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Captulo 12

Detectores continuao II




terceira verso 2006.1



Multipicadores de eltrons


1- Fotomultiplicadora

Fotomultiplicadoras so aparelhos que convertem luz em uma corrente eltrica
mensurvel. So extremamente sensveis e, em fsica nuclear e de altas energias, so
comumente associadas com detectores de cintilao, embora a sua utilizao seja bastante
variada.
A figura abaixo mostra de forma esquemtica uma fotomultiplicadora tpica.
Consiste de um catodo feito de um material foto-sensivel seguido por um sistema de
coleo de eltrons, uma seo multiplicadora de eltrons (ou cadeia de dinodos) e
finalmente um anodo. Todas as partes so usualmente colocadas em um tubo de vidro
evacuado de modo que a fotomultiplicadora tem a aparncia de uma vlvula antiga.


183


Durante a operao uma alta tenso e aplicada ao catodo, dinodos e anodo de
modo que uma `escada` de potencial aparece ao longo do da estrutura catodo-dinodo-
anodo. Quando um fton incidente (de um cintilador por exemplo) sobre o fotocatodo,
um eltron e emitido via efeito fotoeltrico. Devido a tenso aplicada, o eltron e
direcionado acelerado par o primeiro dinodo, onde colide e transfere parte de sua energia
para os eltrons no dinodo. Isto causa a emisso de eltrons secundrios, que por sua vez,
so acelerados ate o prximo dinodo onde mais eltrons so produzidos. Uma cascata de
eltrons e criada em direo ao anodo, onde e coletada para gerar uma corrente que pode
ser amplificada e analisada.




Fotomultiplicadoras (FM) podem operar no modo continuo, ou seja, sob
iluminao constante, ou no modo pulso, como no caso de contar ftons de um cintilador.
Em ambos os modos, se o catodo e os dinodos so supostos lineares,a corrente na sada
da FM (o cintilador produz ftons em proporo a energia depositada no cintilador) seria
capaz de fornecer no somente informao sobre a presena da partcula, mas tambm a
energia a energia depositada no cintilador.
Vamos olhar com mais detalhes as varias partes de uma FM.

O fotocatodo
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O fotocatodo converte a luz incidente em uma corrente de eltrons pelo efeito
fotoeltrico. Para faciltar a passagem desta luz, o material fotosensivel e depositado em
uma camada muito fina no interior da janela da FM que e usualmente feita de vidro ou
quartzo. Pela equao de Einsten

= h E

onde E e a energia cintica do eltron emitido, v e a freqncia da luz incidente e e a
funo trabalho. E claro que uma freqncia mnima e necessria pra que o efeito
fotoeltrico ocorra. Acima deste limiar, contudo, a probabilidade para este efeito esta
longe da unidade.

Exercicio. Calcule o comprimento de onda limite para sensibilizar uma FM com funo
trabalho de 1,5 eV


A eficincia para a converso fotoeltrica varia fortemente com a freqncia da
luz incidente (vide capitulo 9) e a estrutura do material. A resposta espectral e expressa
pela eficincia quntica

o
N
N
= ) (

onde N e o numero de fotoeltrons ejetados e N
o
o numero de ftons com comprimento
de onda incidentes no catodo. Uma quantidade equivalente e a sensibilidade radiante
do catodo, definida como
) (
) (

P
I
E
k
=

onde I
k
e a corrente de emisso fotoeltrica no catodo e P() e a potencia radiante
incidente. A sensibilidade radiante do catodo e usualmente dada em unidades de
ampere/watts e e relacionada com a eficincia quntica por

