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Apostilas de Eletrnica e Informtica Aspctos Construtivos de Transistores

ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES


TRANSISTORES DE JUNO POR LIGA Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primrdios de 1950, foram feitos pelo processo de juno de liga de germnio. Neste processo, as junes pn eram formadas pela liga de germnio com outro metal. Nos transistores pnp, duas pelotas de ndio, que formariam as ligaes do emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas sobre os lados opostos de uma fatia de germnio monocristalino do tipo n. A fatia de germnio, que formava a base, tinha aproximadamente 50 Pm de espessura. O conjunto inteiro era aquecido num gabarito ou modelo a uma temperatura de cerca de 500 C, e parte do ndio era dissolvida no germnio para formar germnio tipo p no resfriamento. Deste modo, duas junes pn eram formadas, conforme indicado na seo transversal simplificada na Figura 8.40. Os fios de ligao foram presos s pelotas de ndio como fios condutores do emissor e do coletor, um tablete de nquel preso base para proporcionar a ligao da base e montar o transistor sobre uma travessa, O transistor era depois encapsulado num invlucro de vidro ou de metal. Os transistores NPN eram fabricados por este processo usando germnio do tipo p para a base, e pelotas de chumbo-antimonio em vez de ndio. O processo de juno por liga ainda usado atualmente em alguns transistores de potncia de audiofreqncia. O desempenho de um transistor de juno por liga limitado pela largura da base. Em particular, a freqncia de corte inversamente proporcional largura da base. Se o conjunto foi aquecido durante um tempo mais longo para permitir que mais ndio se dissolva de modo que a juno pn penetre mais na fatia de germnio, h o risco de as junes se unirem e de no acorrer ao de transistor, Por causa da dificuldade de controlar a largura da base com, a preciso maior do que a da espessura da fatia original, a largura da base foi mantida em aproximadamente l0 Pm. Isto deu aos primeiros transistores de juno por liga uma freqncia de corte de cerca de 1 MHz, embora os refinamentos feitos posteriormente no processo de fabricao permitissem que esta freqncia fosse aumentada para 5 ou 10 MHz.

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Durante os anos de 1950, outros tipos de transistor foram desenvolvidos para superar as limitaes do transistor tipo de juno por liga. Um destes foi o transistor de liga difundida. Neste, duas pelotas que formavam o emissor e a base foram ligados do mesmo lado de uma fatia de germnio do tipo p que constitua o coletor. A pelota da base continha impurezas do tipo n, enquanto que a pelota do emissor continha tanto impurezas do tipo p quanto do tipo n. At se aquecer o conjunto a 800 C ocorria a liga, mas alm disso ocorria a difuso das impurezas do tipo n no germnio do tipo p antes da liga. No resfriamento, ficava formada uma fina camada do tipo n enlaando ambas as pelotas, com uma camada do tipo p apenas sob a pelota do emissor, Deste modo, um transistor pnp com uma estreita camada de base ficou formado. Em virtude da estreita camada da base, a freqncia de corte deste tipo de transistor era de proximadamente 600 a 800 MHz. O transistor de liga difundida foi amplamente usado nas aplicaes de alta freqncia, at que foi substitudo pelo transistor epitaxial planar de silcio. Um outro tipo de transistor desenvolvido originalmente com germnio em 1956 foi o transistor-mesa. Este transistor foi desenvolvido para aprimorar as caractersticas de chaveamento ou comutao e o desempenho nas altas freqncias dos transistores ento existentes. O princpio era o ataque qumico das bordas ou transies da estrutura do transistor para diminuir as reas da juno e assim reduzir as capacitncias. A forma resultante era uma mesa ou plat, conforme indicado na Figura 8.41. Os ransistores-mesa de germnio originais eram capazes de comutar formas de onda com tempos de crescimento de 1 ps, e tinham um desempenho nas altas freqncias comparvel ao da tipo de liga difundida.

Figura 8.41 Sero transversal do transistor mesa O princpio da tecnologia mesa por ataque qumico usada amplamente no momento em muitos tipos de transistores. Ele permite que as transies do transistor sejam controladas, em particular que as transies da juno coletor-base sejam claramente definidas. O ataque qumico mesa tambm constitu um processo preliminar na passivao, a "vedao" das transies de transistor para evitar a contaminao das transies da juno e a conseqente variao das caractersticas durante o servio.

