EN3827 Engenharia de Filmes Finos Prof. Mrcia T.

Escote Lista de Exerccios 3

1 Quadr. 2013

1) Considerando a tcnica de deposio de filmes CVD, como os parmetros de processo podem ser selecionados para obter o produto almejado e as caractersticas de crescimento? 2) (a) Escreva a equao qumica balanceada para a reao CSD que produz filmes de Al2O3 a partir da mistura AlCl3 + CO2 + H2 . (b) Se um recobrimento com 2 m de espessura para ser depositado sobre um substrato com 2 cm de dimetro dentro de um reator tubular com comprimento de 5 cm e dimetro de 5 cm, calcule a massa mnima do precursor AlCl3 necessria. a. Refaa os itens (a) e (b) para filmes de VC partindo da mistura gasosa de (VCL4 + C6H5CH3 + H2). 3) Faa o grfico de (PHCL4)/(PSiCl4PH22) vesus T(K)-1 para a faixa de temperatura de 800 a 1500 K, usando resultados da Fig. 6.6(M. Ohring). a. Qual o significado fsico da inclinao deste grfico de Arrhenius ? b. Calcule H0 para a reao dada pela equao 6-21a, usando dados da Fig. 6-5 (M. Ohring).