s ocorre se forem satisfeitas, em mdulo, duas condies:
v
S
A K
D
Z
20
v
S
A K
30 0,5
V
20
v
L
i
D
(a)
v
S
A K
v
D
(b)
5
2 V
A K
v
S
i
Z
(c)
20
v
L
20
v
L
4
1,
4 0,
5 0
-1,6
-2
-4
v
S
, v
L
(V)
v
S

v
L

t

2
/2
3/2
75

Condio 1: I
Z
I
ZK
, isto , corrente de ruptura I
Z
do Zener deve ser no mnimo igual a I
ZK
, pois abaixo deste
valor o Zener sai da ruptura (volta para a regio de corte), perdendo, portanto, sua funo regulao;
Condio 2: I
Z
I
ZM
, isto , a corrente de ruptura I
Z
do Zener deve ser no mximo igual a I
ZM
, pois acima deste
valor o Zener se danifica, podendo resultar em curto-circuito ou aberto.

Considerando desprezvel a resistncia do Zener na ruptura (R
Z
0 ) e adotando-se o seu modelo de ruptura
dado na Fig. 4.11.1-e (I
Z
e V
DZ
positivos), obtm-se, assim, o circuito da Fig. 4.11.2-b. Seja, ento, I
S
a corrente
fornecida pela fonte de entrada V
S
, I
Z
a corrente no Zener na ruptura e I
L
a corrente na carga R
L
(Fig. 4.11.2-b).
Aplicando-se a Lei de Kirchoff das Tenses (LKT) nas malhas de entrada e sada, obtm-se:
LKT na malha de entrada: 0
S Z
S S S Z S
S
V V
V R I V I
R
= =
e, portanto, I
S
no depende de variaes na carga R
L
, mas apenas do sinal de tenso de entrada V
S
.
LKT na malha de sada: 0
Z
Z L L L
L
V
V R I I
R
= =
e, portanto, I
L
no depende de variaes na entrada V
S
, mas apenas da carga R
L
.
A corrente I
Z
no Zener ser, ento:
L
Z
S
Z S
L S Z
R
V
R
V V
I I I
= =
e, portanto, I
Z
depende das variaes em V
S
e R
L
.
Como I
Z
= I
S
- I
L
, estudando-se as piores condies do circuito para o Zener permanecer na ruptura, tem-se:
A corrente mnima no Zener (I
ZMIN
) ocorre quando I
S
da fonte mnima (isto , quando V
S
= V
SMIN
) e I
L
da carga
mxima (isto , quando R
L
= R
LMIN
). Da condio 1, ento, a pior condio atingida se I
ZMIN
= I
ZK
. Assim:
LMIN
Z
S
Z SMIN
ZK LMAX SMIN ZK ZMIN
R
V
R
V V
I I I I I
= = = (4.11.2)
que se constitui no caso limite para o Zener no perder a funo regulao de tenso.
A corrente mxima no Zener (I
ZMAX
) ocorre quando I
S
da fonte mxima (isto , quando V
S
= V
SMAX
) e I
L
da carga
mnima (isto , quando R
L
= R
LMAX
). Da condio 2, ento, a pior condio atingida se I
ZMAX
= I
ZM
. Assim:
LMAX
Z
S
Z SMAX
ZM LMIN SMAX ZM ZMAX
R
V
R
V V
I I I I I
= = = (4.11.3)
que se constitui no caso limite para o Zener no se danificar.
Quando em um projeto de fonte o Zener no atende sozinho
todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se empregar
certos circuitos integrados (abreviao: CI) chamados reguladores
de tenso, que possuem apenas trs terminais e porisso de conexo
simples (Fig. 4.11.3), tendo como exigncia apenas que a tenso
aplicada na entrada (pino 1) seja pelo menos 3 V acima da tenso
que se deseja na sua sada para a carga (pino 3). Uma srie popular
desses reguladores a 78XX, onde XX o valor da tenso de
regulao (exemplos: 7806 e 7812 fornecem uma sada regulada
em 6 e 12 V, respectivamente).

EXERCCIO 4.11.2: Seja o regulador de tenso da Fig. 4.11.2-a. Deseja-se regular a tenso na resistncia de carga
R
L
= 800 20% em 12 V, para uma tenso de entrada V
S
= 15 1 V. Os dados do Zener empregado no circuito so:
V
Z
= 12 V, I
ZK
= 6,25 mA e I
ZM
= 50 mA. Com as condies do circuito e parmetros do Zener, determine a faixa de
valores que dever estar o resistor limitador de corrente R
S
para que o Zener consiga regular a tenso na carga R
L
.
SOLUO
Pelos dados fornecidos do circuito, sabe-se que:
D
2
C
carga

D
2
1

2

3

CI regulador de tenso

Fig. 4.11.3: Fonte DC com circuito integrado.
(a) (b)
V
S
A
R
L

I
L

I
Z

R
S

I
S

K
Fig. 4.11.2: Circuito regulador de tenso com Zener: (a) esquema do circuito; (b) esquema equivalente
com uso do modelo do Zener na ruptura (com R
Z
0 ).
V
S
K

A
R
L

V
L

D
Z
R
S

malha de
entrada
malha de
sada
V
Z

V
SMAX

V
SMIN

R
LMAX

R
LMIN

76

- para R
L
= 800 20% R
LMIN
= 640 e R
LMAX
= 960
- para V
S
= 15 1 V V
SMIN
= 14 V e V
SMAX
= 16 V
Supondo R
SMIN
R
S
R
SMAX
, a soluo do problema consiste em determinar estes limites tal que I
ZK
I
Z
I
ZM
, o
que consiste em estudar os piores casos para o Zener manter a regulao da tenso na resistncia de carga. Logo:
Do pior caso para a condio 1: I
ZMIN
= I
ZK
= I
SMIN
- I
LMAX
, onde I
SMIN
ocorre quando R
S
= R
SMAX

14 12 12
0, 00625
640
SMIN Z Z
ZK
SMAX LMIN SMAX
V V V
I
R R R

= = = 80
SMAX
R
Do pior caso para a condio 2: I
ZMAX
= I
ZM
= I
SMAX
- I
LMIN
, onde I
SMAX
ocorre quando R
S
= R
SMIN

16 12 12
0, 05
960
SMAX Z Z
ZM
SMIN LMAX SMIN
V V V
I
R R R

= = = 64
SMIN
R

EXERCCIO 4.11.3: Para o regulador com Zener, sabe-se que a corrente mxima atingida pela fonte V
S
(I
SMAX
)
menor que o parmetro I
ZM
do Zener empregado. Que concluso pode-se obter com relao carga R
L
?
SOLUO
Pela condio 2 tem-se que I
ZM
= I
SMAX
I
LMIN
, que o caso limite para o Zener no se danificar. Como I
SMAX
< I
ZM
,
ento a corrente mxima no Zener no poder atingir seu limite mximo I
ZM
, mesmo que a corrente mnima na carga
(I
LMIN
) seja nula. Logo, se I
LMIN
pode ser nula, significa que R
L
pode ser infinita, ou seja, a carga pode funcionar a
vazio (em aberto) que o Zener no ultrapassar sua especificao mxima de corrente I
ZM
.

4.12) COMPONENTES OPTOELETRNICOS

Alm da funo regulao de tenso, os cristais PN so tambm utilizados em outras finalidades especficas, tal
como na optoeletrnica, tecnologia que associa a ptica com a eletrnica. Dispositivos optoeletrnicos so
componentes que convertem energia luminosa em eltrica e vice-versa. O mecanismo de converso da luz em energia
eltrica chamado Efeito Fotovoltaico, e dois importantes dispositivos semicondutores baseiam-se neste efeito: o
fotodiodo e a clula solar. O efeito inverso (energia eltrica em luminosa) chamado Eletroluminescncia, sendo os
LEDs e o laser exemplos de dispositivos baseados neste efeito. Fotodiodos, LEDs e as clulas solares, alm da
associao dos dois primeiros (optoaclopadores), se constituem em aplicaes dos cristais PN (e seus fenmenos) na
optoeletrnica. Este item tem como objetivo, ento, fazer um breve estudo destes componentes semicondutores.

4.12.1) O DIODO EMISSOR DE LUZ

Como visto anteriormente na Fig. 4.3.2-b, no modo de operao em conduo de uma juno PN, os eltrons
livres do lado N, presentes na banda de conduo, atravessam a regio de depleo e recombinam-se com lacunas na
banda de valncia do lado P (Fig. 4.12.1-a). Desse modo, na passagem da banda de conduo para a de valncia, o
eltron perde energia na forma de radiaes eletromagnticas. Nos diodos comuns esta energia quase toda dissipada
na forma de calor porque os mesmos so feitos de silcio, um material opaco que bloqueia a passagem de luz. Porm,
nos diodos emissores de luz, chamados LEDs (Light-Emitting Diode), esta energia irradiada em grande parte na
forma de luz (energia luminosa), pois a construo destes baseada no arsenieto de glio (GaAs), material translcido
que permite a passagem da radiao emitida para o meio exterior. A Fig. 4.12.1-b mostra os smbolos esquemticos
do diodo LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiao.

Na Fig. 4.12.1-a pode-se ento observar que a radiao emitida pelo cristal PN depende essencialmente da
energia do gap entre as bandas de valncia e conduo (E
G
) e, desse modo, do semicondutor empregado. Um LED de
GaAs emite radiao na regio do infravermelho e, como a energia E
f
da radiao tanto maior quanto maior a
freqncia f (E
f
= h f) e esta cresce do infravermelho para a cor verde, a adio de fsforo (ou ndio) para formar o
Fig. 4.12.1: (a) emisso de energia na conduo de um diodo; LED: (b) smbolos esquemticos; (c) circuito
polarizador; (d) mostrador de sete segmentos.
BV
E
G

BC
energia
emitida
P
N

juno
(a) (b) (c) (d)
A

K
V
LED I
D
V
S
B
A
C
D
E
F
A K
A K
R

G
77

GaAsP (ou GaAsIn) acarreta no crescimento da energia do gap do GaAs para o GaAsP e obtm-se ento LEDs de
luz visvel (vermelho, laranja, amarelo, at a cor verde), sendo no LED azul empregado o nitreto de glio.
Uma vez que o aumento de corrente implica no aumento da quantidade de portadores minoritrios injetados e,
conseqentemente, no aumento da taxa de recombinao, a intensidade luminosa do LED depende da corrente que o
atravessa e, portanto, aumenta com o aumento da mesma. Assim, um LED sempre polarizado na regio de conduo
para produzir luz utilizvel, pois em polarizao reversa no h emisso de luz devido pequena corrente reversa.
Os LEDs apresentam tenses de limiares maiores comparadas s do diodo comum e, dependendo da cor e da
corrente, tm uma queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5 V. Possuem correntes mximas at 100 mA ou potncia mxima
dissipada at 0,2 W, suficientes para produzir luz para a maioria das aplicaes. A capacidade do corte relativamente
pequena, com tenso ruptura em torno de 5 V, o que consiste num cuidado adicional na sua polarizao. Exemplos de
LEDs comerciais so: srie TIL da Texas Instrument (exemplo: TIL221), srie CQV (Philips) e srie LD (Icotron).
A Fig. 4.12.1-c mostra um circuito simples de alimentao de um LED, onde R um resistor limitador de
corrente, que sempre acompanha um LED para proteg-lo de sua especificao de corrente mxima. Os LEDs so
ainda conhecidos por terem grande tolerncia nas especificaes de queda de tenso e porisso deve-se utilizar tanto
uma fonte de tenso quanto um resistor limitador de corrente o maior possvel.
Os LEDs substituram as lmpadas incandescentes em vrias aplicaes devido sua baixa tenso, vida longa
e rpido chaveamento liga-desliga. Os LEDs de infravermelho (invisvel ao olho humano) so teis na aplicao de
sistemas de controle, alarmes contra roubos e outras aplicaes que exijam luz no visvel, e os de luz visvel so teis
em instrumentos para indicar avisos, nveis de intensidade, etc. A Fig. 4.12.1-d mostra ainda a aplicao dos LEDs
em indicadores de sete segmentos (sete LEDs retangulares de A G), usados para exibir dgitos de 0 a 9, as letras
maisculas A, C, E e F, e as letras minsculas b e d. Por fim, o recente invento do LED azul tornou possvel a
construo de lmpadas de luz branca, com as vantagens de grande vida til e baixo consumo em relao s atuais.

4.12.2) FOTODIODO E CLULA FOTOVOLTAICA

No Captulo 3 estudou-se que a criao de pares eltron-lacuna ocasiona um aumento relevante no nmero de
portadores minoritrios mas no de majoritrios e, quando do estudo dos fotorresistores, viu-se ainda que uma luz
incidente em um semicondutor pode quebrar ligaes covalentes e criar pares eltron-lacuna. No item 4.3.2 estudou-
se que a corrente de saturao reversa de um diodo formada por um fluxo de portadores minoritrios. Por estes fatos
conclui-se, ento, que pode-se obter um diodo de juno PN cuja corrente reversa controlada por luz incidente.
Este componente semicondutor chamado fotodiodo, que, tal como o fotorresistor, um dispositivo seletivo de
freqncia (sensibilidade depende de E
G
) e se constitui em um conversor fotoeltrico do tipo fotodetetor, componente
optoeletrnico que converte luz em corrente eltrica. O fotodiodo (smbolo esquemtico na Fig. 4.12.2-a, onde as
setas simbolizam o sentido da radiao) um cristal PN otimizado para ter grande sensibilidade luz incidente. Ele
possui uma janela que permite a incidncia de luz atravs do invlucro at regio da juno (Fig. 4.12.2-b). A razo
para isso que portadores gerados longe da regio da juno podem se recombinar antes que consigam se difundir a
caminho da juno. Logo, quando o fotodiodo polarizado reversamente (Fig. 4.12.2-c, sendo R o resistor limitador
de corrente), a energia luminosa incidente sobre a juno produz pares eltron-lacuna proporcionalmente ao nmero
de ftons incidentes e, desse modo, a corrente reversa aumenta quase que linearmente com o fluxo luminoso. Assim, a
quantidade de luz que atinge a juno pode controlar o montante da corrente reversa do fotodiodo.

A corrente reversa de fotodiodos tpicos situa-se na faixa de dezenas de A. Materiais: germnio, silcio e
selnio. Usos: controles pticos, chaves pticas, leituras pticas (cdigo de barras, CDROM), sensores de luz, etc.
A Fig. 4.12.2-d mostra a caracterstica tenso-corrente tpica de uma juno PN submetida a um fluxo
luminoso. Os termos L
1
e L
2
so os nveis de iluminamento sobre a juno, sendo L
2
> L
1
. apresentada tambm a
curva sem incidncia luminosa (sem luz), onde a corrente corresponde de saturao reversa devida apenas gerao
trmica de minoritrios. Como o fotodiodo funciona em polarizao reversa, a sua regio de operao limita-se
apenas ao 3
o
quadrante da caracterstica, cujo comportamento quase constante da corrente reversa com a tenso
reversa aplicada deve-se gerao limitada de portadores livres com o iluminamento.
A caracterstica V-I apresentada na Fig. 4.12.2-d mostra ainda que as curvas da juno PN submetida a um
fluxo luminoso sofrem uma leve reduo perto da origem, mas no se anulam quando V
D
= 0 (correspondente aos
(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Fig. 4.12.2: Fotodiodo: (a) smbolo esquemtico; (b) construo; (c) circuito de polarizao; (d) caracterstica
V-I; clula fotovoltaica: (e) constituio e circuito; (f) 4
o
quadrante da caracterstica V-I e reta de carga.
A

K
luz

janela

juno
PN

A

K

P
N
invlucro
opaco

I
D

0,6 V
GL1
GL2
reta de carga

ponto
timo

K

A
V
S
I
R
R

luz

R
L
N
P e-
e+
I
L
sem luz
I
D
(A)

V
D
(V)

L1
L2
potenciais
fotovoltaicos

V
D

78

terminais do cristal PN curto-circuitados). Isto ocorre porque, como perto da origem a tenso reversa reduzida, a
barreira de potencial tambm reduzida. Esta reduo na barreira no afeta a corrente de minoritrios (pois a mesma
acelerante para estes portadores), mas permite que alguns portadores majoritrios atravessem a juno, o que
corresponde a uma corrente direta, e isto ocasiona a dita reduo da corrente reversa perto da origem.
Como conseqncia deste efeito, o 4
o
quadrante da caracterstica mostra ento que, se uma polarizao direta
aplicada, a barreira de potencial da juno diminui a ponto da corrente de majoritrios se igualar a de minoritrios e a
corrente total se reduz a zero. A tenso, para a qual a corrente total nula para um dado iluminamento, chamada de
potencial fotovoltaico (Fig. 4.12.2-d), com valor tpico de 0,6 V. Visto que nenhuma corrente flui em condies de
circuito aberto, o potencial fotovoltaico tambm obtido com os terminais em aberto do cristal PN sob iluminamento.
Uma outra explicao fsica para o aparecimento do potencial fotovoltaico que o campo eltrico na camada de
depleo (a barreira de potencial) retardador para os portadores majoritrios e acelerante para os minoritrios. Logo,
se um fluxo luminoso incide sobre a juno em aberto, a barreira de potencial permite a passagem pela juno dos
minoritrios gerados, o que se constitui em uma corrente de minoritrios. Como a corrente tem que ser nula na juno
em aberto, surgir uma corrente de majoritrios no sentido contrrio para anular a de minoritrios. O surgimento desta
corrente de majoritrios s possvel com um decrscimo no campo eltrico da juno. Tem-se, ento, que o nvel da
barreira automaticamente reduzido como resultado da luz incidente sobre a juno. Esta reduo corresponde ao
aparecimento de uma tenso nos terminais do cristal PN, que o referido potencial fotovoltaico.
O surgimento de uma tenso entre os terminais de uma juno PN sob luz originou outro dispositivo conversor
fotoeltrico que converte energia luminosa em eltrica, chamada clula fotovoltaica ou clula solar, que usa, ento, a
luz solar como fonte primria de energia. Desse modo, o 4
o
quadrante da caracterstica corresponde ao funcionamento
das clulas solares. A Fig. 4.12.2-e mostra um esquema construtivo comum de uma clula solar, formada por uma
fina camada de material tipo N sobre um substrato P, para permitir que a maior parte da luz incidente na regio N
consiga atingir a juno PN. Assim, se nos terminais da clula solar for conectado uma carga R
L
(Fig. 4.12.2-e), surge
uma corrente eltrica I
L
formada por portadores minoritrios criados pela energia luminosa sobre a juno.
A Fig. 4.12.2-f mostra apenas o 4
o
quadrante da caracterstica. Nota-se que, se R
L
= 0 (terminais em curto),
ento V
D
= 0, e se R
L
= (terminais em aberto), ento I
L
= 0. Conclui-se ento que a potncia de sada nula para os
valores extremos de R
L
. Logo, uma reta de carga (Fig. 4.12.2-f) desenhada no 4
o
quadrante pode definir a carga tima
para um potencial fotovoltaico menor que o da juno em aberto, que absorver a mxima potncia da clula solar.
As clulas solares de maiores taxas de eficincia de converso (em torno de 18%) so feitas de silcio cristalino.
O conjunto das mesmas chamado de baterias solares, usadas inicialmente em satlites e depois como fonte de
energia em calculadoras, relgios, carregadores de baterias em locais de difcil acesso, proteo contra corroso
catdica, estaes repetidoras de comunicaes, sinalizao de ruas, sensores de monitoramento, etc.

4.12.3) OPTOACOPLADOR

Optoacoplador um dispositivo que associa um LED
e um fotodetector em um nico invlucro. A Fig. 4.12.3
mostra o esquema de um optoacoplador, que formado por
um LED no lado de entrada e um fotodiodo no lado de
sada. A tenso V
1
e o resistor em srie R
1
produzem uma
corrente I
1
atravs do LED e este emite luz que atinge o
fotodiodo. No circuito de sada o fotodiodo controla a
tenso de sada do optoacoplador (V
SADA
) atravs de uma
corrente reversa I
2
, tal que: V
SADA
= V
2
R
2
I
2
. Logo, se a
tenso de entrada V
1
variar, I
1
variar a quantidade de luz emitida pelo LED e, conseqentemente, o fotodiodo
estabelecer esta mudana na corrente I
2
, alterando V
SADA
. Assim, a tenso V
1
do circuito de entrada controla a ddp
V
SADA
do circuito de sada. Este dispositivo, portanto, capaz de acoplar um sinal de entrada a um circuito de sada
atravs de uma isolao eltrica entre esses circuitos, pois o nico contato entre eles um feixe de luz. Desse modo,
possvel trabalhar com circuitos a potenciais diferentes, com elevada resistncia de isolao entre os mesmos (na faixa
de milhares de megaohms) e, assim, controlar um circuito de alta tenso e potncia (circuito de sada) com um
circuito de tenso e potncia inferiores (circuito de entrada).

4.13) OUTROS DIODOS DE FINALIDADE ESPECFICA

Alguns aspectos adicionais interessantes da barreira de potencial retificadora refere-se ao grau de dopagem
nos semicondutores, que pode influenciar no comportamento da caracterstica V-I da juno PN, e a obteno da
funo retificao entre dois materiais diferentes que no seja a obtida pela juno PN. Estes aspectos, deram origem
a uma outra gama de componentes de aplicaes distintas dos diodos de juno PN vistos at aqui. Desse modo, este
item tem como objetivo realizar um breve relato sobre alguns diodos de aplicaes especiais.
R
1
I
1
OPTOACOPLADOR
V
SADA
V
ENT
V
1
V
2
I
2
R
2
circuito de entrada circuito de sada
Fig. 4.12.3: Esquema de circuito com optoacoplador.
79

4.13.1) DIODO DE BARREIRA SCHOTTKY

A funo retificadora de um diodo comum pode tambm ser conseguida substituindo a juno PN por uma
juno metal-semicondutor (Fig. 4.13.1-a). Esta juno emprega um metal como ouro, prata, platina ou alumnio, de
um lado, e silcio pouco dopado (tipicamente do tipo N), ou arsenieto de glio, do outro lado.
Quando esta juno est despolarizada, os eltrons livres do lado N esto em rbitas menores do que os eltrons
livres do lado do metal, havendo tambm uma diferena de concentrao de portadores nos dois materiais porque o
metal possui mais eltrons livres. Esta diferena no tamanho das rbitas e nas concentraes de portadores provoca
uma barreira de potencial chamada Barreira de Schottky. Os dispositivos, assim formados, so chamados diodos de
barreira Schottky ou diodo Schottky, cujo smbolo esquemtico dado na Fig. 4.13.1-b.