( )
hc
e
E = ) (

para E em [A/W] e em nanmetros

( )
1240
1
) ( = E


Dezenas de tipos de fotocatodos so utilizados, com sensibilidade espectral variando
desde o infra-vermelho ate o ultravioleta. A tabela abaixo ilustra alguns fotocatodos. A
185
maioria so feitos de antimnio com alguns metais alcalinos. A escolha de
semicondutores ao invs de metais ou outros substancias fotoeltricas e devido a sua boa
eficincia quntica em converter um fton em um eltron utilizvel. De fato,na maioria
dos metais, a eficincia quntica no e maior do que 0,1 % o que significa que na media
de 1000 fotons so necessrios para ejetar um foto-eltron . Por outro lado,
semicondutores possuem eficincia qunticas da ordem de 10 a 30 %, e ate mesmo
maiores (vide figura abaixo). Esta diferena se explica pelas diferenas nas estruturas
intrnsecas. Suponha por exemplo, que um eltron absorva um fton a uma a distancia x
da superfcie do material no seu interior. Ate alcanar a superfcie, este eltron sofrera
uma perda de energia E = x(dE/dx), devido a colises com os eltrons atmicos ao
longo do caminho. Em metais, estes eltrons atmicos esto essencialmente livres,
resultando em grandes transferncias de energia, logo dE/dx e grande. A probabilidade de
alcanar a superfcie com energia suficiente para transpor a barreira de potencial e
bastante reduzida.
Recentes desenvolvimentos na construo de fotocatodos tem sido o uso de
materiais com afinidade eletrnica negativa tais como GaP dopado com zinc e pequenas
quantidades de csio. Nestes materiais a estrutura de banda prxima a superfcie e tal que
o nvel inferior da banda de conduo esta acima do potencial do vcuo. A funo
trabalho e ento negativa. Sem a barreira de potencial, os eltrons precisam somente ter
energia suficiente para alcanar a superfcie e escapar.




Fig. Resposta espectral de alguns materiais




Tipo de catodo Composio Comprimento de Eficincia quntica
186
onda para mxima
resposta [nm]
mxima
S1(C) Ag-O-Cs 800 0,36
S4 SbCs 400 16
S11 (A) SbCs 440 17
Bialkali Sb-K-Cs 420 26
SB Cs-Te 235 10

Tabela com as caractersticas de alguns fotocatodos [Leo]

Ganho

O fator de amplificao ou ganho de um FM depende do numero de dinodos e o fator de
emisso de eltrons secundrios , que e funo da energia dos eltrons primrios. A
energia dos eltrons incidentes em cada dinodo e uma funo da diferena de potencial
entre os dinodos, ou seja


d
KV =

supondo que a voltagem aplicada e igualmente dividida entre os dinodos,o ganho de uma
FM e ento

n
d
n
KV G ) ( = =

Podemos calcular o numero de estgios n, necessrios para um ganho fixo com um
mnimo de voltagem aplicada V
b
.

n
d b
G
K
n
nV V
/ 1
= =


Ex. Minimize a expresso acima para V
b
, derivando em relao a n e mostre que n =
lnG.

Uma vantagem de se operar usando uma voltagem mnima, e que minimizamos tambm
o rudo. A partir da expresso do ganho pode-se mostrar que

b
b
d
d
V
dV
n
V
dV
n
G
dG
= =

para n=10 temos uma variao no ganho de 10 % para uma variao de 1 % em V
b
.
Assim, para manter um estabilidade no ganho.


187
Estatstica da multiplicao de eltrons


Se fosse uma constante, cada foto-eletron seria sujeito a exatamente o mesmo fator de
multiplicao. Sob condies fixas de operao, todos os pulsos de sada que se
originaram de um nico foto-eletron teriam a mesma amplitude. Na realidade, a emisso
de eltrons secundrios e um processo estatstico, e o valor especifico de para um dado
dinodo ira flutuar de evento a evento em torno de seu valor mdio. A forma do espectro
de alturas de pulso de uma FM e uma medida indireta dos graus de flutuao em .
No modelo mais simples, a produo de eltrons secundrios em um dinodo pode
segue a distribuio de Poisson . Para um um nico foto-eletron incidente no primeiro
dinodo, o numero de eltrons secundrios produzidos tem um valor mdio de e um
desvio padro de = ()
1/2
. A varincia relativ, definida com (/)
2
, e assim igual a 1/.
Quando este processo e composto por N estgios idnticos de uma FM, o numero mdio
de eltrons coletados no anodo e dado por
n
. Pode-se mostrar a partir das propriedades
da estatstica de Poisson que a varincia relativa deste numero e dado por

