Introduo aos semicondutores

EE 530 Prof. Fabiano Fruett Introduo: Desde a inveno do transistor, o estudo da Eletrnica tem-se concentrado cada vez mais no projeto e utilizao dos dispositivos semicondutores. Mas o que um semicondutor? Esta pergunta ser respondida. Sero estudadas tambm as principais caractersticas dos materiais semicondutores. Classificao dos Materiais De uma maneira geral os materiais podem ser divididos em: Isolantes Semicondutores Condutores

Os materiais slidos podem ser divididos em classes principais, conforme a distribuio atmica da estrutura: Cristais Policristais Amorfos

Nosso interesse principal est nos semicondutores cristalinos (silcio). Um exemplo de um cristal isolante o sal NaCl. Classificao dos materiais de acordo com sua condutividade: Condutores (metais) Semicondutores Isolantes Supercondutores k = [107 106] Sm-1 k = [10-8 106] Sm-1 k = [10-8 10-16] Sm-1 k=

OBS: em muitos textos a condutividade indicada por

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Resistividade e condutividade de um material

Resistividade =

1 Condutividade

1 [cm] k

Faixa de resistividade tpica para slidos

A condutividade eltrica de um semicondutor ou isolante altamente dependente das condies ambientais, tais como temperatura, radiao luminosa, presso, campo magntico e pureza do material etc.

Alguns elementos e compostos semicondutores

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Os semicondutores de grande importncia prtica so o Si, Ge, e muitos III-V e II-VI compostos, como o Arseneto de Galiunm (GaAs), indium antimonide (InSb), indium arsenide (InAs) e o cadmium sulphide (CdS). A razo do diferente comportamento entre metais e semicondutores que os metais contm um numero constante de portadores mveis de carga em todas temperaturas e semicondutores no. Em um semicondutor puro, para que os portadores se tornem livres, as cargas devem ser ativadas. Essa ativao requer alguma energia, que pode vir, por exemplo, da agitao trmica. Nos metais os eltrons esto livres, podendo movimentar-se atravs da rede quando um campo eltrico aplicado. O mar de eltrons da camada de valncia confunde-se com a camada de conduo e pode mover-se livremente.

Metais:

Fig. Representao bidimensional da estrutura atmica de um metal

Exemplo de uma clula unitria de silcio:

No Silcio, cada tomo (com 4 eltrons de valncia) cercado por outros 4 tomos de Si. Cada tomo compartilha seus eltrons de valncia com 4 tomos vizinhos de forma que a ltima camada, ou camada de valncia, est completa com 8 eltrons. Nenhum eltron livre est disponvel para conduo em condies normais. Todavia os eltrons no pertencem a nenhum tomo particular e esto fracamente conectados. Quando excitados (por exemplo, excitao trmica) alguns eltrons podem quebrar as ligaes, ficando livres para conduzir.

Fig. Representao tridimensional da clula unitria de Si, mostrando as ligaes covalentes. EE530 I 3/3

Bandas de energia:
O grau de condutividade determinado pela estrutura de bandas de energia de um slido. Se um slido um condutor, um semi-condutor ou um isolante depende do preenchimento da banda de Valencia e da energia de gap entre as camadas de valncia e de conduo.

Fig. Estrutura simplificada das bandas de energia a 0K.

Metal Observa-se a superposio de bandas de energia Semicondutor Na temperatura de 0 K a banda de energia repleta com eltrons mais alta chamada de banda de valncia e a prxima banda chamada de banda de conduo. Isolante O nvel proibido grande demais para ser transposto
Um semicondutor pode conduzir eletricidade apenas se h alguns eltrons em sua banda de conduo ou lacunas na camada de valencia. A energia na parte inferior da banda de conduo denominada EC. O prximo nvel de energia permitido chamado de banda de valencia. A energia na parte superior da banda de valencia chamada de Ev. Entre as duas bandas permitidas est o gap de energia ou banda proibida. Sendo que o chamado bandgap dado por:

EG = EC EV
Esse um dos parmetros mais importante dos semicondutores.

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Fig. Faixas de energia em um semicondutor intrnseco. Os eltrons livres encontram-se acima de Ec (nvel de conduo), e os eltrons de ligao abaixo de Ev (nvel de valncia). A energia necessria para a formao dos pares eltronlacuna Eg=Ec-Ev. No cristal do semicondutor puro, os eltrons no podem ter energias intermedirias.

