Apostila de Transistor

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - I
Prof. Edgar Zuim

O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de
tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
travs de uma polari!ao de tenso adequada consegue"se estabelecer um
flu#o de corrente, permitindo que o transistor seja utili!ado em in$meras aplica%es
como: chaves comutadoras eletr&nicas, amplificadores de tenso e de potncia,
osciladores, etc.
O termo bipolar refere"se ao fato dos portadores lacunas e eltrons
participarem do processo do flu#o de corrente. 'e for utili!ado apenas um portador,
eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar ()*+,.
ESTRUTURA BSICA:
s figuras abai#o ilustram a estrutura b-sica de um transistor, representando
um circuito + equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polari!ao das jun%es, as quais so: base"emissor e base"coletor (."* e ."/
respectivamente,.
Observa"se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. simbologia utili!ada para os transistores de juno mostrada
logo abai#o dos circuitos equivalentes "+" com diodos.
POLARIZAO:
0ara que um transistor funcione necess-rio polari!ar corretamente as suas
jun%es, da seguinte forma:
1 " 2uno base"emissor: deve ser polari!ada diretamente
3 " 2uno base"coletor: deve ser polari!ada reversamente
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim
1
*sse tipo de polari!ao deve ser utili!ado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
s figuras abai#o ilustram e#emplos de polari!ao para os dois tipos de
transistores:
Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.
OPERAO BSICA:
1 - Juno diret!ente "o#ri$d:
figura abai#o mostra o desenho de um transistor pnp com a polari!ao
direta entre base e coletor. 0ara estudar o comportamento da juno diretamente
polari!ada, foi retirada a bateria de polari!ao reversa entre base e coletor.
Observa"se ento uma semelhana entre a polari!ao direta de um diodo com
a polari!ao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.
4este caso haver- um flu#o relativamente intenso de portadores majorit-rios
do material p para o material n.
3
+ransistor npn com polari!ao
direta entre base e emissor e
polari!ao reversa entre coletor e
base.
+ransistor pnp com polari!ao
direta entre base e emissor e
polari!ao reversa entre coletor e
base
% - Juno re&er'!ente "o#ri$d:
0assemos a analisar o comportamento da juno reversamente polari!ada,
conforme mostra a figura abai#o. 4este caso, foi removida a bateria de polari!ao
direta entre emissor e base.
Observa"se agora, em virtude da polari!ao reversa um aumento da regio de
depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um flu#o
de portadores minorit-rios (corrente de fuga nos diodos,, flu#o este que depende
tambm da temperatura. 0odemos ento di!er que uma juno p-n deve ser
diretamente polari!ada (base"emissor, enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polari!ada (base"coletor,.
(LU)O *E CORRE+TE:
5uando um transistor polari!ado corretamente, haver- um flu#o de corrente,
atravs das jun%es e que se difundir- pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
*ssas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. base a camada mais fina e menos dopada6
3. O emissor a camada mais dopada6
7. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.
8ma pequena parte dos portadores majorit-rios ficam retidos na base. /omo a
base uma pel9cula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
7
corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (:
.
,,
sendo da ordem de microamp;res. s correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja da ordem de miliamp;res, isto para transistores de bai#a potncia, podendo
alcanar alguns amp;res em transistores de potncia. <a mesma forma, para
transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.
0odemos ento di!er que o emissor (*, o respons-vel pela emisso dos
portadores majorit-rios6 a base (., controla esses portadores enquanto que o coletor
(/, recebe os portadores majorit-rios provenientes do emissor.
e#emplo dos diodos reversamente polari!ados, ocorre uma pequena corrente
de fuga, praticamente despre!9vel, formada por portadores minorit-rios. Os portadores
minorit-rios so gerados no material tipo n (base,, denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor,,
formando assim uma corrente minorit-ria de lacunas. =embre"se de que os portadores
minorit-rios em um cristal do tipo n so as lacunas.
<esta forma a corrente de coletor (:
/
,,

formada pelos portadores majorit-rios
provenientes do emissor soma"se aos portadores minorit-rios (:
/O
, ou (:
/.O
,.
plicando"se a lei de >irchhoff para corrente (=>+,, obtemos:
:
*
? :
/
@ :
.
, onde:
:
/
? :
/ (0OA+<OA*' B2OA:+CA:O',
@ :
/O
ou

:
/.O (0OA+<OA*' B:4OA:+CA:O',
0ara uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o flu#o de corrente em
um transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. 4o entanto, o
processo de an-lise o mesmo.
4a figura acima oberva"se que os portadores minorit-rios (:
/O
ou :
/.O
,
provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Derifica"se ainda em relao ao e#emplo anterior (transistor pnp,, que a
corrente de base (:
.
, tem um sentido oposto , uma ve! que, essa corrente formada
E
por lacunas. <a mesma forma as correntes de emissor (:
*
, e de coletor (:
/
, tambm
tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.
O.': Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de
an-lise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polari!ao e lembrar
que:
Cri't# + " os portadores majorit-rios so os eltrons e os minorit-rios as
lacunas6
Cri't# P " os portadores majorit-rios so as lacunas e os minorit-rios os
eltrons.
figura abai#o mostra um circuito com transistor npn.
juno base"emissor est- polari!ada diretamente e por isto, representa uma
regio de bai#a impedFncia. voltagem de polari!ao base"emissor bai#a (da
ordem de G,HHD a G,ID para transistores de sil9cio,, polari!ao esta, caracteri!ada
pela bateria D
**
enquanto que, a juno base"coletor est- reversamente polari!ada em
funo da bateria D
//
. 4a pr-tica, D
//
assume valores maiores do que D
**
.
/omo j- foi dito anteriormente, a corrente :
/
o resultado dos portadores
majorit-rios provenientes do emissor. corrente de coletor divide"se basicamente em
duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polari!ada coletor"base, denominada :
/.O
, sendo que esta $ltima
assume valores e#tremamente bai#os que em muitos casos podem ser despre!ados.
quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor
depende do tipo de material e dopagem do emissor. *ssa quantidade de corrente varia
de acordo com o tipo de transistor.
constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa,
1
, de
forma que, a corrente de coletor representada por :
*
. Os valores t9picos de
variam de G,J a G,JJ. :sto significa que parte da corrente do emissor no chega ao
coletor
3
.
*#emplo: 5ual a corrente de coletor de um transistor com ? G,JH,
sabendo"se que a corrente de emissor 3mK
Soluo:
:
/
? :
*
:
/
? G,JH . 3m ? 1,Jm
1
O s9mbolo h
).
algumas ve!es usado na lugar de
3
:sto e#plic-vel, pois menor do que 1.
H
/aso :
/.O
no seja despre!ada, a corrente de coletor dada por:
:
/
? :
*
@ :
/.O
( : ,
/omo dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
:
*
? :
/
@ :
.
( :: ,
'ubstituindo ( : , em ( :: ,, podemos calcular a corrente de base:
:
.
? (1 " , . :
*
" :
/.O
?
" 1
. :
/
"
/.O :
relao L (1 " , representada por (beta,
7
.
0odemos ento estabelecer as rela%es:
?
" 1
?
1 +
*#emplos:
a, 8m transistor possui um fator ? G,J3. 5ual o fator K
Soluo:
?
G,J3 " 1
G,J3
?
G,GM
G,J3
? 11,H
b, 8m transistor possui um fator ? 1GG. 5ual o fator K
Soluo:
?
1 +
?
1G1
1GG
? G,JJ
0odemos ento estabelecer uma relao entre e .
E
+emos ento:
?
.
/
:
:
e ?
*
/
:
:
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor t9pico de da
ordem de 7G a 7GG,. *nto, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a
apro#imar"se de 1.
ssim, levando"se em conta que :
/
? :
*
, para um valor de 1GG, podemos
considerar para fins pr-ticos:
:
/
? :
*
7
O s9mbolo h
)*
algumas ve!es usado no lugar de
E
lguns autores utili!am a notao
//
e
//
N
CO+(I,URA-ES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configura%es b-sicas: base comum
(./,, emissor comum (*/, e coletor comum (//,. *ssas denomina%es relacionam"
se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor referncia para a entrada e sa9da de sinal.
BASE CO.U.:
4o circuito a seguir, observa"se que o sinal injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
<esta forma, pode"se di!er que a base o terminal comum para a entrada e
sa9da do sinal. O capacitor "/" ligado da base a terra assegura que a base seja
efetivamente aterrada para sinais alternados.
E.ISSOR CO.U.:
4o circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "/
*
" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. /
um capacitor de acoplamento de sinal.

