ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 

AULA 2  
EVANDRO DE CARVALHO GOMES 
CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA 
 
DIODOS DE POTÊNCIA 
1. INTRODUÇÃO 
1.1. Um diodo age como uma chave para realizar várias funções. 
1.2. Quando  o  diodo  é  diretamente  polarizado,  ele  começa  a  conduzir  com  uma 
pequena  tensão  direta  sobre  ele,  que  está  na  ordem  de  1V.  Quando  o  diodo  é 
reversamente  polarizado,  apena  uma  corrente  muito  pequena  percorre  o 
dispositivo (IS) até que a tensão reversa (VR) seja alcançada. Essa tensão não deve 
alcançar a tensão de ruptura (VBD) do diodo. 
 
2. CURVA CARACTERÍSTICA REAL DO DIODO 
2.1. As curvas características v‐i do diodo podem ser expressa pela equação conhecida 
como equação de Schockley, que é dada por: 

1  

Onde: 
a)
b)
c)
d)

 = corrente através do diodo; 
 = tensão do diodo; 
 = corrente de fuga ou corrente de saturação reversa; 
 = fator de idealidade ou coeficiente de emissão. 
 é uma constante chamada tensão térmica e é dada por  

 , onde: 

a) q = carga do elétron; 
b) T = temperatura absoluta em Kelvin; 
c) k = constante de Boltzmann. 
 
3. CURVA CARACTERÍSTICA IDEAL DO DIODO 
3.1. Devido  à  baixa  corrente  na  polarização  reversa  e  baixa  tensão  na  polarização 
direta, as características i‐v de um diodo podem ser idealizadas como mostrado na 
Fig.1. Essa idealização pode ser usada para analisar as topologias de conversores. 
3.2. Na transição do estado desligado para ligado, o diodo pode ser considerado uma 
chave ideal, pois se liga rapidamente comparado aos transitórios nos circuitos de 
potência. Entretanto, na transição do estado ligado para desligado, a corrente do 
diodo se inverte durante um período de tempo (trr) antes de cair para zero, como 
mostrado na Fig.2. 

Fig.1 – Diodo e curva característica ideal 
 

 

      4.  então:  . o que normalmente é o caso. Podemos  calcular  o  tempo  de  recuperação  reversa  e  a  corrente  de  recuperação  reversa de pico da seguinte maneira:    4. pois quando   teremos  .  4. Uma  vez  que  o  diodo  esteja  no  modo  de  condução  direta  e  então  sua  corrente  direta  seja  reduzida  a  zero.2 – Tempo de recuperação reversa do diodo.3. Observando  o  gráfico. O tempo de recuperação reversa é dependente da temperatura da junção. quando comparado com  . CURVA CARACTERÍSTICA DA RECUPERAÇÃO REVERSA  4.2.  4. Assim:        (1)    (2) (3)     De (1) podemos retirar a equação (5)  Substituindo a equação (3) em (5) teremos (6)      Se   for desprezível. da taxa  de decaimento da corrente direta e da corrente direta antes da comutação.  a  corrente  de  recuperação  reversa  de  pico  pode  ser  expressa através de  .1.4.  o  diodo  continua  conduzindo  devido  os  portadores  minoritários que permanecem armazenados na junção PN.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    Fig.

  b) Diodo de recuperação rápida.  5.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    2 2     5. Idealmente um diodo não deve ter tempo de recuperação reversa.  5. Um  diodo  Schottky  tem  uma  queda  de  tensão  no  sentido  direto  relativamente  baixa e a corrente de fuga é maior que a de um diodo de junção PN.4.  Isso  é  obtido  fazendo  uma  barreira  de  potencial com um contato entre um metal e um semicondutor. Os  diodos  de  recuperação  rápida  têm  trr  baixo  (<5  µs)  e  são  usados  em  conversores CC‐CC e CC‐CA. Os  diodos  retificadores  genéricos  têm  tempo  de  recuperação  reversa  relativamente alto (25µs) e são utilizados em aplicações de baixa velocidade e são  utilizados em retificadores e conversores de baixa frequência (até 1kHz). Dependendo dos requisitos de aplicação.6. O problema de armazenamento de cargas em uma junção PN pode ser eliminado  (ou  minimizado)  em  um  diodo  Schottky.  5.1.                                          .5.  c) Diodos genéricos (ou diodos de linha)  5.2. vários tipos de diodos estão disponíveis:  a) Diodo Schottky.3.  5. TIPOS DE DIODOS DE POTÊNCIA  5.