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A introduo de silcio durante a dcada de 1950 proporcionou ao fabricante de transistores um novo material com vantagens considerveis sobre o germnio. Em particular, os transistores de silcio suportaro uma temperatura mais alta na juno e tero correntes de fuga mais baixas do que os transistores de germnio. As tcnicas de liga desenvolvidas para o germnio foram aplicadas ao silcio, Os transistores pnp de silcio foram fabricados de uma fatia de silcio do tipo n (que formava a base) na qual as pelotas do emissor e do coletor foram ligadas do mesmo modo que nos transistores de juno por liga de germnio. O material usado nas pelotas da liga era alumnio. TRANSISTORES DIFUNDIDOS Desde cedo compreendeu-se que as regies de impureza nos transistores de silcio podiam ser difundidas numa fatia de material depositada na superfcie por vaporizao, e que este processo tinha considerveis vantagens sobre o processo de liga. Em particular, o maior controle possvel sobre o processo tornou mais fcil fabricar dispositivos com caractersticas superiores aos dos transistores de liga. Um transistor NPN de silcio podia ser feito por duas difuses numa fatia do tipo n que formaria o coletor do transistor completo. A primeira difuso, formando a base, usava impurezas do tipo p, tais como o boro ou glio, e cobria toda a superfcie da fatia. A segunda difuso formava o emissor, difundindo impurezas do tipo n, tais como fsforo ou arsnico na regio da base j difundida. As ligaes eltricas da base foram feitas fazendo-se a liga dos contatos de retificao atravs do emissor base, Um refinamento deste processo de fabricao usado atualmente nos transistores de silcio de alta potncia. A descoberta de que o xido de silcio termicamente crescido sobre a superfcie da fatia podia formar uma barreira para a difuso, e assim podia ser usada para definir as regies de impureza, deu ensejo ao aparecimento de uma nova tcnica de fabricao de transistores - o processo planar. TRANSISTOR PLANAR O processo planar revolucionou a fabricao dos transistores. Pela primeira vez na fabricao de dispositivos eletrnicos, podiam ser aplicadas as verdadeiras tcnicas de produo em massa. O processo permitia o controle mais rigoroso sobre a geometria do dispositivo, melhorando assim o desempenho. Durante os anos de 1950, o transistor havia sido primeiro uma inovao, depois considerado como um equivalente da vlvula terminica. Com a introduo do processo planar em 1960, o transistor estabeleceu-se como um dispositivo com um desempenho superior ao da vlvula na eletrnica de "propsitos gerais". A operao nas, freqncias at a regio de microondas tornou-se possvel. Assim como ocorreu na operao dos transistores de

