FORMULARIO DE ELECTRNICA DIODO Ecuacin de Shockley

i D = I S [e vD / nVT 1]
TRANSISTOR BIPOLAR npn Ecuaciones de Ebers-Moll Relacin de reciprocidad

I S vBE / VT 1 I S e vBC / VT 1 iE = e F I S vBC / VT 1 iC = I S e vBE / VT 1 e R

F I SE = R I SC = I S
+1

) )

Relacin entre y

I S vBE / VT I S vBC / VT 1 + iB = 1 e e F R

Efecto Early

iC = I S e

v BE / VT

v CE 1+ VA

r0 =

VA I S e vBE / VT

Para pnp sustituir vBE y vBC por vEB y vCB, respectivamente, y VA por |VA|.

TRANSISTOR MOSFET Canal n

iD + vDS + vGS
-

Caractersticas estticas Regin de corte ( vGS < Vtn ):

Para canal p:
+ vSG
-

iD = 0
Regin hmica (triodo) (vGS Vtn y v DS vGS Vtn ) :

Parmetros:
' n

C ox = ox / t ox

k = n C ox

W (vGS Vtn )v DS 1 v DS 2 L 2 Regin de saturacin (activa) (vGS Vtn y v DS vGS Vtn ) : 1 'W (vGS Vtn ) 2 iD = k n 2 L En todas las regiones: iG = 0
' iD = k n

+ vSD
-

iD

Sustituir

por
' kp

' n

n
vGS vDS Vtn VA

p
vSG vSD |Vtp| |VA| ||

Efecto de la modulacin de la longitud del canal

1 'W (vGS Vtn ) 2 (1 + v DS ) iD = k n L 2 VA 1 1 'W (VGS Vtn ) 2 r0 = = donde I D = k n I D I D L 2