PROSES PEMBIKINAN LITAR BERSEPADU

PROSES PEMBIKINAN LITAR BERSEPADU

1. Tumbesaran Hablur

Jenis-jenis struktur hablur silikon Pembentukan silikon

2. Penyediaan wafer

Kaedah Czochralski Kaedah Zon Terapung (Floating Zone) Proses pembentukan wafer

3. Pengoksidaan

Lapisan Oksida Kaedah proses pengoksidaan

PROSES PEMBIKINAN LITAR BERSEPADU

4. Pengedopan

Lapisan silikon terdop 3 kaedah pengedopan Resapan Penanaman Ion Epitaksi

5. Fotolitografi

Topeng foto Lapisan Rintang foto Jujukan Proses fotolitografi

PROSES PEMBIKINAN LITAR BERSEPADU

6. Perlogaman

Bahan-Bahan Lapisan logam Fungsi lapisan logam Proses perlogaman

7. Punaran

Fungsi Punaran Contoh-contoh pemunar dan lapisan yang dipunarkan Punaran basah (punaran kimia) Punaran kering (punaran plasma)

1. TUMBESARAN HABLUR
JENIS-JENIS STRUKTUR HABLUR

1. Hablur Tunggal Atom-atom tersusun dengan seragam di sepanjang bahan Setiap titik di sepanjang bahan mempunyai ciri-ciri yang sama Jalur Tenaga (E )
g

Kebolehgerakan pembawa () Keberintangan bahan () Menggunakan suatu hablur semaian sebagai titik asalan pembekuan Menentukan orientasi kekisi bagi keseluruhan pepejal yang terbentuk.

HABLUR TUNGGAL
JENIS-JENIS STRUKTUR HABLUR

1. Hablur Tunggal Pembuatan LB memerlukan silikon yang mempunyai struktur hablur tunggal kerana setiap peranti mempunyai sifat fizik yang berlainan dan tenaga kinetik yang sama

Jenis-jenis struktur hablur

1. Polihablur

Terdiri dari banyak kawasan bahan hablur tunggal

Hablur yang berselerak dan tidak teratur susunan atomnya Kegunaan polihablur silikon dalam pembikinan LB sebagai bahan get di dalam teknologi Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

POLIHABLUR

Jenis-jenis struktur hablur

1. Amorfus

Atom-atomnya tidak mempunyai sebarang bentuk susunan Tidak mempunyai susunan tetap Kegunaan amorfus silikon dalam pembikinan LB sebagai elemen suis dalam Liquid Crystal Display (LCD)

AMORFUS SILIKON

Penyediaan Rod Polisilikon

BAHAN ASAS (PASIR/SILIKON DIOKSIDA)

Bahan asas wafer iaitu silikon biasanya diperolehi dari pasir 99.99% tulen yang dileburkan pada suhu tinggi. Pasir dipanaskan dengan karbon

PENURUNAN SILIKON SiO2 + C Si + CO2

PENULENAN SILIKON Si + 3HCL SiHCL3 + H2

Silikon dipanaskan dengan asid hidroklorik pada suhu 1000C menghasilkan silikon triklorosilane dan gas hidrogen dibebaskan bagi proses menulenkan silikon. Silikon triklorosilane dipanaskan bersama dengan hidrogen pada suhu 1000C untuk menjadikan silikon ultra tulen dengan kadar peratus ketulenan 99.99999% .

PENGHASILAN ROD POLISILIKON ULTRA TULEN SiHCL3 + H2 Si + 3HCL

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI
1. 2. Suatu hablur semaian silikon yang diapit oleh rod. Dicelupkan ke dalam mangkuk pijar kuarza yang mengandungi silikon lebur dan bendasing (dopan) yang diperlukan (jenis n atau jenis p) Sambil rod berputar, secara perlahan-lahan hablur semaian akan ditarik keluar dari leburan. Kaedah putar dan tarik ini membolehkan silikon lebur melekat kepada hablur semaian. Apabila hablur semaian ditarik ke atas, suhu yang lebih rendah akan menyebabkan leburan silikon memejal ke atas hablur semaian.

3.

4.

5.

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI
6. 7. Ia memejal mengikut orientasi struktur hablur yang sama. Proses ini dilakukan berulang-ulang kali sehingga suatu jongkong/silinder/ingot/boule diperolehi.

