Physical Vapor Deposition

Introducere
Caracteristic general care descrie PVD este faptul c peliculele sunt depuse atomar prin intermediul fluxurilor de individuale de specii neutre sau ionice.
Termenul de depunere de vapori fizice apare iniial n cartea "Vapor Deposition" 1966 de ctre CF Powell, JH Oxley i JM Blocher Jr.

Tehnici PVD
Tehnici de PVD include toate tehnicile bazate pe depunerile prin evaporare, cum ar fi e-beam sau evaporare de la barca cald, prin evaporare reactiv si depunere asistat de ioni. Tehnici de PVD, de asemenea, includ toate procesele bazate pe pulverizare, fie printr-o plasm sau de ctre un fascicul de ioni. PVD este de asemenea, folosit pentru a descrie depunerile din surse de arc.

Procesul substractiv Unul din procesele litografiece este un proces substractiv bazat pe depunerea de planare plane i ablonarea ulterioare prin intermediul de extragere cu ioni reactivi (RIE)

Procesul "Damaschin Clasa a II general a tehnicilor de depunere prin umplerea cu metal i lustruite, ntr-o tehnic cunoscut n industria ca "Damaschin.

1. Bazele depunerii prin evaporare

1.1 Evaporare (depunere)

Vacuum evaporation

1.1.1 Principiul fizic

Evaporarea implic dou procese de baz: de evaporare de material de la sursa fierbinte condensare pe substrat. La o presiune tipic de 10-4 Pa, o particul 0.4-nm, are o cale liber medie de 60 m.

1.1.2 Echipamente
Orice sistem de evaporare include o pomp de vid, o surs de energie pentru a evapor materialul. Diferite surse de energie exist: n metoda termica, conductor de metal alimenteaz boilere incalzite din semimetal (ceramic), cunoscut sub numele de "nave" din cauza formei lor. n metoda fascicul-de-electroni, sursa este nclzit de ctre un fascicul de electroni, cu o energie de pn la 15 keV. n evaporare flash, un fir fin de materie prim este alimentat n permanen pe un bar fierbinte de ceramic, i se evapor de pe contact. Evaporarea rezistiva se realizeaza prin trecerea de curent mare printr-un fir rezistiv, sau folii .

1.1.3 Caracteristici evaporare in vid

Materialul este nclzit pentru a atinge stare gazoas Evaporarea este efectuata in vid nalt (10-7 torr, sau 10-4 ~ 10-5Pa) Avantaje Filme pot fi depuse la rate mari (~ 0.5 m / min) Atomii de energie sczuta (~ 0.1 eV) las daune putine de suprafa Putine gaze reziduale i contaminarea de impuriti din cauza vidului inlat Nu se nclzeste substratul Inexpensiv Limitari Dificil de controlat compui aliaj Acoperire saraca de prag Acoperire neuniform de placheta sau mai multe plachete

1.1.4 Cerine de sistem de evaporare

-10-6 Torr pentru filme de calitate medie Ap de rcire - Hearth - Bell Jar Shutter mecanice - Rata de evaporare este stabilita de ctre temperatura de surs, nu poate s fie activat i dezactivat rapid. O obturator mecanic permite un control al pornirii i opririi. Putere electric - Fie nalt tensiune sau curent mare: de obicei 1-10kW

Vid:

1.1.5 Materiale de sprijin de evaporare

Metale - Wolfram (W): MP = 3380 C - Tantal (Ta): MP = 3000 C - Molibden (Mo): MP = 2620 C Ceramica - Graphitic de carbon (C): MP = 3700 C - Nutrida de Bor (BN): MP = 2500 C - Alumina (Al2O3) MP = 2030 C

1.2 Evaporare cu nclzire rezistiva

Simplu, robust, ieftin Pot s ajung pn la temperaturi de 1800 C Utilizeaza filamente W, Ta, Mo pentru a incalzi surse Curenii tipici de filament sunt 200-300A Substraturi expuse la radiaii vizibile i IR Ratele de tipice sunt 0.1-2 nm / sec Materiale - Au, Ag, Al, Sn, Cr, Ti, Cu
Resistive heating elements

1.3 Optimizare proceselor de evaporare

Calitatea de vid, precum i puritatea materialului surs. Geometriei camera de evaporare. Dimensiunile filamentului limiteaz cantitatea de material care poate fi depus. n scopul de a depune un material, sistem de evaporare trebuie s fie capabil s -l topeasc. Fascicul de electroni-evaporare permite un control strict al ratei de evaporare. Acoperire de praguri.

1.4 Comparaie cu alte metode de depunere

Pulverizare i chimice, au o acoperire de prag mai bun. Pulverizare tinde s depun material mai ncet dect de evaporare. Fascicule de electroni tind s produc raze X i electroni de dispersie, pot deteriora, de asemenea, substratul.

2. Depunerea fizic din vapori cu fascicule de electroni

2.1 Introducere
Depunerea fizic din vapori cu fascicule de electroni sau EBPVD este o forma de PVD n care un anod int este bombardat cu un fascicul de electroni emanate de un filament de wolfram sub vid nalt. Atomi apoi precipiteaz n form solid, acoperind totul n camera de vid (n termen de linie de vedere), cu un strat subire de material de anod.

2.2 Proprieti electroni

sisteme

fascicule

de

Mai complexe dect nclzirea rezistiv, dar extrem de versatil Poate atinge temperaturi > 3000 C Utilizeaz creuzete de evaporare ntr-o vatr de cupru Tensiuni tipice de emisie: 8-10 kV poate produce raze X Ratele tipice de depunere 1-10 nm / sec Materiale evaporat:
Toate folosite in nclzire rezistiv, plus Ni, Pt, Ir, RH, Ti, V, Zr, W, Ta, Mo Al2O3, SiO, SiO2, SnO2, TiO2, ZrO2

Electron Beam Physical Vapor Deposition

2.3 Procesul de depunere EBPVD

Torr.
ntr-un sistem de EBPVD, camera de depunere este pompat pn la o presiune de 10

Caracteristici tehnice:

-4

fasciculului este civa amperi, 85% din energia cinetic a electronilor este convertit n energie termic cnd fasciculul bombardeaz suprafaa lingou. Lingou n sine este nchis ntr-un creuzet de-2 cupru, care este rcit de circulaiea apei.. 2 Rata de evaporare poate fi de ordinul a 10 g/cm sec.

Materialul care urmeaz s fie evaporat este n form de lingouri (bulk). Exist ase surese (tunuri) de electroni, fiecare avnd o putere de la zeci la sute de kW. n cazul n care tensiunea de accelerare este cuprins ntre 20 kV - 25 kV i curentul

2.4 Particulariti depunere aliaje prin EBPVD

 Carburi precum carbur de titan i boruri cum ar fi borid de titan i borid de zirconiu se pot evapora, fr a suferi o descompunere n faza de vapori. Aceti compui sunt depuse prin evaporare direct. Anumii oxizi de refractare i carburi supuse fragmentrii n timpul evaporrii lor de ctre fasciculului de electroni, rezultnd ntr-o stoichiometrie, care este diferit de materialul iniial. De exemplu, alumina, atunci cnd evaporat de fascicul de electroni, disociaz n aluminiu, AlO3 i Al2O. Unele carburi refractare, cum ar fi carbura de siliciu i carbur de wolfram se descompun la nclzire i elemente disociate au volatilitate diferite. (Aceti compui pot fi depui pe substrat, fie prin evaporare reactiv sau prin co-evaporare) Vaporii sunt transportai de gaze reactive, care este oxigen n caz de oxizi metalici sau de acetilen n caz de carburi metalice. Atunci cnd condiiile termodinamice sunt ndeplinite, vaporii reacioneaz cu gazul din apropiere de substrat, pentru a forma pelicole. Pelicule carburi metalice pot fi, de asemenea, depuse prin co-evaporare. n acest proces, dou blocuri sunt folosite, unul pentru metal si alte de carbon. Fiecare bloc este nclzit cu un fascicul de energie diferit, astfel nct rata lor de evaporare poate fi controlat.

