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11/2005
Sumrio
Sumrio.......................................................................................................................................... 2 1.1 Teoria de Circuitos Comutados ............................................................................................... 4 Introduo.................................................................................................................................. 4 1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia.................................... 4 1.1.2.a. Diodo ........................................................................................................................ 5 1.1.2.b. Tiristores................................................................................................................... 5 1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6 1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7 1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7 GTO Gate Turn-off Thyristor............................................................................................. 8 Combinao tpica de Semicondutores ................................................................................. 9 Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias .............................................. 12 Exemplo 1............................................................................................................................ 12 1.2. Definies Bsicas................................................................................................................ 48 1.2.1. Valor Mdio................................................................................................................... 48 1.2.1.1. Ex.: Calculo da tenso mdia de um retificador de meia onda............................... 48 1.2.2. Valor Eficaz................................................................................................................... 49 1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda.............. 49 1.2.3. Distoro harmnica total.............................................................................................. 50 1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda.............................................. 51 1.2.4. Fator de Potncia ........................................................................................................... 51 1.2.5. Fator de Deslocamento .................................................................................................. 52 1.2.6. Fator de Utilizao ........................................................................................................ 52 1.2.7. Rendimento.................................................................................................................... 52 1.2.8. Fator de Desequilbrio ................................................................................................... 53 1.2.9. Fator de Ondulao........................................................................................................ 54 1.2.10. Fator de Crista ............................................................................................................. 54 Exerccio.................................................................................................................................. 55
1.3. Dispositivos .......................................................................................................................... 56 1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia........................................................... 56 1.3.1.1. Diodos..................................................................................................................... 59 1.3.1.1. MOSFETS .............................................................................................................. 65 1.3.1.1. Transistor de Juno Bipolar - BJT ........................................................................ 73 1.3.1.1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).............................................................. 77 1.3.1.1. Tiristores (SCR, GTO, MCT)................................................................................ 82 1.4 Magnticos ............................................................................................................................ 97
Introduo Eletrnica de Potncia trata do processamento de energia. Sendo a eficincia uma das caractersticas importante nesse processamento. A diferena entre a energia que entra no sistema e a que sai geralmente transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiada gere preocupao, a remoo dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na sua utilizao. Atualmente conversores estticos utilizados para transformar a energia eltrica de uma forma para outra, apresentam eficincia entre 85% e 99% dependendo da aplicao da faixa de potncia. Essa eficincia elevada obtida utilizando semicondutores de potncia, que apresentam uma queda de tenso prxima de zero quando em conduo, e uma corrente praticamente nula quando em bloqueado. Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996: A unit that employs static rectifier devices such semiconductor rectifiers or thyristors, transistors,
electron tubes, or magnetic amplifiers to change ac power to dc power and vice versa.
1.1.1. Caractersticas Estticas Ideais de Semicondutores de Potncia Os principais semicondutores de potncia utilizados em conversores estticos com sua regio de operao no plano tenso corrente ( plano v-i ) so apresentados a seguir:
O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado determinado pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer ao que possamos tomar. O diodo entra em conduo quando a tenso vak torna-se positiva. Ele permanece em conduo desde que a corrente iD, que governada pelo circuito onde o diodo estiver inserido, for positiva. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se
iD
vAK +
1.1.2.b. Tiristores
O tiristor algumas vezes referido com um semicondutor semi-controlado. No seu estado bloqueado, ele pode suportar tenses tanto positivas quanto negativas. O tiristor pode mudar de estado de conduo com aplicao de um pulso de corrente na porta (gate) quando a tenso vak for positiva. Uma vez em conduo, ele continua em conduo mesmo que corrente de gate seja removida. Neste estado o tiristor comporta-se como um diodo. Somente quando a
corrente ia, que governada pelo circuito externo, torna-se negativa que o tiristor retorna ao estado bloqueado.
A iA + vAK _ K (a) iA
On-state (Pulso em iG )
iG G
vAK
0
(b)
Os transistores bipolares foram os primeiros semicondutores de potncia totalmente controlados utilizados comercialmente em conversores estticos. A caracterstica esttica de um BJT ideal mostrada na figure abaixo. O BJT pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado suporta somente tenses positivas, ou seja, ic>0 e vCE >0. Quando uma corrente de base aplicada a base o BJT, este passa a conduzir. Com a remoo da corrente de base o BJT volta ao estado bloqueado.