O diagrama de banda de energia em um semicondutor bem complexo. O diagrama de banda de energia detalhado mostrado a seguir:

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Podemos simplificar o diagrama de bandas de energia desde que apenas os eltrons na banda quase preenchida superior e a banda quase-vazia inferior dominam o comportamento do semicondutor.

Silcio intrnseco
O Si intrnseco um semicondutor puro, um cristal abstrato que no conta com nenhum outro tipo de elemento que no seja o principal. A 0K o semicondutor no pode conduzir, pois a camada de conduo est vazia e a camada de valncia est repleta de eltrons.

Fig. Representao bidimensional de um cristal de Si

Gerao trmica: G(T) Quando a temperatura aumenta, alguns eltrons deixam a camada de valncia indo para a camada de conduo. A densidade (concentrao) destes eltrons na camada de conduo denotada por n. Os nveis desocupados na camada de valncia so chamados de lacunas e sua densidade dada por p. Nessa condio o condutor pode conduzir eletricidade.
Ec Recomb. Gerao Ev Pares eltron-lacuna so continuamente gerados e recombinados temperatura ambiente. Em um semicondutor puro a densidade de eltrons igual a densidade de lacunas:

n=p=ni [cm-3]

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n a concentrao dos eltrons livres na camada de conduo p a concentrao de lacunas livres na camada de valncia ni a concentrao ou densidade intrnseca de portadores
Em um semicondutor puro (intrnseco), o nmero da concentrao intrnseca de portadores (ni) de eltrons (livres) na camada de conduo igual ao nmero de lacunas (livres) (isto eltrons faltantes) na camada de valncia.

ni depende do material considerado (da energia de bandgap), temperatura, iluminao e stress.

A concentrao intrnseca de portadores, nmero de eltrons livres e lacunas por centmetro cbico, dada por:
ni2 = BT 3 e EG /kT

sendo que: B um parmetro dependente do material = 5,4 1031 para o silcio k a constante de Boltzmann = 8,62 105 eV/K = 1,38 1023 Joules/K 1 eV= 1,602 1019 Joules

EG=1,12 eV = 1,76 1019 Joules T a temperatura absoluta em Kelvin

Exemplo: Calcule ni a temperatura ambiente:

ni @ 300 K =1.5 1010 cm-3

Gerao Irradiante (tica): G(I) O eltron excitado, saindo da banda de valncia para dentro da banda de conduo por um fton com a energia maior que o band-gap. Quando ele se recombina, um fton com energia igual ao de eltron ser libertado.

Somente com a gerao de pares eltron-lacuna o semicondutor intrnseco pode conduzir eletricidade.

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Recombinao Definimos como recombinao a associao de um eltron a uma lacuna, reconstituindo uma ligao covalente e a liberao de uma certa quantidade de energia.
Em equilbrio trmico a taxa de gerao G (por unidade de volume e por unidade de tempo) ser igual a taxa de recombinao R.

Semicondutor extrnseco Adicionando tomos com trs ou cinco eltrons na rede cristalina do silcio, alteramos o equilbrio entre lacunas e eltrons. A adio de pequenas quantidades de outras substncias a um semicondutor pode modificar as caractersticas eltricas do mesmo.
As propriedades eltricas de um semicondutor so dependentes da dopagem. Conforme a dopagem, a resistividade do semicondutor pode mudar por vrias ordens de magnitude. Elementos da tabela peridica

III IV V B C Al Si P Ga Ge As In Sb
Algumas caractersticas do semicondutor extrnseco:

Pode-se ajustar a condutividade pela escolha da quantidade de impurezas (nvel de dopagem) Pode-se escolher o tipo e a quantidade dos portadores majoritrios

Cristal extrnseco tipo n

De acordo com o principio pelo qual a tabela peridica montada, os elementos da coluna V tm um eltron a mais, na camada de valncia, que os da coluna IV; cinco portanto. Esses elementos tem uma tendncia de formar compostos de ligao covalente, em particular com os tetravalentes. Os quatro eltrons de valncia do elemento V, no caso arsnio (As), formam ligaes covalentes com tomos de silcio vizinhos, continuando a estrutura peridica da rede cfc, o quinto eltron, sem ligao covalente suplementar na qual se alojar, torna-se um eltron livre, deixando trs de si um on positivo.

