CAPTULO 3

Dispositivos de Potncia
Prof. Dr. Srgio Takeo Kofuji Prof. Dr. Emlio del Moral Hernandez Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra 3.1 INTRODUO Neste Captulo, ser estudado uso de transistores bipolares para chaveamento de potncias e um outro dispositivo normalmente utilizado para controlar potncias em diversas classes de aplicaes: o Retificador Controlado de Silcio (SCR).

Atualmente, os transistores bipolares e principalmente os transistores MOS tm sido empregados em sistemas de potncia, principalmente devido a sua velocidade de resposta (chaveamento), facilidade de acionamento e a sua compatibilidade com os circuitos de controle. Uma chave simples a transistor bipolar npn vista na figura 2a e a transistor bipolar pnp na figura 2c. A onda quadrada v A(t) (sinal de controle) comuta o transistor da condio de corte de saturao e vice-versa. Nessas condies, a corrente pela carga passa alternadamente de zero a VCC /RC no caso do transistor npn e de zero a VCC/ RC no caso do transistor pnp .

Figura 2: Transistor bipolar como chave

3.2 TRANSISTORES BIPOLARES COMO CHAVE fechada ) apresentar resistncia Uma chave ideal exibe as propriedades de no estado 1 ( zero e no estado 0 (aberta ) apresentar resistncia infinita entre seus terminais. Em termos de tensocorrente, a caracterstica de uma chave ideal (figura 1a) consistiria de linhas retas representando os estados 1 e 0 (figura 1b).
I I Controle + V G chave desligada chave ligada V

importante notar que a corrente de base durante o estado fechado deve ser suficientemente elevada para levar o transistor bipolar saturao, ou seja, para o estado (1,1). Estamos atribuindo 1 para a juno em conduo e 0 para a juno em corte. Assim, temos para o corte (juno base-emissor, juno base-coletor) = (0,0) e para a saturao (BE,BC) = (1,1). Deixando o caso ideal e passando realidade, uma anlise do circuito em termos de suas caractersticas de Ebers-Moll mostra que, muito embora excelente, o desempenho do transistor bipolar como chave no ideal pelas seguintes razes: a) existe no estado fechado (1) da chave uma pequena queda de tenso no transistor; b) circuito de entrada (controle da chave) dissipa uma pequena potncia; c) mesmo no estado de chave aberta h passagem de corrente pelo transistor. Justifiquemos as afirmaes acima, analisando diversas condies de operao da chave (fig. 3):
Ic

(a)

(b)

(c)

saturao
Tr ligado

IB 4 IB 3

Figura 1: Caractersticas de uma chave ideal

Vcc/R
IC s at IC Q

Devemos notar que a parte correspondente sada da chave ideal no apresenta perdas pois o produto VxI sempre nulo. Associada chave propriamente dita, temos o circuito de controle, visto na figura 1a, que impe ao dispositivo comutar entre os dois estados possveis. Chaves eletrnicas tm diversas aplicaes, tais como em lgica digital, controle, eletrnica de potncia, fontes chaveadas, etc. Um tipo de transistor que no ser estudado neste captulo mas que muito empregado como chave em circuitos lgicos o transistor de efeito de campo (TECMOS). Com o advento de novas tecnologias o transistor MOS tambm passou a ser empregado como chave em circuitos de potncia.

regio ativa

IB 2 IB 1

Tr desligado

corte
V C Es at V C Q Vcc

I B =0

V CE

Figura 3: Caractersticas de sada de um transistor bipolar npn

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Dispositivos de Potncia Cap.3 -2

