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Pr actica V
1.
Base Te orica
Estudie la caracter stica de salida del Transistor en modo EC, su zona saturada y no-saturada. Estudie los conceptos de ganancia est atica de corriente y la ganancia diferencial de corriente . Usualmente en los an alisis de circuitos se ha asumido la aproximaci on VBE =0,7 Voltios. Sobre qu e hecho descansa su validez?.
2.
Realizaci on Pr actica
Determinaci on de las curvas caracter sticas del transistor 2N2222.
30 V
1 kW
2.1.
1. Monte el circuito de la Figura 1 con el potenci ometro de 25K puesto a cero. 2. Variando u nicamente el potencimetro de 10K, ajuste el valor de la IB al valor deseado. 3. Variando el potenci ometro de 25 K, ajuste el valor de la corriente de colector IC . Esto le permite barrer la caracter stica para un valor jo de IB . Para reportar esta curva, anote varios valores diferentes de la cupla (IC ,VCE ). 4. Repita el paso 2 hasta obtener la familia de curvas deseada.
10 kW
39 kW
2.2.
3.
25 kW
En esta actividad se obtendr an las caracter sticas IC -VCE para al menos cinco valores diferentes de la corriente de base IB n (Valores sugeridos: 20, 40, 60, 80, 100 y 120 A).