- Evaporare reactiv:

- Co-evaporare:

2.5 Substratul
Suportul pe care depunerile de film are loc este curat prin ultrasunet i fixat . Titularul substratului este ataat la arborele manipulator. O polarizare negativ de curent continuu de tensiune de 200 V - 400 V pot fi aplicate la substrat. De multe ori, electroni focusai de mare energie de la unul din tunuri de electroni sau de lumin n infrarou de la lmpile de nclzire este folosit pentru a prenclzi substratul.

2.6 Adsorbia
Adsorbiea este lipirea unei particule la suprafata Physisorption: - Molecula pierde energia cinetic in energie termica n o perioad de timp, ce nu i permite acesteia s depeasc pragul necesar pentru a se evacua. Chemisorption: - Molecula pierde energia cinetic la o reacie chimic care formeaz o legtur chimica ntre acesta si alti atomi substrat.

2.7 Condensarea
Moleculele ajuse pe suprafaa pot:

Adsorbi i a se alipi permanent, n locul n care au aterizat (rar) Adsorbi i difuza n jurul suprafeei pentru a gsi un site apropriat Adsorbi i desorbi dupa o durat de via de edere. Imediat reflect n afara suprafeei

Molecule Incidente de vapori n mod normal, au o energie cinetic mult mai mare dect kT din suprafaa substratului Daca se vor lipi sau nu depinde de ct de bine se poate echilibra cu suprafaa de substrat transmitind suficienta energie, astfel nct s ea nu poate prsi substratul. \

2.8 Control de condensare.

Controlul de condensare se realizeaz printr-un control al temperaturii substratului Temperatura inalta a substratului: Mareste energia termic a moleculelor adsorbite Scurteaz timpul de reziden Mareste diffusivitatea de suprafata a moleculelor adsorbite Efectueaza recoacerea peliculelor depozitate Incalzitoare de suport Lmpile de IR frontale Bobine de incalzire din reversul plachetei

2.8 Depunere asistat de fascicul de Ioni particulariti

Sistemele EBPVD sunt echipate cu surse de ioni utilizate pentru extragere i curare de substrat, pulverizare int i controlul microstructurii substratului. Fascicole de Ioni bombardeze suprafaa i modific microstructura a filmului. Bombardamentul de Ioni, de asemenea, mrete densitatea de film, schimb granulaia i modific filme amorfe n filme policristaline. Ionii de energie sczut sunt utilizai pentru suprafeele de pelicole semiconductoare.

2.9 Avantajele EBPVD

Rata de depunere n acest proces poate fi la fel de mici ca 1 nm, pe minut i la fel de ridicat ca civa micrometri pe minut. Eficiena de utilizare materialului este mare comparativ cu alte metode, Precum i procesul ofer un control structural i morfologic de filme.

2.10 Dezavantaje EBPVD

folosit pentru a acoperi suprafaa interioar a geometrii complexe. O alt problem potenial este faptul de degradare de filament al tunului de electroni ce rezultat ntr-o rat ne-uniform evaporare.
Costul inalt al echipamentului, EBPVD este un proces cu o depunere linie-de-vedere, deci acest proces nu poate fi

3. Molecular Beam epitaxia (MBE)

Particulariti:
Este de fapt de evaporare, nu CVD Necesit vid ultra nalt (10-10 Torr) Celule conin mostre foarte pure a materialul int. Jaluzele sunt deschise i expuse la un fascicul de electroni care vaporizeaza materialul int. Suprafa plachetei este nclzit pentru a promova creterea epitaxiala a filmului. Placheta este rotita pentru a mbunti cretere uniform de film. MBE permite crearea de dispozitive foarte specializate: - sandwich de Mono-straturi atomice sunt posibile O jucarie preferata a laboratoarelor de cercetare, dar este de asemenea folosita, n mass-producia de dispozitive n baz de arseniur de galiu. Procese MBE: Inserare eantion si incalzirea

materialul surselor Deschiderea obloane Monitorzarea condensari i

sublimarii Inchiderea obloane Eliminarea mostr

4. Pulverizare catodic
4.1 Introducere
Surse de pulverizare sunt, de obicei magnetroane care utilizeaza cmpurile electrice i magnetice puternice pentru a crea o capcan pentru electroni aproape de suprafaa magnetron, care este cunoscut sub numele de int. Electronii crcul pe ci elicoidale n jurul liniilor de cmp magnetic n curs de coliziuni ionizante, mai mult cu gaze neutre aproape de suprafa intei. Gazul de pulverizare este inert, de obicei argon. Ionii suplimentari de argon creai ca rezultat al acestor coliziuni duce la o rat mai mare de depunere. De asemenea, nseamn c plasma poate fi susinut la o presiune mai mic. Atomii pulverizai sunt neutri i astfel nu sunt afectai de capcana magnetic. Pulverizare: Utilizeaza particule de mare energie (plasm) pentru a disloca atomi de la suprafa de sursa Se efectuaz n vid sczut-mediu (~ 10-2 Torr) Avantaje o Pot folosi surse mari pentru uniformitatea de film o Control de grosime usor in timp, o Usor de depozitat aliaje i compui o Aacoperire buna de Pas o Lipsa daunarii X-ray

4.2 Pulverizare cu fascicul de ioni

Pulverizare cu fascicul de Ioni (IBS) este o metod n care inta este expuse la sursa externe de ioni. O surs poate funciona fr nici un cmp magnetic . ntr-o surs de ioni Kaufman ionii sunt generai de coliziunile cu electroni, care sunt limitate de un cmp magnetic ca ntr-un magnetron. Ei sunt apoi accelerai de cmp electric ce provine de la o gril spre o int. Cum ionii prsesc surs ei sunt neutralizai de electroni de la un al doilea filament extern. Avantaje IBS are un avantaj n faptul c energia i fluxul de ioni pot fi controlate independent. Dat fiind faptul c fluxul ce loveste inta este format din atomi neutri, materiale fie izolante sau conductoare pot fi pulverizate. Dezavantaje Dezavantajul principal al IBS este cantitatea mare de ntreinere necesar pentru a menine operarea sursei de ioni. [1]

4.3 Pulverizare reactiv

In pulverizare reactiv, filmul depus este format prin reacia chimic ntre materialele int i un gaz care este introdus n camera de vid. Oxide i filme de nitrur sunt adesea fabricate cu ajutorul pulverizrii reactive. Compoziia de film poate fi controlat prin diferite presiuni relativ e a gazelor inerte i reactive. Oxid de indiu conductor transparent care este utilizat n celulele optoelectronice i solare se face prin pulverizare reactiv.

4.4 Depunere asistat de ioni

Depunere asistat de ioni (IAS), este o tehnica care simultan combin implantarea ionic

cu alte tehnici de depunere. Pe lng furnizarea de control independent de parametri, aceasta tehnica este util n special pentru a crea o tranziie treptat ntre substrat i pelicula depus, precum i pentru depozitarea filmelor mai puin ncorporate n substrat dect este posibil prin alte tehnici. Aceste dou proprieti poate duce la pelicule cu o legtur mult mai durabil la substrat.

IAS poate fi utilizat pentru depozita carbon n form de diamant pe un substrat. NASA a folosit aceasta tehnica de a experimenta cu depunerea de filme de diamant pe paletele turbinelor n anii 1980. IAS este utilizat n alte aplicaii industriale importante, cum ar fi crearea de straturi de carbon amorf tetrahedral pe suprafa pe hard disk si acoperire cu nitrur de metal dur de tranziie pe implanturi medicale.

4.5 Pulverizare de utilizare nalt a intei

Pulverizare poate fi, de asemenea, efectuata de ctre generaie de la distan de o plasm de densitate mare. Plasma este generat ntr-o camer lateral deschis spre camera procesului principal, care conine int i substrat pe care urmeaz s fie depus pelicula.

4.6 Pulverizare n impuls de mare putere magnetron (HIPIMS)

High Power Impulse Magnetrone pulverizare HIPIMS este o metod pentru depuneri fizice din vapori de filme subtiri, care se bazeaz pe depunere magnetron prin pulverizare catodic. HIPIMS utilizeaza densiti extrem de mare de putere de ordinul a kW/cm2 n impulsuri scurte (impulsuri) a zeci de microsecunde .

