Você está na página 1de 30

Uned Zona Norte

Apostila

Eletrnica Analgica

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Professor Jefferson Pereira

Captulo 1- Teoria dos Semicondutores e o Diodo Semicondutor


1 - Bandas de Energia Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo composto por prtons e neutrns, sendo que o nmero de eltrons, prtons e neutrns diferente para cada tipo de elemento qumico.
Energia Banda de conduo Banda Proibida Banda de Valncia Banda de Valncia Energia Banda de Conduo Energia Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia

Isolantes, Condutores e Semicondutores

A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons desta rbita que pode se libertar do tomo atravs do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes covalentes (compartilhamento de eltrons da ltima rbita de um tomo com os eltrons da ltima rbita de outro tomo). Esta rbita mais externa recebe, por isso, o nome de rbita de valncia ou banda de valncia.

No primeiro caso, um eltron, para se livrar do tomo, tem que dar um salto de energia muito grande. Desta forma, pouqussimos eltrons tm energia suficiente para sair da banda de valncia e atingir a banda de conduo, fazendo com que a corrente eltrica neste material seja sempre muito pequena, Esse materiais so chamados de isolantes. No segundo caso, um eltron pode passar facilmente da banda de valncia para a banda de conduo sem precisar de muita energia. Isso acontece principalmente nos materiais metlicos, onde a prpria temperatura ambiente suficiente para o surgimento de uma grande quantidade de eltrons livres. Esses materiais so chamados de condutores. O terceiro caso um intermedirio entre os dois outros. Um eltron precisa dar um salto pequeno e, por isso, esses materiais possuem caractersticas intermedirias em relao aos dois anteriores sendo, portanto, chamados de semicondutores. 2 - Materiais Semicondutores Intrnsecos

Os eltrons da banda de valncia so os que tm mais facilidade de sair do tomo. Em primeiro lugar porque eles tm uma energia maior e, em segundo lugar, porque, por estarem a uma distncia maior em relao ao ncleo do tomo, a fora de atrao eletrosttica menor. Com isso uma pequena quantidade de energia recebida faz com que eles se tornem eltrons livres que, sob a ao de um campo eltrico formam a corrente eltrica. O fato dessas rbitas estarem a distncias bemdefinidas em relao ao ncleo do tomo, faz com que entre uma rbita e outra exista uma regio onde no possvel existir eltrons, denominada banda proibida. O tamanho dessa banda proibida na ltima camada de eltrons define o comportamento eltrico do material, como na figura abaixo, onde trs situaes diferentes esto representadas.

Existem vrios tipos de materiais semicondutores. Os mais comuns e mais utilizados so o silcio (Si) e o germnio (Ge). Estes dois elementos caracterizam-se por serem tetravalentes, ou seja, por possurem quatro eltrons na camada de valncia, como mostra a figura abaixo.

Pgina 2

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Hoje em dia, o silcio o material mais utilizado j que bastante abundante na natureza e, portanto, mais barato. 3 - Conduo Eltrica nos Semicondutores Em semicondutores temos dois tipo de conduo: Movimento dos ons positivos : Lacunas. Movimento dos eltrons livres : Eltrons Para toda movimentao de um on positivo em um determinado sentido, temos a movimentao do eltron no sentido contrrio. 4 - Semicondutores Tipo N e P Quando num cristal de silcio acrescentado uma quantidade de tomos de um material pentavalente (com cinco eltrons na camada de valncia) como, por exemplo, o arsnio (As), o antimnio (Sb) e o fsforo (P), estes elementos estranhos, tambm chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do cristal de silcio fazendo, cada impureza, quatro ligaes covalentes com seus tomos vizinhos mais prximos, como mostra a figura a seguir.

+ + + + + +

+ + + + + +

+ + + + + + +

+ + + + + -

+ + + + + + +

Semicondutor Tipo P

5 - O Diodo Semicondutor 5.1 - A Juno PN O diodo semicondutor constitudo basicamente por uma juno PN, ou seja, pela unio fsica de um material P com um N.
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + P
Juno PN

+ + + + + -

+ + + + + + +

+ -

+ N

+ + -

Com esta unio h uma recombinao de eltrons e lacunas na regio da juno, formando uma barreira de potencial, j que a migrao dos eltrons cria regies de ons positivos e negativos.

e + + + + + +

ons negativos ons positivos + + + + + + + + + + + + + P + + + + + + + + + + + + + + N + + -

tomo de fsforo
Desta forma, o nmero de eltrons livres maior que o nmero de lacunas geradas pelo calor a temperatura ambiente) ou seja, neste semicondutor os eltrons livres so portadores majoritrios e as lacunas so portadores minoritrios, como mostra a figura abaixo.
+ + + + -

Barreira

Barreira de Potencial

Cada lado do diodo recebe um nome: O lado P chamase de ANODO(A) e o lado N chama-se de CATODO(K).

Semicondutor Tipo N

De maneira anloga, se as impurezas encontradas so de tomos de material trivalente (alumnio, boro, glio, etc), as ligaes covalentes formaro lacunas. Desta forma o nmero de lacunas maior que o nmero de eltrons livres gerados pelo calor a temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor as lacunas so portadores majoritrio e os eltrons livres so portadores minoritrios, como mostra a figura abaixo. 5.2 - Polarizao Direta da Juno PN Com uma tenso aplicada aos terminais do diodo, algumas caractersticas da barreira de potencial so alteradas.

Pgina 3

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Uma polarizao direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado no lado P e o potencial negativo no lado N. Desta forma os eltrons do lado N so empurrados pelo terminal negativo da fonte e atravessam a barreira de potencial.. Do lado P preenchem as lacunas, mas continuam se movimentando em direo ao terminal positivo da fonte, estabelecendo, assim, uma corrente eltrica. Nestas condies o diodo se comporta praticamente como um curto-circuito. (R muito pequeno)

Portanto o diodo um dispositivo que conduz corrente apenas em um nico sentido, quando est polarizado diretamente.

5.3 - Principais Especificaes do Diodo 1. Como a juno PN possui uma barreira de potencial, na polarizao direta s existe corrente eltrica se a tenso aplicada ao diodo for maior que V (0,7V) 2. Na polarizao direta existe uma corrente mxima que o diodo pode conduzir (IDM) e uma potncia mxima de dissipao (PDM): PDM = V.IDM 3. Na polarizao reversa existe uma tenso mxima chamada de tenso de ruptura ou breakdown (VBR). 4. Na polarizao reversa existe uma corrente muito pequena denominada de corrente de fuga.(IF)

5.3 - Polarizao Reversa da Juno PN A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte encontra-se no lado P e o potencial positivo do lado N. Por causa da polarizao reversa, os eltrons do lado N so atrados para o terminal positivo e as lacunas para o terminal negativo da fonte. Com isso formam-se mais ons positivos do lado N e ons negativos no lado P, aumentando, assim, a barreira de potencial. A pequena corrente que circula chamada de corrente de fuga (portadores minoritrios) e pode ser desprezada na maioria dos casos.

Nestas condies o diodo se comporta como um circuito aberto (resistncia muito alta).

Pgina 4

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Captulo 2 - Circuitos com Diodos


1 - Sinal Senoidal Um dos sinais eltricos alternados mais comuns o senoidal. O sinal senoidal pode ser representado matematicamente por: onde: x = XP.sen(y) x: valor instantneo da varivel x XP: valor de pico da varivel x y: domnio da funo x Em eletricidade usamos dois domnios: angular (y = ) (0 < < 2.) temporal (y = .t) ( = 2. .f) Se a tenso de entrada VE positiva e menor que VL, o diodo permanece polarizado reversamente e, portanto, a tenso de sada VS continua sendo igual a VE, como mostra a figura abaixo.

Porm, se a tenso de entrada VE positiva e maior que VL, o diodo fica diretamente polarizado, comportando-se como um condutor, fazendo com que a tenso de sada VS fique limitada ao valor de VL , como mostra a figura a seguir.