Quando o diodo Schottky polarizado diretamente, os eltrons livres do lado N ganham energia suficiente para
ocupar rbitas mais elevadas e, assim, atravessar a juno, penetrar no metal e produzir uma grande corrente direta.
Como os metais tm elevada concentrao de eltrons livres, o diodo Schottky possui um maior nmero de portadores
livres que os de juno PN e a camada de depleo menor (ocorre apenas no lado semicondutor), o que resulta em
tenso de limiar menor que a de juno PN e, portanto, requer tenses menores para as mesmas intensidades de
corrente (Fig. 4.13.1-c). Quando em polarizao reversa, o comportamento do diodo Schottky similar ao de juno
PN, mas devido maior quantidade de portadores livres, a corrente reversa comparativamente maior (Fig. 4.13.1-c).
Um aspecto importante do diodo Schottky que, como metais no possuem lacunas, ou seja, nos dois lados s
h eltrons livres como portadores majoritrios, no h o efeito capacitivo de difuso (armazenamento por injeo de
minoritrios no metal e no lado N). Logo, o tempo de armazenamento t
a
desprezvel e, desse modo, o tempo de
recuperao reversa t
rr
inclui apenas o de transio t
t
. Como a velocidade de um computador depende da rapidez com
que seus transistores e diodos conseguem comutar, ento, uma aplicao importante desses diodos em circuitos
integrados de computadores, devido maior rapidez de comutao destes relativamente aos de juno PN.
Devido sua pequena tenso de limiar e o seu pequeno tempo de recuperao reversa, uma outra aplicao do
diodo Schottky em retificadores de pequenos sinais, podendo retificar freqncias acima de 300 MHz.

4.13.2) VARISTOR

Descargas eltricas atmosfricas e chaveamento de cargas reativas podem ocasionar a perturbao de circuitos
eltricos prximos ao poluir a tenso dos condutores alimentadores (linhas) por superposio de picos (sobretenses
rpidas), vales (quedas violentas de tenso) e outros transitrios, que duram microssegundos ou menos mas que
podem danificar equipamentos mais sensveis. Desse modo, necessrio eliminar os problemas causados por esses
transitrios de linha, com o emprego de filtros entre os condutores de alimentao e os equipamentos.
Um componente usado para filtrar sinais de linhas de alimentao
o varistor (variable resistor), tambm chamado supressor de transitrios.
A Fig. 4.13.2-a mostra o aspecto fsico do varistor, a Fig. 4.13.2-b seu
smbolo esquemtico e a Fig. 4.13.2-c sua caracterstica tenso-corrente.
Analisando a caracterstica nota-se, ento, que esse dispositivo se assemelha
a dois diodos Zeners, um de costas para o outro, com tenses de ruptura bem
altas em qualquer sentido de conduo.
Os varistores so normalmente ligados em paralelo com a sada a ser
protegida porque, nota-se pela sua caracterstica, que o mesmo possui o
efeito de cortar qualquer pico de tenso maior que V
Z
, absorvendo energia.
Logo, varistores so um tipo especial de diodo de juno PN, usados para
proteger equipamentos eltricos, limitando sobretenses que possam danific-los. Desse modo, os varistores podem
ser empregados em diversas aplicaes sensveis, tais como em telecomunicaes, informtica, fontes de alimentao,
sistemas no-break e eletrnica de medio e entretenimento.
Os varistores so construdos de xidos metlicos, tal como o xido de zinco sinterizado com outros xidos
metlicos. So empregados para proteger tanto equipamentos de pequena potncia (por exemplo, fontes e reatores
eletrnicos), quanto grandes conjuntos de cargas atravs de ligao em postes ou subestaes.
metal semicondutor
juno
A K
(a) (b) (c)
A K
Fig. 4.13.1: Diodo Schottky: (a) estrutura; (b) smbolo esquemtico; (c) caracterstica tenso-corrente
comparada com o diodo de juno PN.
I
D
(mA)
V
D
(V)
0,3 0,6
juno PN
Schottky
(b) (c)
I
D

V
D

V
Z

- V
Z

Fig. 4.13.2: Varistor: (a) aspecto;
(b) smbolo; (c) caracterstica V-I.
(a)
80

4.13.3) DIODOS DE RETAGUARDA

Como visto, os diodos Zener tm normalmente tenses de ruptura reversa
maiores que 2 V. Porm, aumentando-se ainda mais o nvel de dopagem pode-se
obter um diodo em que sua ruptura por Zener ocorra prximo de 0 V. Um diodo com
essa caracterstica tenso-corrente chamado diodo de retaguarda, cujo smbolo
esquemtico o mesmo do diodo Zener, pois ele conduz tanto no sentido reverso
como no sentido direto. A Fig. 4.13.3 mostra a caracterstica tenso-corrente tpica
de um diodo de retaguarda, onde se observa que a conduo direta ainda ocorre em
torno de 0,7 V, mas agora a ruptura comea aproximadamente em -0,1 V. Assim, os
diodos de retaguarda so usados ocasionalmente para retificar sinais de tenso fracos
cujas amplitudes encontram-se entre 0,1 e 0,7 V.

4.13.4) DIODO TNEL

Quando um cristal PN construdo com alta densidade de dopagem (em torno de
1 tomo de impureza por 10
3
tomos de silcio, o que corresponde a uma concentrao
de portadores da ordem de 10
19
cm
-3
), isto acarreta em uma grande diminuio na
largura da camada de depleo e da barreira de potencial da juno PN. Ocorre ento
que, para barreiras to finas, existe uma grande probabilidade de um eltron penetrar a
barreira, comportamento conhecido como tunelamento. Este diodo conhecido, ento,
como diodo tnel (smbolo esquemtico dado na Fig. 4.13.4-a), ou diodo de Esaki,
que apresenta assim uma caracterstica V-I completamente modificada (Fig. 4.13.4-b).
Como o efeito tunelamento ocorre velocidade da luz, o diodo tnel apresenta alta
velocidade de chaveamento. Materiais empregados: germnio e arsenieto de glio.
Na caracterstica tenso-corrente do diodo tnel (Fig. 4.13.4-b) observa-se que o
mesmo apresenta conduo imediata em ambas as polarizaes direta e reversa, e
apresenta uma curva distorcida em polarizao direta. Nesta regio, a corrente direta
atinge um valor mximo I
P
(corrente de pico), quando sua tenso iguala-se a V
P
, e, a
seguir, diminui para um valor mnimo I
V
(corrente de vale) uma tenso V
V
, onde observa-se que neste trecho o diodo
tnel apresenta um comportamento de resistncia negativa. Com o aumento da tenso a corrente atinge novamente o
valor de pico I
P
para uma tenso V
F
e aumenta a partir deste valor (Fig. 4.13.4.b). Assim, para valores compreendidos
entre I
P
e I
V
pode-se obter o mesmo valor de corrente para trs diferentes tenses aplicadas. Esta propriedade faz com
que o diodo tnel seja til em circuitos digitais e de pulsos (osciladores).

QUESTES

1) O que a regio de depleo? Como ela formada?
2) O que polarizao direta e reversa de uma juno PN?
3) Explique o funcionamento de uma juno PN nas regies de operao conduo e corte.
4) Como a reta de carga usada para determinar o ponto de operao de diodo?
5) Descreva os modelos do diodo para grandes sinais.
6) O que a caracterstica de transferncia de um circuito?
7) Explique o retificador de meia onda e a funo do capacitor paralelo carga? O que o ngulo de conduo?
8) Descreva a operao de limitadores e fixadores implementados com diodos.
9) Descreva o modelo do diodo para pequenos sinais
10) Explique as capacitncias de difuso e transio de um diodo de juno.
11) Com o aumento da polarizao reversa, o que acontece com a capacitncia de transio?
12) Explique o significado fsico de tempo de armazenagem e tempo de transio.
13) Explique os modelos e a funo regulao do diodo Zener. Como ocorre a ruptura de um de um diodo no corte?
14) Comente sobre o diodo LED e o fotodiodo. O que um optoacoplador?
15) Cite as principais caractersticas de um diodo Schottky. O que so varistores e o diodo tnel?

PROBLEMAS RESOLVIDOS

PROBLEMA 1: Um diodo temperatura de 27
o
C conduz 1 mA a 0,7 V de ddp em seus terminais. Calcule a corrente
neste diodo para a ddp de 0,8 V, considerando: a) = 1 e b) = 2.
I
D

V
D

0,7
- 0,1
Fig. 4.13.3: Caracterstica
V-I do diodo de retaguarda.
(a)
A K
Fig. 4.13.4: Diodo tnel:
(a) smbolo esquemtico;
(b) caracterstica V-I.
V
V

(b)
V
D

I
D

V
P
V
F

I
V

I
P

81

SOLUO
Para 27
o
C tem-se que a tenso equivalente de temperatura ser: mV
T
V
T
86 , 25
11600
27 273
11600
=
+
= =
Considerando a equao do diodo para a sua regio de conduo tem-se que:
067 , 27
02586 , 0
7 , 0
001 , 0 001 , 0
: 7 , 0 para
e e e
e
S D
T
V
D
V
D
S
T
V
D
V
S D
I V V
I
I I I = = = =
863 , 3
93 , 30
067 , 27
02586 , 0
8 , 0
8 , 0
001 , 0
001 , 0
: se tem 8 , 0 para Portanto, e e
e
e
S V D D
I I V V = = = =
Logo: a) = 1 I
D 0,8V
= 47,6 mA ; b) = 2 I
D 0,8V
= 6,9 mA

PROBLEMA 2: Um diodo est funcionando a uma tenso direta de 0,7 V. Qual a relao entre as correntes
mxima e mnima neste diodo numa gama de temperaturas entre 55 e 100
o
C ? Considere = 2.
SOLUO
Como os semicondutores so muito sensveis temperatura, isto , a sua condutividade aumenta com a temperatura,
espera-se que: I
DMIN
= I
D -55 C
e I
DMAX
= I
D 100 C

As tenses equivalentes de temperatura para as temperaturas dadas so:
mV V C T
mV
T
V C T
T
o
T
o
2 , 32
11600
100 273
100
8 , 18
11600
) 55 ( 273
11600
55
=
+
= =
=
+
= = =

Considerando T
o
= -55
o
C (temperatura de referncia) e T

= 100
o
C , da Eq. 4.4.6 vista em teoria, tem-se:
C S C S
S S
T T
S S
o o
I I I I T I T I
55 , 100 ,
10
) 55 ( 100
10
o
46341 2 ) 55 ( ) 100 ( 2 ) ( ) (
O

= = =
Logo, as correntes mnima e mxima no diodo para a ddp de 0,7 V nas respectivas temperaturas sero:
0,7
8 2 0,0188
, 55 , 55 , 55 , 55
0,7
8 2 0,0322
, 100 , 100 , 55 , 55
1, 217 10
46341 24, 35 10
D
T
o o o o
D
T
o o o o
V
V
DMIN
D C S C S C S C
V
V
DMAX
D C S C S C S C
I I I e I e I
I I I e I e I
= = =
= = =

Portanto:
8
, 55
8
, 55
24, 35 10
1, 217 10
o
o
S C
S C
I
I
= = 20
DMAX
DMIN
I
I

PROBLEMA 3: Dados as caractersticas tenso-corrente linearizadas de alguns diodos, obtenha os modelos para
todas as regies de operao destes diodos e respectivas condies de operao.

SOLUO
Diodo D : V
= 0,7 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r

Diodo D
Z1
(Zener ideal): V
= 0 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r
, V
Z
= -10 V (ou V
Z
= 10 V) , R
Z
= 0
Diodo D
Z2
: V
= 0,5 V , I
S
= 0 A , R
r
, V
Z
= -2 V (ou V
Z
= 2 V - modelo com corrente e tenso invertidos)
outros dados do diodo D
Z2
: =
= =
= 5
0 02 , 0
0 , 2 1 , 2
; 15
0 02 , 0
5 , 0 8 , 0
Z f
R R

DIODO D DIODO D
Z1
DIODO D
Z2

V
D
(V)
0,7
0
I
D
(mA)
V
D
(V)
0
-10
I
D
(mA)
V
D
(V)
0
0,5 0,8
20
-2 -2,1
-20
I
D
(mA)
I
D

V
D
(V)
0,7 0
0,7 V
V
D
0,7
A K
A K
I
D
> 0
I
D

V
D
(V)
0
-10
A
I
D
> 0
K
-10 V
D
0 V
A K
10 V
A
K
I
Z
> 0
-10 V
K
A
I
Z
< 0
Ou
I
D
(mA)
V
D
(V) 0 0,5 0,8
20
-2 -
-20
-2 V
D
0,5 V
A K
A
15
0,5
K
I
D
> 0
K
A
5
2 V
I
Z
> 0
A
K
5
-2 V
I
Z
< 0
Ou:
82

PROBLEMA 4: O circuito abaixo conhecido como grampeador CC, cujo efeito adicionar sada v
o
uma tenso
DC constante ao sinal de entrada v
S
. Considere o diodo ideal, v
S
= 10 sen(t), o capacitor inicialmente descarregado e
que a chave se fecha no tempo t = 0 s para a fonte v
S
. Explique o funcionamento do circuito para t 0 s.

SOLUO
hiptese 1: diodo D no corte circuito (a):
LKT na malha de externa: v
S
+ v
C
- v
o
= 0 v
o
= v
S
+ v
C
caracterstica de transferncia
LKT na malha de entrada: v
S
+ v
C
+ v
D
= 0 v
D
= - v
S
- v
C

Como deve-se ter v
D
0 para o diodo ideal no corte, tem-se: - v
S
- v
C
0 v
S
- v
C
condio
hiptese 2: diodo D em conduo circuito (b):
LKT na malha de entrada: v
S
+ v
C
= 0 v
S
= - v
C

LKT na malha de sada: v
o
= 0 V caracterstica de transferncia
Neste circuito no possvel obter uma expresso matemtica para a corrente i
D
no diodo e, desse modo,
determinar a condio para o diodo em conduo. Porm, sabe-se que as condies para que as caractersticas
de transferncia sejam verdadeiras so complementares em seus limites. Logo, com base na condio obtida
para o diodo no corte, conclui-se que v
S
< - v
C
ser, ento, a condio para o diodo em conduo
Para determinar a forma de onda da sada v
o
, ser necessrio estudar o comportamento de v
o
em intervalos do sinal de
entrada v
S
(vide grfico de v
S
), com base nas caractersticas de transferncia e respectivas condies obtidas.
Intervalo 0 : no limiar deste intervalo tem-se as seguintes condies: v
S
> 0 e v
C
= 0 (capacitor inicialmente
descarregado) e, portanto: v
S
> - v
C
. Logo, com base nas condies obtidas conclui-se que o diodo est no corte.
Nesses caso, no h corrente no circuito e o capacitor permanece descarregado no intervalo. Assim, de acordo com
a caracterstica de transferncia para o diodo no corte tem-se que: v
o
= v
S
+ v
C
v
o
= v
S
para este intervalo.
Intervalo 3/2: no limiar deste intervalo tem-se: v
S
< 0 e v
C
= 0. Portanto, v
S
< - v
C
e conclui-se que o diodo
est em conduo. Nesse caso, como h corrente no circuito, o capacitor comea a se carregar. No final deste
intervalo, quando v
S
= -10 V, tem-se, ento que: v
S
= -v
C
v
C
= 10 V. Assim, de acordo com a caracterstica de
transferncia para o diodo em conduo tem-se que: v
o
= 0 V para este intervalo.
Intervalo 3/2 2: no limiar deste intervalo tem-se: v
S
> -10 V e v
C
= 10 V. Portanto, v
S
> - v
C
e conclui-se que
o diodo entra novamente no corte. Como no h corrente no circuito, o capacitor permanece carregado com 10 V
neste intervalo. Logo, v
o
= v
S
+ v
C
v
o
= v
S
+ 10 para este intervalo.
Intervalo 2 3: no limiar deste intervalo tem-se: v
S
> 0 V e v
C
= 10 V. Portanto, v
S
> - v
C
e conclui-se que o
diodo permanece no corte e o capacitor permanece carregado com 10 V . Logo, v
o
= v
S
Intervalo 3 4: no limiar e em todo este intervalo tem-se
que: -10 v
S
< 0 V e v
C
= 10 V. Portanto, v
S
- v
C
e conclui-
se que o diodo permanece no corte e, como no h corrente no
circuito, o capacitor permanece carregado com 10 V . Logo, a
sada manter o valor: v
o
= v
S
Do intervalo 4 em diante: analisando-se os ltimos intervalos
observa-se que o diodo funcionar apenas no corte e, assim, a
sada v
o
permanecer em v
o
= v
S
+ 10 . Logo, conclui-se que o
circuito acrescentou um valor DC de 10 V ao sinal de entrada v
S
.
Com base nas anlises feitas, pode-se agora obter o grfico da
forma de onda da tenso de sada v
o
, visto ao lado.

PROBLEMA 5:.Para o circuito fornecido, sabe-se que a especificao de corrente direta mxima do diodo (I
F
)
dado por 100 mA. Determine a faixa de valores que deve ter o resistor R para que o diodo permanea em conduo.
Dados do modelo do diodo: V
= 0,5 V , R
f
= 0 , R
r
, I
S
= 0 A.

A

K
20
10
R

6 V
D
1
1

I
D
0,5 V
20
10
R

6 V
I
1
I
2
2

A
k
t

2 3 4 5
3/2
10
-10
v
S
, v
o
(V)
20
0
v
o

v
S

(a) (b)

0 2 3 4 5
3/2
10
-10
v
S
(V)
t
v
S
K

A
C

t = 0

K
A

v
D v
S
K
v
o
A

i
D
v
C
v
o
v
o
v
C
v
S
83

SOLUO
Este problema consiste em obter o intervalo de valores para o resistor R, tal que o diodo permanea em conduo e
no ultrapasse sua especificao mxima de corrente direta, o que equivale a dizer que a corrente I
D
no diodo deve
respeitar o intervalo: 0 < I
D
< 100 mA. Supondo, ento, o diodo em conduo (figura), tem-se:
Lei de Kirchoff das Correntes (LKC) no n 1: I
1
= I
D
+ I
2

LKT na malha 1:
( ) ( ) (1) 5 , 5 20 0 20 5 , 5 0 5 , 0 20 6
2 2 1
= + + = + = I R I R I I I R I I R
D D D D

LKT na malha 2: (2)
10
5 , 0 20
0 10 5 , 0 20
2 2
+
= = +
D
D
I
I I I
Aplicando o resultado (2) em (1), tem-se:
( )
20 0, 5 55 0, 5
20 5, 5
10 30 200
D
D D
I R
R I R I
R
+
+ + = =
+

Portanto: Para I
D
> 0 : 110 < > >
+
R 0 5 , 0 55 0
200 30
5 , 0 55
R
R
R

pois, como R > 0 (no h resistor de valor negativo), ento o denominador da frao sempre positivo.
Para I
D
< 0,1 A : 10 > + < <
+
R 20 3 5 , 0 55 1 , 0
200 30
5 , 0 55
R R
R
R

Interpretando-se os resultados observa-se que, como o resistor R controla a corrente para o restante do circuito via
queda de tenso, ento tem-se que, se R > 110 , o diodo no consegue conduzir e, se R < 10 , o diodo se danifica.

PROBLEMA 6: Para o circuito dado, determine a forma de onda da tenso v
L
para a forma de onda v
S
fornecida
(forma de onda de tenso triangular). Dados do diodo empregado: V
= 0,6 V , R
f
= 20 , R
r
, I
S
= 0 A.

SOLUO
hiptese 1: diodo D em conduo circuito (a):
LKC no n 1: i
L
= i + i
D
i = i
L
i
D

LKT na malha 1:
v
S
100 i + 20 i
D
+ 0,6 + 4 = 0 100 (i
L
i
D
) + 20 i
D
= v
s
4,6
100 i
L
+ 120 i
D
= v
s
4,6 (1)
LKT na malha 2:
400 i
L
+ 20 i
D
+ 0,6 + 4 = 0 400 i
L
+ 20 i
D
= 4,6 (2)
Resolvendo o sistema de equaes (1) e (2) obtm-se:
100
92 , 0 04 , 0
e
125
75 , 5
=

=
S
L
S
D
v
i
v
i
Logo, a expresso da tenso de sada v
L
ser dada por:
transf. de caract.
100
92 , 0 04 , 0
400 400 =
= = 3,68 0,16
S L
v v
S
L L
v
i v
Como deve-se ter i
D
> 0 para o diodo em conduo, tem-se:
condio 0
125
75 , 5
0 < >

> V v
S
5,75
S
D
v
i
hiptese 2: diodo D no bloqueio circuito (b):
LKT na malha externa:
500
0 400 100
S
L L L S
v
i i i v = =
Logo, a sada v
L
ser dada por: transf. de caract.
500
400 400 = = =
S L
v v 0,8
S
L L
v
i v
LKT na malha 1: 4 8 , 0 0 4
500
100 0 4 100 = = + + = + +
S D D
S
S D L S
v v v
v
v v i v
Como deve-se ter v
D
0,6 V para o diodo no corte, tem-se:
A
K
20
0,6 V
v
S
100
400
4 V
v
L

i
D

i i
L
1
1
2
v
S
(V)
10
-10
t

0 2

(a) (b)
A
K
v
S
100
400
4 V
v
L

i
L

1
v
D

v
S
K

A
100
400
4 V
v
L

D
84

condio
6 , 0 4 8 , 0 6 , 0

V v
S
5,75
S D
v v

Assim, com base nas caractersticas de transferncia e condies
obtidas, pode-se agora determinar a forma de onda da tenso de sada
v
L
. Calculando alguns pontos, tem-se:
Para t = 0, v
S
= 0 V (D no corte, pois v
S
> - 5,75 V) v
L
= 0 V
Para t = /2, v
S
= 10 V (D no corte) v
L
= 8 V
Para v
S
= - 5,75 V (D no corte) v
L
= - 4,6 V
Para t = 3/2, v
S
= - 10 V (D em conduo, v
S
<- 5,75 V)
v
L
= - 5,28 V

PROBLEMA 7: Para o circuito do Problema 6, determine a forma de onda da tenso v
D
no diodo.
SOLUO
Neste problema mudou-se a varivel de sada (varivel a ser estudada), mas o circuito e seus parmetros permanecem
o mesmo. Logo, as condies para o diodo em conduo e corte obtidas na soluo do Problema 6 so as mesmas para
este problema, pois estas dependem apenas da varivel de entrada, ou seja, as condies independem da varivel de
sada escolhida. Logo, resta apenas determinar as caractersticas de transferncia para a tenso v
D
do diodo.
hiptese 1: diodo D em conduo:
Com os resultados obtidos na soluo do problema 7 tem-se que:
transf. de caract.
125
75 , 5
20 6 , 0
=

+ = + = 0,32 0,16
S D
v v
S
D f D
v
i R V v
para v
S
< 5,75 V como condio.
hiptese 2: diodo D no corte:
A expresso matemtica para a tenso v
D
no diodo determinada na soluo do problema 7 passa a ser agora a
caracterstica de transferncia do circuito. Logo:
v
D
= 0,8 v
S
4 (caracterstica de transferncia),
para v
S
5,75 V (condio)
Obtendo-se alguns pontos para traar a forma de onda da sada v
D
:
t = 0, v
S
= 0 V (D no corte, pois v
S
> 5,75 V) v
D
= 4 V
t = /2, v
S
= 10 V (D no corte) v
D
= 12 V
v
S
= 5,75 V (D no corte) v
D
= 0,6 V
t = 3/2, v
S
= 10 V (D em conduo, v
S
< 5,75 V) v
D
= 1,28 V
Nota: a soluo deste problema poderia ser sido tambm conseguida com
auxlio da forma de onda da tenso de sada v
L
obtida no Problema 6.
Sendo a varivel v
D
a ddp no diodo, aplicando-se LKT na malha de sada,
obtm-se: v
D
= v
L
4. Logo, como j se conhece a forma de onda da varivel v
L
, pode-se obter a forma de onda da
varivel v
D
resolvendo graficamente a equao v
D
= v
L
4.

