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4 - TRANSISTORES DE POTNCIA :

4.1 - Introduo :

Os transistores de potncia apresentam caractersticas de chaveamento controlada. Os transistores, utilizados como elementos de chaveamento, operam na regio de saturao, apresentando uma baixa queda de tenso de conduo ( VCE 0 ). A velocidade de chaveamento dos transistores modernos muito maior do que a dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em anti-paralelo ( manter um caminho para a corrente ). Entretanto, as especificaes de tenso e corrente ainda so menores que a dos tiristores, sendo ento aplicados em baixa e mdia potncia. Os transistores de potncia podem ser divididos em : a) - transistor de juno bipolar - BJT; b) - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET; c) - static induction transistor - SIT; d) - insulated-gate bipolar transistor - IGBT Estes transistores so considerados como chaves ideais em tcnicas de converso de potncia. O chaveamento de um transistor mais simples que o chaveamento de um tiristor por comutao forada. Entretanto, a escolha entre um transistor bipolar e um MOSFET em um circuito de converso no bvia, mas qualquer um deles pode substituir o tiristor, contanto que suas especificaes de tenso e corrente satisfaam as condies impostas pelo conversor. Na prtica, os transistores apresentam certas limitaes e so restritos a algumas aplicaes. As caractersticas e a avaliao de cada tipo dever ser examinada para determinar o componente mais adequado para uma aplicao particular.

4.2 - Transistor de Juno Bipolar - BJT

O transistor bipolar formado pela adio de uma segunda regio p ou n em uma juno pn. Pode-se obter assim, um transistor NPN ou PNP. O transistor apresenta trs terminais : coletor ( C ), base ( B ) e emissor ( E ); e duas junes : coletor-base ( CB ) e base-emissor ( BE ).
C C

p
B

C B E E

n p
B

n p
E

Figura 4.1 : transistor NPN e PNP.


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4.2.1 - Caractersticas de Operao :

Existem trs configuraes bsicas de operao para o transistor bipolar : a) - Base-comum :


IC

RE IE VCB

RC IC

IE

+ VBB

+ VCC

IB

VCB

b) - Coletor-comum :
IC IB

RC + IB VBB RB VCE VCC IC

VCE

c) - Emissor-comum :
IC C IB A

RC IC VCE IB VCC B

RB + VBB -

Figura 4.2 : Configuraes para o Transistor Bipolar : a) Base-comum; b) Coletor-comum; c) Emissor-comum

VCE

Esta ltima configurao a mais utilizada para a operao do transistor como chave.

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Existem trs regies de operao para o transistor : corte (B), saturao (A) e regio ativa (C). Na regio de corte, o transistor est desligado ou a corrente IB no grande o suficiente para lig-lo e as junes esto reversamente polarizadas. Na regio ativa, o transistor funciona como um amplificador onde IC amplificada pelo ganho de corrente e a diminuio da queda VCE. A juno coletor-base est reversamente polarizada e a juno base-emissor, diretamente polarizada. Na regio de saturao, a corrente de base IB suficientemente grande, fazendo com que a tenso VCE seja muito baixa. Assim, o transistor opera como chave. Ambas as junes esto diretamente polarizadas. A curva mostrada na figura 4.3 d a caracterstica de transferncia VCE x IB.

VCE VCC

corte

ativa

saturao

VCE(SAT) IB 0.5 VBE(SAT) VBE

Figura 4.3 : Caracterstica de transferncia do transistor.

O transistor pode ser representado pelo seguinte modelo :


C

IC I CEO IB
B

IB IE
E

Figura 4.4 : Modelo simplificado do transistor.

IE = IC + IB I C = . I B + I CEO I E . I B + I B I B . (1 + )

(4.1) (4.2) (4.3)

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1 + I E I C . = 1+

(4.4)

(4.5) (4.6)

I E . I C

No circuito da figura 4.5, o transistor opera com chave. Assim, tem-se :


RC VCB
+ + +

IC VCE
-

RB + VBB IB

+ VCC -

VBE

Figura 4.5 : Transistor operando como chave. IB = VB VBE ; ........ I C = . I B RB

(4.7)

VB VBE VCE = VC = VCC R C . I C = VCC R C . . RB VCE = VCC Como : I C . VB RB RC RC . VB + . VBE RB RB

(4.8)

(4.9)

(4.10) (4.11)

VCC R C . I C VCB VBE = 0

Logo :
VCE = VCB + VBE VCB = VCE VBE

(4.12)

Enquanto VCE VBE, a juno CB est reversamente polarizada e o transistor est na regio ativa. A mxima corrente de coletor Icmax na regio ativa, determinada quando VCB igual zero.

