CIRCUITOS ELTRICOS E ELETRNICOS NETWORK QUARTA LISTA DE EXERCCIOS

1) Dado o modelo hbrido do Transistor na Configurao EC abaixo, represente os modelos hbridos BC e CC.

Dados: IC = 2,5mA; VCE = 6V; hie = 2,5k; hre = 1,5x10-4; hfe = 220; hoe = 18-1. 2) Dado o modelo hbrido de um amplificador na configurao EC abaixo, calcule os sete parmetros gerais do amplificador.

Dados: RiG = 1k; ICQ = 2,5mA; VCEQ = 6V; RL = 5k; hie = 2,5k; hre = 1,5x10-4; hfe = 220; hoe = 18-1. 3) Determine v1, i1, i2, v0, iL, i0, Av, Ai e Ap.

4) Dado o circuito amplificador abaixo (amplificador classe A), determine a tenso e a potncia mximas na carga e o rendimento do amplificador.

Dados: Rb1 = 10 k, Rb2 = 20 k, Rc = 500, Re = 120 e RL = 1,5 k.

5) Polarize o JFET com VGS constante para VDD = 25V, IDQ = 5mA e VDSQ = 10V.

6) Para um MOSFET de acumulao polarizado com realimentao de dreno, determinar RD. Dados: IDQ = 180mA, VGSQ = 4,5V e VDD = 15V.

7) Para um MOSFET de depleo polarizado com VGS = 0, determinar RD. Dados: IDSS = 120mA, VDSQ = 4V e VDD = 20V.

OBS: Esta lista exerccios dever ser entregue individualmente no dia da quarta prova (30/11/12), ANTES de comear a prova.