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PROJETO DE CIRCUITOS

INTEGRADOS ANALGICOS

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO,


CINCIA E TECNOLOGIA DE SO PAULO.
Jos Alejandro Amaya Palacio
Estudante de Doutorado
Escola Politcnica da Universidade de So Paulo.
Outubro 20 de 2014.

jamaya@usp.br

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Programa CI Brasil
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

INTRODUO
Microeletrnica
VLSI Very Large Scale Integration
Metodologia de Projeto de Circuitos Integrados
Programa CI Brasil
Centros de Treinamento: Porto Alegre -Rio Grande do Sul, Campinas, e
So Paulo.

Porqu deve-se desenvolver a


Microeletrnica no Brasil?

INTRODUO

Em quais reas tem-se aplicao da


Microeletrnica no Brasil?
Automao

Industrial

Agropecuria

Sade

INTRODUO

A indstria de microeletrnica brasileira move cerca de


US$ 4,5 bilhes por ano, mas esse mercado local
quase totalmente alimentado por fabricantes externos.
Apenas no primeiro semestre de 2011, o Brasil j
gastou US$ 2,4 bilhes com a importao de chips para
a montagem de placas e aparelhos, atividade de baixo
valor agregado a qual se limita boa parte da indstria
no pas.
Tomado de: http://www.telesintese.com.br/brasil-tem-deficit-comercial-deus-45-bi-em-microeletronica/

INTRODUO

Misso
Contribuir para a criao e organizao de um ecossistema de
microeletrnica, visando a inovao em produtos e a insero
do pas no mercado de semicondutores.
Viso
Atuar como um elo eficiente entre os agentes atuantes em
semicondutores, visando a organizao de aes de interesse
comum, para o desenvolvimento do setor.

INTRODUO
Programa CI Brasil
Uma das primeiras aes do programa CI-Brasil foi, a partir de
2005, apoiar a criao, instalao e atrao para o pas, de empresas
que atuam no desenvolvimento de projetos de circuitos integrados:
as Design Houses (DHs).

Como resultado, atualmente, existem 22 DHs distribudas por todo o


territrio nacional. Apoiadas parcialmente pelo programa, treze
dessas organizaes no possuem fins lucrativos. Em sua maioria,
so spin-offs que surgiram ou esto conectadas universidades ou
instituies pblicas de pesquisa.
Tendo originado-se a partir de empresas privadas nacionais,
multinacionais ou startups locais, cinco dessas instituies possuem
fins lucrativos e quatro, embora componham o cenrio brasileiro de
DHs, so completamente independentes do programa.

INTRODUO
Programa CI Brasil

INTRODUO
Empresas Prestadoras do Servio de Fabricao: Multi Project Wafer
EUROPRACTICE

MOSIS

Empresas Fabricantes

INTRODUO
Software EDA (Electronic Design Automation) para
desenvolver Projetos de Circuitos Integrados

CADENCE

MENTOR GRAPHICS SYNOPSYS

Open Source IC Layout Software

TANNER

INTRODUO

INTRODUO

Vdeo ICNT - NAMITEC

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos. A Wafer de Slicio.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos. A Lmina de Slicio.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos. A Fotolitografia.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos. O Processo Foto-litogrfico.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

parecido com o Processo de Fabricao de Placas de Circuito


Impresso.

http://www.geocities.com/jf_moreira/pcb.html

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

parecido com Processo de Fabricao de Placas de Circuito


Impresso.

http://www.geocities.com/jf_moreira/pcb.html

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

parecido com Processo de Fabricao de Placas de Circuito


Impresso.

http://www.geocities.com/jf_moreira/pcb.html

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

parecido com o Processo de Fabricao de Placas de Circuito


Impresso.

260 m

Fernando Silveira. Universidade da Repblica.

320 m

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Dimetro mdio de um fio de cabelo est entre 60 80 m.

106,1 m

56,0 m

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

60 m

Na Tecnologia 130 nm, 86 milhes de


Transistores ocupan a rea de um fio
de cabelo.

2 m

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos Integrado requer um grande


nmero de passos. Vamos analisar o Processo tomando como
exemplo um circuito simples: O inversor CMOS.

