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Lei de Ohm
Olhe mais uma vez a Lei de Ohm, V=IR, do ponto de vista dos materiais. Reescreva como uma lei que vlida para todos os pontos dentro de um material, portanto substitumos

tenso campo eltrico, E, corrente densidade de corrente, J, resistncia resisitividade.

resistividade (ohm cm) rea transversal comprimento resistncia do objeto Aplique a equao relacionada ao objeto em um ponto especfico.

Condutividade (moh/cm)

6.071 Semicondutores

Para introduzir semicondutores, til comear pela reviso dos condutores. Existem duas perspectivas que podemos assumir ao explorarmos a conduo, Podemos pensar em dispositivos e, dessa forma, estaramos interessados em propriedades de massa (tenso, resistncia, etc) Ou (2) Podemos pensar em materiais e, dessa forma, assumirmos uma viso microscpica em termos de campo eltrico, densidade de corrente, etc. Primeiro, observamos os materiais dos semicondutores, de forma que a segunda perspectiva melhor. Em seguida, introduziremos dispositivos compostos de semicondutores.

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Condutores, semicondutores e isolantees

escala log de condutividade (S)
Prata cobre

resistividade (ohm cm) A rea transversal l comprimento R resistncia da amostra

grafite
Germnio

condutividade (mho/cm) 1 siemen (S) = 1 mho/m

silcio

borracha vidro teflon

6.071 Semicondutores

As propriedades eltricas CC de materiais podem ser expressas em termos de condutividade, que o inverso da resistividade, expressa em Siemens (ou mho/m). O grfico direita mostra a gama de condutividades para materiais comuns. Aqui, estamos interessados principalmente no silcio, que um condutor bem fraco.

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Estrutura de banda

permitida proibida preenchida

Bandas de energia

semicondutor metal isolante

um isolante tem todos os seus eltrons ligados como eltrons de valncia, e h um grande salto de energia para libert-los. um metal tem uma banda parcialmente preenchida que permite a mobilidade de eltrons. um semi-condutor tem um pequeno vo de banda entre a banda de valncia preenchida e a banda de conduo. Assim, por um pequeno acrscimo de custo, o material ir conduzir.
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6.071 Semicondutores

As propriedades de conduo de um material puro podem ser diretamente relacionadas estrutura dos eltrons do material. Como voc se lembra de suas aulas de qumica e fsica, a estrutura dos eltron composta de uma srie de nveis de energia que os eltrons preenchem de forma sistemtica. Um metal tem uma banda parcialmente preenchida de nveis de energia, fornecendo, assim, liberdade para que os eltrons se movam entre eles, movendo-se, dessa forma, atravs do material. Um isolante tem uma banda completamente preenchida portanto um grande vo de energia antes da prxima banda subjacente vazia mais baixa. Os eltrons podem se mover apenas se adquirirem a energia necessria para saltar para esse conjunto de nveis vazios. Quanto maior for o espaamento de energia, mais difcil conseguir isso e, conseqentemente, melhor o isolante. Os semicondutores tm bandas preenchidas, como um isolante, mas com um vo de banda relativamente pequeno para os nveis no-preenchidos subjacentes mais baixos. Assim, alguns eltrons podem ter a energia para fornecer mobilidade. claro que a energia mdia de um eltron uma funo da temperatura e, dessa forma, a condutividade uma funo da temperatura.

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Silcio e semicondutores
o silcio abundante, e pode ser cultivado como um cristal grande e bastante puro. a condutividade do silcio puro bastante baixa, todos os eltrons se ligam como eltrons de valncia. fcil formar uma cadeia de xido em Si, e a condutividade desse vidro extremamente baixa ( um isolante muito bom). Si pode ser dopado para adicionar eltrons ou lacunas como condutores.

