Sumrio: O IGBT.

O IGBT O transstor bipolar de porta isolada (Insulated Gate Bipolar

Transstor) o dispositivo de comutao nos conversores de potncia.

Caractersticas:

Entrada de MOSFET de potncia (tenso)

Sada de dispositivos bipolares (corrente)

Vantagens:

Rpida comutao (MOSFET)

Perdas de conduo baixas (bipolares)

A estrutura

Porta
Emissor

p+

n+
Regio de deriva n

p+
Colector

Modulao da condutividade da zona de deriva

n+

Ctodo

Porta

SiO2

p
n
n+
p+

nodo

Circuito elctrico equivalente

S
Ip(W)

G
NMOS

PNP

D
In(W)

IT(W)=Ip(W)+In(W)

Tiristores: interruptores electrnicos comandados

Corte-Conduo

Aplicao de uma tenso superior bscula

Aplicao de um impulso positivo pela porta
Activao por impulsos luminosos
Variao rpida da tenso andica

Dispositivos bipolares: correntes elevadas + tenses baixas

MOS: comando em tenso

Dodo de 4 camadas

GTO

SCR

IGBT