VCC bj bj+1 bj-1 bj bj+1

wi

wi

wi+1 wi+1

a)

b)

Slika 8.54 Razli~ni mo`nosti za izvedba na prese~nite to~ki vo memoriska matrica na ROM-memorija vo bipolarna tehnika

b0 VCC VCC

b1

b2n-1

w0

w0

w1

w1

w2m-2

w2m-2

w2m-1

w2m-1

b0

a)

b1

b2n-1

b)

Slika 8.55 a) NILI i b) NI izvedba na CMOS ROM-matrica

NILI 1) So maska se definira eden od trite spoja. 2) So maska se definiraat tranzistorite so podebel oksiden sloj. - Pokompleksna za proizvodstvo (bara i distribucija na masata) + Pomalo vreme na pristap (po~esto se proizveduva) NI So maska se definiraat tranzistorite koi so jonska implantacija vo podlogite dobivaat negativna vrednost na naponot na pragot. - Pogolemo vreme na pristap + Poednostavna za proizvodstvo i nudi pogolema gustina na pakuvawe Sovremenite CMOS ROM-komponenti se proizveduvaat so kapacitet me|u 4 Mb i 128 Mb.

A22

baferi i dekoder za adresata na redot baferi i dekoder za adresata na kolonata

memoriska matrica (8 M 16 ili 16 M 8) senzorski zasiluva~i izlezni podato~ni baferi

A0 A-1 CE OE BHE

upravuv. logika

Q0/Q8

Q7/Q15

Blok-{emata na tipi~na ROMmemorija so kapacitet od 128 Mb (K3N9V(U)1000A-YC). Mo`e da se konfigurira kako 16 M 8 b ili 8 M 16 b so BHE. Se napojuva so 3,3 V, a raspolaga so vreme na pristap od 100 ns. Vo miruvawe od napojniot izvor vle~e najmnogu 30 A, a vo normalno rabotewe najmnogu 40 mA.

Slika 8.56 Blok-{ema na ROM-memorijata K3N9V(U)1000A-YC

tRC

A0-A22 A-1 (*1) CE

adresa 1
tACE

adresa 2
tDF

tOE

tAA

OE
tOH

D0-D7 D8-D15 (*2)

validni podatoci

validni podatoci

(*1) A1 se koristi samo vo bajtovski re`im (pri BHE = 0), i toa (*2) D8-D15 se koristat samo vo zboroven re`im (pri BHE = 1)

kako LSB

Slika 8.57 Vremenski dijagrami pri ~itawe od ROM-memorijata K3N9V(U)1000A-YC

VCC

VCC

VCC

VCC

osiguruva~ki vrski

a)

b)

Slika 8.58 Neprogramirani memoriski matrici na bipolarni PROM-memorii a) fusible link tehnologija b) anti-fuse tehnologija

VCC

VCC

Slika 8.60 Neprogramirana CMOS PROM-matrica

kontrolen gejt (Poly-Si) SiO2

VG
lebde~ki gejt (Poly-Si)

D G

n+

n+

S p-Si a) b)

Slika 8.61 Principielen presek na gradbata na MOSFET so lebde~ki gejt (a) i simbol na MOSFET so lebde~ki gejt (b)

VT VT 0 +
CG = CFG + CFS CFG, VT0 = VT pri QF = 0. Bez zarobeni elektroni:

QF CG

VT0 1 V za induciran kanal, VT0 1 V za vgraden kanal

So zarobeni dovolno elektroni: VT 8 V za induciran kanal, VT 1 V za vgraden kanal. Za doveduvawe na elektroni na lebde~kiot gejt i za otstranuvawe na elektronite {to bile zarobeni na lebde~kiot gejt se neophodni posebni postapki (bri{ewe i programirawe, ili obratno), koi se razli~ni za EPROM, EEPROM i FLASH memoriite.

EPROM
bj wi bj+1

Naj~esto NOR-struktura. Vo izbri{ana sostojba, site tranzistori imaat mal napon na prag, i toa takov {to da va`i 0 < VT0 < V(1) < VCC. So programiraweto na lebde~kite gejtovi na opredeleni tranzistori se doveduvaat dovolni paketi od elektroni za tie da dobijat zgolemen napon na prag, i toa takov {to da va`i VT > V(1). Programiraweto obi~no odi bajt po bajt, a se koristi mehanizmot na injekcija