PROBLEMA 8: Seja grfico da caracterstica de transferncia de um certo circuito. Obtenha a equivalente equao
das carctersticas e condies e a forma de onda da sada v
o
para uma entrada v
S
= 3 + 4 sen(t) por mtodo grfico.
SOLUO

v
S
, v
D
(V)
10

- 10

- 5,75

v
S

v
D
t

2
0

- 4

- 12

0,6

1,28

/2 3/2
-
v
S
, v
L
(V)

- 5,75

- 4,6

v
S

v
L
8

t

2
0
/2
3/2
10

- 5,28

- 10

2
2
v
o
(V)
v
S
(V)
4
O mtodo de obteno da forma de onda da
sada atravs do grfico da caracterstica de
transferncia de um circuito consiste em
desenhar ponto a ponto a correspondncia
entre a entrada e a sada com base no
comportamento da caracterstica de
transferncia, tal como demonstrado ao lado.
2 3 4
v
o
(V)
v
S
(V)
v
S
(V)
= -1
7
t
t
0
2

0 -1
0
t
1

t
2

t
3

t
4

/2

3/2
2
t
1

/2
t
2

t
3

3/2
t
4

2
v
o
(V)
1
Caractersticas de transferncia
e respectivas condies:
v
o
= 2 V para v
S
< 2 V
v
o
= v
S
+ 4 V para 2 v
S
4 V
v
o
= 0 V para v
S
> 4 V
85

PROBLEMA 9: Para o circuito dado, sabe-se que o ampermetro ideal A mede uma corrente de 4 mA. Determine as
potncias consumidas no resistor de 700 e no Zener, e a fornecida pela fonte de tenso DC.
Dados do Zener empregado: V
= 0,5 V , R
f
= 0 , R
r
, I
S
= 0 A , V
Z
= 9 V , R
Z
= 0

SOLUO
Analisando-se o circuito observa-se que o fonte de tenso DC de 15 V s pode polarizar o diodo Zener reversamente
e, como o ampermetro mede uma corrente no Zener no sentido catodo-anodo, conclui-se que o mesmo s pode estar
operando na ruptura, ou seja, a corrente I
Z
do Zener na ruptura igual a 4 mA. Assim, como um ampermetro ideal
modelado como um curto-circuito, aplicando-se ao circuito, por convenincia, o modelo do Zener na ruptura dado na
Fig. 4.11.1-a, obtm-se o esquema do circuito fornecido. Logo:
LKT na malha 1: 15 1000 I
1
9 = 0 I
1
= 6 mA
LKC no n 2: I
2
= I
1
I
Z
= 0,006 0,004 I
2
= 2 mA
LKT na malha 2: 9 1000 x 0,002 700 I
3
= 0 I
3
= 10 mA
LKC no n 3: I
4
= I
3
I
2
= 0,01 0,002 I
4
= 8 mA
LKC no n 1: I = I
1
+ I
4
= 0,006 + 0,008 I = 14 mA
Portanto: P
700
= 700 x I
3
2
= 700 x (0,01)
2
P
700
= 70 mW
P
Z
= V
Z
x I
Z
= 9 x 0,004 P
Z
= 36 mW
P
fonte
= 15 x I = 15 x 0,014 P
fonte
= 210 mW

PROBLEMA 10: Para o circuito dado, determine a forma de onda da tenso de sada v
L
. Dados: v
S
= 5 10 sen(t) ;
Zener: V
= 0,5 V , R
f
= 0 , R
r
, I
S
= 0 A , V
Z
= 4,5 V , R
Z
= 0 .
SOLUO
O circuito possui dois Zeners, o que implica em nove combinaes entre os
estados de operao destes diodos. Porm, analisando-se a disposio dos
Zeners no circuito observa-se que D
Z1
e D
Z2
tem polarizaes contrrias, ou
seja, se D
Z1
estiver em conduo, D
Z2
estar necessariamente na ruptura, e
vice-versa, para que ambos estejam conduzindo. De outro modo, se D
Z1

estiver no corte ento D
Z2
tambm dever necessariamente estar no corte,
para que a corrente em ambos seja nula. Conclui-se ento que, das nove
hipteses, h apenas trs possveis para os estados dos diodos, vistos a seguir:

hiptese 1: D
Z1
em conduo, D
Z2
na ruptura (com modelo do Zener na ruptura da Fig. 4.11.1-e) circuito (a):
LKT na malha 1:
200
5
0 5 , 4 5 , 0 200

= =
S
S
v
i i v
LKT na malha 2: A i i
L L
400
5
0 400 5 , 0 5 , 4 = = +
LKC no n 1:
200
5 , 7
400
5
200
5
=
= = + =
S S
L D L D
v v
i i i i i i
Logo, a tenso de sada v
L
ser dada por: v
L
= 400 i
L
v
L
= 5 V caract. de transf.
400
A

K
K

A
D
Z1
D
Z2
v
S
200
v
L
v
L
400
v
S
200
K
A
0,5 V
2
1
i
D

i
L

i
v
L
A
K
4,5 V
1
(b)
400 v
S
200
K
A
1
i
L

A
K
v
DZ1
v
DZ2
(c)
400
v
S
200
K
A
0,5 V
A
K
4,5 V
2
1
i
D

i
L

i
v
L
1
(a)
A
K

A
D
Z
15 V
700
1 k 1 k
1 k
A
K
9 V
I
1

15 V
700
1 k 1 k
1 k
I
I
4

I
2

I
Z
= 4 mA
I
3

I
4

1 2
2
1 3
86

Como deve-se ter i
D
> 0 para D
Z1
em conduo e D
Z2
na ruptura, tem-se que:
condio 0
200
5 , 7
0 > >
> V v
S
7,5
S
D
v
i
hiptese 2: D
Z1
na ruptura (com modelo do Zener na ruptura da Fig. 4.11.1-e), D
Z2
em conduo circuito (b):
LKT na malha 1:
200
5
0 5 , 0 5 , 4 200
+
= = + +
S
S
v
i i v
LKT na malha 2: A i i
L L
400
5
0 400 5 , 0 5 , 4

= = + +
LKC no n 1:
200
5 , 7
200
5
400
5
=
+
= = + =
S S
L D D L
v v
i i i i i i
L
ser dada por: v
L
= 400 i
L
v
L
= - 5 V caract. de transf.
Como deve-se ter i
D
> 0 para D
Z1
na ruptura e D
Z2
em conduo, tem-se que:
condio 0
200
5 , 7
0 < >

> V v
S
7,5
S
D
v
i
hiptese 3: D
Z1
e D
Z2
no corte circuito (c):
LKT na malha externa:
600
0 400 200
S
L L L S
v
i i i v = =
L
ser dada por: transf. de caract.
600
400 400 = = =
S L
v v
3
2
S
L L
v
i v
LKT na malha 1:
(1)
S DZ DZ DZ DZ
S
S DZ DZ L S
v v v v v
v
v v v i v
3
2
0
600
200 0 200
2 1 2 1 2 1
= = + = +
Como as condies para D
Z1
e D
Z2
no corte so, respectivamente, - 4,5 v
DZ1
0,5 V e - 4,5 v
DZ2
0,5 V
ento, manipulando convenientemente estas inequaes, obtm-se a condio para os Zeners no corte:
5 5
5 , 4 5 , 0
5 , 0 5 , 4
5 , 0 5 , 4
5 , 0 5 , 4
) 1 ( 5 , 0 5 , 4
5 , 0 5 , 4
2 1
2
1
2
1
2
1

+
DZ DZ
DZ
DZ
DZ
DZ
DZ
DZ
v v
v
v
v
v
v
v

Logo, do resultado (1), tem-se ento que:
5 , 7 5 , 7 15 2 15 5
3
2
5 5 5
2 1

S S S DZ DZ
v v v v v
Logo, a condio geral para D
Z1
e D
Z2
no corte ser: -7,5 v
S
7,5 V
Este clculo reflete o fato de que, na anlise inicial do circuito observou-se que, quando ambos os diodos Zener
conduzem, o fazem em regies de operao diferentes: um na conduo e outro na ruptura, e vice-versa. Desse modo,
se o diodo D
Z1
entrar no corte vindo da regio de conduo, o diodo D
Z2

necessariamente entrar no corte vindo da ruptura, e vice-versa.
Obtm-se agora a forma de onda da tenso de sada v
L
,
dada na figura ao lado, com o auxlio do clculo de alguns pontos:
v
S
= 7,5 V (D
Z1
e D
Z2
no corte, pois -7,5 v
S
7,5) v
L
= 5 V
v
S
= 5 V (D
Z1
e D
Z2
no corte) v
L
= 10/3 V
v
S
= 0 V (D
Z1
e D
Z2
no corte) v
L
= 0 V
v
S
= - 5 V (D
Z1
e D
Z2
no corte, t = /2) v
L
= - 10/3 V
Para v
S
> 7,5 V v
L
= 5 V

PROBLEMA 11: Para o regulador com Zener da Fig. 4.11.2-a, sabe-se que a carga R
L
pode operar a vazio ou
dissipar uma potncia mxima de 1 W. Determine a gama de tenses de entrada da fonte V
S
, para as quais ocorre
regulao de tenso na carga R
L
. Dados: R
S
= 20 ; Zener na ruptura: V
Z
= 5 V , I
ZK
= 30 mA , I
ZM
= 300 mA.
SOLUO
Deseja-se obter V
SMIN
V
S
V
SMAX
tal que I
ZK
I
Z
I
ZM
, isto , o
intervalo em que a tenso de entrada V
S
pode variar para que no haja
perda de regulao de tenso pelo Zener na carga R
L
.
Com base na figura do regulador com Zener e com os dados fornecidos
sobre a carga R
L
, sabe-se que: I
LMIN
= 0 A (carga a vazio) e,
A
V
P
I I V I V P
Z
LMAX
LMAX LMAX Z LMAX L LMAX
2 , 0
5
1
= = = = =
Logo, resta estudar as piores condies para se determinar os limites da tenso de entrada V
S
:
Da condio 1: I
ZMIN
= I
ZK
= I
SMIN
I
LMAX

V
S
A
20
V
L

I
L

5 V

I
Z

I
S

K
R
L

t

5
- 5
-
10/3
7,5
- 7,5
0
15
v
S
, v
L
(V)
v

v
S

/2
3/2 2

87

V V
SMIN
9,6 =
= = 2 , 0
20
5
03 , 0
SMIN
LMAX
S
Z SMIN
LMAX SMIN ZK
V
I
R
V V
I I I
Da condio 2: I
ZMAX
= I
ZM
= I
SMAX
I
LMIN

V V
SMAX
11 =
= = 0
20
5
3 , 0
SMAX
LMIN
S
Z SMAX
LMIN SMAX ZM
V
I
R
V V
I I I

PROBLEMAS PROPOSTOS

PROBLEMA 1: Para um diodo de juno PN de silcio (considerar = 2) a 20
o
C, determinar:
a) A tenso reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturao.
b) A razo, em mdulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tenso direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) Se a corrente de saturao reversa no diodo for 10 nA, quais sero as correntes diretas para as tenses de 0,5 V, 0,6
V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo?
d) Se I
S
= 1 nA, qual ser a tenso aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 A ?
e) Se I
D
= 70 mA quando V
D
= 0,65 V a 20
o
C, determine o valor da corrente de saturao para a temperatura de 50
o
C.

PROBLEMA 2: Para o circuito a seguir e caracterstica tenso-corrente do diodo em polarizao direta, pede-se:
a) Se V
S
= 12 V, determine as potncias consumidas em todos os componentes do circuito e a fornecida pela fonte.
b) Se V
S
= 10,75 V, que valor de resistncia deve ser colocado no lugar do resistor de 10 do circuito para que seja
mantido o mesmo ponto de operao obtido no item a)?
c) Se V
S
= 3 V, quais so as potncias dissipadas nos resistores de 10 e 5 do circuito?

PROBLEMA 3: O circuito dado possui o comportamento de uma porta lgica OR. Determine para este circuito a
tenso de sada V
o
, para as seguintes entradas: a) V
1
= V
2
= 5 V ; b) V
1
= V
2
= 0 V ; c) V
1
= 5 V e V
2
= 0 V
Dados dos diodos D
1
e D
2
empregados: V
= 0,6 V , R
f
= 30 , I
S
= 0 A , R
r

PROBLEMA 4: Montou-se o circuito fornecido e obteve-se a leitura de 5 V no voltmetro, que sabido estar em
perfeito estado. Pergunta-se: h algum problema no circuito? Se sim, cite um possvel problema e explique. Se no,
explique o funcionamento do circuito.

PROBLEMA 5: Para o circuito fornecido, determine a potncia dissipada no diodo e no resistor de 9 .
Dados do diodo empregado no circuito: V
= 0,5 V , R
f
= 5 , R
r
, I
S
= 0 A.

PROBLEMA 6: Para o circuito dado e as formas de onda das entradas v
1
e v
2
fornecidas, determine a forma de onda
da tenso de sada v
L
entre os tempos 0 e 4 s. Considere que o diodo possui comutao instantnea. Dados do modelo
do diodo: V
= 0,5 V , R
f
= 20 , I
S
= 0 A , R
r

A K
V
S

50
10
5
D

I
D
(mA)
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
V
D
(V)
0
30
1
60
90
120
150
180
PROBLEMA 2
270
V
1
A K
D
1
270
V
2
A K
D
2
V
O
PROBLEMA 3

4,7 k
PROBLEMA 4

K A
10 V
D
10
10 V
PROBLEMA 5

K A
4 V
D
9
1
4 V
88

PROBLEMA 7: Para o circuito dado, determine o valor limite do resistor R para que o LED emita luz. Explique se
este limite mnimo ou mximo. Dado: caracterstica tenso-corrente linearizada do LED empregado.

PROBLEMA 8: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta mxima do LED 75 mA. Pede-se:
a) Determine a faixa de valores que deve ter o resistor R para que o LED emita luz;
b) Explique o que acontece com o LED ser o valor do resistor R ultrapassar cada um dos seus limites.
Dados do LED empregado: V
= 1,5 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r

PROBLEMA 9: Montou-se um circuito indicador visual de temperatura atravs do brilho de um LED (figura dada),
que emprega um termistor tipo NTC como sensor de temperatura. Pede-se: explique a relao entre temperatura do
termistor e brilho do LED.

PROBLEMA 10: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razo entre os resistores R
1
e R
2
para que o
LED emita luz. Dados do LED empregado: V
= 1,6 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r

PROBLEMA 11: Para o circuito dado, determine o valor da tenso medida pelo voltmetro V, considerado ideal.
Dados: caractersticas tenso-corrente linearizadas dos diodos empregados.

PROBLEMA 12: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta mxima do diodo empregado 600 mA e sua
tenso reversa mxima 20 V. Determine o limite da amplitude de tenso da fonte de entrada v
S
, para que a mesma
no danifique o diodo. Dados do modelo diodo: V
= 0,5 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r

PROBLEMA 13: Responda os seguintes itens:
a) Explique uma vantagem do retificador de onda completa em relao ao de meia-onda.
b) Explique porque a anlise DC de circuitos contendo diodos consiste no mtodo da suposio e prova.
c) Explique porque na anlise AC de circuitos contendo diodos necessrio a obteno das caractersticas de
transferncia e respectivas condies.

PROBLEMA 14: Com base nas relaes grficas de uma varivel de sada v
o
em funo de uma varivel de entrada
v
S
fornecidas, isto , com base nos grficos das caracterstica de transferncia fornecidas, determine as equaes das
caractersticas de transferncia e respectivas condies para cada grfico e obtenha ainda a forma de onda da sada v
o

para uma entrada v
S
= 5 15 sen(t) .
9 V
4 k
100
R

PROBLEMA 7

A
K
1,5 2,1

40
I
D
(mA)
V
D
(V)
LED
A

K
200
v
L
200
v
1
v
2
v
1
(V)
v
2
(V)
PROBLEMA 6

t (s)

0 1 2 3
1
5

1
t (s)

D
PROBLEMA 8

20
LED
A

K
R
9 V
PROBLEMA 9
T
R
A

K
V
S

LED
R
2
LED
A

K
R
1

4 V
PROBLEMA 10

100
10
PROBLEMA 12

20
A

K
D

v
S
6 V
5
D

PROBLEMA 11

0,6 0,9
300
I
D
(mA)
V
D
(V)
A K
K

A
8
D
Z
0,5 0,8
50
I
D
(mA)
V
D
(V)
DIODO
D
DIODO D

- 5,5
V
89

PROBLEMA 15: O circuito fornecido um retificador com efeito de fonte simtrica. Para melhor entendimento do
mesmo, sugere-se sua implementao em um programa de simulao de circuitos eltricos, tipo PSPICE.

PROBLEMA 16: A figura dada mostra a representao de um determinado circuito com diodos, onde v
S
a varivel
de tenso de entrada (forma de onda traingular fornecida) e as variveis v
1
e v
2
as tenses de sada. Sabe-se que as
equaes das caractersticas de transferncia, e respectivas condies, para a sada v
1
so os dados fornecidos. Sabe-se
ainda que a sada v
2
se relaciona com sada v
1
atravs da equao: v
2
= v
1
+ 6. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o clculo realizado;
b) Explique o significado do valor da constante a obtido no item a);
c) Desenhe a forma de onda do sinal v
1
;
d) Desenhe a forma de onda do sinal v
2 .

PROBLEMA 17: Montou-se o circuito grampeador CC (figura dada), com o capacitor inicialmente descarregado e
visualizou-se em um osciloscpio as formas de onda da entrada v
S
e da sada v
o
mostradas. Pergunta-se: com base nos
dados obtidos, pode-se afirmar que h algum problema no circuito? Explique.

PROBLEMA 18: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rdio (figura dada). Explique o que
acontecer com o ripple da tenso de sada com relao a: 1) Volume do som ; 2) Tamanho (potncia) dos aparelhos.

PROBLEMA 19: O circuito dado um retificador conhecido como duplicador ou dobrador de tenso, onde o valor
mximo da fonte de entrada duplicado na sada. Para a entrada v
S
senoidal fornecida, obtenha a forma de onda da
tenso de sada v
o
entre os instantes 0 e 3. Considere os capacitores inicialmente descarregados e os diodos ideais.

PROBLEMA 20: O circuito dado tambm um retificador do tipo dobrador de tenso, onde os capacitores C
1
e C
2

so iguais. Como o transitrio deste circuito um tanto complexo, para o entendimento do mesmo sugere-se sua
implementao em um programa de simulao de circuitos eltricos, tipo PSPICE.

CIRCUITO v
S

v
1

v
2

PROBLEMA 16
v
1
= 4 V , para v
S
> 8 V
v
1
= a v
S
(V) , para 6 v
S
8 V
v
1
= b (V) , para v
S
< 6 V
-12
12
0 2 t

- 5
t 3
5
0 2
v
S
(V)
PROBLEMA 19
v
o
v
S
A K
K A
t = 0

C
1
C
2
D
1
D
2
D
2
v
S
PROBELMA 20

v
o
K

A

C
1
C
2
K

A

D
1
v
S
PROBLEMA 14

= declividade

= 1

v
o
v
S = 1

5

0

v
o
5
0

5

= 0,2

= 0,2

5

5

PROBELMA 15

+ V
C
K

A

D
1
K

A

D
2
K

A

D
3
K

A

D
4
C
1
C
2
V
C
0 V

PROBELMA 18

v
S
A K
C

D
PROBLEMA 17

v
S
C
K

A
D
escala 0,1 V/div

v
o
escala 0,1 V/div

90

PROBLEMA 21: Para o circuito dado, determinar:
a) O ngulo de conduo, de extino e o perodo de conduo da corrente no circuito.
b) As formas de onda das tenses v
L
e v
D
do circuito
Dados: v
S
= 2 sen(t) ; diodo: V
= 0,5 V , R
f
= 50 , I
S
= 0 A , R
r

PROBLEMA 22: Para o circuito dado, obtenha a forma de onda da tenso de sada v
L
na carga, para as entradas v
S

fornecidas (sinal de tenso triangular). Considere os diodos ideais.

PROBLEMA 23: Montou-se um circuito retificador de meia-onda empregando um termistor tipo NTC como carga
(circuito dado). A afirmao: o aumento da temperatura no termistor provocar um aumento no ripple da tenso de
carga est correta? Explique.

PROBLEMA 24: O circuito dado uma aplicao prtica de controle de luminosidade ambiente atravs do emprego
de um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.

PROBLEMA 25: Para o circuito dado, pede-se:
a) Dentre as hipteses existentes para os modos de operao dos diodos, explique quais so as realmente possveis;
b) Determine as caractersticas de transferncia e respectivas condies;
c) Determine a forma de onda da tenso de sada v
L
na carga, para um sinal de tenso de entrada v
S
= 5 + 15 sen(t) .
Dados: diodo D : V
= 0,5 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r

diodo D
Z
: V
= 0,5 V , R
f
= 0 , I
S
= 0 A , R
r
, V
Z
= 9,5 V , R
Z
= 0

PROBLEMA 26: Para o circuito dado, determine a expresso da tenso v
L
na carga para v
S
= 0,1 sen(t) como sinal
de tenso de entrada. Considere a temperatura de 29
o
C. Dados: diodo D de germnio, com V
= 0,3 V e R
f
= 5 .

PROBLEMA 27: Para o circuito fornecido, considere a ddp v
L
como a varivel de sada do circuito. Pede-se:
a) Dentre as hipteses existentes para os modos de operao dos Zeners, explique quais so as realmente possveis;
b) Determine as caractersticas de transferncia do circuito e respectivas condies;
c) Desenhe a forma de onda de v
L
para uma entrada v
S
= 15 sen(t).
Dados: caractersticas tenso-corrente linearizadas dos Zeners empregados.

PROBLEMA 28: O circuito dado um retificador com efeito de multiplicador de tenso por um valor inteiro n igual
ao nmero de pares diodo-capacitor. Como o transitrio deste circuito um muito complexo, para o entendimento do
mesmo sugere-se sua implementao em um programa de simulao de circuitos eltricos, tipo PSPICE.
v
S
A

K
K

A
D
Z
D

200
500
v
L
PROBLEMA 25
v
S
C
A K
D
PROBLEMA 23
T
R
T

PROBLEMA 24
A K
D
S
1
S
2

220 V

interruptor duplo

L

D
1
4 V
100
400
v
S
PROBLEMA 22

v
S
(V)
10

- 10

0

2

t

v
S
A K
v
L
450
v
D
D

PROBLEMA 21

A

K
K

A
D
2
4 V
v
L
v
S
(V)
-
10
0

2

t

4

v
S
500
5 V
A K
D

v
L
PROBLEMA 26
v
L
v
S
A K
A K
10
D
Z1
D
Z2
I
D

V
D
(V) 0 0,7
-7
Zener D
Z1

I
D

V
D
(V) 0 0,5
-5
Zener D
Z2

PROBLEMA 27
91

PROBLEMA 29: Montou-se o circuito dado e visualizou-se em um osciloscpio as formas de onda de tenso de
entrada v
S
e de sada v
o
, obtendo-se as telas mostradas. Pergunta-se: h algum problema no circuito? Se sim, aponte
um problema e explique. Se no, explique o funcionamento do circuito.