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potncia nas radiofreqncias. E foi o processo planar que tornou o mais importante dispositivo semicondutor dos dias de hoje - o circuito integrado. O princpio do processo planar a difuso de impurezas nas reas de uma fatia de silcio definidas pelas janelas numa camada de xido de cobertura. Os vrios estgios na fabricao de um transistor NPN planar de silcio so mostrados na Figura 8.42. Uma fatia de silcio monocristalino do tipo n (que formar o coletor do transistor completo) aquecida at aproximadamente 1l00 C numa corrente de oxignio mido. A temperatura controlada para melhor do que + - 1 grau C, e uma camada uniforme de dixido de silcio de 0,5 Pm de espessura acrescida Figura 8.42 (a). a fatia revestida em rotao com uma fotorresistncia, um material orgnico que polimeriza quando exposto luz ultravioleta, produzindo uma camada de cerca de 1 Pm de espessura a fotorresistncia seca por cozimento. Uma mscara que define a rea da base colocada sobre a fatia exposta. No desenvolvimento da fotorresistncia, a rea no exposta removida (dando acesso camada de xido), enquanto que a rea exposta permanece e endurecida por outro cozimento para resistir ao ataque qumico. Este ataque qumico remove o xido descoberto para determinar a rea de difuso. A fotorresistncia remanescente dissolvida, deixando a fatia pronta para a difuso da base - Figura 8.42 (b). O boro usado para formar o silcio tipo p na regio da base. A fatia passada atravs de um tubo de difuso num forno. Uma corrente de gs passada sobre a fatia que contm uma mistura de oxignio com tribrometo de boro BBr3 ou diborano (boroetano) B2H6. O composto de boro
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se decompe, e fica formado um vidro rico em boro sobre a superfcie da fatia. A partir disto, o boro difundido no silcio atravs da janela aberta na base. O vidro ento removido por um ataque qumico, e a fatia aquecida numa corrente de oxignio num segundo forno. Isto faz o boro penetrar mais na fatia, e cresce uma camada de xido de vedao sobre a superfcie. A profundidade a que penetra o boro determinada pelo controle cuidadoso da temperatura do forno e pelo tempo durante o qual a fatia aquecida. A estrutura resultante mostrada na Figura 8.42 (c). Figura 8.42 Estgios na fabricao de transistor planar NPN de silcio (a) camada de xido crescida (b) janela da base aberta (c) base difundida, xido de vedao crescido (d) janela de emissor aberta (e) emissor difundido, xido de vedao crescido (f) janelas de conexo abertas (g) almofadas de conexo formadas (h) forno de difuso tpico da fabricao de transistores (i) encapsulamentos tpicos de transistores - fila superior, da esquerda para a direita: TO-5 TO-72, TO-39, TO-18, TO-92, "T pack", "Lockfit"; fila inferior, da esquerda para a direita; TO-220, TO-126, TO-3 "base grossa", TO-3 "base fina". O prximo estgio no processo planar a difuso do emissor. A fatia revestida com uma fotorresistncia como antes, e uma Segunda mscara usada para definir a rea de difuso. A exposio, o desenvolvimento e o ataque qumico so os mesmos como na difuso da base que acabamos de descrever. A estrutura antes da difuso do emissor mostrada na Figura 8,42 (d). O fsforo usado para formar a regio do emissor do tipo n. A corrente de gs no forno de difuso desta vez contm oxignio e oxicloreto de fsforo POCl3, tribrometo de fsforo PBr3 ou fosfina PH3. Fica formado um vidro rico em fsforo, do qual o fsforo difundido para formar um silcio do tipo n na regio da base do tipo p j difundida. Um segundo forno leva o fsforo a uma profundidade controlada e forma uma camada de xido de vedao, conforme mostrado na Figura 8,42 (e). O estgio final nesta parte do processo de fabricao consiste na formao das ligaes para as regies da base e do emissor. Uma terceira mscara usada para definir os contatos da base e do emissor, sendo os processos fotogrfico e de ataque qumico os mesmos que os descritos anteriormente - Figura 8.42 (f). A fatia est coberta com alumnio pela evaporao sobre a superfcie para formar uma camada de espessura de cerca de 1 Pm. Uma quarta mscara, o inverso da terceira, ento usada para definir as reas onde o alumnio deve ser quimicamente atacado, deixando apenas as almofadas de contato para ligaes eltricas - Figura 8.42 (g). O processo at agora foi descrito por clareza como se apenas um transistor estivesse sendo fabricado. Na prtica, muitos milhares de dispositivos so fabricados ao mesmo tempo. As fatias de silcio, usadas presentemente so de 5 cm de dimetro, contendo at 10 000 transistores, mas fatias de 7,5 cm de dimetro esto comeando a ser usadas, Mais do que 100 fatias so processadas ao mesmo tempo num forno de difuso, Mesmo nos primeiros dias
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do processo planar, quando fatias de silcio foram usadas com 2,5 cm de dimetro contendo 2 000 transistores, o processo representava um aumento considervel na capacidade de produo sobre o processo de juno por liga, com uma conseqente queda do custo unitrio. Um forno de difuso tpico mostrado na Figura 8.42 (h). Este um forno duplo de banco triplo, e mostrado sendo carregado com lotes de fatias de silcio para difuso. Processos de difuso semelhantes aos descritos nos transistores NPN podem ser usados para fabricar transistores pnp. Uma fatia de silcio do tipo p usada, e o fsforo difundido para formar as regies da base do tipo n. Quando as regies do emissor esto formadas, no entanto, h uma tendncia para que o boro se concentre na camada de xido que est crescendo em vez de na base de silcio do tipo n, e as tcnicas especiais de difuso devem ser usadas. Da descrio dos processos de difuso ser evidente que a preciso das mscaras usadas para definir as reas de difuso de importncia primordial. O primeiro estgio na preparao das mscaras usa um filme opaco