Um tiristor pode ser ligado pelo aumento da tensão direta   além de  . Tiristor é o nome genérico atribuído a uma série de componentes semicondutores  de quatro camadas PNPN.  Pode  ser  considerado  como  chaves  ideais  para  muitas  aplicações. A corrente de travamento (ou partida) é a mínima corrente de  anodo necessária  para manter o tiristor no estado de condução imediatamente após um tiristor ter  sido ligado e o sinal de gatilho ter sido removido. O SCR possui três terminais: anodo.1.9. O  SCR  é  um  retificador  que  pode  ser  controlado  cujas  características  são  semelhantes  as  do  diodo. INTRODUÇÃO  1.  1. mas  tal forma de ligá‐lo pode ser destrutiva.  1.6.2.8. A corrente de travamento é maior que a corrente de manutenção. O tiristor é disparado pela aplicação de uma tensão positiva entre seus terminais  .7.3.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    TIRISTORES: CHAVE CONTROLADA DE SILÍCIO ‐ SCR    1.5. CURVA CARACTERÍSTICA                  Curva característica V‐I    Símbolo do SCR  . A queda de tensão direta é pequena e tipicamente 1V. O  tiristor  entrará  em  seu  estado  de  bloqueio  se  a  corrente  direta  de  anodo  for  reduzida abaixo de um nível conhecido como corrente de manutenção.  1.4.  1.  1.  1.  de gatilho e catodo. catodo e gatilho. mantendo o valor da tensão direta abaixo de    2.  1.  1.

Um  tiristor  é  disparado  aumentando‐se  a  corrente  de  anodo.2 Existem três formas principais de bloqueio de um SCR:  a) Comutação Natural  ¾ Quando se reduz a corrente de anodo abaixo de um valor mínimo   . chamado corrente de manutenção (holding current). DISPARO DE UM TIRISTOR  4.  b) Disparo por Sobretensão (Tensão elevada VBO).1.1.  b) Comutação por Polarização Reversa  ¾ A comutação por fase ou comutação pela rede bloqueia o SCR  devido o semi‐ciclo negativo.  5.  e) Disparo por luz ou radiação (LASCR).  d) Disparo por aumento de temperatura. CIRCUITO DE CONTROLE DE GATILHO:  • O sinal de gatilho deve ser removido após o disparo do SCR.  4.  c) Disparo por   (Taxa de crescimento da corrente anodo‐catodo) . MÉTODOS DE COMUTAÇÃO DE UM TIRISTOR (SCR)  5.  Isto  pode  ser  conseguido através de uma das seguintes formas:  a) Disparo por pulso de gatilho (corrente de gatilho). MODELO DO TIRISTOR COM TRANSISTORES      4.  • A  largura  do  pulso  de  gatilho  deve  ser  maior  que  o  tempo  necessário  para  a  corrente de anodo crescer até o valor da corrente de manutenção. (CA)  ¾ A comutação forçada utiliza um capacitor carregado para polarizar  reversamente o SCR. Comutar um tiristor significa levá‐lo ao estado de bloqueio.  não  deverá  haver  sinal  de  gatilho.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    3. (CC)  .2.  • Enquanto  o  SCR  estiver  reversamente  polarizado.    5.

  É  um  parâmetro  importante  do  tiristor  especificado  nos datasheets por (tq).    e) CONTRA SOBRETENSÃO  . acopladores ópticos.    c) CONTRA TRANSITÓRIOS NO GATILHO  • Para evitar transistórios no gatilho provenientes do acoplamento indutivo  ou capacitivo entre as partes de potência e de sinal utilizamos  transformadores de pulso.  •     b) CONTRA   •   A proteção contra a taxa de variação da tensão será realizada através de  um circuito snubber (circuito RC) em paralelo com o tiristor. a taxa de variação da corrente é evitada através de um indutor  em série. diodos entre gatilho e  catodo para evitar polarização reversa e resistores para eliminar a  sensibilidade de gatilho.    d) CONTRA SOBRETEMPERATURA  • Proteção com dissipador de calor e sensores de temperatura. TEMPO DE DESLIGAMENTO  6. É  o  tempo  necessário  para  a  corrente  de  anodo  atingir  zero  e  a  tensão  anodo‐ catodo  também  atingir  zero.    6.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    c) Comutação por Pulso de Corrente  ¾ Existem dispositivos especiais em que a aplicação de um pulso  negativo de corrente no gatilho faz seu bloqueio.      7. Ex: GTO. PROTEÇÕES DO TIRISTOR  a) CONTRA   •   Na prática.1.