C iB B + vBE iC + vCE _ _ (a) E iC
On Off 0
vCE
(b)
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ Figura 0.3 (a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um BJT
O MOFET, como os BJT, um semicondutor totalmente controlado. A caracterstica esttica de um MOSFET ideal mostrada na figura abaixo. O MOSFET pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente tenses positivas, ou seja, id>0 e vDS>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vGS, o MOSFET entra em conduo. Com a remoo da tenso vGS o MOSFET volta ao estado bloqueado.
iD + G + vGS _ _ (a) vDS D iD
On Off
vDS
(b)
O IGTB semicondutor que combinas as caractersticas desejveis dos MOFETs e BJTs. A caracterstica esttica ideal de um IGBT semelhante de um MOSFET. O IGBT pode conduzir corrente somente em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente
tenses positivas, ou seja id>0 e vce>0. Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vge, o IGBT entra em conduo. Com a remoo da tenso vge o IGBT volta ao estado bloqueado.
iC
iC
On
+ vGE _
+ vCE _ E (a)
Off 0
vCE
(b)
A caracterstica esttica do GTO mostrada na figura abaixo. O GTO pode entrar em conduo por um pulo de corrente no gate, e uma vez em conduo no h a necessidade de manter a corrente de gate para mante-lo conduzindo. O que diferencia o GTO do tiristor o fato de uma vez em conduo poder retornar para o estado bloqueado pela aplicao de uma tenso gate-catodo negativa, e como conseqncia resultando em uma corrente de gate elevada.
vAK
i
+
v
_ _ _ (a) (b)
0
v +
i
+
v
_ _ _ (a) (b)
0
v +
_ (a) (b)
+ v _ _ (a)
0
i
On Off
v +
(b)
v _ (a)
(b)
i
On Off
(a)
(b)
v
Off 0
_ (a) (b)
Exerccio Proposto: Determine a caracterstica estticas, planos v-i, para os arranjos de semicondutores de potncia descritos abaixo: a) IGBT com Diodo em Antiparalelo em anti-srie b) IGBT em uma ponte de diodos c) IGBT com Diodo Serie em antiparalelo. Compare os arranjos dos itens a) , b) e c) e comente sobre as possveis vantagens e desvantagens.
Soluo de Circuitos Com Semicondutores de Potncia Idias Uma vez estabelecida as caractersticas estticas dos principais semicondutores de potncia (interruptores), vamos agora, atravs de exemplos, investigar o impacto do uso desses interruptores no operao de circuitos com fontes e elementos passivos como resistores capacitores indutores.
Exemplo 1 Seja o circuito da Figura 0.7, determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que: v= 311 sin(t) e R=10 sendo =377 rad/s.
Figura 0.7 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva O circuito da Figura 0.7 apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Como a tenso da fonte peridica este circuito tambm deve apresentar um comportamento peridico. Portanto, a seguir ser abalizado o circuito para o primeiro ciclo da tenso da fonte v.. Etapa 1 . Durao 0 <t< . : Em t=0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 13 etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so: vak = 0 V iD = v / R vR = v Etapa 2 . Durao <t< 2 . : Em t = a corrente no diodo , iD, torna-se negativa, devido v, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.8 (b). As principais equaes que
(a)
(b)
Figura 0.8 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0.9
Exemplo2 Seja o circuito da Figura 0.10, determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que os parmetros da Tabela II TABELA II v= 311 sin(t) R=10 =377 rad/s vB= 100 V
Figura 0.10 Retificador de meia onda no controlado com resistiva e fonte de tenso O circuito da Figura 0.10 apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Etapa 1 . Durao 1 <t< 2: Em t=1 a tenso sobre o diodo, vak, tornase positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.8 (a). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so: TABELA III vak = 0 V iD =(v-vB )/ R vR = v
O ngulo 1 pode ser obtido a partir do instante que a tenso sobre o diodo torna-se zero
dv >0 dt
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 16 Por outro lado ngulos 2 pode ser obtido do instante que a corrente sobre o diodo passa por zero, ou seja:
iD = logo 100 1 = a sin( ) = 109.47 o 311
Etapa 2 . Durao 2 <t< 2 +1. : Em t =2 a corrente no diodo , iD,
311sin(t ) t = vB
2
= 0 com
diD <0 dt
torna-se negativa, devido a v torna-se menor que vB, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0.11 (b). As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
TABELA III vak = v-vB iD =0 vR = vB
(a)
(b)
Figura 0.11 Retificador de meia onda no controlado com carga resistiva e fonte de tenso
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 17 As principais formas de onda do circuito so mostrada na Figura 0. 12
Figura 0.13 Retificador de meia onda no controlado com carga RL onde , v = V sin(t ) Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de conduo do diodo.