descartvel em que uma forma transparente cortada. A rea transparente representa a rea de difuso particular, a base, emissor, ou rea de contato de um nico transistor, Um processo de reduo de 20:1 usado para reproduzir esta forma numa chapa fotogrfica de 50 mm X 50 mm. Esta chapa chamada um retculo. Uma cmara de passos sucessivos ou de repetio usada para reproduzir o retculo com uma reduo de 10 :1 num arranjo predeterminado numa segunda chapa fotogrfica. A preciso de posicionamento de cada reproduo do retculo no dispositivo maior do que 1 Pm. A segunda chapa fotogrfica chamada mestra, e a partir dela cpias de trabalho so feitas para uso nos processos de difuso. Para evitar defeitos nas mscaras, todos os processos fotogrficos e de fabricao ocorrem nas reas de "ar puro" sob umidade e nveis de poeira cuidadosamente controlados. O alinhamento cuidadoso das mscaras com as fatias essencial se a geometria do transistor deve ser recisamente controlada. O alinhamento pode ser feito por um operador que usa um microscpio, ou no equipamento mais recente feito automaticamente. A exposio da mscara na fatia pode ser feita com a mscara e a fatia grampeadas juntas, ou em algum equipamento pela projeo de uma imagem da mscara na fatia. A preciso da superposio da mscara e das reas difundidas previamente sobre a fatia melhor do que 1 Pm. Os processos fotogrficos que precedem a difuso devem ocorrer cm condio de "ar puro". Os processos de fabricao depois de ter sido formado o elemento de transistor so os mesmos tanto para transistores NPN quanto para os pnp. Todos os transistores da fatia so individualmente testados. Isto feito por meio de sondas que podem mover-se ao longo de uma fila de transistores sobre a fatia testando cada um; localizar a transio da fatia, passar para a prxima fila, e
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mover-se ao longo desta fila testando estes transistores. Quaisquer transistores que no alcancem a especificao requerida so automaticamente marcados de modo que possam ser rejeitado; num estgio posterior. A fatia dividida em transistores individuais escrevendo com um estilete de diamante, e quebrando a fatia em pastilhas individuais. neste estgio que os transistores defeituosos so rejeitados, Os transistores restantes so preparados para o encapsulamento. A camada de xido removida do lado do coletor da pastilha, que depois ligada a uma travessa revestida de ouro. A ao de ligadura ocorre pela reao euttica do ouro e do silcio a 400 C. Este contato forma a ligao do coletor. So usados fios de alumnio ou de ouro de 25 Pm de dimetro para ligar as almofadas de contato do emissor e da base dos fios condutores de sada na travessa. Fios mais grossos podem ser usados se o valor de regime de corrente (contente nominal) do transistor o requerer. O estgio final da montagem o encapsulamento, ou num invlucro hermeticamente vedado ou cm plstico moldado, dependendo da aplicao do transistor. Encapsulamentos tpicos de transistores so mostrados na Figura 8.42 (i). O transistor planar possui vantagens sobre o tipo de juno por liga alm do custo mais baixo pela fabricao de produo em massa. Durante cada progresso da difuso, uma camada de xido crescida sobre as transies da juno, a qual no perturbada durante os processos subseqentes de difuso e de montagem. Assim, a juno coletor-base, uma vez que ela seja formada vedada pela camada de xido, no pode ser facilmente contaminada pela difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de vida do transistor em servio. Os efeitos de carga que ocorrem nas superfcies expostas dos dispositivos semicondutores so minimizados, dando aos transistores planares caractersticas estveis e mxima confiabilidade, Alm disso, a difuso um processo que pode ser precisamente controlado, e portanto o espaamento entre as trs regies do transistor pode ser mantido numa tolerncia inferior a 0,1 Pm. TRANSISTORES com estreitas larguras de base podem ser fabricados para possibilitar a operao nas alta freqncias, bem acima de 1 GHz Uma desvantagem do transistor planar ocorre atravs da resistividade do coletor. Para altas tenes de ruptura, a resistividade deve ser alta. Por outro lado, para uma alta corrente de coletor a resistividade deve ser baixa. Estes dois requisitos conflitantes devem significar que um valor de compromisso deve ser escolhido nos transistores prticos. O conflito pode ser resolvido, no entanto, constitui o substrato. A fatia pode ser do tipo p ou do tipo n, de acordo com o tipo de transistor, e um valor tpico de resistividade 1 X 10 -5 m, A camada eptaxial crescida no substrato por deposio de vapor num reator aquecido por radiofreqcia, o substrato senda mantido numa temperatura entre 1000 C e 1 200 C. O vapor de silcio formado pela decomposio de um composto de silcio, tal como u tetracloreto de silcio SiCl4 com hidrognio, e as impurezas podem ser acrescentadas ao vapor para dar camada a resistividade requerida. Nos substratos n, as impurezas que podem ser usadas incluem o fsforo, o arsnico e o antimnio. Desses materiais o arsnico e o antimnio so preferidos
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porque eles tm baixas constantes de difuso. Nos substratos p, as impurezas usuais do tipo p alumnio e glio no podem ser usadas porque suas constantes de difuso so demasiado altas e as impurezas tenderiam a migrar da camada epitaxial para dentro do substrato durante a fabricao do transistor. Portanto, o boro usado. Os tomos de silcio na camada epitaxial assumiro as mesmas posies relativas que os tomos no substrato. Assim, a rede cristalina quase perfeita do substrato de silcio mono-cristalino reproduzida na camada epitaxial. A espessura da camada est entre 10 Pm e 12 Pm, e um valor tpico da resistividade 1 x 10 ' Dm. Assim, a massa do coletor no transistor formada pelo substrato de baixa resistividade.