Suponhamos inicialmente a corrente de base de valor tal que corresponda ao ponto de funcionamento Q. O transistor bipolar neste ponto est na regio ativa (normal). A tenso do coletor (fig. 3) ser VCQ e a corrente de coletor I CQ. Estamos, nestas condies, em um estado intermedirio entre chave aberta e chave fechada. Ao aumentarmos a corrente de base, a tenso entre coletor e emissor diminui at alcanar VCEsat. A partir da, um aumento de I B no implica diminuio sensvel de VCE. Diz-se que o transistor bipolar est saturado, apresentando resistncia entre coletor e emissor relativamente pequena (Rs) . Seria o caso de compararmos o transistor bipolar a uma chave fechada . Ao diminuirmos o valor da corrente de base, a corrente de coletor ir diminuir, tendendo a I C0 . Nessa condio, a tenso VCE bastante grande (aproximadamente VC C) enquanto a corrente I C muito pequena. Diz-se que o transistor bipolar est cortado, apresentando resistncia entre coletor e emissor relativamente alta . Pode-se entender o transistor bipolar nessa condio como equivalente a uma chave aberta . Devemos observar ainda que, tanto no corte como na saturao, as potncias dissipadas no transistor bipolar so bastante pequenas . Das anlises feitas, conclumos que o transistor bipolar pode, sob certas condies, atuar como uma chave quase ideal. Para efeito de anlise do ponto de vista do circuito externo, o transistor bipolar operando no corte (chave aberta) pode ser substitudo por um circuito aberto (figura 4a). Por outro lado, o transistor bipolar operando na saturao (chave fechada) pode ser substitudo por duas fontes de tenso contnuas, uma representando VBE sat ( 0,7V para Si) e outra representando VCEsat ( 0,3V para Si) (figura 4b).
E IC = 0 IE = 0 IB = 0 VEB sat 0 , 7 V C B E VEC sat 0 , 3 V C

O tempo de subida ts (rise time t r) representa o intervalo de tempo que a corrente de coletor leva para ir de 10% a 90% de I Csat. O tempo de armazenamento tA ( storage time ts ) representa o intervalo de tempo que decorre do instante em que a corrente de base chaveia para cortar o transistor e o instante em que a a corrente de coletor reduz-se a 90% de I Csat. O tempo de descida td (fall time tf) representa o intervalo de tempo que a corrente de coletor leva para ir de 90% a 10% de I Csat. Adotando-se a definio dos fabricantes de componentes eletrnicos, define-se ainda o tempo de ligamento (turn on time ) como a soma de ta e ts e o tempo de desligamento ( turn off time ) como a soma de t A e tf (estes dois ltimos tempos costumam ser definidos de outra forma em circuitos digitais).
vA V2 0 V1
iC

ta 0,1I Csat 0,9I Csat

ts

td
t

ICsat tligamento
iB IB2

tA tdesligamento

IB1

Figura 5: Formas de onda da corrente de base e de coletor e respectivos tempos de chaveamento para um circuito empregando transistor bipolar pnp.

a)

b)

Figura 4: a) Modelo externo equivalente de um transistor bipolar pnp operando no corte (chavea aberta); b) Modelo externo equivalente de um tr. bipolar operando na saturao (chave fechada).

Outra caracterstica muito importante observada na prtica (e que limita a velocidade de chaveamento) que o transistor bipolar necessita de algum tempo para chavear do corte para a saturao ou da saturao para o corte, como mostra a figura 5. Existem quatro intervalos de tempo importantes para o chaveamento de um transistor bipolar. Eles sero descritos baseando-se no circuito da figura 5, e sero determinados a partir das formas de onda da corrente de base (entrada) e da corrente de coletor (sada). A corrente de coletor iC(t) excursiona de iC(t) = I C0 0 at i C(t) = I Csat = VCC /RC . O tempo de atraso ta (delay time t d ) representa o intervalo entre o instante em que a corrente de base chaveia para saturar o transistor e o instante em que a corrente de coletor atinge 10% de I Csat.

