MICROSCPIO DE TUNELAMENTO COM VARREDURA (STM) E MICROSCPIO DE FORA ATMICA (AFM)

AUTOR: FABIANO CARVALHO DUARTE RA: 001192 END. ELETRNICO: fafe@mii.zaz.com.br

MATRIA: IE 607 A - MEDIDAS PARA CARACTERIZAO E ANLISE DE MATERIAS

PROFESSORES: DR. FRIO DAMIANI DR. PETER JRGEN TATSCH

1 - RESUMO
Existem diversas tcnicas para observao de detalhes ampliados de superfcies, como, por exemplo, com lentes, usando um microscpio tico, inventado no sculo XVIII. Neste sculo, foram desenvolvidos mtodos de visualizao baseados em feixes de ons ou de eltrons mas a idia dos microscpios de sonda totalmente diferente. Graas inveno do microscpio de tunelamento (STM), passou a ser possvel no s ver mas medir e manipular tomos ou molculas. A inveno do STM desencadeou o desenvolvimento de uma grande variedade de microscpicos de varredura por sonda (SPM) tais como o microscpio de fora atmica (AFM), o microscpio de fora magntica (MFM), o microscpio de fora eletrosttica (EFM), o microscpio tico de campo prximo (SNOM), e todos os derivados. O principal componente de um SPM o sensor, com o qual consegue-se sondar as amostras e obter as imagens com magnificaes muito altas, de forma tal que podem ser medidas distncias com resoluo de at 0,1 ngstrom (1=10-10 m). Os sensores usados neste tipo de aparelhos so: para o microscpio de tunelamento, uma ponta metlica de dimenses quase atmicas que varrida muito prxima da superfcie da mostra para fazer tunelamento entre ela e a amostra; para o microscpio de fora atmica, um sensor de fora em forma de ponta condutora ou isolante e para o SNOM uma fibra tica.

2 INTRODUO

A compreenso da estrutura bsica que composta a matria, tem se apresentado ao longo do tempo como um desafio aos estudiosos. A partir do momento em que se compreende a estrutura bsica da matria, pode-se compreender suas propriedades, e assim, levar a uma mudana controlada de nosso ambiente. Os primeiros instrumentos utilizados para elucidar a estrutura atmica foram os microscpios pticos, porm esses instrumentos pticos possuem a limitao do comprimento de onda da luz visvel, dada pelo critrio da difrao de Rayleigh, ou seja, ele descobriu que um sistema tico, seja o olho, sejam as lentes de um microscpio, capaz de resolver duas fontes pontuais se os correspondentes diagramas de difrao esto suficientemente separados para serem distinguidos. Estudando os diagramas de duas fontes luminosas Rayleigh concluiu que elas podem ser resolvidas se o mximo principal (ou central) de uma coincide com o primeiro mnimo da outra. Isto equivalente condio de que a distncia entre os centros dos diagramas deve ser igual ao raio do disco central. Calculando numericamente chega-se a que s podem ser resolvidos objetos de 200 a 350 nm, ou seja, da metade do comprimento de onda da luz visvel. As primeiras imagens de tomos foram obtida com o microscpio inico de campo, inventado por Erwin Mller. Outro mtodo pelo qual se pode obter imagens de tomos atravs do microscpio eletrnico de varredura(SEM), apenas capaz de trabalhar em vcuo, pode resolver escalas nanomtricas (1 nm = 10-9 m) mas, em geral, com efeitos destrutivos para a amostra. Alm disso, um SEM no capaz de dar uma boa informao sobre profundidade. Os mais novos desenvolvimentos nesta rea so microscpios de varredura por sonda, ou SPM (Scanning Probe Microscope) que na realidade so grupos de instrumentos compostos basicamente de sonda sensora, cermicas piezeltricas para posicionar o objeto