Sinal Senoidal

importante o conhecimento destas trs definies: Valor de pico a pico (XPP) XPP = 2.XPP Valor mdio (XM) XM = 0 Valor eficaz (XRMS ou XEF) X X RMS = P 2 2 - Circuitos Limitadores O limitador um circuito que, como o prprio nome diz. Tem como objetivo limitar a tenso de sada do circuito num valor predeterminado, podendo ser negativo, positivo ou ambos. 2.1 - Limitador Positivo A figura 2 mostra o aspecto de um limitador positivo.

Exemplo 1 - Determine a forma de sada do circuito limitador positivo mostrado na figura 6, usando o diodo ideal e um sinal de entrada senoidal com pico de 5 V.

2.2 - Limitador Negativo Invertendo-se o diodo e a fonte VL, tem-se o circuito limitador negativo, como mostra abaixo.

Limitador Positivo

Limitador Negativo

Considerando-se o diodo ideal, se a tenso de entrada VE negativa, o diodo fica reversamente polarizado, ou seja, funciona como um circuito aberto, fazendo com que a tenso da sada VS seja igual a VE, como mostra a figura abaixo.

Neste caso, tanto as tenses de entrada positivas quanto as negativas menores que VL polarizam o diodo reversamente, fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada.

Pgina 5

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Porm, para tenses de entrada negativas maiores que VL, a tenso de sada permanece em VL, como mostra abaixo.

A este conjunto de circuitos d-se o nome de fonte de tenso ou fonte de alimentao. 3.1 - Transformadores O transformador uma mquina eltrica que transforma nveis de tenso e corrente em um circuito. Dentre os vrios tipos de trafos, vamos falar sobre dois: O trafo abaixador e o trafo abaixador com tap central.

Sinal de Entrada e Sada

2.3 - Limitador Duplo Associando-se os limitadores positivo e negativo, pode-se obter o limitador duplo, como mostra as figuras a seguir.
Transformador

O transformador constitudo por dois enrolamentos, o primrio, no qual ligado tenso da rede, e o secundrio, no qual pode ser ligado a carga. Um ncleo de ao, ferrite ou ar realiza o acoplamento magntico entre os enrolamentos.

Limitador Duplo

As relaes entre as tenses e correntes dos enrolamentos esto relacionadas ao nmero de espiras destes enrolamentos. V1 N = 1 V2 N 2
Sinal de Entrada e Sada

I2 N = 1 I1 N 2

3 - Circuitos Retificadores A gerao e distribuio de energia eltrica efetuada na forma de tenses alternadas senoidais, porm vrios aparelhos eletrnicos precisam de tenses contnuas. Sendo assim, necessitam de circuitos que transformam tenses alternadas em tenses contnuas. Estes circuitos so denominados de retificadores. Porm a tenso alternada na entrada de um circuito retificador deve ser adequada ao seu padro de tenso, ou seja, tenso da rede eltrica, antes de ser ligada ao retificador, precisa ser reduzida, trabalho este realizado pelo transformador. Ainda, aps o retificador, necessrio eliminar as variaes da tenso contnua para que a mesma tornese constante, o que feito atravs de filtros ou circuitos reguladores de tenso.

Idealmente a transformao ocorre sem perda de potncia, isto : V1.I1 = V2.I2 Exemplo 2 - Determinar o nmero de espiras do secundrio de um transformador projetado para reduzir a tenso da rede de 220V para 12V eficazes, sabendo-se que ele possui 1000 espiras no enrolamento primrio. O transformador com Tap Central permite a obteno de duas tenses no seu secundrio, geralmente de mesmo valor eficaz e com polaridade invertida.

Pgina 6

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Exemplo 3 - No circuito abaixo determine: (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo.

Transformador com Tap Central

3.2 - Retificador de Meia Onda O mais simples dos retificadores o retificador de meia-onda. A sua constituio bsica um diodo em srie com uma carga RL.

3.3 - Retificador de Onda-Completa com Tap O retificador de onda completa faz com que tanto o semiciclo positivo quanto o negativo caiam sobre a carga sempre com a mesma polaridade. Usando um transformador com tap central, isto possvel atravs do circuito mostrado na figura abaixo.

Retificador de Meia-onda

Pelo circuito do retificador de meia onda, v-se que durante o semiciclo positivo de V2, o diodo conduz (polarizao direta), fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada. Porm, no semiciclo negativo, o diodo corta (polarizao reversa), fazendo com que a tenso de sada seja nula e a tenso de entrada caia toda em cima do diodo como mostra a figura abaixo.

Retificador de onda completa

Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta, fazendo com que a tenso na carga seja positiva e igual tenso no secundrio superior do transformador. Durante o semiciclo negativo o diodo D1 corta e o diodo D2 conduz, fazendo com que a tenso na carga tenha a mesma polaridade que a da situao anterior e a mesma amplitude.

Formas de ondas

Como a forma de onda na carga no mais senoidal, embora a freqncia seja a mesma da tenso de entrada, o seu valor mdio deixa de ser nulo, existindo uma corrente mdia dada por: VM = V2 P IM = VM RL

Para que o diodo no queime, ele deve suportar tanto esta corrente mdia quanto a tenso de pico reversa: IDM > IM VBR > V2P
Pgina 7

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Neste caso a freqncia do sinal de sada dobra de valor e, portanto a tenso mdia na carga tambm dobra. Por outro lado, como a tenso de pico na carga a metade da tenso de pico no secundrio do trafo, a tenso mdia final a mesma que se obteria usando um retificador de meia onda com este mesmo trafo. VM = V2 P IM = VM RL

Porm a vantagem esta na especificao do diodo e na qualidade da filtragem. Como cada diodo conduz somente num semiciclo, ele conduz metade da corrente mdia. Por outro lado, a tenso reversa que ele deve suportar corresponde a tenso total de pico do secundrio. IDM > IM/2 VBR > V2P

Exemplo 4 - No circuito abaixo determine: (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo.

Como neste caso a freqncia da tenso de sada dobra de valor, a tenso mdia na carga tambm dobra, ou seja: VM = 2.V2 P IM = VM RL

Os diodos so especificados a partir dos seguintes critrios:


Retificador de onda completa

IDM > IM/2

VBR > V2P

3.4 - Retificador de Onda Completa em Ponte Outro tipo de retificador de onda completa mostrado na figura abaixo. Algumas vantagens so obtidas.

Exemplo 5 - Um retificador em ponte recebe 25 Vrms e alimenta uma carga de 10 Determine: . (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo. (d) formas de onda na carga e no diodo D1. 3.5 - Filtro capacitivo Para que a fonte de alimentao fique completa, falta ainda fazer a filtragem do sinal retificado para que o mesmo se aproxime o mximo possvel de uma tenso contnua e constante.

Retificador em ponte

Durante o semiciclo positivo, os diodos D1 e D3 conduzem e os diodos D2 e D4 cortam. Transferindo, assim, toda a tenso de entrada para a carga. Durante o semiciclo negativo, os diodos D2 e D4 conduzem e os diodos D1 e D3 cortam, fazendo com que toda a tenso de entrada caia sobre a carga com a mesma polaridade que a do semiciclo positivo.

A utilizao de um nas fontes que no seja, que podem ter sada. Um exemplo geral.

filtro capacitivo muito comum necessitam de boa regulao, ou pequenas oscilaes na tenso de o eliminador de pilhas de uso

A figura abaixo mostra a ligao de um filtro capacitivo ligado a um retificador de onda completa em ponte.

Pgina 8

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Fonte com Filtro Capacitivo

Com o filtro o sinal de sada fica com a forma mostrada abaixo.

sada ser chamado de VMF e pode ser calculado pelas equaes abaixo: 2.C.R.f .VP VMF = Retificador 1/2 Onda: 1 + 2.C.R.f 4.C.R.f .VP Retificador Onda Comp. VMF = 1 + 4.C.R.f Onde: VMF: Tenso mdia aps filtragem f: freqncia da ondulao R: Resistncia de carga em ohms C: Capacitor de filtro em farads O valor de pico a pico do ripple tambm pode ser calculado pela equao abaixo: V VRIPPLE = MF C.R.f Assim, para o projeto de uma fonte de alimentao deve-se antes estipular a tenso mdia de sada e o ripple desejado, para em seguida, calcular o capacitor necessrio para a filtragem, as especificaes dos diodos e as especificaes do transformador. Exemplo 4. Qual seria a nova tenso mdia do circuito do exemplo 3 se usssemos um capacitor de 100F Exemplo 5. Qual seria a nova tenso mdia do circuito do exemplo 4 se usssemos um capacitor de 220F Exemplo 6 - Projetar uma fonte de alimentao com tenso de alimentao de 220 VRMS/60 Hz e tenso mdia de sada de 5 V com ripple de 0,1V, para alimentar um circuito que tem resistncia de entrada equivalente a 1 k Utilizar o retificador em ponte. . .

