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Memorias Estticas; 6116, 2716 y 2816.

Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

MEMORIAS A todo dispositivo que sirva para almacenar informacin se le asigna el nombre de memoria, en una memoria debe existir la posibilidad de poder extraer la informacin que fu previamente almacenada. En un sistema la informacin se almacena en forma de datos y de instrucciones, de tal manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha informacin cuando as se requiera, para realizar esta funcin se necesita un sistema de control para la transferencia de informacin, que se encuentra dentro de la memoria. La memoria esta constituida por localidades con casilleros individuales para cada bit de informacin, (BIT significa BInary digIT), cada localidad corresponde a una direccin determinada, la estructura de una memoria es similar al barrio de una ciudad, en el que cada casa corresponde a su nmero.. Una vez que dicha informacin haya sido incluida dentro de la memoria de un sistema, cada informacin, ya sea dato o instruccin puede alcanzarse nicamente a travs de su direccin. La memoria esta caracterizada por tres propiedades fundamentales; * Capacidad de la memoria * Tiempo de acceso * Costos por bit CAPACIDAD DE LA MEMORIA La capacidad de la memoria o capacidad de almacenamiento viene definida por el nmero de bits de almacenamiento existente y el nmero de la longitud de palabras, la capacidad de la memoria se indica en Kbytes, en un sistema la capacidad puede ampliarse indefinidamente, sin que tengan que cambiarse las unidades de E/S ni la CPU, las etapas de ampliacin pueden ser; 1,024 2,048 4,096 8,192 16,384 32,768 65,536 131,072 262,144 Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes Kbytes

TIEMPOS DE ACCESO El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una informacin almacenada; el tiempo de acceso es una caracterstica importante para determinar la velocidad de resolucin de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la

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memoria se alcanzan ms rpidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se habla entonces del tiempo de acceso promedio. COSTOS POR BIT Los costos por bit comprenden los gastos de adquisicin de una memoria referidos nicamente a un solo bit, si al adquirir una memoria se establece un limite de gastos que no ha de ser sobrepasado, puede apreciarse que cuando ms grande se elija la capacidad de la memoria, mayor ser el tiempo de acceso, en cambio si se requiere una capacidad mnima los costos disminuirn a medida que aumentan los tiempos de acceso.

LA MEMORIA RAM 6116


El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria esttica de alta velocidad, esta fabricada con la tecnologa CMOS, opera con una fuente de alimentacin de +5.0 Volts y esta dispuesta en una pastilla de 24 terminales. CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
Organizacin de la memoria: 2048

X8 Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg. Baja potencia en estado inactivo: 10 uW Baja potencia en estado activo: 160 mW RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados. Potencia de disipacin: 1 Watts Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnologa TTL Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM 6132

DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES


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A0-A10: Lineas de direcciones E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos CS Habilitador de la pastilla OE Habilitador de salidas WE Habilitador para la escritura Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts GND Terminal de tierra 0.0 Volts OPERACIN DE LECTURA Un dato ser ledo del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicacin de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente. (CS)' posee la funcin de controlar la activacin de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo. La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria. OPERACIN DE ESCRITURA Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicacin de un nivel bajo en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'. La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se habiliten para aceptar la informacin, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opcin de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar as la operacin de escritura.

LA MEMORIA EPROM 2716


Descripcin general La EPROM 2716 contiene caractersticas borrables y es elctricamente reprogramable, es de alta velocidad y proporciona acceso a 16 Kbits de informacin, esta diseada para aplicaciones en donde son importantes los cambios rpidos en la tensin. La EPROM 2716 esta empacada en un circuito integrado de 24 terminales, usa una placa transparente en su dorso, lo cual nos permite exponer el chip a rayos ultravioleta pticos, que se utilizan para borrar la memoria, se le puede depositar una nueva informacin aun despus de estar borrada siguiendo los procedimientos de programacin adecuados, esta EPROM 2716 esta constituida con tecnologa de alta densidad con compuertas CMOS de canal N.

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Ventajas
Tiempo

de acceso menor que 250 nseg. Bajo consumo de potencia


Disipacin en estado

activo: 525 mW mx. Disipacin en estado inactivo: 132 mW mx.