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3.3 O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO (SCR) J vimos anteriormente que diodos semicondutores so fabricados a partir da juno de duas camadas semicondutoras (pn ) e que transistores bipolares so fabricados a partir da juno de trs camadas semicondutoras (pnp ou npn ). Existe uma classe muito importante de dispositivos eletrnicos que fabricada a partir da juno de quatro camadas semicondutoras ( pnpn ); so os chamados tiristores. Tiristores so dispositivos largamente empregados no controle de altas tenses e altas correntes (existem tiristores capazes de controlar corrrentes da ordem de 5000A ou de 5000V). At pouco tempo atrs o controle de altas tenses ou correntes utilizando dispositivos eletrnicos de estado slido era feito por meio de vrios dispositivos de baixa potncia associados em paralelo pois no se dominavam as tcnicas necessrias para a fabricao de dispositivos de alta potncia. Hoje em dia os dispositivos de alta potncia so largamente empregados em fontes de alimentao de propsito geral, em controladores de velocidade para motores CA ou CC, em controles de motores de passo e servo-motores, etc. Dentro da classe dos tiristores o dispositivo conhecido como Retificador Controlado de Silcio (SCR) um dos mais empregados e atravs do seu estudo podemos entender o princpio de funcionamento dos tiristorese a sua utilizao no controle de tenses e correntes elevadas. O SCR basicamente um diodo, onde temos um terceiro terminal para controlar a sua conduo no sentido direto. A construo bsica, seu smbolo e sua curva caracterstica so apresentados na figura 1. Basicamente, para VA K < 0, o dispositivo se comporta como um diodo reversamente polarizado. No entanto, para V A K > 0, o dispositivo somente ir conduzir se a tenso V AK atingir um valor de disparo, que depende da corrente de gatilho (ou porta), conforme representado na figura 1. Observe que para I G = 0, o disparo somente ocorre para uma tenso V A K = VBO (tenso de avalanche direta do dispositivo) e que a tenso VAK necessria para fazer o dispositivo conduzir diminui a medida que aumentamos a corrente de gatilho I G. Para IG = IG T , o SCR se comporta como um diodo comum.

PNPN. Pode -se portanto fazer a analogia com dois transistores interligados, um PNP e outro NPN, como indicado na figura 2. Na figura 2b pode-se observar que a corrente de base do transistor PNP a corrente de coletor do transistor NPN. A corrente de base do NPN a corrente de coletor do PNP mais a corrente de gatilho. Existe portanto uma situao de realimentao positiva (processo regenerativo): um aumento de IB1 provoca um aumento de I C1 = IB2 que por sua vez ocasiona novo aumento de I C 2 = IB 1 e assim por diante, num processo que tende a aumentar I A cada vez mais.

Figura.2: Analogia de dois transistores de um SCR

Lembrando-se que:
I C = F I B + ( F + 1)I CBO

IE = IB + IC

E observando-se a figura 2:

IC 2 =

F 2 I E2 + I CBO2 F2 + 1

(1) (2)

e Como I B1 = I C2 , temos:
IA F1 + 1
Figura 1: Curva caracterstica de um SCR.

I B1 =

I E1 I CBO1 F1 + 1

I CBO =

F 2 F2 + 1

I A + I CBO2

(3)

3.3.1 Teoria de Operao Para explicar o princpio de funcionamento de um SCR ser feita uma analogia com transistores. Como mencionado anteriormente, um SCR possui quatro camadas distintas,
Eletrnica Experimental Dispositivos de Potncia Cap.3- 5 Eletrnica Experimental Dispositivos de Potncia Cap.3 -6

Portanto, que a corrente IA pode ser escrita como:

IA =

(F1

+ 1)( F 2 + 1)(I CBO1 + I CBO 2 ) 1 F1 F 2

(4)

A equao (4) nos d a chave do funcionamento do SCR. Como vimos no Captulo 3, Polarizao de Transistores, o ganho de corrente F depende da corrente I C (figura 3). Observe que para baixos valores de IC , F assume valores extremamente baixos, aumentando medida que a corrente I C aumenta.

J vimos que se elevarmos a tenso a V A K at um determinado valor, que depende da corrente de gatilho aplicada, o dispositivo entrar em conduo. Para o terminal de gatilho em aberto (IG = 0), a tenso VAK de disparo denominada V (BO)F (do ingls "break-over forward"). Para entendermos este processo, vamos nos reportar figura 2. Observe que na polarizao direta, temos as junes J 1 e J 3 diretamente polarizadas e a juno J 2 reversamente polarizada. A medida que aumentamos a tenso V A K aumentamos cada vez mais a polarizao reversa de J2 , a tal ponto que pode se estabelecer o processo de ruptura por avalanche da juno. Temos ento um aumento da corrente de anodo e a conduo do dispositivo. 3.3.2.3 Disparo por dV/dt Toda juno PN possui uma capacitncia associada. No circuito da figura 4, ao fecharmos a chave CH1, circular uma corrente pela capacitncia da juno reversamente polarizada. Se o dV/dt associado a carga da juno for maior que um valor mximo especificado pelo fabricante, poder ocorrer o disparo do dispositivo devido brusca variao da tenso VA K. Este mtodo de disparo conhecido como disparo por dv/dt, e se deve basicamente corrente i = C dV/dt necessria para suprir a variao de cargas na capacitncia da juno J2 . Assim, se o dV/dt for suficientemente elevado, a corrente poder atingir um valor que colocar o dispositivo em conduo.