I
/A/+*AO'+:/':
Panho de corrente (Pi,: Q 1
Panho de tenso (P
D
,: elevado
Aesistncia de entrada (A
:4
,: bai#a
Aesistncia de sa9da (A
O8+
,: alta
/A/+*AO'+:/':
Panho de corrente (Pi,: elevado
Panho de tenso (P
D
, elevado
:4
, mdia
O8+
, alta
COLETOR CO.U.:
figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de
emissor. *ssa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na
entrada estar praticamente presente na sa9da (circuito de emissor,.
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "/
/
" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. /
um capacitor de acoplamento de sinal.

s configura%es emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm
denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. *ssas configura%es
tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abai#o:
REPRESE+TAO *E TE+S-ES E CORRE+TES:
0ara representar tens%es e correntes em um circuito com transistores, utili!a"
se usualmente o mtodo convencional (do @ para o ",, atravs de setas.
0ara as tens%es, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e
as correntes so representadas com setas em sentido contr-rio as das tens%es.
0odemos por e#emplo representar uma tenso entre coletor e emissor por D
/*
quando o transistor for npn. :sto significa que o coletor mais positivo do que o
M
/A/+*AO'+:/':
Panho de corrente (Pi,: elevado
Panho de tenso (P
D
,: 1
:4
,: muito
elevada
O8+
,: muito
bai#a
emissor. *m outras palavras, a primeira letra apRs o D (neste caso o coletor, mais
positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor,.
0ara um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por D
*/
,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
figura abai#o ilustra dois transistores com polaridades opostas, utili!ando
essa representao.
4a figura abai#o temos um outro e#emplo utili!ando essas representa%es6
observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que
indicam as tens%es.
0ara as tens%es D
A/
(tenso no resistor de coletor, e D
A*
( tenso no resistor de
emissor,, a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais
positiva do que na parte inferior.
POLARIZAO CO. U.A /+ICA BATERIA:
+emos visto at agora a polari!ao de transistores utili!ando duas baterias,
sendo uma para polari!ao da juno base"emissor e outra para a juno base"
coletor.
4a maioria das ve!es, uma $nica bateria pode polari!ar um circuito
transistori!ado, visto que o mesmo comporta"se como um circuito fechado.
s tens%es nas jun%es do transistor e nos componentes e#ternos, como
resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utili!ando"se as leis de
>irchhoff para tenso (=>+,.
<a mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando"se =>/.
J
figura a seguir mostra um transistor com polari!ao por divisor de tenso
na base, cuja teoria ser- vista no cap9tulo referente aos circuitos de polari!ao.
Observe atentamente as indica%es das tens%es e das correntes em funo do
sentido das setas.
plicando"se =>+, podemos obter v-rias equa%es:
1. D
//
" D
A/
" D
/*
" D
A*
? G
3. D
/*
"D
.*
" D
/.
? G
7. D
//
" D
A.1
" D
A.3
? G
E. D
A.1
" D
A/
" D
/.
? G
H. D
A.3
" D
.*
" D
A*
? G
N. D
//
" D
A/
" D
/.
" D
.*
" D
A*
? G
plicando"se =>/ no ponto S, temos:
1. :
.
? :
1
" :
3
3. :
1
? :
3
@ :
.
CUR0AS CARACTER1STICAS:
s curvas caracter9sticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
<e acordo com as necessidades do projeto essas regi%es de operao devem
ser escolhidas. 5uando necessitamos de um transistor como chave eletr&nica,
normalmente as regi%es de corte e saturao so selecionadas6 no caso de transistor
operando como amplificador, via de regra, escolhe"se a regio ativa.
regio de ruptura indica a m-#ima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.

seguir so mostradas algumas curvas caracter9sticas, apenas como fim
did-tico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
1G
/8AD /A/+*AO'+:/ 0A BO4+P*B *B *B:''OA /OB8B:
regio de corte mostrada na -rea sombreada, onde :
.
? G.
curva de potncia m-#ima representa a m-#ima potncia que pode ser
dissipada pelo transistor.
/8AD /A/+*AO'+:/ 0A BO4+P*B *B .'* /OB8B:
11
Observa"se na curva caracter9stica para montagem em base comum, que a
corrente de emissor controla a corrente de coletor, enquanto que na curva
caracter9stica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla a
corrente de coletor.
/8AD /A/+*AO'+:/ 0A BO4+P*B *B /O=*+OA /OB8B:
Observe a calibrao dos ei#os de tenso e corrente para a montagem em
coletor comum, onde a corrente de base controla a corrente de emissor.

figura abai#o mostra a curva caracter9stica para emissor comum semelhante
a vista anteriormente, no entanto, observe a -rea sombreada, a qual denominada de
-rea $til, na qual o transistor opera com total segurana.
13
regio $til delimitada pela curva de potncia m-#ima
H
e conforme dito
anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a m-#ima
potncia permitida.
CIRCUITOS *E POLARIZAO:
presentaremos a seguir alguns circuitos de polari!ao muito utili!ados e
suas principais caracter9sticas:
1 " 0O=A:TUVO 0OA /OAA*4+* <* .'* /O4'+4+*
+ambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utili!ado
quando deseja"se que o transistor opere como chaveamento eletr&nico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.
0or esse motivo esse tipo de polari!ao no utili!ado em circuitos lineares,
pois muito inst-vel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
0ara este tipo de polari!ao: :
/
? :
.
0ara evitar o disparo trmico, adota"se geralmente: D
/*
? G,HD
//
3 " 0O=A:TUVO 0OA /OAA*4+* <* *B:''OA /O4'+4+*
<iferente do caso anterior, procura"se compensar as varia%es de atravs do
resistor de emissor.
ssim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando
tambm a tenso no emissor, fa!endo com que haja uma diminuio da tenso de
H
+ambm denominada hiprbole de m-#ima dissipao.
17
polari!ao D
.*
, redu!indo a corrente de base. :sto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
plicando =>+:
D
//
? D
A/
@ D
/*
@ A
*
:
*

onde: D
A/
? A
/
:
/
logo:
D
//

? A
/
:
/
@ D
/*
@ A
*
:
*
dota"se como pr-tica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sa9da: D
A*
? G,1D
//
*qua%es b-sicas:
:
.
?
* .
//
A A
D
+
ou ainda: :
.
?
/ :
:
*
? ( @ 1,:
.
7 " 0O=A:TUVO 0OA A*=:B*4+UVO 4*P+:D
*ste circuito redu! o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.
*qua%es b-sicas:
D
A*
? G,1D
//
D
A/
? D
//
" (D
/*
@ D
A*
,
:
.
?
/ .
//
A A
D
+
1E
E " '*P8:<OA <* *B:''OA
O seguidor de emissor tem como caracter9stica o ganho de tenso bai#o ( 1,
*qua%es b-sicas:
D
/*
? G,HD
//
A
*
?
*
//
:
G,HD
:
*
? :
.
:
.
?
* .
//
A A
D
+
H " 0O=A:TUVO 0OA <:D:'OA <* +*4'VO 4 .'*
polari!ao por divisor de tenso na base ou polari!ao universal um dos
mtodos mais usados em circuitos lineares.
grande vantagem desse tipo de polari!ao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ,. O nome divisor de tenso proveniente do divisor
1H
de tenso formado por A
.1
e A
.3
, onde A
.3
polari!a diretamente a juno base"
emissor.
0assemos a analisar como opera esse tipo de polari!ao.
A"#i2ndo T34&enin:
brindo o terminal da base temos: D
+W
?
.3 .1
// .3
A A
D . A
+
inda com o terminal da base aberto e D
//
em curto, temos:
A
+W
?
.3 .1
.3 .1
A A
A . A
+
:sto nos d- o circuito equivalente de +h;venin:
OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recee o no!e de "
BB
enquanto
que a tenso equivalente de Thvenin recee o no!e de #
BB
plicando =>+:
D
+W
" A
+W
:
.
" D
.*
" A
*
:
*
? G
'endo: :
.
?
1
:*
+
, temos: :
*
?
1
A
A
D " D
+W
*
.* +W
+
+
'e A
*
for 1G ve!es maior do que
1
A+W
+
, podemos simplificar a fRrmula:
:
*
?
*
.* +W
A
D " D
0ara se conseguir uma boa estabilidade no circuito utili!a"se a regra 1G:1, o
que equivale di!er que:
A
+W
G,1A
*
presentamos a seguir algumas regras pr-ticas para a elaborao de um
projeto de polari!ao por divisor de tenso na base:
1N
D
*
? G,1D
//
D
/*
? G,HD
//
D
A/
? G,ED
//
A
/
? EA
*
A
..
? G,1A
*
A
.1
?
..
// ..
D
D . A
ou A
.1
? A
..
.
..
//
D
D
A
.3
?
.. .1
.. .1
A " A
A . A
ou A
.3
?
//
..
..
D
D
" 1
A
/-lculo das correntes de emissor, base e coletor
*m funo de
:
.
?
1, (
:*
+
" :
/.O
:
*
? ( @ 1,:
.
@ ( @ 1,:
/.O
:
/
? :
.
@ ( @ 1,:
/.O
onde: ( @ 1,:
/.O
? :
/*O
*m funo de :
0artindo da equao ( :: , da p-gina N desta apostila:
:
/
? :
*
@ :
/.O
temos: :
*
? :
/
@ :
.
logo: :
/
? (:
/
@ :
.
, @ :
/.O
portanto: :
/
? :
/
@ :
.
@ :
/.O
resolvendo: :
/
" :
/
? :
.
@ :
/.O
colocando :
/
em evidncia resulta:
:
/
(1 " , ? :
.
@ :
/.O
portanto:
:
/
?
" 1
:

" 1
: /.O .
CORRE+TES *E (U,A +O TRA+SISTOR:
*#istem trs situa%es distintas para o transistor: coletor aberto6 emissor aberto
e base aberta.
1I
:
*.O:
X a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. 4o normal
termos esta situao, uma ve! que a juno base"emissor de um transistor sempre
polari!ada diretamente.
:
/*O:
*sta corrente ao contr-rio da anterior, tem um elevado significado.
+rata"se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.