PROBLEMA 30: Montou-se um circuito regulador de tenso com Zener para regular a tenso na carga R
L
em 3 V
(circuito dado). Com um osciloscpio, mediu-se a forma de onda da tenso da entrada V
S
(tela fornecida). As
especificaes do Zener empregado no circuito so: I
ZK
= 50 mA, V
Z
= 3 V e P
Z
= 600 mW. Determine a faixa de
valores da resistncia de carga R
L
para que o circuito consiga efetivamente regular a tenso na carga em 3 V.

PROBLEMA 31: Diodos LEDs caracterizam-se por apresentar pequena tenso reversa mxima, em
torno de 5 V. Explique porque o arranjo de um LED com diodo dadp ao lado pode evitar a queima do
LED por uma eventual tenso reversa aplicada no mesmo.

PROBLEMA 32: Deseja-se montar um regulador de tenso com Zener para regular em 16 V a tenso numa carga R
L
.
Para isso, ser necessrio utilizar dois diodos Zener (figura dada), cujas especificaes so:
Zener D
Z1
: V
Z
= 9 V , I
ZK
= 5 mA , I
ZM
= 100 mA
Zener D
Z2
: V
Z
= 7 V , I
ZK
= 3 mA , I
ZM
= 90 mA
A carga R
L
poder operar a vazio ou dissipar uma potncia mxima de 1,0 W. Determine a faixa de tenso de entrada
V
S
para que ocorra efetivamente uma regulao de tenso na carga RL em 16 V . Explique o clculo realizado.

PROBLEMA 33: Deseja-se construir um regulador Zener (figura dada) com o objetivo de regular a tenso na
resistncia de carga R
L
em 13 V. Para isso, dispe-se de cinco tipos de Zeners (01 de cada), para serem usados em
ligao srie, cujas especificaes de ruptura so descritas a seguir:
Zener 1 : V
Z
= 6 V , I
ZK
= 3,2 mA , I
ZM
= 33 mA
Zener 2 : V
Z
= 5 V , I
ZK
= 3,5 mA , I
ZM
= 36 mA
Zener 3 : V
Z
= 2 V , I
ZK
= 2,5 mA , I
ZM
= 34 mA
Zener 4 : V
Z
= 3 V , I
ZK
= 4,0 mA , I
ZM
= 35 mA
Zener 5 : V
Z
= 8 V , I
ZK
= 3,0 mA , I
ZM
= 40 mA
A tenso de entrada V
S
do regulador Zener pode variar entre 14 e 15 V. O regulador deve ainda alimentar uma carga
R
L
que pode variar entre 800 e 2 k. Com base nos dados fornecidos sobre o regulador, determine uma combinao
possvel desses Zeners para que se consiga efetivamente regular a tenso na carga R
L
em 13 V e explique o clculo
realizado. Caso no haja uma combinao possvel, explique o porqu.

K

A
V
S
D
Z
50
R
L
PROBLEMA 33
K

A
K

A
V
S
D
Z1
D
Z2
40
R
L
PROBLEMA 32
D
1
carga
D
2 D
3
D
4 D
n-1
C
1
C
2
C
3
C
4
C
n-1
D
n
C
n
v
S
PROBLEMA 28
V
S
K

A
R
L

D
Z
40
Escala: 2V/div
PROBLEMA 30
escala 2V/div

escala 2V/div

v
S
R
A

K
D
v
o
PROBLEMA 29

K A
A K

92
CAPTULO 5: DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR -II II II II: O TRANSISTOR
BIPOLAR DE JUNO

5.1) INTRODUO

O Transistor Bipolar de Juno, conhecido como TBJ ou BJT, outro importante dispositivo semicondutor,
empregado tanto em comutao (chaveamento) como amplificao de sinais. O TBJ um triodo, pois se constitui de
trs substratos semicondutores. Foi inventado em 1951 por Schockley e equipe, vindo a substituir imediatamente as
vlvulas, que consumiam muita energia, nos equipamentos eletrnicos da poca, bem como possibilitar novas
invenes, tais como circuitos integrados, microprocessadores e microcontroladores. Assim, atualmente, praticamente
todos os equipamentos eletrnicos projetados usam estes componentes.

5.2) O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

5.2.1) ASPECTOS FSICOS E NOMENCLATURAS

Um transistor bipolar de juno consiste basicamente em um cristal de silcio, ou germnio, constitudo de um
substrato semicondutor tipo P entre dois substratos tipo N, chamado Transistor NPN (Fig. 5.2.1-a), ou um substrato N
entre dois substratos P, chamado Transistor PNP (Fig. 5.2.1-b). Os transistores de silcio, como no caso dos diodos,
so mais amplamente utilizados que os de germnio porque oferecem especificaes de tenses e correntes mais altas,
menor sensibilidade temperatura e menor corrente reversa.

As Figs. 5.2.1-a e b mostram, ento, os trs substratos constituintes de um transistor, conhecidos como
emissor (cujo terminal denominado E), base (B) e coletor (C). Alguns aspectos fsicos destes substratos so:
1) Emissor: o substrato mais densamente dopado dos trs, porque sua funo injetar portadores livres (eltrons
livres no NPN e lacunas no PNP) na base, o que significa que o mesmo fornece os portadores de carga livre para o
funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermedirio entre a base e o coletor.
2) Base: levemente dopada e possui a menor dimenso dos trs substratos, porque sua funo permitir que a
maioria dos portadores livres injetados pelo emissor passe para o coletor.
3) Coletor: possui um nvel de dopagem intermedirio entre a dopagem densa do emissor e a dopagem fraca da base
e sua funo coletar os portadores livres que vm da base. O coletor possui a maior dimenso fsica dos trs
substratos porque deve dissipar mais calor que a base ou o emissor.
Por ser formado por trs substratos, analisando-se as Figs. 5.2.1-a e b nota-se tambm que o TBJ se assemelha
a dois diodos, pois se constitui de duas junes PN:
1) A juno coletorbase, denominada J
C
, que compe o chamado diodo coletor-base, ou simplesmente diodo coletor.
2) A juno emissorbase, denominada J
E
, que compe o chamado diodo emissor-base, ou diodo emissor.
A representao esquemtica dos dois tipos de TBJ, NPN e PNP, dada nas Figs. 5.2.1-c e d, respectivamente,
onde a seta no terminal do emissor indica o sentido da corrente neste terminal quando a juno emissor-base (diodo
emissor) est polarizada diretamente e operando na sua regio de conduo (corrente direta do diodo emissor).
Como visto no Captulo 4, o diodo de juno bipolar tem duas variveis mensurveis em seus terminais: a
corrente I
D
que flui no mesmo e a ddp V
D
entre seus terminais. Porm, pelo fato de apresentar trs terminais, no TBJ
so determinadas seis variveis, mostradas na Fig. 5.2.2-e como exemplo para um TBJ NPN:
a) As correntes no terminal emissor (I
E
), no terminal coletor (I
C
) e no terminal base (I
B
). Tem-se ento que, se forem
invertidos os sentido destas correntes, as mesmas passam a ter sinal contrrio.
P
N
N
C
B
E
N
P
P
C
B
E
emissor
coletor
base
J
C

J
E

J
C

J
E

(a) (b) (c) (d) (e)
E
B
C
E
B
C
Fig. 5.2.1: Aspectos fsicos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; smbolos esquemticos: (c) NPN e (d) PNP;
(e) variveis de tenso e corrente do TBJ.
E
B
C
V
CE

V
CB

V
BE

I
B

I
C

I
E

PNP
NPN
CAPTULO 5: Dispositivos a semicondutor II : o transistor bipolar de juno
93

b) As ddps entre o coletor e o emissor (V
CE
ou V
EC
), entre o coletor e a base (V
CB
ou V
BC
) e entre a base e o emissor
(V
BE
ou V
EB
). Tem-se, ento, que: V
CE
= -V
EC
, V
CB
= -V
BC
e V
BE
= -V
EB
.
O sentido positivo de correntes e tenses depende de como o TBJ est operando, isto , do modo de operao.
Assim, nesta apostila convencionou-se adotar o sentido positivo esperado das mesmas em cada modo de operao.
Como o substrato emissor tem a funo de fornecer os portadores majoritrios para a conduo do TBJ, o fluxo
de majoritrios ser de lacunas no PNP e de eltrons livres no NPN. Isto significa que o sentido positivo das correntes
e tenses envolvidas no funcionamento de um PNP oposto s de um NPN pois, para um mesmo modo de operao,
as polarizaes dos diodos emissor e coletor so opostas. Conclui-se, ento, que o PNP o complemento do NPN.

5.2.2) TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO NO POLARIZADO

Como visto no item 5.2.1, o TBJ formado por duas junes PN.
Ento, de acordo com a teoria vista no Captulo 4, em cada uma dessas
junes aparecer uma regio de depleo (Fig. 5.2.2 para o NPN), com
as conseqentes barreiras de potencial, necessrias para que nenhum
portador cruze as junes e, desse modo, as correntes eltricas no TBJ
no polarizado so nulas.
Devido ao fato das trs regies do TBJ terem diferentes nveis de
dopagem, as camadas de depleo J
E
e J
C
que geram as barreiras de
potencial no possuem a mesma largura, pois, como visto no Captulo 4,
quanto mais densamente dopada uma regio, maior a concentrao de
ons prximos juno e menor a camada de depleo e, assim, a camada de depleo EB na juno emissor-base
menor que a de depleo CB na juno coletor-base, tal como exemplificado na Fig. 5.2.2.

5.2.3) FONTE DE CORRENTE CONTROLADA POR CORRENTE

Fontes controladas so circuitos onde um de seus parmetros, geralmente designado por varivel de sada,
controlado por outro de seus parmetros, designado, ento, por varivel de entrada. Quando a varivel de sada possui
um ganho em relao varivel de entrada, estas fontes podem ser utilizadas como dispositivos de amplificao de
sinais. Outro uso das mesmas em comutao, como uma chave liga-desliga controlada.
Uma fonte de corrente controlada por corrente (denominada FCCC) um dispositivo de trs terminais, um
dos quais comum aos outros terminais (ou malhas) de entrada e sada, e na qual o valor de sua corrente de sada
controlado por sua corrente de entrada. A Fig. 5.2.3 mostra um exemplo de circuito contendo uma fonte deste tipo. As
correntes I
1
e I
2
= I
1
( = ganho de corrente) so as variveis de corrente de entrada e sada, respectivamente, da
fonte controlada, e V
o
= V
2
R
2
I
2
a tenso de sada desta fonte. Analisando este circuito, observa-se que:
1) Se I
2
> I
1
, ento o ganho de corrente entre as correntes de
entrada e sada maior que 1. Este comportamento pode, ento, ser
aproveitado como efeito amplificador de sinais.
2) Se a tenso da fonte V
1
for nula, I
1
e I
2
tambm sero nulas e a
tenso de sada V
o
ser igual tenso da fonte V
2
. Desse modo, a
fonte controlada comporta-se como uma chave aberta para a sada.
3) Porm, se o valor de I
1
determinar um valor de I
2
tal que esta ltima
provoque uma queda de tenso na carga R
2
igual a V
2
, ento tem-
se que V
o
= V
2
R
2
I
2
= 0 e a fonte controlada comporta-se como
uma chave fechada para a sada. Desse modo, as observaes 2 e 3
representam o comportamento de uma chave liga-desliga.
Os TBJs so amplamente empregados em diversos tipos de circuitos
porque seu funcionamento se assemelha ao de uma fonte de corrente
controlada por corrente, o que explicado a seguir.

5.2.4) O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO POLARIZADO: MODOS DE OPERAO

Como visto, o TBJ possui duas junes PN que se assemelham a diodos. Logo, espera-se que cada um destes
diodos possa ser polarizado em conduo (a partir de uma determinada tenso de limiar) ou corte, com conseqentes
alteraes nas camadas de depleo EB e CB. Existem, ento, quatro maneiras de polarizar simultaneamente estes
diodos, o que define os quatro modos de operao do TBJ: saturao, bloqueio, ativo direto e ativo reverso.
Como ser visto mais adiante, o emprego de um TBJ se define por uma corrente de entrada e outra de sada
do TBJ. A terceira varivel de corrente ser, portanto, funo dessas correntes e a mesma define o terminal comum s
chamadas malhas de entrada e de sada e, desse modo, as chamadas configuraes do TBJ. Assim, se este terminal
comum for a base, define-se ento a ligao base comum (BC), se o emissor, emissor comum (EC), e se o coletor,
J
E
J
C

EB CB
C
B
E
Fig. 5.2.2: Camadas de depleo num
TBJ NPN no polarizado.
lacuna
eltron livre eltron livre
I
1
V
o
R
2
V
1 V
2
I
2
= I
1

I
1 1
2

3

R
1
fonte de corrente controlada por corrente
entrada sada
Fig. 5.2.3: Circuito com fonte de corrente
controlada por corrente.
3

94

coletor comum (CC). Para melhor entendimento, no breve estudo dos modos de operao, a seguir sero vistos
circuitos de polarizao de um TBJ NPN (a anlise para o PNP anloga), por convenincia ligado em base comum.
1) MODO ATIVO DIRETO: esta regio de operao do TBJ atingida quando o diodo emissor polarizado na sua
regio de conduo e o diodo coletor na sua regio de corte (circuito na Fig. 5.2.4-a).
Assim, com base na teoria do Captulo 4, quando a ddp no diodo emissor for maior que a sua tenso de limiar,
o diodo emissor conduz uma corrente direta, vindo a se constituir na corrente de emissor I
E
, ou seja, eltrons livres
do emissor (portadores majoritrios do substrato emissor tipo N) fluem para a base (tipo P), tornando-se, portanto,
minoritrios (Fig. 5.2.4-b). Como o substrato base fino e levemente dopado, ocorre uma pequena captura destes
portadores devido s recombinaes dos eltrons injetados com as lacunas da base, vindo a se constiturem na
corrente de base I
B
, mas a grande maioria dos eltrons injetados possui tempo de vida mdio suficiente para
alcanar a camada de depleo da juno coletor-base (Fig. 5.2.4-b). Como o campo eltrico em uma camada de
depleo acelerante para os minoritrios e o diodo coletor est no corte, os eltrons injetados constituiro na
corrente reversa do diodo coletor e, desse modo, os mesmos conseguiro atingir o substrato coletor, vindo a se
constiturem na corrente de coletor I
C
, que ser, portanto, aproximadamente igual corrente de emissor I
E
, pois a
corrente de base I
B
ser pequena. A conseqncia deste efeito ser que a polarizao do diodo emissor ajusta o
valor da corrente de entrada I
E
e, conseqentemente, da corrente de sada I
C
, independentemente de variaes em
R
C
ou V
CC
(Fig. 5.2.4-a), pois o substrato emissor que fornece os portadores livres para o TBJ conduzir. Assim,
na regio ativa direta que o TBJ funciona efetivamente como fonte de corrente (I
C
) controlada por corrente (I
E
).
A Fig. 5.2.4-c mostra esta explicao sob o ponto de vista das bandas de energia. Como o diodo emissor est
em conduo, eltrons livres do substrato emissor adquirem energia suficiente para ocupar rbitas disponveis na
banda de conduo da base (I
E
). Alguns desses eltrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir
como eltron de valncia para o terminal da base (I
B
), mas a grande maioria tem vida mdia suficiente para atingir
a juno coletor-base, ocupar rbitas disponveis na banda de conduo do coletor e fluir para o seu terminal (I
C
).
Um outro aspecto desta discusso que, com o diodo coletor no corte, a banda de conduo no coletor est a
um nvel abaixo da banda de conduo da base e esta diferena tanto maior quanto maior a tenso reversa no
diodo coletor. Logo, ao penetrar no substrato coletor, os eltrons liberam energia, principalmente na forma de calor
(Fig. 5.2.4-c). Esta a razo do coletor ser a maior das trs regies, pois ele deve ser capaz de dissipar este calor.

Como na regio ativa direta do TBJ que surge o efeito fonte de corrente controlada por corrente, pode-se
definir um ganho entre a corrente de sada e a de entrada, dado por:
E
C
F
I
I
= (5.2.1)
onde
F
chamado ganho de corrente direta em base comum e tem valor aproximadamente igual a 1 porque, como
visto, I
C
e I
E
so aproximadamente iguais. Como ser visto, na configurao emissor comum do TBJ, a corrente de
entrada passa a ser a corrente de base I
B
, sendo a corrente de coletor I
C
a de sada, isto , I
B
controla I
C
. Assim, o
chamado ganho
F
de corrente direta do TBJ em emissor comum, tambm chamado ganho CC, definido por:
B
C
F
I
I
= (5.2.2)
onde o ganho
F
pode assumir valores bem mais elevados que
F
, tipicamente entre 50 e 600, porque I
B
, como
visto, normalmente bem menor que I
C
. Analisando-se a Fig. 5.2.4-a nota-se ainda que I
E
= I
C
+ I
B
. Aplicando as
Eqs. 5.2.1 e 5.2.2 nesta equao obtm-se que os ganhos
F
e
F
no so independentes e esto relacionados por:
F
F
F
=
1
(5.2.3)
2) MODO SATURADO: esta regio de operao atingida quando ambos os diodos emissor e coletor do TBJ esto
polarizados em conduo (circuito na Fig. 5.2.5-a). Esta denominao reside no fato de que a saturao pode ser
alcanada mantendo-se o diodo emissor em conduo e levando-se o diodo coletor tambm para a conduo. Neste
ponto, a corrente reversa do diodo coletor quando no modo ativo direto, passa a sofrer uma oposio pois o diodo
coletor tende a conduzir tambm uma corrente direta. Isto acarreta na perda do controle da corrente do coletor pela
corrente de emissor, ou seja, aumentos em I
E
no so mais refletidos em I
C
e diz-se, ento, que o TBJ saturou.
BV
BC
emissor base coletor
N P N
dissipao
de calor

J
E
J
C

recombinao
(a) (b) (c)
E
B
C
I
E
R
E
V
EE
I
C
R
C
V
CC
I
B
V
BE
V
CB
entr.

sada

Fig. 5.2.4: Modo ativo direto do TBJ: (a) circuito de estudo; (b) correntes no TBJ; (c) bandas de energia.

E

N

P

N

B

campos das barreiras de potencial

e-

C

I
E
I
C
I
B
N N
P
95

Logo, os modos saturado e ativo direto so contguos e, desse modo, o sentido das correntes se mantm iguais aos
do modo ativo direto, devido corrente de coletor no se inverter imediatamente. Como a tenso no diodo coletor
(V
BC
) da ordem de uma tenso de limiar, trata-se de uma situao com tenso de sada (V
BC
) baixa e corrente de
sada (I
C
) elevada, o que pode se configurar no comportamento de uma chave fechada para a sada.

3) MODO CORTE OU BLOQUEADO: esta regio atingida quando ambos os diodos emissor e coletor do TBJ
so polarizados no corte (circuito na Fig. 5.2.5-b), isto , com tenso menor que as respectivas tenses de limiar,
ou mesmo reversas. Com os dois diodos no corte, as correntes de emissor e coletor so da ordem de correntes
reversas e, assim, a queda de tenso em R
C
desprezvel e a tenso de sada V
CB
ser aproximadamente igual da
fonte V
CC
. Trata-se, ento, de uma situao de comportamento de chave aberta para a sada.
4) MODO ATIVO REVERSO: esta regio de operao atingida quando o diodo emissor est no corte e o diodo
coletor em conduo (circuito na Fig. 5.2.5-c, com os sentidos das correntes esperados, isto , positivos). Percebe-
se, ento, que estas polarizaes so contrrias s do modo ativo direto, ou seja, o coletor passa a executar a funo
do emissor e vice-versa. Logo, o funcionamento do TBJ anlogo ao ativo direto, isto , opera como fonte de
corrente controlada por corrente. Assim, o chamado ganho de corrente reversa em base comum
R
ser dado por:
C
E
R
I
I
= (5.2.4)
de valores tpicos entre 0,5 e 0,85 porque o coletor no possui a densidade de portadores livres do emissor para
desempenhar a funo de fornecer os portadores para o funcionamento do TBJ e, assim, I
B
comparvel a I
C
.
Logo, o chamado ganho de corrente reversa
R
do TBJ em emissor comum ser:
B
E
R
I
I
= (5.2.5)
Na Fig. 5.2.5-c nota-se que I
C
= I
E
+ I
B
. Logo,
R
e
R
no so independentes e esto relacionados por:

R
R
R
=
1
(5.2.6)
onde o ganho
R
tem valores tpicos entre 1 e 6 porque I
B
tambm comparvel a I
E
. Assim, este modo de
operao raramente empregado, tendo apenas algumas aplicaes em circuitos digitais e de comutao analgica.

Como ser visto, as regies de saturao e corte situam-se nos extremos da regio ativa direta. Logo, operar o
TBJ como chave liga-desliga consiste, ento, de uma polarizao intensa (saturao) ou fraca (corte) dos seus diodos.
A Tab. 5.2.1 resume os modos de operao do TBJ de acordo com as polarizaes de seus diodos.

MODOS DE OPERAO DO TBJ
DIODOS DO TBJ Ativo Direto Saturado Bloqueado (corte) Ativo Reverso
Diodo Emissor conduo conduo corte corte
Diodo coletor corte conduo corte conduo
Tab. 5.2.1: Modos de operao do TBJ e respectivas polarizaes de seus diodos.

