INSTITUTO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE

CHIAPAS

Arquitectura de
Computadoras II
Catedrático: L. I. Enrique Farrera Aguilar

Expositores:
Chacón Aguirre Paulina Yanneth
Digheros de la Cruz Manuel Alberto
Zepeda Cruz Enrique

6to Cuatrimestre Julio de

 Dispositivos
De
Almacenamiento
 qAlmacenamiento magnético.

qAlmacenamiento óptico.

Tipos de qAlmacenamiento magneto-

Almacenamie óptico (híbrido, Disco magneto-
opticos)
nto
qAlmacenamiento electrónico ó
de estado sólido (Memoria
Almacenamiento
Magnético
Cinta magnética g né t ic o
Disco ma

Disquete
Disco Duro
Almacenamiento Magnético
Almacenamiento Magnético
Almacenamiento Magnético
Almacenamiento
Óptico
ALMACENAMIENTO
OPTICO
Las memorias  en  disco  óptico almacenan  información  usando 
agujeros minúsculos grabados con un láser en la superficie de un 
disco circular.  La información se lee iluminando la superficie con 
un diodo  láser y  observando  la  reflexión.  Los  discos  ópticos 
son no volátil y de acceso secuencial. 
dispositivo
OPTICO
Todos usan el mismo Usan técnicas similares para
medio (material) leer y escribir los datos

Las técnicas de almacenamiento óptico usan la precisión

exacta que sólo se obtiene con rayos láser.

La unidad enfoca un rayo láser sobre la superficie de un

disco giratorio.

Algunos puntos del disco reflejan la luz en un sensor

(plano = se interpreta como un 1) y otros dispersan la luz
(orificio = se interpreta como un 0).
dispositivos
OPTICOS
•CD, CD-ROM, DVD:  Memorias  de  simplemente  solo  lectura,  usada 
para  distribución  masiva  de  información  digital  (música,  vídeo, 
programas informáticos).

•CD-R, DVD-R, DVD+R:  Memorias  de  escritura  única  usada  como 

memoria terciaria y fuera de línea.

•CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y 
lectura rápida usada como memoria terciaria y fuera de línea.

•Blu-ray: Formato de disco óptico pensado para almacenar vídeo de 
alta calidad y datos. Para su desarrollo se creó la BDA, en la que se 
encuentran, entre otros, Sony o Phillips.

•HD DVD
 ¿Cómo se organizan los datos en un disco?

La técnica de escritura perfora el disco, disponiendo los datos 
en sectores, a lo largo de una espiral contínua. 

                             
                                                                  
            
 CD-ROM

Sólo lectura (Al escribirlo, el disco es físicamente

agujereado, por lo que no se puede reescribir).
El disco y la unidad están separados.
Portable y liviano.
Almacenan aproximadamente 650 MB.
Alta precisión.

WORM (CD-R)

Escribir una vez, leer muchas (Al escribirlo, el disco es

físicamente agujereado, por lo que no se puede
reescribir).
El disco y la unidad están separados.
Portable y liviano.
Almacenan aproximadamente 650 MB.
Alta precisión.
 DVD (Digital Video Disc)

Sólo lectura (Al escribirlo, el disco es físicamente agujereado,
   por lo que no se puede reescribir).
El disco y la unidad están separados.
Portable y liviano.
Almacenan entre 4,7 y 17 GB. (133 minutos de alta resolución
   de video).
Alta precisión.

Unidades regrabables de cambio de fase

Pueden escribirse más de una vez (El rayo láser altera la estructura 
molecular del disco).
No pueden ser leídos por una unidad de CD-ROM convencional.
 Tipos de dispositivos:
• Tipos de dispositivos ópticos:
ØCD-R: Disco compacto de 650MB de capacidad. Puede
ser leído pero el contenido no se puede modificar una
vez grabado.
ØCD-RW: Es igual que el CD-R pero es regrabable, es
decir, se puede modificar su contenido.