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Os tomos do elemento V, na rede do semicondutor recebem o nome de doadores (de eltrons).

possvel provar em condio de equilbrio termodinmico, sem outra influncia presente que no seja a temperatura do prprio cristal que a densidade mdia de lacunas no cristal N (pN)e a densidade mdia de eltrons livres tambm no cristal N (nN) obedece a seguinte relao:

pn nn = ni2 (T )
Essa relao tambm vlida para o intrnseco (puro), naquele caso:

n=p=ni
A densidade de tomos doadores designada por ND. Para valores de impurezas no muito altos (<1018 cm-3), pode-se afirmar que praticamente todos os tomos doadores/aceitadores estaro ionizados, a 300 K. Podemos fazer um balano de carga eltrica equacionando:
+ N D + pn = nn
+ Levando-se em considerao que a dopagem N D muito maior que ni (na faixa de operao, em temperatura, dos dispositivos de estado slido), os valores finais so:

+ nn N D

pn

ni2 + ND

OBS: Concentrao de impurezas (ND ou NA) na faixa de 1015 a 1020 cm-3

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O cristal de Si possui 5,001022 tomos/cm3 Sendo que ni uma funo da temperatura, isto implica que a concentrao de lacunas (portadores minoritrios no semicondutor tipo n) ser uma funo da temperatura, ao passo que a concentrao de eltrons (portadores majoritrios no semicondutor tipo n) ser praticamente independentes da temperatura.

Cristal extrnseco tipo p

Neste tipo de cristal o elemento adicionado ao silcio pertence coluna III da tabela peridica. Temos agora a insero de um tomo com trs eltrons de valencia em um ponto onde se exigem quatro ligaes covalentes para que a substituio equivalente se produza, necessariamente, uma delas ficar incompleta, numa configurao instvel. As impurazas da coluna III so chamadas aceitadoras e os cristais so extrnsecos do tipo p.

Da mesma maneira que para os cristais N, pode dizer que:

n P p P = ni2 (T )

As relaes que do a neutralidade a carga livre so tambm aplicveis para o cristal tipo P. Usando o smbolo NA para a concentrao de tomos da impureza aceitadora, e designando como NA- a densidade de ons negativos, a expresso de neutralidade fica:
N A + np = pp

Da mesma forma que no cristal tipo N, as concentraes de equilbrio se tornam:

pp N
A

np

ni2 (T )
NA

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Nos dois casos de dopagem, p ou n, h o aumento de apenas um tipo de portador. O balano de carga zero, pois os ons doadores ou aceitadores tornam-se carregados por proporcionar cargas livres. Para associar os nveis de energia ocupados com a quantidade existente de portadores, investigamos quais so os estados possveis para os eltrons se distriburem.

Fig. Nveis permitidos de energia para eltrons livres e lacunas no cristal semicondutor puro. A energia necessria para a formao do par eltron lacuna dada por:

EG=EC-EV
Eltrons na faixa de conduo

A incluso de impurezas doadoras gera um nvel permitido de energia (Ed) dentro da faixa proibida. O nvel ocupado pelo quinto eltron da impureza doadora encontra-se pouco abaixo de Ec, numa estreita faixa designada por ED (nvel doador). Para o elemento do fsforo (coluna V) no cristal silcio, o valor necessrio para a transio Ec-Ed, correponde a 44 meV.

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A energia (de ionizao) necessria para a formao de um par eltron-lacuna de EcEd=44meV

Lacunas na faixa de valncia

O lugar vazio formado pela ligao incompleta da impureza aceitadora encontra-se pouco acima de Ev. Sendo ento a energia de ionizao Ea-Ev. Para o elemento boro no cristal silcio esse valor de 45 meV.

Energia de ionizao=Ea-Ev
Correntes eltricas nos semicondutores

Para calcular a corrente eltrica em um cristal semicondutor, precisamos: 1) Estimar a quantidade cargas mveis que esto presentes no material. 2) Estudar o processo de transporte destas cargas mveis atravs do cristal. Processo de Deriva Processo de Difuso As partculas de vrios tipos que esto presentes no semicondutor esto animadas pelo fenmeno da agitao trmica, que por sua prpria caracterstica aleatria, resulta num deslocamento em termos globais igual a zero.

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A forma de se conseguir uma corrente que prevalea superpor alguma polarizao a esse movimento natural, seja por um campo eltrico externo ou seja pela alterao nas concentraes de equilbrio.
Corrente de campo (deriva) Corrente causada pela presena de um campo eltrico externo

Corrente dominante em resistores e transistores FET

Para campos eltricos moderados, da ordem de 1 kV/cm, a relao entre a corrente aplicada a uma amostra e a corrente produzida do tipo linear, o que equivale a dizer que a resistncia eltrica constante. Dessa forma os portadores de carga se movem com velocidade mdia constante da direo da corrente medida.