VD
D

Q2
vin

vout
Q1

VSS

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Processo de Fabricao de Circuitos Integrado requer um grande


nmero de passos. Usa-se a Fotoligrafia. Vamos analisar o
Processo tomando como exemplo um circuito simples: O inversor
CMOS.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith
Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Transistor NMOS:

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Transistor NMOS:

=

2

Figure 5.11 (a) Circuit symbol for the n-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified circuit symbol with an arrowhead on the source
terminal to distinguish it from the drain and to indicate device polarity (i.e., n channel). (c) Simplified circuit symbol to be used when the
source is connected to the body or when the effect of the body on device operation is unimportant.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith

Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

O Transistor NMOS:

=

2

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Figure A.1 Photolithography using positive or negative photoresist.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith
Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Oxidao Superficial

SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Aplicao do Fotorresiste

Fotorresiste
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Exposio Luz Ultra-Violeta (UV)

insolvel

insolvel

Fotorresiste
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Revelado do Fotorresiste e Aquecimento

Fotorresiste
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Corroso

Fotorresiste
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Centrifugao e secado

Fotorresist
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Outros Passos: Implantao de ons, deposio de
metal, etc.

Fotorresist
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Eliminao do Fotorresiste

Fotorresist
SiO2

Substrato de Si
Dr. Jos Fco. Lpez
Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Exemplo de Implantao de ons para criar um n well (Cavidade - n)
Implantao de ons
Fotorresiste
xido de silicio
Cavidade-n

Substrato tipo-p

Dr. Jos Fco. Lpez


Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Exemplo de Implantao de ons para criar um n -well

Fotorresiste
xido de silicio
Cavidade-n

Substrato tipo-p

Dr. Jos Fco. Lpez


Desp. 307, Pab. A
lopez@iuma.ulpgc.es

FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Exemplo:
Fabricao de um
Inversor CMOS ao
nvel de mscaras.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith
Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

Figure A.14 A CMOS inverter schematic and its layout.

CADENCE 6 - XFAB 0,18 m

Figure A.15 Cross section along the plane AA' of a CMOS inverter. Note that this particular layout is
good for illustration purposes, but is not necessarily appropriate for latchup prevention.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith
Copyright 2010 by
Oxford University Press, Inc.

CADENCE 6 - XFAB 0,18 m

Figure A.16 A set of photomasks for the n-well CMOS inverter. Note that each layer requires
a separate plate. Photo-plates (a), (d), (e), and (f) are dark-field masks, while (b), (c), and (g)
are clear-field masks.
Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith
Copyright 2010 by
Oxford University Press, Inc.

CADENCE 6 - XFAB 0,18 m

VDD

In

Gnd

Out

VDD

In

Gnd

Out

VDD

In

Gnd

Out

N-well
VDD

In

Gnd

Out

N-well
VDD

Difuso de
Fsforo
In

Gnd

Out

VDD

In

Gnd

Regio
Ativa
(LOCOS)

Out

VDD

In

Gnd

Regio
Ativa
(LOCOS)

Out

Oxidao
para
formao
de SiO2

VDD

In

Gnd

Silcio Poli

Out

VDD

In

Gnd

Silcio Poli

Out

VDD

In

Gnd

Silcio Poli

Out

Formao
da Porta
de Si-Poli

Difuso n+
VDD

In

Gnd

Out

Difuso n+
VDD

In

Gnd

Out

Difuso n+
VDD

In

Gnd

Out

Implantao
De Arsnio

Difuso p+
VDD

In

Gnd

Out

Difuso p+
VDD

In

Gnd

Out

Implantao
De Boro

Contatos
VDD

In

Gnd

Out

Contatos
VDD

In

Gnd

Out

Contatos
VDD

In

Gnd

Out

Metal 1
VDD

In

Gnd

Out

Metal 1

VDD

In

Gnd

Out

Metal 1

VDD

In

Out

Metalizao
Gnd

VDD

In

Gnd

Out

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

De maneira geral, pode-se classificar os fluxos existentes


em trs categorias, conforme a sequncia em que do
evoluo ao projeto. So elas:
Top-down
Bottom-up
Middle-out
CIRCUITOS INTEGRADOS
DIGITAIS

CIRCUITOS INTEGRADOS
ANALGICOS

Standard - Cells
Gate Array

Full - Custom

Full - Custom

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


SISTEMA: FILTRO PASSA-BAIXAS
Especificaes

Amplificador operacional.
Circuito: nvel de transistores

Arquitetura: Nvel de Circuito

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


DISPOSITIVO: AMPLICADOR OPERACIONAL CMOS

Figure 12.1 The basic two-stage CMOS op-amp configuration.