6.071 Semicondutores

O silcio um excelente material para aplicaes de semicondutores. Primeiro, a conduo bastante baixa para silcio puro. No zero, mas, acima de tudo, voc pode pensar no silcio como uma gama de tomos ligados de forma bivalente. Da mesma forma, o silcio pode ser altamente purificado, de forma que quaisquer impurezas que sejam intencionalmente colocadas no silcio dominaro facilmente defeitos no-intencionais. Finalmente, embora o silcio sejam um condutor ruim, o dixido de silcio (vidro) um isolante muito bom. Muitas das vantagens de se usar silcio esto associadas ao processamento extremamente preciso que tem sido projetado ao longo dos ltimos 50 anos.

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a condutividade expressa em termos de: as densidades do portador, ni e pi (nmero intrnseco de portadores de eltron e lacunas) e, a carga dos portadores (carga do eltron e = 1,6 x 10-19 Coulombs). , mobilidade do portador.

Condutividade Intrnseca do Silcio

para Si: a 300K: ni = pi = 1,5 . 1016 = 4,4 . 10-4 S

6.071 Semicondutores

A condutividade intrnseca do silcio vem em duas formas: O movimento dos eltrons, E o movimento das lacunas (locais vazios esperando um eltron). Como uma analogia, voc pode pensar nos tomos como uma gama de baldes, e nos eltrons como bolas colocadas nos baldes. Se h muitos baldes vazios e apenas algumas bolas, voc poderia manter o controle da distribuio anotando as localizaes das bolas. Por outro lado, se h muitas bolas e apenas alguns baldes sem, ento mais eficaz anotar quais baldes esto vazios em vez de tentar manter controle de todas as bolas. Em qualquer caso, so as bolas que se movem, contudo. Observe tambm que, j que os eltrons esto se movendo se h apenas algumas vagas, ento, para um movimento aparente de uma lacuna, muitos eltrons devem se mover e, assim, no surpreendente que a mobilidade das lacunas seja mais baixa que a dos eltrons. Claramente, o entendimento total disso exige mecnica quntica, e no devemos nos ater muito firmemente a esse quadro, que somente dado para motivar que o comportamento razovel.

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silcio dopado do tipo n

Substituindo-se uma pequena quantidade de Si por outra espcie atmica, podemos mudar drasticamente a condutividade. Por exemplo, P ou As (e outros elementos do grupo V) tm cinco eltrons de valncia (em vez das quatro do silcio) e, dessa forma, em eltron extra (alm do necessrio para a ligao) est disponvel para cada tomo substitudo. Tais materiais dopados so chamados de tipo n para o portador de carga negativa.

eltron extra

6.071 Semicondutores

O poder real de se usar silcio superfciedo de sua dopagem, adicionando pequenas quantidades de outros elementos para mudar drasticamente a condutividade. O silcio tem quatro eltrons de valncia externos e, assim, gostaria de participar de quatro ligaes covalentes. Dopando-se esses elementos que possuem mais ou menos eltrons de valncia, os eltrons ou lacunas extras (falta de eltrons) fornecem um portador para conduo. O fsforo, e outros elementos de grupo V, possuem cinco eltrons de conduo e, assim, quando adicionados dopados como impurezas ao silcio, introduzem portadores de eltrons. Tais materiais so chamados de tipo n, j que a maioria dos portadores so de carga negativa (um eltron).

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silcio dopado do tipo p

Dopando-se Si com um elemento do grupo III, como B ou Ga (que possuem apenas 3 eltrons de valncia), ns criamos uma lacuna. A lacuna um poo em potencial para o qual um eltron pode se mover. Tais materiais dopados so chamados de tipo p, de portador de carga positiva. Observe que os eltrons ainda se movem, mas as lacunas so exclusivas, e so elas que parecem se mover. Observe tambm que tanto materiais do tipo n quanto do tipo p possuem carga neutra.

eltron faltante

lacuna

6.071 Semicondutores

O boro, e outros elementos do grupo III, possuem apenas 3 eltrons de valncia e, dessa forma, quando adicionados ao silcio, introduzem portadores de lacunas (ausncia de eltrons). Esses so chamados de tipo P, j que o tipo de portador eficaz pode ter carga positiva. importante reconhecer que, embora as impurezas estejam adicionando portadores e, assim, variando significativamente a condutividade do material composto, elas no esto mudando a carga. Os aditivos so adicionados como neutros, e os materiais globais permanecem eletricamente neutros. exatamente dessa mesma forma que um bom condutor (digamos o cobre), tambm neutro.