amostra e fazer varreduras, circuitos de realimentao para controlar a posio vertical da sonda e um computador para mover os scanners de varredura, armazenar dados e os converter em imagens por meio de softwares especficos para esse fim. H diversos tipos de microscpios de sonda: o de tunelamento ou STM (Scanning Tunneling Microscope), o de fora ou AFM (Atomic Force Microscope), o de campo prximo ou SNOM (Scanning Near-Field Optical Microscope), entre outros. O STM foi inventado por Gerd Binnig e Heinrich Rohrer, da IBM de Zurich, em 1981 e foi o primeiro instrumento capaz de gerar imagens reais de superfcies com resoluo atmica. Em 1986 seus inventores ganharam o Prmio Nobel de Fsica [1]. Depois dos primeiros relatos [2,3,4], vrios trabalhos sobre a tcnica foram desenvolvidos, registrando-se imagens atmicas de superfcies de semicondutores, assim como molculas adsorvidas quimicamente [5,6]. Ainda mais, a espectroscopia de tunelamento com varredura (STS : Scanning Tunneling Spectroscopy) [7,8], a qual mede a condutncia de tunelamento versus a voltagem de polarizao em uma posio especfica da ponta, proporciona informao estrutural eletrnica local da superfcie, a qual resolvida em escala atmica. A partir de uma modificao do microscpio de tunelamento, combinado com um profilmetro Stylus (aparelho para medir rugosidade em escala microscpica) Binnig, Quate e Gerber [9], desenvolveram o AFM em 1986. Abaixo, alguns exemplos da versatilidade dos meios de magnificao. Aumento 103 104 105 106 109 meio ar, lquidos ar vcuo vcuo liq.,ar, vcuo imagem 2-D 2-D 2-D 2-D 3-D danos nenhum mnimos graves alguns mnimos ou nenhum

microsc. tico varredura laser feixe de ons SEM SPM

Tabela 1. Comparativa dos meios de magnificao existentes.

3 - MICROSCPIO DE TUNELAMENTO COM VARREDURA (STM). 3.1 - PRINCPIOS FSICOS

Para se entender os princpios fsicos envolvidos no STM, faz-se necessrio entender a mecnica quntica [10]. Existem muitos fenmenos qunticos que no se enquadram nos formalismos clssicos, mas o efeito tnel ou tunelamento talvez o mais impressionante. O fenmeno de tunelamento conhecido a mais de sessenta anos, desde a formulao da mecnica quntica. A mecnica quntica prev, que uma partcula como um eltron, pode ser descrito por uma funo de onda. Assim sendo, tem uma probabilidade finita de entrar em uma regio classicamente proibida e por conseguinte, essa partcula pode tunelar atravs de uma barreira de potencial que separa duas regies classicamente permitidas. A probabilidade de tunelamento exponencialmente dependente da largura da barreira de potencial. Ento a observao experimental dos eventos de tunelamento s mensurvel para barreiras bastante

finas, j para a mecnica clssica uma barreira uma barreira, ou seja, se uma partcula no tiver energia cintica suficiente, ela no conseguir ultrapassa-la. Em resumo, classicamente, uma partcula proveniente da esquerda deveria colidir com a barreira e, no caso de coliso elstica, retornar para esquerda, com a mesma velocidade (em mdulo) na ausncia de atrito, pois E < V0. O que a mecnica quntica prev, que a matria apresenta comportamento ondulatrio e, portanto, existe uma probabilidade no nula (|(x)|2 0 na barreira) da onda atravessar a barreira, fenmeno este conhecido por efeito tnel ou tunelamento. Esta probabilidade que um eltron aparea do outro lado da barreira, obtm-se trabalhando com a equao de Schrdinger, independente do tempo, mostrada abaixo: ! 2 d 2 (x ) 2m dx 2 + V ( x) ( x) = E ( x) Onde: ! = Eq. 1

h : a constante de Planck normalizada; 2 m : a massa do eltron; x : a varivel unidimensional; (x) : a funo de onda (|(x)|2, define a densidade de probabilidade de presena da partcula m em x); V(x) : a energia potencial.

Neste caso (Fig. 1), a soluo especfica para cada regio da energia potencial, dada por: 0, para x < 0 e x > a; V(x) = V0, para 0 < x < a; A soluo da equao diferencial (Eq. 1) mostrada analisando a Fig. 1. Nas regies classicamente permitidas x < 0 e x > a, a energia total E de uma onda proveniente da esquerda maior do que a energia potencial V(x) e as autofunes so oscilatrias; no interior da barreira (0 <x < a), E < V(x) = 0 e a autofuno decresce exponencialmente [10,30].