:
/*O
? ( @ 1,:
/.O
.asicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser- visto
mais adiante.
:
/.O:
Daria com a temperatura, sendo de grande importFncia, uma ve! que,
para cada 1GY/ de aumento de temperatura, essa corrente dobra. X a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
E)ERC1CIOS RESOL0I*OS SOBRE POLARIZAO:
1 " <ado o circuito abai#o, polari!ar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.
Soluo:
dotando D
*
? G,1D
//
, D
/*
? G,HD
//
e D
A/
? G,ED
//
, temos:
D
*
? D
A*
? 1,3D
D
/*
? ND
D
A/
? E,MD
C5#2u#o de I
B
1M
<<O':
? 1GG
:
/
? 7m
D
.*
? G,ID
/omo ? 1GG, podemos fa!er :
/
? :
*
, logo: :
.
?
/ :
?
1GG
7m
? 7G
C5#2u#o de R
E
A
*
?
*
A*
:
D
?
7m
1,3D
? EGG
C5#2u#o de R
BB
A
..
? G,1.EGG ? EZ
C5#2u#o de 0
BB
D
..
? A
..
:
.
@ D
.*
@ D
A*
? E.GGG.(7G.1G
"N
, @ G,I @1,3 ? G,13 @ G,I @ 1,3
D
..
? 3,G3D
C5#2u#o de R
C
A
/
?
/
A/
:
D
?
7m
E,MD
? 1,NZ (equivalente a EA
*
,
C5#2u#o de R
1
A
1
?
..
// ..
D
D . A
?
G3 , 3
(13, . E.GGG
?
3,G3
EM.GGG
? 37.IN3
C5#2u#o de R
%
A
3
?
.. 1
.. 1
A " A
A . A
?
E.GGG " IN3 . 37
E.GGG, (37.IN3,.(
?
1J.IN3
JH.GEM
? E.M1I
0odemos tambm calcular A
3
da seguinte forma:
A
3
?
//
..
..
D
D
" 1
A
?
13
3,G3
" 1
E.GGG
?
G,1NM7 " 1
E.GGG
?
G,M71I
E.GGG
? E.MGJ E.M1I
RESPOSTAS:
A
/ 1,NZ
A
* EGG
A
1 37,IN3Z
A
3 E,M1IZ
:
. 7G
:
*
7m
:
/
7m
3 " <ado o circuito a seguir, calcule: , :
/*O
, :
/
, :
.
, A
/
e A
.
.
1J
<<O':
:
*
? Em
D
.*
? HHGmD
D
/*
? HD
D
//
? 13D
:
/.O
? N
? G,J3
C5#2u#o de
11,H
G,J3 " 1
G,J3

" 1

C5#2u#o de I
CEO
:
/*O
? ( @ 1,:
/.O
? 13,H.(N, ? IH
C5#2u#o de I
C
:
/
? :
*
@ :
/.O
? G,J3.(Em, ? 7,NMm @ IH ? 7,IHHm
C5#2u#o de I
B
:
.
? :
*
" :
/
? Em " 7,IHHm ? 3EH
C5#2u#o de R
C
A
/
?
/
A/
:
D
D
A/
? D
//
" D
/*
" D
A*
(onde D
A*
? G,1D
//
,
D
A/
? 13 " H " 1,3 ? H,MD
A
/
?
7,IHHm
H,MD
? 1.HEZ (1.HEE,N,
C5#2u#o de R
E
A
*
?
*
A*
:
D
?
Em
1,3
? 7GG
C5#2u#o de R
B
A
.
?
.
A.
:
D
D
A.
? D
//
" D
.*
" D
A*
D
A.
? 13 " G,HH " 1,3 ? 1G,3HD
A
.
?
3EH
1G,3HD
? E1,MEZ (E1.M7N,I,
RESPOSTAS:
11,H
:
/*O IH
:
/
7,IHHm
:
. 3EH
3G
A
/ 1.HEZ
A
* 7GG
A
. E1,MEZ
7 " 4o seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tens%es e correntes de
polari!ao, considerando ? EG.
C5#2u#o de I
B
:
.
?
I3,13
3GMZ
1H
1GMZ 1GGZ
1H

, EG(3,IZ 1GGZ
1H

A A
D
* .
//

+
+
C5#2u#o de I
E
:
*
? ( @ 1,.:
.
? (E1,.I3,13 ? 3,JNm
C5#2u#o de 0
CE
D
/*
? D
//
" A
*
:
*
? D
//
" D
A*
? 1H " (3,IZ. 3,JNm, ? 1H " I,JJ3D ? I,GGMD ID
D
A*

? I,JJ3D MD
RESPOSTAS:
:
. I3,13
:
*
3,JNm
D
/*
ID
D
A*
MD
E " /alcule as correntes e as tens%es de polari!ao no circuito a seguir:
/onsidere ? 1GG.
31
C5#2u#o de I
B
:
.
?
3G,3I
IEGZ
1H

EIGZ 3IGZ
1H

1GG.EZI 3IGZ
1H

A A
D
/ .
//

+
+
C5#2u#o de I
C
:
/
? :
.
? 1GG.(3G,3I, ? 3,G3Im
C5#2u#o de 0
CE
D
/*
? D
//
" A
/
:
/
? 1H " (EZI . 3,G3Im, ? 1H " J,H3I ? H,EI7D
RESPOSTAS:
:
.
? 3G,3I
:
/
? 3,G3Im D
/*
? H,EI7D
H " /alcule :
/
, :
.
, A
/
e A
.
no circuito abai#o.
E6u7e' 85'i2'
( : , D
//
" D
A/
" D
/*
" D
A*
? G
D
A/
? A
/
:
/
e D
A*
? A
*
:
*
, temos:
( :: , D
//
? A
/
:
/
@ D
/*
@ A
*
:
*
C5#2u#o de I
C

33
?
.
/
:
:
, logo: :
/
? N . 3GG ? 1,3m
C5#2u#o de I
E
:
*
? :
/
@ :
.

? 1,3m @ N ? 1,3GNm 1,3m
$uando % &''( pode!os considerar )
*

+ )
,
C5#2u#o de R
C
8tili!ando a equao ( :: ,
1H ? (A
/
. 1,3m, @ M @ (1HG . 1,3m, 1H ? (A
/
. 1,3m, @ M @ G,1M
1H ? (A
/
. 1,3m, @ M,1M
A
/
?
H,NMZ
m 3 , 1
M,1M " 1H
(H.NM7,7,
C5#2u#o de R
B

D
A.
? D
/.
@ D
A/
A
.
:
.
? D
/.
@ A
/
:
/
como: D
/*
? D
/.
@ D
.*
, ento: D
/.
? M " G,N ? I,ED
desta forma: A
.
. (N, ? I,E @ (H,NMZ . 1,3m, ? I,E @ N,M1N ? 1E,31ND
A
.
?
N
1E,31ND
? 3,7IB (3.7NJ.777,77,
RESPOSTAS:
:
/
? 1,3m
A
/
? H,NMZ
:
*

? 1,3m A
.

? 3,7IB
RETA *E CAR,A:
0odemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parFmetros de tenso e corrente.
*sse mtodo gr-fico somente pode ser aplicado se tivermos dispon9vel a curva
caracter9stica do transistor, fornecida pelo fabricante.

vantagem da utili!ao do mtodo gr-fico a rapide! na an-lise dos pontos
de operao de um transistor.
4este cap9tulo abordaremos apenas reta de carga para //6 reta de carga para
/ ser- abordada posteriormente.
*ntende"se como ponto de operao, um determinado ponto em que o
transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da
reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de
saturao.
*ste ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "5".
+omemos como e#emplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
37
onde a curva caracter9stica do transistor mostrada ao lado.
Observe as -reas sombreadas, que representam as regi%es de corte e de
saturao.
0ara determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. travs da
equao D
//
? (A
/
@ :
*
,:
/
@ D
/*
, obtemos:
1Y ponto: para :
/
? G, temos D
//
? D
/*
? 3HD
3Y ponto: para D
/*
? G, temos :
/
?
3Gm
1,3HZ
3HD

A A
D
* /
//
+
Pro2edi!ento:
+raa"se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
3E
0ara que o transistor opere na regio linear, o ponto 5 dever- ser o ponto
mdio da reta de carga. 4o nosso e#emplo o ponto mdio (bem apro#imado,
coincidiu com a corrente de base equivalente a 7G.
partir da9 ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
:
/5
? 11,3Hm
D
/*5
? 11D
:
.5
? 7G

0odemos ento calcular o e aplicar =>+ para determinar a tenso nos
resistores:
?
7IH
7G
11,3Hm