Etapa 1 . Durao 0 <t< 1: Em t = 0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se
positiva levando o diodo entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 14 (a). As equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
v = V sin(t ) = Ri + L
di dt
(a) (b) Figura 0.14 Etapas de operao do retificador de meia onda no controlado com carga RL . (a) Etapa 1 , (b) Etapa 2
O final dessa etapa ocorre em t= 1 quando a corrente torna-se zero. Logo 1 pode ser obtido da soluo da seguinte equao para 1
2 R t L R L + + 1 sin( t arctan( )) e 2 L R R 1+ L t =1
i (t ) = 0 =
V L
320 306 292 278 264 1 180 250 236 222 208 194 180 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Figura 0.15 ngulo que corresponde ao final da Etapa 1 em funo R do parmetro = L Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva 0 a durao da etapa 1 estendem-se no semi-ciclo negativo da rede, por outro lado quando a carga torna-se mais resistiva a durao da primeira etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Durao 1 <t< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a
corrente no circuito zero, sendo o circuito equivalente mostrado na figura 14 b. A seguir so mostrados resultados de simulao para ilustrar o comportamento do circuito
(a)
(b)
(c)
Figura 0.16 Formas de onda do retificador da Figura 0.13. V=311 V, =377 rad/s; R = 10, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo.
Figura 0.17 Gradador com carga RL No circuito da Figura 0.17 v = V sin(t ) e os pulsos de corrente de gate para is tiristores T1 e T2 esto em sincronismos com a rede como mostrado na abaixo
Figura 0.18 Topo: Tenso da Rede; Meio: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 1. Baixo: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 2.
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no indutor em t = seja nula. Como possivelmente essa hiptese poder ser violada, vamos chamar desse modo de operao de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de conduo dos tiristores.
torna-se positiva. Entretanto como no h pulso de corrente no gate o tiristor opera com um circuito aberto. O circuito equivalente mostrado na Figura abaixo.
Figura 0.19 Circuito equivalente para primeira etapa do Modo 1. Esta etapa finaliza em t= com a entrada em conduo de T1.
positiva e este recebe um pulos de corrente no gate, entrando assim em conduo. O circuito equivalente mostrado na Figura abaixo.
i (0) = 0
sendo R = L O final dessa etapa pode ser obtido solucionando a equao acima para com i (t ) = 0 , ou seja t = 1
1 0= (cos() sin()e + ( sin() cos( )) cos() + (sin( ) + cos()) sin() A soluo da equao acima para 0 com diferentes valores do R parmetro = apresentado na Figura 0.21. L
, em funo do ngulo de disparo dos tiristores , para Figura 0.21 Final da Etapa 1, 1 0 o parmetro = R entre zero e infinito. Curva salientada = 0.562 L
for maior que 180 a hiptese inicial que a corrente no indutor Note que se 1 nula em t = no mais vlida. Neste caso, o circuito passa a operar em um outro modo de operao, aqui denominado de Modo 2 de operao. Formas de ondas tpicas do circuito da Figura 0.17 so mostrada a seguir.
Figura 0.22 Formas de onda do gradador da Figura 0.17. V=311 V, =377 rad/s; R =10 , L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo. = e = 0.265 2
Figura 0.23 Formas de onda do gradador da Figura 0.13. V=311 V, =377 rad/s; R =21.187, L = 100mH. (a) Tenso da rede, v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo vak /10 e corrente no diodo. = + com positivo e 0, = 0.526 3 Pode-se observar que o circuito est no limiar entre o Modo 1 em Modo 2 de operao, confirmando as predies do grfico da Figura 0.21.
