UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA SEDE QUITO FACULTAD DE INGENIERAS ESCUELA DE MECNICA 3AM

MEMORIAS FLASH

Rubn Carmilema Quito, 2008-04-10

TEMA Conocer como funciona la tecnologa de almacenamiento de las memoria flash OBJETIVO Disponer de un amplio conocimiento acerca de este tipo de tecnologa para un mejor entendimiento de la misma. ANTECEDENTES La memoria flash siempre ha estado vinculada con el avance del resto de tecnologas a las que presta servicios como routers, mdems, BIOS de los PCs, wireless, etc. Fue Fujio Masuoka (de Toshiba-1984) quien la invent como evolucin de la EEPROM En 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas, etc. incluso llegando a la aeronutica espacial. En las memorias conviene destacar en tres categoras: 1. Memorias de slo lectura. ROM: (Read Only Memory) PROM, (Programmable Read Only Memory) 2. Memorias de sobre todo lectura. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), Memoria flash 3. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) DRAM (Dynamic Random Access Memory) , SRAM (Static Random Access Memory) QUE ES UNA MEMORIA FLASH CMO FUNCIONA? La memoria flash es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite trabajar ms rpido porque en lugar de borrar un byte a la vez, puede borrar un bloque entero, usa un cableado interno para aplicar campos magnticos a todo el chip volver a escribir sobre el, mediante impulsos elctricos.

La flash tiene un conjunto de columnas y filas con una celda que tiene dos transistores en cada interseccin. Ambos transistores estn separados por una fina capa conductora. Uno de los transistores se conoce como puerta flotante, y el otro como puerta de control. La nica conexin de la puerta flotante con la fila de un extremo es por medio de la puerta de control. Mientras las dos puertas no estn unidas, el valor es 1. Para cambiar el valor a 0, se necesita realizar un proceso llamado tunelizacin o tunneling.

El proceso de tunneling El tunneling se utiliza para alterar el emplazamiento de los electrones en la puerta flotante. Una carga elctrica, usualmente de 10 a 13 voltios, es aplicada a la puerta flotante. La carga causa que el transistor de la puerta flotante actu como una manguera de electrones. Dichos electrones son empujados al otro lado de la fina capa conductora, y se le da una carga negativa. Esta carga negativa acta como una barrera entre la puerta de control y la puerta flotante. Un dispositivo especial llamado sensor de celda vigila el nivel de carga que pasa a travs de la puerta flotante. Si el flujo es mayor del 50 por ciento de la carga, el valor ser 1. Cuando la carga baja de 50, el valor cambia a 0. FUNCIONAMIENTO Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin. MEMORIA FLASH DE TIPO NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en

CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. MEMORIAS FLASH DE TIPO NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Estas tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. COMPARACIN DE MEMORIAS FLASH BASADAS EN NOR Y NAND La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.

CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS FLASH Las memorias flash son de tipo no voltil, esto es, la informacin que almacena no se pierde en cuanto se desconecta de la corriente, una caracterstica muy valorada. Los principales usos de este tipo de memorias son pequeos dispositivos basados en el uso de bateras como telfonos mviles, PDA, pequeos electrodomsticos, cmaras de fotos digitales, reproductores porttiles de audio, etc. Todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Otra caracterstica es la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C.

VENTAJAS La memoria flash se usa para un rpido y fcil almacenamiento de informacin en dispositivos como las cmaras digitales y las consolas de video. La memoria flash se usa ms como un disco duro que como una memoria RAM. La memoria flash se considera un elemento slido de almacenar datos. La memoria flash no hace ruido, permite el acceso ms rpido, es ms pequeo en tamao, es ms ligero, no tiene partes mviles. DESVENTAJAS La fiabilidad de los sistemas NAND requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles. Los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficiente, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

CONCLUSIONES La memoria flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. Las flash estn subdividas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. El chip BIOS dentro del ordenador es la forma ms comn de memoria flash

RECOMENDACIONES Existen memorias flas de 128 MB hasta 32 GB por parte de la empresa Panasonic en formato SD, la cual es recomendable para personas que manejan gran cantidad de informacin. Las memorias flash son de gran utilidad por la que cada persona debe poseerlas, son resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, son pequeas, de fcil manejo y transporte. Es recomendable comprar una memoria flash tipo NOR ya que su velocidad de escritura, y borrado es mayor que las de tipo NAND.

REFERENCIAS

http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria flash http://www.ordenadores-y-portatiles.com/memoria-flash.html/ http://es.answers.yahoo.com/question/index