Forma de Onda na Sada da Fonte

Com o primeiro semiciclo do sinal retificado o capacitor carrega-se atravs dos diodos D1 e D3 at o valor de pico. Quando a tenso retificada diminui, os diodos que estavam conduzindo ficam reversamente polarizados, fazendo com que o capacitor se descarregue lentamente pela carga RL. Quando no segundo semiciclo, a tenso retificada fica maior que a tenso no capacitor, os diodos D2 e D4 passam a conduzir carregando novamente o capacitor at o valor de pico, e assim sucessivamente, formando uma ondulao chamada ripple. Quanto maior o capacitor ou a resistncia de carga, menor ser a ondulao. O valor mdio da tenso de

Pgina 9

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Captulo 3 - Aplicaes e Diodos Especiais


1 - Circuitos Multiplicadores de Tenso So empregados para gerarem tenses duas, trs, quatro ou mais vezes maiores que a tenso de pico do secundrio do transformador. 4 - Especificaes de Diodos Mostraremos a seguir algumas caractersticas eltricas dos diodos mais comuns em circuitos eletrnicos. Informaes completas podem ser obtidas em HandBooks ou em sites de fabricantes na Internet. Diodo 1N 914 1N 4148 1N 4001 1N 4002 1N 4003 1N 4004 1N 4005 1N 4006 1N 4007 BY 249 IDM (mA) 75 200 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 7000 VBR (V) 75 75 50 100 200 400 600 800 1000 300 Uso Geral Geral Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao

2 - Proteo contra alta-tenso Diodos tambm so utilizados na proteo de dispositivos delicados contra altas tenses geradas por interrupo de corrente em circuitos indutivos. Quando um rel desligado, por exemplo, na sua bobina surgem altas tenses que podem queimar o dispositivo que o controla, por exemplo, um transistor. A tenso que aparece nestas condies tem polaridade inversa do acionamento. Assim se ligarmos um diodo em paralelo, conforme a figura abaixo, quando a tenso perigosa surgir ela polariza o diodo no sentido direto, fazendo-o conduzir e absorver a tenso, evitando que a mesma se propague pelo resto do circuito.

Alguns endereos para pesquisa: http://www.semiconductors.phillips.c om http://www.sci.siemens.com http://www.national.com 5 - Diodo Emissor de Luz - LED Num diodo, quando polarizado diretamente, uma grande quantidade de portadores atravessa a regio de depleo na qual, alguns deles, recombinam-se com tomos ionizados. Nesse processo, os eltrons perdem energia na forma de radiao. Nos diodos de Silcio ou Germnio, essa radiao irradiada na forma de calor, mas em compostos de arsenato de glio (GaAs), existe a liberao de energia na forma de luz. Esse diodos so chamados de diodos emissores de luz ou, simplesmente, LED (Light Emitting Diode) e podem emitir luz visvel, infravermelho ou ultravioleta.

Veja que na operao do transistor (dispositivo de comutao), o diodo est polarizado no sentido inverso, no influindo no acionamento. 3 - Acionamento em circuitos digitais Diodos tambm esto presentes em circuitos digitais funcionando como vlvulas de reteno. Por exemplo, na figura a seguir0 o diodo impede que a corrente volte para B, quando acionarmos a lmpada por A.

Os LEDs de luz visvel so fabricados acrescendo partculas de fsforo, que dependendo da quantidade podem irradiar luz vermelha, amarela, laranja, verde ou azul, sendo muito utilizado na sinalizao de aparelhos eletrnicos e fabricao de displays alfanumricos. Os infravermelhos so fabricados com InSb (antimoneto de ndio) com aplicao em alarmes, transmisso de dados por fibra tica, controle remoto e
Pgina 10

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

etc. Tambm utilizado o GaAs acrescido de alumnio. Os ultravioletas so fabricados a partir do sulfato de Zinco (ZnS). Tambm encontramos LEDs bicolores em um mesmo encapsulamento. Possuindo trs terminais, dependendo de qual for alimentado, ele acender com uma luz diferente. Os LEDs tm as mesmas caractersticas dos diodos comuns, ou seja, s conduzem quando polarizados diretamente com uma tenso maior ou igual a VD. Comercialmente eles trabalham normalmente com correntes na faixa de 10mA a 50mA e tenses na faixa de 1,5 a 2,5 V. Assim para polarizar um LED, deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo no se danifique. Exemplo 1 - Determine RS para que o LED do circuito abaixo (VD=2,0V, I=15 mA) funcione adequadamente ,com uma bateria de 9 V. ID Rs + VD -

7 - Optoacoplador Um optoacoplador (ou acoplador ptico) nada mais do que um LED associado a um fotodiodo num mesmo invlucro. Rs V 1 1 Rs 2 + V 2

Quando o LED polarizado diretamente ele emite uma luz que atinge o fotodiodo, fazendo com que sua corrente reversa seja proporcional a intensidade luminosa emitida pelo LED. Isso significa que a corrente de sada depende da corrente de entrada mesmo havendo uma isolao eltrica entre os dois estgios. O meio transmissor a luz. Este dispositivo muito utilizado em aparelhos com circuitos em altas e baixas tenses, permitindo uma isolao segura entre eles. Tambm so utilizados na decodificao de sinais pulsados, como em mouses, leitura de cartes perfurados, etc. 8 - Diodo Zener O diodo zener um dispositivo que tem quase as mesmas caractersticas que um diodo normal. A diferena est na forma como ele se comporta quando est polarizado reversamente. No diodo normal, polarizado reversamente, ocorre um fenmeno chamado de efeito avalanche ou efeito zener, que consiste num aumento repentino da corrente reversa, dissipando potncia suficiente para ruptura da juno PN, danificando o diodo. A tenso na qual ocorre o efeito zener chamada de tenso de ruptura ou Breakdown voltage (VBR) O diodo zener construdo com uma rea de dissipao de potncia suficiente para suportar o efeito avalanche. Assim, a tenso na qual este efeito ocorre denominado de tenso zener (VZ) e pode variar em funo do tamanho e do nvel de dopagem da juno PN. Comercialmente so encontrados diodos com VZ de 2 a 200 volts.

9V

6 - Fotodiodo Como foi visto anteriormente, num diodo comum polarizado reversamente existe uma corrente de fuga mantida pela energia trmica e temperatura ambiente. Assim, se houver incidncia de luz sobre a juno PN essa energia tambm pode gerar portadores contribuindo para aumentar a corrente reversa. Um fotodiodo portanto um diodo com uma janela sobre a juno PN que permite a entrada da luz. Essa luz produz eltrons livres e lacunas aumentando a quantidade de portadores e, consequentemente, controlando a corrente reversa. A K Desta forma, quanto maior a incidncia de luz, maior a corrente no fotodiodo polarizado reversamente. A corrente pode chegar a dezenas de microamperes, mas devem-se ser sempre ligados em srie com um resistor limitador. So encontrados fotodiodos sensveis a vrios tipo de luz, infravermelha, ultravioleta, etc. sendo aplicados em alarme, medidores de intensidade luminosa, sensores e etc. IR Rs

Pgina 11

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Pela curva caracterstica acima, observa-se que a tenso reversa VZ mantm-se praticamente constante quando a corrente reversa est entre IZmin (mnima) e IZmax (mxima). Nesta regio, o diodo zener dissipa uma potncia PZ que pode ser calculada por: PZ = VZ.IZ Com esta sua propriedade de tenso constante a grande aplicao do diodo Zener de atuar como regulador de tenso. 8.1 - Especificaes As principais especificaes do diodo zener so: VD: Tenso de conduo na polarizao direta VZ: Tenso Zener IZmax: Corrente zener mxima IZmin: Corrente zener mnima (IZmin=0,1x IZmax) PZM: Potncia zener mxima

