Abstrac In this paper is presented two types of FET

transistors: CMOS and VMOS. Also, its presented the key features
structure and the characteristic curve of each one.

Resumen En este documento presentamos dos tipos de
transistores FET: CMOS y VMOS. Adems, se present las
principales caractersticas, estructura y curva caracterstica de
cada uno de estos transistores.

I. OBJETIVOS
.1. Objetivo general:
o Conocer los diferentes tipos de transistores de
efecto de campo.
.2. Objetivos especficos:
o Conocer las principales caractersticas y
configuraciones de los transistores CMOS y
VMOS.
o Identificar los componentes de cada transistor
y su utilidad en el campo aplicado.

II. MARCO TERICO
A. Transistores de efecto de campo (FET)
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de
tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones que
coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT.
Las diferencias principales entre los dos tipos de transistor
radican en el hecho de que: El transistor BJT es un dispositivo
controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje [1], tal como se indica en la
figura 1.

Figura 1. Amplificadores (a) controlado por corriente,
(b)controlado por voltaje.



Como se indica en la figura (1b), la corriente ID ser una
funcin del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada del
transistor. [1]
El FET es un dispositivo unipolar que depende no slo tanto
de la conduccin de electrones (canal n) como de la
conduccin de huecos (canal p). [1]


PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE UN FET:
Se rescatan como las principales caractersticas de un FET, las
siguientes:
o Posee una alta impedancia de entrada.
o Las ganancias de voltaje de ca tpicas para amplificadores
de BJT son mucho mayores que para los FET.
o Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y
en general ms pequeos, lo que los hace
particularmente tiles en chips de circuitos integrados.
o Los principales tipos son: JFET, MOSFET y MESFET.
[1]

B. Transistores MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor
o MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en
la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos
basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de
un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin
en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin
de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que
tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento
hace referencia al incremento de la conductividad elctrica
debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en
la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse
con un incremento en la concentracin de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS).
De este modo un transistor NMOS se construye con un
sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un
canal de tipo p. [2]
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal
conductor en su estado de reposo, que se debe hacer
Gabriela Carrin Vivar
gcarrionv@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana Sede Cuenca
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CMOS Y VMOS
desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la
compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de
portadores de carga y una disminucin respectiva de la
conductividad. [2] en las figuras 2 y 3 se presenta la
diferencia entre el MOSFET tipo empobrecimiento y el tipo
enriquecimiento respectivamente.


Figura 2. MOSFET tipo empobrecimiento de canal n


Figura 3. MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

III. DESARROLLO
A. Transistores de efecto de campo VMOS o de potencia
Una de las desventajas del MOSFET tpico son los niveles
de manejo de potencia reducidos (en general, menores que 1
W). Esta deficiencia para un dispositivo con tantas
caractersticas positivas se puede mitigar si se cambia el modo
de construccin de uno de naturaleza plana como el de la
figura 2 a uno con estructura vertical como se muestra en la
figura 4. Todos los elementos del MOSFET plano estn
presentes en el FET de silicio de xido metlico vertical
(VMOS): La conexin superficial metlica con las terminales
del dispositivo, la capa de SiO2 entre la compuerta y la regin
tipo p entre el drenaje y la fuente para que crezca el canal n
inducido (operacin del modo de enriquecimiento). El trmino
vertical se debe sobre todo a que ahora el canal se form en la
direccin vertical en vez de la horizontal como en el caso del
dispositivo plano. La construccin de la figura 4 es un tanto
sencilla porque no incluye algunos de los niveles de transicin
de dopado, pero s permite describir las facetas ms
importantes de su operacin. [1]


