Sensor Es

Curso
IE763
Sensores e condicionamento de Sinais
Departamento de Eletrnica e Microeletrnica - Demic

Prof.: Elnatan Chagas Ferreira
Fone: 2397500 e-mail: elnatan@fee.unicamp.br
Homepage: Http://www.demic.fee.unicamp/~elnatan
Curso IE-763 Sensores e condicionamento de Sinais
Sensores e Condicionamento de Sinais
ndice
Pag.
Prefcio
1) Sensores Trmicos
1.1) Introduo...........................................................................................
1.2) Definio de temperatura...................................................................
1.2.1) Energia Trmica......................................................................
1.2.2) Temperatura...........................................................................
1.3) Sensores Resistivos............................................................................
1.3.1) Detetores RTD.........................................................................
1.3.2) Termistores..............................................................................
1.4) Termopares........................................................................................
1.5) Outros Sensores Trmicos..................................................................
1.6) Sumrio
1.7) Sites relacionados
2) Sensores Mecnicos
2.1) Introduo..............................................................................................
2.2) Sensores de deslocamento e de posio..................................................
2.2.1) Potenciomtrico.........................................................................
2.2.2) Capacitivo.................................................................................
2.2.3) Indutivo.....................................................................................
2.2.4) Relutncia varivel....................................................................
2.3) Sensor de Nvel......................................................................................
2.4) Sensores de Tenso................................................................................
* 2.5) Sensores de Movimento.........................................................................
* 2.6) Sensores de Presso................................................................................
2.7) Sites relacionados ....................................................................................
3) Sensores pticos
3.1) Introduo............................................................................................
3.2) Fundamentos da Radiao....................................................................
3.2.1) Natureza da Radiao eletromagntica ...................................
3.3) Sensores pticos...................................................................................

3.3.1) Caractersticas e Classificao dos Detetores de radiao.......
3.4) Sites relacionados
4) Condicionamento de Sinais Analgicos
4.1) Introduo...........................................................................................
4.2) Princpios de condicionamento de sinais analgicos.............................
4.3) Consideraes sobre amplificadores operacionais - Tecnologias..........
4.3.1) Tecnologia Bipolar ................................................................
4.3.2) Tecnologia Bifet ...................................................................
4.3.3) Tecnologia CMOS ................................................................
4.3.4) Macro modelos de dispositivos e Simulaes ........................
4.4) Aplicaes DC ...................................................................................
4.4.1) Projeto de preciso DC ..........................................................
4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso .....................................
4.4.3) Alguns exemplos de projeto DC.............................................
4.5) Aplicaes AC ...................................................................................
4.5.1) Projeto de preciso AC .........................................................
4.5.2) Range dinmico e Bits de preciso .....................................
4.5.3) Consideraes sobre rudo ....................................................
4.5.4) Alguns exemplos de projeto AC.............................................
5) Converso de dados
5.1) Introduo..........................................................................................
5.2) Selecionando um AD para o seu sistema..............................................
5.3) Projetando com converso de dados....................................................
5.3.1) Funo de transferncia ideal.................................................
5.3.2) Fontes de erros estticos........................................................
5.3.3) Erro de abertura.....................................................................
5.3.4) Efeitos de quantizao...........................................................
5.3.5) Amostragem ideal..................................................................
5.3.6) Amostragem real....................................................................
5.3.7) Efeitos de `aliasing`...............................................................
6) Transmisso de Dados
6.1) Introduo ...............................................................................................
6.2) Interface RS-232.......................................................................................
6.3) Interface RS-485.........................................................................................
6.4) Interface GPIB............................................................................................
Bibliografia:
I. "Instrumentation for Enginnnering Measuments", 2 Edio, Jmaes W.
Dallly, William F. Riley e Kenneth G. Mc.Connell, Jonh Wiley & Sons, Inc.
New York, 1993;
II. "Process Control Instrumentation Technology", 4 Edio, Curtis Jonhson,
Prentice Hall Career & Technology, New Jersey, 1993;
III. "Tranducers in Measurements and Control", Peter H. Sydenham, (ISA)
Instrument Society of America, North Carolina, 1978;
IV. "Interface Sensors to IBM PC", Willis, J. tompkins, Jonh G. Webster,
Prentice Hall, New Jersey, 1988;
V. "Sensors", Vol. 1, Vol. 4 Vol.6 e Vol. 7, Editados por W. Gpel, J. Hesse, J.
N. Zemel, VCH;
VI. "Tranducers for biomedical Measuments", Cobbold, R. S. C. , Wiley
Interscience, 1976.
VII. Data sheet de componentes .
VIII. Data Book de fabricantes.
Prefcio
1) Sensores Trmicos
1.1) Introduo
O Controle de Processo o termo utilizado para descrever qualquer condio, natural ou
artificial, pelo qual uma quantidade fsica regulada. No existe uma evidencia maior de tais
controles de aquela associadas com temperatura e outros fenmenos trmicos. A regulaco ou o
controle de temperatura no meio industrial tem sempre sido de fundamental importncia e se
tornado ainda mais com o avano da tecnologia disponvel. Nas sees que seguem ns
procuramos esclarecer os princpios da energia trmica e temperatura e logo adiante
apresentaremos vrios sensores trmicos para medida de temperatura.
1.2) Definio de temperatura

As materiais presentes na natureza so constitudos de agrupamentos de tomos. Cada um
dos 92 elementos naturais da natureza representado por um tipo particular de tomo. Os
materiais que nos rodeiam normalmente no so puro, mais sim uma combinao de vrios
elementos que forma uma molcula. Assim, por exemplo, o hlio um elemento natural composto
de um tipo particular de tomo; a gua, por outro lado, composta de molcula cada molcula
consistindo de dois tomos de hidrognio e um de oxignio. Na anlise das interaes destas
molcula necessrios olhar sob o ponto de vista do estados da materiais: slido, lquido e gasoso.
1.2.1) Energia Trmica

Slido
Em qualquer material slido, os tomos ou as molculas esto fortemente ligado uns com
os outros, de maneira que estes so incapazes de move-se ou afasta-se de sua posies de
equilbrio. Cada tomo, entretanto capaz de vibrar em torno de sua posio particular. O conceito
de energia trmica considerado pela vibrao das molculas.
Considere um material particular no qual as molculas no apresentam nenhum
movimento;
isto , as molculas esto em repouso. Tais materiais possuem energia trmica (Wter =0) nula. Se
ns adicionarmos energia para este material colocando-o num aquecedor, esta energia faz com que
suas molculas comecem a vibrar. Ns dizemos agora que este material tem alguma energia
trmica (Wter > 0).
Liquido
Se mais e mais energia adicionada ao material, as vibraes se tornam, mais e mais
violenta quando a energia trmica aumenta. Finalmente, quando uma certa condio alcanada
onde as ligaes que mantm as molculas juntas se quebram e esta se movem ao longo do
material. Quando isto ocorre, ns dizemos que o material fundiu e tornou-se lquido. Agora,
embora as molculas mantm atraes mtuas, a energia trmica suficiente para mover-lhas de
formas randnicas ao longo do material, e a velocidade com que se movem a medida da energia
trmica.
Gs
Um posterior aumento na energia trmica do material intensifica a velocidade das
molculas at que finalmente estas ganham energia suficiente para conseguir escapar complemente
da atrao das outras molculas. Esta condio manifestada pela ebulio do lquido. Quando um
material consistido de tais molculas movendo randnicamente atravs de um volume contido,
ns chamamos este material de gs. A velocidade mdia das molculas novamente a medida da
energia trmica do gs.
objetivo dos sensores trmicos esta associado com a medida da energia trmica do material
ou de um ambiente contendo diferentes materiais.
1.2.2) Temperatura
A medida da energia trmica mdia por molcula de um material, expressa em joules,
poderia ser usada para definir energia trmica; mas isto no tradicionalmente feito. Ao invs
disso um conjunto especial de unidade , cujas origem esto contida na histria de medidas de
energia trmica, empregado para definir a energia trmica de um material. Ns escolhemos as
trs mais comuns unidade. Ao diferentes conjuntos de unidades so chamados de escalas de
temperatura.
Calibrao
Para definir as escalas de temperatura, um conjunto de pontos de calibrao utilizado;
para isto, a energia trmica mdia por molcula definida atravs da condio de equilbrio
existente entre os estados slido, lquido e gasoso de vrios materiais puros da natureza. Alguns
destes pontos de calibrao padro so:
1.
2.
3.
4.
Oxignio: equilbrio lquido/gs

gua: equilbrio slido/lquido
gua: equilbrio lquido/gs
Ouro: equilbrio slido/lquido
Escalas de temperatura absoluta

Uma escala de temperatura absoluta aquela que associa um zero a unidade de temperatura
para um material que no tenha energia trmica. A escala kelvin em kelvin (K) a mais
comumente utilizada (fala-se kelvin e no grau kelvin). A tabela 1.1 mostra os valores de
temperatura em kelvin de vrios pontos de calibrao.
Tabela 1.1 pontos de calibrao de escalas de temperaturas
Pontos
de
calibrao
Energia
trmica zero
Oxignio:
lquido/gs
gua:
slido/lquido
gua:
lquido/gs
Ouro:
slido/lquido
Temperatura
K
0
F
-459,6
C
-273,15
90,18
-297,3
-182,97
273,15
32
373,15
212
100
1336,15
1945,5
1063
Escala de temperatura relativa

As escalas de temperatura relativas diferem da escalas absoluta apenas no deslocamento do
zero. Assim quando estas escalas indicam um zero na temperatura, no significa zero na energia
trmica do material. Estas duas escalas so Celsius e Fahrenheit com as temperatura indicadas por
C e F respectivamente. A tabela 1.1 mostra vrios pontos de calibrao desta escalas. A
quantidade de energia representada por 1C a mesma que 1K, apenas com o zero deslocado na
escala Celsius, de modo que
T(C) = T(K) - 273,15
(1)
Para transformar Celsius em Fahrenheit, utilizamos a expresso abaixo
T(F) = 9/5 T(C) + 32
(2)
1.3) Sensores Resistivos

Uma dos mtodos principais para medida eltrica de temperatura explora a mudana da
resistncia eltrica de certos tipos de materiais. Neste caso, principio da tcnica de medida consiste
em colocar o dispositivo sensvel a temperatura em contato com o ambiente no qual se deseja
medir a temperatura. Assim, a medida de sua resistncia indica a temperatura do dispositivo e
conseqetemente do ambiente. O tempo de resposta neste caso importante porque necessrio
que o dispositivo atinja o equilbrio trmico com o ambiente. Dois dispositivos bsicos usados
so:
1. Detetor RTD ( do ingls, resistance-temperature detector)
2. Termistores
1.3.1) Detetor RTD

Os RTD so simples elementos resistivos formados de materiais como platina, nquel, ou
uma liga nquel-cobre. Estes materiais exibem um coeficiente de resistividade positivo e so
usados em RTDs porque so estvel e apresentam uma resposta a temperatura reprodutvel por
longo tempo.
Um RTD tpico exibe uma caracterstica resistncia x temperatura dado pela expresso:
R = R0 ( 1 + 1 T + 2 T2 + ... + N TN )
(1.3)
onde
1 , 2 , ... N = so os coeficientes de resistividade de temperatura

R0
= a resistncia do sensor na temperatura T0. (normalmente T0 = 0C)
o nmero de termos relacionado na equao 1.3) para qualquer aplicao depende do

material usado no sensor, do intervalo de temperatura, e da preciso desejada na medida. As
caracterstica de dependncia resistncia x temperatura para platina, nquel e cobre mostrada na
figura 1.1. Para um intervalo pequeno de temperatura, a equao 1.3) adquire uma forma linear
expressa por
R/R0 = 1 (T - T0)
(1.4)
Sensores e Condicionamento de Sinais 10
R
e
s 6
i
s
t
4
n
c
i
a 2
Nquel
Cobre
Platina
R/R0
0
-200
200
400
600
800
1000
Temperatura (C)
Figura 1.1 Caractersticas resistncia x temperatura para nquel, cobre e platina
Se uma preciso maior exigida uma aproximao de segunda ordem necessria, de

maneira que a equao 1.3 torna-se
R = R0 ( 1 + 1 T + 2 T2)
(1.5)
A equao acima mais complicada de trabalhar, mas fornece uma maior preciso para
maiores intervalos de temperaturas .
Os elementos sensvel disponveis so muitos variados. Um dos sensores bastante utilizado
consiste de fio de platina com pureza 4 noves (99,99) envolto sob um invlucro de cermica e
hermeticamente selado em uma capsula de cermica. O sensor de platina utilizado pela sua
preciso. Ele resiste a corroso e contaminao, e sua propriedades mecnicas e eltricas so
estvel por um longo perodo. O drift normalmente menor 0.1C quando so utilizados no
seu limite superior de temperatura.
Os RDT de platina so construdos com tecnologia de filmes espessos ou filmes finos .
Este filmes so depositados em um substrato fino e plano de cermica e encapsulados com vidro
ou cermica. Ambos estes mtodos de fabricao de filmes finos permite que a resistncia (tpica
100 Ohms) do sensor com uma pequena massa e volume. Como resultado, o tempo de resposta de
um RDT de filme seja reduzida de forma aprecivel, como mostra a figura 1.2).
100
75
Filme
fino
50
Fio
25
0
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
Tempo de Resposta (s)
Figura 1.2 Tempo de resposta para RDTs de fio e de filme fino.
Fontes de erros
Os erros comumentes encontrados quando os RTD so utilizados para medida de
temperatura so:
1)
2)
3)
4)
Efeitos dos fios de ligao;

Estabilidade;
Auto aquecimento e,
Sensibilidade a presso.
1) Efeitos dos fios podem ser minimizados fazendo os fios de ligao to curtos quanto
possveis. Uma regra prtica usar uma fio de ligao que apresente uma resistncia menor do 1
por cento da resistncia do sensor. O efeito da resistncia dos fios de ligao aparecia como um
offset e uma reduo na sensibilidade. Os erros causados pela variao das resistncia dos fios
de ligao por temperatura devem e podem ser eliminados por arranjo adequado do circuito
condicionador.
Exerccio:

1) Afim de eliminar erros causados pelo fio de ligao de um sensor RTD, sugira um ou
mais arranjos na forma de ponte de Wheatstone de forma a minimizar estes erros.
2) A estabilidade do sensor pode se tornar uma fonte de erro quando o limite superior de
temperatura suportado pelo o sensor excedida ou por acidente ou por erro de projeto. Sempre que
o limite superior de temperatura for excedido , nova medidas de temperatura devem ser repetidas
at que uma leitura repetitvel for obtida.
3) Erro devido ao auto aquecimento so produzido quando a voltagem ou a corrente de
excitao so usada no condicionamento do sinal. Normalmente no existe razo para excitao
com altos valores, desde que um RTD produz uma alto sada (um valor tpico cerca de
1mV/(V.C) para um RDT de platina). O auto aquecimento ocorre por causa da potncia dissipada
no sensor. Esta potncia PT e dada pela expresso
PT = i2 RT
(1.6)
Por exemplo, a potncia dissipada por um RDT em uma ponte de Wheatstone com
resistncia iguais a RT, excitada com uma voltagem VS
PT = V2S /4RT
aumento da temperatura
(1.7)
TS necessrio para dissipar PT
TS = FS PT
(1.8)
onde FS o fator de auto aquecimento (C/mW).
Exerccio:
O fabricante de um sensor RTD de fio de platina fornece no data sheet um fator de auto
aquecimento igual a 0.5 C/mW no ar. Se este sensor (RT = 100Ohms) for utilizado em uma
ponte de quatro braos iguais com uma fonte de alimentao de 1V, qual o erro na medida da
temperatura causada pelo o auto aquecimento.
Estes erros pode ser minimizados limitando-se a dissipao de potncia no sensor para
menos de 2mW.
4) Os sensores RDT so sensvel s presses aplicada sobre os mesmos. Felizmente, a
sensibilidade a tenses pequena quando comparada com a sensibilidade temperatura. A menos
que os sensores sejam submetido a forte presses, esta fonte de erro pode ser ignorada.
1.3.2) Termistores
Os termistores so resistores sensvel a temperatura fabricados de material semicondutor,
tais como xido de nquel, cobalto, ou magnsio e sulfeto de ferro, alumnio ou cobre. xido
semicondutores, diferente dos metais, pode exibe uma resistncia que decresce com a temperatura,
so os chamados NTC (do ingls, negative temperature coeficiente). A relao para um termistor
deste disso pode ser expressa por
ln (R/R0) = (1/T- 1/T0)
(1.9)
ou
R = R0exp[(1/T- 1/T0)]
(1.10)
onde
R a resistncia do termistor na temperatura T
R0 a resistncia do termistor na temperatura T0
a constante do material (3000 - 5000 K)
A sensibilidade S do termistor obtida da equao (1.10) como

S = R/(R.T) = -/T2
(1.11)
Para = 4000 K e T = 298 K, a sensibilidade igual a -0.045/K, que cerca de uma ordem de
grandeza maior do que a sensibilidade de um sensor RDT de platina (S=0.0035/K).
A equao (1.10) indica que a resistncia R de um termistor decresce exponencialmente
com a temperatura. Uma curva de resposta tpica de um termistor mostrada na figura (1.3).
Desde que a sada do termistor no linear, uma medida precisa de temperatura deve ser feita
usando uma tabela de calibrao. Esta linearidade pode ser melhorada pelo uso de circuito
linearizadores com, por exemplo um resistor em srie no caso de um termistor PTC, ou em
paralelo para o NTC.
O intervalo de medida de temperatura com termistores na prtica esta limitado a 100C,
devido a estabilidade pobre do sensor quando submetido a altas temperaturas. A preciso na
medida depende da tcnica empregada para medida de R/R e a calibrao do sensor. Com o uso
de uma tcnica apropriada, temperaturas de 125C pode ser medida com uma preciso de 0,01C,
e o drift de longo termo melhor do que 0,003C/ano.

Se o sinal de temperatura lido atravs de um sistema de aquisio de dados, mais
adequada realizar a linearizao da medida aps a converso analgica-digital no
microprocessador. Para isto pode se utilizar a relao de Steinhart-Hart que aproxima
precisamente a equao (1.9), e dada por:
1
= A + B ln R + C (ln R)3
T
(1.12)
onde A, B, e C so constantes determinadas da curva de calibrao do termistor.
Exerccio:
1.3) Mostre que possvel linearizar em primeira ordem uma curva de um termistor NTC,
num certo intervalo, simplesmente colocando-se um resistor de valor apropriado e encontre este
valor .
R
a
z
o
d
e
102
101
R = R0exp[(1/T- 1/T0)]
1
R
e
10 -1
s
i
s
10-2
t
n
c 10-3
i
a
R/R0 -4
10
-50
100
150
200
250
300
350
Temperatura C
Figura 1.3) Resistncia como funo da temperatura para termistor tipo NTC
Vrios tipos de termistores com vrios tipos de formatos esto disponveis comercialmente
que varia de algumas dezenas de Ohms a vrios megaOhms. Com o avano acelerado da
tecnologia de materiais necessrio uma constante atualizao, e agora, com a revoluo da
Internet, isto tornou-se menos desgastante , desde que voc se pluge. Atravs da rede mundial
de informao praticamente toda informao necessria para especificao do seu sensor est
prontamente disponvel.
1.4) Termopares
Um termopar um simples sensor de temperatura que consiste de dois materiais diferentes
em contato trmico. O contato trmico, chamado de juno pode ser feito por feito pela fuso ou
solda de dois materiais diferente. A figura 1.4a) mostra um termopar de uma simples juno.
A operao de um termopar baseado na combinao de efeitos termoeltrico que produz
uma voltagem de circuito aberto quando duas junes so mantidas em temperaturas diferente. O
diagrama clssico de um circuito de um termopar de duas junes mostrado na figura 1.4b), onde
as junes J1 e J2 so mantidas nas temperatura T1 e T2 respectivamente. A voltagem termoeltrica

uma funo no linear com a temperatura que pode ser representada por uma equao emprica
na forma
V0 = C1 (T1 - T2) + C2 (T21- T22)
(1.13)
onde
C1 e C2 so constante dieltricas que depende do material.
T1 e T2 so as temperaturas das junes
Material A
Material B
Figura 1.4 a) Termopar de uma simples juno
Material A
T1
T2
Material B
V0
Material B
Figura 1.4 b) Circuito de termopar para medida da diferena de temperatura T1-T2..
A gerao da voltagem V0 devido ao efeito Seebeck, que produzido pela difuso de

eltrons atravs da interface entre os dois materiais. O potencial do material aceitador de eltrons
torna-se negativo na regio de interface e o material doador torna-se positivo. Assim um campo
eltrico formado pelo fluxo de eltrons na interface. A difuso continua at uma condio de
equilbrio seja alcanada pela ao do campo eltrico sobre os eltrico (mecanismo semelhante a

formao do potencial de barreira na juno PN). Desde que as foras de difuso so dependente
da temperatura, o potencial eltrico desenvolvido na juno fornece uma medida desta
temperatura.
Alm do efeito Seebeck, dois outros efeito termoeltricos bsicos ocorrem no circuito do
termopar. Estes so:
1) Efeito Peltier
2) Efeito Thompson
O efeito Peltier ocorre quando passa um fluxo de corrente no circuito de termopar. Este
efeito consiste na transferna de calor na presena da corrente i .Esta quantidade de calor, em
watts dada por
qP = AB .i
(1.14)
onde
qP a quantidade de calor transferida em watts
AB o coeficiente de Peltier de A para B da juno AB
deve-se notar que a equao (1.14) vetorial, isto , o coeficiente de Peltier muda de sinal com o
sentido da corrente. (AB = -BA). A figura 1.5) ilustra este efeito e seu comportamento dual.
qT
Material A
T2
J1
qP
J2
T1
Material B
qP
vs
Material B
Figura 1.5) Transferncia de calor devida ao efeito Peltier, qp e ao efeito Thompson, qT

O efeito Thompson o efeito termoeltrico que afeta o circuito do termopar. Novamente
este efeito involve a gerao ou absoro de calor qT sempre que existe um gradiente de
temperatura e h corrente num material. A figura 1.5) ilustra este efeito. A quantidade de calor
transferida dada pela equao
qT = i(T1 - T2)
(1.15)
onde o coeficiente de Thompson que depende do material condutor.