Fuente de alimentacin de +5

Volts Rango de temperatura de -40 hasta +85 grados centgrados Caractersticas estticas (no requiere refrescamiento por medio del reloj) Entradas y salidas compatibles con la tecnologa TTL Capacidad de colocarse en tercer estado. OPERACIN DEL DISPOSITIVO Existen 5 modos de operacin, se debe hacer notar que todas las entradas son TTL independientemente del modo de operacin, la fuente de alimentacin requiere de +5.0 Volts en la terminal Vcc, la terminal Vpp esta en alta tensin +25 Volts durante 3 modos y en +5 Volts en los otros dos modos de operacin. DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES

A0-A10: Lineas de direcciones D0-D7: Salida de datos (CE)' Habilitador de la pastilla (OE)' Habilitador de salidas PGM Condicin de programacin Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts Vss Terminal de tierra 0.0 Volts Vpp Voltaje de programacin NC No conexin OPERACIN DE LECTURA Para leer la memoria se deben hacer las conexiones de las terminales que a continuacin se especifican, la
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terminal Vpp se conecta a Vcc para inhibir con esto la programacin, las entradas (OE)' y (CE)' se colocan en tierra y con estas simples conexiones se puede leer la memoria, los datos estarn sobre las terminales D1 - D7, la informacin se puede visualizar con LED'S quienes indican el dato direccionado por las terminales A0 - A10, cuya capacidad es de (2K X 8), 2048 localidades de 8 bits cada una. MODO DE PROGRAMACIN Para programar la memoria se requieren las siguientes conexiones: En la terminal 18 se debe depositar un pulso de Tw = 45 mseg aproximadamente, dicho pulso deber estar dado por un monoestable. La terminal 20 que es el habilitador de salidas se conecta a la polarizacin de +5.0 Volts (la alimentacin). La terminal 21, voltaje de programacin se conecta a un voltaje fijo de +25.0 Volts, la memoria normalmente cuando no esta grabada contiene "unos", por lo tanto en la operacin de grabacin se procede a depositar ceros. PRECAUCIONES Excediendo de los 25 Volts en la terminal Vpp (pin 21) se daara la EPROM 2716 y despus todos los bits quedaran en el estado uno lgico. La informacin debe ser introducida usando el modo de programacin, depositando solamente ceros lgicos en la localidad seleccionada y con la combinacin deseada, aunque ambos unos y ceros pueden ser presentados como datos de entrada en la palabra de informacin a grabar. La nica manera de cambiar los ceros por los unos es borrando totalmente la memoria EPROM 2716 a travs de una intensa luz ultravioleta. La EPROM 2716 esta en la modalidad de programacin cuando la fuente de alimentacin de Vpp esta en +25 Volts y (OE)' en estado lgico alto. Se requiere un capacitor de 0.1 uF dispuesto entre +Vcc y GND para suprimir los estados transitorios de tensin que puedan daar al dispositivo EPROM 2716. La informacin debe se programada en 8 bits en paralelo dispuestos en las terminales de salida del chip, los niveles deben ser compatibles con la tecnologa TTL. Cuando la direccin y el programa son estables, se debe hacer presente el pulso activo de programacin durante 45 mseg. Se puede programar cualquier localidad en cualquier tiempo en forma secuencial o con acceso aleatorio,. El pulso de programacin debe tener una duracin mxima de 55 mseg. La EPROM 2716 no debe ser programada con una seal de CD en la terminal de programacin (CE)'. Se pueden programar varias EPROM 2716 en paralelo con la misma informacin, debido a la simplicidad de los requerimientos de programacin.
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LA MEMORIA EEPROM 2816


