FSICA ELECTRNICA

TRANSISTORES
Presentado por:
Jean Paul Carlos Del Pezo

TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a otra seal
de entrada.
Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El
trmino transistor es la contraccin en
ingls de transfer resistor (resistencia de
transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente
en todos los aparatos electrnicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores
de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes,
tomgrafos, telfonos celulares, etc.

TIPOS DE TRANSISTORES
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms aceptada consiste
en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y transistores de
efecto de campo o FET (Field Effect Transistor).
La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando
los JFET, MOSFET, MISFET, etc...

TRANSISTOR BIPOLAR
Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e intercambiados. Se
puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnolgicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas
en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o huecos (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o
Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a
la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra
asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la
unin.

TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

Llamado tambin transistor de punta de contacto,
fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor
para entonces mejor conocido que la combinacin
cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metlicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente de base es capaz
de modular la resistencia que se ve en el colector,
de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de
unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.

TRANSISTOR DE UNIN UNIPOLAR

Tambin llamado de efecto de campo de unin
(JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden
dos regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre s, se producir una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos
surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta
al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin
cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.

TRANSISTOR JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en
espaol transistor de efecto de campo de
juntura o unin) es un dispositivo electrnico,
esto es, un circuito que, segn unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al
ser transistores de efecto de campo elctrico,
estos valores de entrada son las tensiones
elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Segn este valor, la salida del transistor
presentar una curva caracterstica que se
simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y
saturacin.

FICHA TCNICA

TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar
seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado
en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de unin
bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales estn basados en transistores
MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente
est conectado internamente al terminal del surtidor,
y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.

GRACIAS