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I CMAX = I BMAX

VCC VCE VCC VBE = RC RC I CMAX =

(4.13)

O processo continua at que a juno CB diretamente polarizada, apresentando uma queda VCB variando de 0,4V a 0,5V. Assim, o transistor vai para a saturao. A saturao de um transistor pode ser definida como o ponto acima do qual algum aumento na corrente de base no provoca uma aumento significativo na corrente de coletor. Na saturao : Na saturao : I C ( SAT ) = I B ( SAT ) = VCC VCE (SAT ) RC I C (SAT ) (4.14)

Normalmente, o circuito a transistor na configurao chave, definido por quanto IB maior que IBSAT , para garantir a saturao. A razo entre IB e IBSAT definido por fator de sobreacionamento - overdrive factor - ODF. ODF = IB I B (SAT ) (4.15)

E a razo : I C (SAT ) IB = F . for ado (4.16)

A potncia total dissipada nas duas junes :


PT = VBE . I B + VCE . I C

(4.17)

4.2.2 - Caractersticas de chaveamento :

A juno diretamente polarizada apresenta duas capacitncias em paralelo : capacitncia da camada de depleo e a capacitncia de difuso. A juno reversamente polarizada, apresenta apenas a capacitncia da camada de depleo. Em condies permanentes, estas capacitncias no apresentam problemas. Entretanto, em condies transitrias, elas influenciam nas caractersticas de ligar e desligar o transistor. O modelo do transistor para condies transitrias mostrado na figura 4.6.

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C cb B ib C

rbe

V be

C be gm.V be ie E

ro = rce

gm = i c V be

Figura 4.6 : Modelo dinmico do transistor. Ccb : capacitncia CB Cbe : capacitncia BE gm : transcondutncia rce : resistncia CE rbe : resistncia BE Ccb : Efeito Miller Devido as capacitncias internas, o transistor no liga e tambm no desliga instantneamente, como pode ser visto na figura 4.7.
VB VB1 kT

t
(1-k)T -VB2 IB IB1 IBSAT Ie = IB1 - IBSAT

t
-IB2 IC ICSAT 0,9ICSAT 0,1ICSAT

t td tr tn ts tf to

Figura 4.7 : Caracterstica de chaveamento do Transistor Bipolar.

Quando VB varia de zero at V1 e a corrente de base vai para IB1, a corrente de coletor no responde imediatamente. Existe um atraso ( delay time - td ) antes que alguma corrente IC comece a circular. Este atraso necessrio para se carregar a capacitncia da juno BE para uma tenso direta VBE ( 0,7V ). Aps este atraso, a corrente IC cresce para o valor Icsat. O tempo de subida ( rise time - tr ), depende da constante de tempo determinada pela capacitncia BE ( Cbe ).
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A corrente de base normalmente maior do que a necessria para saturar o transistor. Como resultado, h um excesso de carga armazenada na regio da base. Esta carga extra, que chamada de carga de saturao, proporcional ao excesso de IB. Assim a corrente Ie ( corrente de excesso ) dada por : Ie = I B I C (SAT ) = ODF. I B (SAT ) I B (SAT )

(4.18) (4.19)

I e = I B (SAT ) .(ODF 1)

A capacitncia de saturao QS : Q S = S . I e = S . I B (SAT ) .(ODF 1) s : constante de tempo de armazenamento do transistor. Quando a tenso VB vai de V1 para V2, e IB igual a -IB2, a corrente IC no muda durante o tempo de armazenamento ( storage time - ts ). Este o tempo necessrio para se remover a carga de saturao da base. Desde que VBE positiva e aproximadamente 0.7V, somente a corrente de base inverte sua direo devido a mudana de polaridade de VB. A corrente reversa -IB2, ajuda a descarregar a base. Sem esta corrente, o tempo necessrio seria muito grande. Uma vez a carga extra removida, a capacitncia da juno BE carrega, agora, com uma tenso -V2 e a corrente de base torna-se zero. O tempo de descida ( fall time - tf ) depende da constante de tempo, que determinada pela capacitncia de polarizao reversa da juno BE. O tempo necessrio para se ligar o transistor : ton = td + tr O tempo necessrio para se desligar o transistor : toff = ts + tf (4.20)

4.2.3 - Caracterstica trmica

O circuito trmico equivalente de um transistor mostrado na figura 2.6.


