Memrias Semicondutoras 28

Captulo I - Memrias Semicondutoras

1.1. INTRODUO
A funo de uma memria, de maneira geral, armazenar informaes (palavras, nmeros, figuras,
textos, etc! "al dispositivo pode ser semicondutor (#A$, #%$!, magntico (dis&uete, fita magntica! ou tico
('()#%$!
*os e&uipamentos digitais esta informao sempre armazenada na forma de +A,A-#A (./."A,, ou
se0a, um determinado nmero 1in2rio
3ma o1servao importante &ue a palavra digital armazenada pode significar um nmero positivo,
nmero negativo, uma letra, um s4m1olo, etc +or exemplo, dependendo da aplicao, o nmero 1in2rio 5556
5655 pode ser interpretado como7
289 decimal (converso direta de 1in2rio para decimal!:
)25 decimal (representao de nmeros negativos em complemento 2!:
(ta1ela de caracteres A;'.. (American ;tandard 'ode for .nformation .nterc<ange! da .=$
*este curso iremos estudar somente as memrias semicondutoras
1.!.C"R"CT#R$STIC"S %#R"IS
Alguns dos par>metros &ue primordialmente descrevem uma memria semicondutora podem ser7
5 'apacidade 7 n
o
de 1its?2rea f4sica:
2 "aman<o da palavra digital 7 *mero de 1its de cada unidade de informao armazenada
8 "empo de acesso 7 "empo para a memria apresentar dados v2lidos aps ser endereada e selecionada
@ "empo de escrita ? leitura 7 "empo necess2rio para efetuar uma escrita ? leitura em memria
9 'usto 7 preo?n
o
de 1its
O&S' As memrias so descritas da forma7
An
o
de palavras digitaisBCAtaman<o da palavra digitalB
Dx7 562@ C 8 E 562@ palavras de 8 1its
1.!.1. NOM#NC("TUR"S USU"IS
*i11le E palavra ou dado de @ 1its:
=Fte E palavra ou dado de 8 1its:
Gord E palavra ou dado de 5H 1its:
(ou1le)Iord E palavra ou dado de 82 1its:
5 Jilo1Fte E con0unto de 2
56
E562@ 1Ftes:
2 Jilo1Ftes E con0unto de 2
55
E 26@8 1Ftes:
@ Jilo1Ftes E con0unto de 2
52
E @6KH 1Ftes:
8 Jilo1Ftes E con0unto de 2
58
E 85K2 1Ftes:
5H Jilo1Ftes E con0unto de 2
5@
E 5H88@ 1Ftes:
82 Jilo1Ftes E con0unto de 2
59
E 82LH8 1Ftes:
Memrias Semicondutoras 2K
H@ Jilo1Ftes E con0unto de 2
5H
E H998H 1Ftes:
528 Jilo1Ftes E con0unto de 2
5L
E 5856L8 1Ftes:
29H Jilo1Ftes E con0unto de 2
58
E 2H25@@ 1Ftes:
952 Jilo1Ftes E con0unto de 2
5K
E 92@288 1Ftes:
5 $ega1Fte E con0unto de 2
26
E56@89LH 1Ftes:
1.). C("SSI*IC"O
+uanto , -orma de acesso
Seqenciais - para se c<egar a um certo endereo preciso passar por todas as localidades
intermedi2rias Dx7 fita magntica (&ue no memria semicondutora!, M.,%, M.M%
Aleatrias . encontra)se a &ual&uer endereo imediatamente
+uanto , tecnolo/ia
MOS . /ates $%; para implementar os flip)flops de armazenamento
Bipolar . /ates "", para implementar os flip)flops de armazenamento
Tecnolo/ia $%; =ipolar
0elocidade ,enta #2pida
Inte/ra12o /rande +e&uena
Custo .nferior ;uperior
#3emplo .ntel 255@ (;#A$ N 5J=! L@;@66 (;#A$ N @J=!
+uanto , 4olatilidade
Volteis - +erdem suas informaes com o corte da alimentao
Dx7 #A$ ($emria de ,eitura e Dscrita!
No volteis - $esmo sem alimentao mantOm seus dados
Dx7 #%$ (#ead %nlF $emorF!
1.5. DI"%R"M" %#R"( D# UM" M#M6RI"
Apesar das diferenas existentes entre os v2rios tipos de memrias, os princ4pios 12sicos de operao
permanecem os mesmos para todos estes sistemas *o entanto, cada sistema re&uer um con0unto de tipos
diferentes de lin<as de entrada e sa4da para realizar as seguintes funes7
;eleo de endereo:
;eleo de operao:
#ecepo, fornecimento e manuteno dos dados de D?;:
Pa1ilitao da memria
Memrias Semicondutoras 86
A figura a1aixo ilustra estas funes 12sicas para uma memria de leitura e escrita tipo 82 x @
1.7. TI8OS D# M#M6RI"S S#MICONDUTOR"S
1.7.1. Memrias s de leitura - ROM 9Read Onl: Memor:;
;o memrias no vol2teis
As memrias #%$ classificam)se &uanto ao modo de gravao de seus dados7
#%$:
+#%$:
D+#%$:
DD+#%$ ou D
2
+#%$:
M,A;P:
ROM (Mscara)
%s dados so gravados durante o processo de fa1ricao Alm de no poder ser apagada e
reprogramada, devido ao alto custo da m2scara, s vi2vel se produzida em grande &uantidade
PROM (Programmable Read Only Memory ROM Programvel)
*este tipo de memria, inicialmente todos os 1its so iguais a 5 e o usu2rio, com um gravador de
+#%$, Q&ueimaR os 5Ss, deixando zeros lgicos 3ma informao importante &ue, feita a gravao esta no
pode mais ser desfeita
Algumas +#%$Ss populares so listadas na ta1ela a seguir
*a<ricante 'Fpress ;ignetics ;ignetics ;ignetics
Tecnolo/ia '$%; "", "", "",
Modelo L'229 82P;58L 82;5K5 82P;825
Tempo "cesso @6 ns @9 N 99ns 89 ns @9 ns
Capacidade 952 C 8 562@ C 8 26@8 C 8 @6KH C 8
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory ROM Programvel Apagvel)
A6 (6
A5 (5
A2 (2
A8 (8
'D
GD
%D
,in<as
de
(ados
,in<as
de
Dndereos
Pa1ilitao de '<ip
Pa1ilitao de Dscrita
Pa1ilitao de ,eitura
6666
6665
6656
6655
6566
6565

