Departamento de Engenharia Electrotcnica Curso de Engenharia de Electrnica e Computadores

Colectnea de Exerccios de Electrnica II (Exerccios complementares)

rea de Electrnica Setembro/2005

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EXERCCIOS COMPLEMENTARES

I. Exerccios sobre as leis de Kirchhoff e teoremas de Thevenin, Norton e Sobreposio

I.1. Considere o circuito da figura 1 e responda s seguintes questes: a) calcule IR1, IR2, IR3, IR4, IR5, IR6, VR3 e VR5 usando o mtodo das malhas; b) calcule IR4 usando o teorema de Thvenin, e compare com o resultado obtido na alnea a); c) calcule VR5 usando o teorema da sobreposio e compare com os resultado obtido na alnea a).
R1 1k V1 10V R2 1k V2 5V I1 10mA R3 2k R4 3k R5 2k V3 3V

Figura 1
R: IR1= IR2=4,846mA; IR3=5,154mA; IR4=1,462mA; IR5=3,692mA; VR3=10,308V; VR5= 7,384V.

I.2. Considere a rede linear da figura 2. Calcule a tenso Vo, utilizando: a) as leis de Kirchoff; b) o Teorema de Thvenin; c) o Teorema da Sobreposio.
1k 10V Vo 5k 2mA 2k 2k 0,5k

R:

Vo= 5,25V.

Figura 2
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I.3. Determine os equivalentes de Thvenin e de Norton do circuito da figura 3, vistos pela resistncia RC.
5 5 5 6V Rc 5

15V

Figura 3
R: Rth= Rnt=3; Vth=4,2V; Int=1,4A.

II. Exerccios sobre circuitos com BJTs

II.1. Assuma que o amplificador representado na figura 4 est a operar nas mdias frequncias. Para =100, VBEon=0,7V, VCEsat=0,2V, VCC=12V, Rc=7,9K, RE1=680, RE2=80, R1=43K, R2=5,2K, Rs=10K, RL=10K e VT=25mV a) b) c) d) e) determine o PFR do transistor; calcule o ganho de tenso, vout/vin; calcule o ganho de corrente, iout/iin; calcule a resistncia de entrada vista pela fonte de sinal; calcule a resistncia de sada vista pela carga RL.
VCC 12V RC

R1 iin vin R2 RE1 RS C1

C2 iout C3 RL vout

Q1

RE2

R: a) VCE=5,7V; IC=0,73mA; b) Av=-9,5; c) Av=-12,7; d) Ri=13,3K; e) Ro=7,9K;

Figura 4

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II.2. Considere o circuito da figura 5 em que o transistor Q1 caracterizado por, =100, VBE=0,7V e VCEsat=0,2V; VT=25mV. Assuma que o circuito est a funcionar nas mdias frequncias e determine,
a) b) c) d) e)

a corrente IC e a tenso VCE no transistor Q1; o ganho de tenso Av=vout/vin; o ganho de corrente Ai=iout/iin; a resistncia de entrada vista pela fonte de sinal; a resistncia de sada vista pela carga R5.
R2 4k iin vin R1 690k R3 100 R4 2,5k C1 IC Q1 R5 5k C2 iout

vout

C3

R: a) VCE=5,1V; IC=1,5mA; b) Av=-18,9; c) Ai=-43,7; d) Ri=11,6K; e) Ro=4K;

VEE -15V

Figura 5 II.3. Considere o circuito da figura 6 em que o transistor Q1 caracterizado por, =150, VBE=0,7V e VCEsat=0,2V; VT=25mV. Para as mdias frequncias, calcule o PFR do transistor Q1; indique o tipo de configurao do amplificador; calcule o ganho de tenso Av=vo/vi; calcule o ganho de corrente Ai=io/ii; f) calcule a resistncia de entrada vista pela fonte de sinal, vi; e) calcule a resistncia de sada vista pela carga RL.
C1 R2 R1 400k C2 400k

a) b) c) d)

VCC 12V R3 10k C3 io RL

R:

a) VCE=4,4V; IC=0,69mA; c) Av=-136,1; d) Ai=-73,1; e) Ri=5,4K; f) Ro=9,8K.

ii vi

Q1 R4 1k

10k C4

vo

Figura 6
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II.4. Considere o circuito da figura 7 em que o transistor Q1 tem as seguintes caractersticas, =100, VEB=0,7V e VECsat=0,2V; VT=25mV. Para as mdias frequncias, a) b) c) d) e) f) calcule o PFR do transistor; calcule o ganho de tenso Av=vo/vi; calcule o ganho de corrente Ai=io/ii; determine a resistncia de entrada, Ri; determine a resistncia de sada, Ro; identifique o tipo de montagem e identifique as suas principais caractersticas.
VCC R2 15V 5k C2 ii vi Rs 10k R1 500k R3 1k C1 Q1 io RL 10k C3 v0

R:

a) VEC=6,4V; IC=1,42mA; b) Av=0,948; d) Ai=20,1; e) Ri=211,7K; f) Ro=112.