Tj R jc P T Tc R cs Rsa Ts

T a

Figura 4.8 : Circuito trmico do transistor.

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Tc = Tj P T . R jc Ts = Tc P T . R cs Ta = Ts P T . R sa Tj Ta = P T .( R jc + R cs + R sa )
RJC : resistncia trmica entre juno e invlucro; RCS : resistncia trmica entre invlucro e dissipador; RSa : resistncia trmica entre dissipador e ambiente. (4.21)

A mxima dissipao de potncia PT normalmente especificada temperatura TC = 25C. Se a temperatura ambiente TA aumentada um valor Tjmax igual a 150C, por exemplo, a dissipao de potncia do transistor zero. Por outro lado, se a temperatura da juno TC de 0C, o componente pode dissipar a potncia mxima, o que no prtico. Portanto, a temperatura ambiente e as resistncias trmicas devem ser consideradas quando da anlise do circuito. Os fabricantes fornecem as curvas de degradao trmica e de segunda quebra. Para explorar o transistor inteiramente, sem superaquecimento no chaveamento, deve-se utilizar a caracterstica apresentada na figura 4.9, que mostra a rea til de operao. Quando chaveado entre dois estados de operao ( corte e saturao ), fundamental que os valores instantneos de corrente e tenso caiam dentro do retngulo mostrado na figura. Observar que a escala na rea til de operao logartmica.
IC (A)
200 100 50 100ms 10ms 1ms 100s

10s

10

REA DE DISPARO VCE ( V )


5 10 50 100 500

0,1

Figura 4.9 : Tpica rea til de utilizao.

As perdas durante o chaveamento podem ser grandes, pois tenso e corrente no transistor podem ser altas, e o produto dessas duas grandezas define a potncia perdida, que, por sua vez, multiplicada pelo tempo de chaveamento, fornece a energia perdida. Grandes frequncias no chaveamento diminuem essas perdas, sendo que estas dependem da carga, dos parmetros do circuito, bem como da variao da corrente de base.
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4.2.4 - Tenses de ruptura :

Uma tenso de ruptura definida como a mxima tenso absoluta entre dois terminais, com o terceiro terminal em aberto, curto-circuitado ou polarizado tanto direta quanto reversamente. Na ruptura a tenso permanece constante enquanto que a corrente cresce rapidamente. As tenses de ruptura que se seguem so fornecidas pelos fabricantes : a) - VEB0 : mxima tenso entre emissor e base, com coletor aberto; b) - VCEV ou VCEX : mxima tenso entre coletor e emissor para uma tenso negativa aplicada entre a base e o emissor; c) -VCE0(SUS) : mxima tenso de sustentao entre o coletor e o emissor com a base aberta. Esta grandeza especificada para corrente e tenso de coletor mximas, aplicadas simultneamente sobre o transistor, com um valor especificado de carga indutiva.

4.2.5 - Operao em srie e paralelo :

Semelhante ao que ocorre com os SCRs, os transistores de potncia podem ser ligados em : a) -srie : de forma a aumentar a sua capacidade de tenso. importante observar que os transistores associados devem ser ligados e desligados ao mesmo tempo, evitando a destruio dos mesmos por alta tenso entre coletor e emissor. Estes transistores devem ter o mesmo ganho, transcondutncia, tenso limite, tenso direta, ton e toff. Da mesma forma, as caractersticas da base ( ou gate ) devem ser idnticas; b) -paralelo : de forma a aumentar a capacidade de corrente de carga. Como, na prtica, fica difcil obter dois transistores com as mesmas caractersticas, pode-se utilizar o mesmo mtodo da associao de dois ou mais SCRs, utilizando-se resistores e indutores de equalizao. c) -Darlington : uma das principais limitaes dos transistores bipolares de potncia o baixo valor do ganho de corrente CC ( muitas vezes inferior a 10 ), o que coloca problemas ao circuito de comando da base. Apesar da corrente de base ser elevada, a tenso base-emissor relativamente pequena, situando-se entre 1 e 2 volts, e assim, se a tenso da fonte controlada pelo transistor for elevada, o ganho de potncia elevado. O mtodo clssico de aumentar o ganho em corrente dos transistores bipolares a utilizao de transistores Darlington. A montagem Darlington constituda pela ligao de dois transistores NPN de acordo com a figura 4.10.