4.7 Pulverizare n flux de gaz

Procesul face uz de efectul de catod tubular, prin care un flux de un gaz de lucru ca argon este condus printr-o deschidere ntr-un metal supus la un potenial electric negativ. Densiti plasm enhanced apar la catodul tubular, n cazul n care presiunea din camera p i o caracteristica de dimensiune L a catodului tubular ndeplinete cerina Paschen 0.5 Pa m < p L < 5 Pa M. Aceasta determin un flux ridicat de ioni de pe suprafee nconjurtoare i un mare efect prin pulverizare catodic. Pulverizare bazate pe catod tubular n flux de gaze poate fi, astfel, asociate cu rate mari de depunere pn la valori de civa m / min [4].

4.8 Elemente de baz de pulverizare

Pentru PVD bazate pe tehnici de pulverizare, marea majoritate a cazurilor de interes va folosi bombardamentul de catod negativ-bias, cu ioni de gaz inert de mare energie. Efectul acestor ioni de intrare este de a disloca fizic unul sau mai muli atomi din int, care apoi se muta la rndul su i izbete de ali atomi n cadrul structurii de suprafa. Aceast cascad de coliziuni poate duce n cele din urm c unul sau mai muli atomi din apropierea straturile superficiale care au suficienta energie cinetic (i direcia corespunztoare) pentru a depi energia obligatorie de suprafaa i prsesc suprafaa. Acest atom este apoi descris ca fiind pulverizat de la suprafata, dei ar putea avea originea de mai jos de la suprafaa iniial cu 1-2 straturi. Succesiunea exact a coliziunilor este, dup cum s-ar putea s fie evident din schita, foarte dependente de traiectoria exact i site-ul de impact al ionilor incident. Deoarece aceste caracteristici nu sunt controlabile, pulverizarea este, de obicei descris prin efecte medii: resultatul (impactul) de multe milioane de ciocniri i media emisiilor de particule pulverizate. Acest lucru este cunoscut generic ca randamentul pulverizrii catodice, i este pur i simplu raportul dintre numrul de particule emise, pulverizate i numrul de incidente cauzate de ioni de mare energie. Randamentul variaz de la nedetectabile, n esen, energii de ioni foarte mici (zeci de eV), la numerele de ordinul de 1-5 pentru energii de ioni de multe sute i mii de electronvoli. Un grafic de randamente pentru anumite materiale de interes pentru prelucrarea de materiale semiconductoare este prezentat n figura 15.4

Presiunea pe parcursul pulverizrii: catodic magnetron sunt operate la presiuni n intervalul sczut milli-Torr, cazul n care drumul liber pentru coliziuni n faza de gaz este n general mai mare dect distana dintre catod i prob. La presiuni mai mari dect civa milli-Torr, acest lucru nu se mai petrece, i La presiuni de circa 30 mTorr sau mai sus, n esen, toi atomii pulverizai au numeroase coliziuni de faz de gaz i pierd n esen, toat energia lor cinetic iniial i direcia din procesul de pulverizare [ 12-16]. Procesul "thermalization" : Acest proces este cunoscut sub numele de "thermalization" din punctul de vedere al atomului pulverizat, care devine echilibrat termic cu gazul de fundal. Procesul, de asemenea, rezult n nclzire semnificativ, dei, rezultnd ntr-o rarefiere local a gazului de fond n regiunea de la catod. Pentru niveluri semnificative de putere aplicate la magnetron, densitatea rezultant de gaz poate fi micorat, cu 20% din densitatea de pornire, cu o temperatur echivalent de gaz de 1500 K sau mai mult [17]. Probabilitatea de transport: O depunere semnificativ va aprea pe pereii laterali a camerei, precum i alte componente ale sistemului.
Cele mai multe sisteme de depunere prin pulverizare

 Probabilitatea de transport poate fi caracterizat printr-un numr ntre 0 i 1, unde 1 nseamn c toi atomii pulverizai de pe catod sunt depozitai pe suprafaa probei si 0 implic faptul c atomii nu sunt depozitate [17]. Cu toate c sunt rareori msurate, datele arat tendinele influienei presiunii, parcusului liber i de gaz utilizat, precum i de specii int (Tabelul 15.1). Eficiena depunerii: n acest ultim caz, este de ateptat c, atunci cnd greutate atomic a intei depete greutatea atomic de gaze, transportul va fi mai eficient. O mai frecvent caracteristic metric utilizat pentru a caracteriza eficiena de depunere este de a calcula rata de unitate de depunere per watt de putere aplicat. Rezultatele sunt de obicei prezentate n uniti de Angstroms / sec / Watt. Un exemplu de acest tip de date este prezentat n Tabela 15.2 pentru camera de pulverizare Applied Materials Endura.

Not:
n general, un numr tipic pentru eficiena acestui tip de depunere este de ordinea de 1 Angstrom / sec / Watt, cu numere mai mari pentru astfel de materiale ca Cu, care au un randament ridicat prin pulverizare catodic.

4.8 Sisteme de SD
Pentru aplicaii de semiconductoare, n esen, cca 100% a sistemelor de depunere se bazeaz pe o variaie a unui dispozitiv DC cunoscut ca un magnetron. Exist rapoarte de activiti efectuate prin utilizarea de sisteme de depunerile cu RF, dar acestea sunt de obicei folosite n cazuri de materiale dielectrice, cum ar fi high-k dielectric, i nu sunt n utilizarea pe scar larg.
Cmp magnetic este utilizat pentru a limita plasma i cmp electric folosit pentru accelerare; Plasm DC utilizate pentru metale conductive Plasm RF utilizate pentru dielectrice nonconductive Mai multe surse pot fi mixate

DC pulverizare
utilizeaz plasm pentru a pulveriza inta, dislocarea de atomi care apoi depoziteaz pe plachete, pentru a forma pelicula. presiuni mai ridicate dect de evaporare 1-100 mtorr. o mai bun solutie de depozitare de aliaje i de compui dect evaporare .
RF pulverizare Pentru DC pulverizare, electrozii-int sunt conductori. Pentru a folosi materiale dielectrice RF pulverizare este folosita. n cazul n care zonele de electrozi nu sunt egale, cimpul trebuie s fie mai mare la electrodul mai mici (mai mare densitate de curent), pentru a menine continuitattea de curent.

Pulverizare magnetron Un catod magnetron difer de la un catod convenional, planar, prin faptul c exist un cmp magnetic local paralel cu suprafata de catod. Efectul de cmp tangenial este de aa natur nct electronii secundari, care sunt emii de la suprafaa catodului din cauza bombardamentului de ioni (care este cauza pulverizrii), supus unui ExB Drift n jurul suprafaei catodului. Aceti electroni derivai sunt prini aproape de regiunea de catod i pot duce la niveluri foarte nalte de ionizare de gaze, ceea ce duce la descrcarea de foarte mari a curenilor (Ioni).

Pulverizare magnetron - semiconductori

Magnetroane utilizate n sisteme de producie din materiale semiconductoare deriv din acest design de baz. Diametrul de catod este, de obicei cu 50% mai mare dect proba pe care urmeaz s se depun (30-32 cm, pentru un eantion de plachete de 200 mm). Aceast scalare este probabil s se dein astfel cum plachetele migreaz spre generaia de 300 mm, care conduce la diametre de catod de ordinea 45 cm. Pulverizare magnetrondistana catod-prob Distana catod-prob, sau "aruncarea, variaz de la distana de la circa 3 la 10 cm, cu cele mai multe instrumente de operat la circa 5 cm. n cele mai multe instrumente de producie, magnetroane sunt configurate pentru a emite n jos pe plachet. Initial, au existat ateptri c aceast configuraie ar avea drept rezultat maxim de particule contaminare pe probe, pur i simplu din cauza gravitaiei. Cu toate acestea, cele mai multe particule sub-micronice, n sistemele de vid, sunt mult mai influenate de sarcin static, forele Van-der Wahl, i turbulene n faza de gaz dect sunt de gravitaie.

Fixare plachete Plachetele sunt fixate pe platforme substrat n unul din trei moduri: o clem fizic, (reduce suprafa util de plachet cu cteva procente, ns tinde la un cuplu fizic i termic al plachetei cu piedestalul, oferind un control moderat al temperaturii). fr strngere prin amplasarea plachetei n locaii speciale (ofer o acoperire complet de plachet, dar se pierde orice fel de control a condiiilor termice sau electrice a plachetei) i prindere electrostatic (Prinderea electrostatic poate oferi avantajele ambele metode anterioare).