O conceito de tunelamento de eltrons, foi primeiro teoricamente aplicado aos trabalhos de Julius Robert Oppenheimer sobre a autoionizao do hidrognio atmico (1928) [1], e os de George Gamow (1928), R. W. Gurney e E. U. Condon (1929) sobre o decaimento alfa [10], a emisso de campo por um eltron livre de um metal por Fowler e Nordheim (1928) e outro fenmenos como a retificao de uma juno metal-semicondutor e o efeito Zener. Em 1957, treze anos depois da aceitao da mecnica quntica pelos fsicos, Esaki inventa o diodo tnel ou dispositivo de Esaki [10,11,12], abrindo com isso, tecnologia novas reas de trabalho e sobre tudo, interesses na dificuldade conceitual do efeito tnel e suas aplicaes. A primeira aplicao prtica instrumental, todavia foi o topografiner, de Russel e Young et al. [1,13,14], um instrumento de levantamento microtopogrfico de superfcie, em muito semelhante ao STM, mas incapaz de atingir resoluo atmica, provavelmente devido ao isolamento insuficiente de vibraes e ao grande espaamento entre a ponta e a amostra (100 1000 [13], enquanto no STM de aproximadamente 10 [15]). Um ponto crtico no projeto de qualquer STM o isolamento da vibraes. Os primeiros experimentos constituam em demonstrar a exequibilidade do tunelamento atravs de uma barreira de vcuo [1,26], porm inmeros destes experimentos falharam devido a problemas com vibraes. Os primeiros STMs eram compostos por um sistema de isolamento de vibraes por levitao a supercondutores, combinado com amortecimento por corrente Foucault, alm de exigir bombas de ultravcuo (UHV), trabalhando em temperaturas criognicas, etc. Seguiu-se uma profuso de trabalhos na direo de instrumentos mais simples [1,15,28], que comeou com o abandono da levitao supercondutora, substituindo-a por um sistema de molas de estagio duplo, terminadas com amortecedores de viton (as molas usadas tendiam a amortecer vibraes maiores que 1 Hz), no valendo para as vibraes que se propagavam atravs das molas. Subseqentemente, aperfeioamentos culminaram em um STM, que possua apenas amortecedores de viton como sistema de amortecimento de vibraes. Recentemente, um modelo simples o STM com micrmetro motorizado, como o de Gary W. Stupian e Martin S. Leung [29].

A figura acima foi obtida na referncia 30.

3.2 - MODELAMENTO DA CORRENTE DE TUNELAMENTO

Desde sua inveno, o STM encontrou uma imediata aceitao como uma poderosa ferramenta de anlise superficial. As atuais e futuras aplicaes desta tecnologia dependem de nossa compreenso da tcnica de medida. A conceituao bsica de STM o princpio fsico do tunelamento eletrnico. A maior parte da literatura sobre tunelamento voltada para este efeito quntico, previsto na dcada de 20, que ocorre entre dois eletrodos planos ou rugosos, separados por uma camada isolante suficientemente fina (como xidos ou mesmo vcuo), ou seja, na presena de uma barreira de potencial; existem tratamentos para eletrodos metlicos e/ou semicondutores, etc. Inicialmente, Binning e Rohrer [2,13,14,15], aceitaram resultados prvios tericos da dependncia exponencial da corrente de tunelamento I com a distncia d: I = Ve( A
1/ 2

Eq. 2

Onde: A 1,025 (eV)-1/2 A-1, no caso do vcuo; : a altura da barreira de potencial, funo dos materiais com que esto feitas a sonda e a amostra, e que representa a diferena entre o nvel de energia de tunelamento e o nvel de energia mximo do sistema sonda-amostra; d : distncia de separao entre a mostra e a sonda; V : o potencial de polarizao. I : a corrente total de tunelamento entre a amostra e a ponta. No STM, o sensor de tunelamento mede a corrente I que passa entre a amostra e a sonda metlica, posicionada quase tocando a superfcie da amostra (que deve ser condutora). Quando a distncia sonda-amostra aproximadamente de 10, os eltrons da amostra comeam a tunelar na direo da sonda ou vice versa, dependendo da polaridade de uma voltagem aplicada entre a sonda e a amostra. A corrente varia com a distncia entre elas, sendo diretamente proporcional voltagem V aplicada (alguns milivolts de contnua) e exponencialmente proporcional distncia d de separao entre a amostra e a sonda, ou seja, a resoluo do STM reduz com o aumento de d. Fundamental para a operao do STM a extrema sensibilidade da corrente de tunelamento separao entre os eletrodos. No STM, uma sonda muito fina, e muito prxima da amostra, varre a sua superfcie, retirando eltrons, levantando assim a topografia dos tomos na superfcie da amostra, ou seja, registrando o seu relevo (potencial) [16]. Sua realizao, simples em princpio, depende de considervel astcia experimental. O STM aplicvel a amostras condutoras podendo ser utilizado tanto no vcuo como na atmosfera. Porm quando usado no ar, tem-se uma contaminao da superfcie da amostra, fazendo com que a imagem obtida no seja uma imagem pura.