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silcio dopado
Banda de conduo vazia nveis de doador nveis de receptor Banda de valncia preenchida

tipo n

tipo p semicondutor dopado

A dopagem de um semicondutor introduz nveis no vo normalmente proibido entre as bandas de valncia e conduo. As propriedades mais interessantes desse novos materiais provem da interao dos portadores de carga na interface (juno) entre materiais do tipo n e p.
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Do ponto de vista da fsica de estado slido, o efeito da dopagem introduzir nveis de energia no vo de banda entre a banda de valncia preenchida de silcio e a banda de conduo de nvel mais alto. Esses nveis de doador e receptor reduzem de forma eficaz o vo de banda e tornam a conduo mais fcil. O termo doador decorrente do fato de que nos, materiais do tipo N, cada tomo dopador doa um eltron. De forma semelhante, o termo receptor existe porque, nos materiais do tipo P, cada tomo dopador aceita um eltron (ou uma lacuna).

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Em semicondutores dopados, a concentrao de impurezas tpica de 1022 tomos de doador ou receptor por m3 . Isso gera concentraes de 5-6 ordens de magnitude mais altas que os condutores intrnsecos no silcio. Portanto, o nmero de portadores livres bastante prximo ao nvel de dopagem. Uma relao importante para qualquer semicondutor dopado *: (n de portadores de eltron) X (n de portadores de lacuna) = (n de eltrons intrnsecos)2 Portanto, a dopagem de um semicondutor reduz a concentrao de portadores minoritrios: a conduo se d principalmente pelo portador de impureza. ; semicondutor do tipo n ; semicondutor do tipo p
*A demonstrao disso est alm dessa classe, exigindo estatstica de Boltzmann e fsica de estado slido.

semicondutor extrnseco (dopado)

6.071 Semicondutores

Esse um ponto pequeno, mas a mensagem a se lembrar que, em semicondutores dopados, a ao ocorre com o portador de impurezas. Assim, no tipo N, os materiais dopados seguem os eltrons e, no tipo P, os materiais dopados seguem as lacunas.

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semicondutor extrnseco (dopado)

Calcule a conduo de silcio dopado com arsnico e ndio a 1022 tomos por m3 . O arsnico um aditivo do tipo N. O ndio um aditivo do tipo P. lembre-se de que a condutividade intrnseca do silcio muito mais baixa. Observe tambm que a densidade atmica do silcio

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O ponto a ser lembrado : A condutividade uma funo da concentrao dopagem, Materiais dopados terminam com a condutividade aproximada do grafite (bons condutores com a condutividade aproximada de um resistor de baixo valor). Materiais do tipo P e N possuem diferentes condutividades. Mesmo em um material fortemente dopado, o aditivo ainda s est presente em nveis de partes por milho.

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Juno PN

Uma juno de silcio dopado do tipo P e N. _________________________ Distribuio de carga livre instvel

Distribuio de carga estvel As cargas opostas nos dois lados da juno combinam e eliminam a liberao de um certo grau de energia. O dispositivo , no geral, neutro, mas agora h um campo eltrico atravs da juno.

