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TRABAJO DE INVESTIGACIN N1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN ELECTRNICA DE POTENCIA

Luis Fernando Ardila Jimnez (luis.ardila-j@mail.escuelaing.edu.co) Luis Javier Moncada (luis.moncada@mail.escuelaing.edu.co) Luis Felipe Riao Galeano (luis.riano@mail.escuelaing.edu.co) Donaldo Jos Castaeda Ruiz(donaldo.castaneda@mail.escuelaing.edu.co) Facultad de Ingeniera Electrnica, Escuela Colombiana de Ingeniera Bogot, Colombia

Abstract-in the present investigation following different definitions, characteristics and behaviors (frequency, impedance ... etc..) Of different electronic components quite important in today's world. Resumen- en la siguiente investigacin presentamos las diferentes definiciones, caractersticas y comportamientos (frecuencia, impedanciaetc.) de diferentes componentes electrnicos de bastante importancia en el mundo actual. N RA PIDA Y 1. DIODOS DE RECUPERACIO DIODOS DE CARBURO DE SILICIO. Diodos semiconductores de potencia Los diodos semiconductores de potencia son muy importantes en los circuitos electrnicos de potencia. Un diodo tiene mltiples funcionalidades como transferir energa entre

componentes, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente y recuperacin de la energa atrapada entre otras. Para la mayora de aplicaciones, se puede suponer que los diodos son interruptores ideales, pero en la prctica difieren de las caractersticas ideales y tienen algunas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal, sin embargo, tienen mayores capacidades en el manejo de potencia, aunque la respuesta a altas frecuencias o velocidad de conmutacin es baja. Caractersticas de los diodos: Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, generalmente sta unin est formada por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial, siendo uno de los procesos para su fabricacin, consiste en hacer crecer una capa uniforme y de poco espesor con el semiconductor utilizado en el integrado, controlando de manera muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, calentando el semiconductor

hasta casi su fusin, se pone en contacto con el material de base para que al enfriarse, se recristalice con la estructura adecuada. Si el potencial del nodo (material P) es positivo con respecto al ctodo (material n), se dice que el diodo tiene polarizacin directa y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje entre nodo y ctodo, ste voltaje depende del proceso de elaboracin y la temperatura de la unin, aunque suele ser menor a un voltio, en muchos casos es necesario tenerlo en cuenta. Si el potencial del nodo es negativo con respecto al ctodo, se dice que el diodo est polarizado en inversa y la corriente experimenta una alta impedancia, aun as fluye una pequea corriente, denominada corriente inversa o de fuga, en el orden de los micro y hasta femto Amperios, cuya magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de ruptura del elemento, causando la destruccin de ste. La corriente del diodo en funcin del voltaje con el nodo positivo respecto al ctodo, se expresa mediante una ecuacin conocida como la ecuacin de Schockley del diodo y est dada por:

El coeficiente de emisin depende del material y de la construccin fsica del diodo: En el caso de los diodos de germanio, el coeficiente se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho es 2, pero en la mayor parte de los diodos de silicio reales, el valor est entre 1.1 y 1.8. El voltaje trmico es una constante dada por:

Dnde: Carga del electrn. (1.6022x10-19 C) Temperatura absoluta en Kelvin. (K=273+C) Constante de Boltzmann. (1.3806x10-23 J/K) A una temperatura tpica de 25 C:

Las caractersticas del diodo se pueden dividir en tres regiones: Regin de polarizacin directa, de polarizacin inversa y de ruptura. Regin de polarizacin directa: En la regin de polarizacin directa, el voltaje en el diodo es positivo. Si el voltaje del diodo es menor al valor especfico de conduccin o voltaje de umbral ( ) (Tpicamente 0.7 o 0.3 Voltios), la corriente en el diodo es muy pequea, por lo tanto para que el diodo est en plena conduccin, el voltaje de polarizacin tiene que ser mayor al voltaje de umbral. Regin de polarizacin inversa: En la regin de polarizacin inversa el voltaje entre nodo y ctodo es negativo, produciendo una corriente inversa pequea que tiende a mantenerse constante hasta su ruptura.

Dnde: Corriente a travs del diodo. Voltaje del diodo con el nodo positivo respecto al ctodo. Corriente de fuga. Tpicamente en el orden de micro a femto Amperios. Voltaje trmico. Constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo valor vara de 1 a 2.

Regin de ruptura: En la regin de ruptura, el voltaje inverso es generalmente muy alto, la magnitud del voltaje de ruptura excede al voltaje especificado en la hoja tcnica del diodo ( ). La corriente de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de potencia est dentro del nivel seguro especificado, a menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de ruptura, para mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles. Antes de hablar de recuperacin rpida o lenta hay que hablar de tiempos de recuperacin del diodo, o tiempos en que el diodo puede responder a diferentes frecuencias de conmutacin:

la unin, la velocidad de cada de corriente en sentido directo as como la corriente en sentido directo antes de la conmutacin.

Ecuacion para el clculo del tiempo de recuperacin inversa.

Corriente de recuperacin inversa.

Figura 1.

ta (tiempo de agotamiento) : Se debe al almacenamiento de cargas en la regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo desde el cruce con 0 hasta el pico de corriente en sentido inverso (IRM ). tb: Se debe al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor y se representa como el tiempo entre el pico de corriente inversa y el momento en que dicha corriente llega a un 25 % de su valor inicial. Para fines prcticos se considera solo el tiempo total de recuperacin y el valor pico de la corriente en inverso. El tiempo trr se considera como el intervalo entre el instante que la corriente pasa por 0 y cuando la corriente en sentido inverso es el 25% de su valor pico ( ). Este tiempo depende de la temperatura de

Fig.2. Tiempo de recuperacin inversa

1.1.2. Diodos Schottky: El rea sombreada bajo la curva es la carga de recuperacin inversa Qrrddw y es aproximadamente: Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el 1.1 Diodos de recuperacin rpida diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zner o de avalancha, que es cuando ms Los diodos de recuperacin rpida tienen tiempo de recuperacin bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa corto, en el caso normal menor que . Se usan en circuitos para que a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente convertidores DC-DC y DC-AC donde con frecuencia la velocidad de ste opere de igual forma como lo hara regularmente. conmutacin tiene importancia crtica. Esos diodos abarcan especificaciones actuales de voltaje desde 50V hasta unos 3kV, y de A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente menos de 1A hasta cientos de amperes. cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que El tiempo de recuperacin se controla en la fabricacin de este, y suele aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser ser por difusin de platino o de oro para especificaciones de voltaje muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. mayores que 400V. Para voltajes menores que 400V, los diodos epitaxiales proporcionan El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor velocidades mayores de conmutacin que las de los diodos por (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional pn utilizada por difusin; estos son angostos de la base, lo que da como resultado un los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un tiempo corto de recuperacin del orden de los 50ns. dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo n, Los diodos de silicio usados en fuentes de alimentacin conmutas solamente los portadores tipo n (electrones libres) desempearn un suelen perder hasta un uno por ciento de eficiencia al no apagarse papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la inmediatamente ya que cuando se apaga, se produce acumulacin de recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo n y p que tiene lugar carga de recuperacin inversa, y esta se puede disipar mediante la en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del recombinacin entre grupos de portadores de carga prximos a la dispositivo ser mucho ms rpida. unin de diodo. Esta indeseada corriente de recuperacin inversa junto La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy con la tensin asociada a las fuentes de alimentacin, genera un calor altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta que ser disipado por los switches. intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo,

como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. Sin embargo la corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo general limitado a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schottky varan de 1 a 300 A. Por lo tanto los diodos Schottky son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Sin embargo tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una mayor eficiencia.
Fig.3. Diodo Schottky