Figura 0.24 Circuito equivalente para Modo 2. Em regime permanente a corrente de carga dada por:
i (t ) = sendo
V R + (L) 2
2
sin(t )
= arctan(
L ) R
Note que a fronteira entre os Modos 1 e 2 tambm pode ser obtida a partir das equaes que do Modo 2. Ou seja, sempre que o circuito opera no Modo 2. Explique! 1 0 < < arctan( )
Modo 1
Modo 2
10 20 30 40 k 50 180 60 70 80 90
Figura 0.27 Tenso Gate-Source do MOSFET O objetivo desse exemplo determinar quais as restries que devem ser satisfeitas para o circuito opere como as hipteses realizadas.
razovel assumir que o circuito apresente uma freqncia de operao constante devido a natureza da tenso de gate-source, vgs . Ainda, quando vgs =10 V, o MOSFET conduz e o diodo bloqueado, uma vez que vin >0. O circuito equivalente o mostrado abaixo, e esta etapa ser chamada de Etapa 1.
Como a tenso da fonte de sada menor que a tenso da fonte de entrada, no momento da a tenso gate-source do MOSFET vai a zero a corrente do indutor maior do que zero. Assim o diodo entra em conduo, assumindo a corrente do indutor, e o circuito equivalente passa a ser o mostrado na figura abaixo.
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 35 Finalmente, uma vez que a corrente no indutor zero no incio de cada ciclo de operao, o circuito possui mais uma etapa de operao onde nem o transistor ou o diodo conduz. Assim o circuito equivalente dessa etapa mostrado na figura abaixo.
Figura 0.30 Circuito equivalente para Etapa 3. A seguir sero analisadas quantitativamente as etapas descridas acima.
i (t ) =
Etapa 2: Durao
na Figura 0.29. Note que essa etapa dura at t = , que o instante que a corrente no diodo zera. As equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente desta etapa.
0=L
di + vout dt
com i (dT ) =
vin vout dT . L
O instante que a corrente zera pode ser determinado a partir da equao acima fazendo i =0 e solucionando-a para t=., ou seja: 0= vout ( dT ) + i (dT ) L
que resulta em
vin dT . vout
Figura 0.30. Nesta etapa as correntes no circuito so nulas. A tenso sobre o diodo igual tenso de sada, pois a queda de tenso no indutor nula. Como conseqncia a tenso no MOSFET a diferena entre a tenso de entrada e sada.
Para assegurar que a corrente seja zero no incio de cada ciclo, hiptese inicial, a seguinte desigualdade deve ser satisfeita:
T
ou
Figura 0.31 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vak e
i.
Na Figura 0.31 apresendado no topo a tenso vgs, e na parte inferior a corrente no indutor e a teno sobre o diodo, para vin=100V, vout=50V e d=0.35, T=10s.
Figura 0.32 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET.
Figura 0.33 Formas de ondas do circuito da Figura 0.26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET. Topo: vgs , Baixo: vak e i. d=0.55.
observar que a corrente no indutor no zero no incio de cada perodo, e esta crescente. Portanto, se a corrente no for limitada ela danificar os componentes do circuito, possivelmente o MOSFET!
Exemplo 6
O circuito da
caracteriza por operar com freqncia de comutao varivel. Este conversor apresenta como vantagem a comutao em entrada em conduo e bloqueio do IGBT com corrente nula. Aqui este conversor ser utilizado para exemplificar a soluo de circuitos comutados de segunda ordem. As seguintes hipteses so assumidas para a anlise do circuito: (v) A tenso gate-emissor do IGBT descrita na Figura 0.35. (vi) O circuito opera com freqncia varivel. (vii) A corrente do indutor e a tenso no capacitor so zero no incio de cada ciclo de funcionamento do circuito. (viii) A durao do pulso de tenso gate-emissor tal que no momento do bloqueio do IGBT a corrente circula pelo diodo em antiparalelo com este. (ix) A tenso da fonte de entrada e a corrente da fonte de sada so constantes em um ciclo de operao.
Como assumido que a corrente no indutor e a tenso no capacitor so nulas no incio de cada ciclo de operao, ento, nesse instante a corrente de carga, representada pela fonte de corrente, circula pelo diodo D. Com a entrada em conduo do IGBT, no instante que a tenso gateemissor vai para 10V, inicia a primeira etapa de operao desse conversor.
