TECNICA DE CRESCIMENTO MBE

Tambm consiste me epitaxia por feixe de vapor onde so utilizadas fontes solidas dos
elementos que podem ser levadas a fase de vapor no aquecimento dessas clulas. Nesse tipo
de sistema so definidos 3 zonas sendo a primeira zona de feixe gerado, a segunda zona
onde os diferentes feixes se misturam formando uma espcie de gs rarefeito e a terceira
um local onde ocorre efetivamente o processo de deposio. Na frente da clula de efuso, h
um dispositivo chamado abturador cuja funo abrir ou fechar, ou seja, permitir ou no
permitir a emisso desses feixes sobre o substrato.
Nesse sistema a cmara utilizada mantida a aproximadamente -10 torr (ultra alto vcuo)
sendo, tambm, acoplados sistemas para a caracterizao da superfcie como por exemplo: o
sistema de difrao de eltrons refletidos com alta energia. A taxa de crescimento, de
aproximadamente 1 m/hora, baixa suficiente para ocorrer o fenmeno de migrao
superficial. Com isso, permitido a fabricao de filmes cristalinos e tambm para interrupo
ou emisso dos feixes autorizado construir interfaces abruptas .
Nesse sistema, a temperatura da clula de efuso controlada e a do substrato tambm.