La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

1.2. Diodos de carburo de silicio

Para solucionar inconvenientes relacionados con los diodos de silicio convencionales, se desarrollaron los diodos de carburo de silicio (SiC) que ahorran la energa que se pierde durante la conmutacin, La empresa STMicroelectronics fue de las primeras en introducir este tipo de diodos. La tecnologa SiC nos provee de varias ventajas porque no produce El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica acumulaciones de carga de recuperacin inversa durante el periodo de TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conduccin normal del diodo, al eliminar esta carga los diodos conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son Schottky de SiC ofrecen menores perdidas de conmutacin, aumentan ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la la eficiencia y reducen la disipacin de calor. relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y Estos diodos son especialmente tiles en convertidores de energa menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de solar, donde cada unidad porcentual es muy valiosa, as como en velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. fuentes de alimentacin para servidores y sistemas de telecomunicaciones que operan continuamente. Otras aplicaciones se encuentran en controladores de motor para reducir el impacto ambiental de varios miles de vatios de energa generada. Adems, al ahorrar energa normalmente disipada como calor se posibilita el uso de pequeos componentes sin sacrificar la potencia til. En

aplicaciones de elevada potencia, los disipadores pueden ser ms compactos para crear soluciones de mayor densidad elctrica. Al permitir frecuencias de conmutacin superiores se contribuye a reducir el tamao, el coste y el consumo de condensadores e inductores, en la fabricacin de fuentes conmutadas y al soportar un campo elctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura, operan correctamente a elevados voltajes y alta energa. A modo de resumen se tienen los siguientes beneficios: No hay tiempo de recuperacin inversa, ya que no hay acumulacin de carga. Comportamiento ultrarrpido en conmutacin. La temperatura no influye sobre el comportamiento de la conmutacin a continuacin la imagen 4 nos muestra el comportamiento de este diodo en comparacin con el diodo de silicio.

En la figura 2 se puede observar la contribucin de corrientes minoritaria y mayoritaria de cada inyector y la distribucin de voltajes a lo largo de la estructura que se consideran para la obtencin del modelo. Como se observa en la figura 2, del inyector la componente mayoritaria en la corriente de huecos y la componente mayoritaria en el inyector es la corriente de electrones. Se consideran solo tres componentes de voltajes a lo largo de la estructura, los voltajes en las uniones ( y la cada de voltaje en la regin Npara este anlisis simplificado se considera que .

Figura 4 .Comparacin de caractersticas de recuperacin en inverso de diodo de silicio contra diodo de carburo de silicio.

Figura 5 Comportamiento de las densidades de corriente. A partir de la figura 6 se bosqueja la contribucin de voltajes a lo largo de la estructura as como la inyeccin de huecos y electrones a la regin N-, como se observa en la figura 7.donde representan las concentraciones iniciales debidas a la inyeccin de las cargas en exceso a la regin N-, las cuales se pueden estimar por medio de las expresiones. si se aplican las leyes de Kirchhoff a la estructura en la

1.2.1 Circuito elctrico simplificado. Para la obtencin del modelo de diodo PiN-SiC en el estado esttico, se dividir el modelo en conduccin y bloqueo inverso.

figura 7 la corriente total y las cadas de voltaje a lo largo de la estructura como funcin de la distancia y del tiempo se pueden expresar con las expresiones siguientes:

En la figura 8 se observa la propuesta del diagrama elctrico simplificado representativo de la figura 6 que se implementa en Pspice, el cual considera: l inyeccin de portadores minoritarios y mayoritarios a la regin N- de cada inyector: las cadas de voltaje en las uniones y la cada de voltaje en la regin de N-.

Fig8. Modelo elctrico simplificado. Las corrientes mayoritarias en cada uno de los inyectores se calcula atreves de las ecuaciones de transporte. Evaluadas en X=0 y X= . Para X=

Para X=0

Fig6.Comportamiento aproximado de corrientes y voltajes en la estructura del diodo.

Las corrientes minoritarias se calculan atreves de la ecuacin de Schockley, ajustados a las caractersticas elctricas del Carburo de Silicio. Para lograr lo anterior ajustaran los parmetros: El voltaje desarrollado en la regin N- se calculara atreves de la resistencia de la regin de modulacin por modulacin por conductividad. Los voltajes en las uniones y se obtendrn indirectamente por las cadas de voltajes que se obtengan de las ecuaciones de Schockley y de la cada de voltaje .

Fig7.Estructura simplificada del diodo.

1.2.3 Diodos Schottky de SiC Los diodos Schottky de Carburo de Silicio se caracterizan por tener un tiempo de recuperacin en inversa mnimo, son rpidos en conmutar y la temperatura, no afecta su funcionamiento. La ltima generacin de diodos Schottky de SiC fue elaborada por Infineon y se ha puesto en marcha desde febrero de 2009, han estudiado las caractersticas del dispositivo en la parte industrial, y mejorara an ms la eficacia global de los semiconductores, especialmente la conmutacin a altas frecuencias y en condiciones de baja carga.

1.2.4 Breve descripcin del Carburo de Silicio

El carburo de silicio, tambin llamado carborundo, (SiC) es un carburo covalente de estequiomera 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamao del C y Si, que podra impedir la misma. As casi tan duro como el diamante. Tambin es conocido como carborindn, palabra formada por carbo- y corindn, mineral famoso por su dureza. Es un compuesto que se puede denominar aleacin slida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrin (C en forma de diamante) se cambian tomos de ste por tomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamao del tomo que lo va a ocupar. Adems, ya que el diodo de silicio pierde energa disipndola El Carburo de Silicio es un material semiconductor (~ 2,4V) como calor, los nuevos dispositivos con tecnologa SiC y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en permitirn a los diseadores tener una mejor eficiencia, dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de aumentando tambin la capacidad de corriente. temperatura, voltaje y frecuencia, el Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo elctrico hasta ocho veces mayor Esto posibilita el uso de pequeos componentes sin sacrificar la que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura, este potencia til. En aplicaciones de elevada potencia, los elevado valor de campo elctrico de ruptura le hace ser de utilidad en disipadores podran ser ms compactos para crear soluciones de la fabricacin de componentes que operan a elevado voltaje y alta mayor densidad elctrica. energa como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energa. A esto se suma la ventaja La tecnologa SiC puede desarrollar estas ventajas porque no de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los produce acumulaciones de carga de recuperacin inversa circuitos integrados. durante el periodo de conduccin normal del diodo. Cuando un Gracias a la elevada velocidad de saturacin de portadores de carga diodo de silicio bipolar convencional se apaga, esta carga se (2,0x107 cm1) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a puede disipar mediante la recombinacin entre grupos de altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por ltimo portadores de carga prximos a la unin de diodo. La corriente una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia que fluye durante este periodo de recombinacin se denomina mecnica que junto a sus propiedades elctricas hacen que dispositivos corriente de recuperacin inversa. Esta corriente indeseada, basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros junto con la tensin asociada a las fuentes de alimentacin, semiconductores. genera un calor que ser disipado por los switches. Al eliminar esta carga de recuperacin inversa, los diodos Schottky ofrecen Obtencin del carburo de silicio. menores prdidas de conmutacin en la tarjeta, aumentan la El carburo de silicio se obtiene de arenas o cuarzo de alta pureza y eficiencia y reducen la disipacin de calor. coque de petrleo fusionados en horno elctrico a ms de 2000 C con la siguiente composicin:

SiO2 + 3 C SiC + 2 CO

entre los diodos, triodos y tetrodos, con dos, tres y cuatro terminales respectivamente. Al igual que los diodos, los tiristores idealmente son dispositivos que permiten el paso de corriente en una sola direccin; dicha corriente permite el paso de una condicin de alta impedancia, a uno de baja, siempre y cuando sea superior a una referencia establecida. Las aplicaciones de estos semiconductores, van dirigidos al control de potencia, convertidos dc-dc, ac-dc, dc-ac e incluso ac-ac, motores, entre otros. Los mtodos posibles para activar un tiristor son: Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, puede que llegue al silicio, generando que el nmero de electrn-hueco aumente. Corriente de Compuerta: Al inyectar una corriente en la compuerta (gate), bajo polarizacin directa, lo activar, pero esta corriente, disminuir el voltaje de bloqueo directo, desactivando al dispositivo. Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de electrones-huecos, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, aumentando la diferencia entre nodo y ctodo y el tiristor puede activarse. Este fenmeno se conoce como fuga trmica. Alto Voltaje: Si el voltaje directo entre nodo y ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga tan grande como para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Bajo las condiciones anteriormente mencionadas, se puede dar la destruccin del dispositivo. Altos diferenciales de voltaje: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor.

Luego pasa por un proceso de: Seleccin, molienda, lavado, secado, separacin magntica, absorcin del polvo, cribado, mezclado y envasado. Luego con este producto en distintos granos (o grosores de grano) y distintos aditivos, soportes y aglomerantes, se elaboran las lijas, discos de corte de metal, pastas para pulir

2. TIRISTORES: SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT. SSR INTELLIGENT MODULES El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin, son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica. Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley en 1950. El tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica de potencia. El triac, por su parte, no es sino la variante bidireccional. El trmino tiristor designa a toda una familia de elementos semiconductores cuyas caractersticas son similares, en principio, a las de las antiguas vlvulas tiratrones. El nombre de tiristor proviene justamente de la contraccin de tiratrn y transistor. El tiristor tiene dos estados estables que dependen de los efectos de retroalimentacin de las uniones en la estructura PNPN; estas uniones pueden ser dos o ms y los elementos pueden ser unidireccionales o bidireccionales, con dos o ms terminales, distinguindose entonces

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Tipos de tiristores Antes de profundizar en los tipos de tiristores, es conveniente nombrar al diodo de cuatro capas. Diodo de cuatro capas: El diodo de cuatro capas o diodo Shockley (se hablar de diodo de cuatro capas para que no haya confusin con el diodo Schottky nombrado anteriormente) es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen a continuacin. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar una tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en Fig 10 Caractersticas de tensin Vs Corriente del diodo de inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy cuatro capas baja y el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la 2.1 SCR (Rectificador Controlado de Silicio): misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado desde el El SCR (Silicon controled rectifier), es un dispositivo que consta de estado de bloqueo a conduccin. tres (terminales, nodo, ctodo y puerta de control o gate) que se comporta de manera similar al diodo de cuatro capas pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la . A continuacin se muestra el smbolo del SCR y su modelo a nivel de transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la lnea G se produce la conduccin de los transistores, es decir, el disparo sin ser necesario alcanzar la . Las caractersticas del SCR varan con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores.

Fig 9 Estructura Smbolo Estructura equivalente Modelo de conduccin Fig 11 Smbolo del SCR Modelo a nivel de Transistor

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evitan este indeseado disparo. Bsicamente son filtros basados en RC o inducciones que eliminan esas seales indeseadas. Circuito de proteccin contra transitorios:

Fig 13

De tensin

De Corriente

Fig 12 Caractersticas de tensin Vs Corriente del SCR Parmetros caractersticos de los SCR Tiempo de conduccin (Turn on Time): Tiempo de duracin mnima de la tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo tiene dos componentes , siendo el tiempo de retraso (Delay time) y el tiempo de subida (rise time). Tiempo de corte (Turn off Time): Tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de las condiciones de mantenimiento. Mxima corriente de conduccin: Mxima corriente eficaz que puede circular por el SCR durante el estado de conduccin. Velocidad crtica de elevacin: Variaciones muy rpidas de tensin entre en nodo y el ctodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitarse este problema, la variacin de tensin nodoctodo no debe superar un valor conocido como velocidad crtica de elevacin, si se supera este valor adems de producir el disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. A veces transitorios en las lneas de alimentacin pueden originar problemas de comportamiento del SCR al ser superada su velocidad crtica de elevacin. Los circuitos de proteccin contra transitorios de corriente y transitorios de tensin

En la siguiente figura se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor en serie (izquierda) o en paralelo (derecha). El interruptor en serie reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reduciendo a un valor menor que .

Fig 14 Interruptor en serie

Interruptor en paralelo

En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece a continuacin, se introduce una corriente opuesta a la conduccin del SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.

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2.2 TRIAC Trodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que el TRIAC es bidireccional, es decir permite conduccin en ambos sentidos. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza igual que en el SCR. Figura 15 Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve . Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de Fig16. Circuito equivalente TRIAC. compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de A diferencia del SCR el TRIAC permite tanto disparo en el semi ciclo una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo positivo y semi ciclo negativo: permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de . Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse., sin que el voltaje afecte si estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo comn. En general, un SCR se activa cuando el voltaje que lo alimenta excede , tiene un voltaje de ruptura , cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente , presente en el SCR; se desactiva cuando la corriente que fluye por l cae por debajo de : detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.
Fig.17. disparo del TRIAC en AC.