3.3 - O INSTRUMENTO
A combinao bem sucedida de tunelamento no vcuo com um sistema de cermicas piezoeltricas, formam um microscpio de tunelamento com varredura (primeira demonstrao em 1981 por Binning). Uma amostra condutora e uma ponta de metal muito fina que age como uma sonda local, posicionada dentro de uma distncia de alguns angstrons da superfcie da amostra

condutora, resultando numa significante sobreposio das funes eletrnicas de ondas (Fig. 3) [31].

Fig. 3 a-c - Esquemtico do princpio fsico e tcnica inicial para realizao do STM. (a) visualizao do pice da ponta (esquerda) e da superfcie da amostra (direita) a uma ampliao de cerca de 108. Os crculos slidos indicam tomos e as linhas pontilhadas os contornos da densidade dos eltrons. O caminho da corrente de tunelamento mostrado pela seta. (b) escala reduzida por um fator de 104. A ponta (esquerda) parece tocar a superfcie (direita). (c) STM com sistema de cermicas piezoeltricas X, Y, Z com a ponta de tunelamento a esquerda e L (motor eletrosttico) para posicionamento superficial (irregular) da amostra [31].

Com a aplicao de uma voltagem (tipicamente entre 1 mV e 4 V), uma corrente de tunelamento (tipicamente entre 0,1 nA e 10 nA) pode fluir dos estados eletrnicos ocupados perto do nvel de Fermi de um eletrodo com os estados desocupados para o outro eletrodo. Usando um sistema de cermicas piezoeltricas para controlar o movimento da ponta e uma realimentao, podendo assim, obter um mapa da topografia de superfcie (Fig. 4) [31]. A dependncia exponencial da corrente tunelamento com o espaamento da ponta para amostra provou ser a chave para a alta resoluo espacial que pode ser alcanada com o STM, ou seja, diminuindo este espaamento (ponta amostra) em somente 1 tipicamente, resulta em um aumento da magnitude na corrente tunelamento. A corrente de tunelamento, diminui at aproximadamente um-dcimo de seu valor inicial para cada 0,1nm que se diminua a distncia d [17].

Fig. 4. Princpio de operao do STM. (Esquemtico: distncias e tamanhos fora de escala). O sistema piezoeltrico Px e Py varrem com a ponta de metal M sobre uma superfcie. A unidade de controle (CU) aplica uma voltagem apropriada Vp no sistema piezoeltrico Pz, fazendo com que uma corrente de tunelamento constante JT varra a superfcie da amostra, por meio de uma tenso constante de tunelamento VT aplicada entre a ponta e a amostra. A linha tracejada indica o deslocamento em z de uma varredura passando por um degrau (A) e por uma no homogeneidade qumica (B) [31]. Resumidamente, neste microscpio uma ponta de tungstnio muito fina posicionada quase tocando a superfcie da amostra condutora. Quando a distncia d de separao entre ponta-amostra se aproxima de 10, os eltrons da superfcie da mostra comeam a tunelar para a ponta e vice versa, dependendo da polaridade de voltagem aplica entre as mesmas, com isso gerando uma corrente (corrente de tunelamento). Geralmente a imagem no representa necessariamente a topografia pura. Por exemplo, a imagem STM de uma superfcie de ouro, representa uma imagem muito prxima de sua topografia, enquanto que uma imagem de uma superfcie de um cristal de arseneto de glio, em geral no, devido s variaes na probabilidade de tunelamento de tomo para tomo em sua superfcie [18]. H muitos casos em que a interpretao dos dados do STM (ou STS) no so triviais, as imagens STM, algumas vezes mudam de um modo drstico dependendo da estrutura da ponta. Tm-se desenvolvido explicaes tericas usando modelos simples [19]. No mtodo de anlise quantitativa, no se tem discutido muito a maneira de obter informaes mais profundas dos dados STM/STS; isto crucial para acelerar correlaes entre o estado da ponta e os dados STM/STS. Estas topologias so, evidentemente, fortemente dependentes da natureza do tunelamento na ponta [20,21]. Graas aos desenvolvimentos dos primeiros princpios da teoria de estados eletrnicos, usando aproximaes da densidade local [22], tornou possvel calcular quantitativamente os estados eletrnicos da superfcie varrida e da ponta [23]. Estas teorias permitem explicar os fenmenos das bordas [24] e as anomalias na periodicidade em grande escala relatados [25].