Etapa 1: Durao 0 < t < 1. O circuito equivalente dessa etapa mostrado
na Figura 0.36 e as equaes que governam a operao do circuito podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja:
i (t ) =
vin t L
para
0 < t < 1
e vc = 0. Para t=1 a corrente no indutor atinge a corrente de carga, e a corrente no diodo zera, caracterizando o fim dessa etapa. Portanto, este instante de tempo, que caracteriza o final dessa etapa, t=1, pode ser obtido da equao da corrente, ou seja:
vin 1 ou seja L L 1 = I vin I=
Figura 0.37 Circuito equivalente para a Etapa 2. vin = L e C dvc =iI dt vlidas para 1 t 2 di + vc dt com i (1 ) = I
e i = i - I
com i(0) = 0
e
C dvc = i dt
vlidas para 0 t 2 1
Esta etapa dura at o instante que a corrente no indutor, depois de se tornar negativa, vai zero. Dando incio da prxima etapa de operao. O final desta etapa pode ser obtido a partir da equao acima:
0=
V sin((2 1 )) + I L LI 1 2 = (2 + arcsin( )) +1 V
Onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante com valores entre 0 e -/2. A tenso do capacitor para esta etapa pode ser obtida a partir da integrao da corrente no capacitor, o que resulta em: vc (t ) = vin (1 cos((t 1 )) . O valor final na tenso no capacitor ser: vc (2 ) = vin (1 cos((2 1 ))
Figura 0.38 Circuito equivalente para a Etapa 2. A equao que governa o comportamento do circuito :
vc (t ) =
I (t 2 ) + vc (2 ) para C
2 t 3
Esta etapa termina em t=3 quando a tenso no capacitor passa por zero e polariza diretamente o diodo, dando incio a ltima etapa de operao.
Etapa 4: Durao 3< t < T. Nesta etapa a tenso sobre o capacitor e a corrente
no indutor so nulas. Esta etapa dura at o intante que a tenso gate-emissor do IGBT for novamente para nvel alto, 10 V, caracterizando assim, o incio de uma etapa identica a etapa 1. As principais formas de onda do circuito so mostradas na figura abaixo:
Figura 0.39 Formas de onda no circuito da Figura 0.34 . Quanto a durao do pulso de tenso entre gate e emissor do IGBT, Ton, este deve ser tal que garanta que no momento do bloqueio do IGBT a corrente esteja circulando pelo diodo em antiparalelo com este, ou seja, enquanto a corrente no indutor for negativa. Portanto, a seguinte restrio deve ser satisfeita.
13_ max Ton 2 _ min onde 2 = e 13 = 1 LI ( arcsin( )) + 1 vin 1 LI (2 + arcsin( )) +1 vin
onde o ngulo resultante da funo arcsin deve estar no quarto quadrante com valores entre 0 e -/2.
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 47 Note que o valor mximo de 3 e o valor de mnimo 2 ocorrem para a mxima corrente de sada e a mnima tenso da fonte. Assim a durao Ton deve ser determinada para essa condio de operao.
6.5 6.15 5.8 5.45 2 k 13 k 5.1 4.75 4.4 4.05 3.7 3.35 3 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 k 0.6 0.7 0.8 0.9 1
LI vin
f avg
1 = T
f (t )dt
(0.1)
Para formas de onda senoidais, favg = 0. Para o produto de duas funes vavg e iavg, pavg = vavg iavg
Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seo 1.1.5, determine o valor mdio da tenso de sada:
1 T
f (t )dt =
1 vo (t )d t 2 0
2 1 = 220 2 sin(t )d t + 0 d t 2 0
311 311 t cos ( ) = 2 (1 + 1) 0 2 = 99V
voavg = voavg
f 2 (t )dt
(0.2)
fp 2
I , 0 t < i (t ) = 0 , t < 2
f 2 (t )dt =
1 i 2 ( t ) d t 2 0
3 1 2 + I d t 0 d t 2 0 0
f rms
1 2 I t 2 I = 2
1 2 I ( 0) 2
a razo entre o valor rms do contedo uma tenso ou corrente com relao a uma senide. Dada uma funo peridica f(t)=f(t+T), por:
k x k x f ( x) = a0 + ak cos + bk sin L L k =1
(0.3)
que tambm pode ser escrita da seguinte forma: x 2 x 3 x f ( x) = a0 + a1 cos + a2 cos + a3 cos + L L L , x 2 x 3 x + b1 sin + b2 sin + b3 sin + L L L ou ainda:
k x f ( x) = a0 + ck sin + k , L k =1
(0.4)
(0.5)
onde 1 a0 = 2L ak = bk = 1 L 1 L
c+2 L
c+2 L
c+2 L
ck = ak 2 + bk 2
a e k = arctan k bk
A distoro harmnica desta funo pode ser escrita por: 1 THD f ( % ) = c1 equaes:
1 THDV ( % ) = V1
c
k =2
2 k
100%
(0.6)
V
k =2
2 k
(0.7)
I
k =2
2 k
100
(0.8)
4 4 4 f ( x) = 4sin( x) + sin(3 x) + sin(5 x) + sin(7 x) 3 5 7 cuja forma de onda mostrada na figura a seguir, obtenha a THD.
