ENG02213-MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

SEGUNDA LISTA DE EXERCCIOS

1) A resistividade do silcio intrnseco a 270
o
K 3000Om. Calcule a densidade de portadores intrnsecos, considerando
e
=0,17
m
2
/V.s e
p
=0,035 m
2
/V.s.

2) Um cubo de silcio com 10mm de lado na temperatura ambiente tem 10
19
tomos/m
3
de Ga (impurezas tipo P) e 1,5x10
19
tomos
/m
3
de As (tipo N) no material. Determine a resistncia entre quaisquer duas faces opostas. Assuma que n
i
=1,5x10
16
/m
3
,
e
=0,12
m
2
/V.s e
p
=0,05 m
2
/V.s.

3) Calcule a corrente em um diodo polarizado diretamente com uma tenso de 0,65 V. Considere que o diodo de Si e o comprimento
de difuso dos eltrons na regio P igual ao de lacunas na regio N (0,2 mm). Considere o fator de idealidade 1,5.
Dados: rea da juno: 10
-6
m
2

N
D
= 10
21
/m
3

N
A
= 3 x 10
20
/m
3

D
e
= 0,0031 m
2
/s
D
p
= 0,0013 m
2
/s

4) No modelo de transistor de juno bipolar com estrutura ideal, considerando um transistor NPN sendo o emissor e a base com a
mesma dopagem do diodo do problema anterior e com o coletor dopado adequadamente e considerando que a espessura da base seja
20 m e a espessura do emissor seja 50 m, estime o ganho na configurao emissor comum.


FRMULAS

R A = . / J nev =
n p n
i
. =
2

P E
E E kT
F
( )
exp{( ) / }
=
+
1
1

o
t
=
ne
m
2


E h f = .
V R I = . J =oc
o = + n e p e
e p
. . . .

D
D
kT
e
e
e
p
p

= =
B E
q q o =
o
o
|

=
1

2
2
1
1
|
|
.
|

\
|
=
Le
B
B

q
E E
B B
E

o
o
q = 1

V
kT
e
n N p P
n
kT
e
N N
n
i
D A
i
0 2 2
=

(
=

(
ln
( ). ( )
ln I A J = .

(
(

+ =
) ( ) (
.
2
0
N n L
D
P p L
D
n e J
p
p
e
e
i

|
|
.
|

\
|

= 1 exp
kT
eV
I I
o
q



Compensao de dopagem:
quando n
i
>>|N
D
- N
A
| :

n = n
i
+ (N
D
- N
A
)/2

p = n
i
- (N
D
- N
A
)/2

quando n
i
<<|N
D
- N
A
| :
e N
D
> N
A
:

n = N
D
- N
A


p = n
i
2
/ (N
D
- N
A
)

quando n
i
<<|N
D
- N
A
| :
e N
D
< N
A
:

p = N
A
- N
D


n = n
i
2
/ (N
A
- N
D
)


CONSTANTES E
DADOS DO SI L CI O
a Temp. Ambiente

1 eV= 1,60x10
-19
J
e = 1,60x10
-19
C
m = 9,11x10
-31
kg
k = 1,38x10
-23
J/K

e
= 0,12 m
2
/Vs

p
= 0,05 m
2
/Vs
n
i
= 1,5 x 10
16
e
-
/m
3
kT/e {25C}=0,0258 V
D
e
= 0,0031 m
2
/s
D
p
= 0,0013 m
2
/s
T(K)=T(C)+273