Você está na página 1de 8

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

w. 4 Sprzenie zwrotne
1. Cel wiczenia

Celem wiczenia jest ugruntowanie wiadomoci dotyczcych elementarnej teorii sprzenia zwrotnego w ukadach elektronicznych.

2.

Wymagane informacje

Budowa wzmacniacza tranzystorowego i jego parametry (wzmocnienie, rezystancja wejciowa i wyjciowa, grna i dolna czstotliwo graniczna), twierdzenie Thevenina.

3.

Wprowadzenie teoretyczne

Sprzenie zwrotne w ukadzie elektronicznym realizuje si przez sumowanie czci sygnau wyjciowego z sygnaem wejciowym i uycie tej kombinacji do sterowania ukadu. Skutkiem dziaania sprzenia zwrotnego jest modyfikacja waciwoci ukadu. Ujemne sprzenie zwrotne polepsza liniowo ukadw, zmniejsza znieksztacenia nieliniowe oraz obnia wpyw zmian elementw aktywnych na parametry ukadu, zmniejsza wraliwo (kosztem redukcji wzmocnienia). Stosuje si je rwnie w celu modyfikacji charakterystyk czstotliwociowych wzmacniaczy lub zmiany ich impedancji wejciowej i wyjciowej oraz do stabilizacji punktu pracy tranzystorw. Zasadnicza cz wiczenia powiecona jest pomiarom parametrw roboczych podstawowego, jednostopniowego wzmacniacza oporowego (RC) z tranzystorem bipolarnym. W ukadzie mona aplikowa rne rodzaje ujemnych sprze zwrotnych. Waciwoci tych ostatnich obrazowane s zmianami wartoci parametrw roboczych wzmacniacza. Wyniki pomiarw mog by nastpnie skonfrontowane z wartociami otrzymanymi z oblicze teoretycznych. Obliczenia te wykonuje si w oparciu o maoczstotliwociowy, maosygnaowy model tranzystora z parametrami mieszanymi [h] oraz koncepcje skorygowanej macierzy tych parametrw [hf] w przypadku danych sprze zwrotnych.

4.

Wykonanie wiczenia

4.1. Pomiar parametrw roboczych wzmacniacza bez sprzenia zwrotnego Poczy ukad wzmacniacza wedug schematu z Rys.1. Do wejcia naley doprowadzi napicie sinusoidalne z generatora funkcyjnego (kady zesp inne patrz Tabela 1). Do wyjcia naley podczy kana B oscyloskopu, natomiast kana A do wejcia. Wszelkich pomiarw dokonywa za pomoc oscyloskopu. Model tranzystora BC177AP znajduje si w bibliotece BJT_PNP programu MultiSIM.
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 1

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

Tabela 1. Parametry sygnau wejciwego do wyboru przez poszczeglne zespoy

Grupa A B C D E

Amplituda [mV] 50 80 100 120 150

Czstotliwo [kHz] 3 3 5 5 5

rwe

rwy

WY WE

RE

Rys.1. Schemat ukadu wzmacniacza bez sprze zwrotnych.

Naley przeprowadzi pomiary nastpujcych wzmacniacza: u ku = wy wzmocnienie napiciowe, u we u impedancja wejciowa, rwe = we iwe uwy |RL = impedancja wyjciowa, rwy = iwy |RL =0
fd , f g

parametrw

roboczych

czstotliwoci graniczne: dolna i grna.

Wszystkie pomiary za wyjtkiem impedancji wyjciowej naley przeprowadzi dla wzmacniacza nieobcionego.
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 2

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

Wzmocnienie napiciowe naley zmierzy poprzez porwnanie amplitud sygnaw na wejciu (bazie) i wyjciu tranzystora (kolektorze). W celu wyznaczenia impedancji wejciowej naley zmierzy napicie i prd wejciowy tranzystora. Wielko prdu mona zmierzy poprzez pomiar spadku napicia na rezystorze wejciowym o znanej wartoci (pomiar napicia wzgldem masy przed i za rezystorem, a nastpnie podzielenie go przez znan warto rezystancji). W celu wyznaczenia impedancji wyjciowej naley posuy si twierdzeniem Thevenina. Na jego mocy kady badany ukad widziany od strony zaciskw wyjciowych mona przedstawi w postaci zastpczego rda napicia o okrelonej impedancji wewntrznej. Sytuacj t ilustruje Rys.2.

Rys.2. Ilustracja twierdzenia Thevenina.