 esse capacitor pode provocar  retardo no disparo e por ficar com uma tensão armazenada pode provocar falha  de comutação. No entanto.  c) Tiristor de desligamento pelo gatilho – GTO → É disparado por um pulso positivo e  desligado por um pulso negativo em seu gatilho. CARACTERÍSTICAS DE GATILHO E CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES   ficar negativa.  8. Se a tensão  gatilho podendo danificar o componente.4. também  remove o ruído de alta frequência. para pulsos  curtos. Podemos utilizar pulsos de qualquer forma de onda.1.    9. TIPOS DE TIRISTORES  a) Tiristor de controle de fase → opera geralmente na frequência da rede (SCR).  8. Para pulsos longos (100µs). Um capacitor entre o gatilho e catodo além de melhorar o   .  8. Ponto de Operação do Gatilho:    8. os valores CC são aplicados. há a possibilidade de fluir uma corrente negativa no  8. Através de dispositivos adequados  consegue manter isolação entre o sinal de disparo e o dispositivo. O disparo por pulso reduz a potência dissipada.    8.  8.  8. aplicamos um valor de corrente 5 vezes (Igt) durante 5 µs. A presença de uma resistência entre gatilho e catodo torna o SCR menos sensível. A permanente aplicação de tensão positiva no gatilho pode provocar dissipação  adicional no dispositivo.  8.8.  melhorando sua especificação   . possibilitando o  disparo de vários tiristores com uma única fonte geradora de sinal.6.  d) Tiristores triodos bidirecionais → Pode conduzir em ambos os sentidos e é  normalmente utilizado em controle de fase CA (TRIAC). Na prática.5.3.  b) Tiristor de chaveamento rápido → utilizado em aplicações de alta velocidade com  comutação forçada (CHOPPERS).7.2.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    • Evitar a tensão de Breakover através de supressores de transientes  (fusíveis associados a varistores).  .

 conduz por pulso positivo no gatilho ou através de um pulso  negativo no gatilho de anodo e o bloqueio é realizado por pulso positivo no gatilho  de catodo.   negativa e  i) Tiristores controlados por MOS → O MCT é ligado por uma tensão   positiva.  Aplicado onde o disparo óptico é utilizado (FET‐CTH). Ele não pode ser facilmente excitado a  desligado por uma tensão  partir de um transformador de pulso.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    e) Tiristor de condução reversa → Um diodo em atiparalelo é conectado através de  um SCR (RCT).    10. tempo  de comutação menor.  j) A chave controlada de silício (SCS) → Possui aplicações para baixa potência. COMPONENTES UTILIZADOS EM CIRCUITOS DE DISPARO:  a) Circuito de disparo com rede defasadora.  f) Tiristores de indução estática → É normalmente disparado por uma tensão  positiva no gatilho e desligado por uma tensão negativa (SITH).  h) Tiristores controlados por FET → Combina um MOSFET e um tiristor em paralelo.  b) TUJ  c) TUP  d) Diodo de 4 camadas Schottky  e) SUS/SBS  f) DIAC  g) Lâmpada Neon  h) Transformador de pulso  i) Opto‐acoplador  j) Circuitos Integrados Dedicados                      .  g) Retificadores controlados de silício ativados pela luz → disparado por radiação  direta de luz ( LASCR).

1.  1.3.ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    TIRISTORES TRIODOS BIDIRECIONAIS ‐ TRIAC    1.3. Disparo no Quadrante II  2. Disparo no Quadrante IV    .        Curva característica V‐I  Símbolo do TRIAC          Circuito equivalente com SCRs    Estrutura    2.1. INTRODUÇÃO  1. Disparo no Quadrante III  2.4. Disparo no Quadrante I  2. o mesmo pode ser disparado com tanto por  pulso positivo como por pulso negativo. Um  TRIAC  pode  conduzir  em  ambos  os  sentidos  e  é  normalmente  utilizado  em  controle de fase CA.  2.  1. Além de conduzir nos dois sentidos. MODOS DE DISPARO.2.2. Pode ser considerado como dois SCRs conectados em antiparalelo com um gatilho  comum.

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    Modos de disparo      TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR ‐ BJT        TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL‐ÓXIDO‐SEMICONDUTOR ‐ MOSFET        .

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  AULA 2   EVANDRO DE CARVALHO GOMES  CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA    TIRISTOR COM DESLIGAMENTO PELA PORTA ‐ GTO      TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA ‐ IGBT      TIRISTOR CONTROLADO POR MOS ‐ MCT      .

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