Figura 8.43 Seo transversal simplificada de transistor epitaxial planar A formao do elemento transistor na camada epitaxial segue os mesmos estgios que os do transistor planar descrito anteriormente. Uma seo transversal simplificada do elemento transistor completo mostrada na Figura 8.43. FORMAS ESPECIAIS DE TRANSISTORES DE JUNO Atualmente o fabricante de transistores tem uma variedade de tcnicas e de materiais sua disposio. Geometrias especiais para manipulao de grandes potncias ou operao em radiofreqncias tm sido desenvolvidas e assim a faixa de operao do transistor foi ampliada. Alm disso, outros processos e difuso, gravao em mesa e a escolha dos nveis de dopagem permitem que os transistores sejam fabricados com caractersticas especiais para satisfazer a requisitos particulares. Os transistores de potncia de germnio foram fabricados durante o incio da dcada de 1950 "aumentando proporcionalmente" os transistores de juno por liga de pequenos sinais. A rea das junes foi aumentada, e a pelota do coletor foi ligada ao invlucro para assegurar uma baixa resistncia trmica. Tais transistores podiam dissipar 10 W, mas apresentaram uma rpida queda no ganho para correntes acima de 1 A. No final da dcada de 1950, o emissor de
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ndio era dopado com glio para aumentar a dopagem do emissor e portanto aprimorar o ganho nas altas correntes. Os aperfeioamentos neste tipo de transistor permitem que ele seja usado atualmente com potncias de at 30 W. Os primeiros transistores de potncia de silcio foram introduzidos no final de 1950, e usaram as tcnicas de difuso. As regies da base e do emissor foram sucessivamente difundidas num lado de uma fatia de silcio do tipo n, e a ligao eltrica base foi feita pela liga dos contatos de retificao atravs do emissor. Este tipo de transistor apresentou um bom ganho at uma corrente de 5 A. Os refinamentos ao processo de fabricao durante os anos de 1960 levaram ao atual transistor de potncia difundido capaz de manipular correntes de at 30 A e potncias de at 150 W. Dois processos de fabricao so usados para este tipo de transistor de potncia, os processos de difuso simples e de difuso tripla. O processo hometaxial ou de difuso simples usa uma difuso simultnea sobre os lados opostos de uma pastilha de base homognea, formando regies de emissor e de coletor fortemente dopadas. O emissor gravado em mesa para permitir que a ligao eltrica seja feita com a base. Este tipo de transistor reduz o risco de pontos quentes pelo uso de uma base homognea, a base larga proporciona boas propriedades de segunda ruptura, e o coletor fortemente dopado proporciona baixa resistncia eltrica e trmica. Os transistores de potncia por difuso tripla so fabricados difundindo-se as regies da base e do emissor num lado de uma bolacha do coletor. A terceira difuso forma um coletor difundido fortemente dopado sobre o outro lado. Este tipo de transistor tem um alto valor de regime de tenso, muitas vezes capaz de suportar tenses de 1 KV ou mais. O processo epitaxial planar permite que outros aprimoramentos sejam feitos nos transistores de potncia. Em altas densidades de corrente, pode ocorrer contrao de corrente. Esta a causa da segunda ruptura. A transio do emissor torna-se mais polarizada diretamente do que o centro, de modo que a corrente concentra-se ao longo da periferia do emissor. portanto necessrio projetar estruturas de base-emissor que diferem das geometrias anular ou em forma de pera dos transistores de pequeno sinal, e o aumento proporcional no mais pode ser feito. Um emissor com uma longa periferia necessrio. Duas estruturas que tm sido usadas com sucesso so a estrela e a floco de neve, os nomes servindo para descrever a forma do emissor. Estas estruturas no podem ter sido produzidas em transistores prticos sem a tcnica planar de difuso atravs de uma frma na camada de xido. Estruturas mais complexas de base-emissor podem ser produzidas para combinar a grande rea do emissor e a periferia longa requerida para manipulao de alta potncia com o restrito espaamento requerido para operao de alta freqncia. Foram desenvolvidas geometrias para possibilitar aos transistores de potncia operar nas radiofreqncias. Uma tal geometria a estrutura interdigitalizada onde os contatos da base esto inseridos entre os
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contatos do emissor. Uma outra a estrutura sobreposta onde um grande nmero de tiras separadas do emissor so interligadas pela metalizao numa regio de base comum. Com efeito, um grande nmero de transistores de alta freqncia separados so conectados em paralelo para conduzir uma grande corrente. Os transistores que usam estas estruturas podem operar nas radiofreqncias, com potncias tpicas de 175 W a 75 MHz e 5 W a 4 GHz. Uma outra estrutura usada em transistores de potncia a estrutura mexa ou de base epitaxial. Uma camada epitaxial levemente dopada crescida num coletor fortemente dopado, e uma simples difuso usada para formar o emissor na camada de base epitaxial. A estrutura resultante gravada em mesa. Os transistores mexa so reforados e tm baixa resistncia de coletor. Os transistores de potncia so usualmente encapsulados em invlucros metlicos possibilitando a montagem num dissipador de calor. Nos ltimos anos, no entanto, tem havido certa tendncia para os encapsulamentos plsticos. Isto tem diminudo consideravelmente o custo do encapsulamento do transistor sem afetar o desempenho. Uma placa de metal incorporada no invlucro plstico para garantir um bom contato trmico entre o elemento transistor e um dissipador de calor. Um transistor de potncia usado como transistor de sada num amplificador geralmente requer um transistor pr-amplificador para proporcionar potncia de entrada suficiente. Se ambos os transistores forem montados sobre dissipadores de calor, uma considervel quantidade do volume do amplificador ser ocupada por esses dois transistores. Um desenvolvimento recente permite que seja economizado espao combinando-se os transistores pr-amplificador e de sada na mesma frao de pastilha de silcio num encapsulamento. Esta construo o transistor de potncia Darlington, que pode ter um ganho de corrente de at l 000 e sadas de potncia de at 150 W.