1
1 1
...
1 1 1
3 2

= + + + +

n




Forma do pulso


O sinal de sada no anodo e uma corrente ou pulso cuja carga total e proporcional ao
numero inicial de eltrons emitidos pelo fotocatodo. De fato, a fotomultiplicadora satisfaz
os requerimentos de uma fonte ideal de corrente. A FM pode ser equivalentemente
representada como uma fonte de corrente em paralelo com uma resistncia e
capacitncia. A resistncia R, e a capacitncia C, representam a resistncia e capacitncia
intrnseca do anodo e qualquer outro elemento do circuito.
Vamos examinar o comportamento do sinal na sada do circuito. Supondo que a
entrada e uma luz de um cintilador descrita por um decaimento exponencial, a currente
no anodo sera dada por

) exp( ) (
s s
t GNe
t I

=

onde G e o ganho, N, o numero de foto-eletrons emitidos pelo catodo, e a carga de um
eltron,
s
a constante de decaimento do cintilador. Temos ento


dt
dV
C
R
V
t I + = ) (

188

cuja soluo e

( )
( )
s
s
s s
s s
t
t
GNeTR
t t GNeR
t V

=
|
|

\
|

|
|

\
|
(

\
|

|
|

\
|

=
exp
exp exp
) (
2



onde = RC.




2 - Channeltron

A figura abaixo ilustra o principio de operao de um channeltron. Um on ou eltron
colidindo na entrada do detetor tipicamente produz 2-3 eltrons secundrios. Estes
eltrons so acelerados por uma diferena de potencial. O eltrons colidem com a parede
interna, produzindo eltrons adicionais e assim por diante, at que na sada um pulso da
ordem de 10
7
a 10
8
eltrons emergem. Para ons positivos, a entrada usualmente
polarizada com um potencial negativo de 1200-3000 V e a sada aterrada. Para a deteo
de ons negativos, a entrada geralmente aterrada e aplica-se um potencial positivo na
sada.








189


Ganho

O ganho definido com a razo da corrente de sada para a corrente de entrada. O ganho
em geral uma funo do coeficiente de emisso de eltrons secundrios do vidro, da
voltagem aplicada, e da razo comprimento/dimetro do tubo.

Distribuio de alturas

A distribuio de alturas do pulso de sadas pode ser obtida enviando os pulsos do
channeltron para um analizador multicanal (MCA). O MCA digitaliza o pulso baseado na
amplitude, conta e mostra o nmero de pulsos acumulados. No modo de operao
analgico, o channeltron produz uma distribuio de alturas de pulso que decresce
exponencialmente. No modo de contagem de pulso, obtm-se uma distribuio quase
gaussiana. A figura de mrito de uma uma distribuio de alturas largura meia altura
(FWHM) e expressa como
FWHM = (G
o
v)100%
Onde G
o
o ganho do pico e G a largura da distribuio de pico na metade da altura.
Tipicamente channeltrons operando no modo contagem de pulso geream um FWHM
75% at 20%. Em geral, quanto maior a razo comprimento-dimetro, menor a
distribuio.

Fig. Distribuio de alturas de pulso no modo analgico.

190

Fig. Distribuio de alturas de pulso no modo de contagem de pulsos.





191





192




3 - Microchannel plate

Um microchannel plate (MCP) e um conjunto de 10
4
- 10
7
multiplicadores de eltrons em
miniatura orientados em paralelo um relao ao outro (figura x). Dimetro tpicos esto
na faixa de 10 100 m com uma razo comprimento/dimetro () entre 40 e 100. Os
eixos dos canais so normais com a superfcie ou fazem um pequeno angulo (~ 8
o
) com
a superfcie. A matriz de canais e fabricada usando um material resistivo em vidro,
tratada de modo a otimizar a emisso de eltrons secundrios de cada canal e torna-lo
semicondutor de modo a permitir que a carga em cada canal seja re-completada por uma
fonte de voltagem externa. Assim, cada canal pode ser considerado como um dinodo
continuo independente. Contatos eltricos entre os canais e garantido pela deposio de
um filme metlico, usualmente nquel-cromo ou iconel, em ambas as superfcies do
MCP, e que servem como eletrodos de entrada e sada. A resistncia total entre os
eletrodos e da ordem de 10
9
. O MCPs utilizados sozinhos ou em cascata (serie),
permitem fatores de multiplicao de eltrons (ganho) de 10
4
- 10
7
com uma resoluo
temporal menor do que 100 ps e resoluo espacial limitada somente pelas dimenses e
espaamentos entre os canais; dimetro de 12 m com 15 m centro-a-centro.