Ambos estes efeito produzem (erros) voltagem equivalente que na sada do circuito do
termopar e afetam a preciso da medida de temperatura, e portanto devem ser minimizados,
limitamdo-se a corrente que flui atravs da juno durante a medida de v0.
O circuito de termopar da figura 1.4 b) usado para medir uma temperatura desconhecida
T1, enquanto a juno J2 mantida em uma temperatura referncia conhecida, T2. Desta forma
possvel determinar a temperatura T1 pela medida da voltagem v0. A experincia mostra que a
equao 1.13) no suficiente para representar com preciso a curva caracterstica
voltagemXtemperatura de um termopar. Na prtica utilizar-se tabelas (lookup tables) ou um
polinmio de alta ordem na forma
T1 - T2 = a0 +a1 .v0 + a2 .v02 + ...+an . v0n
(1.16)
Princpios de operao do termopar

O uso prtico de termopares baseado nos seis princpios de operao do termopar,
ilustrados nas figuras 1.5 a) - 1.5 e).
1) Um circuito de termopar deve conter no mnimo dois materiais diferentes e no mnimo duas
junes (fig. 1.5 a) ).
2) A voltagem de sada de um circuito de termopar depende somente da diferena entre as
temperaturas de juno (T1 - T2) e independente da temperatura ao longo do material, desde
que no flua nenhuma corrente pelo circuito (fig. 1.5 b) ).
3) Se um terceiro material C inserido ao longo do material A ou B, a voltagem de sada v0 no
afetada, desde que a temperatura nas duas novas junes sejam as mesma (fig. 1.5 c) ).
4) A insero de um material C na juno J1 ou J2 , na afeta a voltagem de sada v0, desde que as

duas novas junes AC ou CB sejam mantidas na mesma temperatura (fig. 1.5 d) ).
5) Um circuito de termopar com temperatura T1 e T2 produz na voltagem
(v0)1-2 = f(T1- T2), e se exposta numa temperatura T2 e T3 produz uma voltagem
de
de
sada
sada

(v0)2-3 = f(T2- T3). Se o mesmo circuito exposto a temperatura T1 e T3, a voltagem de sada
ser (v0)1-3 = (v0)1-2 + (v0)2-3 (fig. 1.5 e) ).
6) Se um circuito de termopar fabricado com materiais A e C gera uma sada (v0)AC quando
exposto a temperatura T1 e T2, e um circuito similar fabricado com materiais C e B gera uma
sada (v0)CB, ento se um termopar fabricado com materiais A e B gerar uma sada (v0)AB =
(v0)AC + (v0)CB )fig. 1.5 f) ).
Material A
Material A
i
T1
T1
T2
J2
J1
T3
T4
i
T5
T6
Material B
V0
Material B
b)
Material C
Material A
Tj
Ti
T1
i
T1
Material C
T2
J2
J1
T2
J2
T3
T1
V0
Material B
Material B
V0
Material B
Material B
V0
Material B
a)
Material A
T2
J2
J1
Material B
d)
c)
Material A
i
T1
Material A
Material A
T3
J2
J1
(V0)1-3
Material B
Material B
i
T1
J2
J1
(V0)1-2
Material B
T2
T2
(V0)2-3
Material B
Material B
T3
J2
J1
Material B
e)
Material A
i
T1
J2
J1
Material B
Material C
Material A
(V0)AB
T3
Material B
T1
J2
J1
(V0)AC
Material C
T3
Material C
T1
J2
J1
Material B
(V0)CB
T3
Material B
f)
Figura 1.5) Situaes tpicas encontrada no uso de termopares. a) Circuito de termopar bsico. b)
Dependncia de v0 somente de (T1 - T2). c) Metal intermedirio no circuito. d) Metal intermedirio
na juno. e) Adio da voltagem de sada para diferentes temperatura. f) Adio da voltagem de
sada para diferentes termopares para temperaturas idnticas.

Estes seis princpios so importantes porque fornece a base para o projeto de circuito de
medida de temperatura.
O primeiro princpio formaliza a observao experimental que um circuito de termopar
deve ser fabricado com dois material diferente de modo que duas junes so formadas. A
voltagem de sada v0 tem sido observada se uma funo no linear da diferena de temperatura (T1
- T2) nessa duas junes. Para um fluxo de corrente num sentido mostrado na figura 1.5 a), esta
voltagem pode ser expressa por
v0 = eBA . T1 + eAB . T2
(1.17)
onde
eBA
eAB
o potencial da juno por unidade de temperatura na juno quando uma pequena

corrente flue do material B para o material A.
o potencial da juno por unidade de temperatura na juno quando uma pequena
corrente flue do material A para o material B.
Desde que eBA = - eAB a equao (1.14) pode ser escrita na forma j vista
v0 = eBA . (T1 - T2)
(1.18)
O segundo princpio indica que a voltagem de sada v0 do circuito de termopar no

influenciada pela a distribuio de temperatura ao longo do material exceto nos pontos onde as
coneces so feitas para formar as junes. Este principio garante na prtica que v0
independente dos comprimentos dos fios de ligao.
Exerccio:
Faa uso do primeiro e segundo princpio de operao do termopar e prove os quatro
princpios restantes.
Materiais Termoeltricos
O efeito termoeltrico ocorre sempre se um circuito de termopar fabricado com dois
metais diferentes; portanto uma grande quantidade de materiais so adequado para uso em
termopares. Entretanto, estes materiais so selecionados tendo em vista algumas propriedade
desejveis listadas abaixo:
1) Estabilidade de longo tempo (long-term stability) em temperaturas elevadas.
2) Compatibilidade com a instrumentao disponvel.
3) Custo reduzido.
4) Mxima sensibilidade sobre todo o intervalo de operao

As sensibilidades de vrios materiais em combinao com a platina so apresentada na
tabela 1.1). Os valores desta tabela permite que a sensibilidade S 0C de um termopar fabricado
com qualquer material listado na tabela possa ser determinado, como feito no exerccio abaixo.
Exerccio:
Determinar a sensibilidade 0C de um termopar de Cromel-Alumel a partir dos valores
listados na tabela 1.1).
Tabela 1.1) Sensibilidade S de Alguns materiais combinados com platina 0C.

Sensibilidade S
Material
V/C
V/F
Bismuto
Constantan?
Nquel
Alumel?
Nisil?
Platina
Mercrio
Carbono
Alumnio
Chumbo
Prata
Cobre
Ouro
Tungstnio
Nicrosil?
Ferro
Cromel?
Germnio
Silcio
Telrio
Selnio
-72
-35
-15
-13,6
-10,7
0
0,6
3,0
3,5
4,0
6,5
6,5
6,5
7,5
15,4
18,5
25,8
300
440
500
900
-40
-19,4
-8,3
-7,6
-5,9
0
0,3
1,7
1,9
2,2
3,6
3,6
3,6
4,2
8,6
10,3
14,3
167
244
278
500
Vale lembrar que a sensibilidade S uma funo no linear da temperatura; de maneira que
para todo o intervalo de temperatura de operao do termopar os valores de setes materiais mais
usados so mostrado na tabela 1.2).

Tabela 1.2) Sensibilidade S em funo da temperatura para os sete tipos de termopar.
Temperatura (C)
-200
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
25,1
45,2
58,7
65,7
74,0
77,9
80,0
80,9
80,7
79,9
78,4
76,7
74,9
21,9
41,1
50,4
54,3
55,5
55,4
55,1
56,0
58,5
62,2
-
15,3
30,5
39,5
41,4
40,0
41,4
42,2
42,6
42,5
41,9
41,0
40,0
39,8
9,9
20,9
26,1
29,7
33,0
35,4
37,0
-
5,3
7,5
8,8
9,7
10,4
10,9
11,3
11,8
12,3
12,8
13,2
5,4
7,3
8,5
9,1
9,6
9,9
10,2
10,5
10,9
11,2
11,5
15,7
28,4
38,7
46,8
53,1
58,1
61,8
-
As letras E, J, K, N, R, S, e T so projetadas pelo padro ANSI (America National Society

Instrument - PADRO MC 96.1-1975) e os pares de materiais usados nestes termopares so
definidos na tabela 1.3).
Tabela 1.3) Materiais empregados nos termopares padro.

Tipo
E
J
K
N
R
S
T
Material positivo
Cromel
Ferro
Cromel
Nicrosil
Platina 13% Rdio
Platina 10% Rdio
Cobre
Material negativo
Constantan
Constantan
Alumel
Nisil
Platina
Platina
Constantan
A voltagem de sada v0 em funo da temperatura para vrios tipos de mais comuns de

termopar mostrado na figura 1.6) . Como podemos observar na figura, o termopar tipo E
(Cromel-constantan) gera uma maior sada para uma dada temperatura; mais infelizmente, a sua
maior temperatura de operao de 1000 C. O intervalo de temperatura e as sadas de voltagem ,
para os tipos mais comuns de termopar mostrado na tabela 1.4)

V
o
l
t
a
g
e
m
d
e
s
a
d
a
80
Tipo E
Cromel-constantan
Tipo K
Cromel-alumel
60
Tipo N
Nicrosil-nisil
40
Tipo G
Tunsgtnio-tunsgtnio 26% rnio
20
Tipo S
Platina-platina 10% rdio
v0 (mV)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Temperatura (C)
Figura 1.6) Voltagem de sada v0 versus temperatura T

Tabela 1.3) Intervalo de temperatura e voltagem de sada para vrios termopares.
Intervalo de temperatura
Voltagem de sada
Tipos
(mV)
Cobre-constantan
Ferro-constantan
Cromel-Alumel
Cromel-constantan
Nicrosil-Nisil
Platina -10%
Platina/rdio
Platina -13%
Platina/rdio
Platina -30%
Platina/rdio
Platinel 1813 - Platinel
1503
Irdio- 60% rdio- 40%
irdio
Tungstnio 3% rniotungstnio 25% rnio
Tungstnio-tungstnio
25% rnio
Tungstnio 5% rniotungstnio 26% rnio
-185 400
-185 870
-185 1260
0 980
-270 1300
0 1535
-300 750
-300 1600
-300 2300
-32 1800
-450 2372
32 2800
-5,284 20,805
-7,52 50,05
-5,51 51,05
0 75,12
-4,345 47,502
0 15,979
0 1590
32 2900
0 18,636
38 1800
100 3270
0,007 13,499
0 1300
32 2372
0 51,1
1400 1830
2552 3326
7,30 9,55
10 2200
50 4000
0,064 29,47
16 2800
60 5072
0,042 43,25
0 2760
32 5000
0 38,45

A estabilidade de longo tempo (long-termo stability) uma propriedade importante do
termopar se a temperatura deve ser monitorada por um longo tempo. Um relativamente novo tipo
de termopar foi recentemente desenvolvido, tipo N (nicrosil-nisil) que apresenta uma estabilidade
termoeltrica muito elevada. Instabilidade trmica de vrios termopares padro ocorre a partir de
100 1000 h de exposio a temperatura.
O erro mais importante introduzido pelos efeitos da instabilidade trmica o gradual e
acumulativo drift na voltagem de sada durante a longa exposio do termopar temperaturas
elevadas. Este efeito devido a mudana na composio na juno causada pela oxidao interna e
externa. O termopar tipo N foi desenvolvido para eliminar as oxidaes internas e minimizar as
oxidaes externas.
O drift de longo tempo na sada de termopares tipos N, E, J, e K mostrado na figura 1.7)
como funo do tempo de exposio a uma temperatura constante de 777 C. como podemos
observar o drift do termopar tipo J fabricado com fio AWG N.14 excessivo aps um somente
100 a 200 h . Aumentando o fio para AWG N.8 melhora-se a estabilidade mais ainda
inadequado para aplicaes de longo tempo. Somente os termopares tipo K e N exibem uma
estabilidade necessria para medida de temperatura de at 777 C e no mnimo 1500 h.
D
r
i
f
t
e
m
v0
(V)
250
0
#14 N
#14 K
#14 E
#8 E
-500
#8 J
-1000
#14 J
-1500
0
0
300
600
900
1200
1500
1800
Tempo de exposio em horas 777 C

Figura 1.7) Drift da sada v0 para diferentes tipo de termopar em funo do tempo de exposio a
uma temperatura constante de 777 C.
Temperatura de referncia da Juno Fria

Como vimos anteriormente, o termopar fornece uma sada v0 proporcional a diferena
(T1- T2), assim imprescindvel que a temperatura na juno J2 (T2) (chamada de juno fria) seja
mantida constante ou precisamente controlada. 05 mtodos mais comum so usados para realizar
esta funo:
1)
2)
3)
4)
5)
Inserir J2 na mistura gua/gelo em equilibrio (T= 0.1C).

Efeito de refrigerao de Peltier
Mtodo de ponte eltrica
Manter a temperatura na juno fria ,T2 maior que a temperatura ambiente
Mtodo double-oven (duplo aquecedor)
No primeiro mtodo insere-se a juno fria numa garrafa trmica com a mistura gua/gelo,
tampada para evitar perdas e gradientes de temperatura. A gua deve ser removida periodicamente
e o gelo deve ser adicionado para manter a temperatura constante. Esta mistura mantm a
temperatura da juno 0.1C.
O segundo mtodo faz uso do refrigerador de Peltier. O termopar acondicionado num
reservatrio contendo gua deionizada e destilada mantida 0C. As paredes externas do
reservatrio so resfriadas pelos elementos de refrigerao termoeltrica at que a gua comece a
congelar. O aumento do volume da gua quando ela comea a congelar sobre as paredes do
reservatrio que expande um fole, que contm uma microchave desativa os elementos de
refrigerao. O ciclo de congelamento e descongelamento do gelo nas paredes do reservatrio
mantm a temperatura da gua precisamente 0C.
O terceiro mtodo consiste em monitorar a temperatura do ambiente atravs de um RDT
gerar uma voltagem de sada que igual e oposta a voltagem do circuito do termopar devido a
mudana em T2. A figura 1.8) ilustra este mtodo.
Vref
Circuito de
Ponte
Cobre
Material A
T2
T1
RDT
Material B
Cobre
Bloco de referencia na
temperatura ambiente
v0
Figura 1.8) Mtodo de ponte eltrica para compensao de juno fria.

O quarto mtodo simplesmente baseia-se no fato que mais fcil o aquecimento ao
resfriamento para trabalhar numa temperatura controlada de juno fria mais elevada e que a
temperatura ambiente. A tabela voltagem-temperatura do termopar deve ser deslocada em tenso
para corregir a temperatura de juno fria diferente de 0C.
Finalmente, o quinto mtodo que elimina a necessidade de correo da temperatura de
juno, emprega dois aquecedores em diferentes temperaturas para emular uma temperatura de
referencia de 0C (figura 1.9) . Na figura 1.9) cada uma das duas junes (Cromel-Alumel) no
primeiro aquecedor produz uma voltagem de 2.66mV na temperatura do aquecedor de 65.5 C.
Esta voltagem total de 2x2.66 = 5.32mV cancelada pela dupla juno de Alumel-cobre e cobreAlumel no segundo aquecedor que esta a 130 C. O efeito lquido das quatro junes nos dois
aquecedores produzir uma equivalente termoeltrico com uma simples juno fria 0C.
Alumel
Cobre
Cromel
T1
Condic.
65.5C
130 C
Alumel
Cromel
Primeiro aquecedor
de referencia na
temperatura
de
65.5 C
Cobre
Segundo aquecedor
de referencia na
temperatura
de
130C
Figura 1.9) Mtodo double-oven (duplo aquecedor)
Fios de ligao
O material usado para fornecer isolao para os fios de ligao determinado pela mxima
temperatura que o termopar estar sujeito. Os tipos de isolao e seus limites de temperatura esto
mostrado na tabela 1.4)
Em aplicaes de alta temperatura, os fios de ligao so disponvel com uma isolao de
cermica tendo de uma blindagem metlica.
Em alguma aplicaes faz-se necessrio separar a medida e a juno fria por uma distancia
aprecivel. Nestas circunstncias, fios especiais, conhecidos como fios de extenso, so inseridos
entre a juno quente e a juno fria. Os fios de extenso so feitos do mesmo material da juno
do termopar e portanto exibe aproximadamente as mesma propriedades termoeltricas. A principal

vantagem do fio de extenso a melhora nas propriedades do fio. Por exemplo cachos de fios de
menor dimetro com isolao de PVC de fcil instalao podem ser usados em sistemas de baixo
custo.
Tabela 1.4) Caractersticas de isolao de fios de ligao de termopar
Material
Poliestireno
Nylon
Teflon-FEP
Teflon-PFA
Silicone
Fibra de vidro
Resistncia de
abraso
Boa
Boa
Excelente
Excelente
Excelente
Regular
Regular
Ruim
Ruim
Excelente
Flexibilidade
Excelente
Excelente
Boa
Boa
Boa
Excelente
Boa
Boa
Boa
Boa
Extenso XA
Material A
Temperatura (0C)
Max.
Min.
105
75
150
200
260
200
1204
482
871
316
-40
-75
-55
-200
-267
-75
-17
-75
-75
-267
Cobre
Juno Fria
T1
Condic.
Material B
Extenso XB
Cobre
Conector
isotrmico
Figura 1.10) Uso do fio de extenso no circuito do termopar
Fontes de erros
Vrios tipos de erros podem ser introduzido durante a medida de temperatura com o uso de
termopares. Erros devidos a carregamento do circuito do termopar (j descrito) , preciso na
leitura, rudo e resposta dinmica devem ser minimizados afim de alcanar preciso desejada.
Existe ainda outro tipo de erro inerente a sensores de temperatura, o chamado erro de insero. O
erro de insero o resultado do aquecimento ou resfriamento da juno que muda a temperatura
da juno T do meio na temperatura Tm . Este erro classificado em trs tipos:
1) Erro de conduo
2) Erro de recuperao
3) Erro de radiao
O primeiro erro devido a transferncia ou absoro de calor por conduo para o
ambiente atravs do contato do termopar com o corpo a ser monitorado. Este erro mais
significante quando a massa trmica do termopar comparvel com a do sistema.
O segundo erro acontece sempre que um termopar inserido no meio de um gs
movimentando-se alta velocidade, resultando na estagnao do gs prximo ao probe de medida.
Finalmente, o terceiro erro devido a perdas por radiao de calor. Este erro mais
significante em altas temperaturas.
1.5) Outros sensores trmicos

Outros tipos de sensores trmico so disponveis no mercado. Dentre estes podemos citar o
sensor de temperatura semicondutor na forma de circuito integrado, que fornece normalmente
uma sada em corrente proporcional a temperatura absoluta, quando uma voltagem entre 4 e 30 V
aplicado nos seus terminais. Este tipo de sensor de temperatura um regulador de corrente
constante sobre uma temperatura de -55 a 150 C. O sensor apresenta uma sensibilidade de
corrente nominal Si de 1 A/K. As caractersticas corrente de sada versus voltagem de entrada
para vrias temperaturas so mostradas na figura 1.11).
O sensor de temperatura integrado ideal para aplicaes remota desde que ele age como
fonte de corrente constante e como resultado, a resistncia dos fios de ligao no afeta a medida.
Vrios problemas encontrado nos sensores RTD, termistores e termopares no esto presente neste
sensor.
A voltagem de sada v0 do circuito do sensor de temperatura controlado por uma
resistncia colocada em srie, como mostrado na figura 1.12). Desde que o sensor serve como
fonte de corrente, a voltagem de sada pode ser expressa por
v0 = i . Rs = Sin. T . Rs = ST . T
(1.19)