Figura 3: Dependncia de F com IC

Mesmo que o SCR esteja diretamente polarizado, os dois transistores esto cortados, circulando pelos seus coletores as correntes IC B O. Sendo estas correntes em geral extremamente baixas, pelo grfico de F em funo de I C , podemos ver que os F s tero valores bastante baixos, fazendo com que o produto F1 F2 da expresso (4) seja baixo, menor que 1. No entanto, se por algum motivo o produto F1 F2 aproximar-se da unidade, a corrente de anodo IA aumenta at ser limitada pelo circuito externo (reta de caraga externa). Veremos a seguir os diversos meios de disparo do SCR.

Figura 4: Disparo por dV/dt

Normalmente este disparo indesejado, sendo empregado um circuito amortecedor RC (um resistor em srie com um capacitor) em paralelo com o SCR (conhecido como circuito "snubber") para evitar que a tenso VAK varie muito bruscamente. 3.3.2.4 Diparo por Temperatura A corrente IC B O aproximadamente dobra a cada aumento de 10C de temperatura, assim se a temperatura for muito elevada, as correntes IC B O 1 e I C B O 2 podero atingir valores tais que o produto Fl F2 tenda a 1 fazendo disparar o dispositivo. oportuno lembrar tambm que os prprios F aumentam com a temperatura. 3.3.2.5 Disparo por Luz ou Radiao Outra maneira de disparar o dispositivo atravs de aplicao de luz ou radiao no gatilho atravs de uma janela especialmente colocada no encapsulamento para este fim. A idia que a luz ou radiao provoque a criao de p ares eltrons-lacunas, aumentando a corrente de gatilho e fazendo disparar o dispositivo. SCRs que podem ser disparados por luz recebem o nome de LASCR (light activated SCR ). importate observar que o acionamento por luz possibilita o completo isolamento eltrico entre o circuito de disparo do SCR e o circuito a ser comandado (que usualmente opera com altas tenses e/ou correntes). Alm disso, utilizando-se a luz como forma de disparo evita-se que pulsos esprios de tenso, muito comuns em circuitos de alta potncia, venham a disparar inadvertidamente o SCR. 3.3.2.6 Mtodos de Comutao de um SCR
Dispositivos de Potncia Cap.3 -8

3.3.2 Mtodos de Disparo de um SCR 3.3.2.1 Disparo por Pulso de Gatilho (Porta)

Se injetarmos uma corrente de gatilho, elevaremos a corrente de base I B2 , que far aumentar IC 2 , e consequentemente de IB1 , e IC 1 . Como IB2 a soma corrente de gatilho mais IC1 , IB2 aumentar. Temos um processo regenerativo onde as correntes vo aumentando at a saturao dos transistores. Mesmo que deixemos de aplicar a corrente de gatilho, uma vez iniciado o processo, o dispositivo se manter em conduo pois cada transistor alimenta o outro. Em termos da expresso (4), podemos dizer que o aumento de IB2 fez aumentar o produto F1 F2 at prximo de 1, fazendo disparar o dispositivo. A corrente de anodo IA para a qual temos a estabilizao do processo regenerativo denominado corrente de partida (em ingls, "latching current"). Este o processo geralmente empregado para disparar o dispositivo. 3.3.2.2 Disparo por Sobretenso
Dispositivos de Potncia Cap.3- 7