KAEDAH CZOCHRALSKI

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH CZOCHRALSKI
CIRI-CIRI JONGKONG DIAMETER DITENTUKAN OLEH KADAR PUTAR & TARIK SERTA SUHU SAIZ ADALAH BERGANTUNG KEPADA KUANTITI LEBURAN SILIKON DIAMETER BIASA 100-200mm TEKNOLOGI TERKINI MENGGUNAKAN DIAMETER YANG LEBIH BESAR JONGKONG YG BERDIAMETER 100mm BOLEH DITUMBUHKAN SEHINGGA 140cm PANJANG NILAI KEBERINTANGAN BAHAN, ANTARA 0.01 HINGGA 50 - cm

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)
1. 2. Sebatang rod polisilikon dikepit pada kedua-dua hujungnya. Dengan hujung bawah bersentuhan dengan hablur semaian yg mpy orientasi yg dikehendaki. Pemanasan RF menggunakan gegelung pendek yg dibekalkan dgn tenaga RF. Voltan RF yg teraruh di dalam rod akan menghasilkan aliran arus yg besar, seterusnya menghasilkan pemanasan I2R di dalam rod. Suatu kwsn kecil rod yg dilingkari oleh gegelung ini akan menjadi lebur.

3.

4.

5.

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)
6. Gegelung ini pada mulanya diletakkan pada hujung bawah rod, untuk meleburkan kwsn rod yg bersentuhan dengan hablur semaian.
Gegelung ini akan dianjakkan ke atas sedikit, meleburkan kawasan silikon yg lain pula.

7.

8.

Apabila suhu pada kwsn leburan yg pertama menjadi lebih rendah, leburan silikon ini akan memejal mengikut struktur hablur dan orientasi hablur semaian.
Gegelung ini akan dianjakkan sedikit demi sedikit dari hujung bawah hingga ke hujung atas rod.

9.

10. Pada akhir proses, keseluruhan rod akan mpy struktur hablur dan orientasi yg sama dgn hablur semaian

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)

2. PENYEDIAAN WAFER
KAEDAH ZON TERAPUNG (FLOATING ZONE, FZ)
CIRI-CIRI JONGKONG DIAMETER BIASA 50-150 mm

JONGKONG YG BERDIAMETER 110 mm BOLEH DITUMBUHKAN SEHINGGA 110cm PANJANG

NILAI KEBERINTANGAN BAHAN, ANTARA 10 HINGGA 200 - cm YG SESUAI DIGUNAKAN UNTUK PERANTIPERANTI KUASA DAN SENSOR.

2. PENYEDIAAN WAFER
PROSES PEMBENTUKAN WAFER

TUMBESARAN HABLUR TUNGGAL CZ ATAU FZ

- UTK DPTKAN DIAMETER YG SERAGAM -KISARAN JONGKONG AKAN MEMBENTUK TEPI WAFER -PUNARAN DILAKUKAN UNTUK MELICINKAN LAGI PERMUKAAN WAFER

MENGISAR DIAMETER JONGKONG

SATU TAKUKAN DIBUAT SBG SATAH PENGHALAAN KEKISI ATOM DLM WAFER. TAKUKAN KEDUA DIBUAT UNTUK MENGETAHUI JENIS DOPAN.

MEMBUAT TAKUKAN DI SEPANJANG JONGKONG

KOD MAKLUMAT DITULIS GUNA LASER PD JONGKONG DLM BENTUK KEPINGAN NIPIS

MENGHASILKAN HIRISAN WAFER

BAHAGIAN DALAM DIHIRIS GUNA GERGAJI BERMATA INTAN

MENGGILAP PERMUKAAN WAFER

WAFER SILIKON YG SEDIA UTK PEMBIKINAN LB

2. PENYEDIAAN WAFER
5.
Menggilap permukaan wafer

Kesan penggergajian wafer akan meninggalkan kecacatan hablur pada kedua-dua permukaannya. Suatu bahan punar digunakan untuk menghilangkan kesan ini Komponen-komponen dalam LB dibuat pada lapisan atas permukaan wafer sedalam 10 m Permukaan ini mesti benar-benar rata sehingga berupa seperti cermin dan bersifat hidrofobik Wafer digilap melalui suatu proses mechanochemical Lapisan wafer setebal 1.5 hingga 2.0 mil boleh disingkatkan

2. PENYEDIAAN WAFER
6. Wafer silikon yang sedia untuk pembikinan Litar
Bersepadu Wafer dibersihkan dan dibilas sehingga tiada air bilasan tertinggal di atas permukaan wafer Boleh dialihkan guna pensil vakum yg menggunakan prinsip bernoulli yg tidak menyentuh wafer Wafer ini sedia untuk dijalankan proses-proses lain seterusnya dalam pembikinan litar bersepadu

3. PENGOKSIDAAN
1. Takrif
a. Proses kimia di mana silikon bertindakbalas dengan oksigen untuk menghasilkan lapisan oksida iaitu silikon dioksida b. Suatu proses menumbuhkan satu lapisan silikon dioksida ke atas permukaan substratum dengan menggunakan suhu tinggi.