5.3) O EFEITO EARLY

Como visto na Fig. 5.2.2, o TBJ possui duas camadas de depleo: emissor-base (EB), que forma o diodo
emissor (J
E
), e coletor-base (CB), que forma o diodo coletor (J
C
). Como estas camadas penetram na regio da base, a
largura da mesma entre as duas camadas a que efetivamente possui portadores de carga livres, e chamada, ento,
de largura efetiva da base. No Captulo 4 foi visto que a largura de camadas de depleo pode diminuir ou aumentar
quando as junes so polarizadas direta ou reversamente, respectivamente. Desse modo, a largura efetiva da base
poder aumentar ou diminuir de acordo com as polarizaes nos diodos emissor e coletor.
E
B
C
I
E
R
E
V
EE
I
C
R
C
V
CC
I
B
V
BE
V
BC
entr.

sada

(a)

E
B
C
I
E
R
E
V
EE
I
C
R
C
V
CC
I
B
V
EB
V
CB
entr.

sada

(b)

C
B
E
I
C
R
C
V
CC
I
E
R
E
V
EE
I
B
V
BC
V
EB

entr.

sada

(c)

Fig. 5.2.5: Circuitos de estudo para os modos de operao do TBJ: (a) modo saturado; (b) modo corte
ou bloqueado; (c) modo ativo reverso.
N N
P
N N N
P
N
P
96

Anteriormente foi discutido que a largura da camada de depleo de J
E
menor que a largura da camada de
depleo de J
C
. Supondo um TBJ na regio ativa direta, isto , a juno J
E
em conduo e a juno J
C
em polarizao
reversa, pode-se, ento, considerar que a largura efetiva da base modulada apenas devido polarizao da juno J
C
.
Desse modo, a largura efetiva da base diminui com o aumento da tenso reversa em J
C
porque a camada de depleo
CB aumenta, e vice-versa. Esta modulao da largura da base conhecida por Efeito Early e tem trs conseqncias:
1) O estreitamento da largura efetiva da base provoca um aumento da concentrao de portadores majoritrios na
prpria base, o que acarreta num aumento na diferena de concentraes de portadores entre o emissor e a base.
Como estudado na teoria do Captulo 3, correntes de difuso so proporcionais ao gradiente de concentrao de
portadores. Como a corrente de emissor I
E
do tipo direta e, portanto, de difuso (vide Captulo 4), ento I
E

aumenta com o aumento da tenso reversa no diodo coletor (J
C
) devido ao aumento na diferena (gradiente) de
concentrao de portadores entre o emissor e a base.
2) O estreitamento da base provoca um aumento no tempo de vida mdio dos portadores injetados na base vindos do
emissor, isto , mais portadores injetados na base conseguem alcanar o substrato coletor, o que significa menor
possibilidade de recombinao na base. Desse modo, o aumento da tenso reversa no diodo coletor provoca uma
diminuio na corrente de base I
B
, o que significa que a corrente de coletor I
C
se aproxima mais da corrente de
emissor I
E
. Conseqentemente, de acordo com as Eqs. 5.2.1 e 5.2.2, os ganho de corrente direta em base comum
(
F
) e emissor comum (
F
) aumentam, pois I
C
aumenta e se aproxima de I
E
, e I
B
diminui. Conclui-se, ento, que os
ganhos de corrente do TBJ no so constantes e aumentam como o aumento da tenso reversa no diodo coletor.
3) Para tenses reversas muito elevadas em J
C
, a largura efetiva da base pode ser reduzida a zero, isto , a camada de
depleo na juno J
C
alcana a da juno J
E
. Isto pode causar uma corrente de emissor excessivamente grande,
causando a ruptura do TBJ, que conhecida como perfurao ou punch-through.
O fato da modulao da largura efetiva da base provocar alteraes nas correntes I
E
e I
C
e, conseqentemente, em
F
e
F
, o Efeito Early acarretar em deslocamentos nas caractersticas tenso-corrente de entrada e sada das
configuraes BC, EC e CC do TBJ, o que ser estudado a seguir.

Comentrio: Como visto no Captulo 4, outra forma de ocorrer a ruptura do TBJ devido a multiplicao por efeito
avalanche da corrente reversa no diodo coletor, quando da aplicao de uma tenso reversa em J
C
maior que a mxima
permitida sob condies de J
E
em aberto (corrente mais adiante definida por I
CBO
). Assim, o limite da tenso reversa
mxima na juno J
C
determinado pelo menor valor de ruptura por avalanche ou por punch-through.

5.4) CONFIGURAES DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

Como mencionado, a escolha de quais correntes adotar como sendo de entrada e de sada de um TBJ define
tambm qual terminal ser comum malhas de entrada e sada e, assim, as trs configuraes do TBJ. Porm, como a
corrente de base I
B
relativamente pequena, a mesma no empregada como corrente de sada de um circuito, pois
no seria eficiente ter-se uma corrente relativamente elevada (I
E
ou I
C
) controlando uma corrente relativamente muito
menor (I
B
), ou grandes potncias controlando pequenas potncias. Logo:
1) Configurao base-comum (BC): a corrente de emissor a corrente de entrada do TBJ e a corrente de coletor a de
sada, ou seja, o terminal da base comum aos terminais do emissor, que comporo a malha de entrada, e do
coletor, que comporo a malha de sada ou de carga (Fig. 5.4.1-a).
2) Configurao emissor-comum (EC): a corrente de base a corrente de entrada do TBJ e a corrente de coletor a
de sada, ou seja, o terminal do emissor comum aos terminais da base e do coletor (Fig. 5.4.1-b);
3) Configurao coletor-comum (CC): a corrente de base a corrente de entrada do TBJ e a corrente de emissor a
de sada, ou seja, o terminal do coletor comum aos terminais da base e do emissor (Fig. 5.4.1-c).

sada
entrada
C
B
E E
B
C
(a) (b) (c)
Fig. 5.4.1: Aspectos simplificados das configuraes dos TBJs NPN e PNP, sem os resistores de
polarizao do circuito: (a) base comum; (b) emissor comum; e (c) coletor comum.
I
E
I
C

I
B

I
C

sada
entrada
E
B
C I
C

sada
entrada
E
B
C
I
B

I
E

sada
entrada
C
B
E
I
B

I
E

entrada sada
E
B
C I
E
I
C

entrada sada
I
B

97

Como o funcionamento dos modos de operao dependem apenas de como so polarizados os diodos emissor
e coletor do TBJ, os quatro modos de operao podem ser alcanados em cada uma das trs configuraes do TBJ e,
portanto, os modos de operao independem da configurao em que se encontra o TBJ.
Tal como o diodo, a forma de visualizar o comportamento de um TBJ atravs de grficos que relacionam
variveis de corrente e tenso (caractersticas V-I), sendo tais grficos, no entanto, mais complexos, pois o TBJ tem
mais parmetros a estudar e podem ser levantados grficos para as malha de entrada e de sada. Alm disso, para
traar estas caractersticas necessrio fixar uma terceira varivel para estabelecer uma condio de funcionamento
bsica do TBJ, sendo esta varivel um parmetro de sada para a caracterstica de entrada e um parmetro de entrada
para a caracterstica de sada. Sendo o ativo reverso pouco utilizado, ele no ser abordado nas anlises a seguir.

5.4.1) CONFIGURAO BASE COMUM (BC)

Para o entendimento do comportamento do TBJ na configurao base comum, ser empregado, como
exemplo, um circuito polarizador de um TBJ PNP. Para o TBJ NPN, a anlise anloga.
Seja o circuito apresentado na Fig. 5.4.2-a, que apresenta o TBJ na configurao base comum, pois observa-
se que o terminal da base comum s malhas de entrada e sada, e onde as tenses e correntes do TBJ esto no
sentido positivo esperado. Neste circuito, admite-se ser possvel variar positiva e negativamente as tenses das fontes
de V
EE
e V
CC
. As caractersticas V-I de entrada e sada do TBJ em base comum so, ento, a seguir estudados:

(1) CARACTERSTICA DE ENTRADA: no circuito da Fig. 5.4.2-a nota-se que a corrente direta I
E
e a tenso
direta V
EB
so as entradas do TBJ. Logo, curvas I
E
x V
EB
constituem-se na caracterstica de entrada do TBJ em BC
(Fig. 5.4.2-b), onde a tenso reversa entre base e coletor (V
BC
) a varivel fixada. Esta famlia de curvas traada
com a fonte V
EE
polarizando diretamente o diodo emissor (V
EB
> 0) e a fonte V
CC
reversamente o diodo coletor
(V
BC
> 0). Traa-se tambm as curvas para coletor em aberto (onde I
C
= 0) e em curto para a base (V
BC
= 0).
Atravs da caracterstica de entrada para o coletor em aberto (I
C
= 0), nota-se que estas curvas representam
as caractersticas V-I de um diodo: o diodo emissor. Portanto, sabe-se ento que existe uma tenso de limiar, de
aproximadamente 0,5 V, tambm para diferentes valores de tenso V
BC
, abaixo da qual a corrente de emissor
desprezvel. Nota-se ainda que as caractersticas de entrada variam de acordo com o valor de V
BC
fixado. Tal fato
se deve ao Efeito Early, pois, para um valor constante de V
EB
(vide Fig. 5.4.2-b), o Efeito Early provoca um
crescimento em I
E
quando se eleva a tenso reversa V
BC
.
A caracterstica de entrada com o coletor aberto traada tambm para V
EB
negativo, onde nota-se uma corrente
de saturao no diodo emissor de valor I
EO
, chamada corrente de emissor reversa com o coletor em aberto.
(2) CARACTERSTICA DE SADA: no circuito da Fig. 5.4.2-a nota-se que a corrente de coletor I
C
a corrente de
sada e a ddp V
BC
a tenso de sada do TBJ. Logo, curvas I
C
x V
BC
formam a caracterstica de sada do TBJ em base
comum (Fig. 5.4.2-c), onde a corrente de emissor I
E
a varivel fixada. Esta famlia de curvas traada com a
fonte V
EE
polarizando diretamente o diodo emissor e a fonte V
CC
polarizando o diodo coletor no corte (quando
tem-se V
BC
> -0,5 V) ou em conduo (quando V
BC
-0,5 V). Nesta famlia de curvas pode-se distinguir as trs
regies de operao com aplicaes prticas de um TBJ:
(2.1) Regio ativa direta: a regio da caracterstica em que V
BC
> -0,5 V (J
C
no corte) e I
E
> 0 (J
E
em conduo),
caracteriza, como visto, o modo ativo direto de um TBJ. Esta regio estende-se at valores limites de ruptura e
nota-se que suas curvas apresentam uma leve inclinao, devida tambm ao Efeito Early, pois, como visto, o
aumento da tenso reversa V
BC
provoca um pequeno aumento da corrente de coletor I
C
devido diminuio
da recombinao na base, ou seja, o ganho
F
no constante nesta regio. Apesar disso, nota-se que I
C

mantm seu valor aproximadamente constante medida que V
BC
aumenta, pois, como I
C
=
F
I
E
(Eq. 5.2.1) e
F
1, ento I
C
I
E
. Isto , ento, similar ao comportamento de uma fonte de corrente (I
C
) que controlada
por uma corrente (I
E
). devido a este comportamento de fonte controlada que, como dito, o TBJ pode
efetivamente executar uma funo amplificadora. Na caracterstica nota-se ainda o valor de ruptura BV
CBO

para I
E
= 0, chamado tenso de ruptura entre coletor e base com o emissor aberto.
E
B
C
I
E
R
E
V
EE
I
C
R
C
V
CC
I
B
V
EB
V
BC
entr.

sada

Fig. 5.4.2: (a) circuito de estudo com TBJ PNP em base comum; (b) caracterstica de entrada em base comum de
um PNP; (c) caracterstica de sada em base comum de um PNP.
(a) (b) (c)
I
E
(mA)
0,5 V
EB
(V)
I
EO

V
BC
= 0 V
coletor em
aberto
(I
C
= 0)
V
BC
= 10 V
V
BC
= 5 V
-0,5 0,5 1,0 1,5
regio ativa direta
regio de corte
I
C
(mA)
I
E
= 10 mA
I
E
= 20 mA
I
E
= 30 mA
10
20
30
regio de
saturao
I
CO

I
E
= 0
reta de
carga
Q
Q
ruptura
V
BC
(V)
BV
CBO
- 0,8
N
P
P
98

(2.2) Regio de saturao: a regio da caracterstica em que V
CB
-0,5 V (J
C
em conduo) e acima da curva
referente a I
E
= 0 (J
E
em conduo) a regio de saturao do TBJ PNP em base comum (ambos os diodos em
conduo). Esta regio caracteriza-se por um decrscimo em I
C
quando h um ligeiro aumento na polarizao
em conduo J
C
(Fig. 5.4.2-c), porque o mesmo tender a conduzir uma corrente direta, precisando, para isso,
primeiramente reduzir a zero a injeo de portadores vindos da base, que se constitui, como visto, numa
corrente reversa. Esta perda de controle implica, ento, que a relao I
C
=
F
I
E
no vale para esta regio.
Como visto, nesta regio o TBJ normalmente usado como chave fechada, pois V
BC
pequena e I
C
atinge
valores elevados (ponto de operao Q estabelecido na Fig. 5.4.2-c pela reta de carga I
C
= (V
CC
V
BC
)/R
C
).
(2.3) Regio de corte (bloqueio): diminuindo-se a tenso de polarizao do diodo emissor (V
EB
) pode-se leva-lo
ao corte, com conseqente reduo a zero da corrente emissor I
E
(ponto de operao Q estabelecido pela reta
de carga). Logo, na regio abaixo da curva I
E
= 0, ambos os diodos emissor e coletor esto no corte e, como
visto, esta a regio de bloqueio do TBJ. Como fazer I
E
= 0 corresponde a desconectar o terminal emissor do
circuito, a corrente do TBJ no corte definida por uma corrente de valor I
CO
chamada corrente reversa de
coletor para base com emissor em aberto (Fig. 5.4.2-c). Esta a condio terica para um TBJ no corte.

Comentrio: corrente reversa I
CO
adicionado mais duas componentes para formar a corrente reversa total no
diodo coletor: a de fuga superficial, proporcional ddp reversa aplicada, e a de multiplicao por avalanche (ruptura).
Nesta anlise dos modos de operao pode-se notar que o diodo coletor quase sempre polarizado no corte, razo
pela qual a sua corrente reversa muito importante na especificao de um TBJ, pois, por um motivo qualquer, o
terminal emissor pode se abrir. Assim, os fabricantes especificam a corrente reversa total mxima permitida pelo
nome I
CBO
, que bastante dependente da temperatura e dobra de valor a cada aumento de 10
o
C .

5.4.2) CONFIGURAO EMISSOR COMUM (EC)

A maior parte dos circuitos transistorizados apresenta o emissor ao invs da base como terminal comum. A
razo se deve ao fato de ser desejvel utilizar a pequena corrente da base como grandeza de controle em vez da
comparativamente grande corrente de emissor, como o caso da configurao base comum. Neste breve estudo da
configurao emissor comum ser agora utilizado o TBJ NPN como exemplo (o estudo do TBJ PNP anlogo).
Seja o circuito de estudo com um TBJ NPN, apresentado na Fig. 5.4.3-a (ligao conhecida como emissor
aterrado), onde tenses e correntes do TBJ esto no sentido esperado (positivo). Neste circuito nota-se que o potencial
do terminal emissor comum aos potenciais dos terminais da base e coletor, ou ainda, que o terminal emissor
comum s malhas de entrada e sada. Trata-se, ento, da configurao do TBJ conhecida como emissor comum.
Nesta configurao, a corrente de base I
B
(designada, ento, por corrente de entrada) e a tenso coletor-
emissor V
CE
(tenso de sada) so as variveis independentes (designadas, ento, por variveis de controle), ao passo
que a tenso base-emissor V
BE
(tenso de entrada) e a corrente de coletor I
C
(corrente de sada) so as variveis
dependentes (designadas, ento, por variveis controladas). A seguir sero estudadas as caractersticas tenso-corrente
de entrada e sada do circuito, para o estudo do comportamento do TBJ em emissor comum.

(1) CARACTERSTICA DE ENTRADA: como pode-se observar no circuito da Fig. 5.4.3-a, I
B
a corrente de
entrada e V
BE
a tenso de entrada do TBJ. Logo, curvas I
B
x V
BE
formam a caracterstica de entrada do TBJ em
emissor comum (Fig. 5.4.3-b), onde a ddp entre o coletor e o emissor (V
CE
) a varivel fixada.
Esta famlia de curvas traada com a fonte V
BB
polarizando diretamente o diodo emissor e com a fonte V
CC

controlando o potencial do coletor em relao base, conseguindo com isto colocar o diodo coletor em conduo
(quando V
CB
se inverte e atinge a tenso de limiar do diodo coletor) ou em corte (quando, por outro lado, V
CB
for
menor que a tenso de limiar do diodo coletor ou mesmo positivo). Para V
CE
= 0 V (terminais coletor e emissor
curto-circuitados), observa-se novamente que esta caracterstica essencialmente a do diodo emissor polarizado
Fig. 5.4.3: (a) circuito de estudo com TBJ NPN em emissor comum; (b) caracterstica de entrada em emissor
comum de um NPN; (c) caracterstica de sada em emissor comum de um NPN.
I
E
R
B
V
BB
I
C
R
C
V
CC
I
B
V
BE
V
CE
entr.

sada

(a) (b) (c)
E
B
C V
CB
I
B
(mA)
0 0,5 V
BE
(V)
V
CE
= 0 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V
I
C
(mA)
0 0,3 1,0 2,0 V
CE
(V)
I
B
= 0,3 mA
I
B
= 0,2 mA
I
B
= 0,1 mA
10
20
30
regio de
saturao
regio de
corte
I
B
= 0 I
CEO

ruptura
regio ativa direta
Q
V
CEQ

I
CQ

BV
CEO

Q
Q
reta de carga
P
N
N
99

diretamente. Nota-se ainda que estas caractersticas variam de acordo com o valor de V
CE
fixado (Fig. 5.4.3-b)
ocasionando que, um aumento de V
CE
com V
BE
constante, resulta em uma diminuio de I
B
(Fig. 5.4.3-b). Este
comportamento se deve novamente ao Efeito Early, pois, como visto, a diminuio da largura efetiva da base
provoca a diminuio da recombinao na mesma e, conseqentemente, a diminuio da corrente de base I
B
.
(2) CARACTERSTICA DE SADA: como pode-se observar no circuito da Fig. 5.4.3-a, I
C
a corrente de sada e
V
CE
a tenso de sada do TBJ. Logo, curvas I
C
x

V
CE
formam a caracterstica de sada do TBJ em emissor comum,
sendo a corrente de base I
B
a varivel fixada. Um exemplo de caracterstica de sada em emissor comum do TBJ
NPN apresentado na Fig. 5.4.3-c. Tal como na caracterstica de sada em base comum, esta caracterstica revela
as trs regies de operao com aplicaes prticas de um TBJ:
(2.1) Regio ativa direta: para melhor delimitar esta regio na caracterstica de sada sero feitos inicialmente
algumas anlises. Como visto, o modo ativo direto ocorre quando o diodo emissor est em conduo e o
diodo coletor no corte. Pelo circuito da Fig. 5.4.3-a nota-se que: V
CE
= V
BE
+ V
CB
. Um valor tpico de V
BE
para
o diodo emissor em conduo 0,7 V e a tenso de limiar do diodo coletor 0,5 V (valor tpico de um diodo,
visto no Captulo 4). Logo, quando V
BE
= 0,7 V e V
CB
= - 5 V (tenso direta no diodo coletor), tem-se, ento,
que o valor tpico de V
CE
neste ponto 0,2 V. Logo, para V
CB
> - 0,5 V tem-se que V
CE
cresce a partir de 0,2 V
e o diodo coletor entra decididamente no corte. Para assegurar este fato, convenciona-se, ento, que o limite
de V
CE
para o diodo coletor entrar no corte 0,3 V. Assim, na caracterstica de sada (Fig. 5.4.3-c), a regio
ativa direta corresponde regio das curvas para V
CE
acima do valor tpico 0,3 V (J
C
no corte), acima da curva
para I
B
= 0 (J
E
em conduo) e at a ruptura, regio tambm chamada de compliance.
Nesta regio pode-se notar que as curvas apresentam uma inclinao, isto , I
C
aumenta com o aumento
de V
CE
(I
C
no independe de V
CE
). Este comportamento se deve tambm ao Efeito Early, pois um aumento de
V
CE
provoca um aumento da polarizao no corte do diodo coletor (V
CB
aumenta), o que faz a largura efetiva
da base diminuir e, assim, I
C
aumentar, isto , o ganho de corrente
F
no constante e aumenta com V
CE
,
apresentando, portanto, valores distintos em cada ponto desta regio. Logo, a relao I
C
=
F
I
B
(Eq. 5.2.2), a
rigor, s vale pontualmente. Para clculos prticos, no entanto, pode-se definir um ganho
F
constante para
toda a regio ativa direta, o que corresponde a linearizar esta regio (linha tracejada mostrada na Fig.5.4.3-c),
isto , considera-se que I
C
independe de V
CE
, tal como uma fonte de corrente constante, e a relao I
C
=
F
I
B

passa a valer, ento, para toda a regio ativa direta. Como visto, nesta regio, na qual ocorre o comportamento
fonte de corrente (I
C
) controlada por corrente (I
B
), que um TBJ executa sua funo amplificadora.
Nota-se ainda que as inclinaes das curvas de sada para o TBJ em emissor comum so maiores que em
base comum, isto , o ganho
F
mais sensvel ao Efeito Early. Exemplificando: supondo que
F
varie de
0,995 para 0,996 (aumento de 0,1%) quando V
CE
aumenta de alguns volts, ento, de acordo com a Eq. 5.2.3, o
ganho
F
varia de 199 para 249 (aumento de 25%), o que mostra que uma ligeira variao em
F
tem grande
efeito sobre
F
e, conseqentemente, sobre as curvas da caracterstica de sada em emissor comum.
Esta regio estende-se at valores limites de ruptura (por exemplo, BV
CEO
para I
B
= 0, chamada tenso de
ruptura entre coletor e emissor com a base aberta) e diminui a medida que I
B
aumenta (Fig. 5.4.3-c). A ruptura
ocorre porque, se V
CE
(e, portanto, V
CB
) aumentar muito poder atingir o limite em que ocorrer a ruptura do
TBJ por punch-through ou por efeito avalanche, com a corrente de coletor se elevando rapidamente.
Tal como efetuado com diodos, com o auxlio de caractersticas tenso-corrente de um dispositivo pode-
se obter o seu ponto de operao atravs de mtodo grfico com o auxlio de uma reta de carga do circuito em
que se encontra o dispositivo. Assim, aplicando LKT na malha de sada do circuito da Fig. 5.4.3-a obtm-se
uma relao entre I
C
e V
CE
dada por: I
C
= (V
CC
- V
CE
)/R
C
, que a reta de carga do circuito. Assim, sabendo-
se a corrente de base do TBJ (necessrio para definir em qual das curvas da caracterstica de sada o TBJ est
trabalhando) e sobrepondo-se a reta de carga na caracterstica de sada (Fig. 5.4.3-c), obtm-se o ponto de
operao Q do TBJ empregado e, por conseguinte, os valores de I
CQ
e V
CEQ
do TBJ no circuito (Fig. 5.4.3-c).
(2.2) Regio de saturao: pela anlise do modo ativo direto sabe-se, ento, que na rea da caracterstica de sada
correspondente a V
CE
abaixo do valor tpico 0,3 V (Fig. 5.4.3-c) ambos os diodos emissor e coletor esto
polarizadas diretamente, pois V
CB
< -0,5 V e V
BE
0,7 V (valores, como visto, acima da tenso de limiar de
cada juno), isto , ambos os diodos esto em conduo. Esta , portanto, a regio de saturao de um TBJ.
Para um ponto de operao nesta regio (por exemplo, ponto Q estabelecido pela reta de carga do
circuito, Fig. 5.4.3-c), observa-se que a corrente de coletor I
C
(corrente de sada) assume valores elevados e a
ddp V
CE
(tenso de sada) valores quase nulos, configurando-se, ento, o TBJ como uma chave fechada para a
sada, que o comportamento caracterstico do modo de operao saturado.
Nota-se pela Fig. 5.4.3-c que, na saturao, a corrente de coletor cai rapidamente em direo origem.
Tal como observado na configurao base-comum, este decrscimo na corrente de coletor ocorre com um
pequeno aumento da polarizao em conduo do diodo coletor (pequena diminuio de V
CE
) porque o diodo
coletor tender a conduzir uma corrente direta, precisando para isso reduzir a zero primeiramente a injeo de
portadores da base vindos do emissor, isto , anular a corrente reversa de coletor I
C
. Logo, pelo fato de na
regio de saturao a corrente de coletor se opor de emissor (e, por conseguinte, de base), ento nesta
regio no se tem o controle da corrente de coletor pela corrente da base que se obtm na regio ativa direta e,
portanto, no se pode falar em um ganho de corrente, isto , a Eq. 5.2.2 (I
C
=
F
I
B
) no vale para esta regio.
100

(2.3) Regio de corte (bloqueio): diminuindo-se a tenso de polarizao do diodo emissor (V
BE
) abaixo de seu
limiar, atinge-se a regio de corte deste diodo, com conseqente reduo a zero da corrente de base I
B
. Logo,
quando I
B
= 0 (ponto Q - Fig. 5.4.3-c) e na regio abaixo desta curva, ambos os diodos emissor e coletor
esto no bloqueio, o que, como visto, caracteriza a regio de corte do TBJ. Como fazer I
B
= 0 corresponde a
desconectar o terminal da base do circuito, a corrente conduzida pelo TBJ no corte definida por uma
componente I
CEO
bem reduzida, chamada corrente reversa de coletor para o
emissor com a base em aberto (Fig. 5.4.3-c). Assim, nesta regio, I
C
= I
E
= I
CEO

e so bastante pequenas.

