EE530 Eletrnica Bsica I

Prof. Fabiano Fruett

Aula J - Diodos Diodo ideal Operao fsica dos diodos Correntes no diodo Efeito da temperatura Capacitncia de depleo e de difuso
J 1

Polarizaes reversa e direta (diodo ideal)

Simbologia

Fotografia de diodos discreto

3 Fonte: Boylestad 8th edio

Resistor limitador

Anlise baseada no diodo ideal!

Aplicao: Retificador

Retificador (diodo ideal)

Caracterstica de transferncia de vO versus vI

Forma de onda de vD

Anlise com o modelo do diodo ideal

Suponha que vI tem um valor de pico de 10 V e R = 1 k. Calcule o valor de pico de iD e a componente cc de vO .

Detalhamento da Caracterstica i v de um diodo de juno de silcio

Equao de Shockley para o Diodo Ideal

i = I S ( ev nVT 1)
VT = kT q

IS corrente de saturao reversa n o coeficiente de emisso ou fator de idealidade 1 n 2 VT a tenso termodinmica k a constante de Boltzmann, k=1,38E-23 [J/K] T a temperatura em Kelvin q a carga do eltron 1,60E-19 [C] portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV
J 9

Processos fsicos envolvidos

Diodo em aberto Diodo em polarizao reversa Diodo em polarizao direta

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Juno p-n
Diodo em aberto:

N+N = Vn V p = VT ln D 2 A ni

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Limites da regio de depleo

WP N A = WN N D
WP WN

Largura total:

WT
1

WT = Wdep

2 0 Si N A + N D 2 = WN + WP = N AND q

Sendo que 0 Si = corresponde a constante dieltrica do silcio ( =1,0410-12 F/cm) e o potencial da juno
J 12

Aproximao de depleo
Valida para (-Wp<x<Wn)

qN ( x )

dE ( x) d 2V ( x) = = dx dx 2

Aproximao de depleo: a) dopagem, c) campo eltrico b) densidade de carga espacial d) potencial eletrosttico

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Juno polarizada
Reversa
2 ( + VA ) N A + N D 2 WT = q N A ND
1

Dentro de certos limites:

i = IS
Direta

i = I S ( ev nVT )
J 14

Polarizao reversa

Difuso de majoritrios ID < IS Deriva de minoritrios

J 15

Carga armazenada em ambos os lados da camada de depleo como funo da tenso reversa VR
qJ = q NA ND AWdep NA + ND

Wdep =

2 s 1 1 + ( V + VR ) ND 0 q NA

Capacitncia de depleo
Cj =
J

dq j dVR

VR =VQ
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Juno pn na regio de ruptura

Alm de um certo valor de tenso reversa (que depende do diodo) ocorre a ruptura, e a corrente aumenta rapidamente com um pequeno aumento correspondente da tenso.

Efeito Zener Efeito Avalanche

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Efeito Zener
O campo eltrico da camada de depleo pode aumentar at um ponto capaz de quebrar ligaes covalentes gerando pares eltron-lacuna
VZ 5 V
Junes com alta dopagem Regio de depleo reduzida Campos eltricos intensos
J

106 V/cm

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Avalanche
Portadores minoritrios cruzam a regio de depleo e ganham energia cintica suficiente que podem quebrar ligaes covalentes
V 7 V
Ionizao por impacto

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Polarizao direta

ID IS = I A fonte externa fornece portadores majoritrios para os dois lados

J

Reduo da camada de depleo Aumento da corrente de difuso

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Polarizao direta
Perfil dos portadores minoritrios difundidos em cada regio

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Polarizao direta
A concentrao de excesso de portadores minoritrios em cada borda da camada de depleo dada pela relao de Boltzmann
n2 n p ( x p ) = i expV /VT NA
pn ( xn ) = ni2 expV /VT ND

A recombinao destes portadores depende do comprimento de difuso

Lp = D p p

p o tempo de vida dos

portadores Dp a constante de
J

minoritrios difuso

D p = ( kT / q ) p
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Lacunas difundidas atravs da juno para dentro da regio n

pn ( xn ) = pn 0 expV /VT

pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) pn 0 ] exp
Lp o comprimento de difuso

( x xn )/L p

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Densidade da corrente de difuso de lacunas

dpn ( x ) dx Concentrao de portadores minoritrios em xn J p = qD p
pn ( xn ) = pn 0 expV /VT
Decaimento da concentrao

pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) pn 0 ] exp

( x xn )/L p

Densidade da corrente de difuso em funo do decaimento da concentrao

Jp = q

Dp Lp

pn 0 (expV /VT 1) exp

J

( x xn )/L p
24

Jp = q

Dp Lp

pn 0 (expV /VT 1) exp

( x xn )/L p

O decaimento devido recombinao com os eltrons majoritrios O mximo na densidade de corrente de lacunas ocorre em x=xn, e vale:

Jp = q

Dp Lp

pn 0 (expV /VT 1)

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Para o lado p tem-se:

Mximo na densidade de eltrons:
Jn = q Dn n p 0 (expV /VT 1) Ln

Sendo que Ln o comprimento de difuso dos eltrons minoritrios

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Corrente total
Jp = q Dp Lp pn 0 (expV /VT 1)
Jn = q Dn n p 0 (expV /VT 1) Ln

D p pn 0 qDn n p 0 I = A q + L Ln p

(expV /VT 1)

Substituindo pn0 = ni2/ND e np0 = ni2/NA

Dp Dn (expV /VT 1) I = Aqni2 + L p N D Ln N A

Corrente de saturao:

Dp Dn 2 IS = Aqni + LnN A Lp ND
J 27

Dependncia da relao v vs. i com a temperatura

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Efeito da temperatura em IS
Dp Dn 2 IS = Aqni + LnN A Lp ND

ni2 T 3 exp( qVg / kT )

D = ( kT / q )
L= D
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T n
J

Efeito da temperatura em um diodo operando em polarizao direta com corrente (i) constante
v= kT i ln q IS
Vg0 = 1,16 V -2 mV/K

Vg0

T [K] 30

Curiosidade
Sensores de temperatura so baseados em junes semicondutores polarizadas diretamente. Fotodiodos e outros sensores de radiao luminosa so baseados em junes semicondutoras polarizadas reversamente.
J 31

Capacitncia de Difuso
Carga de portadores minoritrios armazenada em excesso
Q = Aq rea embaixo da exponencial = Aq [ pn ( xn ) pn 0 ]L p

pn(x)

Cd = T I VT

T chamado tempo

mdio de trnsito do diodo

J 32

Capacitncias em um diodo
Capacitncia de Difuso Predominante na polarizao direta Acmulo de portadores minoritrios nas regies quase neutras

C=

dQ dV

Capacitncia de Depleo Predominante na polarizao reversa Acmulo de cargas na camada de depleo

Cj = s A = Wdep C j0 VR 1 + V0
1 2

Cd = T I VT

Aproximao na polarizao direta:

J

C j = 2C j 0

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Sugesto de estudo
Sedra/Smith Cap. 3 at seo 3.3.6
Exerccios e problemas correspondentes

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