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ELETRNICA ANALGICA I
FEE / ITEC / UFPA
OFETCOMOAMPLIFICADOR
ANLISEDOFETPARAPEQUENOSSINAIS
ELETRNICA ANALGICA I
FEE / ITEC / UFPA
OMODELODOFETPARAPEQUENOSSINAIS
Inclinaodacurvano
pontoQ
PontoQ
Fatorde
transcondutncia
Podeserdeterminado
poranlisegrficaou
porumafuno
matemtica.
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ELETRNICA ANALGICA I
FEE / ITEC / UFPA
DEFINIOMATEMTICA:
quando
ELETRNICA ANALGICA I
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Folhadedados:
g
m
= y
]s
Logo, g
m
= g
m0
1 -
I
uS
I
P
Exemplo:
ou
g
m
= g
]s
BF245
MPF102
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ELETRNICA ANALGICA I
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Grfico de g
m
versusV
GS
g
m
= g
m0
1 -
I
uS
I
P
ELETRNICA ANALGICA I
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g
m
versusI
D
para umJFETcomI
DSS
=8mAeV
P
=4V.
IMPACTODEI
D
sobreg
m
Sabeseque:
1 -
I
uS
I
P
=
I

I
SS
g
m
= g
m0
1 -
I
uS
I
P
= g
m0
I

I
SS
g
m
= g
m0
I

I
SS
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ELETRNICA ANALGICA I
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IMPEDNCIADEENTRADADOFET
Z

= JFET:10
9

MOSFET:10
12
a10
15

I
6

ELETRNICA ANALGICA I
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IMPEDNCIADESADADOFET
Z
o
= r
d
=
1
y
os
Folhadedados
r
d
=
I
S
I

_
v
GS=ccnstcntc
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ELETRNICA ANALGICA I
FEE / ITEC / UFPA
MPF102
Exemplo
ELETRNICA ANALGICA I
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CIRCUITOEQUIVALENTECADOFET
6
ELETRNICA ANALGICA I
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CIRCUITOJFETCOMPOLARIZAOFIXA
ELETRNICA ANALGICA I
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Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
Ser
d
10R
D
:
CircuitoJFETcompolarizaofixa
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ELETRNICA ANALGICA I
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Ganhodetenso:
A

=
I
o
I

Ser
d
10R
D
:
Humdeslocamentodefasede180
o
entreV
i
eV
o
.
CircuitoJFETcompolarizaofixa
ELETRNICA ANALGICA I
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CIRCUITOJFETCOMAUTOPOLARIZAO
Rs comcapacitordedesvio
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ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETcomautopolarizao
Rs comdesvio
desviado
por
ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETcomautopolarizao
Rs com desvio
MesmocircuitoequivalenteCAobtidoparaocasodapolarizaofixa.
Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
Ser
d
10R
D
:
Ser
d
10R
D
: Ganhodetenso:
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ELETRNICA ANALGICA I
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CIRCUITOJFETCOMAUTOPOLARIZAO
EquivalenteCA,considerandor
d
= :
Rs semcapacitordedesvio
ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETcomautopolarizao
Rs semdesvio
Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
EstabelecerV
i
= 0 V V
g
= 0 V e V
RG
= 0 V
I
gs
= I
g
- I
s
= -I
s
I
gs
= -(I
o
+ I
dR
)R
S
I
o
+ I
dR
= g
m
I
gs
I
o
+ I
dR
= -g
m
(I
o
+ I
dR
)R
S
I
o
1 + g
m
R
S
= -I
dR
(1 +g
m
R
S
) I
o
= -I
dR
Ento, I
o
= -I
dR
R