5565
5556
5555
6 5 6 6
5 6 6 5
5 5 5 6
5 6 6 5
5 5 5 5
6 6 5 6
. . . .
6 5 5 5
5 6 6 6
5 6 5 6
Dados #ndere1os
'lulas de
$emria
Memrias Semicondutoras 85
"em programao semel<ante T +#%$ e seus dados podem ser apagados para uma nova gravao U
programada escrevendo)se os dados atravs de pulsos com determinada amplitude e tempo % apagamento dos
dados feito atravs da exposio do c<ip a luz ultravioleta *este dispositivo, o elemento da grade um
transistor +$%; com gate flutuante Vuando a tenso -ds elevada, uma carga negativa deixada no gate
flutuante e, assim, o +$%; conduz Vuando a luz ultravioleta aplicada ao gate, a carga negativa dissipada
A figura a1aixo descreve a pinagem de uma D+#%$ 2L82 o encapsulamento t4pico desta memria,
mostrando a 0anela para rece1er a radiao ultravioleta
Algumas D+#%$Ss populares so listadas na ta1ela a seguir
*a<ricante .ntel .ntel .ntel "exas PFundai "exas -,;.
Tecnolo/ia *$%; *$%; *$%; *$%; '$%; '$%; '$%;
Modelo 5L62A 2L68 2L5H "$;2L82 PW2L'H@ 2L'528 2L'29H
0. 8ro/ram. )@6 - 2H - 29 - 29 - 52,9 - 52,9 - 52,9 -
T. "cesso 5 ms @96 ns 896 ns 5L6)@96 ns 596)866 ns 596)@96 ns 5L6)@96 ns
Capacidade 29H C 8 562@ C 8 26@8 C 8 @6KH C 8 85K2 C 8 5H88@ C 8 82LH8 C 8
E

PROM (Eletrically Erasable Programmable Read!Only Memory PROM Apagvel Eletricamente)