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A comutao de um SCR consiste no processo de lev-lo ao estado de bloqueio, de maneira que a reaplicao de uma tenso positiva VAK no o faa reconduzir (a menos que um dos fatores de disparo discutidos anteriormente estejam presentes). O SCR leva algum tempo para assumir a condio de bloqueio. Se aplicarmos uma tenso V A K positiva antes desse tempo, podemos eventualmente fazer o SCR voltar a conduo. Este tempo pode ser facilmente explicado atravs do modelo de 2 transistores. Quando o SCR encontra-se em conduo, os 2 transistores esto em saturao, e cargas so acumuladas nas bases dos transistores. Para fazer os transistores retornarem ao corte estas cargas precisam ser retiradas, como veremos no Captulo 6, "Transistor como Chave". Tipicamente um SCR leva em torno de dezenas de microssegundos para comutar, o que impe uma frequncia mxima de operao para este dispositivo. Vamos estudar a seguir as tcnicas para comutar um SCR para o estado de bloqueio. 3.3.2.7 Comutao Natural

3.3.3 Valores Nominais do SCR Vamos apresentar a seguir alguns parmetros de interesse de um SCR, empregando a terminologia recomendada pelo JEDEC ("Joint Electronic Device Engineering Council"), um organismo internacional de padronizao. a) VBO : Tenso de Disparo. a tenso VAK que provoca a avalanche do SCR com a corrente I G = 0. Outras notaes: VFBO , V(BO)F , V (BR)F b) V R R M : Pico Repetitivo da Tenso Reversa. o mximo valor instantneo repetitivo permissvel entre os terminais do SCR. Outras notaes: VR B , V RM(rep), VROM(rep) c) dV/dt max: Taxa Mxima de Crescimento da Tenso no Estado de Bloqueio, acima da qual o SCR dispara mesmo se IG = 0 e VAK < VB O . d) IH : Corrente de Anodo-Catodo de Manuteno, abaixo da qual o SCR comuta. e) I L: Corrente de de Anodo-Catodo de Partida, acima da qual o SCR dispara. f) di/dt max: Taxa Mxima de Crescimento da Corrente no Estado de Conduo. o valor mximo da taxa de crescimento da corrente do estado de conduo, que o SCR pode suportar sem ser danificado. g) I GT: Corrente de Gatilho de Disparo. o valor mnimo de corrente contnua aplicada ao gatilho, necessrio para chavear um SCR do estado de bloqueio ao estado de conduo.

A comutao natural consiste na reduo da corrente de anodo abaixo de um valor mnimo IH conhecida como corrente de manuteno (em ingls "holding current").

Figura 5: Circuito de Comutao natural

h) IG D: o mximo valor de corrente continua aplicada ao gatilho, que no ir provocar o chaveamento de um SCR do estado de bloqueio para o estado de conduo. Outra notao: IGNT i) VGT: a tenso CC necessria para produzir a corrente de gatilho com disparo. j) VGD: Tenso de Gatilho sem disparo. a mxima tenso CC que no provocar o chaveamento do SCR do estado de bloqueio para o estado de conduo. Outra notao: VGNT k) PG(AV): Potncia Mdia de gatilho. o mximo valor permitido para a dissipao de potncia de gatilho que a juno de gatilho do dispositivo pode suportar. Este valor obtido fazendo-se a mdia da potncia por um ciclo completo.

3.3.2.8

Comutao Forada

Outra tcnica comumente utilizada para comutar um SCR atravs da aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Esta tcnica conhecida como tcnica de comutao forada.

Figura 6: Circuito de Comutao Forada

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3.3.4 Circuito de Disparo Na figura 7 temos mostrado um circuito com SCR e a sua caracterstica I A X VAK superposta com a reta de carga (imposta pelo circuito externo). Consideremos inicialmente I G = 0. Na figura 7.b, como VAK menor que a tenso VB O o SCR no ir disparar, permanecendo o circuito no ponto de operao estvel (1).

caractersticas do SCR, principalmente o dv/dt mximo em dispositivos de alta potncia, embora acarrete um aumento substancial da corrente de gatilho.

Figura 9: Circuitos equivalentes de gatilho

Podemos simplificar o modelo equivalente aps o disparo do SCR, substituindo o diodo por uma bateria de valor constante VD (fig. 9b). Note que nesta situao, se o terminal da gatilho ficar com uma polarizao negativa, fluir uma corrente negativa de gatilho que poder eventualmente danificar o dispositivo. 3.3.4.2
Figura 7: Curva de um SCR com IG=0 superposta com a reta de carga

Disparo CC

Se elevarmos a corrente de gatilho para um valor IGl, a curva do SCR passaria a ser a da linha tracejada mostrada na figura 8. Observe que agora o ponto de operao do circuito passar a ser o ponto (4), que exatamente o ponto de disparo do SCR. Portanto, o SCR dispara e o novo ponto de operao passa a ser ponto (3) que estvel. Note que o disparo do SCR depende portanto de VAA , RA e de IG. Fica a cargo do aluno explicar porque o ponto (2) no um ponto estvel.