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Parmetros del TRIAC:

Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo ( ): Es el mximo valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el TRIAC se dae. Corriente en estado de conduccin ): En general en el grafico se da la temperatura en funcin de la corriente. Corriente pico de alterna en estado de conduccin ): Es la corriente pico mxima que puede pasar a travs del TRIAC, en estado de conduccin. En general est dada a 50 o 60 Hz. Corriente de fusin ): Este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria para la destruccin del componente. Potencia pico de disipacin de compuerta ): La disipacin instantnea mxima permitida en la compuerta. Corriente de mantenimiento ): La corriente directa por debajo de la cual el TRIAC volver del estado de conduccin al estado Fig.18 Circuito equivalente DIAC y junturas. de bloqueo. Velocidad crtica de crecimiento de tensin en el estado de Existen 2 tipos de Diac: bloqueo ): Designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el TRIAC pase DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin al estado de conduccin. Se da a una temperatura de 100C y se conexin de base y con las regiones de colector y emisor mide en V/ms. iguales y muy dopadas. Tiempo de encendido ( ): Es el tiempo que comprende la DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley permanencia y aumento de la corriente inicial de compuerta conectados en anti paralelo que le da la caracterstica de hasta que circule la corriente andica nominal. bidimensional. 2.3 DIAC: Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del DIAC. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la del gatillado para triacs

en circuitos de corriente alterna. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin (en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel seguro, a diferencia de los triacs, stos dispositivos no poseen compuerta para para activar el pulso de disparo.

Fig.19. Curva caracterstica del DIAC.

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GTO Un tiristor GTO (Gate Turnoff Thyrisror) es un dispositivo que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en gate, al igual que un tiristor normal, sin embargo puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativo en el mismo gate. Ambos estados, encendido y apagado, son controlados por la corriente en gate. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales de gate y ctodo, la corriente en la puerta crece. Cuando la corriente en gate alcanza su mximo valor , la corriente de nodo es abrupta, tpicamente menos a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn ( de la corriente de nodo a la mxima corriente negativa en la puerta requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

Fig 20 Estructura del GTO

Smbolo del GTO

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en la operacin radica en que una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga ( leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., y la corriente es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de un voltaje en inversa, slo una pequea corriente de fuga ( leak) existe. Una polarizacin en inversa puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding , en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, BJT's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

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Fig 21 Estructuras equivalentes del GTO La ganancia del GTO se calcula con la siguiente frmula:

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para conmutacin que un SCR comn. Tratndose de un instrumento, o aplicacin de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms para activarlos, mientras que para desactivarlos, requiere una pulsacin de corriente negativa que tenga una duracin entre 20 y 30 m/s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el GTO en dicho instante, aunque aparentemente parece que el GTO genera ms potencia que el SCR, es falso, pues el GTO, disipa menos potencia, pero al requerir tanta corriente, se debe sobredimensionar el generador o la fuente de alimentacin que proporciona dicha corriente. Encendido del GTO: Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y un valor de suficiente para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Si solo entra en conduccin bajar una parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR).

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por gate, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser (lo mayor posible) y (lo menor posible): : Implica que la base de (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) este muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCR. : Implica que la base de (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta.

Fig 22 Caractersticas de corriente en gate vs tiempo del GTO

Fig 23 Caractersticas de

y vs tiempo del GTO en el encendido

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ventajas de las estructuras bipolares de unin con las de efecto de Apagado del GTO: Para cortar el GTO se aplica una corriente campo. muy grande. Ya que es del orden de 5 a 10. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable dispositivo entre en conduccin espontneamente. pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado. Un MCT tiene: 1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin. 2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4ms, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25mms, para un MCT de 300A, 500v. 3. Bajas perdidas de conmutacin; 4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso. 5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

Fig.24. Forma de onda de apagado del GTO.

En aplicaciones de baja potencia los GTO presentan una serie de ventajas sobre los BJT, entre las cuales se consideran: Mayor especificacin de voltaje de bloqueo. Alta ganancia en estado encendido (600 en forma tpica). Un GTO entra en mayor saturacin debido a la retroalimentacin positiva. 2.5 MTC En un tiristor controlado por MOS combina las propiedades de un tiristor con retroalimentacin positiva de cuatro etapas, y una estructura de compuertas de MOS. Como el IGBT, combina las

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2.6 SSR Solid-state relays o rels de estado slido son dispositivos que usan transistores y tiristores o triacs en sustitucin de contactos metlicos, para controlar elevadas cargas de potencia a partir de seales de control de bajo voltaje e intensidad. Los SSR nos dan muchas ventajas en comparacin a los rels de contactos electromecnicos: son ms livianos, silenciosos, rpidos y confiables, no se desgastan, son inmunes a los choques y vibraciones, generan muy pocas interferencias, conmutan altas corrientes y voltajes sin producir arcos, proporcionan varios kilovoltios de aislamiento entre la entrada y la salida. Como desventajas tienen: son muy costosos los modelos comerciales, son dispositivos de una sola posicin. Esto significa que un solo SSR no puede conmutar al mismo tiempo varias cargas independientes como lo hacen los rels. Esta normalmente compuesto por un opto acoplador que asla la entrada, un circuito de disparo, que detecta el paso por cero de la corriente de lnea y un triac o algn tipo de tiristor similar que acta de interruptor de potencia. Su nombre se debe a la similitud que presenta con un rel electromecnico; este dispositivo es usado generalmente para aplicaciones donde se presenta un uso continuo de los contactos del rel que en comparacin con un rel convencional generara un serio desgaste mecnico.

Fig.25. circuito equivalente y smbolo.

El MCT se ha utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran en la zona de AC-DC y la conversin de corriente AC-AC, donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna. Funcionamiento variable del factor de potencia se logr mediante el MCT como una fuerza conmutada de interruptor de alimentacin. El MCT puede funcionar a mayor frecuencia pero a menor potencia, en la siguiente grafica se aprecia una comparacin entre los diferentes tiristores, comparando potencia contra frecuencia.

Fig.27. Circuito equivalente de SSR. Fig.26. Comparacin entre tiristores.

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3. DRIVER PARA DISPARO DE TIRISTORES 3.1 Acople directo Este tipo de acoplamiento consiste cuando ambos circuitos estn acoplados directamente es decir por un cable. Este permite la mejor respuesta en frecuencia y el mayor rendimiento en cuanto a potencia entregada a la carga.

Fig.29. Smbolo del UJT.

Cuando el voltaje entre emisor-base1 Veb1, es menor que el voltaje de pico Vp, el UJT queda en estado de apagado es decir que no hay flujo de corriente entre el emisor y la base1 (Ie=0), mientras que cuando el voltaje emisor-base1 sobrepasa el voltaje pico en una pequea cantidad, el UJT se activa y comienza a conducir, cuando esto sucede la corriente fluye instantneamente del emisor a la base1. En la mayora de los circuitos que poseen un UJT, el pulso de corriente del es de corta duracin, y el UJT rpidamente regresa al estado de corte o apagado.

Fig.28 Acoplamiento en directo.

3.2 transistor mono juntura UJT. El transistor UJT (Unijunction), como su nombre lo indica es la unin de dos secciones una p y una n (Monojuntura), por otro lado su funcin principal en los circuitos no es amplificar sino generar impulsos de corriente a intervalos regulares y usualmente ajustables. Los terminales de un UJT son Emisor Base1 y Base2.

