Universidade Federal do Paran Setor de Tecnologia Departamento de Engenharia Eltrica

Evoluo dos dispositivos semicondutores

Prof. Marlio Bonfim
TE201 - Projeto de Circuitos Integrados Digitais
Abril de 2003

Dcada de 40
1945 - os laboratrios Bell estabeleceram um grupo formado por William Shockley, John Bardeen, Walter Brattain e outros para desenvolver um substituto para as vlvulas. 1947 - Inveno do 1 transistor de germnio: Bardeen e Brattain obtiveram sucesso ao criar um circuito amplificador com um dispositivo de contato de ponto, inicialmente chamado transfer resistance, sendo chamado mais tarde de transistor. 1948 - Bardeen e Brattain patentearam a inveno sob o ttulo: "Three Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials. O transistor de contato de ponto era difcil de produzir e foi substitudo posteriormente pelo transistor de juno.

Dcada de 50
1950 Desenvolvido pela Texas um mtodo para produzir tarugos de germnio com junes crescidas, abrindo o caminho para a fabricao do transistor de juno. 1951 - Shockley desenvolveu o transistor de juno: forma mais prtica do transistor, tornando sua produo em massa mais barata 1952 - O silcio monocristalino fabricado 1954 - Primeiro transistor comercial de silcio: lanado em maio pela Texas instrumentos. Construdos a partir de uma barra retangular de um cristal do silcio, crescido a partir do silcio fundido dopado com impurezas. Os transistores de silcio eram mais baratos e operavam em temperaturas superiores ao germnio.

1954 - Laboratrios Bell desenvolvem processos de oxidao, fotogravao, difuso e corroso, que so usados na produo do CI at os dias atuais.
1956 - Bardeen, Brattain e Shockley ganham o prmio de Nobel de fsica pela inveno do transistor

Dcada de 50
1954 - O primeiro rdio a transistor Regency Tr-1 introduzido no mercado. Tinha um circuito com quatro transistores de germnio. 1955 - Os laboratrios Bell fabricaram o primeiro transistor de efeito de campo. 1958 - O circuito integrado inventado por Jack Kilby: elementos de circuito tais como os resistores, capacitores e transistor foram integrados em uma nica pastilha.
O primeiro CI continha um oscilador com cinco componentes integrados. O inconveniente que os elementos do circuito foram conectados com fios de ouro, tornando o circuito complexo e difcil de escalonar.

Dcada de 50
1959 - Inveno da tecnologia planar: uma fina camada isolante de dixido do silcio depositada sobre o semicondutor, sendo abertos furos nas regies de contato com as junes. Uma segunda camada condutora de metal depositada sobre o SiO2, sendo em seguida gravada sob um padro definido (mscara) para interconectar os elementos de circuito. A tecnologia planar abriu as portas para a fabricao em massa de circuitos integrados complexos e o processo usado at hoje.

Dcada de 60
1960 - Deposio epitaxial: laboratrios Bell desenvolveram a tcnica por meio da qual uma camada de material monocristalino depositada em uma substrato cristalino. 1960 - os laboratrios Bell fabricam o primeiro MOSFET. 1961 - Primeiros CIs comerciais: Fairchild e Texas instrumentos. 1962 - Inventada a Lgica TTL - a indstria do semicondutor ultrapassa USUS$ 1 bilho 1963 - Primeiros CIs comerciais MOS: RCA 1963 - O CMOS: Frank Wanlass da Fairchild publicou a idia do circuito MOS-complementar (CMOS). A potncia esttica dissipada era 6 ordens de grandeza inferior de um circuito TTL equivalente. Hoje o CMOS base da grande maioria de CIs de alta densidade. 1965 Primeiros registradores de deslocamento: 100-bit com 600 transistores

Dcada de 60
1965 - A lei de Moore: em 1965 Gordon Moore da Fairchild observou que o nmero dos componentes por unidade de rea de um CI dobrava a cada ano Esta observao tornou-se conhecida como a lei de Moore, sendo o perodo posteriormente corrigido para 18 meses. Esta lei continua vlida at hoje. 1966 Primeira Memria bipolar esttica: 16-bit, desenvolvida pela IBM para a NASA. 1966 - Primeiras portas ECL (Emitter Coupled Logic): Motorola, maior velocidade de operao. 1966 - Primeira Memria dinmica DRAM: clula de memria baseada na carga e descarga de um capacitor acionada por um nico FET. Virtualmente todas as DRAMs modernas so baseadas no mesmo princpio. 1967 - Primeira Memria de porta flutuante (EPROM): desenvolvida nos laboratrios Bell, baseada em MOSFET com dupla porta, uma das quais isolada. 1969 - Tecnologia BiCMOS: associa o baixo consumo do CMOS alta capacidade de corrente do bipolar.

