MARIO ROSAS VARGAS.

Una sencilla y prctica explicacin del funcionamiento de un transistor

MOSFET puede resumirse en que; al aplicar una determinada tensin
(positiva respecto a GND) sobre la Puerta o Gate, dentro del transistor, se
genera un campo elctrico que permite la circulacin de corriente entre el
terminal Drenador y el terminal Fuente. La tensin mnima de Puerta, para
que el transistor comience a conducir (depende de su hoja de datos), por ej.
para un IRFZ44N est ubicada entre 2 y 4V, mientras que la mxima tensin
que podremos aplicar, respecto al terminal Fuente, e s de 20v

En conmutacin y en saturacin, en el caso del transistor MOSFET IRFZ44N, nos

interesa aplicar 10V de tensin en la Puerta, para lograr la mnima resistencia entre
Drenador y Fuente. En otro caso, no obtendremos el mejor rendimiento, por la mayor
disipacin de calor, debido a una mayor resistencia a la circulacin de corriente entre
Drenador y Fuente. No se debe sobrepasar la tensin VGS mxima de 20V, ya que el
transistor se estropear. En cambio, si la tensin de Puerta no alcanza los 2 a 4V, el
transistor no entrar en conduccin