JFET

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El JFET (transistor de efecto de campo de unin) es un tipo de FET que opera con una unin pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Segn su estructura, los JFET caen dentro de cualquiera de dos categoras, de canal n o de canal p.

La figura 1(a) muestra la estructura bsica de un JFET de canal n (transistor de efecto de campo de unin). Cada extremo del canal n tiene una terminal; el drenaje se encuentra en el extremo superior y la fuente en el inferior. Se difunden dos regiones tipo p en el material tipo n para formar un canal y ambos tipos de regiones p se conectan a la terminal de la compuerta

FIGURA 1

Transistores de efecto de campo de unin (JFET)

Contactos hmicos Drenador D Regin de agotamiento

Puerta G

Fuente S

Transistor de efecto campo de unin (JFET)

Puerta

Fuente

Drenador

Operacin bsica

Para ilustrar la operacin de un JFET, la figura 3 muestra los voltajes de polarizacin de cd aplicados a un dispositivo de canal n. VDD genera un voltaje entre el drenaje y la fuente y suministra corriente del drenaje a la fuente. VGG establece el voltaje de polarizacin en inversa entre la compuerta y la fuente, como se muestra.

FIGURA 3

El JFET siempre opera con la unin pn de compuerta-fuente polarizada en inversa. La polarizacin en inversa de la unin de compuerta-fuente con voltaje negativo en la compuerta produce una regin de empobrecimiento a lo largo de la unin pn, la cual se extiende hacia el canal n, y por lo tanto, incrementa su resistencia al restringir el ancho del canal.

Smbolos de JFET

Los smbolos esquemticos tanto para los JFET de canal n como de canal p se muestran en la figura 7. Observe que la flecha en la compuerta seala la entrada del canal n y la salida del canal p.

FIGURA 7

CARACTERSTICAS Y PARMETROS DEL JFET

El JFET opera como un dispositivo de corriente constante controlado por voltaje. En esta seccin se abordan el corte y el estrangulamiento, as como las caractersticas de transferencia del JFET.

Considere el caso en que el voltaje entre la compuerta y la fuente es cero (VGS = 0V). Esto se produce poniendo en cortocircuito la compuerta con la fuente, como en la figura 8(a) cuando ambas se conectan a tierra. A medida que VDD (y por lo tanto VDS) se incrementa a partir de 0 V, ID lo har proporcionalmente, como muestra la grfica de la figura 8(b) entre los puntos A y B.

FIGURA 8

Voltaje de estrangulamiento

Con VGS = 0, el valor de VDS al cual ID se vuelve esencialmente constante [el punto B sobre la curva mostrada en la figura 8(b)] es el voltaje de estrangulamiento, Vp. Para un JFET dado, Vp tiene un valor fijo. Como se puede ver, un incremento continuo de VDS por encima del voltaje de estrangulamiento produce una corriente casi constante en el drenaje. Este valor de la corriente en el drenaje es IDSS ( Drenaje a fuente con la compuerta en cortocircuito) y siempre viene especificada en las hojas de datos de los JFET. IDSS es la corriente mxima en el drenaje que un JFET especfico es capaz de producir sin importar el circuito externo y siempre se especifica en la condicin, VGS = 0 V.

Ruptura

Como se muestra en la grfica de la figura 8(b), la ruptura ocurre en el punto C cuando ID comienza a incrementarse muy rpido con cualquier incremento adicional de VDS. La ruptura puede daar irreversiblemente el dispositivo, as que los JFET siempre se operan por debajo de la ruptura y dentro de la regin activa, (corriente constante), (entre los puntos B y C en la grfica).

VGS controla a ID

Conctese un voltaje de polarizacin, VGG, de la compuerta a la fuente, como se muestra en la figura 9(a). A medida que VGS se ajusta a valores cada vez ms negativos al ajustar VGG, se produce una familia de curvas caractersticas del drenaje, como muestra la figura 9(b)

FIGURA 9

Observe que ID se reduce a medida que se incrementa la magnitud de VGS a valores negativos ms grandes debido al estrechamiento del canal. Observe tambin que, con cada incremento de VGS, el JFET llega al punto de estrangulamiento (donde comienza la corriente constante) con valores de VDS menores que Vp. El trmino estrangulamiento no es el mismo que voltaje de estrangulamiento, Vp. Por consiguiente, VGS controla la cantidad de corriente en el drenaje, como ilustra la figura 10.