}
Fig.30. Circuito bsico con UJT y su respuesta en el tiempo .

A modo general este circuito funciona cargando y descargando el condensador al entrar en conduccin o estar en circuito abierto el diodo que se genera en el transistor UJT.

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3.2.1 Ejemplos utilizacin de UJT y SCR. El siguiente circuito es un ejemplo de los 2 casos anteriores, activado por transistor UJT y con acople directo:

tiristor individual y su circuito generador de pulsos, o mediante opto acopladores, considerando que debemos tener en cuenta de proteger la compuerta contra el disparo por una seal de alta frecuencia o de interferencia. 4.1 OPTOACOPLADORES Un opto acoplador podra ser un fototransistor, o un rectificador foto controlado de silicio (foto SCR) como el de la figura, en el cual un pulso cort a la entrada de un led infrarrojo D1, activa al foto-SCR T1 y se dispara el tiristor de potencia TL. ste tipo de aislamiento requiere una fuente de alimentacin separada Vcc, razn la cual aumenta el costo y peso del circuito de disparo.

Fig.31 circuito de acople en directo del UJT.

Fig.32. circuito esquemtico OPTOCOPLADOR.

4. DRIVERS AISLADOS PARA DISPARO DE TIRISTORES Debido a que en los circuitos de potencia en los que se emplean tiristores, se manejan voltajes tpicamente superiores a 100v, y los circuitos de ste tipo se mantienen a voltajes alrededor de 12 a 30 voltios; por tal razn se requiere un circuito de aislamiento entre un

4.2 Transformadores de pulso Es un tipo especial de transformador con respuesta muy rpida (baja autoinduccin) destinado a funcionar en rgimen de pulsos y adems de muy verstil utilidad en cuanto al control de tensin 220 V. estos tienen baja inductancia, y relacin 1:1.

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Fig.33. aspecto fsico.

Fig.34 Tabla de caractersticas internas.

Fig.35. Ejemplo de circuito y su respuesta.

Las seales de gate para dos TIRISTORES conectados en paralelo tienen que ser aisladas una de la otra, ya que si no lo son, los dos ctodos estaran conectados y ambos TIRISTORES entrara en corto circuito. Ejemplo de circuito activado por UJT pero con acople aislado por trasformador de pulsos:

4.3 OPTO-TRIACS Tambin conocido como opto acoplador, el cual tiene salida por fototransistor o foto-triac, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrnica en forma de foto-triac. De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un foto emisor y un foto receptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles.

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Fig.36. Diagrama Opto-Triac.

Fig.37. Ejemplo Opto-Triac.

5 OPTO-TRIACS Si se debe controlar una carga de corriente alterna, el elemento de control de potencia serpa un triac o un conjunto de 2 DCR. En antiparalelo en el caso de monofsica y en el caso de trifsica, sern tres, ya sean triacs o pares SCR en antiparalelo. Por otra parte, para circuitos trifsicos ser necesario que las tres fases estn equilibradas, ara que las cargas en los tiristores resulten correctamente repartidas, dado que en alta potencia las tolerancias en los mismos se baja por una cuestin de costo y un desequilibrio podra significar que la fase sobrecargada tenga sus tiristores fuera de rango permitido por el manual del fabricante. Esto destruir a los tiristores de dicha fase y originar una reaccin en cadena hacia los otros tiristores de la misma fase si es que hay varios en paralelo Si en el circuito de control es realimentado, y en la mayora de los casos lo es, cuando una fase falta por tiristores quemados, y

si el control no dispone de elementos que detecten esto, dicho control adelantara los ngulos de disparo para lograr la potencia requerida en la carga a costa de las otras dos fases, con la consecuencia de una posible sobrecarga y destruccin de los tiristores. Todos estos elementos exigen del circuito integrado de control que los pulsos que controlan el semi-ciclo positivo y el semiciclo negativo, estn desfasados 180 grados entre si. Esta separacin debe permanecer constante pero el desfase entre el comienzo del ciclo y el pulso debe ser graduable a voluntad. De esta manera, se puede controlar la potencia eficaz en la carga. Es evidente que para tener un desfase determinado entre el comienzo del ciclo y el pulso debemos tomar como referencia la onda alterna de alimentacin. La seal ms cmoda para el manejo del integrado es la tensin, y por este motivo la mayora de los integrados comerciales son controlador por la tensin. Para el caso de control trifsico los pulsos que controlan cada fase deben tener un desfase de 120 grados entre s. Una forma segura de lograr un desfase de 120 grados correspondiente a cada fase es tomar a cada fase como referencia, as de este modo tendremos como referencias las tres fases pero como un control una sola seal de tensin que provendr del circuito de control.

Fig. 38 Una nueva condicin aparece en los circuitos de carga con componentes inductivos, cuando se pretende mxima conduccin. En la anterior figura observamos las condiciones

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que establecimos. Y en la siguiente, veremos que el pulso debe estar en una posicin exacta, si este se presenta, el tiristor no est en condiciones de disparar y si se presenta un tiempo despus, la onda de tensin no se aprovecha al mximo. Cabe destacar que una exactitud tan grande no es fcilmente lograble y por otra parte lo que puede variar es el tiempo que dura el semi-ciclo o la relacin de RL de la caga con lo cual el pulso de disparo debera estar siguiendo estas variaciones.

Fig 40 Circuito integrado que es capaz de realizar esto permitiendo que controlemos la totalidad de las variables y posibilidades es el TCA-785

Fig 39

La solucin para esto es disponer de pulsos mas anchos que comiencen antes que seden las condiciones de conduccin del tiristor, de tal forma que cuando stas se presenten en el pulso ya esta aplicado y persiste, extinguindose luego de un tiempo suficiente para que el tiristor este realmente encendido.

Fig. 41

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6.

TRANSISTORES DE CONMUTACIN: BJT, MOSFET, IBGT, IGBT INTELLIGENT MODULES.

6.1 BJT Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un diodo de unin pn. Con dos regiones n y una regin p, se forman dos uniones conocindose como un transistor NPN. Con dos regiones p y una regin n, se conoce como un transistor PNP. Las tres terminales se llaman colector, base y emisor.

Fig 43

Fig. 42

o Existen 3 configuraciones posible; colector comn, base comn y emisor comn. o Usualmente la configuracin de emisor comn es utilizada en aplicaciones de conmutacin.

En un transistor existen tres regiones de operacin; corte, activa y de saturacin. En la regin corte, el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones de polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de base. La unin colectora base tiene polarizacin inversa, y la base-emisor polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como un interruptor.

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La corriente del colector se puede expresar como, donde alfa est relacionada con Beta

Fig 44

La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del colector es la corriente de salida. La relacin entre la corriente del colector y la corriente de base se conoce como ganancia de corriente.

Por otro lado, aqu tenemos las ecuaciones de voltajes entre sus terminales

tres

La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y otra debida a la corriente de fuga en la unin colector-base.