on do receptor ligado

lacuna livre

on do doador ligado

eltron livre

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O interesse nos semicondutores como eles se comportam quando voc une dois ou mais deles. Um condutor dopado , por si s, apenas um resistor, e existem formas muito mais fceis de se construir resistores. O dispositivo no canto superior esquerdo uma juno PN (um material dopado P colocado prximo a um material dopado N). Isso forma um diodo. No canto inferior esquerdo, aparece a configurao de portadores, eltrons e lacunas que existiriam se os dois materiais fossem colocados lado a lado, mas sem se tocar. Quando uma juno PN formada, as cargas e as lacunas que se encontram na interface se combinam e eliminam. Isso introduz uma zona de depleo ao redor da juno, onde h uma falta lquida de portadores. Mais uma vez, observe que, j que um eltron negativo se elimina com uma lacuna positiva, ento a estrutura lquida permanece neutra. A eliminao de portadores libera um certo grau de energia, e isso pode ser usado para gerar ftons de luz (como o caso dos diodos emissores de luz LEDs), e, alternativamente, a luz pode ser usada para criar portadores, como o caso de foto-diodos e foto-transistores. Estes sero introduzidos mais adiante.

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Juno PN
A eliminao de portadores de carga atravs da juno leva a uma separao de carga, q(x). Isso, por sua vez, leva a um campo eltrico, E(x). permitividade ou

zona de depleo

e uma Tenso atravs da juno.

*para Si, 0,2V para Ge

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A ausncia de portadores de carga na interface de uma juno PN significa que h uma separao de carga atravs da juno (j que as impurezas no so, de forma alguma, afetados pela eliminao do portador). A separao de carga introduz um campo eltrico atravs da juno, e isso uma tenso. Observe que, embora exista uma separao de carga, no h excesso de carga, e o dispositivo eletricamente neutro. A rea do campo eltrico (ou separao de carga) chamada de zona de depleo, j que a eliminao de portadores de carga resulta na rea da juno onde no h portadores. Para dispositivos de silcio, a separao de carga resulta em uma tenso de 0,7V atravs da interface. Essa a origem da tenso necessria para ligar um diodo. Para semicondutores base de germnio, a separao de carga leva a uma pequena tenso de juno (0,2V).

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Juno PN de Polarizao Direta

Uma tenso conectada atravs de uma juno PN com o terminal positivo conectado ao lado P ir injetar eltrons na regio N e remov-los (injetar lacunas) na regio P. O resultado uma abundncia de portadores. Os portadores se difundem atravs da juno e se eliminam, permitindo o fluxo de uma corrente. Essa eliminao tambm chamada de recombinao. Id a corrente de difuso (portadores se difundindo atravs da juno) Io a corrente de portadores de minoritrios (portadores de minoritrios de portadores intrnsecos).
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A essncia da ao de uma juno PN de polarizao direta que possvel injetar portadores majoritrios. Ento, uma juno PN com uma tenso positiva atravs dela possui eltrons sendo injetados na regio N e lacunas a regio P, ento, contanto que a tenso atravs do dispositivo seja suficiente para superar a tenso de juno, uma corrente ir fluir. Quando uma juno PN tem polarizao direta, a corrente de difuso muito maior que a corrente de portadores minoritrios, que pode ser ignorada.

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Juno PN de polarizao reversa

Sob uma polarizao reversa, a zona de depleo aumenta, e a corrente de difuso reduzida. A corrente de portadores minoritrios permanece inalterada. Essa corrente de saturao reversa, ou corrente de superfcie, de normalmente 10-12 A em Si. Ela um pouco maior em Ge, 106 A, e por isso que Si mais comum para diodos e transistores. Um diodo de polarizao direta se assemelha a um curtocircuito, e um diodo de polarizao reversa se assemelha a um circuito aberto.
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No caso de polarizao reversa, a juno fica ainda mais carente de portadores, e a corrente importante a corrente de portadores minoritrios (ou corrente de saturao reversa). Isso pequeno em comparao com a corrente direta no caso de polarizao direta, mas deve ser lembrado para algumas aplicaes. A corrente de portadores minoritrios no influenciada pela tenso atravs da juno, e simplesmente uma propriedade do material. Para o silcio ela baixa, ao passo que para o germnio de cerca de um micro-ampre. Esse o principal motivo por que o silcio mais comum em diodos e transistores.