C
o
r
r
e
n
t
e
s
a
d
a
500
Temperatura = 423 K
400
Temperatura = 300 K
300
Temperatura = 218 K
200
100
0
(A)
10
30
Voltagem de entrada (V)
Figura 1.11) Caractersticas de um sensor integrado de dois terminais

onde
Si a sensibilidade do sensor em corrente
Rs a resistncia srie na qual a voltagem de sada medida
T a temperatura absoluta
i a corrente de sada na temperatura T
ST a sensibilidade do sensor em volts
RL
Senso r
vs
RS
RL
V0
Figura 1.12) Circuito para medida de temperatura com sensor integrado
1.6) Sumrio
Os diferentes tipos de sensores disponveis para medidas de temperatura, incluem
principalmente RTD (resistance-temperature-detectors), termistores, termopares e Sensores
integrados. Cada um destes apresenta suas vantagens e desvantagens; a escolha do sensor
apropriado para uma aplicao particular normalmente baseada nas seguintes consideraes:
1) Intervalo de temperatura
2) Preciso
3) Ambiente
4) Resposta dinmica
5) Instrumentao disponvel

As vantagens e desvantagens dos quarto mais populares sensores para medidas de
temperatura so mostradas na figura?. importante notar que com o rpido avano em tecnologia
de novos material pode modificar as vantagens e desvantagens destes sensores, de maneira que
uma constante atualizao faz-se necessrio.
RTD
Termopares
V
o
l
t
a
g
e
m
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
Temperatura
V
a
n
t
a
g
e
n
s
D
e
s
v
a
n
t
a
g
e
n
s
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
Temperatura
Auto excitado
Mais estvel
Simples
Mais preciso
Robusto
Mais linear
termopar
Baixo custo
Grande variedade
Grande intervalo
de operao
No linear
Baixa
sensibilidade
Voltagem de
referncia
necessria
Menos estvel
Baixa voltagem
Termistores
Sensores integrados
V
o
l
t.
V ou i
o
u
c
o
r
r
e.
Temperatura
Temperatura
Alta
Mais linear
sensibilidade
Maior sada
que Rpido
Baixo custo
Medida com dois
fios
Caro
Fonte de corrente
necessria
Pequeno DR
Baixa resistncia
Auto aquecimento
No linear
Pequeno
intervalo
de
temperatura
Frgil
Fonte de corrente
necessria
Auto
aquecimento
Temperatura
<200 0C
Fonte
de
potncia
Necessria
Lento
Auto
aquecimento
Configuraes
limitadas
Figura 1.13) Vantagens e desvantagens dos sensores de temperatura mais comum
2) Sensores Mecnicos
2.1) Introduo
Como sensores mecnicos podemos entender todos aqueles dispositivos que realizam a
transduo de uma grandeza mecnica em um sinal eltrico.
Uma enorme variedade de sensores disponvel para medidas de quantidades mecnicas, e
a descrio detalhada de cada um destes sensores demandaria um tempo razovel, e foge ao
objetivo deste curso. Apesar disso, procuramos apresentar de uma maneira breve, e sempre que
possvel completa, os princpios de funcionamentos dos principais tipo de sensores.
2.2) Sensores de deslocamento e de posio

Os sensores de deslocamento e posio so sensores que transforma as grandezas ngulo,
posio e proximidade em sinais eltrico.
Os trs tipos mais comum de sensores de deslocamento e posio so:
1) Potenciomtrico
2) Capacitivo
3) Indutivo
4) Relutncia varivel
5) tico
2.2.1) Potenciomtrico
O tipo mais simples de sensor potenciomtrico de posio mostrado de forma
esquemtica na figura 2.1). Este tipo de sensor bastante utilizado em impressoras jato de tinta
para controle do posicionamento do carro que contm os cartuchos de tinta. O sensor consiste de
um resistor de fio ou filme deslizante de comprimento l e sobre o qual aplica-se uma voltagem vi.
A relao entre a voltagem de sada v0 e a posio x do contato deslizante ct , quando este move-se
ao longo do comprimento do fio, pode ser expresso por
v0 = x/l . vi
ou
x = v0/vi . l
(2.1)
assim , a posio ou deslocamento pode ser medido.

Os resistores de fio rgido no so possveis de serem usados em muitas aplicaes, pois a
resistncia de um fio curto baixa e isto implica em um excessivo consumo de potncia da
voltagem vi. Para contornar esta dificuldade, estes tipos de sensores so obtidos enrolando-se um
fio de alta resistncia sobre um material isolante de formato adequado, como mostra a figura 2.2).
Tcnicas mais recentes permitem construir sensores potenciomtricos atravs da deposio de
filmes sobre pelcula flexveis de material isolante. A resistncia destes filmes exibe uma alta

resoluo, baixo rudo , e longo tempo de vida. Por exemplo, uma resistncia de 50 a 100
Ohms/mm pode ser obtida e resoluo to alta quanto 0.001 mm pode ser alcanada. Estes
sensores apresentam um baixo custo e so usados intensivamente. (figura 2.3).
Resistncia de fio
ct
vi
l
x
v0
Figura 2.1) Sensor de posio tipo potenciomtrico
Resistncia de fio
ct
vi
l
x
v0
Figura 2.2) Sensor de posio tipo potenciomtrico de resistncia elevada
l
Pelcula Transparente
Filme resistivo
Figura 2.3) Sensor de posio com filme fino

Sensores potenciomtricos de formato cilndrico, similares aqueles ilustrados na figura
2.2), so usado para medida de deslocamento ou posio angular. O valor da resistncia deste tipo
de sensores situa-se na faixa de 10 a 106 Ohms, dependendo do tipo , dimetro e comprimento
utilizado.
O range do sensor de posio linear depende do comprimento l. Os sensores lineares
podem ser encontrados at o limite de 1 m. O range do sensor de posio angular pode ser
extendido arranjando-se um sensor no formato helicoidal. Potencimetros Helicoidal (Helipot)
so disponveis comercialmente com 20 voltas; portanto deslocamentos angulares de at 7200 grau
pode ser medidos facilmente.
O contato ct quando em movimento normalmente exibe rudo. Este rudo pode ser
minimizado garantindo-se que o contato esteja limpo e livre de oxido.
2.2.2) Capacitivo
Sensor de posio capacitivo utilizado para medida de posio de at algum milmetro e
bastante utilizado em medida de vibraes relativas. Um sensor tpico capacitivo ilustrado na
figura 2.4) e consiste de uma placa alvo e uma segunda placa chamada de cabea do sensor. Estas
duas placa so separadas por um gap de ar de espessura h e forma os dois terminais de um
capacitor, que apresenta uma capacitncia C dada por
C = k K A/h
(2.2)
onde
C a capacitncia em picofarads (pF)
A a rea do cabea do sensor ( . D2/4)
K a constante dieltrica do meio (K = 1 para o ar)
k
uma constante de proporcionalidade; k = 0.225 para dimenso em polegada e
0.00885
para dimenso em milmetro)
h
Blindagem
Cabea do
Sensor
Campo eletrosttico
Placa alvo
Anel de
Guarda
Blindagem
Cabea do
Sensor
Campo eletrosttico
Placa alvo
a)
b)
Figura 2.4) Sensor capacitivo. a) sem anel de guarda b) com anel de guarda

Se a separao entre a cabea e o alvo se altera por uma quantidade Dh, ento a
capacitncia C torna-se
C + C = k * K * A
1
(h + h)
(2.3)
ou rescrito na forma
C
h / h
=
C
1 + (h + h)
(2.4)
Este resultado mostra que (C/C) no linear, devido ao termo (h+h) no denominador da
equao (2.4). Para evitar a dificuldade de se usar um sensor capacitivo com sada no linear, a
variao na impedncia antes que a capacitncia medida. Usado o fato que
Zc =
j
C
(2.5)
Com a capacitncia mudando de C, ento
Zc + Zc =
j 1
C + C
(2.6)
Substituindo a equao (2.5) em (2.6) resulta

Zc
C / C
=
Zc
1 + C / C
(2.7)
E finalmente substituindo a equao (2.4) em (2.7) resulta
Zc h
=
Zc
h
(2.8)

Da equao (2.8) claro que a impedncia capacitiva linear com h e o um mtodo de
medida de impedncia de Zc permitir, atravs de duas placas simples (O alvo com terra e a
cabea do sensor com terminal positivo), a medida do deslocamento h.
A cabea do sensor normalmente tem um formato cilndrico e a equao (2.8) vlida
desde que 0 < h <D/4 onde D o dimetro da cabea do sensor. O intervalo de linearidade pode
ser estendido para h D/2 se um anel de guarda ao redor do sensor usado, como mostra a figura
2.4 b).
A sensibilidade do sensor obtida com ao auxlio das equaes (2.2), (2.5) e (2.8) e
expressa por
S=
1
1
Zc Zc
=
=
=
.C .h .k .K . A
h
h
(2.9)
Como pode ser observado a sensibilidade pode ser melhorada pela reduo da rea A do
sensor; entretanto, como foi visto anteriormente, limitada pela linearidade. De maneira que
claramente existe um compromisso entre sensibilidade e linearidade. Da mesma forma existe
um compromisso entre a sensibilidade (aumenta quando diminui) e a resposta em freqncia do
sensor (aumenta quando aumento).
O sensor capacitivo tem vrias vantagens . Ele realiza uma medida sem nenhum contato e
pode ser usado com qualquer material para o alvo, desde que este apresente uma resistividade
menor do que 100 Ohms-cm. O sensor robusto e pode ser sujeito a choque operar em ambiente
de muita vibrao. Pela o exame da equao (2.9) para sensibilidade S, mostra que a constante
dieltrica K somente o parmetro que pode mudar com a temperatura. Desde que K constante
para o ar para um grande intervalo de temperatura, o sensor de capacitivo tem excelente
caractersticas de temperatura.
A mudana da impedncia capacitiva ZC normalmente medida com o circuito mostrado
na figura 2.5). A cabea, a blindagem e o anel de guarda so alimentado com uma fonte de
voltagem AC com corrente constante. Um oscilador digital fornece uma freqncia constante em
15.6 kHz utilizado para alimentar esta fonte e como referncia de freqncia para o detector
sncrono. A queda de voltagem atravs da cabea sentida com o um pr-amplificador de baixa
capacitncia . O sinal do pr-amplificador ento amplificado com um ganho fixo por um
amplificador de instrumentao. O sinal do amplificador de instrumentao retificado e
fornecido ao detetor sncrono . Aps a filtragem (para eliminar riple de alta freqncia) e
linearizao adequadas o sinal entregue ao circuito de sada com ajustes de ganho e de off-set).
Detetor
Sncrono
Pr amplificador
Filtro
Circuito de
Linearizao
Amplificador
de sada
Probe
Ganho
Fonte AC de
corrente constante
Oscilador de
referncia
Fonte de Alimentao
Offset
Figura 2.5) Diagrama esquemtico de um sistema de medida para uma sensor capacitivo
2.2.3) Indutivo
Outro sensor bastante utilizado para medida de pequenas distncias o sensor baseado nas
correntes de Eddy que so induzidas numa superfcie condutora quando as linha de fluxo
magntico interceptam com a superfcie condutora, como ilustrado na figura 2.6).
Alvo
Bobina
inativa
Demodulador de ponte de
impedncia e Fonte de
alimentao de alta freqncia
Sada
Bobina
ativa
Deslocamento
Figura 2.6) Diagrama esquemtico para um sensor indutivo
A magnitude das corrente de Eddy produzidas na superfcie do material condutor uma

funo da distancia da bobina ativa e a superfcie. As corrente de Eddy aumentam quando a
distncia diminui.
A mudana nas corrente de Eddy so sentidas com uma ponte de impedncia. As duas
bobinas formam os dois braos da ponte. Os outros dois braos so referncia de impedncia do
circuito de condicionamento. A primeira bobina no sensor (bobina ativa) que muda a sua

indutncia com o movimento do alvo, ligada no brao ativo da ponte. A segunda bobina ligada
no brao oposto da mesma ponte. A sada da ponte demodulada e fornece um sinal analgico que
linearmente proporcional a distancia do sensor ao alvo.
A sensibilidade do sensor fortemente dependente do material do alvo, onde uma alta
sensibilidade est associado com materiais de alta condutividade. A sada do sensor indutivo
normalizado com relao ao alumnio para os principais elementos normalmente presente no alvo
mostrado na figura 2.6). Para um alvo de alumnio a sensibilidade tpica de 4V/mm.
S
a
d
a
c
o
m
r
e
l
a
o
a
o
a
l
u
m
n
i
o
Prata
Cobre
1.2
Ouro
Condutor perfeito (=0)
Magnsio
Estanho
1.0
Alumnio
.8
Sada para materiais

no magnticos
Fsforo
Bronze
80%Ni-Fe
Nquel
.6
Ao 1030
Ao 416
.4
Materiais Magnticos
Materiais no Magnticos
.2
Grafite
0
1
10
100
1000
Resistividade em microhms-cm
Figura 2.6) Sada relativa de um sensor de corrente de Eddy como funo
da resistividade do material do alvo.
A influncia da temperatura na sada do sensor pequena devida ao arranjo diferencial

proporcionado pelas duas bobinas . A maior causa dessa dependncia devido ao fato de a
resistividade do material do alvo varia com a temperatura. Para o alumnio como alvo, o sensor
apresenta uma sensibilidade temperatura de 0.0022%/C.
Da mesma forma que o sensor indutivo, o intervalo de operao do sensor depende do
dimetro da bobina ativa. A relao intervalo/dimetro normalmente igual 0.25 e a resposta em
freqncia da ordem de 20-50 Khz.
2.2.4) Relutncia varivel

Outros sensores de deslocamento baseiam-se na variao do acoplamento entre
indutncias.
O mais conhecido sensor que se baseia neste princpio para fornecer uma sada proporcional ao
deslocamento linear, o linear variable differential transformer (LVDT). A figura 2.7 mostra
uma ilustrao de um LVDT. Este consiste de trs bobinas simetricamente espaadas ao redor de
um ncleo contendo um cilindro de um material magntico. O cilindro magntico quando se move
ao longo do ncleo sem contado, provoca a mudana no fluxo magntico que liga a bobina central
e as laterais. Desta forma a posio do cilindro controla a indutncia entre as bobinas central e
laterais.
Bobinas
laterais
ac
Sentido do
movimento
Ncleo
Bobina
central
v0
Figura 2.7) Vista transversal de um LVDT
Quando uma voltagem de excitao AC aplicada na bobina central, voltagens so

induzidas nas bobinas laterais. As bobinas laterais so ligadas em srie e de fase oposta, como
mostra a figura 2.8). Quando o ncleo est centrado entre as duas bobinas laterais, a voltagem
induzida nestas so iguais e de fase oposta, de maneira que a voltagem de sada v0, como tomada
do arranjo em srie-oposta das bobinas, ser nula. Quando o ncleo movido do sua posio
central , ocorre um descasamento na indutncia mtua entre a bobina central e as bobinas laterais e
uma sada diferente de zero aparecer em v0.
A voltagem de sada e linear para o intervalo de operao do LVDT, que na prtica se situa
entre 2 mm, para os chamados short-stroke LVDTs de alta sensibilidade (0.2 V/mm por volts de
excitao), e 150 mm, para os chamados long-stroke LVDTs de baixa sensibilidade (0.02 V/mm
por vots de excitao). As freqncias de excitao se situam entre 50 Hz e 25 KHz. Para
aplicao de alta resposta em freqncia deve se usar uma freqncia de excitao de no mnimo
10 vezes maior de que a freqncia de deslocamento a ser medida. A tabela 2.1) mostra as
caractersticas tpicas de alguns LVDT.
Primrio
vs
c
l
e
o
Secundrio
v1
Secundrio
v2
v0
Figura 2.8) Diagrama esquemtico de um circuito LVDT
Voltagem de
sada
A
O
Ncleo em A
Ncleo em O
Ncleo em B
Figura 2.9) Voltagem de sada em funo da posio do ncleo

Desde o LVDT um sensor passivo este requer uma fonte de excitao em uma
determinada freqncia diferente da fonte de alimentao, um circuito condicionador de sinais
necessrio para sua operao. Uma configurao tpica de um circuito condicionador mostrado
na figura 2.10)
O LVDT tem vrias vantagens quando comparado com os outros mtodo de medida de
deslocamento. Uma delas no contato entre o ncleo e as bobinas, eliminando, portanto, as
frices e histereses. Isto permite um maior estabilidade e um maior tempo de vida para o sensor.
E ainda a pequena massa do ncleo associada a ausncia de frices proporciona uma resposta
mais rpida. Outra vantagens a no limitao mecnica de final de curso, o que permite ao
sensor que uma medida atinja eventualmente um valor em excesso, sem danos para o mesmo.
Tabela 2.1) Caractersticas Tpicas de LVDTs
Obs: ** 1 mil = 0.001 polegadas

* necessario ncleo
reduzido
Modelo
0.050
0.100
0.200
0.300
0.400
0.500
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
Sensibilidade
Percentagem do fundo de escala

50
100
125
150
(pol.)
(mm)
050 HR
100 HR
200 HR
300 HR
400 HR
500 HR
1000 HR
2000 HR
3000 HR
4000 HR
5000 HR
Linearidade %
Intervalo Linear
1.25
2.50
5.00
7.50
10.00
12.50
25.00
50.00
75.00
100.0
125.0
0.10
0.10
0.10
0.10
0.15
0.15
0.25
0.25
0.15
0.15
0.15
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.35
0.35
0.35
1.00
0.50 *
0.50 *
0.50 *
1.00 *
0.50
0.50
0.50
0.50
0.60
0.75
1.30 *
1.00 *
1.00 *
1.00 *
-
mV/V.mil **
mV/V.mm
6.30
4.50
2.50
1.40
0.90
0.74
0.39
0.24
0.27
0.22
0.15
248.0
177.0
100.0
55.0
35.0
30.0
15.0
10.0
11.0
10.0
6.0
Impedncia
()
Primrio Secundrio
430
1070
1150
1100
1700
460
460
330
115
275
310
4000
5000
4000
2700
3000
375
320
330
375
550
400
Fonte de
Alimentao
Gerador de
Freqncia
LVDT
Demodulador
Amp. DC
Figura 2.10 Diagrama de bloco de uma circuito tpico de condicionamento de sinal de LVDT
2.3) Sensores de Nvel

A medida de nvel de lquidos e slidos feita atravs de sensores de nveis. A medida de
nvel normalmente feita com a material contido em um reservatrio ou um tanque. Vrias
tcnicas
de medidas existem e alguma destas ns descreveremos a seguir.
Mecnica
Uma das tcnicas mais comum para medidas de nvel, particularmente para lquidos, o
que utiliza boia que se move para cima ou para baixo com a mudana do nvel do lquido. Esta
boia, como mostrado na figura 2.11, conectada a algum sistema de medida de deslocamento, tal
como um potencimetro ou um LVDT.
Boia
Sensor de
deslocamento
Lquido
Figura 2.10) Medida de nvel por boia e sensores de deslocamento
Eltrico
Existem vrios mtodos de puramente eltricos para medida de nvel. Por exemplo, um
mtodo pode usar a condutividade especfica do lquido ou slido para variar a resistncia vista de
um probe colocado no material. Outra tcnica comum ilustrada na figura 2.11). Neste caso dois
cilindros concntricos so inserido no lquido. O nvel do lquido cobre parcialmente o espao
entre os dois cilindros e restante fica preenchido com ar. Este dispositivo configurado desta forma
funcionar como dois capacitores em paralelo, senso um deles com uma constante dieltrica do ar
( 1) e o outro com a constante dieltrica do lquido. Desta forma, uma variao do nvel do
lquido causar uma variao na medida da capacitncia eltrica entre os dois cilindros.
O circuito de condicionamento deste sistema muito simples e fcil de ser implementado,
pois a capacitncia a ser medida apresenta uma grande variao, dispensando, desta forma,
circuitos mais complexos de ponte capacitiva.
Cilindros
Lquido
Figura 2.11) Medida de nvel atravs de dois capacitores concntricos

Ultrasnico
O uso da reflexo ultrasnica para medida de nvel favorvel por esta uma tcnica no
evasiva, isto , ela no envolve em colocar nenhuma parte no material. A figura 2.12 a) e a
figura 2.12 b), mostram as tcnicas interna e externa. obvio, que a tcnica externa mais
adequada para a medida de nvel de material slido. Em ambos os casos a medida depende do
tempo gasto na reflexo do pulso ultrasnico na superfcie do material.
Lquido
Lquido
T
a)
R
b)
Figura 2.12) Medida de nvel ultrasnica a) externa b) interna
Presso
A medida de nvel tambm possvel ser feita sem contato se a densidade do material
conhecida. Este mtodo baseado na relao bem conhecida entre a presso na base de uma

reservatrio e a altura do lquido. Esta presso depende somente da altura do lquido e da
densidade do lquido (massa por unidade de volume). Em termos de uma equao, se um lquido
est contido em um reservatrio, ento a altura da base do reservatrio a superfcie do lquido pode
ser expressa por
h=
(2.10)
onde
h = altura do lquido em m
= densidade em Kg/m3
g = acelereao da gravidade (9.8 m/s2)
p = presso em Pa (pascal)
Desta forma atravs de um sensor de presso colocado na base do reservatrio pode de
medir o nvel do lquido com o uso da equao (2.10). A figura 2.13) ilustra uma sistema de
medida de nvel atravs de medida de presso.
Lquido
Altura h
ou nvel
Sensor de
presso
Figura 2.13) Medida de nvel atravs de um sensor de presso
2.4) Sensores de Tenso