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6.2 Transistores MOSFET Como se revis anteriormente un transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, y requiere de corriente en la base para que pase corriente por el colector, es decir que este en estado de encendido. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y solo requiere de una pequea corriente en la entrada, unas de las aplicaciones ms importantes de estos dispositivos es la de ser convertidores de alta potencia y alta frecuencia. Una de las desventajas de los MOSFET es que tienen problemas de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en su manejo, adems de esto es muy difcil protegerlos cuando ocurre una falla en el circuito. Por otro lado una de las ventajas de los MOSFET es que tienen una velocidad muy grande de conmutacin y bajas perdidas por estas adems de que requieren poca energa de compuerta y tiene una impedancia muy grande entrada de cerca de 10^9 hasta 10^11 ohm. Sin embargo unas de las desventajas de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo en estado activo y por consiguiente grandes prdidas en estado activo. Existen dos clases de MOSFET: - MOSFET DECREMENTALES: Son los que se forman con un sustrato de silicio tipo p, con dos regiones tipio n+, formando un canal de baja resistencia entre estas, la comporta est aislada del canal por una capa muy delgada de xido. Como en el BJT se tenan tres terminales (Colector, Base, Emisor) igual sucede con los MOSFET pero esta vez reciben el nombre de Gate, Drain y Source.

Fig.45 Estructura interna del MOSFET.

El voltaje gate-source (VGS) puede ser positivo o negativo, si es negativo el canal n se vuelve ms estrecho, debido a que los electrones libres del canal son repelidos, y provoca una mayor resistencia entre drain y source. Cuando el voltaje gate-source se hace tan negativo que evita el flujo de corriente entre drain y source, es decir la resistencia entre drain y source se hace muy grande, se le llama voltaje de pinch-off. Por otro lado si VGS es positivo y mayor al voltaje de umbral (VT) el canal se vuelve ms ancho lo que aumenta el flujo de la corriente por drain y source

Fig.46 polarizacin del MOSFET.

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6.3 IGBT El transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Fig.47 polarizacin del IGBT como interruptor. Fig.49. Curva de corriente de Colector con respecto al voltaje Gate-Emisor.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y energas medias como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hibrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas.

Fig.48. Curva comportamiento de la corriente de colector respecto al voltaje Colector-Emisor.

7. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: ACOPLE DIRECTO. Para el caso de acople directo, basta con tener conectado el sistema de control con un cable a la base o el gate segn sea el caso: BJT: sistema de control provee una corriente para el disparo del BJT

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MOSFET e IGBT: como estos transistores son controlados por voltaje, el sistema de control debe proveer dicho voltaje al terminal de gate para ser disparado el transistor. EXCITADOR DE COMPUERTA PARA BJT EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje, que presentan alta impedancia de entrada y que la compuerta consume una corriente de fuga muy pequea. Debido a que el tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta, ste tiempo se puede reducir conectando un circuito RC, como se ve en la figura, para cargar con mayor rapidez la capacitancia de la compuerta. La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo el tiempo de activacin de activacin, encendido, ton y el tiempo de desactivacin, apagado, toff. Se puede ton permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin, dando como resultado como resultado una como resultado una forzada baja (F) al principio. Despus de la activacin, puede aumentar F hasta un valor suficientemente alto como para mantener el transistor en la regin casi de saturacin. El toff se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la desactivacin. Al aumentar el valor de la corriente de base inversa IB2 disminuye el tiempo e almacenamiento.

Fig.50. Excitacin de compuerta atreves de MOSFET.

Fig.51. circuito para compuerta atreves de BJT.

Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la capacitancia es:

8. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: TRANSFORMADORES DE PULSO, PTICOS.

Y el valor de estado permanente del voltaje de compuerta es:

Existen bsicamente dos formas de flotar o aislarla la seal de control o de compuerta respecto a la tierra estas dos formas son:

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1. Transformadores de pulso 2. Acopladores pticos Transformadores de pulso: Los transformadores de pulso tienen un embobinado primario y pueden tener uno o ms embobinados secundarios. Varios embobinados secundarios permiten seales de compuerta a transistores conectados en serie paralelo. El transformador deber tener una muy pequea inductancia de fuga, y el tiempo de elevacin del pulso de salida deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo y una frecuencia de conmutacin, el transformador se saturara y su salida se distorsionara.

o El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. o Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.

La frecuencia de oscilador podra ser por ejemplo un valor cerca a megas (M) y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.

En el anlisis de los transistores de pulso vemos caractersticas que nos ayudan a entender su funcionamiento entre algunas esta: o El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar.

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Si est conduciendo, seria negativa y por tanto, se cortara. La corriente de magnetizacin por el transformador por longitud (Lm) ser transcurrido un tiempo: Si , aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores y y el est alimentado, al ser inversor dar una salida , haciendo que el MOS de potencia conduzca. Al cortar cuando por Lm circula , se hace circular una corriente por la base, y por lo tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: Si , no hay tensin de AF en el transformador y se descarga por , mientras que se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego . Si el circuito integrado es de bajo consumo se puede mantener cargado hasta el prximo disparo. Adems, durante el tiempo que est cortado se descarga por . Si en estas condiciones se vuelve a saturar , la tensin aplicada al devanado 1 es y la corriente por el transformador podr ser muy alta, de forma que: Acopladores pticos: (Opotoaclopadores) Los acopladores pticos combinan un diodo emisor de luz infrarroja (LED) y un fototransistor de silicio. La seal de entrada se aplica al LED y la salida se forma del fototransistor. Los tiempos de elevacin y de abatimiento de los fototransistores son muy cortos, son valores tpicos de tiempo de activacin y un tiempo de abatimiento . Estos tiempos de activacin y de abatimiento restringen las aplicaciones de la alta frecuencia. Los fototransistores requieren de una alimentacin de energa por

De esta manera se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin podr hacerse la corriente de base negativa y se contara el transistor de potencia.

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separado y aumentando la complejidad, costo y peso de los circuitos de excitacin.

- El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar la conmutacin. - El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. - Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. - Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. - Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). - No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador - Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (teniendo en cuenta que los circuitos integrados CMOS tienen alta impedancia de salida) - Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor. Alimentacin de circuitos de disparo:

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- El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones requeridas con un diodo y un condensador. - Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin. - El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que no se descarguen los condensadores. - Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados. El 555 tiene diversas aplicaciones entre estas estn: - Control de sistemas secuenciales - Divisor de frecuencias - Modulacin por ancho de pulso - Generacin de tiempos de retraso - Repeticin de pulsos Funcionamiento: Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales 8 (+Vcc) y 1(GND) tierra; el valor de la fuente de esta, va desde 5 V hasta 15 V de corriente continua, la misma fuente exterior se conecta a un circuito pasivo RC exterior, que proporciona por medio de la descarga de su capacitor una seal de voltaje que est en funcin del tiempo, esta seal de tensin es de 1/3 de Vcc y se compara contra el voltaje aplicado externamente sobre la terminal 2 (TRIGGER) que es la entrada de un comparador. La terminal 6 (THRESHOLD) se ofrece como la entrada de otro comparador, en la cual se compara a 2/3 de la Vcc contra la amplitud de seal externa que le sirve de disparo. La terminal 5(CONTROL VOLTAGE) se dispone para producir modulacin por anchura de pulsos, la descarga del condensador exterior se hace por medio de la terminal 7 (DISCHARGE), se descarga cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra en saturacin, se puede descargar prematuramente el capacitor por medio de la polarizacin del transistor (PNP) T2.

DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: DRIVERS INTEGRADOS. En la actualidad se utilizan diferentes circuitos integrados en el mercado que cumplen la funcin de drivers para transistores un ejemplo de esto es el 555 que es muy utilizado en aplicacin en el rea electrnica El 555 es un circuito integrado que incorpora dentro de si dos comparadores de voltaje, un flip flop, una etapa de salida de corriente, divisor de voltaje resistor y un transistor de descarga. Dependiendo de cmo se interconecten estas funciones utilizando componentes externos es posible conseguir que dicho circuito realiza un gran nmero de funciones tales como la del multivibrador astable y la del circuito monoestable.

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Se dispone de la base de T2 en la terminal 4 (RESET) del circuito integrado 555, si no se desea descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe conectarse directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2 de otro modo se puede poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se desee. La salida est provista en la terminal (3) del microcircuito y es adems la salida de un amplificador de corriente (buffer), este hecho le da ms versatilidad al circuito de tiempo 555, ya que la corriente mxima que se puede obtener cuando la terminal (3) sea conecta directamente al nivel de tierra es de 200 mA. La salida del comparador "A" y la salida del comparador "B" estn conectadas al Reset y Set del FF tipo SR respectivamente, la salida del FF-SR acta como seal de entrada para el amplificador de corriente (Buffer), mientras que en la terminal 6 el nivel de tensin sea ms pequeo que el nivel de voltaje contra el que se compara la entrada Reset del FF-SR no se activar, por otra parte mientras que el nivel de tensin presente en la terminal 2 sea ms grande que el nivel de tensin contra el que se compara la entrada Set del FF-SR no se activar. El 555 adems de tener estas caractersticas tambin es utilizado como un circuito astable bsico, que tiene como caracterstica: su principal caracterstica es una forma de onda rectangular a la salida, en la cual el ancho de la onda puede ser manejado con los valores de ciertos elementos en el diseo.

Otra aplicacin es el circuito monoestable y el 555 en su modo monoestable funcionar como un circuito de un tiro. Dentro del 555 hay un transistor que mantiene a C1 descargado inicialmente. Cuando un pulso negativo de disparo se aplica a terminal 2, el flip-flop interno se recetea, lo que quita el corto de C1 y esto causa una salida alta (un high) en el terminal 3 (el terminal de salida).

Entre otras muchas aplicaciones que se tienen de este circuito integrado.

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9. SNUBBERS Y DISEO DE SNUBBERS. Los circuitos de ayuda a la conmutacin conocidos comnmente como snubber son una parte esencial en muchos de los circuitos electrnicos de potencia. Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrs elctrico durante las conmutaciones y asegurar un rgimen de trabajo seguro. La funcin principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutacin es absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. Centrndonos en los snubbers, stos consiguen reducir el estrs elctrico en los semiconductores durante el proceso de conmutacin cuando trabajan en un convertidor electrnico, de varias formas: 1. Limitando el pico mximo de tensin aplicado al interruptor durante el transitorio que aparece en el proceso de apagado. 3. Limitando el pico mximo de corriente a travs del interruptor durante proceso de encendido. 4. Limitando la pendiente de la corriente (di/dt) que circula por el interruptor en el proceso de encendido. 5. Limitando la pendiente de la tensin (dv/dt) en el interruptor durante el proceso de apagado.

En una primera clasificacin podemos diferenciar los snubbers que absorbiendo la energa procedente de las reactancias presentes en el circuito controlan la evolucin de la tensin o la corriente en el interruptor que conmuta. Como regla general incorporaremos un condensador en paralelo junto con otros componentes, para controlar la evolucin de la tensin en el interruptor y una bobina en serie para el control de la corriente. Otra posible clasificacin hace referencia a si la energa almacenada en los snubbers se disipa en una resistencia, en cuyo caso los denominaremos snubber disipativo, o en cambio dicha energa se transfiere a la fuente primaria o a la carga, siendo denominados en este caso, snubbers no disipativos a pesar de que no son ideales y por lo tanto tambin presentan pequeas prdidas. Finalmente podemos distinguir los snubbers segn controlen la pendiente de subida de la tensin en el interruptor (turn-off snubber o de apagado) o en cambio la enclaven a un valor mximo determinado (voltage clamp snubber). Los snubbers de corriente pueden incluirse en el primer tipo (controlan la pendiente de subida de la corriente, turn-on snubber o de encendido). Snubbers que controlan la pendiente de subida Tensin Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el apagado Previenen sobretensiones y rizados de alta frecuencia Reducen el EMI al minimizar el ruido de alta frecuencia Corriente Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el encendido Reduce el efecto del pico de recuperacin inversa del diodo

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Snubbers con enclavamiento de la tensin Snubber de tensin RCD Reducen el pico de tensin soportado por el interruptor Reducen el pico de potencia disipada durante el apagado Reducen el rizado de alta frecuencia durante el apagado Los circuitos mencionados pueden ser disipativos o no disipativos. Los no disipativos reducen la potencia disipada en el snubber aumentando notablemente el rendimiento del convertidor. Un snubber que controla la tensin en el interruptor durante el apagado provocar un pulso de corriente cuando se proceda al encendido del mismo. Y por el contrario un snubber que controla la corriente en el interruptor durante el encendido, ocasionar un pulso de tensin sobre el interruptor durante su apagado. SNUBBERS DE TENSIN DISIPATIVOS Eliminarn la energa absorbida disipndola en una resistencia Snubber de tensin RC Consta de una resistencia y un condensador que sern colocados en paralelo con el dispositivo. A pesar de su sencillez este circuito permite amortiguar las posibles resonancias parsitas y controlar la pendiente de la tensin en el semiconductor. durante la conmutacin Este tipo de circuitos encuentran un amplio campo de aplicacin en la proteccin de interruptores, como es el caso de los transistores bipolares. Podemos distinguir dos utilidades en los circuitos RCD (resistencia condensador y diodo): Control de la pendiente de subida de la tensin en el interruptor durante el transitorio de apagado. Enclavamiento de la tensin en el interruptor. Comenzaremos estudiando el modo de trabajo del snubber RCD para el control de la evolucin de la tensin (de drenador o colector) en el interruptor. Tpicas aplicaciones las encontramos en convertidores cc/cc como el elevador (boost), el de retroceso (flyback) o el directo (forward). En la figura 3.12 se muestra la disposicin del snubber RCD sobre el interruptor.