O STM opera basicamente de dois modos: corrente constante e altura constante ou voltagem constante [14]. Modo corrente constante:

o mais comum, onde a distncia relativa ponta-amostra permanece constante (Fig. 5a), gerando-se o levantamento topogrfico propriamente dito. Modo de altura constante ou voltagem constante:

A ponta de prova varre a amostra nas direes x, y e mantm fixo o eixo z (z a posio vertical da ponta enquanto x e y so coordenadas no plano da mostra) permitindo varreduras rpidas, com algum sacrifcio da resoluo vertical, o que o torna inadequado ao tratamento de superfcies condutoras, embora permita uma razovel aproximao espectroscpica local (Fig. 5b).

Os ajustes mecnicos grossos e finos, em quase todos os casos, so feitos por cermicas com propriedades piezoeltricas, em que obtm o deslocamento mecnico aproximadamente proporcional diferena de potencial aplicada entre dois eletrodos da cermica [30].

4 - MICROSCPIO DE FORA ATMICA (AFM) 4.1 - PRINCPIOS FSICOS

O AFM, ou microscpio de fora atmica, ou ainda, SFM (Scanning Force Microscope), foi inventado por Binning, Quate e Gerber, aps observao que a ponta do STM exerce foras sobre a superfcie da amostra na mesma ordem das foras interatmicas, ou seja, o AFM usa interao entre as foras sonda-amostra para traar o mapa da superfcie [30].

O microscpio de foa atmica pode ser operado de diversos modos. Entretanto, seu princpio fundamental a medida das deflexes de um suporte em cuja extremidade livre est montada a sonda. Estas deflexes so causadas pelas foras que agem entre a sonda e a amostra. Os modos de fazer as imagens, tambm chamados modos de varredura ou de operao, referem-se fundamentalmente distncia mantida entre a sonda (ponteira) e a amostra, no momento da varredura, e s formas de movimentar a ponteira sobre a superfcie a ser estudada. Estes modos de fazer imagens podem ser classificados em dois tipos: modo contato e modo no-contato, dependendo das foras lquidas entre a ponteira e a amostra. Quando o aparelho operado na regio atrativa, o mtodo chama-se no-contato. Nesta regio, o cantilever de AFM se enverga na direo da amostra. A operao na regio repulsiva chamase contato e o cantilever se dobra, afastando-se da amostra. A figura abaixo mostra a deflexo do cantilever em ambos modos. No modo de nocontato ele atrado pelas foras de capilaridade da camada de contaminao ou pelas foras de van der Waals [32], quando a amostra limpa. No modo de contato, v-se como a deflexo do cantilever na direo oposta da amostra.

Fig. 6 - Deflexo do cantilever operando em no-contato e em contato.

Fig. 7 - Foras entre a ponteira e a amostra em funo da distncia entre elas, com os respectivos regimes de operao.

Na fig. 7 esto representadas as duas regies que determinam os modos de operao do AFM, onde, a rea abaixo da linha de fora nula, as foras so atrativas e acima da linha do zero, as foras so repulsivas. Os efeitos de uma variedade de foras atuando entre ponta-amostra podem ser analisados, essas foras incluem as foras atrativas de van der Waals, foras magnticas, e foras Coulombianas, de mdia para grandes distncias, tipicamente 100 [33]. Em resumo, quando a ponteira se aproxima da amostra, primeiramente atrada pela superfcie, devido a uma ampla gama de foras atrativas existentes na regio, como as foras de van der Waals. Esta atrao aumenta at que, quando a ponteira aproxima-se muito da amostra, os tomos de ambas esto to prximos que seus orbitais eletrnicos comeam a se repelir. Esta repulso eletrosttica enfraquece a fora atrativa medida que a distncia diminui. A fora anula-se quando a distncia entre os tomos da ordem de alguns angstroms (da ordem da distncia caracterstica de uma unio qumica). Quando as foras se tornam positivas, podemos dizer que os tomos da ponteira e da amostra esto em contato e as foras repulsivas acabam por dominar.