Figura 4. Construccin de un VMOS
FUNCIONAMIENTO DEL VMOS:
La aplicacin de un voltaje positivo al drenaje y de uno
negativo a la fuente con la compuerta a 0 V o a algn nivel de
encendido positivo tpico como se muestra en la figura 4 da
como resultado el canal n inducido en la regin tipo p estrecha
del dispositivo. La altura vertical de la regin p ahora define la
longitud del canal, la cual se puede hacer significativamente
menor que la de un canal utilizando una construccin planar.
Sobre un plano horizontal la longitud del canal se limita a un
valor de 1 m a 2 m. Las capas de difusin se pueden
controlar a pequeas fracciones de un micrmetro. Como las
longitudes decrecientes del canal reducen los niveles de
resistencia, el nivel de disipacin de potencia del dispositivo a
niveles de corriente de operacin se reducir. Adems, el
modo de construccin vertical reduce en gran medida el rea
de contacto entre el canal y la regin tipo n
+
, lo que contribuye
a una reduccin adicional del nivel de resistencia y al
incremento del rea para el flujo de corriente entre las capas
de dopado. Tambin estn las dos trayectorias de conduccin
entre el drenaje y la fuente, que contribuyen an ms a la
elevacin del valor de la corriente. El resultado neto es un
dispositivo con corrientes de drenaje capaces de alcanzar
niveles de amperios con niveles de potencia de ms de 10 W.

CARACTERSTICAS:
Comparados con los MOSFET planos comercialmente
disponibles, los VMOS FET tienen niveles de resistencia de
canal reducidos y valores de potencia y corriente ms altos.
Una importante caracterstica adicional de la construccin
vertical es:
Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura positivo,
el cual combate la posibilidad de desbordamiento trmico.
Si la temperatura de un dispositivo se debe incrementar
debido el medio circundante o a las corrientes del dispositivo,
los niveles de resistencia se incrementarn causando una
reduccin en la corriente de drenaje en lugar de un aumento
como sucede para un dispositivo convencional.
Los coeficientes negativos de temperatura reducen los
niveles de resistencia con incrementos de la temperatura, los
cuales alimentan los niveles de corrientes crecientes y el
resultado es una mayor inestabilidad de la temperatura y un
desbordamiento trmico.
Otra caracterstica positiva de la configuracin VMOS es:
Los niveles almacenados de carga reducidos aceleran los
tiempos de conmutacin para la construccin de VMOS,
comparados con los de la construccin plana convencional.
Los dispositivos VMOS en general tienen tiempos de
conmutacin de menos de la mitad de los del transistor BJT
tpico. [1]

CURVAS CARACTERSTICAS DEL VMOS:
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para
que comience a haber conduccin entre drenador y fuente. Los
fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25mA, o
1mA. Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-
4V, [3] esto se explica en las figuras 5 y 6.
Como se indica en la figura 7, la tensin de umbral vara con
la temperatura.


Figura 5. Caractersticas de transferencia.
ID = F(VGS)


Figura 6. Corriente subumbral de drenaje.
ID = F(VGS); condiciones: Tj= 25C, VDS=VGS


Figura 7. Voltaje subumbral de puerta
VGS(TO) = F(Tj), ID = 1mA, VDS=VGS

B. Transistores de efecto de campo CMOS

Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS
(semiconductor complementario de xido metlico) es una de
las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos
integrados debido a la relativamente alta impedancia de
entrada, las rpidas velocidades de conmutacin y los bajos
niveles de potencia de operacin de la configuracin.

ESTRUCTURA DEL CMOS:

Figura 8. Configuracion del CMOS FET

Un CMOS FET consiste en la utilizacin conjunta de
transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal
forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es
nicamente el debido a las corrientes parsitas.
El canal p es inducido a la izquierda y el canal n es inducido
a la derecha para los dispositivos de canal p y n,
respectivamente.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que
se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye
microprocesadores, memorias, procesadores digitales de
seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales
cuyo consumo es considerablemente bajo.

CARACTERSTICAS DEL CMOS:

1. Voltaje de alimentacin
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD, que
van de 3 a 15 V. Las series 74HC y 74RCT funcionan con un
menor margen de 2 a 6 V.

2. Niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan slo entradas CMOS,
los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a
0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. Esto es el
resultado directo de la alta resistencia de entrada de los
dispositivos CMOS, que extrae muy poca corriente de la salida
a la que est conectada.

3. Inmunidad al ruido
Los circuitos lgicos deben tener cierta inmunidad al ruido
la cual es definida como la capacidad para tolerar
fluctuaciones en la tensin no deseadas en sus entradas sin que
cambie el estado de salida.
En la Figura 13, tenemos los valores crticos de las
tensiones de entrada y salida de una puerta lgica y los
mrgenes de ruido a nivel alto y bajo.


Figura 13. Mrgenes de ruido

En VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V. Estos
mrgenes, pueden mejorarse utilizando un valor mayor de
VDD a expensas de un mayor consumo de potencia debido al
mayor voltaje de alimentacin. [4]


APLICACIONES DEL CMOS:

1. Circuito inversor
Un uso muy efectivo de la configuracin complementaria es
un inversor, como se muestra en la figura 9.