3. PENGOKSIDAAN
TUJUAN Menghasilkan satu lapisan penebatan oksida yang nipis di atas permukaan silikon

3. PENGOKSIDAAN
PROSES UMUM
Lapisan penebatan oksida ini akan menghalang bahan cemar dan bertindak sebagai
topeng bagi menghalang bendasing dari meresap ke dalam lapisan epitaksi hasilkan kapasitor.

Sifat silikon dioksida yang mempunyai nilai dielektrik yang tinggi (3.5F) sesuai untuk proses pengoksidaan boleh dimangkinkan dengan memanaskan wafer pada suhu
1000C hingga 2000C

Dijalankan dalam keadaan yang bersih untuk mencegah dari sebarang bahan cemar. Memakan masa selama beberapa jam bergantung kepada ketebalan dan kualiti
lapisan oksida yang dikehendaki

Proses ini boleh dilakukan dengan dioksidakan dengan air (pengoksidaan basah) atau tanpa air (pengoksidaan kering)

3. PENGOKSIDAAN
1. 2. 3. 4. 5. 6.
FUNGSI LAPISAN OKSIDA Melindungi permukaan wafer secara fizikal dari calar Melindungi wafer dari habuk atau bendasing Melindungi wafer dari tindakbalas kimia akibat bahan cemar Menjadi penebat semasa proses pengedopan Bertindak sebagai dielektrik pada permukaan wafer bagi mengelakkan litar pintas antara lapisanlapisan perlogaman Bertindak sebagai dielektrik dalam komponenkomponen seperti transistor MOS bagi mengaruhkan cas ke dalam terminal GATE

3. PENGOKSIDAAN
LAPISAN OKSIDA 1. LAPISAN OKSIDA TEBAL (FIELD OXIDE) DIGUNAKAN UNTUK PEMENCILAN TRANSISTOR MEMPENGARUHI ARUS Ids Kepantasan pensuisan 2. LAPISAN OKSIDA NIPIS (THIN OXIDE) DIGUNAKAN UNTUK MEMBENTUK LAPISAN NIPIS OKSIDA GET 3. FAKTOR YANG MEMPENGARUHI KETEBALAN LAPISAN OKSIDA KETUMPATAN BENDASING SUHU MASA TINDAKBALAS

3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH Percantuman wap basah dengan silikon bagi menghasilkan Silikon Oksida Gas oksigen disalurkan ke dalam balang yang berisi air dengan oksigen dipanaskan sehingga takat didih Wap air dibebaskan dan memasuki relau pemanasan yang mengandungi kepingankepingan wafer silikon Tindakbalas kimia yang terlibat semasa tindakbalas silikon dengan wap air. Si + 2H2O SiO2 + 2H2 Hasilnya satu lapisan penebat SiO2 terbentuk di atas permukaan wafer silikon.

Proses ini memakan

masa yang singkat tetapi oksida yang dihasilkan biasanya adalah tebal tetapi kurang bermutu berbanding dengan kaedah Oksida Kering.

3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN BASAH

3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN KERING
PROSES PENGOKSIDAAN KERING KEPINGAN-KEPINGAN WAFER SILIKON DISUSUN DI DALAM TIUB KUARZA GAS OKSIGEN KERING DISALURKAN KE DALAM TIUB KUARZA WAFER KEMUDIANNYA DIPANASKAN PADA SUHU 1100C DENGAN KEHADIRAN GAS OKSIGEN KERING GAS OKSIGEN KERING DISERAPKAN SECARA PERLAHAN-LAHAN KE ATAS KEPINGAN-KEPINGAN WAFER MELALUI TINDAKBALAS KIMIA BERIKUT: Si + O2 SiO2 HASILNYA SATU LAPISAN PENEBAT SiO2 TERBENTUK DI ATAS PERMUKAAN WAFER SILIKON KELEBIHAN Hasil oksida berkualiti tinggi Tumbesaran mengambil masa yang lama Hasil oksida bebas daripada kesan lubang jarum atau lompang air yang biasa terjadi apabila oksida ditumbuhkan secara mendadak Oksida adalah nipis tetapi tahan lama

3. PENGOKSIDAAN
PROSES PENGOKSIDAAN KERING

UJI KEFAHAMAN
1. Nyatakan 2 fungsi lapisan oksida. 2. Berikan 2 kelebihan pengoksidaan kering. 3. Tuliskan persamaan kimia yang terlibat
4. 5. 6. 7.
dalam proses pengoksidaan basah. Lukiskan proses pengoksidaan kering. Lukiskan proses pengoksidaan basah. Lukiskan kaedah Czochralski Lukiskan kaedah Zon Terapung.