Uma outra forma prtica de visualizar as regies de operao do TBJ em emissor
comum atravs do grfico da Fig. 5.4.4 (caracterstica I
C
x I
B
), que mostra a relao
entre as correntes de base e coletor com o comportamento da reta de carga do circuito.
No grfico nota-se, ento, que o aumento da corrente de base acarreta na operao do
TBJ do corte para a regio ativa direta, at no se observar um aumento significativo da
corrente de coletor, caracterstico do comportamento da regio de saturao.

5.4.3) CONFIGURAO COLETOR COMUM (CC)

A Fig. 5.4.5 mostra um circuito de estudo de um TBJ NPN, onde a fonte V
CC
alimenta diretamente o terminal
coletor, sendo o mesmo referncia tanto para o potencial do emissor, como da base. Este fato denuncia, ento, que
trata-se da configurao coletor comum (CC). Logo, um circuito em CC basicamente o mesmo de um em emissor
comum (Fig. 5.4.3-a), sendo a carga, porm, conectada no terminal emissor (R
E
). Logo, a operao em CC bastante
semelhante de EC e, como I
C
I
E
, as caractersticas V-I de entrada e sada so basicamente as mesmas.
Para o circuito desta configurao, pode-se tecer alguns comentrios:
1) Se V
BB
for menor que 0,5 V, J
E
no conduz e, desse modo, o TBJ estar no
bloqueio. Logo, I
E
, como visto, bem pequena (I
E
= I
CEO
) e, assim, na
malha de sada tem-se que V
CE
V
CC
, isto , praticamente nenhuma tenso
aparecer na carga R
E
(o TBJ funciona como chave aberta para a sada).
2) No modo ativo direto, pode ocorrer que a queda de tenso em R
B
(por I
B
ser
pequena) e a tenso V
BE
serem bem inferiores ao valor da tenso de entrada
V
BB
. Neste caso, o circuito adquire caracterstica de ganho de tenso (razo
entre a tenso de sada V
sada
e a de entrada V
BB
) aproximadamente unitrio.
Como a corrente de base I
B
normalmente muito pequena, este circuito
adquire ainda caractersticas de impedncia de entrada elevada. Circuitos
com estes comportamentos so classificados como um tipo de isolador
chamado buffer. Estas qualidades fazem esta configurao ter tambm a
denominao de seguidor do emissor, encontrando ainda sua utilidade
em acoplamentos entre fontes e cargas para casamento de impedncias.
3) Aumentando-se V
BB
a ponto de saturar o TBJ, tem-se, como visto, um V
CE
bem pequeno e, assim, da malha de sada
nota-se que a fonte V
CC
aparecer praticamente toda na sada (o TBJ funciona como chave fechada para a sada).

Comentrios: As caractersticas de funcionamento de cada configurao determina a aplicao prtica do TBJ. As
principais caractersticas das configuraes esto a seguir:
1) Configurao Emissor Comum:
Proporciona tanto ganho de tenso como de corrente (
F
) elevados e, portanto, o maior
ganho de potncia;
Apresenta impedncia de entrada relativamente baixa para o sinal de entrada (0,1 a 1 k);
Apresenta alta impedncia de sada;
Causa inverso de fase entre o sinal de tenso de entrada e o de sada (figura ao lado).
2) Configurao Coletor Comum:
Proporciona ganho de corrente muito alto (
F
+1) mas, como o resistor de carga normalmente de baixo valor,
o sinal de tenso de sada menor que o de entrada, o que acarreta um baixo ganho de tenso (menor que 1).
No entanto, pode-se conseguir algum ganho de potncia;
Apresenta impedncia de entrada muito alta e impedncia de sada muito baixa;
O sinal de tenso de sada est em fase como o sinal de entrada (no h inverso de fase).
3) Configurao Base Comum:
Apesar de possuir ganho de corrente baixo (
F
1), pode-se obter um bom ganho de tenso, o que proporciona
um ganho de potncia maior que a configurao CC e menor que a EC;
Apresenta impedncia de entrada muito baixa e de sada muito alta;
O sinal de tenso de entrada e sada esto em fase (no h inverso de fase).
E
B
C
R
B

R
C

V
CC

I
B

I
C

saturao
ativo
direto
bloqueio ou corte
Fig. 5.4.4: Grfico I
C
x I
B
.
0
Fig. 5.4.5: Circuito de estudo com
TBJ NPN em coletor comum.
I
E
V
BB
I
C
R
E
V
CC
I
B
V
BE
V
CE
entrada

sada

E
B
C
V
sada
R
B
101

5.5) ANLISE DE CIRCUITOS DE POLARIZAO DO TBJ (ANLISE DC)

Tal como feito na anlise DC de circuitos com diodos, nos circuitos de polarizao DC de TBJs necessrio
determinar em qual regio de operao os mesmos se encontram. Logo, necessrio construir modelos (circuitos
equivalentes) do TBJ contendo componentes lineares e ideais para cada modo de operao e, assim, conseguir-se
admitir hipteses sobre o funcionamento dos TBJ's, realizar clculos pelos mtodos normais da teoria de Circuitos
Eltricos e provar, atravs de regras estabelecidas, a veracidade da hiptese feita.
Semelhante tambm ao estabelecido na teoria dos diodos, os modelos e provas so baseados nas caractersticas
tenso-corrente do TBJ. Como os modos de operao do TBJ independem de qual configurao o mesmo se encontra,
os modelos so vlidos qualquer que seja a configurao empregada. Desse modo, adotando o TBJ NPN como objeto
de estudo para estabelecer os modelos esquemticos, sero utilizadas para anlise as caractersticas V-I de entrada e
sada linearizadas por partes do TBJ NPN em emissor comum, apresentadas na Fig. 5.5.1. Logo:

1) Modelos do TBJ NPN no modo ativo direto: como visto, quando no ativo direto, o diodo emissor (J
E
) do TBJ se
encontra em conduo e a caracterstica V-I de entrada espelha o seu comportamento (Fig. 5.5.1-a). Normalmente,
basta uma polarizao normal de J
E
acima do limiar para o TBJ atingir esta regio de operao, e um valor tpico
de tenso entre seus terminais pode ser adotado em 0,7 V (Fig. 5.5.1-a). Logo, o diodo emissor em conduo no
modo ativo direto pode ser modelado por uma fonte de tenso DC de valor 0,7 V. Para uma anlise qualitativa do
TBJ, pode-se admitir um comportamento constante para os ganhos de corrente nas caractersticas de sada em base
e emissor comum (Fig. 5.5.1-b), isto , na regio ativa direta, o TBJ se comporta como uma fonte de corrente
controlada por corrente com ganho constante, tal que I
C
=
F
I
B
=
F
I
E
= cte. Assim, a relao I
C
=
F
I
B
(ou ento
I
C
=
F
I
E
) pode ser modelada por uma fonte de corrente ideal de valor
F
I
B
(
F
I
E
), conectada ao terminal do
coletor. Para maior preciso nos clculos, pode-se modelar as conseqncias do Efeito Early (Fig. 5.5.1-b) por
uma resistncia R
early
em paralelo fonte de corrente e, desse modo, tem-se que I
C
=
F
I
B
+ V
CE
/R
early
.
2) Modelo do TBJ NPN no modo saturado: como visto, para se atingir a saturao do TBJ necessrio uma
polarizao forte em conduo do diodo emissor. Assim, neste modo de operao, pode-se adotar uma ddp tpica
de 0,8 V nos terminais do diodo emissor (Fig. 5.5.1-a) e o mesmo pode ser modelado por uma fonte DC de valor
0,8 V. Na caracterstica de sada em emissor comum (Fig. 5.5.1-b) observa-se que, para V
CE
< 0,3 V, o TBJ
encontra-se na saturao. Nesse caso, pode-se, ento, adotar um valor tpico e seguro para V
CE
no modo saturado
em 0,2 V e, desse modo, a ddp entre o terminais coletor e emissor (V
CE
) pode ser modelada tambm por uma fonte
de tenso DC de valor 0,2 V. Logo, a ddp entre os terminais coletor e base (V
CB
) fica estabelecida em 0,6 V.
3) Modelo do TBJ NPN no modo corte: como neste modo de operao ambos os diodos emissor e coletor esto no
corte (tenses de polarizao direta menores que 0,5 V ou mesmo negativas), pode-se admitir nulas as correntes do
TBJ e, assim, os diodos emissor e coletor se comportam como chaves abertas e pode-se representar o modelo do
TBJ no modo corte como circuitos abertos entre os terminais do TBJ para modelar suas correntes nulas.
Com base no modelo do TBJ no modo ativo direto, pode-se fazer consideraes similares para o modo ativo
reverso do TBJ NPN, de modo a modelar o diodo coletor por uma fonte de tenso DC de valor tpico 0,7 V e a
relao I
E
=
R
I
B
=
R
I
C
= cte modelada por um fonte de corrente ideal de valor
R
I
B
(
R
I
C
) conectada ao emissor.
Como visto anteriormente, o transistor PNP o complemento do transistor NPN, o que significa dizer que o
sentido positivo das correntes e tenses para um PNP so opostos s de um NPN. Desse modo, para a construo de
modelos para os modos de operao do TBJ PNP, basta inverter todos os sentidos de corrente e tenso apresentados
em cada modelo dos modos de operao do NPN.
Com base nestas consideraes, as Figs. 5.5.2 e 5.5.3 apresentam, ento, os modelos esquemticos para os
TBJ's tipo NPN e PNP, respectivamente, onde os sentidos das correntes e tenses mostradas esto no sentido esperado
(positivo). Por finalidade prtica, nas figuras so tambm apresentados os modelos sobre o smbolo esquemtico do
TBJ, que incorpora as consideraes apresentadas nos modelos esquemticos. Com base na teoria vista anteriormente,
nestas figuras so apresentadas ainda as formulaes bsicas para a anlise de circuitos contendo TBJs.
(a) (b)
0,7 0,5
0,8
polarizao
normal de J
E

polarizao
forte de J
E

I
B
(mA)
V
BE
(V)
limiar
valor tpico no
ativo direto
valor tpico na
saturao
0
0,3
0,2
0
limiar do
ativo direto
valor tpico na
saturao
linearizao
considerando
F
= cte

(tg )
- 1
= R
early

linearizao considerando
tambm o Efeito Early
Fig. 5.5.1: Linearizao das caractersticas V-I de (a) entrada e (b) sada do TBJ NPN em emissor comum.
V
CE
(V)
I
C
(mA)
saturao
ativo direto
I
C

102

Deve-se lembrar que estas consideraes para a construo dos modelos do TBJ implicam em resultados no
exatos, pois so utilizados em anlises matemticas no computacionais como forma de apenas estipular os valores
das grandezas do circuito e, assim, obter uma anlise qualitativa com uma estimativa do comportamento do circuito.

NPN
ATIVO DIRETO ATIVO REVERSO SATURAO BLOQUEIO
Fig. 5.5.2: Modelos DC de polarizao e formulao bsica, dos modos de operao do TBJ NPN.
E
B
C
0,2 V
C B
E
I
E

I
B

I
E

I
C

I
C

0,8 V
Formulao bsica
I
E
= I
C
+ I
B

0,8 V
0,6 V
0,2 V
0,6 V
I
B

E
B
C
0,7 V
C B
E
F
I
B

(
F
I
E
)
I
B

I
E

V
CB

V
CE

I
C
=
F
I
B
=
F
I
E

I
E

I
C

0,7 V
V
CE

V
CB

E
B
C
0,7 V
C B
E
I
B

I
E

V
EB

V
EC

I
B

I
C

I
C

0,7 V
V
EC

V
EB

I
B

E
B
C
C B
E
I
B

I
E

I
C

Formulao bsica
I
C
= I
E
= I
B
= 0
V
CE
= V
BE
+ V
CB

V
CB

V
CE

V
BE

V
CB

I
C

I
E

V
BE

V
CE

Formulao bsica
I
C
=
F
I
B

I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B

V
CE
= 0,7 + V
CB

I
C
=
F
I
E
=
F
I
E

F
+ 1
Formulao bsica
I
E
=
R
I
B

I
C
= I
E
+ I
B
= (
R
+ 1) I
B

V
EC
= 0,7 + V
EB

I
E
=
R
I
C
=
R
I
C

R
+ 1
R
early

R
I
B

(
R
I
C
)
I
E
=
R
I
B
=
R
I
C

I
B

PNP
ATIVO DIRETO ATIVO REVERSO SATURAO BLOQUEIO
Fig. 5.5.3: Modelos DC de polarizao e formulao bsica, dos modos de operao do TBJ PNP.
E
B
C
0,2 V
C B
E
I
E

I
B

I
E

I
C

I
C

0,8 V
Formulao bsica
I
E
= I
C
+ I
B

0,8 V
0,6 V
0,2 V
0,6 V
I
B

E
B
C
0,7 V
C B
E
I
E

V
BC

V
EC

I
E

I
C

0,7 V
V
EC

V
BC

E
B
C
0,7 V
C B
E
I
B

I
E

V
BE

V
CE

I
B

I
C

I
C

0,7 V
V
CE

V
BE

Formulao bsica
I
C
=
F
I
B

I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B

V
EC
= 0,7 + V
BC

I
C
=
F
I
E
=
F
I
E

F
+ 1
Formulao bsica
I
E
=
R
I
B

I
C
= I
E
+ I
B
= (
R
+ 1) I
B

V
CE
= 0,7 + V
BE

I
E
=
R
I
C
=
R
I
C

R
+ 1
R
early

E
B
C
C B
E
I
B

I
E

I
C

Formulao bsica
I
C
= I
E
= I
B
= 0
V
EC
= V
EB
+ V
BC

V
EC

V
EB

V
BC

I
C

I
E

V
EC

V
BC

I
B

V
EB

F
I
B

(
F
I
E
)
I
C
=
F
I
B
=
F
I
E

R
I
B

(
R
I
C
)
I
E
=
R
I
B
=
R
I
C

I
B

I
B

103

Como mencionado, na anlise de circuitos com TBJ's deve-se admitir hipteses sobre qual regio de operao
se encontra cada TBJ, aplicar o modelo esquemtico correspondente, processar os clculos da teoria de Circuitos
Eltricos e provar se todas as hipteses individualmente so verdadeiras. Resta, ento, estabelecer os critrios para o
julgamento das hipteses sobre o estados de operao de um TBJ presente em um circuito:
1) Modo ativo direto: com base na anlise da caracterstica tenso-corrente de sada do TBJ NPN em emissor
comum apresentado na Fig. 5.5.1-b, pode-se observar que a ddp entre o coletor e o emissor (V
CE
) possui um valor
limite inferior de 0,3 V para a regio ativa direta. Logo, admitida esta hiptese tem-se que:
1.1) Se V
CE
0,3 V (NPN) ou V
EC
0,3 V (PNP), ento a hiptese do TBJ estar na regio ativa direta est correta;
1.2) Se V
CE
< 0,3 V (NPN) ou V
EC
< 0,3 V (PNP), ou mesmo negativas, ento a hiptese do TBJ estar na regio
ativa direta falsa e deve-se prosseguir os estudos com outras hipteses possveis para a operao do TBJ.
2) Modo saturado: o critrio de prova para o TBJ nesta regio ser definido atravs de anlise da caracterstica de
sada linearizada do TBJ em emissor comum (figura ao lado). Na regio ativa direta
da caracterstica linearizada observa-se que, para cada corrente de base, existe uma
correspondente corrente de coletor. Seja, ento, I
Bcalc
e I
Ccalc
os valores das
correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos clculos do circuito com
TBJ admitido na hiptese em saturao. Logo, para o valor de corrente de coletor
I
Ccalc
h uma curva na regio ativa direta da caracterstica (figura), correspondente a
uma corrente de base I
Bmin
(figura). Sendo
F
o ganho de corrente do TBJ, ento, de
acordo com a Eq. 5.2.2, o valor da corrente I
Bmin
ser determinado por:
F
calc C
B
I
I
=
min
(5.5.1)
No entanto, para a corrente de base I
Bcalc
obtida h tambm uma curva correspondente na regio ativa direta da
caracterstica. Pela figura observa-se, ento, que apenas se a corrente de base calculada (I
Bcalc
) for maior que I
Bmin

existir o ponto de operao I
Ccalc
e I
Bcalc
para o TBJ (ponto 1), que estar claramente na regio de saturao. Assim
I
Bmin
conhecida como a corrente mnima para saturar o TBJ. Logo, admitida esta hiptese tem-se que:
2.1) Se I
Bcalc
> I
Bmin
ento a hiptese verdadeira;
2.2) Se I
Bcalc
I
Bmin
ento a hiptese falsa (no funcionamento do TBJ no existe o par I
Ccalc
e I
Bcalc
) e prossegue-
se os clculos para as outras hipteses possveis.
3) Modo corte: nesta regio, ambos os diodos esto polarizados no corte. Como visto, os diodos do TBJ possuem
uma tenso de 0,5 V tpica de limiar para operar em conduo. Logo, admitida a hiptese do TBJ no corte tem-se:
3.1) Se V
BE
< 0,5 V e V
BC
< 0,5 V (NPN) ou V
EB
< 0,5 V e V
CB
< 0,5 V (PNP) ento a hiptese do TBJ estar na
regio de corte est correta;
3.2) Se V
BE
> 0,5 V e/ou V
BC
> 0,5 V (NPN) ou V
EB
> 0,5 V e/ou V
CB
> 0,5 V (PNP) ento a hiptese do TBJ estar
na regio de corte falsa e prosseguem-se os clculos para outras hipteses possveis para a operao do TBJ.
4) Modo ativo reverso: como visto, este modo de operao se caracteriza pela troca de funes entre o emissor e
coletor, o que implica em V
CE
< 0 para o TBJ NPN (V
EC
< 0 para o PNP). Logo, admitida esta hiptese tem-se que:
4.1) Se V
EC
> 0 V (NPN) ou V
CE
> 0 V (PNP), ento a hiptese do TBJ estar na regio ativa reversa est correta;
4.2) Se V
EC
0 V (NPN) ou V
CE
0 V (PNP), ento a hiptese do TBJ estar na regio ativa reversa falsa e deve-
se prosseguir os clculos para outras hipteses possveis para a operao do TBJ.

Comentrios:
1) Como visto, h essencialmente dois usos para o TBJ: chave e amplificao. Uma forma de se distinguir um TBJ
empregado para amplificar sinais de um TBJ usado como chave caracterizar
o tipo de fonte, de corrente ou de tenso, que alimenta a base. O TBJ com
resistor na base e emissor aterrado mostrado no circuito da figura (a) identifica
um TBJ usado como chave. Isto porque a alimentao da base age mais como
uma fonte de corrente fixa, pois, como V
BE
pequena (como visto, em torno
de 0,7 V), a maior parte da tenso V
BB
que alimenta a base incidida no
resistor R
B
, isto , a corrente de base fixada por V
BB
e R
B
. Desse modo, pode-
se levar facilmente o TBJ para a saturao ou ao corte controlando a corrente
da base pela fonte V
BB
. Por outro lado, quando a fonte de tenso V
BB
alimenta
diretamente a base e o emissor aterrado por uma resistncia, identifica-se o uso do TBJ como amplificador, tal
como exemplificado na figura (b). Isto porque, exceto pela pequena queda de tenso no diodo emissor (V
BE
), a
maior parte da tenso V
BB
incide no resistor R
E
, isto , o emissor est amarrado (bootstrap) tenso de entrada, o
que produz uma corrente de emissor bem estvel e, portanto, um ponto de operao firme na regio ativa direta.
2) Alm das especificaes de corrente I
CBO
e I
CEO
, a folha de dados de um TBJ apresenta vrias especificaes
mximas que fixam seus limites de corrente e tenso. Todas as especificaes de tenso so reversas de ruptura:
BV
CEO
(tenso de ruptura entre coletor e emissor com base em aberto, Fig. 5.4.3-c), BV
CBO
(tenso de ruptura entre
coletor e base com o emissor em aberto, Fig. 5.4.2-c) e BV
EBO
(tenso de ruptura entre emissor e base com o
coletor em aberto). A especificao I
CM
corrente mxima de coletor do TBJ e P
D
sua potncia mxima dissipada.
E
B
C
R
E

R
C

V
BB

V
CC

E
B
C
R
B

R
C

V
BB

V
CC

(a) (b)
V
BE

V
BE

I
Bcalc
> I
Bmin
I
C calc

I
C

V
CE

reg. ativa direta saturao
1
I
Bcalc
< I
Bmin
I
Bmin
104

I
C
R
C
N
P
N
C
E
J
C
J
E
V
CC
r
a
d
i
a
o
I
C
(mA)
6

4

2

5 10

9

7

H=5 mW/cm
2
V
CE
(V)
E
R
C
B
C
V
CE
V
CC
I
C
R
S
V
S
circuito
de
entrada

circuito
de
sada

Fig. 5.6.1: Fototransistor: (a) smbolo esquemtico; (b) circuito de polarizao; (c) caracterstica tenso-corrente
de sada e uma reta de carga qualquer; (d) optoacoplador LED-fototransistor
(a) (b) (c) (d)
E
B
C
I
D
OPTOACOPLADOR
K

A

reta de
carga

3) Quanto potncia dissipada, os TBJ's so classificados basicamente em dois grupos: de pequeno sinal (at 0,5 W) e
de potncia (acima 0,5 W). A potncia dissipada por um TBJ pode ser determinada aproximadamente por:
(NPN) , (PNP)
TBJ C CE TBJ C EC
P I V P I V = = (5.5.2)
4) Os TBJs de origem norte-americana utilizam apenas a sigla 2N para a sua codificao (exemplo: 2N2222,
2N3055 e 2N2906). A nomenclatura europia mais completa, pois utiliza duas letras: 1
o
letra (material): A =
germnio, B = silcio; 2
o
letra: C = uso geral e udio, D = potncia, F = rdio-freqncia. Exemplos: tipos NPN:
BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495.
5) Os TBJ's de potncia normalmente necessitam de um dissipador de calor, que uma massa de metal (geralmente de
alumnio) que presa ao corpo do TBJ, para evitar que ele se aquea demasiadamente.
6) Os TBJ's podem ser submetidos a excessos de tenses de ruptura, de correntes mximas ou de potncia mxima
especificada, que podem danificar os seus diodos, colocando estes em curto ou aberto, alm de provocar altas
correntes de fuga, ganho baixo e outros problemas. Logo, comum se fazer testes com os TBJ's isolados ou j
incorporados a circuitos. Por exemplo, com um ohmmetro pode-se medir a resistncia entre o coletor e o emissor,
que deve ser bem alta (da ordem de megaohms). Pode-se tambm medir a razo entre as resistncias reversa e d
dos diodos emissor e coletor de um TBJ, que deve ser maior que 1000. Existem ainda medidores que testam
corrente de fuga demasiada, ganho
F
baixo ou tenso de ruptura insuficiente.
7) A identificao dos terminais do TBJ pode ser obtida com multmetros que apresentam bornes de teste, e ainda
atravs de folha de dados do fabricante (data sheets), manuais e CDROMs, pois com um ohmmetro s possvel
testar a resistncia de seus diodos e, portanto, pode-se identificar apenas o terminal da base.
8) Como visto no Captulo 3, os portadores de carga livres nos materiais P (lacunas) so mais lentos do que os dos
materiais N (eltrons livres). Logo, entre dois TBJs NPN e PNP de dimenses iguais, o PNP mais lento porque a
corrente no mesmo necessita passar por dois substratos tipo P.
9) Os ganhos
F
possuem grande tolerncia. Logo, os projetos de circuitos com TBJs no devem exigir um valor
exato de
F
e devem ser desenvolvidos de modo a no depender demais deste parmetro.

