APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS

1.- INTRODUCCIN Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad elctrica intermedia, entre la de los metales y los aislantes; y otras propiedades fsicas no usuales. Estos se pueden clasificar en dos tipos: Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica fcilmente controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros. Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente, a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes. Su conductividad depender de la concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos: a) Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos. b) Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones. 2.- APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma importante. As, veremos algunas de las ms importantes: Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros dispositivos, como en alarmas contra incendio. Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los tomos son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin que acta sobre ese material. Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin tipo p-n. Los electrones se concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p. El desequilibrio electrnico resultante crea un voltaje a travs de la unin. Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como interruptor o como amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras por su rpida respuesta a la conmutacin. Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar. 3.- LA UNION P-N

Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las propiedades de la unin entre materiales de tipo p y de tipo n. Esta unin p-n se produce de forma ms habitual por difusin en estado slido de un tipo de impureza de tipo p sobre un material de tipo n. Aunque tambin se puede obtener un diodo de unin p-n por crecimiento de un monocristal de silicio intrnseco y dopndolo primero con un material de tipo n y despus con uno p. Este diodo p-n se puede encontrar de tres maneras distintas, segn como se aplique el voltaje: En el equilibrio: Antes de la unin, ambos tipos de semiconductores son neutros; en los p los huecos son los portadores mayoritarios y en los n son los electrones. Despus de la unin, los portadores de esta se difunden a travs de ella. Despus de algunas recombinaciones, el proceso se interrumpe, ya que los electrones que van al material tipo p, son repelidos por los iones negativos; y los huecos son repelidos por los iones positivos del material tipo n. Los iones inmviles de la unin forman una zona agotada de los portadores mayoritarios, llamada zona de deplexin. De esta forma no hay flujo neto de corriente en condiciones de circuito abierto. Polarizacin inversa: Si se invierte el voltaje aplicado, tanto los huecos como los electrones se separan de la unin. Sin portadores de carga en la zona de agotamiento, la unin se comporta como un aislante y casi no fluye corriente. Polarizacin directa: Si en la unin p-n se aplica un voltaje externo, de forma que la terminal negativa este del lado tipo n, los electrones y los huecos se movern hacia la unin y se recombinarn finalmente. El movimiento de electrones y de huecos producen una corriente neta. Si se incrementa esta polarizacin, aumentar la corriente que pase por la unin. 4.- APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N. Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin p-n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como rectificacin. Al aplicar una seal de corriente alterna a un diodo de unin p-n, este conducir slo cuando la regin p tenga aplicado un voltaje positivo con respecto a la regin n, por lo que se produce una rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con otros dispositivos y circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable. Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son rectificadores de Si. En la polarizacin inversa se produce una pequea fuga de corriente, debido al movimiento de electrones y huecos trmicamente activados. Al hacerse demasiado grande la polarizacin inversa, cualquier portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a portadores de carga, causando una corriente elevada en direccin inversa. Debido a este fenmeno se pueden disear dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar adecuadamente la unin p-n, se puede seleccionar el voltaje de avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de ruptura, fluir una corriente elevada a travs de la unin, as se evita que pase por el resto del circuito; por eso se utilizan para proteger circuitos contra voltajes accidentales. 5.- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas: Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.

 Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequea fraccin de los portadores que viene del emisor se combinar con los portadores mayoritarios de la base con carga opuesta. Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del colector es del tipo n, recoge electrones. 6.- BIBLIOGRAFIA 1. Donald R. Askeland, Ciencia e ingeniera de los materiales, Ed. Paraninfo Thompson Learning, 2001 2. William F Smith, Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales, 3 Edicin, Ed. Mc Graw Hill.