:
:
.
/
0artindo da equao: D
//
? D
A/
@ D
/*
@ D
A*
D
A/
? (11,3Hm,.1Z ? 11,3HD
D
A*
? (11,3Hm,.3HG ? 3,M13D
*nto: D
//
? 11,3H @ 11 @ 3,M13 ? 3H,GN3D 3HD
'e na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (5
1
, mais prR#imo da
regio de saturao, por e#emplo :
.
? EH, teremos um aumento da corrente de
coletor e uma diminuio de D
/*
6 para um ponto quiscente (5
3
, mais prR#imo da
regio de corte, por e#emplo :
.
? 1G, teremos uma diminuio da corrente de
coletor e um aumento de D
/*
, conforme ilustra a figura abai#o:
CO+CLUS-ES:
1. 5uando um transistor opera na regio de saturao ou bem prR#ima dela, a tenso
3H
entre coletor e emissor (D
/*
, tende a !ero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
3. 5uando um transistor opera na regio de corte ou bem prR#ima dela, a tenso
entre coletor e emissor (D
/*
, tende a se igualar a D
//
, pois a corrente de coletor
tende a !ero.
tenso de saturao t9pica para um transistor de sil9cio da ordem de 1HG a
3HGmD.
0odemos ento aplicar =>+ referente aos pontos 5
1
e 5
3
, e constatar a
variao de ao longo da reta de carga.
Pr 9
1
:
?
EGG
EH
1Mm

:
:
.
/
D
//
? D
A/
@ D
/*
@ D
A*
? 1Z.(1Mm, @ 3,N @ 3HG.(1Mm,
D
//
? 1M @ 3,N @ E,H ? 3H,1D 3HD
Pr 9
%:
?
3HG
1G
3,Hm

:
:
.
/
D
//
? D
A/
@ D
/*
@ D
A*
? 1Z.(3,Hm, @ 33 @ 3HG.(3,Hm,
D
//
? 3,H @ 33 @ G,N3H ? 3H,13HD 3HD
reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. presentaremos um e#emplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.
/omo no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
1Y ponto:
3N
5uando :
/
? G, temos D
/.
? D
/*
? D
//
.
Observe que o ei#o da tenso est- calibrado em D
/.
.
5uando :
/
? G, D
.*
? G, como D
/.
? D
/*
" D
.*
, logo D
/.
? D
/*
" G
0ortanto, D
/.
? 3HD
3Y ponto:
0ara D
/*
? G, temos: :
/
?
3Hm
1Z
3HD

A
D
/
//
4este caso A
*
o circuito de entrada da configurao base comum, sendo
ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
0odemos ento aplicar =>+ no circuito em funo dos dados obtidos no
gr-fico. /omo trata"se de uma configurao base"comum, e#istem duas malhas
definidas: uma para o circuito de entrada (base"emissor, e outra para o circuito de
sa9da (base"coletor,. Deja a figura abai#o:
Onde: D
A/
? A
/
:
/
? 1Z.(13m, ? 13D
D
A*
? A
*
:
*
? 3Z.(13,3m, ? 3E,ED
<esta forma: D
/*
? D
/.
@ D
.*
? 17 @ G,N ? 17,ND
3I
TRA+SISTOR CO.O C:A0E ELETR;+ICA:
X a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de
carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos di!er
que quando um transistor est- saturado, comporta"se como uma chave eletr&nica
fechada e quando est- em corte, como uma chave eletr&nica aberta.
0ara que efetivamente o transistor opere como uma chave eletr&nica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condi%es de
funcionamento6 variao da temperatura, correntes, , etc.
4a pr-tica, ao projetar uma chave eletr&nica com transistor, utili!a"se a
corrente de base da ordem de 1L1G da corrente de coletor no e#tremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abai#o:
O valor de 3Gm foi escolhido na curva caracter9stica e portanto, a corrente de
base ser- 1L3Gm ? 3m.
OBS: -a elaorao do pro.eto( deve-se to!ar o cuidado de no ultrapassar
os valores !/xi!os especificados pelo faricante( co!o corrente de coletor( corrente
de ase( tenso entre coletor e e!issor( potncia de dissipao( etc0
*stamos considerando o valor de 3Gm plenamente compat9vel com nosso
e#emplo de projeto.
0odemos ento definir os valores de A
/
e A
.
A
.
?
H,NHZ
3m
11,7D

3m
G,I " 13

:
D " D

:
D
.
.* //
.
A.
/onsiderando D
/*
de saturao ? G, teremos: A
/
?
NGG
3m
13D

:
D
/
//
0ara levar o transistor ao corte, basta abrir '[, pois com isso, :
.
? G.
dmitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
<everemos ento recalcular o valor de A
/
.
3M
'upondo que a tenso no led seja de 1,HD (valor t9pico,, ento:
A
/
?
J3H
3Gm
1M,HD

3Gm
1,H " 3G

:
D " D
/
// led
OBS: 1 i!portante oservar se o led suporta a corrente do pro.eto0
8m outro e#emplo de transistor usado como chave mostrado abai#o.
8m sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de G a HD
aplicado na entrada.
4o instante 1, com GD na entrada o transistor entra em corte, operando como
uma chave aberta e teremos na sa9da 1HD (D
//
,6 no instante 3, com HD na entrada o
transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto, teremos
na sa9da GD.
O prR#imo passo verificar se os valores adotados para A
/
e A
.
garantem a
saturao do transistor, ou seja, :
.
deve ser da ordem de 1L1G de :
/
.
:
.
?
G,J1Hm
Z I , E
G,ID " HD
:
/
?
1Gm
Z H , 1
1HD
0ortanto, a relao v-lida (1GLG,J1H ? 1G,J,, garantindo a saturao.

3J
TRA+SISTOR CO.O (O+TE *E CORRE+TE:
/onsiste em tornar a tenso de emissor fi#a, resultando assim em uma corrente
de emissor fi#a.
0elo fato da tenso D
.*
ser fi#a (da ordem de G,ID,, D
*
seguir- as varia%es
da tenso de entrada (D
..
,, isto , se a tenso de entrada aumentar de ND para 1GD, a
tenso D
*
(nos e#tremos de A
*
, variar- de H,7D para J,7D.
o contr-rio do transistor como chave eletr&nica, o ponto de operao situa"se
na regio ativa ao longo da reta de carga.
identificao entre um circuito com transistor operando como chave
eletr&nica e como fonte de corrente f-cil6 quando opera como chave eletr&nica, o
emissor aterrado e e#iste um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente
o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.
5uando desejamos acionar um led, o ideal fa!"lo atravs de uma fonte de
corrente, principalmente quando o valor de D
//
bai#o, levando"se em conta a queda
de tenso no led da ordem de 1,H a 3,HD.
ilustrao abai#o mostra as diferenas entre uma chave eletr&nica e uma
fonte de corrente.
0ara entender melhor o que foi acima e#posto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
<evemos ento estabelecer um valor ideal de A
*
para nosso projeto.
Damos supor:
7G
D
..
(tenso de entrada, ? @HD
D
//
? @13D
:
/
? Hm (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa,
*eter!inr:
A' ten'7e' e! R
C
"r o' &#ore' de 1< e 1<<<
O &#or de 0
CE
n' du' 2ondi7e'
2eter!inando "
,
/onsiderando :
/
? :
*
, temos:
A
*
?
MNG
Hm
E,7D

m H
G,ID " HD

:
D

:
D " D
*
A*
*
.* ..
3e!rar que #
BB
- #
B,
+ #
",
+ #
,
tenso de E,7D ficar- fi#a, fi#ando tambm a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de A
/
, desde que o transistor opere dentro da regio ativa.
*alculando #
"*
=evando"se em conta que a tenso do emissor est- amarrada em E,7D ento,
para os dois casos :
/
? Hm (estamos admitindo :
*
? :
/
,.
0ara A
/
? EIG D
A/
? 1G.(Hm, ? G,GHD
0ara A
/
? 1,HZ D
A/
? 1Z.(Hm, ? HD
0ara satisfa!er a equao D
//
" D
A/
" D
/*
" D
A*
? G, a tenso D
/*
que variar-,
assim sendo temos:
Pr R
C
= 1<
D
/*
? 13 " G,GH " E,7 ? I,NHD
Pr R
C
= 1>
D
/*
? 13 " H " E,7 ? 3,ID
/O4/=8'\*': corrente de coletor manteve"se constante para uma
71
variao muito grande de A
/
(1GG ve!es,.
Besmo com A
/
? G a corrente de emissor se manter- em Hm. 4o entanto, se
A
/
assumir valores mais elevados, suponhamos EZ, ter9amos teoricamente D
A/
?
3GD, o que invalidaria a equao D
//
" D
A/
" D
/*
" D
A*
? G, em outras palavras, para
satisfa!er a dita equao, :
/
teria que assumir valores menores. <eve"se portanto
evitar trabalhar com valores de A
/
que propiciem uma tenso D
/*
muito prR#ima da
regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer- praticamente
igual.
5uanto maior for A
*
(respeitando"se as caracter9sticas do projeto,, mais
est-vel torna"se a corrente de coletor.
5uando o valor de D
//
for relativamente bai#o (por e#emplo HD, o
acionamento de leds mais efica! com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,HD a 3,HD,, a corrente
ser- praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
0ara fi#ar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abai#o.
Os leds ="1 e ="3 necessitam de uma corrente de 1Hm para obter uma
luminosidade ideal. 4o entanto ="1 proporciona uma queda de 1,HD enquanto que ="3
uma queda de 3,HD. 0oder- o led 4 ter sua luminosidade diminu9da por necessitar de
mais tensoK
Soluo:
primeira impresso de que realmente o led 4 ter- sua luminosidade
diminu9da, pois em comparao ao led & necessita de mais tenso em seus terminais.
4o entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer-, conforme ser- mostrado nos c-lculos a seguir:
(i?ndo 2orrente de e!i''or:
73
'e ambos os leds necessitam de 1Hm para o brilho ideal ento basta fi#ar a
corrente de emissor em 1Hm, dimensionando o valor de A
*
.
A
*
?
1H7,777
1Hm
G,ID " 7D

:
D " D
*
.* ..