O diodo zener no regula (desliga) caso que a corrente que passa por ele seja menor que a corrente zener mnima (IZmin). Esta condio limita o valor mnimo da tenso de entrada e o valor mximo da resistncia limitadora de corrente. O diodo zener se danifica caso a corrente que passa por ele seja maior que a corrente zener mxima (), ou caso a potncia dissipada por ele seja maior que a potncia zener mxima (IZmax) Exemplo 2 - Dado o circuito abaixo (Rs=120 e as ) especificaes do diodo zener, determinar os valores mximos e mnimo da tenso de entrada para que o diodo zener funcione como um regulador de tenso. Diodo BZX79C6V2 - 0,5W - IZmin=5mA
Rs Iz Ve + + Vz _

Os componentes fabricados pela Phillips recebem a codificao BZX79, BZV60, BZT03 e BZW03 de acordo com a PZM: 0,5; 0,5; 3,25 e 6 W, respectivamente. O valor da tenso zener forma o restante do cdigo. Por exemplo um diodo com VZ=5,6V teria o cdigo BZX79C5V6 ou BZV60C5V6. 8.2 - Regulador de Tenso com Zener No circuito abaixo formado por um diodo zener polarizado reversamente pela fonte VE e um resistor limitador de corrente, temos que: VE = RS.IZ + VZ
Rs Iz Ve + + Vz _

Exemplo 3 - No circuito acima Ve est fixo em 25 V, determinar os valores mximos e mnimo da resistncia RS para que o diodo zener funcione como um regulador de tenso. Diodo BZT03C9V1 - 3,25W - IZmin=50mA 8.3 - Regulador de Tenso com Carga As quatro aplicaes bsicas dos reguladores de tenso, so as seguintes: Estabilizar uma tenso de sada para uma fixa a partir de uma tenso constante. Estabilizar uma tenso de sada para uma varivel a partir de uma tenso constante. Estabilizar uma tenso de sada para uma fixa a partir de uma tenso com ripple. Estabilizar uma tenso de sada para uma varivel a partir de uma tenso com ripple. carga carga carga carga

A tenso VZ permanece constante para correntes entre IZmin e IZmax. Podendo o diodo ser substitudo pelo seu modelo ideal.
Iz Iz + Vz

O primeiro caso seria o mais simples, por exemplo, se desejssemos alimentar um aparelho de 4,5 V a partir de uma bateria de 12 V. O ltimo caso o mais geral, geralmente o encontrado nas fontes de tenso com filtros capacitivos. Basicamente, o projeto de um regulador de tenso com carga consiste no clculo da resistncia limitadora de corrente RS conhecendo-se as demais variveis do circuito: Tenso de entrada (constante ou com ripple) Carga (fixa ou varivel) Tenso de sada esperada Especificaes do diodo zener
Rs Is Ve + + Vz _ Iz Carga + VL RL _ IL
Pgina 12

Para uma melhor preciso nos clculos pode-se usar o modelo real que contm uma resistncia Rz em srie.
Iz Iz + Vz Rz

Na especificao de um circuito regulador devemos nos preocupar em definir limites para VE e RS de modo a no danificar o diodo. Duas consideraes devem obedincia deste limite. ser observadas na

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Equaes fundamentais: IS = IZ+IL VZ=VL=RL.IL VE=RS.IS+VZ Exemplo 4 - Determine RS do regulador de tenso acima para que uma fonte de tenso de 12 V fixos alimente um circuito com carga constante de 1 k e tenso de 5,6 V, usando um diodo zener de VZ=5,6V e IZmax=100mA.. Soluo: O resistor RS deve satisfazer as condies dadas pelas especificaes do diodo. Com a corrente mnima definimos o valor mximo para RS Com a corrente mxima definimos o valor mnimo para RS Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido. Calculamos a potncia dissipada pelo resistor. Exemplo 5 - Uma fonte de alimentao foi projetada para alimentar uma carga de 560 com tenso de 15V. Porm o sinal de sada do filtro capacitivo corresponde a uma tenso de 22V com ripple de 5Vpp. Determinar RS do regulador de tenso que elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tenso em 15V. Soluo: O resistor RS deve satisfazer as condies dadas pelas especificaes do diodo e pela variao da tenso de entrada.. Com a corrente mnima definimos o valor mximo para RS. A corrente mnima acontece para o valor mnimo de VE. Com a corrente mxima definimos o valor mnimo para RS. A corrente mxima acontece para o valor mximo de VE. Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido. Calculamos a potncia dissipada pelo resistor. Exemplo 6 - Suponha que um walk-man tem um consumo fixo de 0,45 W em 4,5 V. Projete um regulador de tenso para aliment-lo atravs de uma bateria-12V usando o diodo BZX79B4V7(0,5W-5mA). Exemplo 7 - Um eliminador de pilha fornece na sua sada uma tenso de 12V com ripple de 3Vpp. Projete um regulador de tenso para alimentar um circuito digital com consumo fixo em 150mA em 5V. Use o diodo BZX79C5V1 (0,5W-5mA). 8.4 - Outras Aplicaes do Diodo Zener O diodo zener ainda ser bastante explorado em conjunto com outros dispositivos, tais como transistores e amplificadores operacionais. Sozinho, ele ainda pode ser utilizado com circuito limitador duplo ou como referncia para fontes com vrios nveis de tenso (figuras abaixo).

Pgina 13

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Captulo 4 Transistores Bipolares


1 - A Revoluo Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR. O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as VLVULAS na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastantes significativas, tais como: Menor tamanho Muito mais leve No precisava de filamento Mais resistente Mais eficiente, pois dissipa menos potncia No necessita de tempo de aquecimento Menores tenses de alimentao. 2 - O Transistor Bipolar O principio do transistor poder controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor, As extremidades so chamadas de emissor e coletor, e a camada central chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os smbolos eltricos dos transistores so mostrados na figura abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.

N P B

P B

C B NPN B

C PNP

E E O transistor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP.


O transistor hermeticamente fechado em um encapsulamento plstico ou metlico de acordo com as suas propriedades eltricas. 2.1 - Caractersticas Construtivas O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga.

Hoje em dia as vlvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicaes, em aparelhos fabricados na dcada de 70 e devido ao romantismo de alguns usurios.

Pgina 14

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo emissor O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor. Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N. O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transistor. 3. Funcionamento Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.
RC IB + VB IE RB IC + VC

IC VCB _ IB + + VCE _ VBC + IB _ VEB + _ _

IC

VEC +

+ VBE _ NPN

PNP Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:


IE = IC + IB NPN: PNP: VCE = VBE + VCB VEC = VEB + VBC

IE

IE

So definidos trs estados para os transistores: CORTE: No h corrente de base e consequentemente corrente de coletor. SATURAO: A corrente de coletor atingiu o seu mximo, indicado por uma tenso VCE<0,2V ATIVA: A corrente de coletor proporcional a corrente de base Exemplo 1 - No circuito com o transistor de silcio (=100) abaixo determine: a) Correntes IB, IC e IE b) Tenso VCE c) Queda de tenso do resistor de 100

Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC e vice-versa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao de corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base. O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo ativo. Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de base , isto : Ganho() = IC IB

100 IB 47k IC + 9V IE

4 - Classificao dos Transistores Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operarem apenas com correntes de baixa intensidade, sendo, portanto, quase todos iguais nas principais caractersticas. Com o passar dos anos, ocorreram muitos aperfeioamentos nos processos de fabricao que levaram os fabricantes a produzirem transistores capazes de operar no s com pequenas correntes mas tambm com correntes elevadas, o mesmo acontecendo com s tenses e at mesmo com a velocidade.