Tenso (strain) o resultado da aplicao de foras a um objeto slido. As foras so
definida em um modo especial descrita pelo termo geral presso (stress). Antes de falarmos em
sensores de tenso (strain gauge) apresentaremos algumas definies
Definies
Os slidos so aglomerados de tomos no qual a espaamento atmico tem se ajustado
para manter o mesmo em equilibrio com todas as foras aplicadas. Estes espaamento determina
as dimenses fsicas do slido. Se as foras aplicadas mudam os tomos do objeto se arranjam
novamente para outra condio de equilbrio, resultando numa mudana das dimenses fsicas que
referida como deformao do slido.
O efeito das foras aplicadas referida como presso (stress) e a deformao resultante
como tenso (strain). Para facilidade de um tratamento analtico apropriado do assunto, presso e
tenso so cuidadosamente definidos para enfatizar as propriedades do material sob stress e o tipo
especfico de presso aplicada. A seguir mostraremos as trs definies mais importantes.
Tenso e Presso de trao

Na figura 2.14), a natureza de uma fora de trao mostrada como uma fora aplicada ao
material de modo a alonga-lo ou separa-lo. Neste caso, a presso de trao definida como
Presso de trao = F/A
(2.11)
onde
F = fora aplicada em N
A = rea da seo transversal da barra em m2
Ns observamos que a unidade da presso de trao N/m2 no SI de unidade ( ou lb/in2 na
unidade Inglesa)
A tenso neste caso definida como a mudana relativa no comprimento da barra
Tenso de Trao () = l/l
onde
l = variao no comprimento em m (in)
l = comprimento original em m (in)
Assim a tenso uma quantidade adimensional.
(2.12)
A = rea da seo
transversal
F
l
Figura 2.14) Trao aplicada a uma barra
Tenso e Presso de compresso

Na figura 2.15), a natureza de uma fora de compresso mostrada como uma fora
aplicada ao material de modo a separa-lo. Neste caso, a presso de compresso definida como
Presso de Compresso = F/A
(2.13)
onde
F = a fora aplicada em N
A = a rea da seo transversal da barra em m2
Novamente a tenso (strain) de compresso definida como a mudana relativa do
comprimento da barra
Tenso de Compresso () = l/l
(2.14)
onde
l = a variao no comprimento em m (in)
l = o comprimento original em m (in)
A = rea da seo
transversal
F
l
Figura 2.15) Compresso aplicada a uma barra
Tenso e Presso de ciso

Na figura 2.16), a natureza de uma fora de ciso mostrada como uma fora
aplicada ao material de modo a parti-lo . Neste caso, a presso de ciso definida como
Presso de ciso = F/A
(2.15)
onde
F = a fora aplicada em N
A = a rea da seo ciso em m2
A tenso neste caso definida como uma variao
Tenso de ciso () = x/l
(2.16)
x
F
rea A
l
F
F
a) Tenso de ciso aplicada
b) Deformao devido a Tenso de ciso
Figura 2.16) Presso de ciso aplicada a um objeto
Curva presso x tenso

Se uma amostra especfica de um certo material sujeita a uma tenso num certo intervalo
de valores, um grfico semelhante ao mostrado na figura 2.17) resulta. Este grfico mostra que a
relao entre tenso e presso linear at um certo valor de presso aplicada. Neste intervalo
linear o material est na sua regio elstica, de maneira que, retirando-se a presso aplicada as
deformao desaparece totalmente. Aps este intervalo alguma deformao permanecem mesmo
sem a presso aplicada. Se a presso continuar aumentando, existir um certo valor que o material
de quebra ou cisalha.
T
e
m
s
Regio
linear
Presso
Figura 2.17) Curva tpica de tenso x presso

Unidades de tenso
Embora tenso seja uma grandeza adimensional, comum expressar a tenso como a
razo de duas unidades de comprimento, por exemplo, como m/m ou in/in; como os valores
prticos de tenso so pequenos , tambm comum utilizar o prefixo micro (). Neste sentido uma
tenso de 0.001 ser expressa por 1000 m/m ou 1000 in/in. Em geral, o menor valor de tenso
encontrado na prtica situa-se na faixa de unidades de m/m. Como a tenso adimensiaonal, no
h necessidade de converso de unidade.
Princpio Strain Gauge (Gage)

O princpio Strain Gauge (SG) baseado na fato de que um material condutor sujeito a
tenso muda sua resistncia eltrica.
O Strain Gauge de resistncia eltrica so de filme metlico com uma geometria de
dobras, como indicado na figura 2.18). O processo de fabricao do strain gauge permite que se
fabrique uma quantidade enorme de formatos disponvel no mercado, para uso nas mais diversas
aplicaes. Os tamanhos dos SG variam de 0.2m a 100mm.
A sensibilidade a tenses do SG de metais foi primeiro observado em cobre e ferro pelo
Lorde Kelvin em 1856 . Para a compreenso deste princpio faremos a anlise a seguir.
sabido que a resistncia de um condutor metlico pode ser expressa por
R=
L
A
(2.17)
onde
= resistncia especfica do metal

L = comprimento do condutor
A = rea da seo transversal do condutor
diferenciando a equao (2.17) e dividindo por R, resulta
dR/R = d/ + dL/L - dA/A
(2.18)
O termo dA/A representa a variao relativa na rea da seo transversal do condutor devido a
tenso exercida sobre o mesmo. Para o caso de uma tenso de trao axial, temos que
a = L/L = dL/L
e t = - a = - dL/L
(2.19)
onde
a = tenso axial no condutor
t = tenso transversal no condutor
= razo de Poisson do metal usado no condutor
Se de dimetro do condutor d0, antes da aplicao da tenso, ento o dimetro do condutor sob
tenso df
df = d0 (1- dL/L)
(2.20)
da equao (2.20) fcil verificar que

dA/A = - 2 dL/L + 2 ( dL/L)2 -2 dL/L
(2.21)
e, finalmente, substituindo a equao (2.21) na equao (2.18), vem

dR/R = d/ + dL/L(1+2)
(2.22)
que pode ser escrita como

Sa (dR/R)/ a = d/( a ) + (1+2)
(2.23)
onde a quantidade Sa definida com a sensibilidade do metal ou liga usada no condutor.

A equao (2.23) mostra que a sensibilidade do metal ou da liga o resultado da mudana
nas dimenses do condutor , como expresso pelo o termo (1+2), e pelo mudana na resistncia
especfica, como expresso pelo termo d/( a ). Estudo experimentais mostram que a
sensibilidade Sa, apresentam valores na faixa de 2 4 para a maior parte das ligas metlicas usadas
na fabricao de strain gauge. Alm disso a quantidade (1+2) aproximadamente igual 1.6 para
a maior parte destes materiais, o que significa que o termo d/( a ) contribui com um valor entre
0.4 2.4. O aumenta na resistncia especfica resultado da variao do nmero de eltrons livres
e na sua mobilidade com a tenso aplicada.
Uma lista da ligas mais comum empregadas na fabricao de SG, juntamente com a sua
sensibilidade, mostrado na tabela 2.2). Os SG mais comuns so fabricados com liga de cobrenquel como Constantan.
A maior parte dos SG so do tipo filme metlico com dobras (veja a figura 2.18) ), onde
este formato feito com processos de foto corroso (photoetching). Como este processo
verstil , uma grande quantidade de formatos est disponvel para as mais variadas aplicaes. O
SG mais curto disponvel da ordem de .2mm; e o mais longo cerca de 100mmm. Os valores de

resistncias padres so de 120 e 350 Ohms. Outros valores para aplicaes especiais de 500,
1000, e 5000 Ohms so tambm disponveis.
Um SG exibe uma variao na resistncia R/R que relacionada com a tenso aplicada
pela expresso
R/R = Sg .
(2.24)
onde Sg o fator de gauge ou a constante de calibrao do SG. O fator de gauge Sg sempre

menor do que a sensibilidade da liga metlica devido ao formato de construo do SG (veja figura
2.18) ).
Tabela 2.2) Sensibilidade a tenses Sa para as ligas mais comuns.
Material
Composio(%)
SA
Constantan
Nicromo V
Isoelstico
Karma
Armour D
Platina-tungstnio
45 Ni, 55 Cu
80 Ni, 20 Cu
36 Ni, 8 Cu, 0.5 Mo, 55,5 Fe
74 Ni, 20 Cr, 3 Al 3Fe
70 Fe, 20 Cr, 10 Al
92 Pt, 8 W
2.1
2.1
3.6
2.0
2.0
4.0
Sensvel
T
r
a
n
s
v
e
r
s
a
l
axial
Insensvel
Figura 2.18) Formato tpico de um SG
Strain Gauge de semicondutor so tambm disponvel. Estes apresentam uma alta

sensibilidade negativa (isto , a resistncia diminui com a tenso aplicada) Sg , da ordem de -50
-200, mas por outro lado, so altamente no linear.
Fator de Cross-sensibilidade
Como vimos anteriormente, a sensibilidade de um condutor de comprimento uniforme foi
definida como
Sa = dR/(.R) R/(.R)
(2.25)
Em um SG tpico, o condutor tem um formato na forma de dedos (ver fig.2.18) afim de

manter o comprimento do condutor pequeno. Alm disso, o condutor no uniforme em todo o
seu comprimento. Isto resulta no fato de que a sensibilidade do condutor no igual a constante de
calibrao do SG, Sg (fator de gauge).
Para um melhor compreenso da resposta de um SG, vamos supor que este esteja sujeito a
tenso biaxial (axial e transversal). Nesta situao, temos
R/R = Sa . a + St . t + Sc . c
(2.26)
onde
a
t
c
Sa
St
Sc
= a tenso (strain) ao longo do eixo axial do SG

= a tenso (strain) ao longo do direo transversal do SG
= a tenso (strain) de ciso associada as direo a e t
= a sensibilidade do SG tenso axial
= a sensibilidade do SG tenso transversal
= a sensibilidade do SG tenso de ciso
O terceiro termo no segundo membro da equao (2.26) ( Sc . c ), muito pequeno pode

ser desconsiderado. Entretanto, a sensibilidade do SG a tenses transversais, St, no pequena e
no pode ser desprezada; portanto os fabricantes fornecem um fator de sensibilidade transversal ou
fator de cross-sensibilidade, Kt para cada SG, que definido como
Kt = St / Sa
(2.27)
se a equao (2.27) substituida na equao (2.26) com Sc = 0, resulta

R/R = Sa (a + Ktt)
(2.28)
e como a sensibilidade do SG expressa em termos de um fator de gauge Sg , como visto

anteriormente
R/R Sg a
ento, da equao (2.28) e (2.29), vem
(2.29)

Sg = Sa (1 + Ktt/a)
(2.30)
O fator de gauge determinado pelo fabricante pela medida R/R para uma amostra de
SG extrada de cada lote de produo. No processo de calibrao, as amostras so montada sobre
um eixo com razo de poisson conhecida e igual 0 = 0.285. Uma tenso axial a conhecida
aplicada ao eixo que produz uma tenso transversal t dada por
t
oa
(2.31)
Assim, substituindo a equao (2.31) na equao (2.30), resulta
Sg = Sa (1-o Kt)
(2.32)
A forma simplificada de R/R versus a indicado pela equao (2.24) normalmente usada
para o clculo da resposta do SG. importante notar que esta equao aproximada a menos que
Kt ou t seja igual a zero.
Exerccio:
Calcule o erro cometido na valor verdadeiro de a em considerar Sg =Sa e em no levar em
conta a tenso transversal t no SG que apresenta um fator de cross-sensibilidade igual Kt.
2.5) Sensores de Movimento

Uma classe de especial de sensores usada para medida de velocidade e acelerao de
objeto no processo industrial e em testes. Normalmente, estas variveis no esto sob um contrle
especfico mas so usados para avaliar o desempenho, durabilidade, e modos de falhas de produtos
fabricados e processo que os produzem.
sensor de velocidade
sensor de acelerao
2.6) Sensores de Presso
3) Sensores pticos
3.1) Introduo
A tecnologia tica um tema bastante vasto cobrindo assuntos que vo de ptica
geomtrica , incluindo lentes, prismas, grades de difrao at tica fsica com laser, giroscpio de
fibra tica, converso de freqncia, e fenmenos no lineares. Estes assuntos so muitos
interessantes, mas no momento o nosso interesse familiarizar-mos com os princpios ticos e o
conhecimentos de uma transduo especifica com o uso de sensores ticos.
Antes de falarmos sobre sensores ticos propriamente , faremos um breve resumo de
alguns conceitos relacionados com a medidas de grandezas ticas ou genericamente falando, de
radiao em geral.
3.2) Fundamentos da Radiao

Ns estamos familiarizados com a radiao eletromagntica (EM) como luz visvel. A
radiao EM em outras formas tais como, sinais de rdio e TV e luz infravermelho e ultravioleta
nos tambm familiar. Entretanto, a maioria de ns no conseguiria responder se fosse perguntado
para dar uma descrio completa de tais radiaes incluindo critrios de medidas e unidades.
3.2.1) Natureza da Radiao eletromagntica

A radiao EM uma forma de energia em movimento, ou melhor, esta se propaga pelo
espao. Um objeto que libera ou emite tal radiao perde energia. E aquele que absorve radiao
ganha energia. Desta forma nos devemos descrever como esta energia se apresenta como radiao
EM.
Freqncia e comprimento de onda

O termo radiao eletromagntica sugere que esta forma de energia esteja intimamente
relacionado com eletricidade e magnetismo. De fato estudos mostram que os fenmenos eltricos
e magnticos produzem radiao EM. A radiao se propaga pelo espao de uma maneira anloga
ao de ondas de gua propagando-se de algum distrbio na sua superfcie. Como tal, definido
ambos freqncia e comprimento de onda da radiao. A freqncia representa a oscilao por
segundo quando a radiao passa por algum ponto fixo no espao. O comprimento de onda
representa a distancia espacial entre dois mximo ou dois mnimos sucessivos da onda na direo
de propagao.
Velocidade de propagao
a radiao EM propaga-se pelo vcuo com uma velocidade independente da freqncia e
do comprimento de onda. Neste caso, a velocidade dada por
c = . f
(3.1)

onde
c = 2.999 x 108 m/s 3 x 108 m/s = velocidade da radiao EM no vcuo
= comprimento de onda em metros
f = freqncia em hertz (Hz)
Quando tal radiao move-se atravs de meio que no o vcuo, a velocidade de propagao
reduzida para um valor menor de que c. A nova velocidade est relacionado com o ndice de
refrao do meio que definido por
n=
c
v
(3.2)
onde
n = o ndice de refrao do meio
v = a velocidade da radiao EM no meio.
Unidade de comprimento de onda
A descrio mais consistente da radiao EM via a sua freqncia ou o seu comprimento
de onda. Para muitas aplicaes, esta especificao feita atravs da freqncia da radiao, como
em um sinal de 100 MHz de rdio ou de 1 GHz de microonda. Por conveno, entretanto, tem se
tornado mais comum descrever a radiao EM pelo seu comprimento de onda. Isto
particularmente verdadeiro perto da banda visvel. A unidade usada metros com os prefixos
associados. Assim, por exemplo, um sinal de 10 GHz descrito por um comprimento de onda de
30 mm.
Outra unidade comumente encontrada o Angstrom (A), definido como 10-10 m. assim, a
luz vermelha descrita como uma radiao EM como tendo um comprimento de onda de 0.7 m
ou 7000 A.
Espectro da radiao EM
O espectro da radiao EM mostrado na figura 3.1). Este espectro vai desde ondas longas
de rdio ao raios csmicos de onda extremamente curta. O estudo das propriedades e
caractersticas destas radiaes, como elas interagem com os dispositivos, e as caractersticas das
fontes e receptores de radiao, chamado de Radiometria. Na radiometria, ns medimos
radiaes com dispositivos eletrnicos, e o resultados dessas medidas so expressadas em unidade
da fsica (como, watts, watts/m2, etc). A cincia da radiometria relativamente nova. Ela nasceu
com o surgimento da tecnologia eletrnica no comeo do sculo.
O espectro do radiometria inclui comprimentos de onda de 400 a 700 nm, o intervalo da
luz visvel. A grande maioria dos dispositivos optoeletrnicos operam neste intervalo cujo o
principal objetivo interagir e comunicar com os seres humanos. Portanto, o receptor final o
olho humano. A cincia que trata com a luz visvel e sua percepo com a viso humana
chamada de Fotometria.

Aplicao
f(Hz)
KHz 10
(m)
Regio Espectral
106
105
VLF (very low frequency)
104
Audio
104
105
103 km
MHz 106
Rdio
102
107
LF (low frequency)
MF (medium frequency)
HF (high frequency)
101
108
Televiso
Infravermelho
VHF (very high frequency)
1m
9
GHz 10
UHF (ultra high frequency)
10
10
Radar
700 nm
-1
10
SHF (super high frequency)
10-2
1011
650 nm
EHF (extremely high frequency)
10
-3
THz 1012
10-4
Aquecimento 1013
Infravermelho
600 nm
INFRAVERMELHO
10-5
1014
10-6
Iluminao
1015
10-7
ULTRAVIOLETA
1016
10-8
1017
10-9
10
F
o
t
550 nm o
m
e
t
500 nm r
i
a
R
a
d
i
o
m
e
t
r
i
a
450 nm
18
RAIO-X
10-10
400 nm
1019
10-11
1020
10-12
10
RAIOS GAMMA
ULTRAVIOLETA
21
10-13
1022
RAIOS CSMICOS
Figura 3.1) Espectro de radiao eletromagntica

A fotometria, ao contrrio da radiometria, uma cincia antiga, criada por cientistas e
artistas no sculo dezenove. Existem diferenas fundamentais entre a radiometria e a fotometria. A
mais significante involve o dispositivo receptor ou de medida. Na radiometria, as medidas so
feitas com dispositivos eletrnicos objetivos; na fotometria, a medida feita pelo o olho humano.
Outra diferena, que, na fotometria as unidades de medidas usadas so diferentes: a potncia de
luz (fluxo luminoso) medida em lmens (1 watts = 683 lmens) , ao invs de watts, e a
densidade de potncia medida em lux, ao invs de watts/m2.
3.3) Sensores pticos

Os Sensores pticos so um tipo especial de detetor de radiao que responde a esta
radiao no intervalo que compreende desde o infravermelho at o ultravioleta. Nesta seo ns
faremos um resumo dos vrios tipos de detetores de radiao no importando o intervalo de
operao na regio espectral da radiao EM.
3.3.1) Caractersticas e Classificao dos Detetores de radiao

Caractersticas
Vrios termos e parmetros so necessrios para descrever as caractersticas do detector.
Os mais importantes so descritos abaixo
Responsividade (RE) - Descreve a figura de mrito do sistema de deteo. aplicado
para o detector que responde a radiao produzindo na sua sada um sinal, na forma de corrente ou
voltagem. A responsividade a razo da sada com a radiao de entrada:
RE =
V0
I
ou
I0
I
(3.1)
onde
RE
V0
I0
I
=
=
=
=
a responsividade (V/W), (V/l), (A/W),ou (A/lm)

a voltagem de sada do detetor (V)
a corrente de saida do detetor (A)
a radiao ou o fluxo luminoso aplicado (W), (lm)
A responsividade pode ser especificada (calculada) para um comprimento de onda

especfico ou integrada para um intervalo de comprimento de onda.
Potncia de rudo equivalente (NEP) - uma figura de mrito de um detetor e descreve

o menor nvel de radiao detectvel. De forma mais precisa o NEP a potncia de radiao de
entrada que produz na sada do detetor uma razo sinal/rudo igual a 1 ou 0 dB.