FIGURA 10

Voltaje de corte

El valor de VGS que hace que ID sea aproximadamente cero es el voltaje de corte. VGS(off), como muestra la figura 10(d). El JFET debe operar entre VGS = 0 V y VGS(off). Con este intervalo de voltajes de compuerta a fuente, ID vara desde un mximo de IDSS hasta un mnimo de casi cero. Como se ha visto, para un JFET de canal n, mientras ms negativo es VGS, ms pequea llega a ser ID en la regin activa. Cuando VGS tiene un valor negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero. El estrechamiento de la regin de empobrecimiento provoca este efecto de corte hasta un punto donde el canal se cierra por completo, como muestra la figura 11.

FIGURA 11

La operacin bsica de un JFET de canal p es igual a la de un dispositivo de canal n excepto, porque un JFET de canal p requiere un VDD negativo y un VGS positivo, como ilustra la figura 12.

EJEMPLO 1

Para el JFET mostrado en la figura 13, VGS(corte) =-4 V e IDSS = 12 mA. Determine el valor mnimo de VDD requerido para situar el dispositivo en la regin de operacin de corriente constante cuando VGS = 0 V.

Caracterstica de transferencia universal de un JFET

La figura 14 es una curva de caracterstica de transferencia que ilustra grficamente la relacin entre VGS e ID. Esta curva tambin se conoce como curva de transconductancia

FIGURA 14

La curva de caracterstica de transferencia tambin puede desarrollarse a partir de las curvas de la caracterstica de drenaje graficando los valores de ID correspondientes a los valores de VGS tomados de la familia de curvas de drenaje en el punto de estrangulamiento, como ilustra la figura 15 para un conjunto especfico de curvas. Cada punto sobre la curva de caracterstica de transferencia corresponde a valores especficos de VGS e ID en las curvas del drenaje.

FIGURA 15

Con la ecuacin anterior, ID puede determinarse para cualquier VGS si VGS (corte) e IDSS se conocen. En general, estas cantidades se encuentran en la hoja de datos de un JFET dado. Observe el trmino elevado al cuadrado en la ecuacin. Debido a su forma, una relacin parablica se conoce como ley cuadrtica, de ah que los JFET y los MOSFET tambin se conozcan como dispositivos de ley cuadrtica.

EJEMPLO 2

La hoja de datos parcial para un JFET 2N5459 indica que en general IDSS = mA y VGS (corte) =- V (mximo). Con estos valores, determine la corriente en el drenaje con VGS = 0 V, -1 V y -4 V.

Transconductancia en directa de un JFET

La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cambio de la corriente en el drenaje (ID) correspondiente a un cambio dado del voltaje entre compuerta y fuente (VGS) con el voltaje entre drenaje y fuente constante. Se expresa como un cociente y su unidad es el siemens (S).

Debido a que la curva de transferencia de un JFET no es lineal, gm cambia de valor de acuerdo con la ubicacin en la curva determinada por VGS. El valor de gm es ms grande cerca del extremo superior de la curva (cerca de VGS = 0) que cerca del extremo inferior (casi VGS(corte)), como ilustra la figura 16.

Una hoja de datos normalmente da el valor de gm medido con VGS = 0 V (gm0). Por ejemplo, la hoja de datos del JFET 2N5457 especifica una gm0 mnima de 1000 mhos (el mho es la misma unidad que el siemens (S) con VDS = 15 V. Dada gm0, se puede calcular un valor aproximado para gm en cualquier punto sobre la curva caracterstica de transferencia con la frmula siguiente:

Otras designaciones comunes para este parmetro son gfs y yfs (admitancia de transferencia en directa)

EJEMPLO 3

La hoja tcnica para un JFET 2N5457: en general, IDSS = 3.0 mA, VGS(corte) =-6 V mximo y gfs(mx) = 5000 S. Con estos valores, determine la transconductancia en directa con VGS =-4 V y localice ID en este punto.