Dcada de 70
1970 1 DRAM comercial:1Kbits, processo PMOS com porta de silcio, 6 nveis de mscaras com dimenses mnimas de 8m, chip com 10mm2, US$21. 1971 Inventada a UVEPROM: memria eletricamente programvel, podendo ser apagada com luz ultravioleta intensa. 1971 - Inventado o microprocessador: a Intel produziu microprocessador de 4-bit 4004. Os 4004 eram um chipset composto por uma ROM de 2kbit, uma RAM de 320bit e o processador de 4bit, cada um com 16 pinos. O processador 4004 requereu aproximadamente 2.300 transistores, PMOS com porta de silcio, com dimenses mnimas de 10m, freqncia de "clock" de 108KHz e tamanho da pastilha 13.5mm2. 1972 - Inventado o DSP: engenheiros da Westinghouse patentearam o dispositivo sob o ttulo "Programmable Digital Signal Processor".

Dcada de 70
1972 - Teoria do escalonamento do MOSFET: permitiu a melhoria das caractersticas dinmicas do MOSFET, superando o bipolar que dominava naquela poca. 1972 Lanamento do microprocessador Intel 8008: sucessor dos 4004, foi usado no Mark-8, um dos primeiros computadores pessoais domsticos. Possua 3.500 transistores, processo PMOS com porta de silcio e dimenses mnimas de 10m, 1 camada de polysilcio e 1 camada de metal, freqncia de "clock" de 200kHz e tamanho da pastilha de 15.2mm2. 1973 - Primeiros BiCMOS comerciais: amplificadores operacionais de alto desempenho. 1973 - Tcnica de impresso por projeo fotolitogrfica: permitiu a reduo das dimenses mnimas e aumento do yeld de fabricao. 1974 - DRAM de 4Kbit com clula de 1 Transistor: usava processo NMOS com porta de silcio, 6 mscaras, dimenses mnimas de 8m, tamanho da pastilha de aproximadamente 15mm2 e vendido por US$18.

Dcada de 70
1974 - Lanamento do microprocessador Intel 8080: sucessor dos 8008, processo NMOS com dimenses mnimas de 6m com porta de silcio, 1 camada de polysilcio e 1 camada de metal, 6.000 transistores, freqncia de "clock" de 2MHz e um tamanho da pastilha de 20.0mm2. 1976 - DRAM de 16Kbit: possua dupla camada de polysilcio permitindo uma disposio mais eficiente da pilha de memria. 1978 - Microprocessadores 8086/8088 da Intel: processo NMOS com porta de silcio, dimenses mnimas de 3m, 1 camada do de polysilcio e 1 camada de metal, 29.000 transistores, freqncia de "clock" de 10MHz e um tamanho da pastilha de 28.6mm2. Foram selecionados pela IBM em 1980 para comporem o IBM PC. 1978 - A indstria do semicondutor ultrapassa US$10 bilhes 1979 - DRAM de 64Kbits.

Dcada de 80
1980 - DSPs comerciais: lanados inicialmente pela Lucent e NEC. 1982 - Microprocessadores Intel 80286: sucessor do 8086, mantendo compatibilidade de software. Processo CMOS com porta de silcio, dimenses mnimas de 1.5m, 1 camada de polysilcio e 2 camadas de metal, 134.000 transistores, freqncia de "clock" de 12MHz e um tamanho da pastilha de 68.7mm2. 1983 - DRAM de 1Mbit : 1 DRAM em processo CMOS 1983 - EEPROM de 16Kbit: memria esttica baseado na tecnologia NMOS de porta flutuante, programvel e apagvel eletricamente, 2 transistores por clula. 1984 - Memria flash: baseada na EEPROM, com a vantagem de possuir apenas 1 transistor por clula e apagamento rpido por blocos (o termo flash vem desta caracterstica). Lanada comercialmente em 1985 pela Toshiba, 256Kbit. 1985 - Microprocessador Intel 80386DX: primeiro processador de 32 bits da Intel. Processo CMOS com porta de silcio,dimenso mnima de 1.5m, 10 nveis de mscara, 1 camada de polysilcio e 2 camadas de metal, 275.000 transistores, freqncia de "clock" de 33MHz e tamanho da pastilha de 104mm2.