Mierzc napicie wyjciowe nieobcionego wzmacniacza wyznacza si warto siy elektromotorycznej eg zastpczego rda. Obciajc to rdo znan rezystancj R0 doprowadza si do podziau tej siy na spadki napicia na rezystancji wyjciowej rwy i rezystancji obcienia R0. Mona zatem zauway, e jeli te dwie rezystancje bd sobie rwne na kadej z nich odoy si poowa eg dzielnik napicia. A wic naley znale tak warto rezystancji obcienia aby napicie wyjciowe spado do poowy wartoci napicia wyjciowego wzmacniacza nieobcionego. W takiej sytuacji warto rezystancji wyjciowej bdzie rwna rezystancji obcienia. Czstotliwoci graniczne (czstotliwoci poowy mocy) zgodnie z ich definicj okrela si na podstawie charakterystyk czstotliwociowych jako czstotliwoci, w ktrych moc sygnau wyjciowego spada o poow (a wic napicie spada o 2 ). Stanowi to spadek mocy o 3 dB na charakterystyce amplitudowo-czstotliwociowej wzmacniacza (std nazwa pasma 3-decybelowego). Aby je zmierzy naley wykreli t charakterystyk za pomoc plotera Bodego. 4.2. Pomiar parametrw roboczych wzmacniacza z ujemnym, prdowym, szeregowym sprzeniem zwrotnym Naley poczy ukad wzmacniacza wedug schematu z Rys.3. i przeprowadzi pomiary tego samego zestawu parametrw roboczych jak w poprzednim punkcie. Naley otrzymane wyniki porwna z otrzymanymi w poprzednim punkcie a nastpnie skomentowa.
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 3

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

Rys.3. Schemat wzmacniacza z szeregowym sprzeniem zwrotnym.

4.3. Pomiar parametrw roboczych wzmacniacza z ujemnym, napiciowym, rwnolegym sprzeniem zwrotnym Naley poczy ukad wzmacniacza wedug schematu z Rys.4. i przeprowadzi pomiary tego samego zestawu parametrw roboczych jak w poprzednim punkcie. Naley otrzymane wyniki porwna z otrzymanymi w poprzednim punkcie a nastpnie skomentowa.

Rys.4. Schemat wzmacniacza z rwnolegym sprzeniem zwrotnym. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 4

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

4.4. Pomiar parametrw roboczych wzmacniacza z ujemnym, mieszanym sprzeniem zwrotnym Naley poczy ukad wzmacniacza wedug schematu z Rys.5. i przeprowadzi pomiary tego samego zestawu parametrw roboczych jak w poprzednim punkcie. Naley otrzymane wyniki porwna z otrzymanymi w poprzednim punkcie a nastpnie skomentowa.

Rys.5. Schemat wzmacniacza z mieszanym sprzeniem zwrotnym.

4.5. Pomiar parametrw roboczych wtrnika emiterowego wzmacniacza ze stuprocentowym napiciowym, szeregowym sprzeniem zwrotnym Naley poczy ukad wzmacniacza wedug schematu z Rys.6. i przeprowadzi pomiary tego samego zestawu parametrw roboczych jak w poprzednim punkcie. Naley otrzymane wyniki porwna z otrzymanymi w poprzednim punkcie a nastpnie skomentowa. W sprawozdaniu naley napisa dlaczego ukad ten nazywany jest wtrnikiem oraz jakie moe mie zastosowanie.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 5

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

Rys.6. Schemat wtrnika emiterowego.

4.6. Obliczenie teoretycznych wartoci parametrw wzmacniacza bez sprzenia zwrotnego Wartoci mierzonych wczeniej parametrw mona obliczy teoretycznie posikujc si maosygnaowym, maoczstotliwociowy modelem zastpczym tranzystora z parametrami mieszanymi [he]. Obwd wzmacniacza zgodny z tym modelem przedstawia Rys.7.

Rys.7. Schemat modelu zastpczego badanego ukadu.