Assim, admitindo que a corrente de rudo (ou tenso) igual a IN (rms) o NEP pode ser
calculado como segue
temos
S/N = 1 = I0/IN = RE x NEP/ In
(3.2)
NEP = IN/RE
(3.3)
logo
onde
NEP = a potncia de rudo equivalente (W)
RE = a responsividade (A/W) ou (V/W)
IN = a corrente ou voltagem de rudo (a) ou (V)
O NEP depende da rea do detetor e da largura banda de freqncia. Um menor NEP

indica que o detetor capaz de medidas mais sensveis. Desde que ns estamos acostumados a
usar maior nmero para maior figura de mrito, comum o uso do termo detectividade.
Detectividade - o recproco de NEP:
D = 1/NEP = RE/IN
(3.4)
Um detetor mais sensvel que pode detectar um menor nvel de radiao tem uma maior
detectividade que um menos sensvel. A detectividade, assim como NEP, tambm depende da
largura de banda e da rea do detetor. Para eliminar esta dependncia , uma figura de mrito
normalizada usada.
D* (pronuncia-se d estrela) - a detectividade normalizada para um detetor de rea igual
1 cm2 e largura de banda de rudo igual a 1 Hz:
D = D AD f = AD f
1
NEP
(3.5)
onde
D* = a detectividade normalizada (cm x Hz1/2/W)
AD = a rea do detetor (cm2)
f = largura de banda de rudo (hz)
Eficincia quntica - Descreve a eficincia intrnseca de um detetor. a razo do

nmero de fotoeltrons gerados com um nmero de ftons incidentes, em um dado comprimento
de onda. Um detetor ideal com uma eficincia de 1 produz 1 eltron por 1 fton incidente. A
eficincia quntica pode ser calculada da responsividade pelo seguinte equao:
= 1.24 103 RE
onde
(3.6)
= a eficincia quntica
RE = a responsividade no comprimento de onda (A/W)
= o comprimento de onda da radiao (nm).
Tempo de resposta - um fator crtico para muitos detetores, especialmente aqueles

usados em comunicao. Este pode ser expresso de duas maneira, como uma constante de tempo
ou como um tempo de subida e descida (rise-and-fall time).
A constante de tempo usada quando a resposta exponencial, que normamente o caso
com detetores trmicos. Este o tempo que o detetor requer para alcanar (1-1/e), ou 63%, do seu
valor final.
O tempo de subida e descida o tempo requerido para alcanar de 10% a 90% da resposta
final. A figura 3.2) ilustra este termos.
O tempo de subida e descida determina a maior freqncia do sinal que o detetor responde.
Uma boa aproximao do ponto -3dB da resposta em freqncia e o tempo de subida expresso
pelo seguinte equao:
f-3dB = 0.35/tR
(3.7)
onde
f-3dB = ponto -3dB da reposta em freqncia do detetor (Hz)
tR = o tempo de subida (s).
100%
100%
90%
90%
63%
50%
10%
10%
tempo
Tempo de subida
a)
Tempo de descida
tempo
Constante de tempo
b)
Figura 3.2) Definies do a) tempo de subida e descida e b) constante de tempo

Rudo no detetor - A eletricidade (fluxo de eltrons) e a radiao (fluxo de ftons) so
de natureza discretas. O fluxo destes portadores nestes fenmenos no constante mas exibe uma
variao randnicas. Desta forma, todo portadora de sinal nestes meios sempre contm uma
componente de freqncia randnica, chamada rudo.
O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo
mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da
natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. O rudo no sistema pode ser
gerado nas fontes de radiao, no detetor e tambm no circuito de condicionamento do sinal.
Vrios tipos rudo ento presentes no sinal, entre estes podemos citar:
Branco
Rudo trmico, Nyquist ou Johnson ----------- sempre presente no resistor

Branco
Rudo Shot ------------------------------------------- sempre presente no semicondutor
Branco
Rudo de gerao e recombinao --------------sempre presente no semicondutor
1/f
Rudo 1/f ou Flicker ---------------------------------sempre presente no semicondutor
e carbono
Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num
elemento resistivo. Este rudo gerado em todo resistor, no importando o tipo a construo. A
voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatura e da largura de
banda do sistema. (tabela 3.1)
Rudo Shot (Isrms) - gerada num fotodetetor (semicondutor), causada pelo natureza
discreta dos fotoeltrons gerados. A corrente de rudo depende da corrente mdia que passa atravs
do fotodetetor e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1)
Rudo de gerao e recombinaao (IGRrms) - gerada num fotocondutor (semicondutor),
causada pelas flutuaes na taxa de gerao, de recombinao , ou de armadilhas dos portadores de
correntes no fotocondutor ou semicondutor. Este tipo de rudo predominante em detetores
fotocondutivos operando no infravermelho. (tabela 3.1)
Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) - gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em
semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Este
depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no existe uma
equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). Este
rudo apresenta uma importante caracterstica: a densidade epectral de potncia do rudo
inversamente proporcional a freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia
abaixo de 100Hz e existe em todo semicondutor que necessita de uma corrente de polarizao para
sua operao.
O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio de todas as corrente ou
voltagem de rudo, como mostrado abaixo:
I Neq =
2
2
2
2
I Trms
+ I Srms
+ I GRrms
+ I Frms
(3.8)
Tabela 3.1) Rudos em detetores

Rudo
Trmico
Circuito
ITrms
VTrms = 4 kTRf
Frmula
ou
I Trms =
Parmetros
Shot
Gerao
Recombinao
ISrms
IGRrm
I Srms = 2qI medio f
IGRrms = 2qG EAf
q =carga do eltron
Imdia= corrente mdia
que atravessa o
fotodetetor
f = larg. da banda do
sistema
q =carga do eltron
G = n de eltrons
gerado/n de foton
=eficincia qun.
E =radiao incid.
A = rea do detetor
f = larg da banda
do sistema
4kTf
R
k = constante de
Boltzmann (1.38x10-23)
T = temperatura absoluta
f = largura da banda do
sistema
R = valor da resistncia
Flicker ou
1/f
IFrms
a
I Frms = C I DC
f
fb
C, a,b = constante
arbitrria
IDC = Corrente mdia
atravs do con.
f = freqncia de
operao
f = larg. da banda
do sistema
Classificao
Os detetores de radiao podem ser classificados em dois tipos, dependendo da sua

resposta espectral (O intervalo de comprimento de onda ou freqncia que o detetor responde).
Estes tipos so:
a) Detetor de banda larga;
b) Detetor de banda estreita.
Com relao ao princpio de operao os detetores podem ser divididos em vrios grupos.
A figura 3.3) mostra os vrios grupos de detetores segundo o princpio de operao. Os dois
grupos mais importante so:
a) Detetores Trmicos;
b) Detetores Fotoeltricos.

Detetores de
Radiao
Detetores
Trmicos
Detetores
Pneumticos
Detetores
Fotoeltrico
Golay
Termopar
Termopilha
Bolometro
Detetores
Qumicos
Detetores
Biolgicos
Filme
Fotogrfico
Olho
humano
Piroltico
Detetores com
efeito fotoeltrico
externo
Fotoclula
Vcuo
Foto
multiplicador
Detetores com
efeito fotoeltrico
interno
Multiplicador
microcanal
Fotodetetor
de juno
Fotodetetores
amplificados
FotoTRIAC
FotoSCR
Fototransistor
Fotocondutor
Fotodetetores
no
amplificados
FotoFET
CCD
Figura 3.3) Grupos de detetores de radiao
Clula
solar
Fotodiodos
4) Condicionamento de Sinais Analgicos

4.1) Introduo
A grande variedade de sensores necessria para transformar um grande nmero de varivel
existente num sistema de controle de processo em sinais eltricos analgicos produz um
igualmente grande nmero de sinais com caractersticas diferentes. Assim, o condicionamento de
sinais necessrio para converter tais sinais e ento interfaciar de forma adequada com outros
elementos no loop do controle de processo. Neste captulo, ns s estamos interessado com a
converso analgica, onde a sada condicionada ainda representada por uma varivel analgica.
Mesmo em aplicaes envolvendo processamento digital algum tipo de processamento analgico
requerido antes que a converso analgica-digital seja feita. A converso de sinais, que trata
sobre isto, ser discutido no prximo captulo.
4.2) Princpios de condicionamento de sinais analgicos

Um sensor mede uma varivel pela converso da informao acerca da daquela varivel em
um sinal dependente da natureza eltrica ou pneumtica. Para desenvolver tais sensores, ns
exploramos que algumas caracterstica do material, em circunstancias eventuais, so influenciadas
por alguma varivel dinmica. Conseqentemente, existe pouca escolha no tipo e no tamanho de
tal proporcionalidade. Por exemplo, uma vez pesquisado na natureza e achado que a resistncia de
sulfeto de cromo varia inversamente com a intensidade de luz, ns devemos aprender como
explorar este dispositivo para medida da intensidade de luz dentro das restries deste dispositivo.
O condicionamento de sinais analgicos proporciona a operao necessria para transformar a
sada de um sensor em uma forma necessria e adequada para interfaciar com outros elementos
do loop de controle de processo (figura 4.1). Ns limitaremos nossa a ateno a esta
transformao eltrica.
Sensor
Condicionamento
do
sinal
Converso
do
Sinal
Sada digital
Sinal sem necessidade

condicionamento
Sinal do sensor j est na
forma digital
Figura 4.1) Condicionamento do sinal

Ns quase sempre descrevemos o efeito do condicionamento de sinais pelo termo funo
de transferncia. Assim, um simples amplificador de voltagem tem uma funo de transferncia
uma constante que, quando multiplicado pelo sinal de entrada, dar o sinal de sada.

possvel categorizar um condicionamento de sinais em vrios tipos, como veremos a
seguir, estes principais tipos so:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Mudana no nvel;
Linearizao;
Converso;
Isolao;
Filtragem e
Casamento de impedncia.
Mudana no nvel
O deslocamento de nvel o mtodo mais simples e mais usado condicionamento de
sinais. Um exemplo tpico a necessidade de amplificar ou atenuar um nvel de voltagem.
Geralmente , em aplicaes de controle de processo resulta em sinais que variam lentamente com
o tempo (baixas freqncias), onde amplificadores DC ou de baixas freqncias podem ser
utilizados. Um fator importante na escolha destes amplificadores a sua impedncia de entrada.
Em controle de processo os sinais so sempre representativos de alguma varivel do processo, e
qualquer efeito de carregamento afetar o correspondncia entre o sinal medido e o valor da
varivel. Em alguns casos , tais como acelermetros ou detetores pticos, a resposta em freqncia
muito importante.
Linearizao
Como foi visto, o projetista tem pouca escolha sob a caracterstica de sada do sensor
versus varivel de processo. Normalmente a dependncia que existe entre a entrada de a sada
no linear. At mesmo aqueles dispositivos que so aproximadamente linear podem apresentar
problemas quando necessrio uma medida precisa de uma varivel. Uma das funes do
condicionamento de sinais a de linearizao da resposta do sensor.
Atualmente, com o surgimento de processadores de sinais digitais, os chamados DSP, faz
com que o projetista do sistema, em algumas aplicaes resolva por linearizar o sinal aps a
converso do mesmo no DSP.
A linearizao pode se realizada por uma amplificador cujo o ganho funo do nvel de
voltagem de entrada. Um exemplo de linearizao ocorre freqentemente para um sensor cujo a
sada uma funo exponencial de alguma varivel de dinmica de processo. A figura 4.2) ilustra
este tipo de comportamento onde a voltagem do sensor assumida ser exponencial com relao a
intensidade de luz I. Isto pode ser expresso por
VI = VO exp(-I )
onde
VI
V0
= a voltagem de sada na intensidade I

= a voltagem de sada na intensidade zero
= a constante exponencial
= a intensidade de luz
(4.1)

Para linearizar este sinal, ns empregamos um amplificador cuja sada varia no logartmico
natural ou inverso do sinal de entrada. Isto na prtica poderia ser implementado com um diodo
colocado na malha de realimentao de um amplificador operacional. Feito isto a sada pode ser
expressa por
VA = K ln(Vin)
(4.2)
onde
VA = a voltagem de sada do amplificador
K = a constante de calibrao
Vin = a voltagem de entrada do amplificador = VI [da equao (4.2)]
VI
V0
V
o
l
t
a
g
e
m
d
e
s
a
d
a
Varivel dinmica
Figura 4.2) Exemplo de uma sada no linear de um sensor
Substituindo a equao 4.1) na equao 4.2) e sendo Vin = VI, resulta

VA = Kln( VO ) KI
(4.3)
onde todos os termos j foram definidos

Desta forma a sada do amplificador variar linearmente com a intensidade e tendo uma
voltagem de offset Kln(Vo) e um fator de escala -K como mostrado na figura 4.3). Um
condicionamento de sinal posterior pode ser realizado para eliminar a tenso de offset.
VA
V
o
l
t
a
g
e
m
d
e
s
a
d
a
V arivel din m ica
Figura 4.3) Sada linearizada

Converses
Freqentemente, o condicionamento de sinais usado para converter um tipo de variao
eltrica em outra. Assim, como vimos anteriormente, uma grande quantidade de sensores fornece
mudana na resistncia quando a varivel dinmica muda. Neste caso, necessrio projetar um
circuito que converte variao de resistncia em sinal de corrente ou tenso. Quando a variao
pequena isto normalmente feito com um circuito na forma bem conhecida de ponte. Ou atravs
de um amplificador cujo ganho depende deste resistor, quando a variao for grande. O circuito de
ponte extremamente utilizado e por isso, mais adiante, faremos uma descrio deste mais
detalhada.
Outros tipos de converso so necessria devida a imposies do sistema, como por
exemplo, quando o sinal da varivel dinmica de interesse monitorada a distancia. Nestes caso,
comum converter o sinal em corrente no padro conhecido como 4-20mA. Nestes circuitos
conversores corrente x tenso e tenso x corrente so utilizados.
Quando a distancia maior ainda o uso da telemetria (medidas remotas de variveis
dinmicas) sem fio utilizada, e a converso do sinal numa forma de fcil propagao (modulao
AM, FM, etc.) feita.
Outra forma de converso comum em algumas aplicaes onde uma preciso, apenas
moderada exigida, converter o sinal em um sinal digital de intervalo de tempo, ou um em sinal
digital PWM (pulse width modulated). Desta forma possvel eliminar uma possvel converso
AD, e assim reduzir custos.

Isolao
Em alguma situaes na prtica possvel que o sinal do sensor contenha uma voltagem de
modo comum muito acima do valor mximo tolervel do circuito de condicionamento de sinal.
Nesta situao faz-se o uso de amplificadores isolados para interfaciar este sinal ao circuito de
condicionamento e aquisio de sinal.
Filtragem
Outra forma de condicionamento de sinal consistem em filtragem do sinal.
Freqentemente, sinais esprios de considervel intensidade esto presente em ambiente
industrial, tais como sinais da linha de 60 Hertz, transientes de motores e outros sinais
indesejveis. Em muitas situaes necessrio a utilizao de filtros passa altas, passa baixa ou
rejeita faixa para eliminar ou minimizar este sinais indesejveis. Estes filtro podem ser
implementados apenas com elementos passivos, como resistores, capacitores ,indutores, ou filtros
ativos, com o uso de amplificadores realimentados.
Casamento de impedncia
O casamento de impedncia uma caracterstica importante na interface entre sistemas,
quando um a impedncia interna do sensor ou a impedncia da linha podem causar erro na medida
da varivel dinmica. Neste caso, tanto malhas ativas ou passivas podem ser empregadas para
realizar tal casamento.
4.3) Consideraes sobre amplificadores operacionais - Tecnologias

essencial para o engenheiro projetista ser capaz de usar a tecnologia mais avanada e
mais adequada para possibilitar um melhor desempenho dos produtos desenvolvidos. Os
fabricantes de circuitos integrados, pelo fato de desejarem abocanhar uma maior fatia do mercado,
investem pesadamente no desenvolvimento de novas tecnologias do processo de fabricao e
novas configuraes de circuitos. E isto, acontece numa velocidade bem maior que o tempo de
vida dos Data Books e Data Sheets da bandada do projetista, de maneira que, se antes uma
atualizao se fazia necessrio, hoje (ano de 1997) tornou-se de vital importncia. Felizmente,
com a chegada da Internet, esta atualizao pode ser facilmente realizada, desde que voc esteja
plugado.
4.3.1) Tecnologia Bipolar

A tecnologia bipolar ainda, de longe, a tecnologia mais popular usada para desenvolver
amplificadores operacionais ( op. Amp.) e novas tecnologias bipolar de alto desempenho esto
sendo desenvolvidas continuamente (o a741 no reconheceria a tecnologia que est senso usada
hoje).
Os dispositivos projetados com tecnologia bipolar apresentam (hoje 1997) vrias vantagem

e desvantagem com relao aos outros dispositivos projetados com tecnologias, Bifet e Cmos. Na
tabela 3.1 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns
valores tpicos de parmetros e a lista dos principais fabricantes.
Tabela 3.1 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional bipolar
Amplificadores Operacional Bipolar

Desempenho
Tpico
Vantagens
Baixa e estvel correntes
de offset
Baixa voltagem de rudo
Alto ganho e preciso
Fonte simples ou bipolar
Correntes de bias estveis
Fabricantes
Desvantagens
Altas correntes de bias e
de offset
Desempenho AC limitado
VIO ----10V-7mV
VIO---0.1-10V/C
ib ------10-50 nA
ib----muito estvel
SR ----depende do
processo
Texas Instruments
National
Burr-browm
Analog Devices
As principais vantagens do amplificador operacional bipolar so:

Baixa e estvel voltagem de offset
Desde que os transistores bipolares so relativamente fcil de casar e o seu comportamento
com a temperatura e bem entendido, possvel projetar Op. Amp. Com voltagem de offset baixa e
estvel (baixo drift de offset). As voltagens de offset so devidos ao descasamento de Vbes e
diferentes correntes de coletor que passa atravs dos transistores do par de entrada. Atravs de
tcnicas de trimming, os projetos bipolares so disponveis hoje (1995) com voltagem de offset
to baixa quanto 10 V e drift menor do que 0.1uV/C.
Baixa voltagem de Rudo
Uma especificao de baixa voltagem de rudo mais importante do que a de baixa
corrente de rudo na maioria das aplicaes (por exemplo, adio) . Os Op. Amp. Bipolares

apresentam uma menor voltagem de rudo entre dispositivos disponveis comercialmente. A
voltagem de rudo de amplificador bipolar devido principalmente ao rudo trmico da resistncia
de spreading (rbb) de base e da resistncia de pequeno sinal (re = 1/gm) de emissor. Estes, e
outros fatores, podem ser otimizados para conseguir Op. Amp. com voltagem de rudo to baixa
quanto 2nV/Hz. Este desempenho impossvel de ser alcanado com amplificadores com
transistores FET de entrada. Quando interfaciando com fontes de sinal de alta impedncia
entretanto, estes amplificadores tornam-se inferior ao projeto com CMOS, devido a sua alta
corrente de rudo.
Alto ganho
A transcondutncia, gm, do transistor bipolar do estgio de entrada alta e portanto o
ganho de malha aberta relacionado tambm alto. Isto possibilita que projeto de circuito sejam
mais precisos que aqueles com Bifet e Cmos. O alto ganho, entretanto, significa uma malha de
compensao necessria para garantir estabilidade, o que no acontece com JFETs, permitindo
alcanar maior slew rate.
As principais desvantagens do amplificador operacional bipolar so:

Alto offset e correntes de bias (polarizao DC)
Devido ao estgio de entrada bipolar, as correntes de bias (efetivamente as correntes de
base dos transistores de entrada), so altas. O uso de vrias tcnicas tais como, uso de transistores
NPN superbeta, circuitos de cancelamento de corrente de bias, podem ser usadas para reduzir estas
correntes, entretanto ser muito difcil para o transistor bipolar competir com projetos FET a
temperatura ambiente (as corrente de estgios com FET dobram a cada 10 C).
As correntes de bias de projetos bipolares so, entretanto, muito mais estveis que a de
projetos com entrada FET. Em alta temperatura possvel at que as corrente de estgio com FET
sejam mais elevadas que com bipolar, particularmente com superbeta.
PNPs de baixo desempenho
Os transistores PNPs laterais so mais lentos ( e mais ruidoso) que os transistores NPNs no
mesmo processo. Uma tecnologia tpica bipolar produz PNPs com FT (largura de banda do
transistor) de 3 MHz, enquanto os NPNs tem FT de 150 MHz. Como muito difcil projetar um
dispositivo sem fazer uso de transistores PNPs, o desempenho AC global do amplificador
severamente limitado.
Para fugir desta imposio muito fabricantes desenvolveram tecnologias bipolar
complementar que tem PNPs verticais rpido com FTs similares aos do NPNs. O resultado que
Op. Amp. bipolar com produto ganho x banda do ordem de 1 Giga Hertz podem ser alcanado. A
Texas Instruments possui um processo bipolar chamado Excalibur que alm de possuir PNPs de
alto desempenho inclui outras caractersticas necessrias para o desenvolvimento de
amplificadores de alta performance.
4.3.2) Tecnologia Bifet