Magnei - configuraii
Magnetroane de producie sunt configurate cu magnei n micare, mai degrab dect magneii fix din figura 15.5. Aa cum se arat n figura 15.6, magnetul se afl n spatele suprafaei catodului i se rotete n jur n baie de ap de rcire.
FIGURE 15.6 Magnetron design with moving-magnet, heart-shaped etch track. (From Powell, R. A. and S. M. Rossnagel, PVD for Microelectronic , Academic Press, Boston, NY, 1998.)

Particulariti magnetron
Pista de extragereeste de obicei in forma de inima cu indentarea n partea de sus a inimii aproximativ pe centrala catodului. Aceast sistem de magnet este acionat de un motor extern pentru a ciclului n jurul suprafaa catodului la civa Hertz. Toi catozi magnetron sunt rcii cu ap. Practica i probleme de siguran limiteaz temperatura apei de racire de la catod la 60 C. Presupunnd un excelent transfer de caldura, acest lucru duce la o cerin de aproximativ 1 / 4 galon-pe minut. Cavitatea din spatele catodului conine magnei i, de asemenea, ap de rcire, de obicei cu linia de ap de aproximativ 2 cm diametru.

 Modelele de catod recente au migrat spre o configurare de int, care conine canale de ap. Aceast permite de a obine mai mari dimensiuni de catod i permite magneilor s opereze n aer, reducnd corozia inevitabil att a magneilor ct i de pieselor, ce aduce la faptul c asamblul-int devine mai scump.

4.9 Particulariti SD: Reflow

Problema fundamental a depune atomi ntr-o groap profund pot fi rezolvate in 2 moduri: utiliznd fie mobiliti sporite de suprafata de atomi depui, sau, directionalitate sporit de atomi depui. Mobilitate de suprafata
Prima abordare este mai apropiat de cereri de depunere planar de film discutat mai sus i utilizeaz, n esen, acelai set de instrumente, cu toate c nu abordeaz fundamental, natura non-directional de depunere prin pulverizare catodic. Doui tehnici n general au evoluat pentru a se adresa de mobilitate de suprafata de atomi:

primul este pur i simplu creterea temperaturii eantionului, iar a doua se bazeaz pe o extrudare mai macroscopic de material de film n gropi profunde.

Temperatura de suprafa Efectele temperatur a eanionului mresc difuzia de suprafa, formarea de granule i creterea activitii chimice a materialului de film, de asemenea i caracteristici negative, cum ar fi aglomerare de film, formarea de goluri, re-evaporare, precipitaii, precum i a interdiffusion film cu straturi subiacente. Scopul unui proces de Reflow termic este c atomii trec de la suprafee plane n adncituri profunde, cum ar fi tranee sau VIAS. Micarea acestor atomi nseamn c traiectoria lor iniial de depunere (i condiii) sunt lipsite de importan, i acest lucru este n concordan cu PVD convenional, tehnologie de depunere magnetron de rata de nalt. Umplerea fntnilor Avnd n vedere c partea de jos a unui an are o forma concava, acest lucru va tind e s fie o chiuveta pentru atomi de difuziune termic. Cu toate acestea, acest lucru presupune c tranee rmne deschis n partea de sus n timpul procesului de reflow. n cazul n care partea de sus este nchis i un gol format, apoi micare ulterioare de atom este, prin difuzie n bulk, mai degrab dect de difuzie de suprafa, i este caracterizat printr-o energie de activare mult mai mare. Acest lucru nseamn c, la orice temperatura eantionului dat, un proces bulk-difuziedominat va fi cu mult mai lent dect un proces de suprafa de difuzie. Cerine Reflow
n general, este necesar ca primul strat a filmului s wet suprafaa i s aib o bun aderen, sau, altfel efectul temperaturii suplimentare a probei - se vor forma grupuri i picturi, mai degrab dect un film continuu.

 Acest lucru este, un proces de 2 pai, n care stratul de germeni este depozitate la temperatura sczut i temperatura probei este mrit, astfel nct restul depunerilor este la temperatur nalt pentru a facilita Reflow rapid. Mai multe modificri ale acestui proces includ utilizarea de pulverizare collimat sau depunerilor lung-aruncare sau chiar utilizarea unui strat CVD pentru stratul de germeni.

Reflow - Puritatea Procesele Reflow termice necesita un nivel ridicat de puritate, deoarece contaminarea suprafeei de plachet sau a impuritilor de gaze, cum ar fi oxigen sau ap pot mpiedica n mod semnificativ procesul de difuzie de suprafata. -7 Pentru cazul Al Reflow, cantiti foarte mici de oxigen (presiune de la 1 0 Torr) sunt suficiente pentru a forma insule mici de oxid, care apoi mpiedica difuzia. Reflow straturi intermediare
Straturi subiri de Ti depus chiar nainte de Al Reflow poate conduce o mai bun Reflow de Al, precum i de aderen mai bun. Acest Ti poate fi apoi ncorporate n Al ca TiAl3 din cauza temperaturii crescute, iar acest lucru poate servi la reducerea stresului de film i posibilitatea de electromigraie redus [23]. Aceast TiAl3, cu toate acestea, are o rezistivitate nalt care poate duce la creterea rezistenei linie.

Reflow preocupri
Prima preocupare se refer la cerina ca, gropi sau tranee rmn deschise n timpul procesului de reflow, astfel nct energia de activare pentru difuzie de suprafa, spre deosebire de difuzie n bulk, este dominant. Acest lucru limiteaz att rata de depunere, precum i dimensiunea minim a gropi. Interaciunea este ntre non-incidena normal a procesului de depunere prin pulverizare catodic, care tinde s formeze golurile, i rata de mobilitate de suprafa, care tinde s umple cele mai mici VIAS i tranee prima i, de asemenea, s le pstreze deschise Compromisul este determinat de cea mai mare temperatura substratului acceptabil, ca rezultat al temperaturi ridicate este difuzia mai rapid. Tipic, in procese semiconductoare n baza de oxid este o temperatur maxim de 400 C, i c temperatura va scdea n mod semnificativ cu introducerea unui mai nou, low-k dielectric. Al doilea aspect se refer att la dimensiunea de gropi, precum i densitatea gropilor pe

suprafaa de pe plachet. Dat fiind c pur i simplu este nevoie de mai mult timp, i de atomi de mai muli, pentru a umple o gropi mai mare ca spre deosebire de una mic, gropile mai mari vor rmne n urm n timpul prelucrrii. Reflow variante O variant pe tehnologii Reflow care au fost dezvoltat recent este cunoscut drept "umplere sub presiune nalt". Acest proces utilizeaz pulverizare convenional de pelicule, urmat de expunerea la aceste filme la presiuni extrem de mari statice a unui gaz inert, cum ar fi Ar. Cheia acestui proces este, spre deosebire de depunere Reflow convenional, este de dorit foarte mult s depun filme ntr-un mod care golurile sunt formate. Probele sunt apoi eliminate din camera de pulverizare i introduse ntr-o camer de nalt presiune. Temperatura se ridic la aproximativ 400 C, iar Ar este introdus n camera la un nivel de 600-700 atm. Presiune mare, mpreun cu

natura elastic a Al la 400 C (0,75 de la temperatura de topire), permite Al s fie mpins n jos, n VIAS (Figura 15.8).

4.10 SD - Depunere direcional

4.10.1 Distane de parcurgere lungi
Generaliti Cele mai multe sisteme de PVD sunt concepute pentru rata maxim, distane scurte de parcurgere. Acest lucru duce, de asemenea, la cele mai puin numr de atomi pierdui pe pereii camerei. Prin deplasarea eantionului mai departe de catod un procent tot mai mare de atomi pulverizai sunt pierdui pe pereii laterali ai camerei. Aceasta are ca rezultat o reducere net a ratei de depunere, i, de asemenea, duce la o schimbare net n directionalitatea medie a atomilor de depozitare. Distana int-plachet
Atomii, care sunt pulverizai de la suprafaa int la unghiuri mici (departe de incidena normale) sunt mai susceptibili de a ateriza pe pereii laterali camera dect pe placheta eantion. Atomi ce ajung la eantion sunt mai susceptibile de a fi mai aproape de inciden normal dect cele convenionale, depunerile de scurt-aruncare. Acest proces de filtrare geometric este cunoscut generic drept depunere prin pulverizare catodic long throw. Procesul este limitat de presiunea de funcionare a sistemului de i mprtiere de gaze. Pentru a reduce mprtierea de zbor, drumul liber pentru atomi pulverizate ar trebui s depeasc distan de parcurgere.