Dcada de 80
1986 - Memria flash ETOX de 256Kbit: EPROM Tunnel Oxide, permite operao em baixas tenses. Tipo mais comum de memria flash atualmente. 1986 - DRAM de 1Mbit em tecnologia no planar: incio da tecnologia de clulas empilhadas ou tipo trincheiras, resultando em aumento da densidade de armazenamento. 1988 DRAM de 4Mbit. 1989 - Intel 80486DX: primeiro processador de Intel incluindo coprocessador de ponto flutuando executando 1 instruo por o ciclo de "clock". Processo CMOS com porta de silcio,largura mnima de 1.0m, 12 nveis de mscara,1 camada de polysilcio e 3 camadas de metal, 1,2 milho de transistores, freqncia de "clock" de 50MHz e um tamanho da pastilha de 163mm2.

Dcada de 90
1991 - DRAM de 16Mbit.
1993 - Intel Pentium: primeiro processador de Intel capaz de executar mais de 1 instruo por ciclo de "clock". Processo BiCMOS com porta de silcio, largura mnima de 0.8m, 18 nveis de mscara, 1 camada de polysilcio, 3 camadas de metal, 3,1 milho transistores, freqncia de "clock" de 66MHz e um tamanho da pastilha de 264mm2. 1994 - A indstria do semicondutor ultrapassa a casa dos US$100 bilhes. 1994 - DRAM de 64Mbit: CMOS com 3 a 5 camadas do polisilcio, 2 a 3 camadas de metal e dimenses mnimas de 0.35m.

Dcada de 90
1995 - Intel Pentium Pro: integra em um mesmo encapsulamento o chip do processador e a memria cache, ambos operando mesma frequncia. Processo BiCMOS com porta de silcio, largura mnima de 0.35m, 20 nveis de mscara, 1 camada de polysilcio, 4 camadas de metal, 5,5 milhes de transistores, freqncia de "clock" de 200MHz e um tamanho da pastilha de 310mm2 (processador).

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1997 - Intel Pentium II: Processo CMOS com porta de silcio, largura mnima de 0.35m, 16 nveis de mscara,1 camada de polysilcio, 4 camadas de metal, 7,5 milho transistores, freqncia de "clock" de 300MHz e um tamanho da pastilha de 209mm2. 1998 - 256Mbit DRAM: introduziu o uso de dielectricos de elevada permissividade, representando a quarta principal inovao das DRAMs. CMOS com 4 a 5 camadas do polisilcio, 2 a 3 camadas de metal, dimenses mnimas de 0.25m, pastilha de 204mm2. 1999 - Intel Pentium III: que de o Pentium III retornou a um pacote mais padro de PGA e integrou o esconderijo na microplaqueta. Processo CMOS com porta de silcio, largura mnima de 0.18m, 21 nveis de mscara e teve 1 camada de polysilcio e 6 camadas de metal, o Pentium III tiveram 28 milho transistores, freqncia de "clock" de 733MHz e um tamanho da pastilha de 140mm2.

Anos 2000
2000 Intel Pentium 4: introduziu uma unidade de processamento inteiro que funciona duas vezes mais rpido que o processador. Processo CMOS com porta de silcio, largura mnima de 0.18m, 21 nveis de mscara, 1 camada de polysilcio e 6 camadas de metal, 42 milhes de transistores, freqncia de "clock" de 1,5GHz e um tamanho da pastilha de 224mm2.

2001 Intel Xeon: baseado na arquitetura NetBurst, 1.5V, 85W a uma freqncia de "clock" de 3GHz
2002 Intel Itanium: usa a tecnologia de instruo explicitamente paralela (EPIC), possibilitando execuo simultanea de instrues mltiplas. 25 milhes de transistores na CPU, 300 milhes na memria cache de 2MBytes, freqncia de "clock" de 1GHz.

Evoluo dos microprocessadores

Densidade de transistores

Tamanho da pastilha

Dimenses minimas