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IC1

I
B

IB

Q1 VCE 1

IC2 Q2 VCE 2
E

VBE

Figura 4.10 : Configurao Darlington.

A corrente de base do transistor Q2 que condiciona a corrente de coletor IC2, a corrente de emissor do transistor Q1

I = IC2 + IC1 = 2 .(1. IB ) + 1. IB = 2 .1. IB

( 4.22 )

Desta forma, obtm-se um ganho que o produto dos ganhos dos dois transistores. A montagem Darlington apresenta, entretanto, alguns inconvenientes : - o primeiro, uma m estabilidade com a temperatura. As correntes de fuga variam acentuadamente com a temperatura, devido ao fato da corrente de fuga de Q1 ser amplificada pelo transistor Q2. Para remediar este inconveniente, devem ser colocadas resistncias de estabilizao de pequeno valor. As potncias dissipadas nestas resistncias so pequenas, pois as tenses a que elas so submetidas so de baixo valor; - o segundo, uma queda de tenso direta VCE superior de um s transistor. Com efeito, a tenso de saturao da montagem igual soma da tenso VBE2 ( cuja ordem de grandeza de 1 volt ) e da tenso de saturao VCE1 ( de ordem de grandeza de alguns dcimos de volt ).

4.2.6 - Protees dV/dt e di/dt para o transistor : Os transistores necessitam de tempos ton e toff. Se os tempos td e tr so desprezados, as formas de onda de tenso e corrente tpicas de um transistor bipolar, apresentam a forma mostrada na figura 4.11.
VCE VCE(SAT

VCC t IC IC(SAT) ICARGA tr tf

Figura 4.11 : Caracterstica de tenso e corrente do Transistor Bipolar.


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Durante o turn-on ( tr ), a corrente cresce e o di/dt :

di I L IC(SAT ) = = dt tr tr
Durante o turn-off, a tenso VCE cresce e, o dV/dt :

( 4.23 )

dV VS VCC = = dt tf tf

( 4.24 )

As condies di/dt e dV/dt preservam as caractersticas de chaveamento do transistor e devem ser satisfeitas durante o turn-on e o turn-off. Circuitos de proteo so normalmente utilizados de forma a manter os limites de di/t e dV/dt. Um circuito tpico apresentado na figura 4.12.
LS R DR + V S CS + V B RB Q RS D L IL

Figura 4.12 : Circuito de proteo contra dV/dt e di/dt para o transistor bipolar. Anlise : considerando a corrente de carga circulando pelo diodo de retorno DR, o transistor T1 ligado. Para esta situao, tem-se o seguinte circuito equivalente :
LS

DR + V S iD
R

IL

iC + V B RB Q

Figura 4.13 : Circuito equivalente quando T1 ligado.


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0 t tr : a corrente ic cresce at IL, enquanto que a corrente iDR decresce at zero, comutando o diodo de retorno DR. A taxa de crescimento da corrente di/dt :

di VS IC(SAT ) V = = LS = tr. S dt LS tr IC(SAT )

( 4.25 )

tr t tf : o capacitor CS se carregar uma tenso Vs, devido a corrente de carga IL agora circular por CS e pelo diodo D. O circuito equivalente para esta situao dada na figura 4.14.

LS

+ V S CS + -

IL

VC S

Figura 4.14 : Circuito para carga do capacitor CS.

A taxa de crescimento de tenso dV/dt que aparecer sobre o transistor :

I dV IC(SAT ) VS = = CS = tf . C(SAT ) dt CS tf VS

( 4.26 )

Uma vez a tenso Vcs igual VS, o diodo de retorno DR fica diretamente polarizado. Assim h a formao de um circuito ressonante RLC, cuja caracterstica a de um circuito com amortecimento crtico, mostrado na figura 4.15. O fator de amortecimento dado por :

( 4.27 )

Assim, deve ser igual a 1, logo :

RS L 1 = RS = 2. S CS 2. LS LS .CS

( 4.28 )

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LS + VL S -

DR + V S CS RS

IL

+ V - CS

Figura 4.15 : circuito equivalente RLC.