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Figura 8.44 Diagrama de circuito do transistor de potncia Darlington O diagrama de circuito de um transistor Darlington mostrado na Figura 8.44. Os dois transistores e os resistores de base-emissor so formados numa frao de pastilha por difuses sucessivas usando o processo de base epitaxial. Um dodo tambm pode ser formado atravs dos terminais de coletor e de emissor para proteo, se requerida. Os ganhos de corrente dos dois transistores so controlados durante a fabricao, de modo que o ganho global varia linearmente ao longo de uma faixa da corrente de coletor. Esta linearidade de ganho combinada com espaamentos menores do que ocorreria com transistores discretos ligados no mesmo circuito. Estas vantagens do transistor Darlington so combinadas com uma desvantagem: o alto valor de VCE(sat). Os transistores para operao em alta freqncia ou para chaveamento rpido devem Ter espaamentos estreitos entre o emissor, a base e o coletor. Duas geometrias so geralmente usadas: a base de anel e a base de tira ou fita. A estrutura de base em anel "reduzida proporcionalmente" a partir da estrutura anular usada para os transistores de baixa freqncia. A estrutura de base em tira, que geralmente preferida para operao em freqncias mais altas, mostrada na Figura 8.45. Muitas dessas estruturas podem ser ligadas em paralelo para aumentar a capacidade de transporte de corrente, formando a estrutura interdigitalizada j descrita para os transistores de potncia de RF. As capacitncias internas do transistor, e as capacitncias esprias da montagem e do invlucro, devem ser mantidas to baixas quanto possvel para evitar a restrio do limite das freqncias superiores. Um processo de fabricao epitaxial planar deve ser usado para manter baixa a resistncia do coletor. O nvel da dopagem escolhido para se adequar freqncia de operao e tenso.