Filtrare de direcional Pentru a avea un grad semnificativ de filtrare de direcie, distana trebuie s fie de ordinea de diametrul catodului, de 25 cm pentru un sistem cu placheta de 200 de mm. Acest lucru pune o limit practic de presiune de cateva zecimi de milliTorr de presiunea de operare, cum presiuni mai mari vor duce la distane liber mai scurte cale dect distan de parcurgere. Cererile de fabricare de depunere de lung distan tind s aib distan de aproximativ 25 cm, care limiteaz fluxul depunerii la aproximativ 45o. Direcionalitate mai mare se poate obine numai cu distane mai lungi, care necesit presiuni mai mici. Asimetrie intrinsec
n cazul unei poziii de prob n apropierea central a sistemului, depunerea este uniform din toate unghiurile de pn la unghiul cutoff. Cu toate acestea, aproape de marginea de plachet, depunerilor este mai puternic din regiunile interioare ale catod, rezultand o acumularea mai mare pe pereii laterali exterior i (Figura 15.10).

Asimetrie intrinsec limitri Argumente similare geometrice limiteaz extendibilitatea de depunere la distane lungi la generaii de plachete de 300 mm. Avnd n vedere c catodul crete n mrime pn 30 - 45 cm n diametru, pentru a atinge aceeai nivel de directionalitate ar fi nevoie de o majorare de distan cu 50%, i n acelai timp, reducerea presiunii de 2 ori. n general, aceasta tehnologie nu se adapteaz bine la 300 mm i este puin probabil s fie disponibil comercial.

4.10.2 Pulverizare colimat

Generaliti ntr-un mediu de depunere cu distana liber mare (drumul liber mediu >> distan), filtrare geometric a fluxului poate fi, de asemenea, obinut prin plasarea unui colimator ntre int i proba. Colimatorul servete ca un filtru simplu direcional prin simpla colectare a atomilor, care afecteaz zidurile sale. Acest lucru este prezentat schematic n figura 15.11.
FIGURE 15.11 Collimated sputter deposition.

Gradul de filtrare Gradul de filtrare este pur i simplu funcie de raport de aspect colimator, n cazul n care raportul aspect este definit ca grosimea colimator mprit la diametrul de o celul. Efectul asupra pulverizate de flux este prezentat n figura 15.12, care prezint distribuia de emisie convenional ca o sfer centrat de la un site de impact pe suprafaa catodului.
FIGURE 15.12 Schematic of the emission distribution (shown as a sphere) and the subsequent filtering by collimator

Gradul de filtrare
Sfera este domeniul de colectare a tuturor

traiectoriilor posibile pentru atomi pulverizai. Prin creterea raport de aspect de colimator, distribuia atomic transmis este afiat ca un con centrat spre suprafaa normal. Ct este mai mare gradul de collimare, este mai mic jumtate de unghi al conului de depunere. Rata de depunere, evident, sufer n timpul depunere prin pulverizare catodic colimat. Pentru fiecare cretere 1:1 al raportului de aspect de colimator, rata de depunere scade cu aproximativ 3 ori (Figura 15.13).
FIGURE 15.13 Deposition rate as a function of pressure through a variety of collimators.

Depunere colimat distana int/substrat n pulverizare colimat, n general, nu este necesar s se mreasc distana n mod semnificativ, altele dect grosimea colimator (de obicei 2-3 cm) Aceasta este distana de aproximativ 8-9 cm, care necesit un vid care funcioneaz n gama 0.5-1 mTorr astfel c exist puine coliziuni n timpul zborului n faza de gaze. Aceast presiune de funcionare este n raza de acoperire pentru majoritatea magnetroane comerciale. Durata de via colimator Durata de via a colimatorului este de obicei limitat de nchiderea eventuala al celulei colimator, mai degrab dect exfoliere pe durata de via i este de aproximativ de ordinea de jumtate din via intei, dar acest lucru depinde puternic de materialul utilizat. Iniial colimatoare au fost reciclate i recurite, dar acest lucru este rareori fcut astzi n producie. O foaie-colimator de metal pentru pentru cerine de 200 mm cost de $ 600-2000.

4.10.3 SD Depunere ionizata RF

Generaliti
Pulverizarea fizic este predominant de un proces de atom de emisie neutru: aproape nici un ion nu sunt formai n timpul procesului de pulverizare, i chiar dac o ioni au fost formai, ar fi avut loc pe suprafaa de nveli a plasmei. Ocazional, ioni negativi sunt formai n cazurile cu materiale foarte electronegative, dar acest lucru nu este o problem pentru aproape toate materialele semiconductoare [38]. Atomii pulverizai sunt emii cu gam larga de unghiuri, i deoarece acestea sunt neutre, nu exist nici o alt cale dect simpla filtrare substractiv pentru a controla directionalitatea lor.

Plasme ioni metal La sfritul anilor 1980, a devenit evident c totui e destul de uor de a contamina aceste plasm cu atomi de metal care au fost evaporai prin pulverizare pe pereii interni a sistemului. Aceste atomi de metal au fost uor ionizai i ar putea fi folosite pentru a diagnostica extragerea de plasm. n general, ns, acest lucru a fost considerat o mare btaie de cap, deoarece ionii de metal ar strata diverse suprafee izolator i ferestre n instrumente cu plasm de nalt densitate i ruina eficacitatea lor. Nu a trecut mult timp, ns, nainte de a oamenii au nceput s introduc n mod intenionat metal n plasme ca modalitate de depozitare intenionat de filme, Plasma ntroducere ioni Erau ntrodui ioni metalici n primul rnd, spre deosebire de atomi de metal. Avantajul depunere intrinsec de Ion de metal este c, din cauza naturii plasmei, care este paralel cu suprafaa eantion, toi ionii sunt depozitate la exact inciden normal. Indiferent de traiectoria iniial a atomilor de metal (care ar fi putut fi pulverizate de pe suprafa n apropiere, la un unghi aleator), ioni de metal au fost accelerat n eantion la 90o i energia cinetic a fost stabilit complet cu diferena dintre potenialul de plasm precum i potenialul de plachet, ambele din care poate fi, n general, uor de controlat (I-PVD). Plasma - rezonanta electroni-ciclotron Cele mai timpurii lucrri utilizau att surse de pulverizare ct i evaporare [39,40] i o plasm de nalt densitate format prin rezonanta electroni-ciclotron (ECR), care este acionat de o surs de microunde, la 2.45 GHz. Este necesar s se indice punctul de intrare pentru microunde la depunere de metal. Acest instrument este operat de deschidere a unei descrcri ECR n Ar, i apoi incepand sursa de evaporare (de obicei Al sau Cu). Atomi de metal pot fi apoi ionizai de plasm de gaz inert, iar la un moment dat argonul poatet fi eliminat prin pompare i plasm susinut complet de surs prin evaporare. Direcionare ioni Avnd n vedere c locaia probei nu este ntr-o linie direct-de-vedere la sursa prin evaporare, numai ioni sunt depozitai. Acest sistem a fost folosit pentru depuneri direct ionizat din Cu pentru materiale semiconductoare la un raport de aspect de 4:1 [40]. Din pcate entuziasm a fost putin pentru reintroducerea evaporarii ca o tehnologie materiale semiconductoare pe scara de fabricaie, astfel nct aceast abordare a fost convertit la o abordare de pulverizare fizic [41,42]

Sisteme cu plasme inductiv cuplate RF

n paralel cu activitatea de elaborarea a sistemelor cu plasm de nalt densitate cu microunde, a existat interes semnificativ, de asemenea, n sisteme cu plasme inductiv cuplate RF de nalt densitate, de obicei care opereaz la 1.9-13.56 MHz i couplarea acestora cu plasme pe baz de metal. Este obinut o combinare de o surs de pulverizare de metal cu o plasm dens de gaz inert, cu cuplaj inductiv, care este folosit pentru ionizare de metal. Schema general a abordrii RF inductiv cuplate la I-PVD este prezentat n figura 15.15. Catod magnetron este conventional, de exemplu, este acela catod utilizat pentru depunere magnetron prin pulverizare catodic. n locul de colimator,

bobina cu 1-3 rnduri de RF este poziionat.