ØDVD-ROM: Son discos compactos

gran capacidad. (4’7GB. 7 veces más
que un CD-R o CD-RW).

07/26/09 dispositivos de almacenamiento 16

 Tipos de dispositivos:
Ópticos
ØDVD-RAM: Es un disco con una capacidad de 2’6 GB
en una cara y 5’2 GB en un disco de doble cara. Puede
leer CD-R o CD-RW pero no es capaz de escribir sobre
estos.
ØPc-Cards: Tienen el tamaño de una tarjeta de
crédito. (Debido a su pequeño tamaño,
son usadas para el almacenamiento
de datos, aplicaciones, tarjetas de
Memoria, cámaras electrónicas y
Teléfonos celulares).

ØFlash Cards: Tarjetas de memoria no volátil. Los

datos en ellas almacenadas pueden ser leídos,
modificados o borrados. (Son utilizadas en cámaras digitales,
móviles y dispositivos digitales de música entre otros)

07/26/09 dispositivos de almacenamiento 17

C
D
DV
D
Almacenamiento
Electrónico
ó de
Estado Sólido
Memoria semiconductor

Usa circuitos integrados

basados en semiconductores
para almacenar información
 Funcionamiento
Tiene un conjunto de columnas y filas con
una celda que tiene dos transistores en cada
intersección. Ambos transistores están
separados por una fina capa conductora.
Uno de los transistores se conoce como
puerta flotante, y el otro como puerta de
control. La única conexión de la puerta
flotante con la fila de un extremo es por
medio de la puerta de control. Mientras las
dos puertas no estén unidas, el valor es 1.
Para cambiar el valor a 0, se necesita
Estas memorias están basadas en el
transistor FAMOS (Puerta flotante
Avalancha-Inyección de semiconductor de
óxido metálico) que es, esencialmente, un
transistor NMOS con un conductor (basado
en un óxido metálico) adicional entre la
puerta de control y los terminales
fuente/drenador contenidos en otra puerta
o bien que rodea a la puerta flotante y es
quien contiene los electrones que
¿Qué es la memoria flash NAND?

Flash NAND es un tipo de memoria no

volátil que se accede como un dispositivo
de almacenamiento masivo (por ejemplo,
una unidad de disco duro). Una forma de
lectura programable y borrable
electrónicamente memoria (EEPROM),
NAND flash está programado, borrado y
reprogramado en grandes bloques. Se
llama NAND porque en el circuito de nivel,
es similar a la función lógica NAND. Otro
tipo de flash NOR Flash
¿Cuál es la estructura de una celda NAND?

Un flash de celda se compone de dos

transistores puertas separadas por una
delgada capa dieléctrica de óxido. Una
puerta que se llama la puerta flotante y el
otro el control de puerta. Rodea un
aislante dieléctrico de la compuerta
flotante. Cuando no hay exceso de
electrones en la puerta flotante, la célula
se encuentra en el borrado ("1") y el
estado tiene un umbral relativamente bajo
("encender") de tensión. En el programado
("0") del Estado, un exceso de electrones
¿Qué es la memoria flash NOR?

En las memorias flash de tipo NOR, cuando

los electrones se encuentran en puerta
flotante, modifican (prácticamente anulan)
el campo eléctrico que generaría la puerta
de control en caso de estar activo. De esta
forma, dependiendo de si la celda está a 1
ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe
o no. Entonces, cuando se lee la celda
poniendo un determinado voltaje en puerta
de contrl, la corriente eléctrica fluye o no
en función del voltaje almacenado en la
celda.
 NOR

NAD
La presencia/ausencia de corriente se
detecta e interpreta como un 1 ó un 0,
reproduciendo así el dato almacenado. En
los dispositivos de celda multi-nivel, se
detecta la intensidad de la corriente para
controlar el número de electrones
almacenados en puerta flotante e
interpretarlos adecuadamente.
Dióxido de
Silicon Pistas de
metal

Sustrado de
Silicon