3 QUI 021 EF99

1 Considerando um semicondutor de silicio dopado com fosforo, determinar

o teor de dopagem (em % atomico) necessario para obter uma conduo igual
a 1(ohm.cm)
-1
.
dados : mobilidade dos portadores : 1700 cm
2
/Vs
densidade do silicio : 2.33 g/cm
3


2 Encontrar os elementos de simetria e o grupo pontual de um arranjo
hexagonal compacto, com todas as posies ocupadas por agrupamentos
esfricos.

3 a) Representar, num sistema hexagonal, o plano definido pelos ndices
(h,k,l) : (2,1,0).
b) Definir os 4 ndices de Miller de um plano perpendicular ao do item a).
Representa-lo.

4 Considerando, num referencial cartesiano, um sistema cbico faces
centradas com a = 4.37 e os pontos A(1,0,-1) e B(3,2,0)
a) Determinar os ndices da direo AB
b) Calcular a distancia interreticular d e o angulo de difrao dos raios X
para uma famlia de planos paralelos a direo AB
c) Calcular o angulo de difrao das 2 primeiras raias observadas no
diagrama de raios X sobre p de um composto apresentando as
caractersticas cristalogrficas acima citadas (retculo cbico faces
centradas com a = 4.37 ).

5 A partir da teoria do campo cristalino, determinar a arranjo estrutural do
espinelo MgCr
2
O
4
.

6 a) Representar um diagrama de equilbrio binrio A-B apresentando as
caractersticas seguintes:
-Existem 3 fases intermedirias de frmulas A4B, A
2
B e AB3
-A4B apresenta uma fuso no-congruente a T=600 C
-A
2
B apresenta uma fuso no-congruente a T=500 C
-AB3 apresenta uma fuso congruente a T=700 C
-Existem 2 pontos eutticos : E1(350 C, 55%B) e E2(500 C, 90%B)
-As temperaturas de fuso de A e B so de 700 C e 650 C respectivamente
-No existem solues slidas primrias ou intermedirias.
b) Definir as fases presentes em cada regio deste diagrama de fase.
c) Qual a faixa de composio dentro da qual a ltima poro de lquido que
solidifica num processo de resfriamento lento a partir do estado lquido
apresenta a composio E
1