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Retificador e diodo
Tanto as correntes de difuso quanto de superfcie seguem a lei de dependncia de Boltzmann. A corrente de superfcie independente de tenso aplicada, ao passo que a corrente de difuso depende da tenso aplicada. Como vimos, estas esto em direes opostas.

Id = corrente de difuso; Io = corrente de superfcie, K = constante dependente da geometria e = carga do eltron (1,6 10-19 C) V = tenso aplicada; Vo = tenso da juno k = constante de Boltzmann (0,38 10-23 J/K) T = K

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Aqui, fornecemos uma aproximao simples para a corrente em um diodo de silcio. As mensagens importantes so: A curva IV dependente da temperatura, A corrente tem uma dependncia exponencial da tenso.

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caractersticas do diodo
Propriedades: Si ou Ge, determina a queda de tenso atravs do diodo e a corrente de superfcie. Tenso reversa mxima, PRV (tenso reversa de pico) ou PIV (tenso inversa de pico). IF, para corrente direta mxima Capacitncia da juno, tempo de recuperao reversa. A capacitncia depende do tamanho e da geometria da juno, a capacitncia pode ser encarada paralelamente juno. Uma IF grande normalmente significa uma grande capacitncia de juno: o que acontece se voc tentar usar esse diodo em altas freqncias?
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Para cada dispositivo existem caractersticas definidoras que a indstria considera til ao descrev-los. Mesmo no caso de um dispositivo simples como um diodo, existem centenas de tipos que foram especificamente projetados para: Comutao Retificao Potncia Alta freqncia Baixas perdas Normalmente, ao escolher um diodo, voc precisa saber as classificaes mximas para tenso e corrente. Alm disso, os diodos possuem uma capacitncia significativa, e isso deve ser includo nos projetos de alta freqncia.

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Manual do diodo

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Manual tpica de um diodo multi-propsito. Retirada do site Fairchild, que um lugar conveniente para se encontrar folhas de dados. Todas as folhas de dados comeam mostrando as vrias verses do dispositivo, em seguida fornecem as classificaes mximas seguidas das especificaes e, talvez, configuraes de teste.

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Manual do diodo

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caracterizando um diodo
Se um excesso de corrente for enviado atravs de um diodo, ele se torna equivalente a um fusvel queimado. Como testamos isso? Ohmetro
sonda negativa sonda positiva

Por que normalmente existe um circuito de diodo separada (alm do circuito de resistncia)?

O galvanmetro um eletrom controlado por corrente que torciona uma agulha acopla a molas. resistncia direta ~ alguns ohms resistncia reversa ~ megaohms
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Um problema para se refletir para a seo de apresentao oral. Se um ohmetro suficiente para testar a funo de um diodo, por que muitos multmetros possuem uma circuito separada para diodos?

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Sensibilidade dos Diodos Temperatura

A corrente atravs de um diodo de polarizao direta uma funo da temperatura e, dessa forma, um diodo corrente pode ser usado como um sensor de constante temperatura. Aqui temos duas opes, corrente constante e tenso constante.

tenso constante

No modo de corrente constante, dV/dT ~k/e~0,002V/C. fonte de corrente

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voltmetro
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Uma juno uma fonte de corrente?

Uma juno PN possui uma separao de carga que se assemelha de um capacitor. Se voc curto-circuitar isso com um arame, uma corrente ir fluir? Ou, de forma equivalente, a tenso da juno removida por um curto?

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Problema para refletir para a apresentao oral. Com a separao de carga atravs da juno de diodo, ele se assemelha a um capacitor com carga. Ns vimos que, quando curto-circuitado, um capacitor com carga forneceu una fonte drstica de energia, o diodo tambm o faz? Em outras palavras, se curto-circuita um diodo, h fluxo de corrente?

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De volta aos diodos de retaguarda

Usados para evitar rudos de circuitos de freqncia de rdio.

Lembre-se de que os diodos possuem capacitncia eficaz ~4pF para diodos de comutao, 1 N914s desligado por

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De Volta aos Diodos de Retaguada (cont.)