No projeto de um circuito de disparo, devemos levar em considerao os seguintes fa tores: a caracterstica tenso-corrente de gatilho, aproximada por uma curva de diodo, varia de dispositivo a dispositivo (famlia de curvas mostrada na figura 10) e com a temperatura; as especificaes de tenso, corrente e potncia mximas de gatilho no devem ser ultrapassadas; circuito deve ser imune a disparo por sinais esprios; disparo deve ocorrer apenas em uma condio especificada.
IG Disperso de Curvas I G x VG de uma famlia de SCRs
min tip max

Figura 8: Curva de um SCR com IGl superposta com a reta de carga

VG

Figura 10: Disperso da curva IG x VG

Se reduzirmos a tenso VAA ou elevarmos a resistncia RA, o ponto (3) ir se deslocar na curva do SCR at que a corrente do SCR caia abaixo da corrente de manuteno. Neste instante o SCR comuta para o corte. 3.3.4.1 Circuito Equivalente de Gatilho (Porta)

Para facilitar a anlise de circuitos com SCRs, podemos representar a juno gatilho-catodo por um circuito equivalente composto por um diodo e uma resistncia, como mostrado na figura 9a. A resistncia RL representa a resistncia lateral da regio P de gatilho da figura 1. A resistncia RC E representa qualquer curto -circuito de emissor, intencional ou no, colocado entre gatilho e catodo. Esta resistncia, quando intencional, tem a funo de melhorar algumas
Eletrnica Experimental Dispositivos de Potncia C a p . 3-1 1

Para atender a estes requisitos, devemos seguir as restries mostradas na figura 11. Para assegurar que o disparo ocorra independente de disperses de caracterstica de dispositivo e da tenso VA K, devemos aplicar uma polarizao de gatilho que esteja situada fora da regio hachuriada, mas obedecendo os limites de tenso, potncia e corrente mximas. Isto , dado o circuito de disparo CC da figura 12a, o ponto de operao deve localizar-se como mostrado na figura 12b.

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IG

min

tip max

Mxima corrente de gatilho

Regio apropriada para disparo IGT V GT

Mxima pot ncia de gatilho Mxima tenso de gatilho

VG

Figura 11: Restries ao ponto de operao do gatilho

Figura 13: Circuito de Disparo CA 0 - 90 graus

Para um valor determinado de tenso de disparo, a resistncia RX que a soma de R1 com R2 , pode ser calculada aproximadamente por (desprezando-se a queda em Rcarga, que muito pequena): RX = E G disparo 2VD I GT (5)

onde os 2V D representam a queda de tenso no diodo D e na juno gatilho-catodo. Para um valor de ngulo de disparo de 90 graus, o valor m ximo RX dado por:
Figura 12: Circuito de Disparo CC e Ponto de operao

R X max =

E G max 2V D I GT

3.3.4.3

Disparo por Pulsos

2Vef I GT

(6)

Frequentemente, em vez de circuitos de disparo CC, so utilizados circuitos de disparo por pulsos, onde pulsos de grande amplitude so aplicados para disparar o SCR. Como o pulso pode retornar a um valor inferior, ou mesmo a zero, aps o disparo, temos a vantagem de reduzir a potncia dissipada na juno gatilho-catodo. Alm disso, como podemos aplicar um pulso de grande amplitude (em geral, uma corrente 5 vezes maior que I G T), tambm reduzimos o tempo de disparo do SCR. Uma importante vantagem deste tipo de circuito de disparo que ele permite a fcil obteno de isolao eltrica entre o SCR e o circuito de disparo atravs de transformadores de pulso ou acopladores optoeletrnicos. Assim, fcil construir um circuito no qual um nico sinal de disparo usado para disparar diversos SCRs ao mesmo tempo. 3.3.4.4 Disparo CA

Este circuito aceitvel quando as variaes de parmetros do SCR (tanto por disperso quanto por temperatura) forem baixas. Para ampliar a faixa de controle para 0 a 180 graus, podemos utilizar um capacitor, como mostrado na f igura 14. O diodo D 2 serve para carregar negativamente o capacitor no semiciclo negativo, permitindo que o ciclo comece sempre a partir de um nvel constante de carga.