(onde D
..
" D
.*
? D
A*
,
dotaremos ento A
*
? 1HG
0ara o led 1: D
/*
? N " Dled " D
A*
? N " 1,H " 3,7 ? 3,3D
0ara o led 3: D
/*
? N " Dled " D
A*
? N " 3,H " 3,7 ? 1,3D
<esta forma, a luminosidade do led 3 no ser- diminu9da.
figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tens%es sejam diferentes.
Ret de 2r@ de L-1
1Y ponto:
:
/
?
7Gm
1HG
1,HD " ND

A
D " D
*
//
led
3Y ponto:
D
/*
? D
//
" Dled ? N " 1,H ? E,HD
Ret de 2r@ de L-%
1Y ponto:
:
/
?
37,7m
1HG
3,HD " ND

A
D " D
*
//
led
3Y ponto:
D
/*
? D
//
" Dled ? N " 3,H ? 7,HD
RE,ULA*OR SARIE:
77
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utili!am apenas diodo !ener.
O diodo !ener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o
transistor o elemento regulador ou de controle. Observa"se que o transistor est- em
srie com a carga, da9 o nome re5ulador s6rie.
(U+CIO+A.E+TO:
tenso de sa9da estar- dispon9vel na carga (D
=
,, ento: D
=
? D
T
" D
.*
/omo D
T
]] D
.*
podemos apro#imar: D
=
? D
T
'endo D
T
constante, a tenso no ponto "#" ser- constante
/aso D
:4
aumente podemos analisar o que acontece aplicando =>+:
D
:4
? D
A
@ D
T
, mas D
A
? D
/.
, logo: D
:4
? D
/.
@ D
T
D
/*
? D
/.
@ D
.*
0ortanto, quando D
:4
aumenta, como D
T
constante, D
/.
tambm aumentar-
provocando um aumento de D
/*
, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo D
=
constante.
D
=
? D
:4
" D
/*
*nto: se D
:4
aumenta D
/*
aumenta D
=
no se altera
/aso D
:4
diminua podemos analisar o que acontece aplicando =>+, obedecendo
os mesmos princ9pios adotados anteriormente. 4este caso D
/.
diminui.
/om a diminuio de D
:4
D
/*
diminui D
=
no se altera
LI.ITA-ES:
0#ore' !Bni!o' e !5?i!o' de 0
I+
/omo D
:4
? D
A
@ D
T
e D
A
? A.:
A
mas :
A
? :
T
@ :
.
ento:
D
:4
? A(:
T
@ :
.
, @ D
T
0ara D
:4
m9nima temos: D
:4(B:4,
? A(:
T(B:4,
@ :
.(BS,
,
7ortanto( aaixo do valor !8ni!o de entrada o diodo zener perder/ suas
caracter8sticas de estailizao0
0ara D
:4
m-#ima temos: D
:4(BS,
? A(:
T(BS,
@ :
.(B:4,
,
Aci!a do valor !/xi!o de entrada o diodo zener perder/ ta!6! suas
7E
caracter8sticas de estailizao e ser/ danificado0
CO+*I-ES PARA U. PROJETO:
lguns parFmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condi%es normais sem danificar seus componentes.
Ten'o de entrd !5?i!:
D
:4(BS,
? (:
.(B:4,
@ :
T(BS,
,.A @ D
T
( : ,
4a pior condio A
=
? (carga aberta,, logo :
.(B:4,
? G
D
:4(BS,
? A.(:
T(BS,
, @ D
T
onde: :
T(BS,
?
T
T(BS,
D
0
Ten'o de entrd !Bni!:
D
:4(B:4,
? (:
.(BS,
@ :
T(B:4,
,.A @ D
T
( :: ,
<e ( : , tiramos: :
T(BS,
?
A
D " D T :4(BS,
( :::,
<e ( :: , tiramos: :
T(B:4,
@ :
.(BS,
?
A
D " D T :4(B:4,
( :D ,
<ividindo ( ::: , e ( :D , temos:
T :4(B:4,
T :4(BS,
.(BS, T(B:4,
T(BS,
D " D
D " D

: :
:
+
PROJETO
0rojetar uma fonte de alimentao estabili!ada com diodo !ener e transistor
com as seguintes caracter9sticas:
+enso de sa9da (D
=
,: ND
/orrente de sa9da m-#ima (:
=(BS,
,: 1,H
+enso de entrada (D
:4
,: 13D t 1G^
E'2o#3 do trn'i'tor
O transistor a ser utili!ado dever- obdecer as seguintes caracter9sticas:
D
/.O
] D
:4(BS,
no caso 17,3D
:
/(BS,

N
] :
=(BS,
no caso 1,H
0
/(BS,

I
] (D
:4(BS,
" D
=
, . :
/(BS,
'upondo que o transistor escolhido seja o .<37H, que de acordo com o
manual do fabricante tem as especifica%es:
N
:
/(BS,
a m-#ima corrente que o coletor pode suportar
I
0
/(BS,
a m-#ima potncia de dissipao do coletor
7H
D
/.O(BS,
? EHD
:
/(BS,
? 3
0
/(BS,
? 3H_
] EG Q 3HG
4este caso, o valor m9nimo de beta EG e o m-#imo 3HG. 0ara que o projeto
funcione sem problemas adota"se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as e#igncias quanto a D
/.O(BS,
e :
/(BS,
. 4o
entanto preciso verificar se a potncia que ser- dissipada pelo coletor ser- suficiente
para este projeto.
Derificando a potncia que ser- dissipada pelo coletor:
0
/(BS,
? (D
:4(BS,
" D
=
, . :
/(BS,
:
/(BS,
? :
*(BS,
" :
.(BS,
:
*(BS,
? :
=(BS,
:
/(BS,
? :
=(BS,
" :
.(BS,

:
.(BS,
?
, B:4 (
/(BS, :
logo: :
/(BS,
? :
=(BS,
"
, B:4 (
/(BS, :
:
/(BS,
?
, B:4 (
=(BS,
1
1
:
+
?
1,EN
1,G3H
1,H

G,G3H 1
1,H

EG
1
1
1,H

+
+

0
/(BS,
? (17,3D " ND, . 1,EN ? 1G,H_
O transistor escolhido atender/ as necessidades do pro.eto quanto a
dissipao de potncia( por estar aaixo da potncia !/xi!a especificada pelo
faricante0 Torna-se necess/rio entretanto o uso de u! dissipador adequado para
evitar soreaqueci!ento do transistor0
E'2o#3 do diodo $ener:
=evando"se em conta que D
=
? D
T
" D
.*
e que D
.*
G,ID, se adotarmos um
diodo !ener com tenso nominal de ND, ento na carga teremos H,7D. O ideal ento
adotar um diodo !ener com N,ID, porm este valor no comercial. O valor
comercial mais prR#imo encontrado o .`S/NDM, que tem uma tenso nominal de
N,MD e 0
T(BS,
igual a HGGm_ com :
T(B:4,
? Mm.
0
T(BS,
?
I7,H7m
N,MD
G,H_
+eremos ento na carga N,1D, valor este, perfeitamente aceit-vel.

Derificando se o diodo !ener escolhido pode ser utili!ado:
:
T(BS,
?
( ) .(BS, T(B:4,
T :4(B:4,
T :4(BS,
: : .
D " D
D " D
+
,
_

7N
:
.(BS,
?
7N,Hm
EG
1,EN

:
, B:4 (
/(BS,

:
T(BS,
?
( ) 7N,Hm Mm .
N,MD " 1G,MD
N,MD " 17,3D
+
,
_
:
T(BS,
?
I1,3m EE,Hm .
ED
N,ED
/omo 0
T(BS,
teRrico ? I7,H7m e :
T(BS,
? I1,3m o diodo !ener escolhido
pode ser utili!ado.
C5#2u#o de R:
0ara a m-#ima de tenso de entrada: D
:4(BS,
? 17,3D
D
:4(BS,
? A.(:
.(B:4,
@ :
T(BS,
, @ D
T
4a pior condio: A
=
? :
.(B:4,
? G
D
:4(BS,
? (A . :
T(BS,
, @ D
T
A ?
MI,GE
I7,H7m
N,ED

m H7 , I7
N,MD " 17,3D

:
D " D
, BS ( T
T :4(BS,
0ara a m9nima tenso de entrada: D
:4(B:4,
? 1G,MD
A ?