Deriva de um portador devido a um campo eltrico aplicado Para campos eltricos moderados, a velocidade da carga proporcional a tenso aplicada. A velocidade pode ser calculada, sendo:

vp = pE

vn = n E

[cm/s]=[cm2/Vs]*[V/cm]

sendo que vp e vn so as velocidades mdias de lacunas e eltrons, p e n so as mobilidades respectivas. As mobilidades exprimem a relao entre o campo eltrico (E) e a velocidade superposta velocidade trmica existente.

A mobilidade diminui com o grau de contaminao do semicondutor e com o aumento da temperatura. A velocidade da partcula e limitada por uma forma qualquer de atrito. A perda de energia cintica se d por choques inelsticos com obstculos da rede. Estes choques so eventos do tipo trmico.

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Na falta de um campo eltrico aplicado, os portadores exibem um movimento aleatrio, movendo-se rapidamente e mudando de direo. Quando um campo eltrico aplicado, o movimento aleatrio continua ocorrendo, superposto a um movimento ao longo da direo do campo eltrico.

Fig. Movimento aleatrio de um portador em um semicondutor com e sem um campo eltrico aplicado

Analiticamente a mobilidade dada por:

q m*

o tempo mdio entre colises da carga com a rede

m* a massa efetiva do portador1
Nas condies de campo e contaminao moderados e a 300 K, os valores mdios das mobilidades no cristal de silcio so:

n = 1350

cm 2 Vs

p = 480

cm 2 Vs

Esse tipo de corrente, a partir de um potencial externo, recebe o nome de corrente de deriva. Usando o conceito de mobilidade, pode-se deduzir que as densidades de corrente so:

1 O conceito de massa efetiva leva em considerao a influncia dos tomos da rede que esto na vizinhana do portador

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J nder = qnv n = q n nE

J pder = qpv p = q p pE

A corrente total de deriva, em relao ao campo, d a condutividade k da amostra:

k=

J nder + J pder E

= q ( n n + p p )

Resistividade e condutividade:

J=

= kE

Para semicondutores extrnsecos Cristal P 1 q p N A p Cristal N 1 + q n N D n

Corrente de difuso

Efeito dominante em junes p-n e transistores bipolares A corrente de difuso resulta da diferena de concentrao dos portadores de carga e da difuso trmica aleatria. A densidade do fluxo de difuso proporcional ao gradiente de concentrao. Se a concentrao de portadores tiver uma distribuio no uniforme, resultar em um fluxo de portadores que se materializar na corrente de difuso. Se um gradiente de concentrao presente, o processo de difuso agir para tornar a densidade de portadores uniforme: portadores difundem-se de regies onde a densidade maior para regies onde a densidade menor. O processo de difuso anlogo ao movimento de um punhado de areia em uma mesa vibratria. O equacionamento do valor desta corrente se faz como segue:

J pdif = qD p p( x, y, z )

J ndif = qDn n( x, y, z )

sendo que Dn e Dp so os coeficientes de difuso dos eltrons e das lacunas.

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 intuitivo que tenham algo a ver com as mobilidades respectivas; essa ligao expressa pela relao de Einstein (relaciona o coeficiente de difuso e a mobilidade) : Dn = Dp = k BT = VT q

k B a constante de Boltzmann k B =1,38 10-23 Joules/K q a carga do eltron q =1,6 10-19 C

VT um parmetro muito importante no estudo dos semicondutores e recebe o nome de tenso termodinmica.

A 0 K no h difuso! Portanto o processo de difuso depende da energia trmica. No modelo unidimensional as correntes de difuso podem ter as suas expresses reduzidas a:
J ndif = qDn dn( x) dx J pdif = qD p dp( x) dx

A corrente de difuso ocorre mais freqentemente em junes pn devido a grande mudana na concentrao de portadores.
Corrente total: O processo de difuso depende da agitao trmica e da diferena de concentrao dos portadores enquanto o processo de deriva depende do campo eltrico.

A corrente de eltrons total obtida adicionando as componentes de deriva e difuso:

dn dx

J n = qnn E + qDn

O mesmo pode ser feito para as lacunas:

J P = qp p E qD p dp dx

A corrente total a soma das densidades de corrente dos eltrons e das lacunas multiplicada pela rea A, que perpendicular a direo do fluxo dos portadores:
I total = A ( J n + J p )

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Referncias: Sedra/Smith Microeletrnica Hilton Andrade de Mello e Ronaldo Srgio de Biasi, Introduo Fsica dos Semicondutores

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