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Figura 8.45 Estruturo "stripe-base "para transistores de alta freqncia. Na estrutura de base em tira, duas dimenses so crticas para o limite das freqncias superiores. Estes so a largura da tira do emissor (We na Figura 8.45) e a largura da base Wb. Nos transistores da atualidade que operam at a regio de microondas, a largura do emissor pode ser to baixa quanto 1 Pm e a largura da base 0,1 Pm. TRANSISTOR DE UNIJUNO Como se deduz do nome, um transistor de unijuno contm apenas uma juno, embora ele seja um dispositivo a trs terminais. A juno formada fazendo-se a liga da impureza tipo p num ponto ao longo do comprimento de uma fatia de silcio do tipo n da forma de barra curta. Esta regio do tipo p chamada emissor. Contatos de no-retificao so feitos nas extremidades da barra para formar as ligaes da base 1 e da base 2. A estrutura de um transistor de unijuno mostrada na Figura 8.46 (a), e o smbolo do circuito na Figura 8.46 (b).

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figura 8.46 Transistor de unijuno: (a) estrutura simplificada (b) smbolo de circuito A resistncia entre as ligaes da base 1 e da base 2 ser a da barra de silcio. Isto mostrado no circuito equivalente na Figura 8.47 como RBB, e tem um valor tpico entre 4 k ohms e 12 k ohms. Uma tenso positiva aplicada base, o contato da base 2 estando conectado ao terminal positivo. A base age como um divisor de tenso, e uma proporo da tenso positiva aplicada juno do emissor. O valor desta tenso depende da posio do emissor ao longo da base, e est relacionada tenso na base, VBB, pela razo n intrnseca. O valor de n determinado pelos valores relativos de RB1 e RB2, e est geralmente entre 0,4 e 0,8.

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Figura 8.47 Circuito equivalente de transistor de unijuno

Figura 8.48 Caracterstica de tenso/corrente de transistor de unijuno A juno pn do emissor representada no circuito equivalente pelo dodo. Quando a tenso VE do emissor for nula, o dodo ser polarizado inversamente pela tenso nVBB. Flui apenas a pequena corrente inversa. Se a tenso do emissor for aumentada gradualmente, alcanado um valor onde o dodo se
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torna polarizado diretamente e comea a conduzir. Os buracos so injetados do emissor para a base, e so atrados para o contato da base 1. A injeo desses buracos reduz o valor de RB1, de modo que flui mais corrente do emissor para a base 1, reduzindo mais o valor de RB1. O transistor de unijuno atua portanto como uma chave comandada por tenso, variando desde uma resistncia "desligada" alta at uma resistncia "ligada" baixa numa tenso determinada pela tenso da base e pelo valor de n. A caracterstica de tenso/corrente num transistor de unijuno mostrada na Figura 8.48. Pode ser visto que depois do dispositivo ter sido disparado ou comandado, h uma regio de resistncia negativa sobre a caracterstica. Isto permite que o transistor de unijuno seja usado nos circuitos osciladores, bem como em circuitos simples de disparo. CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES DE JUNO Os atuais transistores de juno podem ser classificados de incio quanto ao material semicondutor do qual eles so fabricados, germnio ou silcio. Uma outra classificao depois quanto aos tipos NPN e pnp. Em seguida conveniente grup-los em tipos de baixa potncia, potncia mdia e alta potncia. As divises entre os grupos so um tanto arbitrrias, mas valores tpicos so como segue. Nos transistores de germnio, os dispositivos de baixa potncia tero potncias abaixo de 150 mW, os dispositivos de potncia mdia, at 1 W, e os dispositivos de alta potncia acima de 1 W para um limite superior tpico de 30 W. Nos transistores de silcio, os dispositivos de baixa potncia tm potncias abaixo de 500 mW, os dispositivos de potncia mdia at 10 W, e os dispositivos de potncia alta acima de 10 W at um limite tpico de 150 W. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Um transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um canal de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja condutividade controlada por uma tenso aplicada externamente. A corrente transportada por um tipo apenas de portador de carga; eltrons nos canais formados de material de semicondutor do tipo n, buracos nos canais de material do tipo p. transistor de efeito de campo portanto s vezes chamado transistor unipolar. Isto para distingui-lo do transistor de juno, cuja operao depende de ambos os tipos de portador de carga, e que portanto chamado transistor bipolar. Os dois tipos de transistor de efeito de campo (FET): o FET de juno (JFET) e o FET de porta isolada (IGFET). O FET de porta isolada mais comumente usado o MOSFET, as iniciais MOS significando Metal xido Semicondutor e indicando a estrutura do transistor. O nome abreviado MOST. A operao terica do FET foi descrita por Willaim Shockley em 1952. Somente a partir de 1963, no entanto, que os dispositivos prticos em geral passaram a ser encontrados. O atraso foi conseqncia do fato de que as tcnicas de fabricao no estavam suficientemente avanadas at esta data,
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sendo essencial o processo planar para a fabricao dos FETs. Isto constituiu um exemplo de como o trabalho terico sobre dispositivos do estado slido nos primeiros dias do transistor estava muitas vezes frente da tecnologia do dispositivo. ASPETOS DO FET DE JUNO A estrutura esquemtica de um FET de juno mostrada na Figura 8.49. O dispositivo mostrado um FET de canal n, formado de uma fatia em forma de barra de silcio monocristalino do tipo n, da qual so difundidas duas regies do tipo p. As ligaes so feitas s extremidades do canal, a fonte e o dreno, e s regies p, a porta.