Obviamente, a corrente de coletor no pode aumentar infinitamente. H um limite definido pelo transistor e elementos perifricos (resistores). Para a anlise dos circuitos com transistores, vamos encontrar as seguintes grandezas eltricas

Pgina 15

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

BC 548 2N2222 TIP31A 2N3055 BC559 BFX29

Ridade NPN NPN NPN NPN PNP PNP

(V) 45 30 60 80 -30 -60

(mA) 100 800 3000 15000 -200 -600

125 a 900 100 a 300 20 a 50 20 a 50 125 a 900 50 a 125

Exemplo 2 - No circuito com o transistor de silcio 2N2222(=120) abaixo determine: d) Corrente IB e) Tenso VCE f) Potncia dissipada pelo transistor

27 IB 240mA R 2N2222 + 12V

O estudo das caractersticas principais efetuado por famlias (grupo de transistores com caractersticas semelhantes), que so: Uso Geral: Pequenos sinais Baixas Freqncias Corrente IC entre 20 e 500mA Tenso mxima entre 10 e 80 V Freqncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz Correntes elevadas Baixas freqncias Corrente IC inferior a 15A Freqncia de transio entre 100 kHz e 40 MHz Uso de radiadores de calor 6 - Transistor como Chave

IE

Potncia:

A utilizao do transistor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao como chave. A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma corrente pela base do transistor, ele satura e acende a lmpada. O resistor ligado a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no caso, a lmpada.

RF - Rdio Freqncia: Pequenos sinais Freqncias elevadas Correntes IC inferior a 200mA Tenso mxima entre 10 e 30V Freqncia de transio em 1,5 GHz 5 - Os Limites dos Transistores Os transistores, como quaisquer outros dispositivos tm suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros que possuem valores mximos: Tenso mxima de coletor - VCEMAX Corrente mxima de coletor - ICMAX Potncia mxima de coletor - PCMAX Tenso de ruptura das junes PCMAX = VCEMAX.ICMAX Exemplos de parmetros de transistores comuns. Tipo PolaVCEMAX ICMAX

Veja que temos aplicada uma tenso positiva num transistor NPN, para que ele sature e uma tenso negativa, para o caso de transistores PNP, conforme mostra a figura abaixo.

Pgina 16

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

6.1 - Clculo de Resistores para Uso como Chave Eletrnica. O uso do transistor como chave implica em polariz-lo na regio de corte ou de saturao. Como o corte do transistor depende apenas da tenso de entrada, o clculo dos transistores efetuado baseado nos parmetros de saturao. Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,2V e um ganho de valor mnimo (entre 10 e 50) para garantir a saturao. A corrente de coletor de saturao depende da resistncia acoplada ao coletor ou da corrente imposta pelo projeto. Exemplo 3 - No circuito a seguir, deseja-se que o LED seja acionado quando a chave estiver na posio ON e desligado quando a chave estiver na posio OFF. Parmetros do transistor BC 548: VBE=0,7V VCE=0,3V ICMAX=200mA VCEMAX=30V =20 Parmetros do LED: V =1,5V ID=25mA

Neste circuito, em srie com RC, coloca-se a bobina do rel. Esta bobina, normalmente, apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser to baixa, o resistor RC, tem a funo de limitar a corrente no transistor, para no danificlo. O diodo em paralelo com a bobina serve para evitar que o transistor se danifique devido tenso reversa gerada por ela no chaveamento do rel. Parmetros do 2N2222: VBE=0,7V VCE=0,3V =10 ICMAX=500mA VCEMAX=100V Parmetros do rel: RR=80 7 - Teste de Transistores H trs maneiras de se verificar um transistor: com o traador de curvas, os medidores digitais e o ohmmetro. O traador de curvas plota em uma tela as curvas caractersticas de sada do dispositivo em anlise, permitindo uma anlise detalhada. Alguns multmetros digitais possuem a opo de medio de hFE ou utilizando soquetes que aparecem ao lado da chave comutadora do instrumento. O valor de ganho calculado para uma corrente de base fixa que varia de instrumento para instrumento. Um ohmmetro ou as escalas de resistncia de um multmetro digital, pode ser utilizado para determinar o estado de um transistor. Lembre-se de que, para um transistor na regio ativa, a juno base-emissor est diretamente polarizada, e a juno base coletor est reversamente polarizada. Assim, portanto, a juno diretamente polarizada deve registrar um valor de resistncia mais ou menos baixo, enquanto que a juno reversamente polarizada, um valor muito mais alto de resistncia. Para um transistor NPN a juno base-emissor deve ser testada, como mostra a figura abaixo, resultando em uma leitura na faixa de 100 a alguns k A juno base-coletor deve apresentar . leituras acima de 100 k . IR=50mA

Exemplo 4 - Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 220V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem o transistor podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a seguir.

Pgina 17

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

8 - Tcnicas de soluo de problemas A arte de contornar problemas um tpico bem abrangente, de forma que todas as alternativas e tcnicas existentes no podem ser abordadas completamente. Entretanto o tcnico deve conhecer alguns macetes e medidas bsicas que consigam isolar a rea do problema, e possibilitar a identificao de uma soluo. Para um transistor PNP, os terminais devem ser trocados de posio a cada medio. Obviamente, uma resistncia pequena ou grande demais em ambas as direes (invertendo os terminais), para cada juno de um transistor NPN ou PNP, indica que se trata de um dispositivo defeituoso. Com base nestas leituras pode se identificar os terminais do transistor, mas mais prtico observar o seu encapsulamento e consultar o manual. A figura a seguir resume os valores de resistncia que devem ser encontrados a cada medio (A: Alta; B: Baixa). Obviamente, o primeiro passo para a identificao do problema entender bem o comportamento do circuito, e ter alguma idia dos nveis de tenso e correntes existentes. Para o transistor na regio ativa, o nvel DC mais importante a ser medido a tenso base-emissor. Para um transistor ligado, a tenso VBE deve ser aproximadamente 0,7V As conexes apropriadas para a medio de VBE aparecem na figura a seguir. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do multmetro est conectada no terminal de base para um transistor NPN, e a ponta preta no terminal do emissor. Devemos suspeitar de qualquer leitura totalmente diversa do esperado, como 0V, 4V ou 12V, ou at mesmo valor negativo, devendo-se verificar as conexes do dispositivo ou circuito. Para um transistor PNP podem ser utilizadas as mesmas conexes, mas as leituras sero negativas. Um nvel de tenso de igual importncia a tenso coletor-emissor. Lembre-se das caractersticas gerais de um TBJ, que valores de VCE em torno de 0,3V sugerem um dispositivo saturado, condio que no deve existir, a menos que o transistor esteja sendo utilizado no modo de chaveamento.

Outra maneira de se provar um transistor com um circuito simples destinado a isso, como a da figura a seguir.

Apertando o interruptor de presso o LED deve acender se transistor em teste estiver bom. Se o LED acender antes de pressionarmos o interruptor ento o transistor est em curto. Se no acender quando pressionarmos o interruptor ento o transistor est aberto. Se o LED acender fraco antes de apertarmos S1 ento o transistor est com fuga.

Para um transistor tpico na regio ativa, a tenso VCE normalmente 25% a 75% de VCC. Para VCC=20V, uma leitura de 1 a 2V ou 18 a 20V para VCE certamente um resultado estranho merecendo uma anlise mais cuidadosa. Nestes casos h, no mnimo, duas possibilidades, ou o dispositivo est danificado e comporta-se como um circuito aberto entre os terminais de coletor-emissor, ou uma conexo na malha coletor-emissor est aberta estabelecendo IC=0mA

Pgina 18

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Um dos mtodos mais eficientes de verificao de operao do circuito checar os nveis de tenso relativo ao terra. Para isso, coloca-se a ponta preta (negativa) do voltmetro no terra e troca-se a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado.