El circuito integrado EEPROM 2816 es una memoria reprogramable y borrable que contiene 2048 localidades de memoria con 8 bits cada una, (2K X 8) y opera con una sola fuente de alimentacin de + 5 Volts, con tiempos similares a los de una RAM esttica en modo de lectura, tiene dos modos de programacin una de +5 Volts y otra de alto voltaje. El modo de programacin de +5 Volts se inicia con un pulso de escritura con una transicin alto/bajo de nivel TTL con una duracin de 200 nseg, el circuito automticamente borra el byte seleccionado antes de escribir otro dato nuevo, se completa un ciclo de borrado/escritura en un tiempo mximo de 10 mseg, el tiempo de acceso a lectura es de 250 nseg, todas sus salidas son compatibles con la tecnologa TTL. CARACTERSTICAS DE LA 2816 Organizacin de la memoria 2048 X8 Tipo de funcionamiento; chip esttico Tiempos de acceso a lectura; 250 nseg. Capacidad de correccin para un solo bit Tiempo de escritura max, 10 mseg. Compatible con la arquitectura de microprocesadores Potencia de disipacin a).- Estado activo; 610 mW b).- Estado inactivo: 295 mW

LA DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES ES LA SIGUIENTE


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A0 - A10 Lineas de direcciones E/S0 E/S7 Entrada y salida de datos (CE)' Habilitador del chip (OE)' Habilitador de las salidas Vpp Voltaje de programacin Vcc + 5 Volts Vss 0.0 Volts tierra. OPERACIN DE EPROM 2816 Este dispositivo contiene seis modos de operacin, segn se muestra en la siguiente figura, los modos de programacin estn diseados para proporcionar compatibilidad mxima con los microprocesadores y para obtener una consistencia optima en el diseo del circuito impreso, el chip EEPROM 2816 es una memoria no voltil, y contiene una densidad apropiada para una aplicacin de tipo industrial, con esto se logra optimizar el costo/eficiencia de manera funcional, todas las tensiones que usa son compatibles, con la tecnologa TTL con la excepcin del modo de borrado total de la memoria, en este modo el voltaje se debe subir arriba de +9 Volts, en las otras formas se debe sostener a + 5 Volts durante la escritura y la lectura. OPERACIN DE LECTURA Un dato es ledo de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicacin de un nivel alto en Vpp, (voltaje de programacin conectada a Vcc), un nivel bajo en (CE)' y un nivel bajo en (OE)', con estas condiciones se obtiene informacin de terminales E/S estarn en estado de alta impedancia siempre y cuando (OE)' y/o (CE)' estn en un nivel alto. La funcin de la terminal (CE)' es la de poder controlar la activacin del chip, puede ser usado por un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo. La terminal que habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, si se tiene en cuanta que las entradas son estables el tiempo de acceso es igual al tiempo de retardo de la terminal (CE)', los datos estn disponibles despus de un tiempo de retardo de la terminal (OE)'.

OPERACIN DE ESCRITURA (modo de programacin de + 5 Volts) El ciclo de escritura es iniciado por la aplicacin de un nivel bajo en Vpp, 200 nseg, mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la direccin es doblemente almacenada a la cada y a la salida de Vpp, una vez realizado esto la arquitectura interna de la memoria borrara automticamente el dato seleccionado y proceder a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg, mientras tanto las terminales E/S o E/S; permanecern en estado de alta impedancia durante un tiempo igual al de la operacin del proceso de escritura, La EEPROM 2816 se escribe y se borra elctricamente utilizando un voltaje de +5 Volts para grabar y leer, la condicin de grabado es "borrado antes de escribir", esta memoria es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el circuito de alimentacin de la energa la informacin no se pierde, se puede usar el modo de "stanby" para que la informacin no se borre.
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La 2816 se borra y se programa elctricamente y no pticamente como lo requieren normalmente las EPROMS, en estas, se borra la informacin con luz ultravioleta, el dispositivo EEPROM 2816 ofrece flexibilidad para borrar un solo bit o todo el chip si as se desea. Para escribir en una localidad en particular, el bit existente se borra antes de escribir el nuevo bit, los niveles de las terminales E/S deben ser compatibles con la tecnologa TTL en cuanto a sus equivalentes de niveles lgicos deseados como niveles de grabacin, la programacin debe durar mnimo 9 msg y un mximo de 15 mseg. OPERACIN DE BORRADO Si se desean borrar todas las direcciones de la EEPROM 2816, el dispositivo ofrece una funcin para borrado inmediato de todas las localidades, cuando esta funcin se lleva a cabo ... (seguir)