Figura 8.49 Estrutura esquemtica do transistor de juno por efeito de campo ASPETOS DO FET DE PORTA ISOLADA A estrutura do FET de porta isolada difere da do FET de juno h pouco descrito em dois aspectos: nenhum canal separado de transporte de corrente est construdo, e a construo da porta diferente. Um canal que transporta corrente formado pela acumulao de cargas debaixo do eletrodo porta. A prpria porta no uma regio difundida, mas uma fina camada de metal isolada do restante do FET por uma camada usualmente de xido. Assim, a estrutura do FET de porta isolada constituda de sucessivas camadas de Metal, xido, e de material Semicondutor - dando ao transistor seu nome alternativo de MOSFET, ou, em forma abreviada, transistor MOS ou MOST. Em virtude do material semicondutor usado presentemente ser em geral o silcio, as iniciais MOS so muitas vezes interpretadas como Metal xido Silcio.

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Figura 8.57 Seo transversal simplificado do MOSFET de canal n.

TRANSISTOR GTO Acionamento O tiristor GTO tem uma estrutura de gate altamente interdigitada sem gate regenerarivo, em consequncia disso, um alto pulso de engatilhamento do gate necessrio para acion-lo. O pulso de disparo e seus parmetros esto descritos na figura abaixo. Figura 1

Para garantir que o aparelho permanea em conduo durante o seu acionamento, a corrente de gate deve ser aplicada no aparelho durante todo o perodo de conduo. Se uma alta corrente reversa de ando passar no circuito, ento altos valores de Ig sero necessrios. Deve-se notar que valores menores de Ig sero necessrios quando o aparelho j estiver esquentado.
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DESLIGAMENTO A performance de desligamento do tiristor GTO muito influenciada pelas caractersticas dos componentes do circuito turn-off. Em consequncia disso, muitos cuidados devem ser para ajustar as caractersticas com as necessidades do aparelho. Os principais parmetros do aparelho no desligamento so dados abaixo. Figura 2

O desligamento de gate funciona do diagrama abaixo. Onde L a resistncia da chave sw1 ( no linear ), C um capacitor e sw2 e R3 as altas impedncias do circuito desligado.

Figura 3

O processo de desligamento do gate pode ser sub-dividido em trs perodos, extrao da carga do gate, o perodo avalanche Tg (av) e a queda da corrente. Aps a queda da corrente, o gate deveria idealmente estar reversamente polarizado. Transistor IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Estrutura: A fig. 1 mostra a estrutura de um tpico canal N de um IGBT.

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A estrutura muito similar a um mosfet verticalmente fundido apresentando um dupla propagao da regio tipo N e da tipo P. A camada de inverso pode ser formada atravs do gate aplicando a tenso certa no contato do gate como no mosfet. A principal diferena o uso da camada P+ como dreno. O efeito muda-lo para um aparelho Bipolar enquanto a regio tipo P injeta buracos na regio tipo N. Operao: Operao de Bloqueio: O estado ligado /desligado do aparelho controlado, como em um mosfet, pela tenso no gate VG. Se a tenso aplicada no contato gate, em relao ao emissor, menor que a tenso inicial, ento nenhuma camada de inverso mosfet criada e o aparelho desligado. Quando esse o caso, qualquer tenso aplicada ir cair atravs da juno J2 reversamente polarizado. A nica corrente que ir fluir ser uma pequena corrente de fuso da camada formada sobre o gate que faz um canal ligando a fonte regio drift do aparelho. Eltrons ento so injetados da fonte para a regio drift, enquanto ao mesmo tempo, a juno J3, que diretamente polarizada, injeta buracos na regio drift dopada de N-.

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Essa injeo causa a modulao da regio drift onde ambos buracos e eltrons tem bem mais magnitude que a dopagem N- original. essa modulao de condutividade que da ao IGBT sua baixa tenso de acionamento devido a baixa resistncia da regio drift. A operao do IGBT pode ser considerada como um transistor PNP cuja a corrente drive de base suprimida pela corrente mosfet atravs do canal. Um circuito equivalente simples pode ser mostrado na fig.3 a.

A fig.3 b mostra um circuito equivalente mais completo, que inclui o transistor parasita NPN formado pela fonte mosfet do tipo N+, pela regio tipo P e pela regio tipo N-. Se o fluxo da corrente pela resistncia alto o suficiente, ir produzir um aqueda de tenso que ir polarizar diretamente a juno com a regio N+ ligando o transistor que forma parte de um tiristor. Quando isso ocorre, h uma alta injeo de eltrons da regio N+ para a regio P e todo o controle do gate perdido. Isso geralmente destri o aparelho.
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