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Regulador de Tenso
Os zeners so diodos que possuem resistncia varivel. Especificamente, os zeners possuem uma sada de corrente constante ao longo de uma gama de tenses de entrada. Dessa forma, fornecendo uma corrente constante para um circuito, os zeners podem ser usados como reguladores de tenso.
sada ent

Zener Real

Zener Ideal

Um regulador de tenso simples. Supresso de ondulaes insatisfatria, exige um zener com alta faixa de potncia, e variaes com impedncia de carga.

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Transistor de juno bipolar

emissor coletor base emissor base coletor

Um dispositivo com 2 junes e 3 terminais (base, emissor, coletor). Corretamente polarizado, a juno do emissor polarizada de forma direta e a juno da base do coletor polarizada de forma reversa. O emissor mais fortemente dopado que o coletor, e podemos assumir que o emissor proporciona todos os portadores. A base fina e atua no controle do emissor para a corrente do coletor, obs.: essa uma corrente de eltrons (caso npn) e, portanto, a corrente convencional flui do coletor ao emissor.
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Junes de diodos e BJT

coletor

emissor

Com polarizao direta, a juno PN de um diodo possui uma alta taxa de recombinao e, dessa forma, suporta uma grande corrente. Com polarizao direta no BJT, a juno base para emissor PN possui baixa taxa de recombinao (a base fina e levemente podada), portanto o eltron se encaminha ao coletor, onde se torna novamente o portador majoritrio.
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BJT de emissor ligada massa

coletor
TENSO BASE-EMISSOR ON (V)

Tenso Base-Emissor vs Corrente de Coletor

emissor

Ic = CORRENTE DO COLETOR (mA)

~100 Normalmente desligado, pequena corrente de entrada na base e tenso relativa ao emissor liga-o, comutando e amplificando
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Dependncia de temperatura do BJT

Ganho de Corrente Pulsada Tpico vc Corrente de Coletor

HFE = GANHO DE CORRENTE PULSADA TPICO

Ic CORRENTE DE COLETOR (mA) 28

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BJT de base ligada massa

Nessa configurao, a corrente de coletor independente da tenso da base do coletor, e varia de forma linear com a corrente do emissor.

O BJT raramente usado na configurao de base ligada terra, mas tem a vantagem de mostrar o emissor como a fonte de portador de corrente.

Usado como o estgio de entrada de um pr-amplificador impulsionado por uma fonte de corrente.
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Demonstrao de Testador de Transistor N1

Nessa demonstrao, o testador de transistor ser usado para gerar curvas de resposta corrente-tenso caractersticas para o BJT 2N3904 e o JFET 2N5459. O testador funciona aplicando um padro de tenso em dente-de-serra (ou a fonte/dreno para JFET), assim como aplicando uma seqncia de etapa de corrente base (porta).

tempo

A corrente ou tenso do coletor resultante (dreno) ento usada para gerar as curvas caractersticas com VA configurado como o eixo x no osciloscpio.
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Demonstrao de Testador de Transistor N2

Entrada do Testador:

tempo

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Propriedades de Transistores Bipolares

(ganho de corrente) no um parmetro, ele varia com tudo. IC,MAX faixa mxima de corrente de coletor mximo. BVCBO = mxima tenso coletor-base. BVCEO = mxima tenso base-emissor. VEBO = tenso de ruptura emissor-base. P D = dissipao mxima de potncia do coletor.

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Manual 2N2222 (1 de 3)

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Manual 2N2222 (2 de 3)

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Manual 2N2222 (3 de 3)

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Regulador de Tenso

Configurao de seguidor de emissor. Corrente de base de apenas 1/ da corrente de alimentao. Filtro RC reduz ondulao.

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A juno uma fonte de corrente? No

O curto-circuito d a impresso de que voc dobrou a juno para formar uma segunda juno. Cada juno possui sua prpria zona de depleo e, conseqentemente, h uma diferena de tenso entre os dois lados da estrutura.

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