9 - Transistores DARLINGTON Na figura acima se a ponta vermelha for conectada diretamente a VCC, deve-se obter a leitura de VCC volts. Em VC a leitura deve fornecer um valor menor, j que h uma queda de tenso atravs de RC e VE deve ser menor que VC, devido a tenso coletor-emissor VCE. Algum valor no esperado para um destes pontos pode ser aceitvel, mas em certas ocasies pode representar conexo malfeita ou dispositivo defeituoso. Se VRC e VRE apresentarem valores aceitveis, mas VCE for de 0V, provvel que o TBJ esteja com defeito, resultando em um curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor. Via de regra, os nveis de corrente so calculados a partir dos nveis de tenso, no necessitando da insero no circuito de um multmetro com a funo de miliampermetro. Para esquemas de circuitos extensos, em geral so fornecidos nveis de tenso especficos, facilitando a identificao e verificao de possveis pontos problemticos. Exemplo 5 - Baseado nas leituras fornecidas, determine se o circuito est operando adequadamente. Quando acoplamos dois transistores diretamente, da forma abaixo, estamos realizando a conexo DARLINGTON.

O ganho de corrente do circuito aumenta bastante sendo T = 1x2. Podem ser encontrados transistores montados desta forma num nico encapsulamento. Pelo seu alto ganho de corrente, ele deve suportar altas correntes, sendo aplicado em amplificadores de potncia e fontes de alimentao.

10 - Radiadores de calor Os transistores tem sua potncia mxima especificada em funo da temperatura ambiente (25 C) e da temperatura interna do transistor. Se a temperatura aumentar a potncia mxima dissipada tende a diminuir.

Exemplo 6 - Baseado nas leituras determine o estado do transistor e se o circuito est operando corretamente.

Pgina 19

CEFET - UnedZN

Eletrnica Analgica

Uma maneira usual de compensar a diminuio da potncia de dissipao de um transistor a utilizao de dissipadores de calor. Trata-se de uma chapa metlica de boa condutibilidade trmica (alumnio), geralmente com aletas, na qual acoplado o transistor, aumentando-se a rea de contato entre ele e o meio ambiente e, consequentemente facilitando a troca de calor. S para ter uma idia da importncia do dissipador de calor, num transistor TIP 29, a potncia mxima passa de 2W para 30W com dissipador.

Pgina 20

Captulo 5 Transistores de Efeito de Campo 1 - Introduo Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente, isto , a corrente de coletor controlada pela corrente de base. Existe, no entanto, um outro tipo de transistor, no qual a corrente controlada pela tenso pelo campo eltrico. So os chamados transistores de efeito de campo ou simplesmente FET (FieldEffect Transistor). Existem dois tipos de FETs: a) JFET FET de juno; b) MOSFET FET com porta isolada. 2- JFET (Junction Field-Effect Transistor) O JFET um dispositivo unipolar e fisicamente pode ser encontrado em dois tipos: JFET canal N e JFET canal P. A figura a seguir mostra o aspecto construtivo de cada um deles:

fonte (VD ou VDS), surge uma corrente iD, como indicada na figura abaixo:

3- MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) Neste tipo de FET, existe uma camada isolante de dixido de silcio (SiO2) entre o terminal de porta e o componente propriamente dito. Isto resulta numa resistncia neste terminal altssima e, conseqentemente, numa corrente de porta praticamente nula. Abaixo vemos o aspecto construtivo do MOSFET:

O JFET formado por trs terminais: fonte (source) por onde os eltrons entram, dreno (drain) de onde os eltrons saem e porta (gate) que faz o controle da passagem dos eltrons. O princpio de funcionamento do JFET bem simples. O objetivo controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto feito aplicando-se uma tenso na porta. Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VG=0 ou VGS=0, aplicando-se uma tenso entre o dreno e a

O surgimento do MOSFET representou um grande avano tecnolgico por ser de fabricao muito simples, ter alto desempenho (alta impedncia de entrada e baixo rudo) e propiciar a integrao em larga escala, isto , pelo fato de ter um tamanho muito reduzido (cerca de 20 vezes menor que o transistor bipolar), permite que um grande nmero de transistores seja produzido num mesmo circuito integrado. O baixssimo consumo de energia resultante da alta impedncia de entrada, a possibilidade de integrao em larga escala, o tamanho reduzido e o baixo custo permitem que os CIs de portas lgicas, registradores e memrias sejam produzidos a partir da tecnologia dos MOSFETs.

Captulo 5 - Circuitos Reguladores de Tenso 1 - Estabilizao com Transistor Ao estudarmos as fontes de tenso verificamos a existncia de vrias etapas na obteno de uma tenso fixa a partir de uma tenso alternada. Transformao de amplitude Retificao Filtragem Regulao Podemos tentar explicar a ao de regulao da seguinte forma: 1. Se a tenso de sada diminui, a tenso base-emissor aumenta, fazendo com que o transistor conduza mais, e desta forma aumentando a tenso de sada - mantendo a sada constante. 2. Se a tenso de sada aumentar, a tenso base-emissor diminui, e o transistor conduz menos, reduzindo assim, a tenso de sada, mantendo a sada constante. 3. Um aumento da tenso de entrada, aumenta a tenso base-coletor (IV). Como VBE constante, VCE aumenta (III). Portanto, pela equao (II) VS permanece constante. 4. Se VE diminuir, VCB diminui (IV). Pela equao (III) VCE diminui. Pela equao (II) VS permanece constante. 1.1 - Limitaes Obviamente, o circuito regulador apresenta suas limitaes. O transistor tem seus valores mximos e mnimos para VCE e IC, que limita os valores mximos e mnimos da tenso de entrada e corrente de sada, para que haja tanto a estabilizao da tenso como a proteo do transistor e do diodo zener. Tenso mxima de entrada VE MAX=VCE MAX + VS Tenso mnima de sada VE MIN=VCE SAT + VS Corrente mxima de sada IS MAX = IC MAX Potncia mxima dissipada pelo transistor PC MAX = (VE MAX - VS).IS MAX Exemplo 1 - Calcule a tenso de sada e a corrente no zener do circuito regulador da figura abaixo. (=50)
+ VCE -

A etapa de regulao, a qual cabe manter a tenso de sada fixa para vrios valores de corrente de sada, era desempenhada pelos diodos ZENERs. Como j estudamos, o diodo Zener tem suas limitaes, e os circuitos reguladores projetados com este elemento so utilizados para baixos nveis de corrente de sada. Com os transistores, podemos ampliar esta faixa de corrente, quando usamos a configurao abaixo, conhecida como circuito regulador srie.
+ VCE -

+ VE -

RS

+ VZ -

RL

+ VL -

A tenso de entrada VE pode ser constante (desejando estabiliz-la num valor menor) ou vir de um circuito retificador com filtro, cuja sada apresenta ondulao (ripple). O diodo zener garante a estabilidade e o transistor permite ampliar a faixa de valores de correntes de sada, sem sobrecarregar o diodo zener. RS um resistor limitador de corrente para o diodo zener. A tenso de sada pode ser determinada pela malha externa e pela malha de sada: Malha externa: Malha de sada: Malha do transistor: Malha interna: VS = VE - VCE VS = VZ - VBE VCE = VCB + VBE VE = VCB + VZ (I) ( II ) ( III ) ( IV )

+ 20 -

220

+ 12 -

1k

+ VL -

2 - Estabilizao com Circuitos Integrados H uma classe de CIs disponveis que operam como reguladores de tenso. Estes CIs contm circuitos mais sofisticados que proporcionam uma regulao quase perfeita e at proteo contra curto-circuito na sada da fonte. As srie mais difundidas de reguladores de tenso so as uA78XX e a uA79XX. Estes CIs possuem trs

Sendo este circuito estabilizador de tenso, ele deve compensar tanto as variaes de tenso de entrada, como as variaes de corrente de sada (causadas pelas variaes na carga RL). Pela equao (II) nota-se que a tenso de sada VS constante, pois tanto a tenso zener VZ como a tenso VBE so estveis.

terminais. Um para receber a tenso no regulada. Um para o aterramento e o terceiro entrega a tenso regulada. Uma fonte de tenso com este regulador apresenta a seguinte forma:
78XX CI 220V Ponte de diodos C1 Trafo C2 RL