5.6) TPICO COMPLEMENTAR: O FOTOTRANSISTOR

Similar ao fotodiodo (ver Captulo 4), o fototransistor (smbolo esquemtico na Fig. 5.6.1-a) um dispositivo
optoeletrnico sensvel luz, porm composto por trs substratos em que a radiao incidida em uma janela que
atinge diretamente sua juno coletor-base J
C
e o terminal da base est em aberto (Fig. 5.6.1-b).

O Fotransistor normalmente ligado na configurao emissor comum, onde uma tenso V
CE
aplicada de
modo a permitir que a juno emissor-base J
E
seja ligeiramente polarizada em conduo e a juno coletor-base J
C
no
corte, isto , o mesmo polarizado para trabalhar na sua regio ativa direta. Na ausncia de radiao excitao (isto ,
H = intensidade luminosa = 0 W/cm
2
), portadores minoritrios so criados normalmente por gerao termica na juno
coletor-base (eltrons na base e lacunas no coletor), mas a corrente reversa total no coletor (I
CEO
) pequena. Neste
ponto, entende-se que o fototransistor est da sua regio de bloqueio.
Se um feixe de luz incidir na juno coletor-base do fototransistor, ocorrer a criao de portadores
minoritrios adicionais por fotogerao, que contribuiro para a corrente de coletor reversa (como j estudado, o
diodo coletor conduz uma corrente reversa no modo ativo direto) e fazendo com que a quantidade de portadores
minoritrios injetados na base pelo emissor aumente de modo possibilitar uma corrente circulante na malha do
fototransistor. Estes portadores de carga adicionais podem ser entendidos, ento, como uma corrente injetada na base.
Logo, se a componente da corrente reversa de coletor devida luz incidente for designada por I
L
, a corrente total no
coletor pode agora ser dada aproximadamente por: I
C
I
CEO
+ I
L
, pois, como o fototransistor est operando na regio
105

ativa direta, ocorre o efeito controle de corrente e, desse modo, a corrente produzida pela radiao multiplicada por
um ganho
F
. Logo, a principal diferena entre um fototransistor e um fotodiodo est no ganho, isto , o fototransistor
mais sensvel, pois a mesma quantidade de luz atingindo os dois componentes produz
F
mais corrente no
fototransistor do que no fotodiodo. Contudo, a velocidade de comutao do fototransistor menor que a do fotodiodo.
Correntes tpicas de fotodiodos so da ordem de A e os mesmos comutam em ns e dos fototransistores da ordem de
mA mas os mesmos comutam em s.
A Fig. 5.6.1-c mostra a caracterstica V-I tpica de um fototransistor para diferentes intensidades de
iluminao H, alm de uma reta de carga para exemplificar o comportamento do ponto de operao do dispositivo.
Pela figura nota-se, ento, sua semelhana com a caracterstica de sada de um TBJ NPN em emissor comum.
A Fig. 5.6.1-d mostra um optoacoplador que emprega um LED acionando um fototransistor, e seu princpio
de funcionamento semelhante ao exemplo LED-fotodiodo visto no Captulo 4. Como tambm visto no Captulo 4, a
grande vantagem de um optoacoplador a isolao eltrica entre os circuitos de entrada e sada. Logo, pode-se aterrar
um dos circuitos (o da entrada por exemplo, Fig. 5.6.1-d) e deixar o outro flutuante. Outra vantagem que a potncia
do circuito de entrada (circuito controlador) pode ser bem inferior ao de sada (circuito controlado).

QUESTES

1) Como formado um transistor bipolar de juno? Comente sobre sua dopagem e semelhana a diodos.
2) Comente sobre o TBJ no polarizado.
3) Quais so as caractersticas de uma fonte de corrente controlada por corrente?
4) Quais so os modos de operao de um TBJ? Explique-os.
5) Conceitue os ganhos
F
,
R
,
F
e
R
.
6) Explique o Efeito Early e suas conseqncias.
7) Explique os modos de operao do TBJ em emissor comum, com base nas caractersticas de entrada e sada.
8) Comente sobre o fototransistor. Quais suas vantagens e desvantagens com relao ao fotodiodo?

PROBLEMAS RESOLVIDOS

PROBLEMA 1: Para o circuito e a caracterstica tenso-corrente de sada em emissor comum do TBJ empregado
fornecidos (figura abaixo), considere inicialmente V
B
= 2 V e R
B
= 5,6 k. Determine:
a) O ponto e a regio de operao do TBJ, a corrente de emissor, a ddp entre o coletor e a base e a potncia dissipada
no TBJ. Caso o ponto de operao esteja no modo ativo direto, calcule o ganho de corrente em emissor comum;
b) Se R
B
for reduzido para 1625 , qual o novo ponto e regio de operao do TBJ?
c) Se V
B
for reduzida para 0,4 V, qual o novo ponto e regio de operao do TBJ?
Dado: considere V
BE
= 0,7 V (valor tpico) para todos os casos.

SOLUO
Comentrios: A polarizao de um TBJ com duas fontes CC independentes (V
B
e +3 V) no usual, a menos que
estas fontes representem o equivalente de Thevenin de uma parte dos circuitos de entrada e sada. Neste exerccio, a
caracterstica V-I de sada em emissor comum do TBJ empregado conhecida, normalmente conseguida com folhas
de dados (data sheets) do fabricante do componente e, desse modo, pode-se determinar o ponto de operao Q do TBJ
(I
CQ
e V
CEQ
) com o auxlio da reta de carga do circuito e, posteriormente, as demais variveis do TBJ.
a) Analisando o circuito nota-se que V
B
= 2 V suficiente para levar o diodo emissor do TBJ para a conduo. Assim,
o circuito dado redesenhado a seguir, com o valor tpico V
BE
= 0,7 V para o diodo emissor em conduo e com as
variveis do TBJ no sentido esperado (positivo). Aplicando LKT na malha de entrada, pode-se calcular a corrente
de base I
B
e, assim, determinar em qual das curvas da caracterstica de sada est operando o TBJ. Logo:
I
C
(mA)
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V
CE
(V)
0
30
60
90
120
150
180
I
B
= 0,2 mA
I
B
= 0,4 mA
I
B
= 0,6 mA
I
B
= 0,8 mA
I
B
= 0 mA
E
B
C
+ 3 V
+ V
B
20
1
3
2
R
B
106

LKT na malha de entrada: 2 6500 I
B
0,7 = 0 I
B
= 0,2 mA
Ou seja, o ponto de operao do TBJ se encontra na curva
correspondente corrente de base I
B
= 0,2 mA. Da malha de sada,
pode-se, ento, obter a reta de carga do circuito. Logo:
LKT na malha de sada:
3
3 20 0 reta de carga
20
CE
C CE C
V
I V I

= =
Traando-se a reta de carga no grfico da caracterstica V-I de sada do
TBJ, tem-se, ento, que o ponto de interseco entre a reta de carga e a
curva para I
B
= 0,2 mA (ponto 1) , portanto, o ponto de operao Q do TBJ no circuito. Observando-se o local da
caracterstica onde o ponto Q se situa conclui-se que o mesmo est na regio ativa direta, sendo a corrente de
coletor e a ddp entre o coletor e o emissor (ponto de operao) dadas ento por: I
CQ
= 50 mA e V
CEQ
= 2 V.
Tem-se ento que: I
E
= I
C
+ I
B
= 50 mA + 0,2 mA I
E
= 50,2 mA
V
CE
= 0,7 + V
CB
V
CB
= V
CE
0,7 V
CB
= 1,3 V
P
TBJ
= V
CE
I
C
= V
CEQ
I
CQ
= 2 x 50 x 10
-3
P
TBJ
= 0,1 W
Como o ponto de operao est na regio ativa direta: 250 = = = =
3
3
10 2 , 0
10 50
B
CQ
B
C
F
I
I
I
I

b) Analisando-se o circuito nota-se que a reduo do valor de R
B
para 1625 altera apenas a malha de entrada, pois o
equacionamento da malha de sada no depende de R
B
. Logo, a corrente de base do TBJ se altera mas a reta de
carga do circuito permanece a mesma obtida no item a). Logo:
B
0,7 = 0 I
B
= 0,8 mA
ou seja, o novo ponto de operao do TBJ se localiza na curva correspondente corrente de base I
B
= 0,8 mA. A
interseco desta curva com a reta de carga fornece o ponto de operao 2 (figura), onde se observa que o TBJ
est agora operando na regio de saturao. O novo ponto de operao ser, portanto:
I
CQ
= 140 mA e V
CEQ
= 0,2 V
c) O novo valor de V
B
(0,4 V), inferior aos nveis de limiar do diodo emissor do TBJ ( 0,5 V), no sendo suficiente
para faze-lo conduzir. Logo, a corrente de base I
B
nula, de onde se conclui que o TBJ est na regio de corte
(bloqueio). Como a malha de sada tambm no se altera, a reta de carga obtida no item a) permanece a mesma e,
assim, a interseco da curva correspondente a I
B
= 0 A e a reta de carga fornece o ponto de operao 3 (figura).

PROBLEMA 2: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor
comum do TBJ empregado 100. Determine a regio de operao e a demais variveis de
tenso e corrente do TBJ, para: a) R
B
= 300 k ; b) R
B
= 150 k
SOLUO
Comentrios: A utilizao de apenas uma fonte CC a maneira usual de polarizar um TBJ,
sendo o potencial +10 V normalmente denominado linha do positivo. Logo, a ligao do
terminal coletor linha do positivo indica tambm a maneira usual de conectar um NPN na
configurao emissor comum, de modo a se conseguir atingir as regies de operao normais
do TBJ (bloqueio, saturao e ativo direto). Analisando o circuito, nota-se que a fonte de 10 V
est polarizando diretamente o diodo emissor, ou seja, a fonte coloca o terminal da base a um potencial maior que o
emissor (V
BE
> 0), e que seu valor (10 V) seguramente suficiente para levar o diodo emissor do TBJ para a
conduo. Desse modo, conclui-se que o TBJ est no modo ativo direto ou no modo saturado.
a) R
B
= 300 k :

Hiptese 1: TBJ na saturao:
Utilizando-se o modelo esquemtico do NPN para o modo saturado, obtm-se o circuito da figura (a). Logo:
LKT na malha de entrada: 10 300 x 10
3
I
B
0,8 = 0 I
B
= I
Bcalc
= 30,7 A
LKT na malha de sada: 10 2 x 10
3
I
C
0,2 = 0 I
C
= I
Ccalc
= 4,9 mA
Mas: A
mA
I
I
F
calc C
B

49
100
9 , 4
min
= = =
Como visto em teoria, I
Bmin
a mnima corrente de base para saturar o TBJ. Comparando-se a corrente de base
obtida nos clculos do circuito (I
Bcalc
= 30,7 A) com o valor de I
Bmin
calculado tem-se que: I
Bcalc
< I
Bmin
. Desse
0,2 V
C B
E
I
E

I
C

0,8 V
0,6 V
I
B

300 k
10 V
2 k
10 V
entrada sada
(a)
0,7 V
C B
E
100 I
B

I
E

I
C

I
B

300 k
10 V
2 k
10 V
entrada sada
(b)
E
B
C
6,5 k
3 V
2 V
20
0,7 V

V
CB
I
E
I
B
I
C
V
CE
malha de
entrada
malha de
sada
E
B
C R
B

+ 10 V
2 k
linha de
referncia
107

modo, conclui-se, ento, que no funcionamento do TBJ empregado no existe o par de correntes I
Ccalc
e I
Bcalc
e,
portanto, a hiptese do TBJ estar saturado falsa.
Hiptese 2: TBJ na regio ativa direta:
Utilizando-se o modelo esquemtico do NPN no modo ativo direto, obtm-se o circuito da figura (b). Logo:
3
I
B
0,7 = 0 I
B
= 31 A
Para a regio ativa direta sabe-se que: I
C
=
F
I
B
= 100 x 31 A I
C
= 3,1 mA
LKT na malha de sada: 10 2000 I
C
V
CE
= 0 V
CE
= 3,8 V
Como V
CE
> 0,3 V, conclui-se que a hiptese TBJ no modo ativo direto verdadeira.
Tem-se ainda que: I
E
= I
C
+ I
B
= (1+
F
) I
B
= (1 + 100) x 31 A I
E
= 3,131 mA
V
CE
= 0,7 + V
CB
V
CB
= V
CE
0,7 = 3,8 - 0,7 V
CB
= 3,1 V
b) R
B
= 150 k :

Utilizando-se o modelo esquemtico do NPN no modo ativo direto, obtm-se o circuito da figura (c). Logo:
3
I
B
0,7 = 0 I
B
= 62 A
Para a regio ativa direta sabe-se que: I
C
=
F
I
B
= 100 x 62 A I
C
= 6,2 mA
C
V
CE
= 0 V
CE
= 2,4 V
Como V
CE
< 0,3 V, conclui-se que a hiptese TBJ no modo ativo direto falsa.
Utilizando-se o modelo esquemtico do NPN para o modo saturado, obtm-se o circuito da figura (d). Logo:
3
I
B
0,8 = 0 I
B
= I
Bcalc
= 61,3 A
C
0,2 = 0 I
C
= I
Ccalc
= 4,9 mA
Mas: A
mA
I
I
F
calc C
B

49
100
9 , 4
min
= = =
Comparando a corrente de base obtida nos clculos do circuito (I
Bcalc
= 61,3 A) com o valor de I
Bmin
tem-se que:
I
Bcalc
> I
Bmin
. Conclui-se ento que a hiptese do TBJ saturado verdadeira.
Tem-se ainda que: I
E
= I
C
+ I
B
= 4,9 mA + 61,3 A I
E
= 4,9613 mA

PROBLEMA 3: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
150. Determine a regio de operao e a demais variveis de tenso e corrente do TBJ.

SOLUO
Comentrios: Como visto, o PNP o complemento do NPN e, assim, o circuito mostra o modo usual de conectar um
PNP na configurao EC, com o emissor, ao invs do coletor, ligado linha do positivo. Pelo circuito nota-se que a
fonte polariza diretamente o diodo emissor do PNP, isto , V
EB
> 0, e que seu valor (10 V) seguramente suficiente
para levar o diodo emissor para a conduo. Portanto, o TBJ est provavelmente no ativo direto ou saturado. Logo:
Utilizando-se o modelo esquemtico do TBJ PNP para o modo saturado, obtm-se o circuito da figura (a). Logo:
3
I
E
0,8 400 x 10
3
I
B
= 0
Como I
E
= I
C
+ I
B
I
B
= I
E
I
C
, tem-se: 402 x 10
3
I
E
400 x 10
3
I
C
= 9,2 (1)
E
0,2 1000 I
C
= 0 2000 I
E
+ 1000 I
C
= 9,8 (2)
0,2 V
C B
E
I
E

I
C

0,8 V
0,6 V
I
B

150 k
10 V
2 k
10 V
entrada sada
0,7 V
C B
E
100 I
B

V
CB

V
CE

I
E

I
C

I
B

150 k
10 V
2 k
10 V
entrada sada
(c) (d)
E
B
C
+ 10 V
400 k
2 k
1 k
0,2 V
C B
E
I
E

I
C

0,8 V
0,6 V
I
B

400 k 1 k
10 V
entrada sada
(a)
2 k
0,7 V
C B
E
150 I
B

V
BC

I
E

I
C
I
B

400 k 1 k
10 V
entrada sada
(b)
2 k
linha do
positivo
108

Resolvendo o sistema de equaes (1) e (2) tem-se: I
E
= 3,269 mA e I
C
= 3,262 mA = I
Ccalc

e portanto: I
B
= I
E
I
C
= 3,269 mA - 3,262 mA = 7 A = I
Bcalc

Mas: A
mA
I
I
F
calc C
B

75 , 21
150
262 , 3
min
= = =
Como I
Bcalc
< I
Bmin
ento conclui-se que a hiptese TBJ saturado falsa (no existe o par I
Ccalc
e I
Bcalc
no TBJ).
Utilizando-se o modelo esquemtico do PNP para o modo ativo direto, obtm-se o circuito da figura (b). Logo:
E
0,7 400 x 10
3
I
B
= 0
com I
E
= (1 +
F
) I
B
= (1 + 150) I
B
= 151 I
B
aplicado na equao obtida tem-se que: I
B
= 13,25 A
e, portanto, I
E
= 151 I
B
= 151 x 13,25 A I
E
= 2 mA
Para a regio ativa direta tem-se ainda que: I
C
=
F
I
B
= 150 x 13,25 A I
C
= 1,9875 mA
E
V
EC
1000 I
C
= 0 V
EC
= 4,012 V
Como V
EC
> 0,3 V, conclui-se que a hiptese TBJ no modo ativo direto verdadeira.
Tem-se ainda que: V
EC
= 0,7 + V
BC
V
BC
= V
EC
- 0,7 = 4,012 - 0,7 V
BC
= 3,312 V

PROBLEMA 4: Para o circuito dado, sabe-se que os ganhos de corrente direta e reversa
do TBJ em base comum so, respectivamente, 0,998 e 2/3. Determine a regio de
operao e as demais variveis de tenso e corrente do TBJ.
SOLUO
Comentrios: Analisando-se o circuito dado, observa-se que a fonte DC de 5 V obrigar
que o potencial do emissor seja maior que o potencial no coletor, isto , V
EC
> 0. Logo, se
V
EC
> 0 ento V
EB
> 0 (diodo emissor no corte) e V
BC
> 0 (diodo coletor em conduo), de
onde se conclui que o nico modo de operao para o TBJ ser o ativo reverso.
Sendo
R
= 2/3 o ganho de corrente reversa em base comum, tem-se que o ganho
de corrente reversa em emissor comum
R
ser dado por (Eq. 5.2.6):
2
3 / 2 1
3 / 2
1
=
=
R
R
R

Usando-se o modelo esquemtico do TBJ NPN do modo ativo reverso, obtm-se o circuito da figura dada. Logo:
LKT na malha de entrada:
5 20000 I
B
0,7 + V
EC
+ 5000 I
E
5 = 0
Com I
E
=
R
I
B
= 2 I
B
aplicado na equao obtida tem-se:
V
EC
- 10000 I
B
= 0,7 (1)
tem-se ainda que: I
C
= I
E
+ I
B
= (1 +
R
) I
B
I
C
= 3 I
B

LKT na malha de sada:
5 5000 I
E
V
EC
10000 I
C
= 0
5 5000 I
E
V
EC
10000 x 3 I
B
= 0
V
EC
+ 40000 I
B
= 5 (2)
Resolvendo o sistema de equaes (1) e (2) tem-se:
V
EC
= 1,56 V > 0 V (hiptese verdadeira), e I
B
= 86 A
e portanto: I
E
= 2 I
B
= 2 x 86 A I
E
= 172 A
I
C
= 3 I
B
= 3 x 86 A I
C
= 258 A
V
EC
= 0,7 + V
EB
V
EB
= V
EC
- 0,7 = 1,56 - 0,7 V
EB
= 0,86 V

PROBLEMA 5: Para o circuito dado, considere o ganho
F
do TBJ empregado igual a 369. Determine:
a) Os parmetros de corrente e tenso do TBJ empregado, para R
C
= 200 ;
b) O valor limite de R
C
a partir do qual o TBJ comea a saturar. Explique se este limite mnimo ou mximo.