Um nico fton de raios-x interagindo com um MCP produz um pulso de carga de 1000
eletrons que emergem na parte posterior do MCP. A single x-ray photon interacting in a
channel of the MCP produces a charge pulse of about 1000 electrons that emerge from
the rear of the plate. Uma vez que os canais confinam o pulso, o padro espacial dos
193
pulsos de eltrons secundrios preservam o padro (imagem ) dos raios-x incidentes na
superfcie dianteira na parte traseira do MCP. Quando acoplado a um MCP adicional e a
um circuito eletrnico de leitura, o MCP torna-se um intensificador de imagens. A
mesma tecnologia e usada para produzir luz visvel a partir de binculos de viso
noturna.

Um fton ou partcula entra no canal e produz um ou mais eltrons nas paredes do MCP.
Uma diferena de potencial de aproximadamente 1000 V (no maximo 1500 V) e aplicada
entre as duas superfcies do MCP. O eltron inicial colide com as paredes do canal,
liberando mais eltrons. Estes eltrons sero acelerados ao longo do canal ate alcanar a
superfcie traseira do MCP. Esta cascata de eltrons resulta em uma nuvem de vrios
milhares de eltrons.














194


Tempo morto

O numero de canais em um MCP de 25 mm de dimetro com canais de 25 m de
dimetro e cerca de 5,5 10
5
. A resistncia do MCP (entre as duas superfcies), e
tipicamente 3 10
8
, de modo que cada canal tem uma resistncia de 2,75 10
14
.
Se considerarmos o MCP como um capacitor de placas paralelas, espaadas de 1
mm, com metade do volume entre eletrodos preenchido com vidro Corning 1861 (
constante dieltrica = 8,3), ento a capacitncia total e cerca de 200 pF ou 3,7 10
-16
F
por canal. Apos `disparar` uma carga em um canal, as paredes devem ser re-preenchidas
com eletrons , e devido a natureza exponencial da multiplicao, a maioria da carga e
produzida nos 20 % finais do comprimento do canal. Isto significa que ha uma
capacitncia intrnseca de C = 7,4 10
-17
F, deve ser recarregada por uma resistncia de
2,75 10
14
de modo que a constante de tempo de recarga, ou tempo de recobrimento,
T
c
e dado por RC ~ 20 ms. Em geral, este tipo de analise prediz que T
c
= RC = Kd, onde
K e a constante de proporcionalidade que depende da razo de rea aberta (soma das
reas dos canais pela rea total) do MCP e e da ordem de 4 10
-13
para MCP fabricados
pela Galileo feitos com vidro Corning 8161.

Dark count

MCP possuem uma funo trabalho relativamente alta, ento as taxas de emisso trmica
de eltrons so baixas. Tipicamente, a temperatura ambiente, o rudo (dark count) de um
MCP em Chevron e da ordem de 1 contagem/cm
2
. s. O rudo comea a aumentar para
presses maiores do que 10
-6
torr devido ao efeito de on feedback.






195










196


















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A uniformidade no tamanho e espaamento entre os canais de um MCP e um fator critico
na deteco e intensificao de imagens de boa qualidade de raios-x. Detalhes to
pequenos quanto 0,025 mm so fielmente reproduzidos



Pratica teste de desempenho de um channeltron


A figura abaixo ilustra o procedimento. A sada do channeltron (que deve estar em vcuo
da ordem de 10
-6
torr), e conectada a um pr-amplificador sensvel a carga e
subsequentemete a um analisador multicanal (MCA). Em adio aos pulsos do detector,
pulsos calibrados em voltagem (V) e integrado em capacitor de valor conhecido (C) so
tambm analisados no MCA. O numero de eltrons no pulso de calibrao e N=Q/C =
CV/q, onde q e a carga do eltron (1,6 10
-19
coulombs ).

Os pulsos do detector so comparados com este pulso conhecido de modo a determinar o
ganho. O ganho do detector pode ser calculado como G = (C
p
/C
c
) N, onde C
p
e o canal
no qual o pico do ganho (ganho modal) e armazenado, C
c
e o canal contendo o pulso de
calibrao e N o numero de eltrons no pulso de calibrao. Esta formula e valida para
uma distribuio de alturas de pulso quase gaussiana.
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