Modelos equivalentes de pequea seal de los transistores

Ing. Hugo Fdo. Velasco Pea

Introduccin

El circuito equivalente de pequea seal de un transistor FET se puede obtener por mtodos anlogos a los utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensin, el modelo bipuerta ms adecuado es el de parmetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.

Introduccin

La figura 2.17 representa el modelo de pequea seal de un FET constituido por dos parmetros: gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notacin es la ms extendida para describir estos parmetros, aunque algunos fabricantes utilizan la notacin en parmetros {Y} o {G}, denominando yfs o gfs a gm, e yos1 o gos1 o ross a rd.

Introduccin

Estos parmetros dependen de la corriente de polarizacin del transistor (ID), y el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarizacin. A continuacin se describe con ms detalle los paretros gm y rd.

FACTOR DE ADMITANCIA gm

Se define este parmetro como

gm en JFET

En un JFET, gm se puede extraer a partir de la ecuacin analtica del transistor en la regin de saturacin que relaciona la ID con la VGS, definida por

gm en JFET

gm es un parmetro definido por cociente de incrementos que se pueden aproximar por derivadas, de forma que aplicando esta definicin a la ecuacin de ID y resolviendo se obtiene que

gm en MOSFET

En un transistor MOS, cuya ecuacin analtica en la regin de saturacin es

gm se puede expresar mediante la siguiente ecuacin

RESISTENCIA DE SALIDA O DE DRENADOR rd.

FACTOR DE AMPLIFICACIN

Relaciona los parmetros gm y rd de la siguiente manera

AMPLIFICADORES MULTIETAPA