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

Sedra/Smith

Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


AMPLICADOR OPERACIONAL 741

Microelectronic Circuits, Sixth Edition

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Copyright 2010 by Oxford University Press, Inc.

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


SISTEMA: SOMADOR BINARIO

PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS


SISTEMA: SOMADOR

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

FLUXO DE PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS

[Lucas Compassi Severo, 2010]

http://hdl.handle.net/10183/44110

FLUXO DE PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS

Metodologia Full-Custom
Estratgia Top-Down
Especificaes Nvel do Sistema.
Seleciona-se a Arquitetura do Circuito a nvel
de transistores Circuito Esquemtico.
Calculam-se as dimenses dos Transistores.

Utilizam-se Ferramentas EDA para obter o


Layout, simulao e verificao.

FLUXO DE PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS

Metodologia Full-Custom
Schematic Capture

Schematic Simulation
Layout

Ferramentas
Virtuoso
(Composer)

(Spectre,
HSPICE)
Virtuoso

DRC / ERC
Assura

LVS
Extract - QRC

(Diva ou
Dracula)

Virtuoso
(Spectre,
Post-Layout Simulation
HSPICE)
PADS PROTECES GDS : Arquivo final para fabricao.
(FileExportStream...)

FLUXO DE PROJETO DE CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS

Metodologia Full-Custom

Fabricao.
Encapsulado.

Testes e Verificao.
Aprovao.

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom
Especificao.

Minha_Biblioteca
Inversor

Schematic
Symbol
Layout
Analog Extracted

Escolhem-se os materias dos PINS

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom

Esquemtico do Circuito. Nvel do Transistores.

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom

Smbolo para simulao e utilizao.

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom
Test-Bench.

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom
Simulao.

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom
Layout e Verificao.
Assura
Run DRC
Run ERC
Run LVS

Run QRC

Extrao de
parmetros

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom
Layout e Verificao.
Assura
Run DRC
Run ERC
Run LVS

Run QRC

Extrao de
parmetros

EXEMPLO BSICO: INVERSOR CMOS

Metodologia Full-Custom

Extrao dos parmetros.

CONTEDO DA APRESENTAO
Introduo
Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

University of So Paulo
Polytechnic School
Integrated Systems Laboratory
Pervasive and High Performance Computing

UWB SYSTEM FOR BREAST CANCER


DETECTION BASED ON THE FIFTH
DERIVATIVE GAUSSIAN PULSE GENERATOR
Authors: Stelvio Henrique Igncio Barboza,
Jos Alejandro Amaya Palacio
Elvis Pontes
Sergio Takeo Kofuji

INTRODUCTION
Microwave Tomography
Basically, a transmitter is used to illuminate the breast with electromagnetic fields in
microwave frequency, propagating across the breast and being detected by receptor
positioned around the breast.

ANALYSIS AND DISCUSSION

Microwave imaging for breast cancer detection using Ultra-Wideband


signals have a significant importance as noninvasive screening tool in order
to replace the current X-ray mammography [1], [2] and [3].

X-ray mammography
(Klemm,2008)
Microwave imaging

METHODS AND MATERIALS

The implemented layout and a photograph of fabricated and


tested integrated circuit.

CORE - 97x73um
CHIP - 745x626um

IBM 0.18um CMOS

METHODS AND MATERIALS

IBM 0.18um CMOS - MOSIS

METHODS AND MATERIALS

IBM 0.18um CMOS - MOSIS

Posio [mm]

METHODS AND MATERIALS

Posio [mm]
Dimetro tumor = 20 [mm]

TRANSMISSOR UWB

(ARQUITETURA)

5ta Derivada da Funo Gaussiana = 6e-11%


0.06
Pulso 5ta Deriv
0.04

Amplitude [V]

0.02

-0.02

-0.04

-0.06
-4

-3

-2

-1

0
tempo [s]

4
-10

x 10

Fonte: MOREIRA, SILVEIRA, NOIJE, TAKEO (2010).