wi+1

Slika 8.62 NOR EPROM-matrica

na `e{ki elektroni. Na kontrolniot gejt i na drejnot se priklu~uva visok napon VPP (obi~no 12 V), so {to tranzistorot sproveduva golema struja vo podra~jeto na konstantna struja. Na patot od sorsot kon drejnot, poradi dejstvoto na jakoto privle~no elektri~no pole me|u lebde~kiot gejt i kanalot, elektronite dobivaat ekstremno golema energija (zatoa elektronite se narekuvaat `e{ki), nedestruktivno go probivaat tenkiot oksiden sloj i stignuvaat do lebde~kiot gejt, kade {to ostanuvaat zarobeni otkako programiraweto }e zavr{i. Injekcijata na `e{ki elektroni se narekuva i lavinska injekcija. Ottuka, soodvetnite tranzistori se narekuvaat FAMOS (Floating-gate Avalanche MOS). Postapkata na programirawe e bavna, za{to programiraweto na edna EPROM-lokacija trae nekolku stotini milisekundi. Zarobenite elektroni se otstranuvaat od lebde~kite gejtovi so bri{ewe. Bri{eweto se sostoi vo izlo`uvawe na celata memoriska matrica na ultravioletova svetlina so branova dol`ina od 254 nm vo tekot na pribli`no 20 minuti. So toa zarobenite elektroni dobivaat dovolno golema energija za da tuneliraat niz tenkiot oksiden sloj nazad vo podlogata. Konkretniot fenomen e poznat pod imeto FaulerNordhajmovo tunelirawe (Fowler-Nordheim). Za da se ovozmo`i bri{eweto, ku}i{teto na EPROM-memorijata raspolaga so kvarcen prozorec, a samoto ku}i{te e kerami~ko za{to vo tekot na bri{eweto EPROM-memorijata se zagreva. Bidej}i sekoe programirawe ili bri{ewe pretstavuva (nedestruktivno) probivawe na oksidniot sloj me|u lebde~kiot gejt i podlogata, brojot na ciklusi na programirawe i bri{ewe e ograni~en

na pribli`no 100). Brojot na ciklusi na programirawe i bri{ewe se narekuva izdr`livost na memorijata. Vremeto na pristap na edna EPROM-memorija e sporedlivo so ona kaj ROM i DRAM-memoriite (nekolku desetici nanosekundi). Memoriskata matrica na edna EPROM-memorija mo`e da ima i NAND-struktura, me|utoa vakvite EPROM-memorii se poretki za{to imaat pogolemo vreme na pristap. Vo NAND-strukturata se koristat tranzistori so vgraden kanal. Neprogramiranite (ili izbri{anite) tranzistori sproveduvaat i koga nivnata zborovna linija ne e adresirana. Programiranite sproveduvaat samo koga nivnata zborovna linija e adresirana. Postojniot asortiman opfa}a EPROM-komponenti (i OTPkomponenti) so memoriski kapaciteti od 256 Kb do 8 Mb, organizirani po bajtovi i, poretko, po 16-bitni zborovi, za napojuvawe so 5, 3 i 2,7 V. EEPROM
D G S Slika 8.63 Simbol na MOSFET so lebde~ki gejt kaj EEPROM

Kaj EEPROM-memorija se koristi FaulerNordhajmovo tunelirawe i za programirawe i za bri{ewe na tranzistorot so izoliran gejt. Za da se ovozmo`i ova, oksidniot sloj pod lebde~kiot gejt vo predelot nad drejnot ima namalena debelina (okolu 10 nm).

Vo princip, memoriskata kletka bi mo`ela da se sostoi samo od ovoj tranzistor, me|utoa zaradi sigurno funkcionirawe vo praktikata memoriskata kletka se sostoi od dva tranzistori, od koi edniot e tranzistor so izoliran gejt, a drugiot e standarden tranzistor.
b w

Za da se obezbedi kompatibilnost so EPROM-memoriite, otstranuvaweto na elektroni od lebde~kiot gejt se narekuva programirawe, a doveduvaweto na elektroni na lebde~kiot gejt se narekuva bri{ewe. Programiraweto se ostvaruva so doveduvawe na 18 V na bitskata linija, 20 V na zborovnata linija i 0 V na kontrolniot gejt od memoriskiot tranzistor. Jakoto elektri~no pole ( 107