(esenvolvidas no in4cio dos anos 86, so memrias onde tanto a gravao &uanto o apagamento so
feitos por sinais eltricos
+ossui trOs grandes vantagens em relao a D+#%$, se0am elas7
*o necessita ser retirada do circuito para ser apagada:
+ode)se apagar somente os 1Ftes &ue forem necess2rios, no a memria toda como no caso da
D+#%$:
% tempo de apagamento total da memria muito menor &ue o da D+#%$ (na ordem de 56 ms
contra 86 minutos!
Memrias Semicondutoras 82
"#AS$
$uito semel<antes Ts D
2
+#%$Ss, porm possuem tenso de programao diferenciada
A ta1ela a1aixo relaciona algumas das memrias D
2
+#%$Ss e M,A;P mais populares e seus
par>metros comparativos
*a<ricante ;ee& .ntel Dxar A$( A$(
Tecnolo/ia '$%; '$%; '$%; Mlas< Mlas<
Modelo 285HA 28H@ 2K'952 2KM29H 28M29H
0. 8ro/rama12o @,9 a 9,9 - @,9 a 9,9 - @,9 a 9,9 - 9 - 52 -
T. "cesso 266 ns 266N296 ns 596 ns
Capacidade 26@8 C 8 85K2 C 8 H998H C 8 82LH8 C 8 82LH8 C 8
1.7.!. Memrias de #scrita e (eitura - R"M
;o memrias &ue podem admitem tanto a operao de leitura &uanto escrita, e normalmente so do
tipo vol2teis, ou se0a, as informaes armazenadas so perdidas &uando a energia do sistema for interrompida
por &ual&uer motivo 'lassificam)se em7
#A$ Dst2tica N ;#A$ (;tatic #A$!
#A$ (in>mica N (#A$ ((Fnamic #A$!
*-#A$ (#A$ *o -ol2til!
RAM Esttica:
'ada 1it corresponde a um flip)flop '<ama)se Xest2ticaS pois, com o e&uipamento em operao, o dado
uma vez guardado no precisa ser atualizado A figura da pagina a seguir ilustra uma memria ;#A$ de 8Y x 8
RAM Dinmica'
Modo
=# CS CS
2
OE
8inos de #>S
Memrias Semicondutoras 88
'ada 1it corresponde a uma clula capacitiva '<ama)se Xdin>micaS pois de tempos em tempos a informao
precisa ser atualizada (e modo a reduzir o nmero de pinos e o custo, as (#A$Ss multiplexam os endereos
em 2 metades A primeira metade c<amada de endereo de lin<a, en&uanto a outra denominada de endereo
de coluna
$esmo com o e&uipamento ligado o capacitor de cada clula tende a se descarregar, por isso, a
necessidade de refres<ing peridico, ou se0a, a recarga dos capacitores, implicando no uso de circuitos externos
espec4ficos (urante o refres<ing feita uma operao de leitura onde o dado reescrito A cada 2 a @ ms tal
operao necess2ria e neste per4odo no se tem acesso ao dado para &ual&uer outra operao (leitura ou escrita!
&ue no se0a o refres<ing *o entanto a indisponi1ilidade do dado nestes instantes no nen<um pro1lema srio,
pois o intervalo de refrescamento do c<ip tipicamente menor &ue 2Z do tempo entre refrescamentos Dm
outras palavras, a memria do c<ip permanece dispon4vel K8Z do tempo
Apesar da necessidade de refrescamento, a grande vantagem das memrias din>micas so1re as est2ticas
permitir uma grande densidade de clulas de memria na fa1ricao dos c<ips (&uatro vezes maior &ue as
est2ticas! 3m exemplo da operao de refres< atravs da utilizao do sinal #A; ilustrado na figura a1aixo
Ciclos de escrita>leitura
Decodificador 1 de 128
Decod
ificad
or 1
de 128
(in?a @ (in?a 1 (in?a !
L. 127
Memrias Semicondutoras 8@
;e referem aos QinstantesR em &ue os sinais devem ser aplicados nos pinos da(s! memria(s! para &ue se
possa ler ou escrever um dado
$uitos fa1ricantes de memrias din>micas desenvolveram '.Ss especiais para tratar do refres< e da
multiplexao dos endereos, am1os necess2rios para o 1om funcionamento de um sistema de memria (#A$
"ais '.Ss so denominados controladores de #A$ din>mica
% '. 82@2 da .ntel foi pro0etado para ser usado com (#A$Ss de 5HY
Dado
vlido
Dado vlido
Memrias Semicondutoras 89
1.A. "SSOCI"O D# M#M6RI"S
1.A.1. "ssocia12o para aumentar o taman?o da pala4ra di/ital
Dxemplo de uma memria #A$ de 5H x 8 composta pela associao de duas memrias #A$ de 5H x @
A
3
A
2
A
1
A
0 __
R/W
CS
I/O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
RAM-0
16 x 4
A
3
A
2
A
1
A
0 __
R/W
CS
I/O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
RAM-1
16 x 4
Contador
de 7 bits
14!
7!
Memrias Semicondutoras 8H
1.A.!. "ssocia12o para aumentar a capacidade de armaBenamento de dados
Dxemplo de uma memria #A$ de 82 x @ composta pela associao de duas memrias #A$ de 5H x @
A
3
A
2
A
1
A
0

"#O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
RAM-0
16 x 4
A
3
A
2
A
1
A
0

"#O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
RAM-1
16 x 4
(32 palavras ! 00000 a 11111