O capacitor CS descarrrega atravs do transistor e isto aumenta a taxa di/dt. Esta taxa pode ser evitada atravs de um resistor RS colocado em paralelo com o capacitor CS, ao invs de ser colocado em paralelo com o diodo. A corrente de descarga do capacitor CS dada na figura 4.16.

iCS

t
T = 1/fs

Figura 4.16 : Caracterstica de descarga.

A escolha de RS deve levar em conta a constante de tempo de descarga S ( RS.CS ). Usualmente o tempo de descarga equivale a 1/3 do perodo de chaveamento T. Assim :

3.s = T 3. RS .CS = 1 1 RS = fs 3.CS . fs


( 4.29 )

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4.3 - Transistor MOSFET :

O transistor bipolar um dispositivo de corrente controlada e, necessita de corrente de base para manter a corrente de coletor IC. Desde que IC depende de IB, o ganho torna-se altamente dependente da temperatura da juno do transistor. O transistor de potncia MOSFET um dispositivo de tenso controlada e, necessita apenas de uma pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento muito alta ( nanosegundos ). MOSFETs de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta frequncia. Estes transistores apresentam problemas de descargas eletrostticas, necessitando de cuidados especiais. Os MOSFETs podem ser divididos em dois tipos : a) - MOSFET de Depleo; b) - MOSFET de Intensificao. O MOSFET de Depleo pode ser de canal n ou p. O canal n formado por um substrato de silcio tipo p, com duas regies altamente dopadas de silcio tipo n+ com baixa resistncia de conexo. O gate isolado do canal n por uma fina camada de xido de Silcio. Os trs terminais so : gate ( G ); dreno ( D ) e fonte ( S ) . O substrato normalmente ligado fonte (S). A tenso entre gate e fonte ( VGS ) pode ser, tambm, positiva ou negativa. A figura 4.17 mostra a estrutura bsica de um com canal tipo n, e seu respectivo smbolo.

D xido metal + V GS G +

metal

n+ n
substrato p canal RD G + V D ID + V GS -

RD +

S -

V D

n+
S

Estrutura

Smbolo

Figura 4.17 : Estrutura e smbolo do MOSFET de canal n.

* ANLISE : - VGS < 0 : os eltrons do canal n so repelidos aumentando assim a camada de depleo prxima da camada xida. Assim, h uma diminuio na rea do canal n ( estrangulamento ), sendo estabelecida uma alta resistncia RDS. Deste modo, no h circulao de corrente IDS. Para IDS igual a zero, a tenso VGS chamada de tenso de estrangulamento ( pinch-off ) VP.
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- VGS > 0 : o canal n torna-se largo, reduzindo drasticamente a resistncia RDS sendo assim, estabelecida a corrente IDS. O MOSFET com canal p tem a s polaridades das tenses e correntes invertidas. O MOSFET de Intensificao no tem um canal fsico com o de Depleo. Para VGS < 0, a tenso atrai os eltrons ( portadores minoritrios ) do substrato p que so acumulados prximos da camada xida. Se VGS VT ( tenso limiar ), uma quantidade suficiente de eltrons acumulados formam um canal n, virtual, e a corrente IDS circula atravs do transistor. O mesmo ocorre para o MOSFET de Intensificao tipo p, onde as polaridades de tenso e corrente so invertidas.

4.3.1 - Caractersticas de regime permanente :

Os MOSFETs so circuitos de tenso controlada e possuem alta impedncia de entrada. O gate produz uma pequena corrente de fuga, na ordem de alguns nano-ampres. O ganho de corrente, que dado por :

ID IG

( 4.30 )

da ordem de 109. Este no um parmetro importante. A transcondutncia gm, que definida por :

gm =

ID VGS

( 4.31 )

define a caracterstica de transferncia e uma importante parmetro. A caracterstica de transferncia para uma MOSFET de Intensificao de canal n dada abaixo, na figura 4.18.
IDS

VGS VT

Figura 4.18 : Caracterstica de transferncia

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A caracterstica de sada para o mesmo MOSFET dada na figura 4.19.