4.2 O INSTRUMENTO
No AFM, a ponta de prova varrida sobre a superfcie de uma amostra, onde esta ponta esta acoplada a um cantilever flexvel, foras entre a ponteira e a amostra causam deflexes muito pequenas deste suporte (cantilever), que so detectados e apresentados como imagens. O AFM usa muitos dos elementos originalmente desenvolvidos para o STM. Esses equipamentos comuns so: os sistemas de varredura, de aproximao ponta-amostra, de controle e de aquisio e processamento de dados, por esse motivo, as vezes, considerado como um modo de operao, e em alguns casos uma simples troca de cabeas (de tunelamento ou fora atmica) ir caracterizar um ou outro equipamento [30]. A ponteira apoiada num suporte chamado cantilever que pode ter forma de V ou de haste, em geral retangular. A fora que a amostra exerce sobre a ponteira determinada pela deflexo do cantilever, dada pela lei de Hooke F = -k x , sendo x o deslocamento do cantilever e k a sua constante de mola prpria, determinada pelas caractersticas de construo. O cantilever possui duas propriedades importantes: a constante de mola e sua freqncia de ressonncia. A primeira determina a fora entre a ponteira e a amostra quando esto prximas e determinada pela geometria e pelo material utilizado na construo do cantilever. O componente mais importante do AFM , sem dvida, o cantilever. So necessrias grandes deflexes para atingir alta sensibilidade. Portanto, a mola deve ser to macia quanto possvel. Por outro lado, preciso uma alta freqncia de ressonncia para minimizar a sensibilidade a vibraes mecnicas, especialmente quando se est fazendo a varredura. Como a freqncia de ressonncia do sistema da mola dada por: 0 = (k/m)1/2 Eq. 3

onde m a massa efetiva que carrega a mola, claro que um grande valor de 0 para uma mola relativamente mole (k pequeno) pode ser conseguido mantendo pequena a massa m e, portanto, a dimenso do sensor deve ser to pequena quanto possvel. Estas consideraes levam diretamente idia de utilizao de tcnicas de micro fabricao para produo de cantilevers. Abaixo, a fig.8 mostra a imagem de um cantilever obtida com um SEM da COPPE (UFRJ). Trata-se de um cantilever de Si3N4 (nitreto de silcio) de aproximadamente 210 m de comprimento no eixo maior, com ponteira piramidal integrada.

Fig. 8 - Cantilever com ponteira

Fig. 9 Imagens obtidas por um SEM de microcantilevers de SiO2 . (a) cantilever retangular. (b) cantilever em forma de V [27]. A ponteira pode ser colada ou solidria, isto , o cantilever pode ser diretamente fabricado com uma ponteira aguada em sua extremidade.

Fig. 10 (a) cantilever de SiO2 com ponta de diamante. (b) cantilever de Si com ponta integrada [34].

Fig. 11 Imagens SEM de cantilevers de Si3N4 com pontas piramidais integradas. (a) imagem de quatro cantilevers em forma de V acoplados em um bloco. (b) quatro pontas piramidais no cantilever em formato V. (c) as pontas piramidais so ocas vistas por cima. (d) viso de uma ponta individual, com aproximadamente 30 nm de raio [27]. As imagens de SPM derivam da combinao da superfcie da amostra e da ponteira utilizada. Um bom entendimento da interao amostra-ponteira importante para saber avaliar as imagens resultantes. Para isto, no apenas necessrio conhecer o material do qual a amostra feita, mas tambm a geometria e a composio da ponteira. 1 - Ponteiras piramidais. A ponteira mais comum em AFM uma pirmide de nitreto de silcio, cuja base um quadrado de aproximadamente 5 m de lado. O aspect ratio aproximadamente 1:1 e o raio da ponteira da ordem de 1000 . Existem tambm ponteiras piramidais de base triangular. 2 - Ponteiras por deposio qumica de vapor. Ponteiras muito finas e de alto aspect ratio podem ser feitas com um feixe de eltrons combinado com deposio qumica de vapor. Estas ponteiras so crescidas na extremidade de uma ponteira standard piramidal e possuem diamante em sua composio, o que as torna muito rgidas. Dimenses tpicas so: 1,5 a 2 m de comprimento, aspect ratio > 10:1 e raio de 100 . 3 - Ponteiras piramidais gravadas. So vendidas comercialmente, no feitio piramidal, mas trabalhadas com cido de forma que suas extremidades fiquem muito agudas. O aspect ratio delas de 2 a 3:1.