Figura 7 II.5. Considere o circuito da figura 8 em que o transistor Q1 caracterizado por, =200, VBE=0,7V e VCEsat=0,2V; VT=25mV. Assuma que o amplificador se encontra a operar nas mdias frequncias e, a) determine o PFR do transistor Q1; b) identifique o tipo de configurao do amplificador da figura; c) represente o modelo equivalente para sinais fracos, indicando o valor de cada um dos seus componentes; d) calcule o ganho de tenso Av=vo/vi; e) determine o valor da resistncia de entrada, Ri; f) determine o valor da resistncia de sada, Ro.
VCC 12V

R2 R1 vin
R: a) VCE=6,25V; IC=0,575mA; d) Av=0,953; e) Ri=232,5K; f) Ro=90,3.

200k

C1 R4 130k R5 Q1 C2 vout

10k R3 300k

10k

Figura 8
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II.6. Assuma que o circuito da figura 9 se encontra a operar nas mdias frequncias. O transstor caracterizado por, =100, VBEon=0,6V, VCEsat=0,2V e VA=100V. RS= 1K, RE=1K, RL=1K , R1=100K e VT=25mV. a) b) c) d) e) f) g) h) descreva a funo dos condensadores C1 e C2; identifique o tipo de montagem; determine o PFR de Q1; desenhe o circuito equivalente para sinais fracos usando o modelo hbrido do transstor; calcule o ganho de tenso Av=vout/vin; calcule o ganho de corrente Ai=iout/iin.; determine o valor da resistncia de entrada, Ri; determine o valor da resistncia de sada, Ro.
R1

iin
R: a) VCE=5,3V; IC=4,68mA; e) Av=0,96; f) Ai=33,4; g) Ri=34,8K; h) Ro=14,9.

RS

C1 Q1 C2 iout RL VEE -10V Vout

Vin

RE

Figura 9

II.7. Considere o circuito da figura 10 , em que o transstor caracterizado por, =50, VEBon=0,6V, VECsat=0,1V, VT=25mV; RS=1K, R1=4,7K, R2=82K, RC=1K, RL=1K, C1=C2=1F. a) identifique a montagem; b) calcule o PFR (IB, IC, VCE); c) usando o modelo hbrido para as mdias frequncias calcule o ganho de tenso, Av=vout/vin, e o ganho de corrente, Ai=iout/iin, da montagem.
+50V R1 is vs R2 RS C1 Q1 C2 iout RC -20V RL vout

R: a) VEC=10,3V; IC=10,3mA; b) Av=0,49; Ai=2,04; Ri=2049; Ro=1K.

Figura 10

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III. Exerccios sobre circuitos com Transistor de Efeito de Campo

III.1. Considere o circuito da figura 11 em que o transistor NMOS de depleco M1 caracterizado por Vt=-1V e K=2mA/V2. Despreze o efeito de Early (=0). Para as mdias frequncias, a) calcule o PFR do transistor M1 (ID, VGS e VDS) e diga qual a zona de funcionamento em que se encontra; b) calcule o ganho de tenso Av=vo/vi; c) calcule o ganho de corrente Ai=io/ii; VDD 10V d) determine a resistncia de entrada, Ri; e) determine a resistncia de sada, Ro. R
7,5k
R: a) VGS=0V; VDS=5V;ID=2mA; b) Av=-17; c) Ai=-1714; d) Ri=1,01M; e) Ro=7,5K.
2

io RL 10k

ii vi

RS 10k

M1

C2 vo

R1 1M

Figura 11 III.2. Considere o circuito da figura 12 em que o MOSFET M1 caracterizado por Vt=3V e K=2mA/V2 e despreze o efeito de Early (=0). R1=1,2M, R2=0,8M, RD=3K, RS=1K, RG=100K, RL=5K e VDD=15V. a) calcule o PFR do transistor M1 (ID, VGS e VDS) e diga qual a zona de funcionamento em que se encontra; b) calcule o ganho de tenso Av=vo/vi; c) calcule o ganho de corrente Ai=io/ii; d) determine a resistncia de entrada, Ri; e) determine a resistncia de sada, Ro.
VDD RD

R1 RG Ci

Co RL vo

R:

a) VGS=4V; VDS=7V;ID=2mA; b) Av=-6,21; c) Ai=-720,4; d) Ri=480K; e) Ro=3K.

vG R2 RS CS

Figura 12
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III.3. Considere o circuito da figura 13, com VDD=25V, R1=1,2M, R2=50k, R3=1M, RD=10k, RS=2K, RL=800k. A tenso no ponto D 15V. a) b) c) d) e) f) determine a corrente ID no transistor; determine a tenso VG; determine a tenso VS; determine a tenso VGS; represente o modelo do circuito para sinais fracos para as mdias frequncias; determine a tenso eficaz (rms) de vds para vgs=5mVrms;

VDD RD R1 C1 D G R3 S RS C3 RL vds C2

R:

a) ID=1mA; b) VG=1V; c) VS=2V; d) VGS=-1V; e) vds=98,8mVrms.

vgs

R2

Figura 13

Bibliografia: Sedra/Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 4th Edition

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