Figura 9. CMOS inversor

Ambas compuertas estn conectadas a la seal aplicada y las
dos drenan hacia la salida VO. La fuente del MOSFET de canal
p (Q2) est conectada directamente al voltaje aplicado VSS,
mientras que la fuente del MOSFET de canal n (Q1) est
conectada a tierra. Para los niveles lgicos (0-1), la aplicacin
de 5 V a la entrada deber producir casi 0 V a la salida. Con
Vi de 5 V (con respecto a tierra), VGS1=Vi y Q1 est
encendido, y el resultado es una resistencia relativamente
baja entre el drenaje y la fuente como se muestra en la figura
10. Como Vi y VSS estn a 5 V, VGS2=0 V, lo cual es menor
que el VT requerido para el dispositivo y el resultado es un
estado apagado. El nivel de resistencia resultante entre el
drenaje y la fuente es bastante alto para Q2, como se muestra
en la figura 10. Una aplicacin simple de la regla del divisor
de voltaje revelar que V0 es de casi 0 V, o estado 0, y de ese
modo se establece el proceso de inversin deseado. Con un
voltaje aplicado Vi de 0 V (estado 0), VGS1=0V y Q1 se
apagar con VSS2=-5 V y el MOSFET de canal ps e
enciende. El resultado es que Q2 presentar un pequeo nivel
de resistencia, Q1 una alta resistencia, y V0=VSS=5 V (el
estado 1).

Figura 10. Niveles de resistencia negativa con Vi=5V
(estado 1)

Como la corriente de drenaje que fluye en uno u otro caso
se ve limitada por el transistor apagado al valor de fuga, la
potencia disipada por el dispositivo en uno u otro estado es
muy baja.
A ms de la configuracin del CMOS para inversores, se
pueden realizar arreglos para generar compuertas lgicas tales
como: NAND, NOR y AND.

Figura 11. Compuerta NAND CMOS

Figura 12. Compuerta NOR CMOS

2. El CMOS es regenerativo:
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos
CMOS es que son regenerativos: una seal degradada que
acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor
lgico inicial 0 o 1, siempre y cuando an est dentro de los
mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

CURVA CARACTERSTICA DEL CMOS:
Para la configuracion inversora del CMOS, se obtienen las
siguientes curvas caractersticas tanto para la relacin de
voltaje como la de corriente.

Figura 14. Funcin de transferencia V0-Vi

Figura 15. Consumo de intensidad de Icc del inversor.

IV. CONCLUSIONES
Mediante la realizacin de este trabajo investigativo se ha
llegado a las siguientes conclusiones:

o Los transistores FET realizan la funcin de control de la
corriente, comn a todos los transistores por ser
caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en
uno de sus terminales. Estn construidos con una zona
semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres
terminales.

o El comportamiento de los transistores de efecto de campo
se caracteriza por sus curvas caractersticas.
o ltimamente, ha aparecido en el mercado una nueva
tecnologa de fabricacin de transistores MOS, los
VMOS a causa de la estructura geomtrica de sus
diferentes regiones semiconductoras.
o El transistor VMOS permite trabajar con altos niveles de
potencia y corriente, mientras el CMOS permite
realizar aplicaciones de precisin con bajos niveles de
corriente siendo adecuado para la fabricacin de
circuitos lgicos integrados.

V. BIBLIOGRAFA
[1] R. Boylestad, Transistores de efecto de campo, de
Teora de circuitos y dispositivos elctricos, Pearson
Education , 2009.
[2] WIKIPEDIA, [En lnea]. Available:
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET. [
ltimo acceso: 22 Enero 2014].
[3] [En lnea]. Available:
www.unioviedo.es/sebas/S_E_Alimentacion/Leccion_
5_MOSFET.ppt. [ltimo acceso: 22 Enero 2014].
[4] [En lnea]. Available:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso04-
05/ftc/pdf/trab_familia_cmos.pdf.
[ltimo acceso: 22 Enero 2014].
[5] [En lnea]. Available:
http://diec.unizar.es/~tpollan/libro/Apuntes/digT7.pdf.
[ltimo acceso: 22 Enero 2014].