Snubber RCD

Emplazamiento del snubber RC en un circuito genrico, b) convertidor reductor

Durante el apagado del transistor el snubber se llevara la mayor parte de la corriente transfirindose una gran parte de la disipacin de potencia que tendra que soportar el transistor sin snubber, a este ltimo. La fiabilidad del interruptor aumenta puesto que el

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pico de potencia que ha de disipar se reduce y las oscilaciones de alta frecuencia provocadas por los elementos parsitos del circuito se ven amortiguadas. Se puede entender el funcionamiento bsico del circuito de ayuda a la conmutacin RCD. Cuando el transistor se apaga, la corriente que procede de la bobina es conducida a travs del diodo D hacia el condensador del snubber C. La tensin en dicho condensador aumentar hasta alcanzar la tensin de alimentacin del circuito, momento en que el diodo principal D1 entrara en conduccin para llevarse la corriente de la bobina. Cuando el interruptor entra en conduccin el condensador del snubber se descarga a travs de la resistencia R y del propio interruptor. Una condicin de diseo importante es que el condensador C se descargue totalmente durante la conduccin del transistor para poder comenzar el siguiente periodo de conmutacin con condiciones iniciales de tensin nulas. Por lo tanto, la constante de tiempo RC en el mencionado snubber, debe ser menor que el periodo de conmutacin ya que se ha de dar tiempo suficiente al condensador C para cargarse y descargarse en cada ciclo de trabajo. A la vista de lo mencionado hasta el momento podemos concluir que el circuito RCD interviene solo durante las conmutaciones. Un punto a tener en cuenta en el diseo de este tipo de circuitos ha sido ya mencionado anteriormente pero conviene remarcar que durante la conduccin del transistor, la corriente de descarga del condensador C se superpone a la corriente principal que proviene de la bobina Lo. Otro factor destacable consiste en la limitacin que el snubber provoca sobre el modo de trabajo del convertidor donde se ha implantado dicho snubber. Si el tiempo de conduccin del transistor es demasiado estrecho, el condensador C no tendr tiempo suficiente para descargarse totalmente, perdindose las condiciones iniciales requeridas para el correcto funcionamiento de la red de ayuda a la conmutacin. Una situacin tpica en la que

podemos encontrarnos con esta limitacin, es la presencia de una condicin de sobre corriente demandada por la carga. SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATVOS En este apartado se presentarn algunas alternativas de circuitos de ayuda a la conmutacin capaces de controlar la evolucin de la corriente a travs del interruptor durante el encendido. Este tipo de circuitos pueden ser identificados en la bibliografa inglesa como turn-on snubbers. Snubber de corriente RLD

Snubber de encendido Reduce las prdidas de entrada en conduccin en alta frecuencia, limitando tambin la presencia del pico de recuperacin inversa del diodo.

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Snubber de corriente con inductancia saturable El objetivo de un snubber de corriente (o de encendido) es lograr que la tensin del transistor disminuya a cero mientras la corriente de colector sea reducida. Este efecto puede conseguirse empleando una inductancia saturable:

SNUBBER UNIFICADO: DE ENCENDIDO Y APAGADO Podemos plantearnos el incorporar el snubber de tensin RCD y corriente RLD en un solo snubber:

Snubber de encendido con inductancia saturable La inductancia saturable del circuito se disea de modo que alcance la saturacin despus que la tensin en el interruptor ha llegado a cero. Antes de la saturacin, la inductancia presenta una elevada impedancia y solo fluye una pequea corriente magnetizante. Una vez alcanzado el paso por cero de la tensin en el colector del transistor, la inductancia se saturar presentando una impedancia despreciable por lo que la evolucin de la corriente hacia Im ser muy rpida. Se consigue de esta forma minimizar la presencia de corriente cuando el transistor soporta tensin y reducir las prdidas en el circuito. La curva de conmutacin en este tipo de circuitos se aproxima notablemente a los ejes, lo que se traduce en bajas prdidas de conmutacin.

Snubber unificado SNUBBERS NO DISIPATIVOS Podramos definirlos bsicamente como aquellos circuitos que reciclan la energa en ellos almacenada devolvindola a la fuente de entrada, a la carga o mantenindola en circulacin hasta el comienzo del siguiente ciclo. Snubber no disipativo de tensin El circuito que se muestra a continuacin est pensado para controlar la evolucin de la tensin en el interruptor, no permitiendo el enclavamiento de la misma.

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Snubber de corriente no disipativo

Snubber no disipativo unificado Snubber de tensin no disipativo Snubber no disipativo de corriente El principio bsico de funcionamiento de un snubber de corriente consiste en almacenar energa en una bobina durante la entrada en conduccin del interruptor para de esta forma controlar la evolucin de la corriente que circula por l. Los snubbers no disipativos tienen por lo tanto el mismo principio de funcionamiento que sus homlogos disipativos, tambin incorporan una bobina en serie con el transistor para realizar el mencionado control de la evolucin de la corriente en l durante su entrada en conduccin. La particularidad que diferencia a unos de otros es que los snubbers de corriente no disipativos transfieren la energa almacenada en la bobina a la carga o a la fuente de entrada en cada ciclo, en vez de disiparla en una resistencia como ocurre con los disipativos Snubber unificado no disipativo

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El condensador CO y la bobina lS transfieren la energa en ellos almacenada de forma paralela, quedando la bobina sometida a la tensin vCo. A medida que CO se descarga, la tensin en lS decrece hasta llegar a cero, momento en el que la carga queda cortocircuitada por el diodo de libre circulacin. 10. TABLAS COMPARATIVAS A continuacin se presentan algunas tablas y grficos de comparacin entre algunos de los dispositivos previamente mencionados: Fig.31. Caractersticas importantes a tener en cuenta para el diseo REFERENCIAS http://ayudaelectronica.com/tiempo-recuperacion-inversa-diodo/. http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador controlado de silicio. http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag triac/triac.htm. http://www.monografias.com/trabajos14/triac/triac.shtml. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag diac/diac.htm. http://ccpot.galeon.com/enlaces1737123.html. http://electronika2.tripod.com/info files/tiristor.htm. http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristores controlados por MOS. http://2jjrefrigeracion.blogspot.com/2011 01 01 archive.html. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor uniuni%C3%B3n. http://www.unicrom.com/cir oscilador con ujt.asp. http://www.monografias.com/trabajos78/dispositivos-control/ dispositivos-control2.shtml. http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag106.html. http://es.wikipedia.org/wiki/Optoacoplador. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor de uni%C3%B3n bipolar. http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor IGBT. http://www2.ate.uniovi.es/alberto/leccion.PDF. http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20(v1).pdf. http://es.scribd.com/doc/78687882/10/Diodos-de-recuperacion-rapida. http://www.elektor.es/noticias/diodos-schottky-de-carburo-de-siliciode-elevada.

Fig.29. Tabla de comparacin entre voltajes y corrientes en frecuencias.

Fig.30. Tabla de comparacin de potencia en frecuencia.

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