RESUMEN EXPOSION GONZALO

LOS DISPOSITIVOS DEL FUTURO Al aumentar la eficiencia de los productos, mejorando las topologas de conversin, el control y la eficiencia de los componentes la electrnica de potencia ser mas competitiva y confiable. Es as que el actual escenario global de la energa ha convertido a la electrnica de potencia en una tecnologa estratgica, pues, aplicada al sistema de procesamiento de la energa, posibilitar asegurar la sostenibilidad de esta. Las Lneas de trabajo a seguir son: Fabricar componentes que permitan trabajar a mayor tensin y/o intensidad con menores prdidas, adems crear topologas de conversin ms eficientes para trabajar en condiciones ms exigentes, alta temperatura, alta tensin, potencia de transferencia diferente a la de diseo. Los dispositivos del futuro de la electrnica de potencia: Sern fabricados con Carburo de Silicio SiC y Nitruro de Galio GaN ya que estos son ms eficientes con respecto a los de sustrato de silicio por cuanto trabajan a mayor frecuencia, mayor tensin, mayor intensidad y mayor temperatura. Los dispositivos de potencia basados en Si es una tecnologa de fabricacin madura y econmica pero tienen la dificultad en cumplir requisitos en aplicaciones de alta potencia debido a limitaciones fsicas del Si. El Carburo de Silicio SiC La ms desarrollada para fabricar dispositivos de potencia y el Nitruro de Galio GaN principalmente utilizado en aplicaciones pticas y de radiofrecuencia. Estos materiales ofrecen trabajar en HSS (High Switching Speed), HV (High Voltage), HT (High Temperature), que nos posibilita en la aplicacin de la energa fotovoltaica, elica entre otras en su eficiencia costo y tamao.