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-FH59 2) Uma clula solar fabricada pela difuso de fsforo (n dopante) em uma fonte constante de superfcie de 1020 tomos/cm3 em um wafer de Si tipo-p contendo 1016 tomos/ cm3 de boro. A difusividade do fsforo de 10-12 cm2/s, e o tempo de difuso de 1 hora. Quo longe da superfcie a profundidade de juno, ou seja, onde Cn = Cp? 3) Descreva o processo e todos os parmetros envolvidos no processo de evaporao trmica. 4) Duas fontes de evaporao de pequena rea esto separadas por 100 cm de distncia e a 50 cm abaixo um substrato planar. A linha entre as fontes paralela do plano do substrato. Uma fonte evapora o material A, enquanto a segunda fonte evapora o material B. Suponha que a presso de vapor de A 10 vezes maior do que a de B com temperatura de evaporao de 1300 K. (a) A que distncia ao longo do substrato o filme ter composio de 60% A e 40% B? (b) Se a presso de vapor de A 15 vezes maior do que B, a uma temperatura de evaporao de 1500K, qual a diferena entre os calores de vaporizao para A e B? EB' O nvel de metal fundido em um cadinho que se comporta como uma fonte de evaporao de superfcie inicialmente uma distncia h de uma superfcie do substrato planar. Durante a deposio o nvel do metal recua uma distncia !h. Derive uma expresso para a mudana fracional na espessura do filme, em qualquer ponto ao longo do substrato em funo do !h/ h'