2.2 - Esquema interno 17 transistores 2 diodos zeners 21 resistores 1 capacitor

O capacitor de filtragem principal C1 no precisa ter valor elevado, so usados valores de 220 a 470F. Isto porque o ripple eliminado principalmente pelo CI. O capacitor C2 utilizado para supresso de rudos de alta freqncia, tendo valores tpicos na ordem de 100nF. Os valores de tenso de sada dependem do tipo do CI utilizado, a tabela a seguir mostra os valores disponveis e seus respectivos limites de tenso de entrada. CI Regulador 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 Tenso de Sada 5,0 6,0 8,0 10,0 12,0 15,0 18,0 24,0 Tenso de entrada (volts) Mn Mx 7,3 25 8,3 25 10,5 25 12,5 28 14,6 30 17,7 30 21,0 33 27,1 38

2.3 - Diagrama de Blocos

A srie 79XX apresenta caractersticas idnticas para a regulao de tenses negativas. Apesar do fabricante especificar que o CI suporta correntes de at 2,2A, ele s utilizado para correntes de no mximo 1A, com o uso recomendado de radiador de calor para correntes maiores que 500mA. 2.1 - Encapsulamento 78xx OCI Output - Sada Commom - Terra Input - Entrada

Tenso de referncia: Fornece uma tenso de referncia estvel (zener) Interpretador de tenso: Amostra o nvel de tenso de sada. Elemento comparador: Compara a referncia com a tenso de sada produzindo um sinal de erro Elemento de controle: Utiliza o sinal de erro para modificar a tenso de sada de modo a estabiliza-la. 2.4 - Aplicaes Bsicas A montagem bsica deste CI esta mostrada na figura a seguir.

Com algumas modificaes podemos conseguir tenses maiores que a tenso regulada do CI.

V0 = VXX + (

VXX + I0 ). R 2 R1

Onde I0 = 3 a 10 mA (depende do tipo de CI) Podemos projetar uma fonte de corrente para diversas aplicaes, como recarregadores de bateria, usando o 78XX.

Exerccios de Fixao 1. Calcule a corrente no diodo zener e a tenso de sada no circuito abaixo. 3 - Fonte de Tenso com sada varivel. Apesar da srie uA78xx permitir, atravs da adio de componentes auxiliares, a obteno de tenses de sada variveis, existem CIs dedicados para isto. O LM317 permite que a tenso de sada seja ajustvel entre 1,2V e 37V, podendo fornecer at 500mA de corrente de sada. 2. Calcule a tenso de sada para o circuito abaixo. Qual o valor mnimo da tenso no regulada que deve ser entregue ao circuito?

O - Output - Sada A - Adjustment - Ajuste I - Input - Entrada

O esquema de ligao o mostrado na figura a seguir. A tenso de entrada deve ser superior em 3V a maior tenso de sada pretendida.

A tenso de sada dada por: V0 = VREF .(1 + R2 ) + IADJ . R 2 R1

Captulo 6 - Amplificadores Operacionais

1 - Caractersticas Bsicas O Amplificador Operacional um circuito eletrnico integrado composto de resistores, transistores e capacitores. No princpio, os Amplificadores Operacionais (AMP OP) foram utilizados para realizar operaes matemticas, resultando no nome operacional Atualmente utilizado principalmente em Instrumentao, no manipulao de sinais eltricos de pequena intensidade obtidos por transdutores de

Onde VREF = 1,25V e IADJ = 100A. Exemplo 2 - Determine a tenso regulada no circuito acima para R1 = 240e R2 = 2,4 k . Para melhorar a filtragem e eliminar possveis rudos, devemos adicionar capacitores na entrada e sada do regulador.

grandezas fsicas. Exemplos: Sensores de luminosidade, presso, velocidade, som, nvel, etc. Na anlise de circuitos tratado como um componente discreto, sem entrar no seu contedo interno. Smbolo e circuito equivalente: VCC

a)

A=100.000 A 4,75mV + 4,8mV V0

V-

A +

V0

b)

A=100.000 A V0

V+ VEE
V+ : V- : V0 : VCC: VEE: Ri: RO:

V0 = A.(V+ V )
100,75mV

+ 100,8mV

Entrada no inversora Entrada inversora Sada (ou VS) Alimentao positiva Alimentao negativa (ou VCC-) Resistncia de entrada Resistncia de sada RO

2 - Amplificador Operacional Ideal

Ri = ii+ Ri = A + R0 = 0 V0

V1 Ri V2
+ -

VO A.(V1-V2)

V0 = A. (V+ V )

Fisicamente apresentado em vrios invlucros, sendo o mais comum o DIL (DUAL-IN-LINE) de 8 pinos. Abaixo temos a pinagem do CI A 741
1 8

Na teoria este componente deveria ter as seguintes caractersticas: O Amplificador Operacional (AMP OP) nunca satura, isto , ele pode fornecer qualquer valor de tenso na sua sada No h corrente nas entradas do operacional (i+ = i- = 0, pois Ri=) O AMP OP tem impedncia de sada nula (R0=0), isto quer dizer que a tenso de sada se mantm para qualquer nvel de corrente. O AMP OP ideal tem ganho A constante, independentemente da freqncia dos sinais de entrada. O AMP OP ideal deve ter ganho infinito. 3 - Circuitos com Amplificador Operacional Os AMP OPs podem desempenhar inmeras funes em um circuito, dependendo da configurao dos elementos externos. Vamos citar aqui quatro configuraes bsicas.

ININ+ VCC4

VCC+ OUT
5

Exemplo 1 - Calcule o sinal de sada nos circuitos a seguir:

3.1 - Amplificador Inversor

AV =

R2 R1 A VE + VS
Concluses:

VS R = 2 VE R1

A tenso de sada aumentada ou atenuada, tendo sua polaridade invertida, de acordo com o ganho de tenso AV O ganho dado apenas pela relao entre os resistores R2 e R1. O ganho independe das caractersticas do AMP OP Exemplo 3 - Projete um amplificador inversor empregando um AMP OP ideal com AV=-10. Adote R1=1k Esboe a forma de onda do circuito para . uma tenso de entrada senoidal com amplitude de 1V e 1Hz. 3.2 - Amplificador No-Inversor Modificando a posio da fonte de tenso de entrada, obtemos um amplificador que no inverte a polaridade do sinal de sada. R2

O resistor R2 chamado de resistor de realimentao negativa, pois interliga a sada com a entrada inversora do operacional. Para a anlise do circuito devemos calcular o ganho de tenso do circuito (AV), isto , determinar o comportamento da tenso de sada do circuito em funo da sua tenso de entrada. Para a anlise precisamos introduzir o conceito de curto-circuito virtual ou terra virtual. Sabemos que VS = A.(V+ - V-). Temos que: (V+ - V-) = VS/A, supondo A= , podemos considerar V+ - V- 0 que significa V+ = VDo ponto de vista da tenso podemos considerar que as entradas V+ e V- esto em curto-circuito. Do ponto de vista da corrente temos um circuito aberto introduzindo o termo curto virtual (mesma tenso e corrente nula) Determinao do ganho de tenso do circuito R2

R1 A + VE + + VS

AV =

VS R = 1+ 2 VE R1

R1 + VE i1

V-

i2 + VS

Exemplo 4 - Comprove a expresso do ganho de tenso do amplificador no inversor utilizando o conceito de curto-virtual

i- =0 V+ + i+ =0

Exemplo 5 - Projete um amplificador no inversor empregando um AMP OP ideal com AV=10. Adote R1=3k Esboe a forma de onda do circuito para . uma tenso de entrada senoidal com amplitude de 1V e 1Hz. 3.3 - Amplificador Somador Inversor Nesta configurao a sada do circuito uma soma ponderada das entradas. A ponderao feita pelos resistores em srie com as fontes e o resistor de realimentao (Rf).

Pela Tcnica do curto virtual V+ = V- = 0 V- um terra virtual. 1a equao VE - R1.i1 = 0 VE = R1.i1 i1 = VE / R1 2a equao VS + R2.i2 = 0 VS = -R2.i2 i2 = - VS / R2 3a equao i1 = i2 VE / R1 = - VS / R2

R3 VR2 R1 +
VE3

VCC Rf V+ A + + VS + VEE V0

+
VE2

+
VE1

R R R VS = f VE1 + f VE 2 + f VE 3 R2 R3 R1

O terminal de alimentao mais positivo chamado de VCC ou +VCC. O terminal mais negativo chamado de VEE ou -VCC. Usualmente, omitem-se esses terminais dos diagramas eltricos para no congestionar os desenhos. Mas, obviamente, eles esto sempre conectados. Na grande maioria das aplicaes, nenhum dos dois terminais de alimentao est aterrado. Normalmente emprega-se VEE = - VCC. Em particular os valores de VCC = 15 V e VEE = -15V so os mais usuais. Valores de 9 e -9 volts tambm so muito empregados. 4.1 - Formas de Alimentao As fontes de alimentao com trs terminais (+V, 0, -V) so chamadas de fontes simtricas. Fonte simtrica de 9-0-9 volts com baterias.