Os amplificadores operacionais Bifet foram introduzido no comeo dos anos 70 e hoje
(1997) ele esto entre os tipos de Op. mais comum. Eles so essencialmente Op. Amp. bipolar que
utilizam transistores de entrada JFETs canal p compatveis de alta voltagem.
Os dispositivos projetados com tecnologia bipolar apresentam (hoje 1997) vrias vantagem
e desvantagem com relao aos outros dispositivos projetados com tecnologias, Bipolar e Cmos.
Na tabela 3.2 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns
valores tpicos de parmetros e a lista dos principais fabricantes.
Tabela 3.2 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional Bifet
Amplificadores Operacional Bifet

Desempenho
Tpico
Vantagens
Baixa correntes de bias
e de offset
Baixa corrente de rudo
Bom desempenho AC
VIO ---500V-15mV
VIO--5-40V/C
ib --- -1-100 pA
ib---dobra a c/ 10C
SR --18V/s @ 3mA
Desvantagens
Pobre e instvel voltagem de
offset
Somente fonte bipolar
Baixo ganho
Alta voltagem de rudo
Fabricantes
Texas Instruments
National
Burr-brown
Analog Devices
As principais vantagens do amplificador operacional Bifet so:

Alta impedncia e baixas correntes de bias
A alta impedncia inerente dos transistores FET (JFETs) propicia Op. Amp. com

correntes de bias extremamente baixas. Isto acarreta vantagens significantes para muitas
aplicaes incluindo integradores, sample-hold e circuito tipo filtros. Entretanto, um cuidado
especial deve ser tomado em aplicaes envolvendo altas temperaturas, pois as correntes de bias
destes Op. Amp. dobram a cada 10 C com o aumenta da temperatura.
Desempenho AC melhorado
Quando os JFETs so utilizados na entrada de um Op. Amp., o resultado um que o
ganho diferencial do estgio de entrada ser bastante reduzido com relaco ao estgios com
bipolar. Portanto, o capacitor de compensao (que fornece estabilidade ao dispositivo) pode ser
reduzido resultando num aumento significativo no Slew rate . Para uma mesma corrente de
alimentao um Op. Amp. Bifet pode facilmente ter um Slew rate cerca de 5 (cinco) vezes maior
do que o equivalente bipolar.
Corrente de rudo reduzida
A corrente de rudo de entrada de Op. Amp. Bifet determinada pela rudo shot da corrente
de porta, que muito baixa a temperatura ambiente. Isto significa em baixa corrente de rudo de
entrada , que muito importante quando a impedncia da fonte de sinal muito elevada.
As principais desvantagens do amplificador operacional Bifet so:

Alto e instvel voltagem de offset
Projetos Bifet apresenta tipicamente maior voltagem de offset do que os equivalentes
bipolares. A caracterstica dc menos uniforme e o pobre drift trmico faz com que o casamento
dos transistores de entrada seja muito difcil. Estes tambm so muitos propenso a tenso
induzidas de encapsulamento de plstico. Os amplificadores Bifets de preciso so normalmente
disponveis em encapsulamento de cermica e metal.
A seleo tpica padro de Bifets em encapsulamento de plstico apresentam offset de 2
3mV e pobre estabilidade trmica. Projetos mais recente, tais como os da srie TL051 e TL031 da
Texas Instruments permite se obter novos nveis de preciso e estabilidade
Pobres especificaes de CMRR, PSRR e ganho de malha aberta

ganho reduzido do estgio de entrada dos Bifets, que responsvel pelo desempenho ac,
tambm causa uma reduo em vrios parmetros de ganho do dispositivos, que por conseguinte o
torna menos adequado para uso em projeto de preciso.

Um estgio de entrada FET apresenta uma maior voltagem de rudo e maior freqncia 1/f
quando comparado com dispositivos bipolares.
4.3.3) Tecnologia CMOS

Embora considerado originalmente ser bastante instvel para muitas funes lineares, a
Op. Amp. CMOS so hoje reconhecidos como uma alternativa real para muitos Op. Amp.
bipolares, Bifet e at em Op. Amp. isolados dieletricamente.
Com o avano da tecnologia, a partir de 1983, os primeiros Op. Amp. projetados com
processos CMOS avanados estavam disponveis no mercado. Assim os dispositivos projetados
com tecnologia CMOS apresentam (hoje 1997) vrias vantagem e desvantagem com relao aos
outros dispositivos projetados com tecnologias, Bipolar e Bifet. Na tabela 3.3 ns mostramos um
resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns valores tpicos de parmetros e a
lista dos principais fabricantes.
Tabela 3.2 - Vantagens e desvantagens de amplificadores operacional CMOS
Amplificadores Operacional CMOS

Desempenho
Tpico
Vantagens
Baixas correntes de bias e
corrente de rudo
Preciso
Chopper
Fonte simples e bipolar
VIO ---200V-10mV
VIO--1-10V/C
ib --- -1-10 pA
ib---dobra a c/ 10C
SR --3.6V/s@ .67mA
Desvantagens
Intervalo limitado de VDD

Alta voltagem de offset
Fabricantes
Texas Instruments
National
Burr-browm
Analog Devices
As principais vantagens do amplificador operacional CMOS so:

Operao com fonte simples
De longe a principal vantagem do uso de Op. Amp. CMOS sua excelente operao em
aplicaes em fonte simples. O uso de transistores PMOS no estagio de entrada e NMOS no

estgio de sada possvel conseguir amplificadores com intervalo de tenso modo comum que
incluem os valores limites da fonte de alimentao e o estgio de sada pode atingir o extremo
inferior da fonte de alimentao. Esta caracterstica juntamente com o seu baixo consumo
obviamente o torna ideal para aplicao com baterias.
Aplicaes em baixas voltagem e correntes de alimentao

Os Op. Amp. CMOS so capazes de operar com fonte de corrente de alimentao de
menos que 10 A e fonte de alimentao to baixa quanto 1.4 V. esta caracterstica o torna nico
para aplicao com baterias.
Alta impedncia de entrada e baixas correntes de bias

Da mesma forma que os Op. Amp. Bifet, o uso de transistor MOS no estgio de entrada
possibilita projetar amplificadores com alta impedncia de entrada e baixas correntes de offset e
bias. Op. Amp. CMOS so disponveis com correntes de entrada da ordem de 10 fA 25 C.
Entretanto, esta corrente dobra a cada 10 C com o aumento da temperatura.
As principais desvantagens do amplificador operacional CMOS so:

Intervalo de voltagem de alimentao limitada
Embora ideal para aplicao com fonte simples, a maior parte de transistores CMOS no
opera com tenso de alimentao maior que 16 V. Esta uma limitao para o uso deste
amplificadores em aplicao em instrumentao.
Voltagem de offset limitada

O melhor dispositivo CMOS pode alcanar voltagem de offset to baixa quando 200 V
que melhor que grande parte do Op. Amp. Bifet, mais no compete com os melhores projetos
bipolares. As voltagens de offset tpicas de Op. Amp. CMOS so da ordem de 2mV 10mV. A
estabilidade da voltagem de offset entretanto, melhor quando comparado com os projetos Bifet.
Amplificadores conhecidos como chopper amplifier, so disponveis em tecnologia
CMOS e alcanam o ultimato em preciso dc. As voltagem de offset mxima destes
amplificadores so to baixas quanto 1
V.

Da mesma forma que os Op. Amp. Bifet, um estgio de entrada MOS produz alta voltagem
de rudo e alta freqncia de corte 1/f , embora as corrente de offset sejam extremamente baixas.
Tecnologias mais recente j esto tornando possvel amplificadores com especificaes de ambas
voltagem e corrente de rudo baixas.
4.3.4) Macro modelos de dispositivos e Simulaes

Desde a introduo do amplificador operacional, modelos muitos simplificados de seu
comportamento tem sido usado para prever a sada do dispositivos quando excitados pelas vrias
formas de sinal de entrada.
O modelo mais simplificado o que utiliza o conceito de curto virtual (terra virtual um
caso particular). Este assume ganho e impedncia de entrada infinito (veja figura 4.4a) ). Este
modelo funciona razoavelmente bem com Op. Amp de alto desempenho com ganho de malha
aberta maior que 1 (um) milho (120 dB). Mas fornece um resultado no satisfatrio quando
deseja-se considerar outros aspectos no desempenho do Op. Amp., tais como os erros associados
com as entradas e sua resposta em freqncia.
Para aplicaes DC, a alta impedncia de entrada normalmente uma boa suposio, j
que quase todos os Op. Amp. tem impedncia de entrada maior que 1 M e o ganho de malha
fechada freqentemente baixo, de maneira que o amplificador opera com alto ganho de malha
aberta, de modo que este modelo uma boa aproximao. Teremos um modelo mais completo se
levarmos em contas a voltagem de offset, as correntes de bias e de offset, no modelo simplificado.
Todos estes so efeito dc, e pode descrever o comportamento do Op. Amp. razoavelmente bem,
entretanto, nenhum aspecto ac poder ser previsto.
O Op. Amp. pode ser considerado como um filtro passas baixas com um ganho enorme,
Ama, configurado com uma malha de realimentao negativa de ganho (veja figura 4.4b) ). A
equao do sistema como um todo ser dada por
Gmf =
Ama
1 + Ama .
(4.4)
onde
Gmf
Ama
V-
=
=
=
=
o ganho de malha fechada (Vout/Vin)

o ganho de malha de malha aberta
o ganho da malha de realimentao (V-/Vout)
a entrada no inversora do Op. Amp.
Usando o modelo acima aumenta consideravelmente a preciso do modelo mas pode

aumentar a complexidade de anlise, especialmente em sistemas com muitos Op. Amp.
Com o advento do Computador Pessoal (Personal Computer , PC), um modo muito
simples de fazer anlise de circuitos com Op. Amp. se fez possvel: Macro modelos de Op.
Amp.. O macro modelo um modelo simplificado do Op. Amp. que leva em conta todos os seus
parmetros chaves (veja figura 4.4 c). Atualmente vrios fabricante de CIs (circuitos integrados)
fornecem junto com os seus Data Sheets, macro modelos de Op. Amp. que so compatveis
com vrios pacotes de simulao eltrica, um exemplo o MICROSIMS PSPICE.
O macro modelo usa transistores reais para modelar o estgio de entrada do Op. Amp.
Fonte de corrente, de tenso e componentes passivos so utilizados para modelar o ganho e
caracterstica de resposta em freqncia dos vrios estgios. Cada parmetros so derivados das

especificaes do Op. Amp. e assim a simulao realizada com alto nvel de preciso. Os macro
modelos, assim como tudo, permite um compromisso entre desempenho timo e velocidade de
computao, custo e facilidade de utilizao. Um modelo completo do Op. Amp. dar um melhor
representao do dispositivo mas consumir muito tempo de simulao e maior custo.
A figura 4.4) mostra um resumo dos modelos acima mencionados, sendo que o macro
modelo mostrado apenas para efeito de ilustrao.
Rf
Rs
vin
v out =
vin
vout
v out =
A(s)
vin - vout
Curto
virtual
vout
Rf
* v in
Rs
Rf
Rs
a)
A(s)
*v
1+ A(s). in
Rf
Rf + Rs
Modelo do Op. Amp. idealizado

b)
Modelo Produto Ganho x Banda finito
Vcc+
In+
In-
Vcc-
c)
Macro modelo de Op. Amp. compatvel com SPICE
Figura 4.4) Macro modelo de Op. Amp. compatveis com SPICE.
4.4) Aplicaes DC
4.4.1) Projeto de preciso DC
Qualquer que seja o circuito de condicionamento de sinais ser necessrios que este esteja
dentro de algum conjunto de especificaes do sistema. Isto verdadeiro do circuito mais simples
at o circuito mais complicado.
A Faixa dinmica ou range dinmico uma das formas de expor as especificaes do

sistema. Ele pode ser usado como uma medida dos erros do sistema. Na maior parte das aplicaes
os dispositivos que tero maior efeito no desempenho do sistema como um todo, sero aqueles do
estgio de entrada , desde que no existe nenhuma forma de eliminar os erros introduzidos.
A configurao mais bsica de um Op. Amp. mostrado na figura 4.5). os transistores do
estgio de entrada no perfeitamente casados e assim existe um offset entre eles. Esta voltagem de
offset tambm dependente da tenso de alimentao e da voltagem de modo comum na entrada.
Estes efeitos so normalmente conhecidos como Razo de Rejeio de fonte de alimentao
(PSRR, do ingls, Power Supply Rejection Ratio) e Razo de Rejeio de Modo Comum (CMRR,
do ingls, Common Mode Rejection Ratio) respectivamente. Estes parmetros pode ter uma
influncia elevada se a voltagem de offset do dispositivo for pequena.
Os transistores de entrada tambm so os responsveis pela corrente de bias do Op. Amp..
Estas correntes de bias podem adicionar uma voltagem de offset equivalente devido a passagem
das mesma pelos resistores vistos pelas as entradas inversora e no-inversora. Por exemplo, para
uma configurao de amplificador inversor , a resistncia da entrada inversora ser igual a
resistncia de fonte em paralelo com o resistor de realimentao, e a resistncia da entrada noinversora deve ser igual a mesma de modo a minimizar o valor da voltagem de offset equivalente.
A voltagem de offset pode tambm variar devido a mudana na temperatura de juno dos
transistores de entrada e durante o tempo de vida do dispositivo.
Erros dc podem tambm ser introduzidos pelo ganho de malha aberta finito. A grande
maioria das aplicaes assume o ganho do Op. Amp. infinito. Mas quando o projeto exige uma
preciso melhor do que 0.1%, o erro devido a ganho finito pode ser um fator limitante.
Vcc+
In+
Vout
In-
Vcc-
Figura 4.5) configurao bsica de um Op. Amp.

Erro devido a rudo de baixa freqncia pode um grande problema em aplicaes DC.
Neste caso somente o rudo flicker (1/f) predominante e deve ser considerado. Portanto a seleo
do dispositivo com baixo rudo 1/f de extrema importncia.
Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir
daremos um maior formalismo a esta questo.
4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso

Uma medida da preciso do sistema o seu range dinmico, ou faixa dinmica que

normalmente expresso em dB e definido como a razo do mximo sinal de sada e o erro total na
sada. Esta medida normalmente usado em aplicaes AC onde rudo de banda larga pode ser
freqentemente um fator limitante do desempenho do sistema como um todo.
Entretanto, com o aumento de processamento de sinais digitais comum expressar a
preciso do sistema em termos do nmero de BITs.
A figura 4.6) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros de entrada, na
configurao no inversora. E a figura 4.7) todos os erros relacionados com o projeto DC, e o
range dinmico.
Bits de Preciso
Erros referenciados a entrada
IIB-
Erros de offset de entrada

I I0 = I IB+ I IB-
RF
Erros relacionados ao ganho

VIN
1
1
V0 = VIN
+
1 A VD
IIO
Erro total na sada

V0ET
R I
R V
=
S IO + I IB R F S + IE
1 + A VD
AVD
V0
VIE
VIN
Erro total referenciado a entrada

VIN
R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE
VIET =
1 + A VD
V0(max)
VCC+ 10%
RSH
VIE = VIO + VN(PP) + VPSRR + VCMRR
VCC- 10%
RS
IIB+
V+ = VIN R S I IB+ + VIE
R SH
R SH + R F
V0 V
V
= I IB +
V = V0 I IB R F
RF
R SH
VID = V+ - V- =
= VIN R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE V0
Bit's.de.precisao = Log OET

VO(max)
VOET
1
=
Log
2
Log2 1
VO(max)
Figura 4.6) Definio de Bits de preciso

Mximo nvel
do sinal de sada
Faixa dinmica
Erro
Total
VIO Drift IIB
VN(PP) PSRR CMRR Erro Ganho
Figura 4.7) Erro relacionados com projeto DC e faixa dinmica

A voltagem vista pela entrada no inversora ser:
V+ = VIN R S I IB + VIE
(4.5)
onde VIE inclui a voltagem de offset do dispositivo e tambm a sua razo de rejeio de fonte de
alimentao e de modo comum, assim como rudo de baixa freqncia.
VIE = VIO + VN(PP) + VPSRR + VCMRR
(4.6)
Somando as correntes que flui na entrada inversora:

V O V
V
= I IB +
RF
R SH
(4.7)
A voltagem na entrada inversora ser:
V- = VO I IB R F
onde
RSH
RSH + RF
(4.8)
A entrada diferencial, VID, agora igual V+-V- :

VID = VIN R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE VO
onde IIO = IIB+ - IIB-
(4.9)

A voltagem de sada, Vo, igual VID multiplicado pelo ganho de malha aberta do Op. Amp.(e
ignorando as voltagens de offset)
VO = VID A VD =
VIN
1
VIN
(1 + A VD )
(4.10)
Referenciando esta e os outros erro de offset de entrada, o erro total referenciado a entrada, VIET,
igual
VIET =
VIN
R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE
1 + A VD
(4.11)
Todos erros sero multiplicado pelo ganho no inversor do Op. Amp. (1/) para dar um erro total
na sada, VOET:
VOET =
VIN
R I
R
V
S IO + I IB (R F S ) + IE
(1 + A VD )
(4.12)
A mxima faixa dinmica ser alcanado quando o sinal de sada atingir seu mximo valor, de
modo que o
VOET =
VIN(MAX)
(1 + A VD )
R S I IO
R
V
+ I IB (R F S ) + IE
(4.13)
A mxima faixa dinmica do sistema ser portanto igual a mxima sada, VO(MAX), dividido pelo
erro total, V0ET. Convertendo em decibeis vem:
V
Faixa dinmica = 20Log 0ET

VO(MAX)
(dB)
RS I IO
R V
+ I IB RF S + IE
= 20 Log
VO ( MAX )
(1 + AVD )
(4.14)
(4.15)

V
Bits de preciso = Log 0ET

VO(MAX)
Log 2 1
(4.16)
= Faixa dinmica/6.02 - 1
(4.17)
Esta uma outra forma de medir a preciso de um sistema, e pode ser usada quando
relacionarmos o desempenho de um Op. Amp. com um conversor AD.
Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao DC,
a figura 4.8) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso fabricado pela Texas
Instruments.
Amplificador de Preciso
TLE2027 (TEXAS)
TLE2027A
Voltagem de Offset
Ganho de malha aberta

45 V/V ou 153 dB
TLE2027
1000
TLE2027A..........25V mx
TLE2027 .........100V mx
V
100
10
100V
25V
9V
Voltagem de rudo
3.3 nV/Hz @ 10 Hz
2.5 nV/Hz @ 1 kHz
1000
nV
1.4V
100
90nV
Produto Ganho Banda

15 Mhz
Corrente de Bias
Cancelamento de correntes de bias
tpica 15 nA
10
50nV
V
VIO
VN(pp) IIB.600 PSRR CMRR
Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V

CMRR medido com volt. de modo comum igual 5 V
Figura 4.8) O Amplificador de preciso TLE2027
4.4.3) Exemplos de alguns projetos DC

Amplificador de instrumentao de preciso
Como qualquer projeto, o estgio de entrada tem um efeito significativo do desempenho
geral do sistema, particularmente nveis de rudo, preciso dc e preciso ac. Uma configurao que
precisa de desempenho mximo o amplificador de diferena ou como mais conhecido,
amplificador de instrumentao, que so usados tipicamente em aplicaes que sejam capazes
de extrair pequenas voltagens diferenciais sobrepostas com altos sinais de modo comum.
O amplificador de instrumentao ideal tem uma impedncia de entrada infinita, um alto
ganho de voltagem diferencial, e um ganho de modo comum igual zero. O mais simples
amplificador de instrumentao consiste de um Op. Amp. configurado como amplificador de
diferena, como mostra a figura 4.9). Esta configurao apresenta as seguinte desvantagens:
1) A impedncia de entrada no infinita, mas igual a soma de R3 e R4 na entrada no
inversora e varia com a entrada diferencial na entrada inversora.
2) O ganho de modo comum depende fortemente do casamento de R1 e R2 com relao a
R3 e R4.
v1
R2
R1
vout
v2
v out =
R3
R4
R2
* (v 2 v1 )
R1
Obs: Se R2 = R4 e R1 = R3
Figura 4.9) O mais simples amplificador de instrumentao

Estes problemas podem ser contornados pelo o uso da configurao de trs Op. Amp.
como mostra a figura 4.10). Os amplificadores A1 e A2 fornecem um alto ganho diferencial
enquanto mantm um ganho de modo comum igual 1. Outra vantagem que a impedncia de
entrada do amplificador agora a impedncia do Op. Amp.
A escolha do Op. amp. ser agora muito importante do desempenho do amplificador de
instrumentao, por isso para uma performance tima os erros associados com cada amplificador
devem ser reduzidos.

R2
R2
v2
VIE+(2)
VIO
VOE2
175 100V
IIB+
A2
R8
R9
1 k
1 k
17.4 k
IIBVID = V1-V2
= 50 mV
VCM = V1/2+V2/2
= 5V
R4
R3
vo
IIB-
174
A3
R5
VIE+(3)
IIB+
17.4 k
IIB-
R1
v1
175
VIO
V0 = 10 V
VOET = 28.5 mV
VIRE = 142 V
A1
VIO
VOE1
VIE+(1)
100V
R6
R7
IIB+
Figura 4.10) Amplificador de instrumentao de preciso
Consideraes sobre os amplificadores operacionais (A1 e A2).