Um outro circuito de disparo frequentemente utilizado na prtica o de disparo CA, onde o sinal de disparo extrado diretamente da fonte CA de entrada. O circuito da figura 13 exemplifica um desses circuitos. Neste circuito, atravs da variao de R2 , podemos variar o ngulo de disparo de 0 a 90 graus.

Figura 14: Cicuito de Disparo CA 0 - 180 graus

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3.3.5 Anlise de dois Circuitos Didticos com SCR Vamos em seguida fazer a anlise de dois circuitos simples com SCR que sero utilizados na parte prtica. Estes circuitos, embora adequados aos fins deste Captulo, necessitam ser utilizados com cautela na vida prtica quando forem utilizados outros tipos de SCR ou ainda outros valores de tenso de entrada. Isto porque nestes circuitos no foram empregados circuitos especiais de proteo e no foram levados em considerao variaes de parmetros. O SCR utilizado nestes circuitos o TIC106, que um dispositivo com baixssima corrente de disparo de gatilho, no contendo nenhum curto-circuito de emissor. Os dados tcnicos do TIC106 podem ser obtidos no apndice A deste livro. 3.3.6 Circuito de Disparo 0-90 Graus No circuito da figura 15 temos mostrado um circuito de disparo CA com ngulo de controle de 0 a 90 graus.

portanto

Vdisp = E g sen 0,6

R A + RB RB

(9)

3.3.7 Circuito de Disparo 0 a 180 Graus O circuito est mostrado na figura 17. A idia bsica deste circuito aplicar ao gatilho um sinal de disparo derivado do prprio sinal de entrada CA, de modo que quando o sinal de entrada atingir o valor V disp correspondente a um ngulo de disparo desejado, se tenha no gatilho do SCR uma tenso V G e uma corrente I G que disparem o SCR. O capacitor tem como funo prover um atraso adicional de at 90 grau s.

Figura 17: Circuito de Disparo CA Didtico 0-180 graus

Como no estudo do circuito anterior, determinaremos inicialmente o gerador CA equivalente Thvenin do circuito de gatilho. Este circuito, considerando R1 >> RA est mostrado na figura 18.
Figura 15: Circuito de Disparo CA didtico 0-90 graus

Podemos obter o gerador CA equivalente Thvenin do circuito de gatilho, como mostrado na figura 16.

Figura 18: Circuito equivalente de Gatilho da fig. 17

Pode-se demonstrar que se R2 I g << VG T, podemos fazer:

Figura 16: Circuito equivalente de gatilho do circuito da fig. 15

Se considerarmos:

(R A // R B)IG << VGT

(7)

portanto

[1+ (R C)] (R + R ) [1 + ( R C )] (R +R ) E sen ( ) 0, 6

A 2 12 1 2
g A 2 12 1 2

vg =

]R2 E g sen [ t arctg( R A C)

(10) (11)

a tenso de gatilho (entre a gatilho e catodo) dada pelo prprio gerador ideal equivalente. Assim, podemos obter o valor da tenso de entrada Ve onde ocorre o disparo do SCR, considerando que a tenso de disparo V G vale aproximadamente 0,6 V. RB v g = E G sen ( t) 0,6 Volts Assim: (8) RB +RA

onde = arctg( R A C) e tg = R AC .

R2

3.4

BIBLIOGRAFIA

1. M. H. Rashid, Power Electronics Circuits, Devices, and Applications, Prentice Hall, 1993.
Eletrnica Experimental Dispositivos de Potncia C a p . 3-1 5 Eletrnica Experimental Dispositivos de Potncia Cap.3- 16

2 A. S. Sedra e K. C. Smith, Microelectronics , 4a. Ed., Oxford University Press, 1998. 5. M. H. Rashid, Power Electronics Circuits, Devices, and Applications , Prentice Hall, 1993.

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