(0.9)
c1 = 4 c = 4 / 3 3 f ( x) c5 = 4 / 5 c7 = 4 / 7
1 THD f ( % ) = c1
1 4 2 4 2 4 2 100% c 100% = + + 4 3 5 7 k =2
2 k
O fator de potncia entre duas funo peridicas de mesmo perodo v(t)=v(t+T) e i(t)=i(t+T) definido como a razo entre a potncia ativa, dada em W, e a potncia aparente, dada em VA, ou seja FP = onde P a potncia ativa, S a potncia parente. P S (0.10)
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 52 Alternativamente, o fator de potncia pode ser calculado com a combinao do fator de deslocamento e da distoro harmnica total, ou seja, FP = DF
1.2.5. Fator de Deslocamento
1 1 + THD 2
(0.11)
O fator de deslocamento de duas funes peridicas de mesmo perodo v(t) e i(t), que representam a tenso e a corrente em dado elemento, respectivamente, definido como o ngulo de deslocamento de fase entre a componente fundamental da tenso v(t) e a componente fundamental de corrente i(t). O fator de deslocamento dado por DF = V1 I1 cos ( 1 1 ) = cos ( 1 1 ) V1 I1 (0.12)
onde 1 e 1 so os ngulos de deslocamento da tenso e da corrente com relao a um dado ngulo de referncia. Essa medida realizada no lado CA de um conversor e freqentemente confundida com o fator de potncia, pois esta se confunde com o fator de potncia para funes senoidais.
uma medida comumente empregada em transformadores para se obter o ndice de utilizao do mesmo. dado por:
pavg vrms irms 1 T
t +T
TUF =
vrms irms
(0.13)
1.2.7. Rendimento
uma figura de mrito que nos permite comparar a eficcia de um conversor esttico. Sua relao dada por: = pout pin (0.14)
100%
(0.15)
iavg =
Desequilbrios de corrente (ou tenso) podem tambm ser definidos fazendo-se usando da teoria de componentes simtricos, onde a taxa entre componente de seqncias negativas ou zero em relao a componente da seqncia positiva pode ser especificada como percentual de desequilbrio, conforme mostrado a seguir: componente de seq. negativa Deseq _N ( % ) = 100% componente de seq. positiva componente de seq. zero Deseq _0 ( % ) = 100% componente de seq. positiva Desequilbrios de tenso maiores que 5 % so considerados como desequilbrios severos. Um exemplo de desequilbrio mostrado na figura a seguir, onde considerou-se que em um sistema trifsico a tenso nominal rms seja de 127 V por cada fase, porm a fase b apresenta amplitude de tenso rms de 125 V, logo o desequilbrio percentual de 2 %.
