Semicondutores, Isolantes e Metais;

Bandas de Energia
e
Distribuies de Portadores
Prof. Jos Alexandre Diniz
FEEC
diniz@led.unicamp.br
Bibliografia:
W. D. Callister, Cincia e Engenharia de Materiais:
Uma Introduo, 5
a
ed., LTC, 2002.
L. Solymar e D. Walsh, Lectures on the Electrical
Properties of Materials, Oxford U. Press, 1988.
R. E. Hummel, Electronic Properties of Materials,
Springer-Verlag, 1985.
Para consulta e estudo mais aprofundado:
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7
a

ed., John Wiley & Sons, 1996.
Sumrio:
Introduo
Estrutura dos Materiais
Bandas de Energia dos Materiais e
Densidade de Estados.
Funes de probabilidades de ocupao.
Distribuies de portadores.
1. Introduo
Materiais quanto
condutividade eltrica:
Metais (condutores)
Semicondutores
Isolantes
Faixa de condutividade:
10
-18
O
-1
m
-1
(quartzo,
poliestireno) a 10
8
O
-1
m
-1

(prata, cobre).
Por que a condutividade varia com os materiais?

Exemplos de aplicaes:
Condutores: transmisso de energia, instalao predial,
motores, transformadores, polarizao de circuitos,
transmisso de sinais (dentro de um circuito, entre
circuitos e sistemas, longas distncias, etc).
Isolantes: isolao entre condutores, capacitores, fibras
pticas, proteo de superfcies de dispositivos,
mostradores tipo cristal lquido, etc
Semicondutores: dispositivos eletrnicos,
optoeletrnicos, sensores e atuadores, sistema xerox,
etc.
2. Estrutura dos Materiais
Monocristalina, policristalina e amorfa:
Qual a Estrutura dos
Semicondutores, Isolantes e Metais?
Pode ser monocristalina, policristalina ou amorfa.

Mais comum:
Semicondutores para dispositivos monocristalinos.
Isolantes amorfos
Metais policristalinos.
Exemplos:
Dieltrico de Porta de HfO
2
de
Transistor MOS Vertical
c-Si
channel
source
drain
PSG
gate gate
PSG
HfO
2

poly-Si gate
nitride
nitride
c-Si
channel
HfO
2

50 nm
Mecnica Quntica
Eltron tem comportamento de partcula
e/ou de onda, dependendo do caso.
Soluo da equao de Schrdinger resulta
em estados qunticos para os eltrons:
discretos em tomos isolados
bandas de estados em slidos.
3. Bandas de Energia dos Materiais e
Densidade de Estados.
Um estado quntico = uma soluo possvel
da equao de Schrdinger.


Conhecendo V(r,t) determina-se as solues
possveis (pares de E(energia) e k(nmero
de onda)).
tomos isolados: nveis discretos de
energia, formando camadas, sub-camadas e
orbitais.
Em slidos ???
t
i V
m c
c
= + V

2
2
Modelo de eltron livre em metais:
dE E C dE E g
2 1
. ) ( =
2
3
2
3
2
4
|
.
|

\
|
=
h
m
L C t
N(E) =g(E).F
n(E)=g(E).F
Densidade de Estados g(E)
Funo de dist. de
portadores n(E)
Fator de Ocupao
de Fermi F
Modelo de Kronig e Penny

Nveis no permitidos
Nveis no permitidos
Nveis permitidos
Nveis permitidos
Nveis permitidos
soluo da equao de Schrdinger.

Modelo de Feynmann
Diagrama de bandas simplificada de
semicondutores e isolantes:
Diagrama de bandas de metais:
Resumo:
metais, semicondutores e isolantes
Semicondutor versus Isolante ?
Depende do valor de E
G
.
Limite ~ 2.5 a 3.0 eV
Lacuna
o efeito quntico dos eltrons da banda de
valncia.
So associados aos poucos estados
desocupados na banda de valncia.
Apresentam o efeito equivalente a partculas
de carga positiva = + 1.6 E-19 C.
Na verdade no existem como partcula,
mas para efeitos prticos, podemos adotar
que existam.
Gerao do Par Eltron-Lacuna
Transio
direta
Transio
indireta
Densidade de Estados nas Bandas de
Valncia e de Conduo em
Semicondutores.
( )
( )
3 2
2
t
C n n
C
E E m m
E g

=
- -
( )
( )
3 2
2
t
E E m m
E g
V p p
V

=
- -
4. Funes de Probabilidades de
Ocupao dos Estados
Como os portadores iro se distribuir entre
os estados disponveis?
um problema estatstico, obedecendo s
seguintes condies:
Princpio de excluso de Pauli
As partculas so todas iguais
O nmero total de partculas conservado
A energia total do sistema conservada.
Soluo da fsica estatstica:
funo de Fermi-Dirac.
Onde: E
F
uma energia
de referncia, chamado
de nvel de Fermi,
k = constante de
Boltzmann = 1.38 x 10
-23

J/K = 8.62 x 10
-5
eV/K .
( ) kT E E
F
e
E f

+
=
1
1
) (
Aproximao de Fermi-Dirac
Se E > E
F
+ 3kT

Se E < E
F
3kT

Neste caso, a probabilidade do estado no
estar ocupado (ter uma lacuna):
( ) kT E E
F
e E f

~ ) (
( ) kT E E
F
e E f

~ 1 ) (
( ) kT E E
F
e E f

~ ) ( 1
}
=
sup ,
). ( ). (
C
C
E
E
C
dE E f E g n
}
=
V
V
E
E
V
dE E f E g p
inf ,
)]. ( 1 ).[ (
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