EN3827 Engenharia de Filmes Finos Prof. Mrcia T.

Escote Lista de Exerccios 2

1 Quadr. 2013

1) Selecione um processo de deposio de filmes (evaporao trmica, sputtering, etc, fontes, alvos etc.) apropriado para as seguintes aplicaes: a. Recobrimento com Rh de um espelho de telescpio grande; b. Recobrimento (web coating) com Al de embalagem de salgadinho; c. Deposio de interconexes de filmes finos de Al-Cu-Si para circuitos integrados; d. Deposio de multicamadas de TiO2-SiO2 em pedras artificiais para aumentar cor e brilho. 2) Descreva: (a) o principio de funcionamento do processo de deposio a abraso por laser pulsado (PLD) e (b) os principais componentes do PLD; 3) O processo de ionizao por impacto de eltrons e emisso secundria de eltrons por ons de corrente controlada em um sistema de sputtering de acordo com a equao Townsend (Eq. 4-2)

onde todos os termos foram definidos anteriormente. (a) Se a taxa de deposio de filmes durante a pulverizao catdica proporcional ao produto de i e S, calcular a constante de proporcionalidade para o Cu neste sistema, se a taxa de deposio de 200/ min para 0,5 keV ons de Ar. Assumir = 0,1 cm/ons, e = 0,08 eltron/ ons, d =10 cm, e i0 = 100 mA. (b) Qual a taxa de deposio pode ser esperada para 1 keV de Ar, se = 0,15 cm/ons e e = 0,1 eltron/ ons?