+
+
MJ,MJ
EE,Hm
ED

Mm 7N,Hm
ND " 1G,MD

: :
D " D
T(B:4, .(BS,
T :4(B:4,
0ortanto A dever- ser maior do que MI,GE e menor do que MJ,MJ. dotaremos o
valor comercial mais prR#imo: J1
0otncia dissipada pelo resistor:
0 ?
A
*
3
0 ?
A
, D (D
3
T " :4(BS,
? G,HGM_
J1
(N,MD,

J1
ND, " (17,3D
3 3

0odemos adotar um valor comercial mais prR#imo: 1_
RE,ULA*OR PARALELO:
e#emplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
!ener como elemento de referncia.
/omo a carga fica em paralelo com o transistor, da9 a denominao re5ulador
paralelo, cujo circuito mostrado abai#o.
7I
an-lise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princ9pios do
regulador srie, no que di! respeito aos parFmetros do transistor e do diodo !ener.
(U+CIO+A.E+TO:
D
T
? D
/.
como D
T
constante, D
/.
ser- constante
D
/*
? D
/.
@ D
.*
, mas D
/.
]] D
.*
logo: D
/*
? D
/.
, onde D
/*
? D
T
o variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como D
T
fi#a, variar-
D
.*
variando a corrente :
.
e consequentemente :
/
. *m outras palavras, variando"se a
tenso de entrada ocorrer- uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.
4este caso, D
/*
tende a parmanecer constante desde que :
T
no assuma valores
menores que :
T(B:4,
e maiores que :
T(BS,
.
Os parFmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
D
:4
, D
=
e :
=(BS,
.
Ten'o de entrd !5?i!:
4a pior condio A
=
? :
=
? G
D
:4(BS,
? A
1
.(:
=(BS,
@ :
/(BS,
, @ D
T
@ D
.*
/(BS, T(BS,
1
.* T :4(BS,
: :
A
D " D " D
+
( : ,
Ten'o de entrd !Bni!:
D
:4(B:4,
? A
1
.(:
T(B:4,
@ :
/(B:4,
@ :
=(BS,
, @ D
T
@ D
.*
=(BS, /(B:4, T(B:4,
1
.* T :4(B:4,
: : :
A
D " D " D
+ +
( :: ,
<ividindo ( : , e ( :: ,, temos:
.* T :4(B:4,
.* T :4(BS,
=(BS, , B:4 ( / T(B:4,
/(BS, T(BS,
D " D " D
D " D " D

: : :
: :
+ +
+
)solando )
9:;A<=:
7M
:
T(BS,
?
/(BS, =(BS, /(B:4, T(B:4
.* T :4(B:4,
.* T :4(BS,
: " , : : (: .
D " D " D
D " D " D
+ +
,
_
( ::: ,
OBS: )
*:;)-=
6 a corrente de coletor para u!a tenso de entrada !8ni!a0 ,!
!uitos pro.etos a !es!a pode ser desprezada por no ter influncia si5nificativa no
resultado final0
Corrente e! R
%:
:
A3
? :
T(B:4,
" :
.(B:4,
, onde :
.(B:4,
?
, B:4 (
/(B:4, :

portanto: :
A3
? :
T(B:4,
"
, B:4 (
/(B:4, :
( :D ,
5uando a tenso de entrada for m-#ima e a carga estiver aberta (pior
condio,, um acrscimo de corrente circular- pelo diodo !ener. /omo D
.*

praticamente constante, essa corrente circular- pela base do transistor, da9 ento
teremos:
A3 T(BS, .(BS,
.(BS, . , B:4 ( /(BS,
: " : :
: :

:
/(BS, ?
(B:4,
. (:
T(BS,
" :
A3
( D ,
'ubstituindo ( D , em ( ::: ,, temos:
:
T(BS,
?
,
_
.* T :4(B:4,
.* T :4(BS,
D " D " D
D " D " D
. (:
T(B:4,
@ :
/(B:4,
@ :
=(BS,
, "
(B:4,
.(:
T(BS,
" :
A3
:
T(BS,
?
1
1
. : , : : (: .
D " D " D
D " D " D
, B:4 (
A3 . , B:4 ( =(BS, /(B:4, T(B:4,
.* T :4(B:4,
.* T :4(BS,
+
1
]
1
+ + +
,
_

E'2o#3 do trn'i'tor:
<evero ser observados os parFmetros:
D
/*O

M
] (D
T
@ D
.*
,
:
/(BS,
] :
=(BS,
0
/(BS,
] (D
T
@ D
.*
, . :
/(BS,
Os parFmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
0rojetar um regulador paralelo , com as seguintes caracter9sticas:
D
=
? 1HD
:
/(BS,
? NGGm
D
:4
? 33D t 1G^
M
D
/*O
a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
7J
E'2o#3 do trn'i'tor:
O transistor dever- ter as seguintes caracter9sticas:
D
/*O
] (D
/*
@ D
D.*
,
:c
(BS,
] :
=(BS,
0
/(BS,
] (D
T
@ D
.*
, . :
/(BS,
dotaremos o transistor 347H7E, que tem as caracter9sticas:
D
/*O
? 7HD
:
/(BS,
? 7
0
/(BS,
? 7H_
(m9nimo ? EG6 m-#imo ? 13G,
O diodo !ener escolhido foi o .TS/1/1H, que tem as caracter9sticas:
0
T(BS,
? 1,7_
:
T(B:4,
? 3Gm
D
T
? 1HD
:
T(BS,
?
MN,NIm
1HD
1,7_

D
0
T
T(BS,

0eriCi2ndo 'e o diodo $ener e'2o#3ido "ode 'er uti#i$do:
:
T(BS,
?
1
1
. : , : : (: .
D " D " D
D " D " D
, B:4 (
A3 . , B:4 ( =(BS, /(B:4, T(B:4,
.* T :4(B:4,
.* T :4(BS,
+
1
]
1
+ + +
,
_
<espre!ando :
/(B:4,
:
/B:4,
? G, ento como :
A3
? :
T(B:4,
"
, B:4 (
/(B:4, :
, :
A3
? 3Gm
:
T(BS,
?
E1
1
. EG.(3Gm, NGGm, G (3Gm .
G,ID " 1HD " 1J,MD
G,ID " 1HD " 3E,3D
1
]
1
+ + +
,
_
:
T(BS,
?
G,G3EE . MGGm, (N3Gm .
E,1D
M,HD
1
]
1
+
,
_
? (3,GI7 . 1,E3,.G,G3EE ? I1,M7m

:
T(BS,
? I1,M7m (o !ener pode escolhido compat9vel,
C#2u#ndo I
CD.A)E
:
:
/(BS,
?
(B:4,
. (:
T(BS,
" :
A3
,
:
/(BS,
? EG . (I1,M7m " 3Gm,
:
/(BS,
? EG . H1,M7m ? 3,GI7
:
/(BS,
? 3,GI7 (o transistor compat9vel quando a :
/(BS,
,
C#2u#ndo P
CD.A)E
:
EG
0
/(BS,
? (D
T
@ D
.*
, . :
/(BS,
? 1H,GI . 3,GI7 ? 71,3E_
0
/(BS,
? 71,3E_
O transistor escolhido atender/ as necessidades do pro.eto quanto a
dissipao de potncia( por estar aaixo da potncia !/xi!a especificada pelo
faricante0 Torna-se necess/rio entretanto o uso de u! dissipador adequado para
evitar soreaqueci!ento do transistor0
C#2u#ndo R
%
:
D
A3
? A
3
.:
A3
D
A3
? D
.*
A
3
?
7H
3Gm
G,ID

3Gm
D.*
(adotar 77,
0
A3
?
( ) ( )
1E,MHm_
77
G,EJD

77
G,I

A
*
3
3
3
A3
C#2u#ndo R
1
:
A
1
?

+
+ +
N,N17
N3Gm
E,1D

NGGm 3Gm
G,ID " 1HD " 1J,MD

: : :
D " D " D
=(BS, /(B:4, T(B:4,
.* T :4(B:4,
O.': :
/(B:4,
? G
A
1
?