Dla badanego nastpujce wartoci: h11e = 1.94 k, h12 e 0, h21e = 330, h22 e = 52.4 S.

wzmacniacza

parametry

maosygnaowe

przyjmuj

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 6

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

W takim ukadzie mona otrzyma wzmocnienie napiciowe dla zakresu rednich czstotliwoci wedug wzoru: u h21rL ku = wy = u we h11 + hrL R R gdzie: rL = C 0 , h = h11h22 h21h12 , RC + R0 impedancj wejciow wzmacniacza wedug wzoru: r R rwe = weT B rweT + RB h + hrL R R rweT = 11 RB = B1 B 2 , , gdzie: 1 + h22 rL RB1 + RB 2 a impedancj wyjciow wedug wzoru: r R rwy = wyT C , rwyT + RC ( z g + RG ) RB h +r ' gdzie: . rwyT = 11 g , rg ' = ( z g + RG ) + RB h + h22 rg ' 4.7. Obliczenie teoretycznych wartoci parametrw wzmacniaczy ze sprzeniami zwrotnymi. Na podstawie obliczonych parametrw modelu maosygnaowego dla wzmacniacza bez sprzenia zwrotnego moliwe jest wyprowadzenie skorygowanych parametrw [hf] dla ukadw ze sprzeniami zwrotnymi, a na ich podstawie wzmocnienia i impedancji wzmacniacza. Zwizek pomidzy wczeniej wyprowadzonymi wartociami a parametrami mona obliczy na podstawie: dla sprzenia prdowego szeregowego: h11 f = h11e + (1 + h21e ) RE h11e + 0 RE ,
h12 f = h12 e + h22 e RE h22 e RE , h21 f = h21e = 0 , h22 f = h22e , h f = he + h22 e RE h22 e RE .

dla sprzenia napiciowego rwnolegego (uwaga! Do wczeniejszych wzorw naley podstawi RF zamiast RB): h11 f = h11e ,
h12 f = h12 e + h21 f = h21e h11e h11e , RF RF = 0 ,

1 + h21e h22 e + 0 , RF RF h h h f = he + 11e 11e . RF RF h22 f = h22 e +


KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 7

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.4. SPRZENIE ZWROTNE

dla sprzenia mieszanego (uwaga! Do wczeniejszych wzorw naley podstawi RF zamiast RB): h11 f = h11e + 0 RE , h12 f = h12 e +
h21 f = h21e

h11e R R + h22e RE + 0 E 0 E , RF RF RF = 0 ,

h22 f = h22 e +

, RF R R h h f = he + 11e + h22 e RE + 0 E 0 E . RF RF RF

4.8. Obliczenie teoretycznych wartoci parametrw wtrnika emiterowego Analogicznie jak poprzednio mona postpi dla ukadu wtrnika emiterowego. Naley posuy si zalenociami dla: wzmocnienia napiciowego: u 1 1 , ku = wy = h11e h11e u we 1 + 1+ RE (1 + h21e ) 0 RE impedancji wejciowej (zastpi rweT): 1 + h21e rweT = h11e + h11e + 0 RE , 1 h22 e + RE impedancji wyjciowej: r R rwy = wyT E rwyT + RE h +r ' h +r ' gdzie rwyT = 11e g 11e g . 1 + h21e 0

5.

Opracowanie wynikw
W sprawozdaniu z wiczenia naley: narysowa schematy badanych ukadw, zamieci zmierzone wzmocnienia, rezystancje wejciowe i wyjciowe oraz czstotliwoci graniczne, wszystkie wartoci naley zebra w tabeli i porwna wpyw danego sprzenia na dziaanie ukadu, obliczy teoretyczne wartoci parametrw wzmacniacza i porwna z otrzymanymi wynikami symulacyjnymi, wycign wnioski.

6.

Literatura
[1] Elementy i ukady elektroniczne. Cz 1., pod red. S. Kuty, Wydawnictwa AGH, Krakw 2000, Rozdzia 11 Sprzenie zwrotne (ss. 218-238)

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 8

Você também pode gostar

  • CW 1
    CW 1
    Documento8 páginas
    CW 1
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 9
    CW 9
    Documento6 páginas
    CW 9
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • Plan Urządzania Lasu PDF
    Plan Urządzania Lasu PDF
    Documento253 páginas
    Plan Urządzania Lasu PDF
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 8
    CW 8
    Documento7 páginas
    CW 8
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 0
    CW 0
    Documento9 páginas
    CW 0
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 6
    CW 6
    Documento6 páginas
    CW 6
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 7
    CW 7
    Documento5 páginas
    CW 7
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 3
    CW 3
    Documento6 páginas
    CW 3
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 5
    CW 5
    Documento10 páginas
    CW 5
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 2
    CW 2
    Documento6 páginas
    CW 2
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • CW 10
    CW 10
    Documento6 páginas
    CW 10
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    100% (1)
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento68 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações
  • W W W - P o L
    W W W - P o L
    Documento66 páginas
    W W W - P o L
    ENAK9000
    Ainda não há avaliações