FIGURE 15.15 Experimental configuration for rf-based I-PVD. (From Rossnagel, S. M., J. Va c. Sci. Te chnol., B16, (1998): 2585.)

Sisteme cu plasme inductiv cuplate RF

n locul de colimator bobina cu 1-3 rnduri de RF este poziionat aproximativ echidistant fa de catod i eantion, de obicei 3-4 cm de la fiecare. Diametrul bobinei variaz n funcie de furnizorul i de grup, i tinde s fie aproximativ acelai diametru sau puin mai mare dect diametrul de magnetron int. Este important ca bobina nu intercepta linie direct magnetron-prob, deoarece acest lucru va duce la Shadowing aproape de marginea plachet.

Potenial plachet Funcia bobinei RF este de a crea o plasm dens, cu cuplaj inductiv n gazul de fundal, care este de obicei Ar. Funcia de magnetron este de a mproca atomi n aceast descrcare. La proba, de obicei potenialul de prob este deinut, prin intermediul unui inel clem, care, impreuna cu postamentul de proba, pot fi alimentate fie RF sau DC la un nivel de cteva sute de wai cel mult. Potenialul de plachet va fi de obicei negativ, iar acest lucru va accelera ioni din plasm, care au un potenial pozitiv plasmatic de civa voli. Folosind o bias RF, sunt exluse probleme cu izolator pe suprafea plachetei, dar rezult ntr-o incapacitate de a msura curenii reali pe proba. Bobina RF Bobina RF a fost construit prin tubulatura de Cu, i ap de rcire a fost furnizat, pentru a controla temperatura. Fire de dimensiuni mai mari dimensiuni i au fost explorate: numr variat de rotaii, bobine de spirala, etc. Cele mai bune rezultate au fost obinute cu un numr minim de fire (1-2) i cel mai mare diametru de tubulatur. Acestea mresc nivelul de cuplare inductiv cu plasma, resultnd ntr-o densitate mai mare de plasm. Monitorizare depunere Ionizare relativ n I-PVD sistem de RF a fost msurat prin utilizarea unui analizor grid de energie la locul de prob. n loc de un colecionar planar, detectorul a folosit o micro balan de cristal de cuar (Figura 15.16). Acest lucru permite detectorului de a face diferena ntre ionii de gaz inert i ioni metalici. Datele de la acest tip de detector este nu sunt direct legate de un nivel relativ de ionizare n plasm, deoarece presheath are tendina de a trage ioni metalici la proba. Cu toate acestea, este n conformitate cu raportul de depozitare de flux de ionizare.

Majorare Presiune Ionizare relativ, dup cum s-ar putea fi de ateptat, au avut tendina de a crete pe msur ce presiune a camerei a fost majorat la descrcarea cu cuplaj inductiv (Figura 15.17). A fost o uoar diferen de la Ar la Ne care pot fi atribuite, posibil la o temperatur mai mare de electroni pentru Ne. Cu toate acestea, se poate observa din figura ca nivelurile de ionizare relativ de 80-90% sunt posibile. Ionizare maxim a fost observat la presiuni de ordinul de gama zecilor mTorr. La aceste presiuni atomii pulverizai tind s aib mai multe coliziuni n faza de gaz, i, ca atare, au tendina de a rmne mai lung n regiune de plasm. Putere ionizare RF Ionizare relativ a fost, de asemenea, msurat n funcie de creterea puterii RF la bobina cu cuplaj inductiv, dup cum se arat n figura 15.18. n acest caz, magnetron a fost operat la trei niveluri diferite putere, iar aceste niveluri ar fi la scar aproximativ cu cantitatea sau numrul de atomi de metal adaugai la descrcare. La fluxuri de metal mici (putere de magnetron 1 kW), ionizarea ar putea fi susinut la peste 80%.
FIGURE 15.18 Relative ionization at the sample location for rf-based I-PVD as a function of chamber pressure for Ar and Ne. (From Rossnagel, S.M. and J. Hopwood, J. Va c. Sci. Technol., B12, (1994): 449.)

FIGURE 15.16 Retarding grid energy analyzer used to measure relative ionization of the deposition flux. (From Rossnagel, S. M. and Hopwood, J. J. Va c. Sci. Te chnol., B12, 449, 1994.)

FIGURE 15.17 Relative ionization at the sample location for inductively coupled I-PVD as a function of increasing pressure. (From Rossnagel, S. M. and J. Hopwood, J. Va c. Sci. Te chnol., B12, (1994): 449.)

Reducere densitate gaz Cu toate acestea, astfel cum a fluxului de metal crete, ionizare relativ a fost suprimat i nu au putut fi recuperate prin simpla adugare de putere RF. Acest lucru a fost observat, de asemenea, msurarea de curent de Ioni la proba: creterea fluxului de metal pentru plasm a determinat o reducere a curentului de ioni la eantion, n concordan cu o reducere a densitii plasmatice sau temperatur electroni [48]. Un exemplu al acestei date este prezentat n figura 15.19, care arat modul n care creterea numrului atomi de metal calzi, pulverizai rezult n o scdere msurabil n densitatea de gaz din regiunea plasm.

Reducere densitate gaz Modelul parcuge dup cum urmeaz. Aa cum atomi de metal sunt pulverizai n plasm inductiv-cuplat, de nalt densitate de gaz inert, unii dintre aceti atomi de metal transfer energia lor cinetic ctre gazele de fundal. Rezultatul de nclzire a gazului (ntr-o camer deschis) este c densitatea de gaz scade uor. Este aproape ca i cum atomii de metal suplimentari conduce la o scdere de presiune de funcionare, care, conform datelor din figura 15.18, rezultat ntr-un proces de ionizare mai puin eficient.

Figure 15.19

4.11 Comparaie cu alte metode de depunere

O geometrie tipic-inel de int prin pulverizare catodic, (n figura 15.20 este ilustrat din materialul aur ca catod fabricate care urmeaz s fie depozitat), anod contra-electrod i un inel exterior menit de a preveni pulverizare lateral i care deine int.
FIGURE 15.20 A typical ring-geometry sputter target, here gold showing the cathode made of the material to be deposited, the anode counter-electrode and an outer ring meant to prevent sputtering of the hearth that holds the target

Avantaje pulverizare:
Un avantaj important al depunerii prin pulverizare catodic este c, chiar i materialele cu cel mai nalt punct de topire sunt usor de pulverizate n timp ce evaporare a acestor materiale ntr-un evaporator rezisten sau de celule Knudsen este problematic sau imposibil. Prin pulverizare catodic filme depuse au o compoziie aproape de cea a materialului surs. Diferena se datoreaz unor elemente diferite ce se raspandesc diferit din cauza masei lor diferite (elemente uoare sunt mai uor deviat de gaz), dar aceast diferen este constant. Filme pulverizate de obicei au o aderenta mai buna pe substrat dect filmele evaporate. O int conine o cantitate mare de material i este ntreinut liber de luare a tehnicii potrivite pentru aplicaii de vid ultranalt. Surse de pulverizare nu conin piese fierbini (pentru a evita nclzirea acestea sunt de obicei rcire cu ap) i sunt compatibile cu gaze reactive, cum ar fi de oxigen. Pulverizri pot fi efectuate de sus n jos n timp ce evaporare trebuie s fie efectuate de jos n sus. Procese avansate cum ar fi creterea epitaxial sunt posibile. Dezavantaje: Este mult mai dificil de a combina cu un procesul de structurare a filmului lift-off. De asemenea, control activ pentru strat-by-strat de cretere este dificil n comparaie cu depunerea Impuls de laser i Gaze inerte pulverizare sunt implementate n filmul n cretere sub form de impuriti.

http://www.syngraphics.com/whatsnew_PVD.html http://www.heraeus-targets.com/en/technology/_sputteringbasics/sputtering.aspx

4.12 Depunerea cu arc catodic

Generaliti Depunerea cu arc catodic sau Arc-PVD este o tehnica de depunere fizic n vapori n care un arc electric este folosit pentru a vaporiza materiale de la o int-catod. Materialul vaporizat apoi se condenseaz pe un suport, formeaz o pelicul subire. Tehnic poate fi folosit pentru a depune filme metalice, ceramice, i compozit.