Uma considerao sobre a impedncia de entrada, que a impedncia de entrada do Op.
Amp. multiplicada pelo fator de desensibilidade 1+A; assim um op. Amp. com um alto ganho de
malha aberta tem sua impedncia para cerca de 1012 . Isto significa que as correntes de bias ser
o problema mais importante, especialmente quando considerarmos o desempenho sobre uma certa
margem de temperatura.
Os efeitos de modo comum e fonte de alimentao so outra fonte de erro e no pode ser
desconsiderada. Se em A1 e A2 fosse usados Op. Amp que apresentassem uma CMRR de 120 dB
(1 V/V), uma PSRR de 100 dB (10 V/V), teramos, para uma voltagem de modo comum (VCM)
igual 5 V e uma para uma flutuao na fonte de alimentao de 10% em 15 V (1.5V), um erro de
5V devido a CMRR e de 15 V devido a PSRR.
Exerccio:
Calcule as fontes de erro e o erro total do amplificador de instrumentao de preciso mostrado

na figura 4.10.
Amplificador de Strain Gauge

Loop de corrente de 2 fios 4-20 mA
Amplificador de temperatura com RTD
Amplificador de temperatura com termopar
Amplificador de diodo PIN
O amplificador Choppper
4.5) Aplicaes AC
4.5.1) Projeto de preciso AC
Como j fio mencionado anteriormente, a Faixa dinmica ou range dinmico uma das
formas de expor as especificaes do sistema. Ele pode ser usado como uma medida dos erros do
sistema. Na maior parte das aplicaes os dispositivos que tero maior efeito no desempenho do
sistema como um todo, sero aqueles do estgio de entrada , desde que no existe nenhuma forma
de eliminar os erros introduzidos
A corrente fluindo atravs dos transistores do estgio de entrada geram rudo devido sua
corrente de polarizao e suas resistncia dinmicas, que se apresentam como corrente e voltagem
de rudo.
Para garantir estabilidade em altas freqncia, o ganho de malha aberta nestas freqncias
deve ser reduzido para unidade antes que o deslocamento de fase exceda 180 C (para estabilidade
com ganho unitrio). A forma mais comum para fazer isto atravs do da compensao de polo
dominante. Isto feito colocando um capacitor de compensao, CC, entre a sada do estgio de
entrada e a sada do segundo estgio (veja figura 4.x). Isto limita o produto ganho banda do Op.
Amp. fazendo com que o ganho de malha aberta decresa a uma razo de 20 dB/dcada. Isto acaba
por limita o desempenho AC do dispositivo.
Vcc+
In+
Vout
CC
In-
Vcc-
Figura 4.x) configurao bsica de um Op. Amp.
O produto ganho banda limitado do Op. Amp. tambm reduz o seu PSRR e o seu CMRR
quando a freqncia aumenta. Isto aumenta os efeitos de rudo de alta freqncia devido a fonte de
alimentao, assim como erros devido aos sinais de modo comum de alta frequncia.
O capacitor de compensao tambm limita a razo na qual a voltagem de sada do
segundo estgio pode mudar, intoduzindo um limite no slew rate do dispositivo. Isto um outro
fator limitante na preciso AC.
Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir
daremos um maior formalismo a esta questo.
4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso

Afim de determinar a faixa dinmica do sistema todos os efeitos acima discutidos devem
ser considerados.
Anlises de rudo
O rudo que aparece na entrada no inversora ser devido a voltagem de rudo do Op. Amp.
mais a voltagem de rudo trmico da resistncia de fonte e a voltagem produzida no resistor de
fonte pela corrente de rudo. Assim desprezando outros erros ac o potencial no terminal no
inversor ser dado por:
V+ = ( VN2 + 4kTR S + I 2N R S2
1/2
(4.x)
A voltagem de sada s devida ao rudo na entrada inversora dado por:
VO = (
I 2N R 2F
4kT 2
+ 4kTR F +
RF
R SH
1/2
(4.x)
Est voltagem pode ser referenciada a entrada no inversora simplesmente dividindo-a pelo
ganho de malha fechada (1+RF/RS), resultando num rudo total, ENT na entrada no inversora igual
E 2NT = VN2 + 4kTR S + I 2N R S2 +
4kTR F R SH
I2 R 2 R 2
+ N F SH 2
R F + R SH
(R F + R SH )
(4.x)
Erros de entrada AC
Alm do rudo existem os erros devido a razo de rejeio de fonte de alimentao e razo
de rejeio de modo comum. Estes erros normalmente no so correlacionados de modo que estes
so somados RMS
2
2
+ VPSRR
VIE2 = VCMRR
(4.x)
Assim o erro total na sada do Op. Amp. ser a soma RMS dos erros de entrada AC, dos
erros total de rudo e dos erros devido ao ganho.

Erros devido ao ganho
Os erros devido ao ganho ser agora ligeiramente diferente do caso DC devido a reduo e
o deslocamento de fase do ganho de malha aberta. O ganho de malha aberta, AMA de um Op. Amp.
compensado com um polo dominante em fP pode ser expresso por:
A MA =
A VD
(4.x)
jf
1 +
fP
onde AVD o ganho de malha aberta DC.

Usando um Op. Amp. com realimentao igual resulta num ganho de malha fechada, AMF,
igual :
A VD
A MF
jf
1
1 +
fP
=
=
A VD
1
jf
1+
1 +
+
jf
A VD A VD f P
1 +
fP
(4.x)
Assim o erro devido ao ganho, VOGE, que aparece na sada com excurso mxima :
VOGE
1
= 1
2
2
1
f
+ +
1 +
A VD f P
A VD
V
O(MAX)
(4.x)
Erros total na sada
Todos estes erros somados produz na sada do Op. amp. um erro total na sada, VOET, para
uma mxima excurso de sada igual :
2
=
VOET
2
VIE2 + E 2NT BW 2 + VOGE
(4.x)

onde BW a largura da banda de rudo do Op. Amp.
Uma vez determinado o erro total na sada a mxima faixa dinmica e/ou os Bits de
preciso pode ser calculado pelas equaes definidas na seo de aplicaes DC.
V
Bits de preciso = Log 0ET

VO(MAX)
Log 2 1
= Faixa dinmica/6.02 - 1
(4.x)
(4.x)
Os erros introduzidos pela distoro harmnica total do dispositivo outro parmetro que
pode ser adicionado ao erro de entrada ac. Estes so normalmente baixos, desde que o ganho de
malha (AMA) seja maior que 100. O nvel de distoro muito dependente do projeto e da
tecnologia sendo que os de melhor desempenho com relao a este parmetro a tecnologia
bipolar. A literatura mostra que hoje (1997) est disponvel comercialmente Op. Amp. com
distoro harmnica to baixa quanto 0.00008%, na banda de adio.
Os efeitos do Slew rate no desempenho do sistema difcil de ser quantificado.
normalmente este s limita a banda til, ao invs de introduzir distores diretas em sinais de
baixa freqncia.
A figura 4.x) mostra todos os erros relacionados com o projeto AC, e a faixa dinmica. A
figura 4.x) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros de entrada, na configurao no
inversora.
Mximo nvel
do sinal de sada
Faixa dinmica
Erro
Total
VN
THD I N
S.R.
PSRR CMRR Erro Ganho
Figura 4.x) Erro relacionados com projeto AC e faixa dinmica
Bits de Preciso
Erros referenciados a entrada
Rudo
V+ = VIN + [VN2 + 4kTRS + I2N RS2

VO = V-
1/ 2
RF
4kTR 2F
1 2 2
+ I N R F + 4kTR F +
RSH
RSH
Rudo relacionados a entrada no inversora

E2NT = VN2 + 4kTRS + I2N RS2 +
IN
4kT/RF
VCC+
AVD(s)
4kTRS
2
I2N R 2FRSH
4kTR FRSH
+
R F + RSH (R F + RSH )2
4kTRF
V0
VIE
VIN
VCC-
RS
IN
Erros de entrada AC
2
2
+ VPSRR
VIE2 = VCMRR
Erro total na sada para VO(MAX)
2 + E 2 BW 2
VIE
2
NT
+ 1
VOET =
1 + 1
A
VD
Bit's.de.precisao = Log OET

VO(max)
2
VO(MAX)
2
f
+
B1
Mxima faixa dinmica

V
= 20Log OET ( dB)
VO(max)
VOET
1
=
Log
2
Log2 1
VO(max)
Figura 4.6) Faixa dinmica e Bits de preciso
Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao AC,
a figura 4.x) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso AC fabricado pela Texas
Instruments.
Amplificador de Preciso AC
TLE2037 e TLE2237 (TEXAS)
V 10
Voltagem de rudo
3.3 nV/Hz @ 10 Hz
2.5 nV/Hz @ 1 kHz
Corrente de rudo
1.5 pA/Hz @ 10 Hz
0.4 pA/Hz @ 1 kHz
f =10 Hz
15V
f =1 kHz
1000
300nV
100
nV
10V
200nV
250nV
10
4nV
1000
Ganho de malha aberta

45 V/V ou 153 dB
Produto Ganho Banda
TLE2037..........76 MHz
TLE2237......... 50 MHz
Caractersticas de sada
baixa distoro < 0.002%
recuperao de saturao
slew rate 7.5 V/s
pV
.6nV
100
10
0.002%
VN(PP) THD
IN*1000 PSRR CMRR
Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V

CMRR medido com volt. de modo comum igual 1 V
IN dado em A/Hz
Figura 4.x) Os Amplificadores de preciso TLE2037 e TLE2237
4.4.3) Consideraes sobre rudo

Existem um grande nmero de fatores a considerar quando se desenvolve um circuito de
baixo rudo com o uso de Op. amp., estes so discutidos abaixo:
Fontes de Rudo
O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo
mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da
natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. Vrios tipos de rudo ento
presentes no sinal, entre estes podemos citar:
Branco
Rudo trmico, Nyquist ou Johnson ----------- sempre presente no resistor

Branco
Rudo Shot ------------------------------------------- sempre presente no semicondutor
Rudo Popcorn --------------------------------------- presente em processos ruidosos
1/f
Rudo 1/f ou Flicker -------------------------------sempre presente no semicondutor
e carbono

Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num
elemento resistivo. Este rudo gerado gerado em todo resistor, no importando o tipo e a
construo. A voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatura e da
largura de banda do sistema. (tabela 3.1)
Rudo Shot (Isrms) - (ou rudo schottky) associado com o fluxo de corrente atravs de
uma juno PN gerado e causada pela flutuao na corrente direta. Do ponto de vista de resposta
dos dispositivos eletrnicos este rudo pode ser considerado como branco.
Rudo Popcorn (Iprms) - este rudo soa como um pipocar de pipoca (da o nome) quando
alimenta um alto falante. A sua origem no bem compreendida, mas este rudo menor em
processo mais limpos. Bons processos de baixo rudo no apresentam rudo popcorn.
Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) - gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em
semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Este
depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no existe uma
equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). Este
rudo apresenta uma importante caracterstica: a amplitude do rudo inversamente proporcional a
freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia abaixo de 100Hz e existe em
todo semicondutor que necessita de uma corrente de polarizao para sua operao.
O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio (rms) de todas as corrente
ou voltagem de rudo, como mostrado abaixo:
2
2
2
2
+ I Srms
+ I Pr
I Neq = I Trms
ms + I Frms
1/ 2
(3.8)
Tabela 4.1) Rudos em detetores

Rudo
Trmico
Circuito
ITrms
VTrms = 4 kTRf
Frmula
ou
I Trms =
Parmetros
Shot
Flicker ou
1/f
IGRrm
ISrms
I Srms = 2qImedio f
a
I Frms = C I DC
4kTf
R
k = constante de
Boltzmann (1.38x10-23)
T = temperatura absoluta
f = largura da banda do
sistema
R = valor da resistncia
q =carga do eltron
Imdia= corrente mdia
que atravessa o
fotodetetor
f = larg. da banda do
sistema
C, a,b = constante
arbitrria
IDC = Corrente mdia
atravs do con.
f = freqncia de
operao
f = larg. da banda
do sistema
f
fb
Rudo relacionados com Op. Amp.

A figura 4.x) mostra o circuito equivalente do Op. Amp. para fins de anlise de rudo e a
definio de freqncia de canto 1/f .
V N = voltagem de rudo
RF
IN = corrente de rudo passando nos

resistores externos
RS
IN1
4kTRB
= Rudo trmico nos resistores

externos
VN
Vin
Vout
IN2
vN
rudo flicker
V NT =
(V
Op. Amp.
qualidade
2
N
+ 4kTR EXT + I 2N R 2EXT
)B
VOUT = A CL (VNT )
Freqncia de canto 1/f
Fi
Figura 4.x) Rudos no Op. Amp.
Existe tipicamente dois parmetros especificados nos datasheets de um Amplificador

Operacional, a voltagem de rudo e a corrente de rudo;
Voltagem de rudo
A voltagem de rudo de um Op. Amp bipolar devido ao rudo trmico da resistncia de
base rbb e rudo shot da corrente de coletor dos transistores de entrada. Existe tambm rudo 1/f ,
associados com as correntes de base fluindo atravs da resistncia de base dos transistores de
entrada. Em baixas freqncias o rudo 1/f predomina enquanto em altas freqncias, o rudo
trmico predomina.
A voltagem de rudo de um amplificador com entrada FET dominado pelo rudo trmico
da resistncia do canal e normalmente bem maior que projeto bipolar. As caractersticas de
voltagem de rudo para ambas as partes apresenta um comportamento 1/f, embora a freqncia de
canto 1/f dos projetos com entrada FET seja bem maior que a do projetos bipolares. Os projetos
MOS tem um rudo 1/f pior que os Bifet, mais novos dispositivos desenvolvidos com tecnologia
CMOS avanadas, tais como a LinCMOS da Texas Instruments, tem melhorado
significativamente a performance de rudo e reduzido a freqncia de canto 1/f.

Corrente de rudo
Para Op. Amp. com entrada bipolar a corrente de rudo provocado pelo rudo shot da
correbte de base e rudo 1/f de rbb. Amplificador com entrada FET apresentam uma corrente de
rudo shot associada com a corrente de fuga de porta de entrada dos FETs, e esta muito menor
que a dos projetos bipolares.
A equao indicada na figura 4.x) mostra como as correntes e voltagem de rudo so
combinadas. O resultado desta equao de fato um termo RMS que normalmente preferido que o
valor pico pico. Se a voltagem RMS multiplicada por 6.6 se tem uma certeza de 99.7% que o
valor de pico pico no excede o resultado.
Pela investigao desta equao se observa que existe um ponto no qual o rudo do sistema
dominado pelo resistores externos. Um termo, de particular interesse em projetos bipolares a
Resistncia de rudo equivalente, que igual VN/IN e mostra quando o erro devido corrente de
rudo igual ao erro devido voltagem de rudo.
Largura de banda de rudo

A largura de banda de rudo de um Op. Amp. normalmente limitado pelo uso de uma
malha de filtro. Deve ser relembrado, entretanto, que a largura de banda de rudo
freqentemente
muito diferente da largura de banda de um filtro RC que est limitando o rudo. A tabela 4.2
mostra a largura de banda de rudo para vrios tipos de ordem de filtros.
Tabela 4.2 Largura de banda de rudo
Ordem do filtro
Largura de banda de rudo
1
2
3
4
ideal
/2 =1.57 x f-3dB
1.11 x f-3dB
1.05 x f-3dB
1.03 x f-3dB
1.00 x f-3dB
Rudo versus tecnologia

A figura 4.x) discutiu a importncia da voltagem e corrente de rudo e como dependendo
da impedncia de fonte cada ou ambos podem ser importante. O grfico e a tabela da figura 4.x)
compara o desempenho geral de rudo de Op. Amp. para as trs mais importantes tecnologias.
Esta figura mostra que amplificadores bipolares os melhores em desempenho de rudo
quando a impedncia de fonte pequena.
Quando o valor dos resistores externos aumenta, o rudo trmico destes componentes

comea a dominar a equao de rudo total. claro, quanto menor o valor da voltagem de rudo
menor o valor o valor destes resistores para que estes no predominem.
Quando o valor dos resistores externos aumenta mais ainda, existem um ponto que, a
corrente de rudo fluindo atravs destes resistores domina a equao total de rudo. Como os Op.
amp. bipolares tem uma maior corrente de rudo que aqueles com FET, isto implica que em
projetos com resistores externos de altos valores os amplificadores com entradas FETs sejam
preferidos.
Outra informao mostrada pela figura diz respeito a freqncia de canto 1/f do Op. Amp..
Projetos bipolares de baixo rudo normalmente ter melhores especificaes que projeto com
entrada FET.
Rudo versus Tecnologia
@f = 1 KHz
IN*RS Predomina
RS somente
TLC2272
100E3
TLE2082
TLE2027
10E3
vN
nV/Hz
1E3
VN Predomina
EN(total)
RS
100
10
E N (total) =
IN
V N2 + (I N * R S ) + 4kT R S
2
1
100 1k
10k
100k
1M
10M
100M 1G
10G
100G
Resistncia de fonte, RS
Processo
BIPOLAR
BIFET
LinCMOS
Parmetro
Voltagem de rudo
Corrente de rudo
Canto 1/f
TLE2027
2.5
400
3
TLE2082
13
2.8
1000
TLC2272
9
0.6
100
Figura 4.x) Rudo versus tecnologia
Unidade
nV/Hz
fA/Hz
Hz
4.4.1) Alguns exemplos de aplicao AC

Amplificador de instrumentao
VN
4kTR2 R2
4kTR9
4kTR8
175
v2
R8
A2
IN
17.4 k
IN
1 k
IN
VN
A3
R5
17.4 k
R1
4kTR5
IN
R6
A1
4kTR6
175
vo
IN
4kT/R3
174
v1
1 k
4kTR4
R4
R3
4kTR1
R9
VN
1 k
4kTR7
VIE+(1)
1 k
IN
R7
10
1.0
Freqncia de canto 1/f =10.2Hz
0.1
0.01
1.0
10
100
1k
10k
Freqncia - Hz
100k
1M

Amplificador de instrumentao de alta CMRR
Amplificador de carga
Conversor entrada simples sada diferencial
Conversor logartmico rpido
Detetor de Pico de Preciso
Filtro Notch de alto Q
Filtro Passa Banda
Filtro Passa Baixas
Conversor 2 p/ 4 fios
5- Sistemas de aquisio de dados

5.1) Introduo
A maior parte dos sistemas eletrnicos tem em seu ncleo um processamento digital; desde
os sistemas mais familiares como Televiso, Computadores Pessoais, Vdeo Cassetes, etc. at
sistemas mais especializados em ambientes industriais e cientficos. Desde que o mundo real que
ns habitamos essencialmente de natureza analgico, h a necessidade de se usar dispositivos
que convertam os sinais do mundo real para o domnio digital ocupado pelo processador. Os
dispositivos descritos nesta seo so um grupo que desempenham esta funo.
A figura 5.1) abaixo ilustra os elementos bsicos de uma sistema genrico de aquisio de
dados. Muitos podem achar que a converso de dados como sendo somente o Conversor
Analgico-Digital (AD) ou o Conversor Digital-Analgico (DA). Entretanto para converter um
sinal analgico, o sinal de entrada necessita que seus nveis casem com o do conversor; ainda,
necessrio filtrar (filtro anti-aliasing) o sinal de entrada a fim de remover componentes de
freqncia acima da razo de Nyquist, e mais, amostrar para converter um sinal contnuo no tempo
para um sinal amostrado. Finalmente este pode ser quantificado pelo o AD. Para converter do
domnio digital de volta para o domnio analgico, o DA necessita de um filtro de reconstruo
para converter na banda base correta a sada do DA e um Buffer de sada para alimentar a carga.
Entrada
Condicionamento
AntiAliasing
S
H
AD
Amostragem
Saida
Buffer
Reconstruo
DA
Figura 5.1 Sistema de aquisio de dados genrico
5.2) Selecionando um AD para o seu Sistema

Na escolha de um conversor AD para uma aplicao particular voc deve considerar vrios
aspectos do seu desempenho:
Estes parmetros sero discutidos como maior profundidade na seo 5.3).
Resoluo
Um conversor ideal de n bits tem um 2N-1 steps o que, (fig5.2) como vimos na seo 1)
equao 1.17), corresponde a uma faixa dinmica de aproximadamente 6NdB. Isto
necessita ser compatvel com a razo sinal/rudo e faixa dinmica requerida para o sistema.
Razo de amostragem e Faixa de passagem