+
+
7,JE
3,1N
D H , M

3,GI7 MN,NIm
G,ID " 1HD " 3E,3D

: :
D " D " D
/(BS, T(BS,
.* T :4(BS,
A
1
dever- ser maior do que 7,JE e menor do que N,N17
7,JE Q A Q N,N1
A
1
adotado ? H,N (valor comercial,
PotFn2i di''i"d "or R
1
:
0
A1
?
( ) ( ) ( ) ( )
13,J_
H,N
M,HD

H,N
G,ID " 1HD " 3E,3D

H,N
D " D " D

A
D
3 3 3
.* T :4(BS,
1
3
A1
(adotar 1H_ " valor comercial,

RE,ULA*OR CO. A.PLI(ICA*OR *E ERRO:
O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sens9vel as
varia%es da tenso de entrada, ou varia%es da corrente de carga, atravs da
introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que
comp%em o circuito tem as seguintes fun%es:
<iodo Tener: utili!ado como elemento de referncia de tenso6
+ransistor +
1
: o elemento de controle, que ir- controlar a tenso de sa9da
a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador6
E1
+ransistor +
3
: basicamente um comparador de tenso </, isto ,
compara duas tens%es, D
A3
e D
A7
, sendo a tenso D
A7
fi#a (denominada
tambm tenso de referncia,, cuja finalidade controlar a tenso de
polari!ao do circuito de controle. 5ualquer diferena de tenso entre os
dois resistores ir- fornecer a sa9da do comparador uma tenso de referncia
que ser- aplicada ao circuito de controle.
(U+CIO+A.E+TO:
5uando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sa9da.
'upondo que D
:4
aumente, a tenso nos e#tremos de A
=
tender- a aumentar,
aumentando a tenso D
A3
e D
A7
, mas, como a tenso no emissor de +
3
fi#ada por D
T
,
ento um aumento de tenso no ponto "#" provocar- um aumento de D
.*3
, que
aumentar- :
.3
e consequentemente :
/3
.
5uando :
/3
aumenta, haver- um aumento da tenso em A
1
(D
A1
,, uma ve! que
a tenso do emissor de +
3
fi#ada pela tenso de !ener (D
T
,.
/omo D
.*1
fi#a, ento um aumento de D
A1
provocar- um aumento de D
/*1
.
=embrar que D
A1
? D
/.1
e que D
/.1
@ D
.*1
? D
/*1.
8m aumento de :
/3
provocar- tambm um discreto aumento na corrente de
base de +
1
(:
.1
,.
:
/3
? :
A1
" :
.1
:
A1
? :
/3
@ :
.1
(OR.ULRIO:
Con'iderndo ten'o de entrd !5?i!
D
:4(BS,
? D
=
@ D
.*1(B:4,
@ A
1
.(:
T(BS,
@ :
.1(B:4,
,
mas, :
T(BS,
]] :
.1(B:4,
, logo:
D
:4(BS,
? D
=
@ D
.*1(B:4,
@ A
1
.(:
T(BS,
,
E3
:
T(BS,
?
1
.*1(B:4, = :4(BS,
A
D " D " D
( : ,
Con'iderndo ten'o de entrd !Bni!
D
:4(B:4,
? D
=
@ D
.*1(BS,
@ A
1
.(:
T(B:4,
@ :
.1(BS,
,
:
T(B:4,
@ :
.(BS,
?
1
.*1(BS, = :4(B:4,
A
D " D " D
mas, :
.(BS,
?
, B:4 ( 1
=(BS, :
:
=(BS,
:
/(BS,
temos ento:
1
.*1(BS, = :4(B:4,
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
A
D " D " D

:
:
+
( :: ,
dividindo ( : , e ( :: ,
.*1(BS, = :4(B:4,
.*1(B:4, = :4(BS,
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
T(BS,
D " D " D
D " D " D

:
:
:
+
:
T(BS,
?
,
_
+
,
_
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
.*1(BS, = :4(B:4,
.*1(B:4, = :4(BS, :
: .
D " D " D
D " D " D
( ::: ,
C5#2u#o de R
1
A
1
]
T(BS,
.*1(B:4, = :4(BS,
:
D " D " D
A
1
Q
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
.*1(BS, = :4(B:4,
:
:
D " D " D
+
potncia desenvolvida em A
1
no pior caso dada por:
D
A1
? D
:4(BS,
" (D
=
@ D
.*1(B:4,
,
0
A1
?
[ ]
(adotado, A
, D (D " (D
1
3
.*(B:4, = :4(BS, +
C5#2u#o de R
%
dota"se uma regra pr-tica, onde: :
A3
? G,1.:
/3
5uando :
/3
? :
T(B:4,
A
3
Q
T(B:4,
.*3(BS, T =
G,1.:
D " D " D

5uando :
/3
? :
T(BS,
A
3
]
T(BS,
.*3(B:4, T =
G,1.:
D " D " D
:
T(BS,
?
(adotado, A
D " D " D
1
.*1(B:4, = :4(BS,
:
T(B:4,
?
.1(BS,
1
.*1(BS, = :4(B:4,
: "
(adotado, A
D " D " D
:
.1(BS,
?
, B:4 ( 1
=(BS, :

E7
C5#2u#o de "otFn2i di''i"d e! R
%
D
A3
? D
=
" D
T
" D
.*3(B:4,
0
A3
?
(adotado, A
, D " D " (D
3
3
.*3(B:4, T =
C5#2u#o de R
G
D
A7
? D
=
.
,
_
+ 3 7
7
A A
A
D
A7
.(A
7
@ A
3
, ? D
=
.A
7
D
A7
.A
3
@ D
A7
.A
7
? D
=
.A
7
D
A7
.A
3
? D
=
.A
7
" D
A7
.A
7
D
A7
.A
3
? A
7
.(D
=
" D
A7
,
A
7
?
A7 =
3 A7
D " D
A . D
(A
3
adotado no c-lculo anterior,
C5#2u#o de "otFn2i e! R
G
*m A
7
temos: D
A7
? D
T
@ D
.*3(BS,

0
A7
?
(adotado, A
, D (D
7
3
.*3(BS, T +
PROJETO
0rojetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo !ener de referncia, que obedea as caracter9sticas:
D
:4
? 3HD t 1G^
:
=(BS,
? MGGm
+enso na carga (D
=
, ? 13D
+eremos: D
:4(BS,
? 3H @ 3,H ? 3I,HD D
:4(B:4,
? 3H " 3,H ? 33,HD
E'2o#3 de T
1
:
O transistor +
1
dever- ter as seguintes caracter9sticas:
:
/(BS,
] :
=(BS,
? G,M
D
/*O
] D
:4(BS,
" D
=
? 3I,H " 13 ? 1H,HD
0
/(BS,
] (D
:4(BS,
" D
=
,.:
=(BS,
? (3I,HD " 13D,.MGGm ? 13,E_
O transistor escolhido foi o .<377 que tem os seguintes parFmetros:
D
/*O
? EHD
:
/(BS,
? 3
0
/(BS,
? 3H_
(B:4,
? EG
(BS,
? 3HG
EE
0odemos escolher uma tenso de referncia. dotamos como tenso de
referncia para nosso projeto D
T
apro#imadamente G,HD
=
. 4o entanto, outro valor
pode ser escolhido.
0ara este projeto, optou"se pelo diodo !ener .TSMI"/HD1, que tem os
parFmetros:
:
T(B:4,
? HGm
D
T
? H,1D
0
T(BS,
? 1,7_
<evemos verificar se o !ener escolhido adequado ao projeto:
:
T(BS,
?
3HHm
H,1D
1,7_

D
0
T
T(BS,

:
T(BS,
?
,
_
+
,
_
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
.*1(BS, = :4(B:4,
.*1(B:4, = :4(BS, :
: .
D " D " D
D " D " D

dotando para este projeto D
.*1(B:4,
? G,ND e para D
.*1(BS,
? G,ID
:
T(BS,
?
,
_
+
,
_
EG
MGGm
HGm .
G,ID " 13D " 33,HD
G,ND " 13D " 3I,HD
:
T(BS,
?
1GN,E7m IGm .
J,MD
1E,JD

,
_
0ortanto, o diodo escolhido poder- ser usado.

E'2o#3 de T
%
:
O transistor +
3
dever- ter as seguintes caracter9sticas:
D
/*O
] (D
=
@ D
.*3(B:4,
" D
T
, ? (13D @ G,ND, " H,1D ? 13,ND " H,1D ? I,HD
:
/(BS,
] :
T(BS,
? 3HHm
0
/(BS,
] b(D
=
@ D
.*1(B:4,
, " D
T
c . :
T(BS,
0
/(BS,
] b(13D @ G,ND, " H,1Dc . 3HHm ? 1,J13_
0ara o transistor +
3
tambm foram adotados os valores de G,ND e G,ID para
D
.*3(B:4,
e D
.*3(BS,
respectivamente.
O transistor escolhido foi o .<17H que tem as seguintes caracter9sticas:
D
/*O
? EHD
:/
(BS,
? 1
0
/(BS,
? M_
(B:4,
? EG
(BS,
? 3HG
C5#2u#o de R
1
:
A
1
]
T(BS,
.*1(B:4, = :4(BS,
:
D " D " D
?
HM,E
3HHm
1E,JD

3HHm
G,ND " 13D " 3I,HD
EH
A
1
Q
, B:4 ( 1
=(BS,
T(B:4,
.*1(BS, = :4(B:4,
:
:
D " D " D
+
?