4.12.1 Istorie
Utilizarea Industrial de tehnologii moderne de depunerea cu arc catodic are originea n Uniunea Sovietic n jurul 1960-1970. Pn la sfritul anilor '70 guvernul sovietic a lansat utilizarea acestei tehnologii la Vest. Printre multe modele n URSS, la acel moment proiectul lui L.P. Sablev, et al., a permis s fie utilizate n afara URSS.

4.12.2 Procesul
Procesul de evaporare cu arc incepe cu izbire unui arc electric de mare curent, de joas tensiune cu suprafaa unui catod (cunoscut sub numele de int) care d natere la o mic (de obicei civa micrometri lime), zon energic foarte emitoare cunoscut ca pictur de catod.

Temperatura localizat la pictur de catod este extrem de mare (n jur de 15000 C), ceea ce duce la o vitez mare (10 km / s) cu fascicol de material catod vapouri zat, lsnd n urm un crater pe suprafaa catodului. Pictura de catod este activ doar pentru o scurt perioad de timp, atunci aceasta se stinge i re-aprinde ntr-o zon aproape de craterul precedent. Acest comportament determin micarea aparent a arcului. Dup cum arcul este n principiu, un conductor de curent care poate fi influenat de aplicarea unui cmp electromagnetic, care, n practic este folosit pentru a muta rapid arcul pe ntreaga suprafa a intei, astfel nct suprafaa total se erodeaz n timp. Arcul are o densitate extrem de mare de putere care rezult ntr-un nivel ridicat de ionizare (30-100%), multiplic ioni incrcai, particule neutre, clustere i macroparticule (picaturi). n cazul n care un gaz reactiv este introdus n timpul procesului de evaporare, disociere, ionizare i excitare pot s apar n timpul interaciune cu fluxul de ioni si un film compus va fi depus.

Dezavantaje:
Un dezavantaj al procesului de evaporare cu arc este c, dac o pictur de catod st la un punct de evaporare pentru prea mult timp se poate scoate o cantitate mare de macro-particule sau picaturi. Aceste macroparticule sunt n detrimentul performanei a stratului de depunere n care sunt aderate slab i se pot extinde pe parcursul acoperirii. Mai ru, chiar dac materialul catodului int are un punct de topire sczut, cum ar fi de aluminiu, pictura de catod poate evapora prin int rezultnd fie n evaporarea materialului de sprijin a intei sau n ptrunderea apei de rcire n camer. Prin urmare, cmpuri magnetice dup cum sa menionat anterior, sunt utilizate pentru a controla micare a arcului. Soluii depire n cazul n care catozi cilindrici sunt utilizai, catozii pot fi, de asemenea, rotii n timpul de depunere. Pentru a nu permite picturei de catod de a se menine ntr-o singur poziie obiectivele de prea mult timp catod de aluminiu pot fi utilizate i numrul de picturi este redus. Unele companii, de asemenea, utilizarea filtrate arce care utilizeaz cmpuri magnetice pentru a separa picturile de la fluxul de acoperire.

4.12.3 Proiectare echipament

Tipul Sablev de pulverizare catodica cu surs de arc cu magnet pentru dirijarea cu Surs de arc catodica de tipul Sablev, care este

circulaia a spotului arcului electric

cel mai utilizat pe scar larg n occident, const ntr-o int de form cilindric scurt de conductor ca catod, cu un capt deschis. Aceast int are un inel float electric metalic care nconjoar inta de lucru ca un inel de mrginire de arc. Anod de sistem poate fi fie peretele camerei de vid sau un anod discrete. Arcul este generat de declanare mecanice (sau de aprindere) frapant la captul deschis al int a unui scurt circuit temporar ntre catod si anod. Dupa ce spoturile cu arc fiind generate de acestea pot fi condus de cmp magnetic sau muta la ntmplare, n absena cmpului magnetic. Fascicul de plasma din sursa arc catodica conine unele grupuri mai mari de atomi sau molecule (aa-numite macro-particule), care l mpiedic s fie util pentru anumite aplicaii, fr un fel de filtrare. Exist mai multe modele pentru macro-filtre de particule, precum i designul cel mai studiat care se bazeaz pe activitatea Aksenov II, et al. n 70's.

 Acesta const dintr-un sfert de tur de

Exist, de asemenea, alte modele interesante, cum ar fi un design care ncorporeaz un filtru de canal drept cu forma de catod ca trunchi de con, relatat de ctre DA Karpov n anii 90. Acest design a devenit destul de popular n depunerea de pelicule subiri pentru cercettori att din Rusia ct i din rile fostei URSS, pn acum. Surs de arc catodica se poate fi fabricat n forma tubulare lung (Extended-arc) sau de form dreptunghiular lung, dar ambele modele sunt mai puin populare.

Aksenov Quater-torus duct macroparticle filter using plasma optical principles which was developed by A. I. Morozov

conduct la 90 de grade de la sursa de arc i plasm este ghidat prin conducta de ctre principiul de plasm optica.

4.12.4 Aplicaii

Depunerea cu arc catodic este utilizat n mod activ pentru a sintetiza film extrem de petrnic pentru a proteja suprafaa de instrumente de tiere i a extinde durata de via a acestora n mod semnificativ. O mare varietate de film subire puternice, acoperiri Superhard i acoperiri nanocompozite pot fi sintetizate de aceast tehnologie, inclusiv TiN, TiAlN, CRN, ZrN, AlCrTiN i TiAlSiN. Aceasta este, de asemenea, destul de folositor pe scar larg n special pentru depunerile de ioni de carbon pentru a crea filme de carbon de tipul diamant. Pentru ca ionii sunt extrai de la suprafata ballistically, aseste tehnici sunt comune pentru nu numai pentru atomi unici, ci grupuri mai mari de atomi de a fi scoi. Astfel, acest tip de sistem necesit un filtru pentru a elimina grupurile atom din fascicul nainte de depunere. Filmul DLC de la filtrate-arc conine procent extrem de mare de sp3 de diamant, care este cunoscut sub numele de carbon tetrahedral amorf, sau ta-C. Arcul catodic filtrat poate fi folosit ca surs de ioni / plasm de metal pentru implantare ionic i Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition (PIII&D)

4.13 Pulsed laser deposition

Generaliti
Pulsed laser deposition (PLD) este o tehnica depunere de film subire (n mod special un depuneri fizice din vapori, PVD) n cazul n care o mare putere de fascicul laser n impulsuri este axat n interiorul camerei de vid pe o int de materialul care urmeaz s fie depozitat. Materialul este vaporizat de la int (ntr-un penaj de plasm), care l depoziteaz ca pe o pelicul subire pe un substrat (cum ar fi o plachet de siliciu n faa intei). Acest proces poate aprea n vid foarte ridicat sau n prezena unui gaz de fundal, cum ar fi oxigen care este utilizat frecvent n momentul depunerii de oxizi de a oxida pe deplin filmele depuse. n timp ce-setup - ul de baz este simplu n

raport cu multe alte tehnici de depunere, fenomenele fizice de interaciune laser-int i creterea econom de film sunt destul de complexe. Cnd pulsul laser este absorbit de int, energia este convertit n primul rnd n excitaie electronic i apoi n energie termic, chimic i mecanic care rezult n evaporare, ablaie, formarea de plasm i chiar exfolierea [1]. Speciile ejectate se extind n vid in vecinte in forma unui val care conine mai multe particule,

inclusiv atomi, molecule, electroni, ioni, grupuri, particule i globule topite, nainte de depunerea pe substrat de obicei fierbinte.
A plume ejected from a SrRuO3 target during pulsed laser deposition
One possible configuration of a PLD deposition chamber

4.13.1 Procesul

Mecanismele detaliate ale PLD sunt foarte complexe, inclusiv procesul de ablaie a materialului int prin iradiere cu laser, dezvoltarea unui val de plasm, cu ioni de nalt energie, electroni, precum i neutri i creterea cristaline a filmului pe substrat nclzit.