IDS
REGIO LINEAR REGIO DE SATURAO VGS4 VDS = VGS - VT

VGS3

VGS2

VGS1

VDS
VGS = VT

Figura 4.19 : Caracterstica de sada.

Existem trs regies de operao para o MOSFET : regio de corte; regio de saturao e regio linear. Na regio linear ( VDS VGS - VT ), a corrente IDS varia proporcionalmente com a tenso VDS. Devido a alta corrente IDS e a baixa tenso VDS, os MOSFETs de potncia so operados na regio linear para efeito de chaveamento. Na regio de saturao ( VDS VGS - VT ), a corrente IDS permanece praticamente constante para alguma variao de VDS, sendo utilizados, nesta regio, para amplificao. A saturao ocorre quando VDS = VGS - VT . O modelo, em regime permanente, do MOSFET tanto para o tipo Depleo quanto o Intensificao, mostrado na figura 4.20.

D R1 + V G G VGS S

IDS

RD + VD -

R1 + V G -

G
o VGS r

IDS

RD + VD

VGS gm.

a) circuito

b) circuito equivalente

Figura 4.20 : Modelo do transistor MOSFET em regime permanente.

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A transcondutncia ( gm ) e a resistncia de sada ( r0 ) so dadas por :

gm =

ID VGS

VDS =cte

r0 = RDS =

VDS ID

( 4.32 )

4.3.2 - Caractersticas de chaveamento :

Sem nenhum sinal no gate, um MOSFET pode ser representado como dois diodos conectados em srie com os terminais opostos ou, como um transistor NPN. A estrutura do gate tem capacitncias parasitas : gate-fonte ( Cgs ) e gate-dreno ( Cgd ). O transistor NPN tem juno reversamente polarizada entre dreno e fonte, oferecendo uma capacitncia Cds . A figura 4.21 mostra o circuito equivalente para um MOSFET com um transistor bipolar parasita em paralelo.
D

Cdg
G

C ds Q R be
S

C gs

Figura 4.21 : MOSFET com transistor bipolar parasita.

A resistncia entre base e emissor Rbe do transistor parasita pequena. O MOSFET tambm pode ter um circuito equivalente com um diodo interno, como mostrado na figura 4.22. A capacitncia parasita Cds depende da tenso aplicada.
D

Cdg C ds
G

C gs
S

Figura 4.22 : MOSFET com diodo interno.


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O circuito equivalente para o MOSFET no chaveamento mostrado na figura 4.23, bem como as formas de onda e tempos caractersticos.
VDS V

C dg
G + Vgs S D

C gs C ds

r ds gm.Vgs

VGS V1 VGSP VT t td(on) tr td(off) tf

a)

b)

Figura 4.23 : a) Modelo transitrio; b) caracterstica de chaveamento.

- td(on) : tempo necessrio para carregar a capacitncia Cgs tenso de conduo VT; - tr : tempo necessrio para carregar o capacitor de entrada de VT at a tenso VGSP, que a tenso necessria para levar o transistor regio linear; -td(off) : o tempo necessrio para Cgs descarregar desde V1 at VGSP; -tf : tempo necessrio para a capacitncia Cgs descarregar at VT. Se VGS VT, o MOSFET desliga.

4.4 - IGBT ( Insullated Gate Bipolar Transistor ) :

Este componente associa as vantagens do transistor bipolar ( baixa perda durante a conduo ), com as do MOSFET ( alta impedncia de entrada ). Devido a sua estrutura, a resistncia entre dreno e fonte ( RDS ) do IGBT controlada de forma que o mesmo se comporte como um transistor bipolar. O smbolo do IGBT mostrado na figura 4.24.

D G

G E

Figura 4.24 : smbolo do transistor IGBT - canal n.

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O IGBT um componente controlado por tenso, Apresenta baixas perdas tanto no chaveamento quanto durante caractersticas semelhantes ao MOSFET, tais como : facilidade de ruggedness. Em termos de velocidade, o IGBT mais rpido que o lento que o MOSFET.

semelhante ao MOSFET. a conduo, apresentando acionamento, capacidade e transistor bipolar mas, mais

A especificao de corrente mxima para um IGBT de 400A em 1200V, e sua frequncia de chaveamento pode ser superior a 20kHz. Os IGBTs so utilizados em aplicaes de mdia potncia : acionamento de motores CA e CC; fontes de potncia; rels estticos; etc.

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