A razo de amostragem ou freqncia de amostragem (fs), de seu sistema precisa ser
escolhida no mnimo duas vezes a mxima freqncia do sinal de entrada (aps o filtro
anti-aliasing), segundo o teorema de amostragem de Nyquist. Na prtica, (ver fig5.2), fs,
deve ser normalmente duas vezes a freqncia na qual o sinal cruza o rudo de fundo do
sistema. Portando o tempo de converso (Tcon) do conversor AD ter que ser menor que 1/
fs a fim de permitir que o circuito sample-andhold tenha tempo para adquirir o sinal
com a preciso desejada.
Vin
Um conversor AD de n bit tem uma

resoluo de 2N-1 ou aproximadamente
6N dB de faixa dinmica.
V
1/fs
A freqncia de amostragem fs dever

ser escolhida no mnimo duas vezes a
mxima freqncia do sinal de entrada
(aps o filtro anti-aliasing) para evitar
erro aliasing.
Vin
dB
1a Imagem
Banda base
-6N
f
fs/2
fs
2N-1
AD
N Bits
Vin
2N-1 steps
Figura 5.2 Resoluo e faixa de passagem
Linearidade, Ganho e Erro de offset
A funo de transferncia ideal de um converso AD ser afetada pr erros tais como:

Offset, erro no ganho, e no linearidade integral e no linearidade diferencial. (ver figura 5.3)
O erro de Offset e o erro no ganho podem ser corrigidos pr um ajuste de offset e ganho.
Mas em muitos sistema isto um gasto indesejvel, desde que envolve componentes adicionais e
tempo de ajuste.
A no linearidade integral e a no linearidade diferencial adiciona rudo e distoro ao
sistema degradando seu desempenho.
Selecionando um AD Erros de Offset, Ganho e linearidade

A funo de transferncia
ideal ser afetada pelo erros:
Linha reta
ideal
S
a
i
d
a
D
i
g
i
t
a
l
Linha reta
Com correo
Offset
Ganho
No linearidade diferencial
No linearidade integral
-1/2LSB Erro de
linearidade integral
Voltagem de entrada
Erro de
Offset
-1/2LSB Erro de
linearidade diferencial
+1/2LSB Erro de
linearidade diferencial
Figura 5.3 Erros de ganho, offset e linearidade
Erro de offset o valor de entrada no meio step quando o cdigo de sada zero.
Erro de ganho a diferena entre o valor no meio do step ideal e o valor do step real
quando o cdigo de sada mximo.
No linearidade diferencial - a diferena entre a largura de 1LSB de um step ideal e um

step real para cada cdigo digital.
No linearidade integral o desvio entre o meio do step e a linha reta corrigida que o
meio do step mximo ao step mnimo (isto , sem o erro de offset e de ganho)
5.3) Projetando com converso de dados

Nesta seo ns discutiremos como as especificaes para os conversores de dados so
definidas nos Data sheets dos fabricantes e consideraremos alguns aspectos de projetos de
sistemas com converso de dados. Isto aborda as fontes de erros que mudam as caractersticas de
um dispositivos da funo ideal.
5.3.1) A funo de transferncia ideal
Conversores Analgico Digital (AD)
Um conversor AD ideal representa unicamente todas as entradas analgicas dentro de um

certo intervalo pr um nmero limitado de cdigo de sada digital. A figura 5.4) abaixo mostra que
cada cdigo digital representa uma frao do intervalo total do sinal analgico de entrada. Desde
que a escala analgica contnua, enquanto os cdigos digital so discretos, existe um processo de
quantificao que introduz um erro (erro de quantificao). Quando o nmero de cdigo discretos
aumenta (nmero de bits aumenta), este erro diminui e a funo de transferncia se aproxima de
um linha reta ideal. Os steps (degraus) so projetados de maneira que a transio acontea no
meio de cada step correspondendo ao ponto sobre esta reta ideal.
A largura de um step definida como 1LSB (um Bit Menos Significativo) e
freqentemente usada como unidade de referncia para outras especificaes. Ela tambm uma
medida da resoluo do conversor j que esta define em quantas pores o mximo sinal de
entrada foi dividido. Portanto, LSB representa uma quantidade analgica igual a metade da
resoluo analgica.
figura.5.4) Funo de transferncia ideal

A resoluo de um conversor AD normalmente expressa como o nmero de bits no seu
cdigo de sada digital. Pr exemplo, um conversor com uma resoluo de N bits tem 2N possveis
cdigo digitais o que define 2N nveis de steps. Portanto, desde que o primeiro (zero) e o ltimo
step tem somente metade da largura (ver fig. 5.4)), todo o intervalo da escala (FSR) dividido
em 2N 1 steps. Assim
1 LSB = FSR/(2N 1)
para um conversor de N bits
(5.1)
Conversores Digital Analgico (DA)
Um conversor DA representa um numero limitado de cdigos digitais de entrada pelo

nmero correspondente de valores analgico discretos de sada. Portanto, a funo de transferncia
de um DA uma srie de pontos discretos. Para um DA, 1 LSB corresponde ao peso de um step
entre voltagem analgicas sucessivas, cujo o valor definido pelo modo como no conversor AD.
Um DA pode ser encarado como um potencimetro controlado digitalmente cuja sada uma
frao da voltagem analgica de fundo de escala determinada pelo cdigo digital.
5.3.2) Fontes de erros estticos

Erros estticos, isto aqueles erros que afetam a preciso do conversor quando este
converte sinal D.C., podem ser completamente descritos pelos quatro termos. Estes termos so
erro de Offset, erro de Ganho, No linearidade Integral e No linearidade Diferencial. Cada
um pode ser expresso em unidades de LSB, ou em algumas vezes, como percentagem de FSR
(fundo de escala). Pr exemplo, um erro de LSB para um conversor de 8 bits corresponde a
Da equao (5.1)
Erro = LSB = 1/2 * FSR/(2N 1) = * FSR(255) = FSR/510
(5.2)
Logo
Erro = LSB(% de FSR) = 100/510 = 0.2%
(5.3)
Erro de offset
O erro de Offset definido como a diferena entre o ponto de Offset real e o ponto de
Offset nominal como mostrado na figura 5.5 (conversor de 3 bits). Para um conversor AD, o ponto
de offset valor no meio do step quando a sada digital zero, e para um conversor DA o
Sensores e Condicionamento de Sinais100

valor do step quando a entrada analgica zero. Este erro afeta todos os cdigos pela mesma
quantidade e normalmente podem ser compensados pr ajustes
a)
b)
Fig. 5.5) Erros de offset nos conversor a) AD e b) DA (3 Bits)
Erro de ganho
O erro de ganho definido como a diferena entre os pontos de ganho real e o ganho
nominal na funo de transferencia aps a remoo do erro de offset. Para um conversor AD, o
ponto de ganho o valor no meio do step quando a sada digital fundo de escala, e para o
conversor DA o valor do step na sada analgica quando a entrada digital fundo de escala.
Este erro representa uma diferena na inclinao da funo de transferencia ideal e a real e
corresponde e como tal corresponde ao mesmo erro percentual em cada step. Este erro
normalmente pode ser minimizado pr ajustes. A figura 5.6) mostra o erro de ganho para
conversores AD e DA de 3 bits.
a)
b)
Fig. 5.6) Erros de ganho nos conversor a) AD e b) DA (3 Bits)
Erro de linearidade diferencial (DNL)

O erro de linearidade diferencial (DNL, do ingls, Differential Non-Linearity ), tambm
chamado simplesmente de linearidade diferencial, a diferena entre a largura do step real
(para um AD) ou a altura do step (para um DA) e o valor ideal de 1 LSB. Portanto se a largura
ou a altura do step exatamente igual a 1 LSB, ento o erro da linearidade diferencial igual a
zero. Se o DNL excede 1 LSB, existe a possibilidade do conversor se tornar no uniforme. Isto
significa que a magnitude da sada pode diminuir com o aumento do sinal de entrada. No
conversor AD existe tambm a possibilidade da ausncia de cdigos, isto , um ou dos possveis
2N cdigos binrios nunca estejam presente na sada. A figura 5.7) ilustra este erro para um
conversor AD a) e um conversor DA b).
Fig. 5.7) Erro de linearidade diferencial
Erro de linearidade integral (INL)

O erro de linearidade integral (do ingls, INL, Integral Non-Linearity error), tambm
conhecido simplesmente como erro de linearidade, o desvio dos valores da funo de
transferncia real de uma linha reta. Esta linha reta pode ser ou a melhor reta que minimizar este
erro ou a reta que liga os pontos extremos da funo, admitindo-se a ausncia de erro de ganho e
offset. O segundo mtodo chamado end-point linearity e a definio normalmente usada,
desde que este erro pode verificado diretamente
Para um conversor AD (figura 5.8 a) ) os desvios so medidos na transio de um step ao
prximo, e para um conversor DA (figura 5.8 b) ) eles so medido em cada step. O nome
linearidade integral vem do fato de que a soma do erro da linearidade diferencial do primeiro
step at um step particular, determina o valor do erro da linearidade integral nesse step.
Figura 5.8) Erro de linearidade integral
Erro de preciso absoluta (erro total)

O erro de preciso absoluta ou erro total de um conversor, o mximo valor da diferena
entre o valor da voltagem analgica e o valor no meio do step ideal. Ele inclui erros de
ganho, offset, linearidade diferencial e integral e tambm erro de quantizao no caso do
conversor AD. A figura 5.9 ilustra este erro.
Figura 5.9) Erro de preciso absoluta
5.3.3) Erro de abertura (conversor AD)

O erro de abertura causado pela incerteza no tempo onde o circuito de Sample/hold (do
prprio conversor ou na entrada deste) muda da estado Sample para o estado hold. Esta variao e
devido a presena de rudo no sinal de entrada ou no clock. O efeito causado pelo erro de abertura
limitar o mximo Slew rate do sinal de entrada o que implica em outra limitao na mxima
freqncia no sinal de entrada. Por exemplo, por simplicidade, vamos admitir que o sinal de
entrada seja um senide definida por:
V = Vosin( 2ft )
(5.4)
O mximo Slew rate ocorre nos cruzamentos de zero e dado por:

dv dt max = 2fVo
(5.5)
Para que o erro de abertura (Ea) no afete a preciso do conversor, este deve ser menor do
que 1 LSB no ponto de mximo Slew rate. Portanto, para um conversor AD de N bits: (veja figura
5.10)
Ea = t A dv dt = 1 LSB = 2Vo N +1
2
2
(5.6)
Substituindo a equao (5.5) resulta
2Vo
2 N +1
= 2fVot A
(5.7)
De modo que a mxima freqncia dada por
f MAX = 1
t A 2 N +1
A figura 5.10) ilustra o erro de abertura .
(5.8)
Pulso de amostragem
+Vo
ADC
N bits
Clk
-Vo
Incerteza na abertura
TA
dv dt max = 2fVo
Erro de abertura
Ea = tA dv dt = 1 LSB= 2Vo N+1

2
2
f MAX = 1
t A 2 N +1
EA
S/H
figura 5.10) Erro de abertura
5.3.4) Efeito de quantizao

A entrada analgica no mundo real de um conversor AD um sinal contnuo com um
nmero infinito de estados possveis, enquanto a sada digital por natureza uma funo discreta
no tempo com um nmero de estados diferentes determinado pela resoluo do conversor. A
decorrncia disso que na converso de um sinal analgico para um sinal digital, certos valores do
sinal analgicos de entrada que so representados por voltagem diferentes, so representados na
sada pelo mesmo cdigo digital. Desta forma, alguma informao perdida e distoro
introduzida no sinal. Isto chamado de Rudo de quantizao.
Se ns tomarmos uma funo de transferncia ideal de um conversor AD, o erro entre a
entrada real e a sua forma digital ter uma funo de densidade de probabilidade uniforme, p()
quando o sinal de entrada assumido ser randnico. Este erro pode variar no intervalo LSB ou
q/2, onde q a largura de um step. Assim,
p( ) = 1 q
para (q/2 q/2)

(5.9)
p( ) = 0
se no
A potncia do rudo mdio (mdia quadrtica) do erro sobre um step dado por,

1
E ( ) =
q
+q 2
p( )d
(5.10)
O que resulta em
E 2 ( ) = q
(5.11)
12
O erro mdio quadrtico total, N2, sobre toda a rea de converso ser a soma das mdias
quadrticas de cada nvel de quantizao multiplicado pela sua probabilidade. Assumindo que a
converso ideal, a largura de cada step idntica e portanto tem igual probabilidade. Assim,
para o caso ideal, tem-se
N2 = q
(5.12)
12
Que a potncia do rudo de sada.

Considere agora um sinal de entrada senoidal V(t) de amplitude A dada por
V (t ) = Asint
(5.13)
O mdio quadrtico de V(t) dado por
V (t ) = 1
2
2
A2
0 Asin (t )dt = 2
2
(5.14)
que a potncia do sinal de entrada. Portanto a razo sinal rudo, SNR dada por
A 2
2
2
(
)
V
t
SNR( dB ) = 10 log
2 = 10 log
2
N
q
12
mas q = 1LSB = 2A/2N = A/2N-1. Substituindo resulta
(5.15)
SNR ( dB ) = 10 log 3 2
2N
] 6.02 N + 1.76dB
(5.16)
A equao acima mostra que para um conversor ideal, cada bits extra contribui para uma
melhoria de 6dB na razo sinal rudo.
Na prtica, os erros mencionados anteriormente introduz no linearidades que levam a
reduo deste valor. Por exemplo, um erro LSB no erro de linearidade diferencial uma
condio de ausncia de cdigo que equivalente a uma reduo de 1 bit de resoluo e
consequentemente uma reduo de 6dB na SNR. Isto da um valor de pior caso par SNR de uma
conversor AD de N bits com um erro de linearidade de LSB. O que pode ser escrito por
SNR ( dB )( pior caso ) = 6 .02 N + 1 .76 dB 6 dB = 6 .02 N 4 .24 dB
(5.17)
Assim baseado no valor da razo sinal rudo, SNR, desejada , as equaes (5.16) ou (5.17)
nos permite determinar a resoluo do conversor AD.

Cdigo
digital
Erro no step j
Ej = (Vj-Vin)
Erro mdio quadrtico no step j
Assumindo steps igual, erro total
N2 = q
Vin
12
Para entrada senoidal

V 2 (t ) = 1
Asin
2
(t )dt =
-q/12
-q/12
A2
2
A razo sinal rudo dada por
SNR ( dB ) = 6 .02 N + 1 .76 dB
Ej
Erro de quantizao
+1/2LSB
-1/2LSB
figura 5.11) Efeito de quantizao
5.3.5) Amostragem ideal

No processo de converso de um sinal contnuo tempo para um representao discreta,
processo de amostragem uma necessidade importante. No caso ideal, a amostragem se dar
atravs de um trem de impulso de largura infinitesimal e rea unitria (veja figura 5.12) ). O
recproco do tempo entre cada impulso chamada de taxa de amostragem. Ainda, o sinal de
entrada assumido ser de banda limitada, isto no contm componente no seu espectro acima de
certo valor.
A figura 5.12) mostra a condio de amostragem ideal, representada em ambos os domnio,
do tempo e da freqncia. O efeito da amostragem no domnio do tempo produzir um trem de
impulso modulado em amplitude representando o sinal de entrada no instante da amostragem. No
domnio da freqncia, o espectro do trem de impulso uma srie de freqncia discretas
mltiplas da freqncia ou taxa de amostragem. O processo de amostragem, pelo teorema da
convoluo, significa que, uma multiplicao no tempo implica na convoluo dos espectro
envolvido. De maneira que o espectro resultante apresentam duas bandas laterais centradas em
cada freqncia discreta. Como pode ser observado na figura 5.12), as altas freqncias do sinal
de entrada so refletida para uma regio mais baixa no espectro e podem causar interferncia. Esta
interferncia causa distoro no sinal amostrado e chamada de aliasing

Se ns assumirmos que o sinal de entrada de banda limitada em f1, e amostrado na
freqncia fs fcil de ver pelo grfico na figura 5.12) que o superposio (e assim, o aliasing)
caso
f 1 < fs f 1
2 f 1 < fs
isto ,
(5.18)
Portanto se a amostragem for feita numa freqncia no mnimo duas vezes maior que a
mxima freqncia do sinal de entrada, nenhum a aliasing ocorrer e toda informao pode ser
extrada. Este o Teorema de Nyquist.
Sinal de entrada
f(t)
h(t
)
Funo Sampling
g(t) Sada amostrada

f(t1)
Impulso
t1
t2
t3
t4
t1
t2
t3
t4
f
Transformada
de Fourier
Transformada
de Fourier
F(f)
Espectro de entrada
H(f) Espectro do Sampling
Transformada
de Fourier
G(f)
Espectro da sada
Espectro original
f1
fs=1/T
2fs
3fs f
f1 fs-f1
fs+f1 2fs-f1
figura 5.12) Amostragem ideal
5.3.6) Amostragem real

O conceito de um impulso de largura infinitesimal usado apenas para simplificar a
analises de sistemas amostrados. De qualquer forma, isto conceito terico ideal que pode ser
aproximado mas nunca alcanado na prtica. De fato o sinal real ser uma srie de pulsos de
perodo igual a recproco da freqncia de amostragem. O resultado da amostragem com este trem
de pulsos uma srie de pulso modulados em amplitude pelo sinal de entrada.
A figura 5.13) mostra que o espectro de um trem de pulso uma srie de freqncias
discreta como no caso ideal, s que agora a amplitude dessas freqncias modificada por um
envelope (envoltria) definida por (sinx)/x (alguma vezes escrita com sinc(x) ) onde x neste caso
fs. Para um trem de pulso de amplitude A, o envelope do espectro dado por
( T )[sin(fs )]/ fs
Envelope = A
(5.19)
Note agora (veja figura 5.15) ) que um erro introduzido no espectro original. Este erro
pode ser eliminado ou minimizado atravs de um filtro que compense o envelope sinc(x). Isto
pode ser implementado com um filtro digital num DSP, ou utilizando tcnicas analgicas
convencionais. (existe disponveis comercialmente Chips que incorporam funes de correo de
sinc).
Espectro
F(f)
Transformada
de Fourier
Trem de pulsos
f(t)
A/T
-1/
1/T
1/
Figura 5.13) Espectro de um trem de pulso
Sinal de entrada
f(t)
h(t
)
Funo Sampling
t2
t3
t4
Espectro de entrada
H(f) Espectro do Sampling

Envelope
f1
t1
t2
Transformada
de Fourier
Transformada
de Fourier
F(f)
f(t1)
Trem de pulsos
t1
g(t) Sada amostrada
fs=1/T
2fs
3fs f
figura 5.14) Amostragem real
t3
t4
Transformada
de Fourier
G(f)
Espectro da sada
Espectro original
f1 fs-f1
fs+f1 2fs-f1
5.3.7) Efeito aliasing

Nenhum sinal verdadeiramente determinstico e portanto tem banda no limitada.
Entretanto, a energia das componentes de altas freqncias so bem menores de modo que a partir
de certo valor de freqncia podem ser desconsideradas. Este valor uma escolha que dever ser
feita pelo o projetista do sistema.
Como j foi visto na seo anterior, a quantidade de aliasing (superposio) ser afetada
pela freqncia de amostragem e pela largura da banda do sinal de entrada. O fator que determina
quanto aliasing pode se tolerado a resoluo do sistema. Se o sistema tem baixa resoluo ento
o rudo de fundo (rudo total devido a todas as fonte de rudo) j bastante alto e o aliasing pode no
ser significativo. Entretanto, em sistemas de alta resoluo o aliasing pode aumentar o rudo de
fundo significativamente e portanto, precisa ser controlado adequadamente.
O aumento da taxa de amostragem uma das formas de evitar erros devido a aliasing.
Entretanto, h um limite mximo de freqncia imposto pelo o conversor AD ou pelo clock do
processador digital que manuseia os dados digitais. Portanto, para reduzir o efeito de aliasing para
nveis aceitveis, filtros analgicos podem ser usados para alterar a banda do sinal de entrada.
Vrios tipos de filtros podem ser utilizados para modificar a banda do sinal do entrada. Um
filtro ideal para esta finalidade seria aquele que no apresentasse nenhuma atenuao na banda de
passagem (passband), tivesse uma largura zero na regio de transio e rejeitasse totalmente as
componentes de freqncia na banda de atenuao (stopband). Na prtica, isto aproximado por
um filtro que introduz alguma atenuao na banda de passagem, tem uma largura finita na regio
de transio, e passa alguma componente do sinal na banda de atenuao. Este ainda pode
introduzir alguma tipo de distoo de fase ou de amplitude. A escolha da ordem e do tipo de filtro
de modo a se obter as especificaes desejadas do sistema.
A literatura cobre de forma bem abrangente o projeto de filtro analgico e foge do escopo
desse curso. Dentres estes filtros, adequados para realizar a funo de filtro anti-aliasing, podemos
citar os filtros Butterworth, Chebyshev, Cauer, e Bessel-Thomson

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