Procesul de PLD, n general, poate fi mprit n patru etape: ablaia materialului int de laser i crearea plasmei dinamica de plasm depunere a materialului ablaie pe substrat nuclearea i creterea filmului pe suprafata substratului Fiecare dintre aceste etape este crucial pentru cristalinitate, omogenitatea i stoichiometrie a filmului rezultat.

4.13.2 Ablaia laser a materialului int i crearea plasmei

ndeprtarea de atomi de material din bulk se face prin vaporizare de bulk la regiune suprafa ntr-o stare de non-echilibru i este cauzat de o explozie Coulomb. n acest incident puls de laser ptrunde n suprafaa materialului n adncimea de penetrare. Aceast dimensiune depinde de lungimea de und laser i indicele de refracie al materialului int la lungimea de und laser aplicat i este de obicei n regiunea de 10 nm, de cele mai multe materiale. Cmp electric puternic generat de lumina laser este suficient de puternic pentru a elimina electronii din material n cea mai mare parte a volumului ptruns. Acest proces are loc n termen de 10 ps de un puls laser ns i este cauzat de procese nonlineare, cum ar fi procese de ionizare multiphoton, care sunt accentuate de fisuri microscopice la suprafata, golurile, i noduli, care mresc cmpul electric. Electroni liberi oscileaz n cmpul electromagnetic al luminii laser si se pot ciocni cu atomi de material n bulk, astfel s transfere o parte din energia lor la reeaua de materialul int n regiunea de suprafa. Suprafaa int este apoi incalzita i n materialul este vaporizat.

4.13.3 Dinamica plasmei

n a doua etap materialul se extinde ntr-o plasm paralel cu vectorul normal din suprafaa int fa de substrat din cauza repulsie Coulomb i de recul de la suprafaa int. Distribuia spaial a valului depinde de presiunea de fond din interiorul camerei de PLD. Densitatea valul poate fi descris printr-o lege cos ^ n (x), cu o form similar cu o curba Gauss.

etap de vid, n cazul n care valul este foarte ngust i forward directed; aproape nici o mprtiere nu are loc cu gazele de fundal. regiunea intermediar, n cazul n care o divizare a ionilor de mare energie din specii mai putin energetice pot fi observate. Datele despre timpul-de-zbor (TOF), pot fi montate pe un model de oc al valurilor; cu toate acestea, alte modele ar putea fi, de asemenea, posibile. regiunea de nalt presiune n cazul n care vom gsi o expansiune de tipul-difuzie a materialului. Desigur acest mprtiere este, de asemenea, depinde de masa de gaz de fond i poate influena stoichiometric la filmul depuse.

Dependena formei valului de presiune poate fi descris n trei etape:

4.13.4 Depunere a materialului pe substrat

Specii de mare energie extrase de la int bombardeaz suprafa substrat i poate duce la deteriorarea suprafeei prin pulverizare atomilor de la suprafa, ci i provocnd formarea defecte n filmul depus. Specii pulverizate de la substrat i particule emise din int formeaz o regiune de coliziune, care servete ca o surs pentru condensare de particule.

4.13.5 Nuclearizarea i creterea filmului de pe suprafata substratului

Procesul de nuclearizare i cinetica de cretere a filmului depind de mai muli parametri de cretere, inclusiv: Parametrii laser - de mai muli factori, cum ar fi fluen laser [Joule/cm2], energie laser, precum i gradul de ionizare a materialului de extragere va afecta calitatea de film, stoichiometria [2], precum i fluxul de depunere. n general, creterea densitatea de nuclearizare este atunci cnd fluxul de depunere crete. Temperatura de Suprafa - temperatura suprafeei are un efect mare densitate nucleare. n general, densitate nucleat scade cnd temperatura crete [3]. Suprafata Substrat - nuclearea i creterea pot fi afectate de pregtirea de suprafa (cum ar fi chimice gravur [4]), precum i rugozitatea substratului. Presiune de Fundal - comune n depunerea de oxid, un fond de oxigen este necesar pentru a se asigura transferul de stoichiometrie de la obiect la film. Dac, de exemplu, fondul de oxigen este prea sczut, filmul va crete stoichiometric, care va afecta densitatea nucleat i calitatea de film [5]. n PLD, n funcie de parametrii de depunerile de mai sus, trei moduri de cretere sunt posibile: cretere flux-de-pas - Toate substraturile au miscut asociate cu cristalul. Aceste miscuts dau natere la pai atomici la suprafa. n pasul de cretere flux -de-pas, atomi se aseaza pe suprafaa i difundeaza la o margine prag nainte ca acestea au o ans de a nuclea o insul de suprafa. Suprafaa n cretere este privit ca pai care cltoresc pe ntreaga suprafa. Acest mod de cretere este obinut prin depunere pe un substrat miscut mare, sau al depunerii la temperaturi ridicate [7]

cretere Strat-de-strat - n acest mod de cretere, insulele nucleate pe suprafaa pn la o densitate de insula critic este atins. Aa cum mai mult material se adaug, insulele continua s creasc pn la insule ncepe s se contopeasca. Aceasta este cunoscut ca coalescent. Odat ce coalescent este atins, suprafaa are o densitate mare de gropi. Cnd materiale suplimentare se adaug la suprafaa atomii difuz n aceste gropi pentru a finaliza stratul. Acest proces se repet pentru fiecare strat ulterior. 3D de cretere - Acest mod este similar cu modul de cretere Strat-de-strat, cu excepia faptului c, o dat o insul se formeaz o insula suplimentare vor nucleate pe partea de sus a primei insule. Prin urmare, creterea nu persist ntr-un mod strat de strat, precum i suprafaa roughens de fiecare dat cnd materialul este adugat.

4.13.5 Aspecte tehnice

Exist mai multe modaliti diferite de a construi o camera de depunere pentru PLD. Materialul-int, care se evapor de laser este n mod normal ca un disc rotativ ataat la un suport. Cu toate acestea, poate fi, de asemenea, sinterizat ntr-o tija cilindric, cu micare de rotaie i o translaie n sus i n jos de circulaie de-a lungul axei sale. Aceast configuraie special permite nu numai de utilizare a un puls sincronizate de gaze reactive, ci i de o bar int multicomponent cu care filmele de multistrat diferite pot fi create.

4.12.6 Avantaje i dezavantaje

Flexible, easy to implement Growth in any environment Exact transfer of complicated materials (YBCO) Variable growth rate Epitaxy at low temperature Resonant interactions possible (i.e., plasmons in metals, absorption peaks in dielectrics and semiconductors) Atoms arrive in bunches, allowing for much more controlled deposition Greater control of growth (e.g., by varying laser parameters) Uneven coverage High defect or particulate concentration Not well suited for large-scale film growth Mechanisms and dependence on parameters not well understood

4.12.7 PLD cu impuls ultrascurt

4.12.8 Optimizarea PLD
PLD technique is one of the most popular and effective techniques used in the present days for the deposition of thin films. In this technique, a pulsed laser is directed on a solid target. The nanosecond laser pulse is focused to give an energy density sufficient to vaporize a few hundredm angstroms of surface material in the form of neutral or ionic atoms and molecules with kinetic energies of a few eV, which then get deposited onto the substrate. The plasma temperature is high (~ 103 K) and the evaporants become more energetic when they pass through the plume.This affects the film deposition in a positive manner due to increase in the adatom surface mobility. Use of short pulses helps to maintain high laser power density in a small area of the target and produces congruent evaporation. Deposition parameters: substrate temperature, laser fluence, pulse repetition rate, and target substrate distance.

4.13 Glancing Angle Deposition (GLAD)

GLAD is based on thin film deposition, by evaporation or sputtering, and employs oblique angle deposition flux and substrate motion to allow nanometer scale control of structure in engineered materials. GLAD is based on thin film deposition, by evaporation or sputtering, and employs oblique angle deposition flux and substrate motion to allow nanometer scale control of structure in engineered materials.