+
1EG
IGm
J,MD

EG
MGGm
HGm
G,ID " 13D " 33,HD
HM,E Q A
1
Q 1EG valor adotado: 1GG
/alculando a potncia desenvolvida em A
1
:
0
A1
?
[ ]
(adotado, A
, D (D " (D
1
3
.*(B:4, = :4(BS, +
? 3,33_
1GG
(1E,JD,

1GG
13,ND, " (3I,HD
3 3
(adotar H_,
C5#2u#o de R
%
:
A
3
]
T(BS,
.*3(B:4, T =
G,1.:
D " D " D
:
T(BS,
?
(adotado, A
D " D " D
1
.*1(B:4, = :4(BS,
:
T(BS,
?
1EJm
1GG
G,ND " 13D " 3I,HD
A
3
]
E33,M3
1E,Jm
N,7D
1E,Jm
G,ND " H,1D " 13D
A
3
Q
T(B:4,
.*3(BS, T =
G,1.:
D " D " D
:
T(B:4,
?
.1(BS,
1
.*1(BS, = :4(B:4,
: "
(adotado, A
D " D " D
:
T(B:4,
?
IMm 3Gm " JMm
EG
MGGm
"
1GG
G,ID " 13D " 33,HD

A
3
Q
IJE,MI
I,Mm
N,3D

I,Mm
G,ID " H,1D " 13D
E33,M3 Q A
3
Q IJE,MI adotar HNG
3
:
0
A3
?
(adotado, A
, D " D " (D
3
3
.*3(B:4, T =
0
A3
?
( )
IG,MMm_
HNG
N,7D

HNG
G,ND, " H,1D " (13D
3 3
C5#2u#o de R
G
:
A
7
?
A7 =
3 A7
D " D
A . D
?

HGN,NI
N,7
7.1J3

H,ID " 13D
, (HNG . H,ID
adotar EIG
onde: D
A7
? D
T
@ D
.*3(B:4,
7
:
0
A7
?
(adotado, A
, D (D
7
3
.*3(BS, T +
EN
0
A7
? I1,HIm_
EIG
(H,M,

EIG
G,ID, (H,1D
3 3
+
CO+(I,URAO *ARLI+,TO+:
'e
1
?
3
? 1GG, teremos: :
/1
? :
*1
e :
/3
? :
*3
O ganho total (
+
, ser- dado por:
1
.
3
? 1GG.1GG ? 1G.GGG
ssim, :
/3
?
+
. :
.1
tenso entre base e emissor dada por: D
.*
? D
.*1
@ D
.*3
0or se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado
de impedFncia de entrada e valor bastante bai#o de impedFncia de sa9da, em relao a
um transistor comum. configurao <arlington normalmente encontrada em um
$nico invRlucro, como por e#emplo os transistores .<3N3 e .<3N7, com polaridades
pnp e npn respectivamente.
PROJETO *E U. RE,ULA*OR SARIE CO. TRA+SISTOR
*ARLI+,TO+
Aeprojetar o regulador srie da p-gina 7E, utili!ando transistor <arlington6
proceder uma an-lise do projeto comparando"o ao projeto anterior e apresentar
conclus%es.
/aracter9sticas do regulador:
+enso de sa9da (D
=
,: ND
/orrente de sa9da m-#ima (:
=(BS,
,: 1,H
+enso de entrada (D
:4
,: 13D t 1G^
0ara este projeto foi escolhido o transistor .<3N7, cujas caracter9sticas so:
EI
configurao <arlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
$nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
apro#imadamente igual a 1.
D
/.O
? MGD
:
/(BS,
? E
0
/(BS,
? 7N_
(B:4,
? HGG
(BS,
? 1.GGG
4este caso, D
.*
maior. Damos considerar para este projeto, D
.*
? 1,ED
<esta forma, o diodo !ener dever- ter uma tenso: ND @ 1,ED ? I,ED.
O valor comercial mais prR#imo de I,HD.
O diodo !ener escolhido foi o.TSIH/IDH, cujas caracter9sticas so:
D
T
? I,HD
0
T(BS,
? EGGm_
:
T(B:4,
? 1Gm
:
T(BS,
?
H7,77m
I,HD
G,E_
0eriCi2ndo e'2o#3 do trn'i'tor:

0
/(BS,
? (D
:4(BS,
" D
=
, . :
/(BS,
:
/(BS,
? :
*(BS,
" :
.(BS,
:
*(BS,
? :
=(BS,
:
/(BS,
? :
=(BS,
" :
.(BS,

:
.(BS,
?
, B:4 (
/(BS, :
logo: :
/(BS,
? :
=(BS,
"
, B:4 (
/(BS, :
:
/(BS,
?
, B:4 (
=(BS,
1
1
:
+
?
1,EJI
1,GG3
1,H

G,GG3 1
1,H

HGG
1
1
1,H

+
+

0
/(BS,
? (17,3D " ND, . 1,EJI ? 1G,IM_
O transistor escolhido poder/ ser utilizado( no entanto( 6 aconselh/vel a
utilizao de u! dissipador de calor para evitar o soreaqueci!ento do transistor0
0eriCi2ndo e'2o#3 do $ener:
:
T(BS,
?
( ) .(BS, T(B:4,
T :4(B:4,
T :4(BS,
: : .
D " D
D " D
+
,
_

:
.(BS,
?
3,JJEm
HGG
1,EJI

:
, B:4 (
/(BS,

:
T(BS,
?
( ) 3,JJEm 1Gm .
I,HD " 1G,MD
I,HD " 17,3D
+
,
_
:
T(BS,
?
33,EEm 13,JJEm .
7,7D
H,ID
/omo 0
T(BS,
teRrico ? H7,77m e :
T(BS,
? 33,EEm o diodo !ener escolhido
EM
pode ser utili!ado.
C5#2u#o de R:
0ara a m-#ima de tenso de entrada: D
:4(BS,
? 17,3D
D
:4(BS,
? A.(:
.(B:4,
@ :
T(BS,
, @ D
T
4a pior condio: A
=
? :
.(B:4,
? G
D
:4(BS,
? (A . :
T(BS,
, @ D
T
A ?
1GN,MM
H7,77m
H,ID

m 77 , H7
I,HD " 17,3D

:
D " D
, BS ( T
T :4(BS,
0ara a m9nima tenso de entrada: D
:4(B:4,
? 1G,MD
A ?

+
+
3H7,JN
13,JJEm
7,7D

1Gm 3,JJEm
I,HD " 1G,MD

: :
D " D
T(B:4, .(BS,
T :4(B:4,
0ortanto A dever- ser maior do que 1GN,MM e menor do que 3H7,JN. dotaremos o
valor comercial mais prR#imo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 1MG.
0otncia dissipada pelo resistor:
0 ?
A
*
3
0 ?
A
, D (D
3
T " :4(BS,
? 1MG,Hm_
1MG
(H,ID,

1MG
I,HD, " (17,3D
3 3

0odemos adotar um valor comercial mais prR#imo: 3HGm_ (1LE_,.
CO.PARA-ES:
0arFmetros 0rojeto com transistor comum 0rojeto com transistor <arlington
A
1 J1 1MG
0
A1
HGMm_ 1MG,Hm_
:
/(BS,
1,EN 1,EJI
0
/(BS,
1G,H_ 1G,IM_
:
T(BS, teRrico
I7,H7m H7,77m
:
T(BS, pr-tico
I1,3m 33,EEm
D
T
N,MD I,HD
:
.(BS,
7N,Hm 3,JJEm
<os parFmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o
transistor <arlington controla"se uma corrente de carga com uma corrente de base
bem menor. :sto se e#plica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor
<arlington bem maior.
EJ
BIBLIO,RA(IA:
Malvino, Albert Paul " *=*+Ad4:/ " vols. 1 e 3 " *d. BcPra["Will '0 " 1.JMN
Malvino, Albert Paul " *=*+Ad4:/ 4O =.OA+eA:O " *d. BcPra["Will '0
" 1.JMI
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis " <:'0O':+:DO' *=*+Ad4:/O' * +*OA:
<* /:A/8:+O' " *d. 0renticeLWall .rasil " A2 " 1.JJ7
Volnei A. Pedroni " /:A/8:+O' *=*+Ad4:/O' " =ivros +cnicos e /iebnt9ficos
*ditora '.. " A2 " 1.JM3
Schilling, onald L. - Belove, !harles " *=*/+AO4:/ /:A/8:+' " BcPra["Will
:nternational *ditions " 'ingapore
"orenstein, Mark N. " B:/AO*=*+Ad4:/ /:A/8:+O' * <:'0O':+:DO' " *d.
0renticeLWall " A2 " 1.JJN
#rob, Bernard " .':/ *=*/+AO4:/' " BcPra["Will >ogaZusha " +oZfo " 1.JJG
$bra%e " B48= <* +A4':'+OA*' " <<O' 0A 0AO2*+O' " 1.JJG
HG

Apostila de Transistor

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apostila de Transistor

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - I

Prof. Edgar Zuim

um capacitor de acoplamento de sinal.

um capacitor de acoplamento de sinal.

0ortanto, a relao v-lida (1GLG,J1H ? 1G,J,, garantindo a saturao.

+eremos ento na carga N,1D, valor este, perfeitamente aceit-vel.

? (3,GI7 . 1,E3,.G,G3EE ? I1,M7m

(adotar 1H_ " valor comercial,

ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim

0ortanto, o diodo escolhido poder- ser usado.

0eriCi2ndo e'2o#3 do trn'i'tor:

Você também pode gostar