4 - Ponteiras cnicas de silcio. O silcio freqentemente utilizado para fazer ponteiras sobre cantilevers ressonantes, isto , para usar com modulao em no contato. Em contato, as ponteiras cnicas quebram mais facilmente que as piramidais. As ponteiras assim feitas possuem raios na base do cone de 3 a 6 m e alturas de 10 a 20 m, resultando em aspect ratios de 3:1. Os raios das extremidades so de aproximadamente 200 . Estas ponteiras feitas de silcio tm a vantagem ainda de que podem ser dopadas para faz-las condutoras tornado-as mais versteis. Elas podem ser utilizadas, por exemplo, para fazer microscopia de fora eltrica ou para prevenir cargas no desejadas na ponteira e/ou na amostra. Onde Aspect ratio a relao entre comprimento e raio ou dimetro. As deflexes do cantilever so usualmente medidas de trs maneiras: deteco pela corrente de tunelamento, deteco por capacitncia e deteco ptica [30]. A deteco por corrente de tunelamento usa uma segunda ponta sensora que monitora as deflexes no cantilever, para isso, o cantilever deve ser de material condutor ou possuir cobertura condutora. Na deteco por capacitncia, o sistema sensvel a mudanas fraccionais na capacitncia entre o cantilever e uma placa detectora. No caso da deteco ptica, utiliza-se um feixe de laser incidindo sobre o cantilever e refletindo em fotodetectores. A figura abaixo, mostra os mtodos de deteco das deflexes do cantilever.

Fig. 12 Mtodos de deteco de deflexo de cantilevers em AFM. (a) por tunelamento. (b) por capacitncia. (c) ptica por feixe de laser. [30]

O AFM opera basicamente de dois modos: Fora constante e Altura constante. Como no STM, no modo Fora constante o circuito de realimentao move a ponta (ou amostra), de maneira que a aproxima ou a afasta, para tentar manter constante o espaamento pontaamostra. No modo Altura constante, a ponta move-se somente sobre o plano xy e mantm constante o eixo z[30].

5 APLICAES
A primeira e mais importante aplicao para o STM e AFM, est relacionada com o estudo de superfcies de metais e semicondutores, atravs da qual pode-se observar a geometria da estrutura atmica, bem como a estrutura eletrnica das superfcies.

O STM pode tambm ser usado para investigar processos fsicos e qumicos que ocorrem nas superfcies, dentre esses processos est a adsorvio em superfcie de metais e semicondutores, a adsorvio molecular, a observao de formao de aglomerados sobre superfcies (aglomerados de metais e aglomerados de semicondutores), nucleao e crescimento de filmes (por exemplo crescimento de filmes metlicos, crescimento de Si sobre Si (001)), reaes qumicas nas superfcies de metais e semicondutores (estudo das reaes qumicas que ocorrem nas superfcies, so importantes, pois algumas aplicaes tecnolgicas utilizam corroses e catlises) [27]. Pode-se utilizar o STM para criar uma tcnica de anlise superficial para o estudo das propriedades das superfcies, podendo assim modificar ou fazer gravaes em algumas superfcies em escala nanomtrica [27]. Vide figura abaixo:

Fig. 13 Xennio sobre superfcie de Ni (110).

Outra aplicao para o STM e AFM, est no estudo da estrutura superficial de materiais biolgicos, dentre eles: cidos nucleicos (RNA e DNA), as protenas e membranas biolgicas (membranas celulares e clulas) [27]. O AFM possui varias aplicaes, dentre as quais a grande maioria se iguala s aplicaes para o STM [27] [34], porm para anlises de materiais biolgicos, o AFM apresenta algumas vantagens, pois se trabalha em ar ou meio lquido e utiliza a fora atmica ao invs de corrente tunelamento para gerar imagens [30], pode ser usado em baixas temperaturas para a observao de estruturas biolgicas congeladas, entre outras [27] [34]. Algumas aplicaes tecnolgicas adicionais para o AFM incluem imagens de circuitos integrados, componentes pticos e de raio-x, elementos armazenados em meios de comunicao e outras superfcies crticas [27]. Para a microeletrnica o STM foi e de grande importncia, pois foi possvel a caracterizao de defeitos, inclusive pontuais em estruturas, deixando de ser apenas uma mera anlise estatstica. A fig. 14 mostra a superfcie do Si (111) 7x7 feita por um STM operando no modo corrente constante, que foi um segredo por mais de vinte anos, derrubando assim quase todos os modelos previstos desta estrutura.

Fig. 14 - (a) Perspectiva STM da imagem de uma rea (320 x 360) da superfcie Si(111)7x7, obtida atravs do modo de operao por corrente constante. (b) Correspondente da viso area [31].

A fig. 15 mostra uma imagem obtida pelo STM operando no modo altura constante.