200
(0.16) (0.17)
va(t)
100
vb(t)
vc(t)
Tenso (V)
0 -100 -200
3,3
6,6
10
13,3
16,6
Tempo (ms)
(0.18)
onde FF conhecido por fator de forma, que dado por FF = Vavg Vrms (0.19)
Para uma dada senide a relao entre o valor de pico e rms deve ser
crista usado para redefinir a capacidade de sada de transformadores, fontes ininterruptas de energia (UPS) e outros equipamentos que alimentem cargas no lineares. Uma vez comparado com o fator de crista da forma de onda senoidal se obtm o fator de correo da capacidade (CCF), que representado por: 2 CCF ( % ) = CF 100% pela potncia nominal do equipamento por: (0.21)
kVAcorrig = kVAnomCCF
(0.22)
Por exemplo uma carga no linear cujo valor de pico de corrente de fase seja If= 10 A, e o valor eficaz desta corrente seja Irms=6,5 A, tem-se que o CF=1,53 e CCF=92,16%. Um transformador cuja potncia nominal de 10 kVA, considerado pelo fabricante para
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 55 alimentao de cargas lineares, s poderia operar com uma potncia de 9,216 kVA, devido aos harmnicos presentes na carga.
Exerccio
Obter as todas as medidas de desempenho apresentadas para o seguinte circuito, para todos os elementos a que se aplicarem.
Figura 0.5 Figura 0.6 Considerar que: i) a corrente na carga em regime permanente, mostrada em detalhe, seja aproximada por uma constante; ii) a fonte de tenso senoidal, dada por v(t ) = 220 2 sin(260t ) ; iii) o transformador ideal.
1.3. Dispositivos
1.3.1. Caractersticas dos Semicondutores de Potncia
Os principais dispositivos empregados em eletrnica de potncia tm evoludo consideravelmente nos ltimos anos. Cada vez mais tem se desenvolvido dispositivos para processar mais potncia, como pode se verificar na figura abaixo (extrado de Mohan, 2002).
Figura 0.1 Semicondutores de potencia disponveis no mercado em funo da corrente tenso e freqncia de operao.
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 58 O maio desafio no projeto de semicondutores de potncia obter altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas quanto em conduo. Outro desafio que aqueles dispositivos semicondutores que apresentam altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas resultam tempos de comutao significativos. A tenso mxima de bloqueio de uma juno p-n e a sua regio de depleo so uma funo do grau de dopagem. Para obter altas tenes de bloqueio necessrio reduzir a dopagem, e assim aumentar a resistividade. Por outro lado essa regio de alta resistividade contribui significativamente para resistncia de conduo do diapositivo. Assim dispositivos de alta tenso apresentam maiores resistncias de conduo do que dispositivos de baixa tenso. Em dispositivos de portadores majoritrios por exemplo os MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito responsvel pela dependncia da queda direta ou sua resistncia de conduo com a tenso mxima de bloqueio. Por outro lado, e
dispositivos de portadores minoritrios, diodo de difuso, BJT , IGBT, SCR,GTO e MCT outro
fenmeno chamado de modulao de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de portadores minoritrios encontra-se em conduo portadores minoritrios so injetados na regio de baixa dopagem atravs da juno que est diretamente polarizada. A elevada concentrao de portadores minoritrios na regio de alta resistividade reduz a resistncia aparente da juno p-n. Devido a esse fenmeno os dispositivos de portadores minoritrios apresentam uma menor resistncia se comprado com os dispositivos de portadores majoritrios. Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritrios de reduzir a resistncia de conduo traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutao. O estado de conduo de qualquer semicondutor controlado pela presena ou ausncia de algumas cargas dentro do dispositivo, e os tempos de entrada em conduo e bloqueio so uma funo do tempo necessrio para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas que controlam o estado de conduo de dispositivos de portadores minoritrios muito maior que as cargas necessrias para controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritrios. Apresas dos mecanismos de insero e remoo das cargas de controle dos diferentes dispositivos, (BJT,IGBT, MOSFET,DIODO,etc) serem diferentes, verdade que, devido a maior quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritrios, esses apresentam tempos de comutao significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritrios. Com uma conseqncia dispositivos de portadores majoritrios so usualmente utilizados em aplicaes de baixas tenses e alta freqncia, dispositivos de portadores minoritrios em altas
ELC 1032 Fundamentos de Eletrnica de Potncia_______________________________ 59 tenses e alta potncia. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas aplicaes tpicas.
1.3.1.1. Diodos 1.3.1.1.1. Caractersticas Principais um dispositivo no-controlado (comuta somente espontaneamente); Conduz quando diretamente polarizado (Vak>0) e bloqueia quando i<0; Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo (VF ~ 1V); No so facilmente operados em paralelo, devido ao seus coeficientes trmicos de
conduo serem negativos.