E
B
C
+ 5 V
20 k
5 k
10 k
I
E

I
C
I
B

20 k
10 k
5 V
entrada sada
5 k
0,7 V
C B
E
2 I
B

5 V
E
B
C
+ 12 V
30 k
100
70 k
R
C

E
B
C
12 V
30 k
100
70 k
R
C

12 V
(a)
E
B
C
100
R
TH

R
C

V
TH
(b)
12 V
109

SOLUO
Comentrios: Este circuito apresenta duas variaes importantes na configurao EC: o emissor aterrado por um
resistor e a base polarizada por um divisor de tenso formado por dois resistores. O primeiro caso garante que a tenso
no terminal do emissor esteja amarrada tenso de entrada na base, isto , se um sinal injetado na base variar, o
sinal no terminal emissor tambm variar. Isto proporciona uma corrente de emissor e, conseqentemente de coletor,
quase que imune s variaes de
F
e, portanto, este esquema muito utilizado para trabalhar na regio ativa direta.
O circuito fornecido est rearranjado na figura (a). Como forma de simplificao do circuito, calculando-se o
circuito equivalente de Thevenin da parte tracejada, obtm-se o esquema da figura (b), onde V
TH
e R
TH
(tenso e
resistncia de Thevenin do circuito tracejado, respectivamente) so dadas por:
=
+

=
=
=
+
=
=
k
k k
k k
R
R
V
k k
k V
k V
TH
TH
TH
TH
21
70 30
70 30
: circuitada curto tenso de fonte a e isolado circuito o com e equivalent a resistnci
6 , 3
70 30
12
30
: isolado circuito o com 30 de resistor no ddp

Pelo circuito da figura (b) observa-se novamente o valor da fonte de Thevenin (3,6 V) consegue seguramente
levar o diodo emissor do TBJ conduo e, portanto, o TBJ pode estar na saturao ou na regio ativa direta.
a) Determinao dos parmetros de tenso e corrente do TBJ para R
C
= 200 :
hiptese: TBJ na regio ativa direta:
Utilizando-se o modelo esquemtico do TBJ NPN no modo ativo
direto, obtm-se o circuito da figura ao lado. Logo:
LKT na malha de entrada: 3,6 21 x 10
3
I
B
0,7 100 I
E
= 0
como I
E
= (1 +
F
) I
B
= 370 I
B
tem-se que: I
B
=

50 A
e, como I
E
= 370 I
B
I
E
= 18,5 mA
e ainda: I
C
=
F
I
B
= 369 I
B
I
C
= 18,45 mA
C
V
CE
100 I
E
= 0
V
CE
= 6,46 V
Como V
CE
> 0,3 V, conclui-se que a hiptese TBJ no modo ativo
direto verdadeira.
Tem-se ainda que: V
CB
= V
CE
0,7 V
CB
= 5,76 V
b) Determinao do R
C
limite, a partir do qual o TBJ satura:
Para a soluo deste item ser estudado o comportamento da reta de carga sobre a caracterstica de sada em
emissor comum, considerando ainda o valor de R
C
como uma incgnita. Logo:
LKT na malha de sada: 12 R
C
I
C
V
CE
100 I
E
= 0
Como I
E
= I
C
+ I
B
, ento:
C C
F
F
F
C
C E
I I
I
I I
369
370 1
=
+
= + =

que, aplicado na equao obtida, obtem-se:
12
reta de carga
100, 3
CE
C
C
V
I
R
=
+

Obtendo os extremos da reta de carga tem-se:
12
para 0 12 (1) ; para 0 (2)
100,3
C CE CE C
C
I V V V I
R
= = = =
+

Seja, ento, a reta de carga obtida sobreposta caracterstica de sada em
emissor comum do TBJ (figura ao lado), onde o ponto de operao obtido
no item a) dado por Q
1
(ponto na regio ativa direta). Como a variao
de R
C
no altera a malha de entrada, a corrente de base I
B
permanece
constante, isto , a corrente de coletor I
C
no se altera pois, nesta regio,
ocorre o efeito fonte de corrente controlada por corrente (I
C
=
F
I
B
).
Observa-se, ento, que, se o valor de R
C
aumentar, o ponto extremo para
I
C
= 0 A (resultado 1) no se altera, mas o ponto extremo para V
CE
= 0
(resultado 2) diminui. Desse modo, conclui-se que existe um valor limite
R
C
= R
CMIN
no qual o TBJ atinge o limiar da saturao (ponto de operao
Q
2
) e acima do qual o TBJ comea a saturar (ponto Q
3
).
Logo, no ponto Q
2
(limiar da saturao) tem-se os seguintes valores para o circuito: I
C
= 18,45 mA, V
CE
= 0,3 V e
R
C
= R
CMIN
que, aplicados na equao da reta de carga, obtm-se:
534
+
MIN C
R
MIN C
R 27 , 100
3 , 0 12
10 45 , 18
3

0,7 V
C B
E
369 I
B

V
CB

V
CE

I
E

I
C
I
B

21 k
12 V
200
3,6 V
entrada sada
100
12
100,3+ R
CMIN

I
B
= 50 A
12
V
CE
(V)
12
100,3 + 200
I
C
(mA)
0,3
18,45
Q
1 Q
2
Q
3
6,46
110

Logo, R
CMIN
o valor mnimo de R
C
para saturar o TBJ, isto , para a mesma corrente de base, um valor de R
C

maior que 534 acarretar numa reta de carga que levar o TBJ para a regio de saturao (exemplo, o ponto Q
3
).

PROBLEMA 6: No circuito dado, a base ligada diretamente ao coletor por uma resistncia. Esta ligao chamada
polarizao com realimentao do coletor ou realimentao negativa, e muito utilizada porque oferece grande
estabilidade s variaes de ganho do TBJ. Pede-se: determine a razo entre os resistores R
B
e R
E
, sabendo-se que a
leitura do voltmetro, considerado ideal, 5 V. Dado: ganho de corrente direta em base comum do TBJ = 0,99.
SOLUO
Comentrios: O circuito apresenta o terminal emissor de um NPN ligado linha do
negativo da fonte de tenso, o que tambm usual, pois equivale j estudada
ligao do coletor linha do positivo. Um aspecto importante da realimentao
negativa que, se diodo emissor do TBJ estiver em conduo, ento o TBJ
necessariamente estar na regio ativa direta. Isto se deve ao resistor R
B
pois,
qualquer que seja o valor da corrente de base, a tenso aplicada em R
B
sempre
polariza reversamente o diodo coletor do TBJ e, assim, tem-se J
E
em conduo e J
C
no
corte, caracterstico do modo ativo direto.
Alm disso, com base nos dados fornecidos observa-se que o voltmetro mede a
ddp entre o coletor e o emissor, ou seja, V
CE
= 5 V > 0,3 V, de onde tambm se conclui
que o TBJ est realmente no modo ativo direto.
Sabe-se ento que: V
CB
= V
CE
0,7 = 5 0,7 = 4,3 V. Utilizando-se o
modelo esquemtico do TBJ NPN no modo ativo direto e os dados j obtidos,
tem-se o circuito da figura ao lado. Logo:
Sabendo-se o ganho de corrente direta em base comum (
F
), pode-se obter o
ganho de corrente direta em emissor comum (
F
) com auxlio da Eq. 5.2.3:
99
99 , 0 1
99 , 0
1
=
=
F
F
F

LKT na malha coletor-base:
B
B B B
R
I I R
3 , 4
0 3 , 4 = =
LKT na malha coletor-emissor:
E
E E E
R
I I R
5
0 5 10 = =
86 = + = + =
E
B
R
R
B E
B F E
R
,
R
I I
3 4
) 99 1 (
5
) 1 ( Como

PROBLEMAS PROPOSTOS

PROBLEMA 1: Determine e explique qual a regio de operao se encontra cada TBJ PNP dado abaixo.

PROBLEMA 2: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em base comum do TBJ
empregado 0,996. Pede-se:
a) Prove qual regio de operao se encontra o TBJ;
b) Determine a potncia fornecida pela fonte de tenso.

PROBLEMA 3: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ
empregado 160. Pede-se:
a) Prove qual regio de operao se encontra o TBJ;
b) Determine a potncia dissipada no TBJ.

PROBLEMA 4: Para o circuito fornecido, pede-se:
a) O modo de operao do TBJ est explcito no circuito. Explique, ento, qual esta regio de operao;
b) Determine o valor do resistor R
E
tal que a leitura do ampermetro, considerado ideal, seja 140 mA.
Dado: ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado = 0,995.
0,7 V
C E
B
2 V
E
B
C
0,8 V 0,6 V
C E
B
2 V
2 V
C E
B
0,7 V 2 V
(a) (b) (c) (d)
E
B
C
I
B

I
C
= 99 I
B

I
E

0,7 V
5 V
4,3 V
10 V
R
B

R
E

I
B

I
E

E
B
C
10 V
R
B

R
E

V
linha do
negativo
111

PROBLEMA 5: Para o circuito dado, determine o valor limite do resistor R
B
para que o TBJ atue na regio ativa
direta. Explique se este limite mnimo ou mximo. Dado:
F
do TBJ empregado = 0,98.

PROBLEMA 6: Para o circuito dado, sabe-se que o ampermetro ideal A mede a corrente de 100 A e que ambos os
diodos coletor e emissor do TBJ empregado esto polarizados em conduo. Determine o valor do resistor R
C
.
Dado:
F
do TBJ empregado = 100.

PROBLEMA 7: Para o circuito dado, sabe-se que o voltmetro ideal V mede a tenso de 3,7 V. Determine o ganho
de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado.

PROBLEMA 8: Para o circuito dado, responda as seguintes questes:
a) Qual o valor do resistor R
B
tal que V
CE
= 1 V ? Dados:
F
do TBJ empregado = 125 e R
C
= 40
b) Qual o valor do resistor R
C
tal que V
CE
= 2 V ? Dados:
F
do TBJ = 125 e R
B
obtido no item a)

PROBLEMA 9: Para o circuito fornecido, determine o valor dos resistores R
B
e R
C
, sabendo-se que o ponto de
operao da caracterstica de sada do TBJ empregado : I
C
= 50 mA e V
CE
= 4 V.
Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado = 50.

PROBLEMA 10: O circuito dado um indicador visual de luminosidade atravs de uma lmpada L, que emprega
um LDR como sensor de luz. Explique a relao entre a luminosidade incidida no LDR e a luz emitida pela lmpada.

PROBLEMA 5
E
B
C
+ 8,3 V
500
R
B

200
E
B
C
+ 11 V
R
C

2 k
PROBLEMA 6
A
E
B
C
+ 20 V
5 k
1 k
PROBLEMA 7
V
+ 4 V
250
E
B
C
+ 9 V
10 k
100
PROBLEMA 3
E
B
C
+ 21 V
R
E

4 k
100
PROBLEMA 4
A
E
B
C
- 6 V
200
3 k
PROBLEMA 2
E
B
C
+ 9 V
R
C

100
PROBLEMA 8
R
B

E
B
C
- 10 V
R
C

PROBLEMA 9
R
B

LDR
OPTOACOPLADOR
L
PROBLEMA 10
R

V
1
E
B
C
A

K
V
2
112

PROBLEMA 11: Para o circuito dado, determine a razo limite entre R
1
e R
2
para que o TBJ permanea no bloqueio.

PROBLEMA 12: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ
empregado 100. Pede-se:
a) Prove qual regio de operao se encontra o TBJ.
b) Determine a leitura do voltmetro.

PROBLEMA 13: Montou-se o circuito fornecido e verificou-se que o voltmetro V media 0 V. Foram feitas, ento,
duas suposies para explicar o problema: R
1
est provavelmente em aberto ou R
2
est provavelmente em curto-
circuito. Explique se cada uma destas suposies correta ou no.

PROBLEMA 14: Montou-se o circuito fornecido e observou-se que o voltmetro, em perfeito estado, media 0 V.
Pergunta-se: com apenas esta observao pode-se concluir desde j que o circuito apresenta problemas? Se sim, cite e
explique duas possveis causas com componentes do circuito. Se no, explique porque.

PROBLEMA 15: Montou-se um circuito indicador visual de luminosidade atravs do brilho de um LED (figura
dada), que emprega um LDR como sensor de luz. Pede-se:
a) Explique a relao entre luminosidade no LDR e brilho do LED.
b) No circuito percebeu-se que, a partir de uma certa intensidade de luz incidida no LDR, a intensidade da luz emitida
pelo LED praticamente no mais se alterava. Explique porque.

PROBLEMA 16: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho
F
do TBJ empregado 50. Pede-se:
a) Determine a regio de operao em que se encontra o TBJ;
b) Determine a potncia dissipada no TBJ.

PROBLEMA 17: Montou-se o circuito dado e passou-se a variar o potencimetro R
P
, quando observou-se que,
abaixo de um certo valor do potencimetro, a medio do voltmetro praticamente no mais se alterava. Sabendo-se
que todos os componentes do circuito esto em perfeito estado, explique a razo para ocorrer esta observao.

PROBLEMA 18: Para o circuito fornecido, determine:
a) V
1
e V
2
, sabendo-se que:
F
= 100 , V
CC
= 15 V , V
EE
= -15 V , V
BB
= 5 V , R
C
= 500 , R
E
= 1 k , R
B
= 44 k
b) Para as mesmas condies do item a), que valor de R
C
far V
1
= 0 V ?
c) Para as mesmas condies do item a), que valor de R
E
far V
2
= 0 V ?
E
B
C
PROBLEMA 11
+7 V
200
R
1

R
2

100
E
B
C
PROBLEMA 12
+ 4 V
100
9 k
1 k
V E
B
C
V
R
1

PROBLEMA 13
R
C

R
2

R
E

+V
C

LDR
E
B
C
+ 9 V
LED
PROBLEMA 15

A

K
200
E
B
C
V
10 k
PROBLEMA 14
+ 0,4 V
200
100
+ 20 V
PROBLEMA 16
E
B
C 1650
500
500
113

PROBLEMA 19: Para o circuito dado, determine o valor dos resistores R
E
, R
C
e R
B
, sabendo-se que:
- R
B
= 82 R
E
; ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado = 60
- leitura do voltmetro ideal = 4,7 V ; leitura do ampermetro ideal = 30,5 mA

PROBLEMA 20: Para o circuito dado, sabe-se que as leituras dos voltmetros V
1
e V
2
ideais, so 2 V e 12,8 V,
respectivamente. Determine a regio de operao do TBJ e o valor da fonte V
CC
do circuito. Dado:
F
do TBJ = 57.

PROBLEMA 21: Para o circuito fornecido, sabe-se que as leituras do ampermetro A e do voltmetro V,
considerados ideais, so 25 mA e 4,98 V, respectivamente. Determine a regio de operao do TBJ empregado, o valor
das correntes I
1
, I
2
, e I
3
, e o valor dos resistores R
B
e R
C
. Dado: ganho
F
do TBJ = 0,996.

PROBLEMA 22: Para o circuito dado, determine o valor limite de V
EE
para que o TBJ fique saturado. Dado:
F
= 60.

PROBLEMA 23: O circuito dado um melhoramento do regulador de tenso com Zener visto no Captulo 4 e
muito usado para se construir fontes CC pois apresenta maior estabilizao e capacidade de corrente. O TBJ agora o
elemento de controle de tenso, pois a sada V
L
comandada por V
CE
, e o Zener atua como elemento de referncia de
tenso. O TBJ trabalha firmemente na regio ativa direta devido ao resistor de 50 (realimentao negativa), que
polariza no corte o diodo coletor. Neste circuito, a carga R
L
pode funcionar a vazio ou dissipar uma potncia mxima
de 500 mW e o ganho de corrente em emissor comum do TBJ 99. Determine, ento, a faixa de tenso da entrada V
S

para que a tenso da carga seja regulada em 5 V. Dados do Zener empregado: V
Z
= 5,7 V, I
ZK
= 3 mA e I
ZM
= 50 mA.

PROBLEMA 24: Para o circuito fornecido, determine o valor limite do resistor R
C
para que o TBJ entre para a regio
de saturao. Explique se este limite mnimo ou mximo. Dado:
F
= 0,99.

PROBLEMA 18
E
B
C
V
CC
R
B

R
C

R
E

V
EE
V
BB
V
1
V
2
V
A
PROBLEMA 19
E
B
C
+ 15 V

R
B

R
C

R
E

C
B
E
V
PROBLEMA 17
R
E

+V
C

R
C

R
P

C
B
E
K

A
V
S
50
D
Z

V
L
R
L

PROBLEMA 23
E
B
C
200
12 k
220
V
EE

PROBLEMA 22
E
B
C
36 k
PROBLEMA 24
+8 V
R
C

V
1

PROBLEMA 20
E
B
C
V
CC
V
2

18 k

1 k

100

600

A
PROBLEMA 21
E
B
C
V
10 7 k

R
C
R
B
I
1

I
3

I
2

114

PROBLEMA 25: Para o circuito e a forma de onda da fonte v
S
dados abaixo, determine a forma de onda da tenso de
sada v
sada
e obtenha concluses sobre amplificao e fase do sinal. Dado:
F
= 99.

PROBLEMA 26: Seja o circuito contendo um TBJ NPN (figura fornecida), polarizado em determinado ponto de
operao. Deseja-se trocar este TBJ por um equivalente do tipo PNP, conectando seus terminais emissor, base e
coletor nos mesmos do NPN. Explique que adequao deve-se realizar no circuito para que ele funcione no mesmo
ponto de operao do NPN.

PROBLEMA 27: Para o circuito fornecido, sabe-se que o voltmetro ideal V mede 2 V e que os ganhos de corrente
reversa e direta em base comum do TBJ so, respectivamente, 0,6 e 0,98. Determine o valor do resistor R
C
.

PROBLEMA 28: Montou-se o circuito fornecido e verificou-se que o voltmetro V media 0 V. Foram feitas, ento,
duas suposies para explicar o problema: R
1
est provavelmente em curto ou R
E
est provavelmente em aberto.
Explique se cada uma destas suposies possvel ou no.

PROBLEMA 29: Montou-se um circuito indicador visual de temperatura ambiente atravs do brilho de uma lmpada
L, e que emprega um termistor tipo NTC como sensor de temperatura (figura dada). Pede-se: explique a relao entre
temperatura no termistor e brilho da lmpada.

PROBLEMA 30: Para o circuito fornecido, considere V
S
= 10 V como o sinal de tenso de entrada do circuito.
Determine a razo entre V
sada
e V
S
(ganho de tenso), para os seguintes valores do resistor R
E
: 100 , 1 k e 10 k.
Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado igual a 199.

PROBLEMA 25
0 T 2T t
0,5
v
S
(V)
12 V
200
E
B
C
100
v
sada

3,5 V
v
S

NTC
OPTOACOPLADOR
L
PROBLEMA 29
V
1
E
B
C
A

K
R
T
V
2
PROBLEMA 30
V
S

E
B
C
10 k
R
E

V
sada

20 V
E
B
C
R
1

PROBLEMA 26
R
C

R
2

R
E

+V
C

C
B
E
V
R
1

PROBLEMA 28
R
E

R
2

R
C

V
C

C
B
E
PROBLEMA 27
6 V
18 k
6 k
V
R
C

115
0 1 2 3 4 t(s)
8,75
5,0
3,75
v
L
(V)
[6]
APNDICE: RESPOSTAS DE ALGUNS PROBLEMAS PROPOSTOS

CAPTULO 1

[2] = 5,89 x 10
-8
m ; = 16,97 x 10
6
S/m
[4] roxo-verde-marrom
[5] maior resistncia: fio de cobre ; maior peso: fio de alumnio
[6] 2 < a/b < 5
[7]
A, 20 C
= 4 x 10
-4

o
C
-1
;
B, 20 C
= = 3,89 x 10
-4

o
C
-1

[8] a) = 2,33 x 10
-4

o
C
-1
; = - 10
-4

o
C
-1
; = - 4,33 x 10
-4

o
C
-1
c) m = 0,003
[9] a) R
CC, cabo, 50 C
= 16,62 /km b) f = 178,57 Hz
[11]
A, 20 C
= -0,001
o
C
-1
;
B, 20 C
= 0,00125
o
C
-1

[12] ddp
C-A
= -10 mV
[13] R
B
= 24 ; R
C
= 27 ; R
D
= 26,25
[14] V
J
= 4 V ; I
1
= I
3
= 1 A , I
2
= 0 A ; R
1
= R
2
= R
3
= 2
[15] R
A
= 7 ; R
B
= 3

CAPTULO 2

[1] a) C , Q , V
capacitor
= V ; b) C , Q = constante , V
capacitor

[2] V
max 1
= 442 V , V
max 2
= 553 V apenas o dieltrico 2
[3] 25 mm
[4] a) 15 mH ; b) 27 mH ; c) 15 mH

CAPTULO 4

[1] a) - 0,15 V b) 52,5 c) 0,2 mA ; 1,44 mA ; 10,45 mA d) 0,395 V e) 1,447 A
[2] a) P
fonte
= 2,58 W ; P
50
= 2,31125 W ; P
10
= 0,15625 W ; P
D
= 0,072 W ; P
5
= 0,0405 W
b) 12,5 c) P
10
= 25 mW ; P
5
= 0 W
[3] a) 4,26 V b) 0 V c) 4,136 V
[5] P
9
= 1,44 W ; P
D
= 0 W
[7] R > 800
[8] a) 50 R < 100
[10] R
1
/

R
2
< 1,5
[11] 6 V
[12] 99 V
[16] a) a = - 0,5 ; b = 3
[26] v
L
= 4,653 + 0,0989 sen(t) (V)
[30] R
L min
= 120 ; R
L max
=
[31] 18,7 V
S
19,6 V
[32] Zeners 2 e 5

[19]
10
0 2 3 t
v
S
, v
o
(V)
v
o

v
S

-5
5
3/2 /2
[15]
+ V
C
- V
C
0


[21] a)
i
= 14,4
o
= 0,08
b)
2
0 /2 3/2 2 t
v
S
, v
L
(V)
v
L

v
S

-2
1,35
0,5
i

2
v
S
, v
D
(V)
v
D

v
S

-2
0,65
0,5
0 /2 3/2 2 t

CAPTULO 5

[2] a) TBJ com realimentao negativa TBJ no ativo direto ; b) P
fonte
= 0,15 W
[3] a) TBJ saturado ; b) P
TBJ
= 17,6 mW
[4] b) R
E
= 25
[5] R
B
= 8060 (valor mnimo)
[6] R
C
= 120
[7]
F
= 65
[8] a) R
B
= 5,66 k b) R
C
= 22,4
[9] R
B
= 9,3 k ; R
C
= 120
[11] R
1
/

R
2
> 13
[12] a) TBJ no bloqueio ; b) leitura do voltmetro = 4 V
[13] Ambas suposies corretas.
[15] b) TBJ saturado.
[16] a) TBJ com realimentao negativa TBJ no ativo direto ; b) P
TBJ
= 120 mW
[18] a) V
1
= 8,35 V ; V
2
= -1,57 V b) R
C
= 1,13 k c) R
E
= 1,52 k
[19] R
E
= 200 ; R
C
= 140 ; R
B
= 16,4 k
[20] V
CC
= 20 V
[21] I
1
= 25,1 mA ; I
2
= 0,2 mA ; I
3
= 0,1 mA ; R
B
= 21,4 k ; R
C
= 200
[22] V
EE
= 12,9 V
[23] 5,85 V
S
8,25
[24] R
C
> 389
[27] R
C
96,67
[28] Ambas suposies corretas
[30] 0,620 ; 0,885 ; 0,925

[22]
10
0 t
v
S
, v
L
(V)
v
L

v
S

-10
4
5
-5
-4
2
-4
0 2 t
v
S
, v
L
(V)
v
L

v
S

-10
5
4
-5
3,2
0 T 2T t
6,456
v
sada
(V)
5,466
[25]
[25]
20
2
v
S
, v
L
(V)
v
L

v
S

-10
14
5
10
25/7
-50/7
0 t
c)
[20]
2 V
m

[28]
n V
m

[27]
15
0 /2 2
v
S
, v
L
(V)
v
L

v
S

-15
5,7
9,3
-7,5
t
3/2
c)

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EMENTA: ESTUDO DE MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES;

NOES DE FSICA DO ESTADO SLIDO; DISPOSITIVOS

, representando o limite mnimo no

(para o modelo aproximado) ou V

(para o modelo aproximado) ou V

> > >

. Logo, tem-se que:

), permitindo, ento, que o sinal

), o diodo permanece cortado e ocorre que nenhum

), menor ser o ngulo de conduo (

para o diodo no corte, ento:

diodo (Fig. 4.8.1-c). Este sinal isoladamente no ser,

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