Slika 8.64 Memoriska kletka za EEPROM-memorija

V/cm) niz tenkiot oksid me|u drejnot na memoriskiot tranzistor i negoviot lebde~ki gejt obezbeduva tunelirawe na elektonite od lebde~kiot gejt. Programiraniot tranzistor raspolaga so mal VT. Bri{eweto se ostvaruva so doveduvawe na 20 V na zborovnata linija i na kontrolniot gejt od memoriskiot tranzistor, dodeka bitskata linija se dr`i na 0 V. Jakoto elektri~no pole ( 107 V/cm) niz tenkiot oksid me|u drejnot na memoriskiot tranzistor i negoviot lebde~ki gejt obezbeduva tunelirawe na elektonite kon lebde~kiot gejt. Programiraniot tranzistor raspolaga so golem VT. Kletkata se adresira so doveduvawe na 5 V i na gejtot na adresira~kiot tranzistor, i na kontrolniot gejt na memoriskiot tranzistor. Ako se raboti za programirana kletka, potencijalot na bitskata linija }e padne. Ako se raboti za izbri{ana kletka, potencijalot na bitskata linija }e ostane na stacionarnoto visoko nivo. Programiraweto i bri{eweto se vr{at bajt po bajt. Kaj EPROMmemoriite VPP mora da se obezbedi od nadvore{en izvor. Kaj EEPROM naponite za programirawe i bri{ewe se generiraat interno. Edna EEPROM-kletka zafa}a zna~itelno pogolema povr{ina od edna EPROM-kletka, najprvin poradi toa {to ima dva, namesto samo eden tranzistor, a potoa i poradi toa {to za tuneliraweto se bara lebde~kiot gejt da ima zna~itelno pogolema povr{ina. EEPROM-memoriite so proizvolen pristap se narekuvaat paralelni EEPROM-memorii. Paralelnite EEPROM-memorii se pinkompatibilni so ekvivalentnite EPROM i FLASH-memorii. Naj~esto imaat bajt-organizacija, a se proizveduvaat so memoriski kapaciteti od 16 Kb do 4 Mb. Naj~esto se napojuvaat so 5 V, a vremiwata na pristap im se dvi`at od 70 do 200 ns (zavisno od memoriskiot kapacitet). Sovremenite EEPROM-memorii mo`at da se programiraat i bri{at bez da se vadat od sistemot vo koj rabotat. Nekoi postari verzii se programiraat i bri{at otkako prethodno }e se izvadat od sistemot. Izdr`livosta na sovremenite EEPROM-komponenti e pribli`no 105, {to zna~i deka edna ista kletka mo`e da se programira/bri{e 100 iljadi pati. Pokraj paralelnite, postojat i t.n. seriski EEPROM-memorii, odnosno EEPROM-memorii so seriski pristap. Tie se bajtorganizirani, a se proizveduvaat so pomali memoriski kapaciteti od 1 Kb do 1 Mb. Postojat vo varijanti za napojuvawe so 5 V, 2,5 V i 1,8 V, a zna~itelno se pobavni od paralelnite EEPROM-memorii. Bidej}i se poevtini, denes re~isi 90 % od pazarot na EEPROM-komponenti otpa|a na niv. Poradi seriskiot pristap, se pakuvaat vo ku}i{ta so mnogu mal

broj priklu~oci (vo ekstremen slu~aj: dva za napojuvaweto, eden za taktot i eden vlezno/izlezen za podatocite). Seriskite EEPROMkomponenti koristat razli~ni protokoli za prenos na podatoci, na primer, Microwave bus, I2C bus, XI2C (Extended I2C) ili SPI (SerialPeripheral Interface). FLASH FLASH-tehnologijata gi kombinira EPROM i EEPROMtehnologijata. Terminot FLASH e skovan za prvite vakvi memoriski komponenti, kaj koi celata komponenta mo`e{e da se izbri{e vo eden mig (in a flash). Kaj sovremenite FLASH-memorii, zaradi pogolema versatility, memoriskata matrica e podelena vo blokovi i vo eden navrat (brzo) se bri{e eden blok, a ne celata komponenta Programiraweto odi bajt po bajt, a bri{eweto blok po blok. Elementarnata kletka na edna FLASH-memorija se sostoi od eden tranzistor so lebde~ki gejt, sli~en na onoj {to se koristi kaj EPROMkletkite. Me|utoa, postojat tehnolo{ki i geometriski razliki me|u edna FLASH i edna EPROM-kletka. Gejtovskiot oksid me|u podlogata i lebde~kiot gejt kaj FLASHkletkata e potenok, odnosno sli~en e na tunelskiot oksid na edna EEPROM-kletka . Razli~ni se i difuziite na sorsot i drejnot. Poradi potenkiot gejtovski oksid, FLASH-memorijata e pote{ka za proizvodstvo. Funkcioniraweto na FLASH memoriskata kletka e sli~na na onaa na kletkite kaj EPROM ili EEPROM. Su{tinata se sostoi vo zarobuvawe na elektroni na lebde~kiot gejt, odnosno nivno osloboduvawe. Ovie elektroni go modificiraat naponot na prag na memoriskiot tranzistor. Kaj nekoi FLASH-kletki za zarobuvawe na elektronite na lebde~kiot gejt se koristi na Fauler-Nordhajmovoto tunelirawe (kako kaj EEPROM-memoriite), a kaj nekoi za istata cel se koristi injekcija na `e{ki elektroni (kako kaj EPROM-memoriite). Za otstranuvawe na elektroni od lebde~kiot gejt sekoga{ se koristi Fauler-Nordhajmovoto tunelirawe. Slikata 8.65 gi rezimira razli~nite na~ini na programirawe i bri{ewe.

Zarobuvawe na elektroni

Ostranuvawe na elektroni

VG

Tehnologija so dvonaso~no F-N tunelirawe Fauler-Nordhajmovo tunelirawe

VG
Tehnologija so injekcija na `e{ki elektroni i F-N tunelirawe

VSS
Fauler-Nordhajmovo tunelirawe

VD

Injekcija na `e{ki elektronie

Slika 8.65 Dve tehnologii za FLASH-memoriski kletki

Kako i kaj drugite memorii, goleminata na edna FLASH integrirana komponenta najmnogu vlijae vrz nejzinata cena. Poradi toa, razvieni se nekolku alternativni arhitekturi na memoriskite matrici, koi nudat soodvetni kompromisi me|u goleminata na integriranata komponenta i brzinata. Me|u niv, osnovni se NOR, NAND, DINOR i AND arhitekturite.