96

TRANSMISSOR UWB

(FORMADOR DE ONDA QUADRADA)

Baseado em (CABRERA RIAO ,2010)

97

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO GERADOR DE ATRASOS)

98

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO DETECTOR DE FASE )

O circuito detector de fase composto de trs blocos: um


bloco n-dinmico, um n-latch e um inversor esttico .

V [Volts]
V1

V2

Phase Difference

VOUT

t [ps]

99

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO FORMADOR DE PULSO)


V [Volts]
VA

VDD

VB

VC

C
VDD

VOUT

RL

VD
D

Trasistor L [um] W [um]


M1
0,18
3,5
M2
0,18
3
M3
0,18
3,5
M4
0,18
2

VOUT
100

t [ps]

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO PRINCIPAL)
Layout do circuito principal excludo o circuito gerador de
onda quadrada e PADS, realizado no ambiente software
CADENCE com o design kit da IBM 0.18 m Tecnologia.

101

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO PRINCIPAL)
Layout geral do CI implementado incluindo PADS e protees realizado no
ambiente software CADENCE com o design kit da IBM 0.18 m Tecnologia
CMOS

CORE - 97x73um
CHIP - 745x626um

IBM 0.18um CMOS

102

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO PRINCIPAL)
Sinais gerados em simulao a partir dos parmetros ps-layout extrados
do chip fabricado

103

TRANSMISSOR UWB

(CIRCUITO PRINCIPAL)
Comparao Pulso Medido no CI fabricado, Pulso obtido da
simulao e Pulso terico ideal da quinta derivada da funo
Gaussiana

104

TRANSMISSOR UWB

(TESTE DO CIRCUITO INTEGRADO)


A caracterizao do chip do transmissor foi feita variando os
valores de frequncia do sinal de entrada e a tenso de
alimentao do chip, para tanto foram utilizados 5 chips.
Tabela: Valores mdios dos parmetros coletados
Sinusoidal Input Signal
=
=
=
=
=
=

Valores Mdios das Medies


156,82

118,62

410,60

200,05

120,68

409,40

244,44

115,20

407,80

Tabela: Desvio padro dos parmetros


Desvio Padro das Medies
coletados

Sinusoidal Input Signal


=
=
=
=
=
=

9,73

2,55

2,33

8,41

2,69

7,68

8,04

6,61

3,80

105

TRANSMISSOR UWB

(TESTE DO CIRCUITO INTEGRADO)

Faixa de frequncia mdia


2,15 a 8,8 GHz
106

TRANSMISSOR UWB

(TESTE DO CIRCUITO INTEGRADO)


Tabela 1. Desempenho e comparao em relao a geradores de pulsos gaussianos UWB.
PARAMETROS

Este trabalho
(Fabricado)

(MOREIRA,
SILVEIRA, et al.,
2010)
(No fabricado)

(SALEHI-ABARI e
PLETT, 2010)
(Fabricado)

[]

0.18

0.18

0.13

1.8

2.0

1.2

rea do

745x626

---

800x540

rea do

97x73

53.4x43.6

---

407.8

187

510

100

100

300

115.2

156

540

Fonte: Autor

107

TRANSMISSOR UWB

(TESTE DO CIRCUITO INTEGRADO)

108

CONTEDO DA APRESENTAO
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Fabricao de Circuitos Integrados
Projeto de Circuitos Integrados
Fluxo de Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
Exemplo Bsico: Inversor em Tecnologia CMOS 0,18 m XFAB
Exemplo Real: Gerador de Pulsos Gaussiano Quinta Derivada
Concluses

CONCLUSES

CONCLUSES

Para desenvolver Projetos de Circuitos


Integrados Analgicos precisa-se
fundamentalmente criatividade e o que mais
temos no Brasil.

A desenvolver Projetos de Microeletrnica!.

OBRIGADO!

jamaya@usp.br

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