Fig. 15 - Vista area de uma imagem STM de rea (70 x 70) com intercalao superficiais compostas por C8Cs-grafite, obtidas atravs do modo de operao altura constante [31].

A fig. 16, mostra uma imagem 3D de um crescimento de InP (Fosfeto de ndio) sobre um substrato de InP .

Abaixo, a figura mostra uma anlise do perfil de uma linha sobre a superfcie de InP crescido sobre InP, onde a anlise mostra um grfico da altura do crescimento na superfcie, da proporo de crescimento, do perfil de crescimento e do espectro de freqncia.

Fig. 17 Anlise feita por software do perfil de uma linha sobre uma amostra de InP crescido sobre InP.

A figuras 16 e 17, foram obtidas por um AFM em operao no LPD do Instituto de Fsica da UNICAMP. O AFM da marca Park Scientific Instruments - Autoprobe CP.

6 - CONCLUSO

Um aspecto interessante do STM sua natureza de anlise no destrutiva, no provocando danos irreversveis na amostra. Trocas locais reversveis provocadas na superfcie devido ao campo eltrico gerado pela ponta de prova no podem ser tomados como regra. Por outro lado o STM pode ser usado como para induo permanente intencional na estrutura local ou na modificao qumica , possibilita estimular seletivamente o processo qumico pela escolha apropriada da energia do eltron ou fora de campo, a fim de produzir alterao estrutural causada pelo impacto da ponta sobre a superfcie, ou alta diferena de potencial aplicado juno ponta-amostra. Tanto o STM como o AFM podem ser operados em ar ou em meio lquido. Pode-se considerar um AFM simplesmente como um modo de operao, pois transformar um STM num AFM pode se restringir apenas a uma troca de pontas. Ambas as tcnicas de microscopia, possuem uma infinidade de aplicaes, porm certos materiais so mais apropriadas anlise em um microscpio do que em outro. Na anlise de materiais biolgicos o AFM apresenta uma srie de vantagens em relao ao STM, pois se trabalha em ar ou meio lquido e utiliza a fora atmica ao invs de corrente tunelamento para gerar imagens. Entretanto, relatos de sucesso na obteno de imagens pelo STM sem metalizao da amostra e sob algumas circunstncias, mostraram que algumas biomolculas conduzem corrente eltrica. Outra vantagem do AFM sobre o STM que permite estudar no apenas materiais condutores, mas tambm todo tipo de material isolante, j que o mtodo no utiliza corrente de tunelamento para produo de imagens. Quanto a resoluo, o STM, que consegue verdadeira resoluo atmica. A corrente de tunelamento uma exponencial da distncia entre a ponteira e a amostra; portanto, s interagem os tomos mais prximos. No AFM, a dependncia da deflexo do cantilever, com a distncia ponteira-amostra mais fraca (no exponencial) e portanto, vrios tomos da ponteira interagem simultaneamente com vrios tomos da amostra. No AFM cada tomo da ponteira que participa na imagem "v" a amostra como uma rede peridica. Devido a que os tomos da ponteira esto localizados lateralmente em forma diferente, a rede vista por cada tomo diferente. E mais, cada tomo da ponteira est a uma altura diferente com relao a amostra e a grandeza do sinal visto por cada tomo enfraquece com a distncia. Quando todas as contribuies de todos os tomos participantes na ponteira so combinadas instantaneamente e o resultado somado durante o tempo em que a ponteira varre a superfcie peridica, a imagem resultante peridica, tendo a simetria e o espaamento corretos. Entretanto, se estiver faltando um tomo, o lugar em que est faltando no ser detectado pois a imagem uma superposio de muitas imagens. Para ter uma real resoluo atmica deveramos poder detectar um tomo. Portanto, gerar uma imagem em escala atmica com um AFM no significa que obtivemos resoluo atmica. As imagens obtidas pelo STM representam somente a densidade de cargas prximas ao nvel de Fermi, as imagens obtidas pelo AFM correspondem a densidade de cargas total na regio de contato. No AFM, a ponta permanece fixa e a amostra que se move com uso de cermicas piezoeltricas nas direes dos trs eixos ortogonais, enquanto no STM a amostra fica fixa e a ponta que se move sobre a superfcie da amostra e utiliza tambm um sistema de cermicas piezoeltricas para se mover. Estes dois equipamentos so duas poderosas ferramentas na anlise de superfcies, pois com elas pode-se acompanhar processos de reaes, caracterizao de processos e uma infinidade de outras atividades.

7 - BIBLIOGRAFIA
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