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GTO & SIT

Curso: Engenharia Electrica, 4 ano


Disciplina: Electronica de Potncia
Nome: Kant Tomas Kandeja
Songo, 2014
INTRODUO;

TIRSTOR DE DESLIGAMENTO PELO GATILHO
(GTO);

TRANSISTORES DE INDUO ESTTICA (SIT);
Os dispositivos semicondutores de potncia em
geral so divididos em cinco tipos:
Dodos de Potncia,
Tirstores : GTO,
Transstores de Juno Bipolares (BJTs),
MOSFETs de Potncia,
Transstores Bipolares de Porta Isolada (IGBTs)
e Transstores de Induo Esttica (SIT).

O tirstor de desligamento pelo gatilho,
GTO, um dos primeiros dispositivos
semicondutores de potncia totalmente
controlveis pelo gatilho. O GTO tem sido
usado em vrias aplicaes de potncia
O GTO possui uma estrutura de 4 camadas,
tpica dos componentes da famlia dos tiristores.
Sua caracterstica principal sua capacidade de
entrar em conduo e bloquear atraves de
comando adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo semelhante ao do
SCR que diretamente polarizado, quando a
corrente de gate injetada, circula corrente
entre gate e catodo.
Numa aplicao
prtica a operao de
desligamento de um
GTO normalmente
exige a adio de um
circuito snubber para
limitar a dv/dt durante
a comutao para
proteger o dispositivo.

Eliminao de componentes de comutao em
comutaes foradas, resultando em redues de
custo, peso e volume;
Reduo de rudos acsticos e eletromagnticos,
devido eliminao de "estrangulamentos"de
comutao;
Desligamento mais rpido, permitindo maiores
freqncias de chaveamento;
Melhoria na eficincia dos conversores.

Um transstor
SIT (Static
Induction
Transstor) um
dispositivo de
alta frequncia
e alta potncia.

O SIT um dispositivo de
estrutura vertical com
multicanais curtos que
diminuem suas limitaes de
rea e adequado para
operaes em alta potncia
e altas velocidades de
operao. Os elctrodos da
porta so introduzidos nas
camadas n do dreno e da
fonte.

O SIT opera normalmente ligado, isto , em
estado de conduo quando no est sendo
excitado pela porta. Uma tenso negativa na
porta mantm o dispositivo no estado de no
conduo (desligado).

A caracterstica de estar normalmente em
conduo e a sua elevada queda de tenso no
estado de conduo limita as suas aplicaes
a converses genricas de potncia.
Boa linearidade e baixo rudo.
Sem efeito de colapso secundrio, e alta
confiabilidade.
Desempenho em baixas temperaturas a -19
para funcionar correctamente.
Resistncia de radiao 50 vezes maior do
que os transstores bipolares
OBRIGADO PELA
ATENO!!!

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