Se o circuito tiver mais entradas podemos adicionar mais termos a frmula, seguindo o padro resistor Rf sobre resistor de entrada Rn. Exemplo 6: Projete um circuito somador com trs entradas, de modo que o sinal de sada seja dado por VS = -(4xVE1+ 2xVE2+VE3) 3.4 - Amplificador de Diferenas A sada do circuito proporcional diferena entre as duas tenses de entrada (VE1-VE2)
R2 R1 +
VE2

R3 +
VE1

A + R4

+ VS

Fonte Simtrica com transformador

Se usarmos R4 / R3 igual a R2 / R1 temos que:


VS = R2 . ( VE1 VE 2 ) R1

Exemplo 7: Em um determinado processo trmico, temos dois termmetros que medem a temperatura fora do forno e dentro do forno. Projete um circuito que fornea um sinal eltrico trs vezes maior que a diferena entre os sinais oriundos dos termmetros interno e externo. 4 - Alimentao dos AMP OPs Sabemos que as entradas do AMP OP. no consomem corrente, o que eqivale a dizer que o AMP OP no consome potncia dos circuitos que alimentam suas entradas. Por outro lado, sabemos que sua sada capaz de fornecer uma tenso proporcional diferena das tenses de entrada a qualquer carga colocada em sua sada, portanto o AMP OP ideal capaz de fornecer qualquer potncia em sua sada. A energia necessria para isto obtida por meio dos terminais de alimentao VCC e VEE.

Alimentao a partir de fonte simples

Fonte com Zener

4.2 - Saturao em AMP OPs Os valores das tenso de alimentao estabelecem os limites de excurso do sinal de sada do AMP OP. Para um AMP OP ideal, sabemos que V0=A.(V+ - V-). Para um AMP OP real, enquanto o |V0| for muito menor que |VCC| temos V0 = A.(V+ - V-). No entanto quando |V0| se aproxima do valor de |VCC|, o AMP OP deixa de se comportar segundo a lei anterior e tende a assumir um valor constante. Neste caso, diz-se que a sada est saturada.

5 - O Circuito Comparador de tenses Em algumas aplicaes, o AMP OP opera exclusivamente na regio saturada, e portanto a sua sada assume os valores de saturao. Naturalmente, em tais circuitos no podemos aplicar a relao fundamental e, mais importante, no podemos aplicar o conceito do curto-circuito virtual para determinar a operao do circuito. O comparador de tenses utiliza um AMP OP saturado. A funo de um comparador de tenses comparar a tenso de suas entradas com uma tenso de sua outra entrada e produzir um sinal de sada de valor alto ou baixo, dependendo de qual entrada maior. Este circuito nada mais do que um AMP OP sendo empregado em malha aberta (sem realimentao). Normalmente, o que este circuito faz simplesmente comparar o valor do sinal de entrada V+ com um valor de referncia (V-). Como o ganho do AMP OP elevado (em torno de 200.000 para o 741) assim que o valor do sinal V0 se torna maior que o valor de referncia, a sada do operacional satura em +V0SAT. Se o valor do sinal se tornar menor que o valor de referncia, a sada do operacional satura em -V0SAT.

Os valores de tenso para os quais ocorrem a saturao dependem do AMP OP utilizado. Este dado s pode ser fornecido pelo prprio fabricante do AMP OP e portanto consulte o manual para determin-lo. No caso do 741, existe uma diferena de aproximadamente 2V entre a fonte de alimentao e o mximo (mnimo) valor de sada, ou seja, para VCC = - VEE = +15V temse V0SAT = 13V. A figura a seguir apresenta a forma de onda de sada de um amplificador inversor de ganho -10, onde observamos claramente o ceifamento da forma de onda (VS) quando V0 atinge os valores de saturao. importante salientar que quando o circuito est saturado no podemos utilizar o conceito do curtocircuito virtual.

5.1 - O Circuito Regenerativo de Schmitt

O circuito acima um comparador onde a tenso VE comparada com uma referncia que depende da tenso de sada. Perceba que o circuito est convertendo um sinal analgico em um sinal digital em sua sada (conversor analgico digital). Embora todos os AMP OP possam ser utilizados como comparadores, em freqncias superiores a centenas de kHz recomendvel a utilizao de CIs dedicados para comparao de tenso. (Por exemplo: LM 311). Pinagem do CI LM311 Devido a realimentao positiva o circuito opera na regio de saturao, portanto a sada est sempre em V0SAT ou -VOSAT. Caso a sada esteja no seu valor alto, o valor de referncia ser: VREF1 = R1 . V0SAT R1 + R 2

Caso a sada esteja no seu valor baixo, o valor de referncia ser: VREF2 = R1 . V0SAT R1 + R 2

Exemplo 8 - Esboe o sinal de sada do circuito comparador. A entrada uma onda triangular conforme o grfico abaixo e a alimentao feita em 12V.
+12V 15k + A 10k VE VS

Ao alimentarmos o circuito anterior com 15V e utilizarmos os resistores R2=10k e R1=3k teremos as referncias de 3 e -3 volts. Ao aplicarmos uma tenso VE com a forma abaixo teremos uma onda de sada com valores de 13 e -13 volts, dependendo da tenso de entrada.

+8V

Quando o sinal de entrada vem de um valor baixo (ponto a) onde a sada est em alta (ref=3V), somente ao atingir +3V (ponto b) que a sada muda para o

valor baixo. Por outro lado, quando o sinal de entrada vem de um valor alto (intervalo b-d) onde a sada est em valor baixo, somente ao atingir -3V que a sada muda de estado (ponto d). Esta propriedade de duas referncias utilizado na recuperao de sinais digitais deteriorados por rudos. Os circuitos especficos para isto so portas lgicas especiais representadas pela figura abaixo.

6 - Circuitos Osciladores com AMP OP


Utilizando AMP OPs podemos construir circuitos geradores de sinais quadrados e triangulares (dentes de serra). O circuito abaixo gera um sinal de sada com forma quadrtica. Este circuito compara a tenso do capacitor com uma V referncia obtida a partir do sinal de sada. ( ). 2 Inicialmente com o capacitor descarregado, o AMP OP satura no valor positivo. O capacitor comeara a ser carregado atravs de R.

Os circuitos so alimentados com +VCC e 0 V . O fabricante estabelece referncias de 40% e 60% de VCC. O sinal estando em um nvel baixo, a referncia ajustada em 60%, podendo suportar rudos de at 59% de VCC. Caso esteja em nvel alto, a referncia ajustada em 40%, podendo suportar um queda de at 41% de VCC. Desta forma so eliminados os rudos de um determinado sinal. A figura a seguir mostra o comportamento de uma porta inversora Schmitt Trigger submetida a um sinal de entrada ruidoso.

Quando a tenso do capacitor ultrapassar a tenso de V referncia (+ ) o AMP OP comutar a sada para a 2 saturao negativa. V ) e a tenso do capacitor 2 comea a descarregar e a carregar negativamente em direo a -V. A referncia muda para (Ao alcanar a referncia (comutao e o ciclo se reinicia. V ) h uma nova 2

Obviamente o tempo de carga e descarga do capacitor o fator que define a freqncia da onda gerada. Com isso controlando os valores de R e C variamos a freqncia da tenso gerada. Utilizando resistores de realimentao positiva de mesmo valor (na figura anterior temos 22k ), podemos calcular a freqncia com a seguinte equao:
f = 0,455 R.C

Exemplo 9 - Utilizando um AMP OP, projete um circuito que fornea um sinal quadrado com freqncia de 1Hz.