I
o
= I
o
R

Z
o
= R

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ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETcomautopolarizao
Rs semdesvioeconsiderandooefeitoder
d
Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
Ser
d
10R
D
:
ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETcomautopolarizao
Rs semdesvioeconsiderandooefeitoder
d
Ganhodetenso:
Se
Humdeslocamentodefasede180
o
entreV
i
eV
o
.
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ELETRNICA ANALGICA I
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Exerccio
Para o circuito amplificador da figura abaixo, determine os parmetros g
m
, r
d
, Z
i
, Z
o
e A
v
considerando r
d
= e considerando o efeito de r
d
no circuito.
Dado: y
os
= 2u pS
ELETRNICA ANALGICA I
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Soluo:
(a)Determinaodeg
m
* Para isso, tem que conhecer o ponto de operao CC (V
GS,Q
; I
D,Q
), o qual pode ser
encontrado pelo mtodo grfico ou pelo mtodo matemtico.
g
m
= g
m0
1 -
I
uS,
I
P
= g
m0
I
,
I
SS
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ELETRNICA ANALGICA I
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(b)Determinaoder
d
(c)DeterminaodeZ
i
(d)DeterminaodeZ
o
,considerandooefeitoder
d
(e)DeterminaodeZ
o
,considerandor
d
=
Testedacondio: condio
satisfeita!
ELETRNICA ANALGICA I
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(f)DeterminaodeA
v
,considerandooefeitoder
d
(g)DeterminaodeA
v
,considerandor
d
=
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CIRCUITOJFETCOMDIVISORDETENSO
As equaes so as mesmas obtidas para a configurao com autopolarizao. A nica
diferena a equao para Z
i
(sensvel a R
1
||R
2
)
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CIRCUITOJFETCOMSEGUIDORDEFONTE(DRENOCOMUM)
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ELETRNICA ANALGICA I
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Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
EstabelecerV
i
= 0 V
V
g
= 0 V e V
RG
= 0 V
I
gs
= I
g
-I
s
= -I
s
= -I
o
CircuitoJFETcomSeguidordeFonte(DrenoComum)
ELETRNICA ANALGICA I
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Ser
d
10R
S
:
CircuitoJFETcomSeguidordeFonte(DrenoComum)
Ganhodetenso:
Ser
d
10R
S
: V
o
estemfasecomV
i
.
Oganhodetensonuncasermaiorque1.
r
d
noinfluimuitonoganhodaconfigurao.
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CIRCUITOJFETNACONFIGURAOPORTACOMUM
EquivalenteCA
O isolamento entre
os circuitos de
entrada e sada
perdido.
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CircuitoJFETnaConfiguraoPortaComum
Impednciadeentrada:
b
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ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETnaConfiguraoPortaComum
Se
e
Impednciadesada:
EstabelecerV
i
= 0 V
Se
ELETRNICA ANALGICA I
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CircuitoJFETnaConfiguraoPortaComum
b
Ganhodetenso:
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ELETRNICA ANALGICA I
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Se
CircuitoJFETnaConfiguraoPortaComum
V
o
estemfasecomV
i
.
ELETRNICA ANALGICA I
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Configuraofontecomum
Operaodeumdeterminadosinal
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ELETRNICA ANALGICA I
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Configuraofontecomum
Operaodeumdeterminadosinal
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MOSFETTIPODEPLEO(DMOSFET)
AequaodeShockleyaplicveltambmaoMOSFETtipodepleo.
A nica diferena que a tenso V
GS
,
Q
pode ser positiva em dispositivos de canal n e
negativa em dispositivos de canal p. O Resultado que g
m
pode ser maior que g
m0
.
Afaixader
d
paraestedispositivomuitosimilarfaixadosJFETs.
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MOSFETTIPODEPLEO
V
GS,Q
= 0 V
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MOSFETTIPOINTENSIFICAO
intensificao
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MOSFETTIPOINTENSIFICAO
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CIRCUITO MOSFET TIPO INTENSIFICAO (EMOSFET) COM REALIMENTAO DE DRENO
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Circuito MOSFET Tipo Intensificao (EMOSFET) com Realimentao de Dreno
Impednciadeentrada:
Tipicamente,
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Circuito MOSFET Tipo Intensificao (EMOSFET) com Realimentao de Dreno
Para
Impednciadesada:
resultaem
Ganhodetenso:
e
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Circuito MOSFET Tipo Intensificao (EMOSFET) com Realimentao de Dreno
Temseque:
Humdeslocamentodefasede180
o
entreV
i
eV
o
.
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Circuito MOSFET Tipo Intensificao (EMOSFET) com Realimentao de Dreno
Usualmente,
ese :
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CIRCUITO EMOSFET COM DIVISOR DE TENSO
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Circuito EMOSFET com Divisor de Tenso
Impednciadeentrada:
Impednciadesada:
Ser
d
10R
D
:
Ser
d
10R
D
: Ganhodetenso:
MesmocircuitoequivalenteobtidoparaoJFETeDMOSFET